JP3527061B2 - Distributed feedback semiconductor laser - Google Patents
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光応用計
測、ホログラム等の光源として用いられる分布帰還型半
導体レーザに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a distributed feedback semiconductor laser used as a light source for optical communication, optical measurement and holograms.
【０００２】[0002]
【従来の技術】分布帰還型半導体レーザでは、Bragg散
乱を生じさせるために、微細な回折格子を形成する必要
がある。従来は、活性層（光導波路を兼ねる）内に周期
構造を形成した構造の分布帰還型半導体レーザが案出さ
れているが、この構造では、活性層にダメージを与え内
部量子効率が減少する等の問題がある。このため、活性
層内に回折格子を形成するのではなく、活性層の上部に
形成されたクラッド層に回折格子を形成して、活性層に
おける共振器長手方向の実効屈折率を周期的に変化させ
ることによって回折格子を形成した構造のいわゆる屈折
率結合型の分布帰還型レーザが案出されている。2. Description of the Related Art In a distributed feedback semiconductor laser, it is necessary to form a fine diffraction grating in order to cause Bragg scattering. Conventionally, a distributed feedback semiconductor laser having a structure in which a periodic structure is formed in an active layer (also serving as an optical waveguide) has been devised, but in this structure, the active layer is damaged and the internal quantum efficiency is reduced. I have a problem. Therefore, instead of forming a diffraction grating in the active layer, a diffraction grating is formed in the clad layer formed above the active layer to periodically change the effective refractive index in the cavity longitudinal direction of the active layer. Thus, a so-called refractive index coupled type distributed feedback laser having a structure in which a diffraction grating is formed has been devised.
【０００３】図４は、このタイプの分布帰還型半導体レ
ーザの構成を示す断面図である。図４に示された断面図
は、共振器の長手方向、つまりレーザ光が伝搬する方向
に沿った断面図である。図４に示された従来の分布帰還
型半導体レーザは、基板５２の下面に電極層５１が形成
されており、基板５２の上には、第１クラッド層５３、
活性層５４、第２クラッド層５５が積層され、第２クラ
ッド層５５の上面全域にコンタクト層５６が形成されて
いる。第２クラッド層５５は第２のクラッド層の下層５
５Ａと第２のクラッド層の上層５５Ｂとからなり、下層
５５Ａと上層５５Ｂとの間にエッチングストップ層５０
が介挿されている。FIG. 4 is a sectional view showing the structure of a distributed feedback semiconductor laser of this type. The cross-sectional view shown in FIG. 4 is a cross-sectional view along the longitudinal direction of the resonator, that is, the direction in which the laser light propagates. In the conventional distributed feedback semiconductor laser shown in FIG. 4, the electrode layer 51 is formed on the lower surface of the substrate 52, and the first clad layer 53,
The active layer 54 and the second cladding layer 55 are stacked, and the contact layer 56 is formed on the entire upper surface of the second cladding layer 55. The second clad layer 55 is the lower layer 5 of the second clad layer.
5A and the upper layer 55B of the second clad layer, and the etching stop layer 50 is formed between the lower layer 55A and the upper layer 55B.
Has been inserted.
【０００４】更に、コンタクト層５６の上には電流スト
ップ層５７が形成されており、この電流ストップ層５７
の中央には、図示を省略しているが所定幅寸法、例えば
２．５μｍの絶縁層のストライプ溝が開口されている。
また、電流ストップ層５７の上面および電流ストップ層
５７のストライプ溝内のコンタクト層５６の上面には電
極層５８が形成されている。この半導体エピタキシャル
基板において、コンタクト層５６から第２のクラッド層
の上層５５Ｂにわたって複数の凹部６０がそれぞれ一定
間隔をあけてストライプ溝方向に並設して形成されてい
る。隣接する凹部６０の中間は凸部６１となり、これら
凹部６０と凸部６１により、回折格子が形成されてい
る。また、上記各凹部６０の各底部はエッチングストッ
プ層５０に到達されてエッチングストップ層５０で止め
られており、各凹部６０の底部は均一な深さにされてい
る。Further, a current stop layer 57 is formed on the contact layer 56, and the current stop layer 57 is formed.
Although not shown, a stripe groove of an insulating layer having a predetermined width dimension, for example, 2.5 μm, is opened in the center of the.
An electrode layer 58 is formed on the upper surface of the current stop layer 57 and the upper surface of the contact layer 56 in the stripe groove of the current stop layer 57. In this semiconductor epitaxial substrate, a plurality of recesses 60 are formed in parallel in the stripe groove direction at regular intervals from the contact layer 56 to the upper layer 55B of the second cladding layer. A convex portion 61 is formed in the middle of the adjacent concave portions 60, and the concave portion 60 and the convex portion 61 form a diffraction grating. Further, each bottom of each recess 60 reaches the etching stop layer 50 and is stopped by the etching stop layer 50, and the bottom of each recess 60 has a uniform depth.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このように表面に回折
格子を形成した分布帰還型レーザでは、回折格子の凹部
のストライプ溝方向幅と深さの比（アスペクト比）にレ
ーザ発振特性に影響を与える結合係数の大きさが依存す
る。そのため、凹部の幅と深さの比（アスペクト比）が
小さい場合、帰還に必要な結合係数の値が確保できず、
レーザの閾電流値が増大する問題を生ずる。本発明は、
上記事情に鑑みてなされたものであり、レーザ発振の閾
電流値の低減が図れる分布帰還型半導体レーザを提供す
ることを目的とする。In the distributed feedback laser in which the diffraction grating is formed on the surface as described above, the laser oscillation characteristics are affected by the ratio (aspect ratio) of the width and depth of the concave portion of the diffraction grating in the stripe groove direction. The magnitude of the coupling coefficient given depends on it. Therefore, if the width-to-depth ratio (aspect ratio) of the recess is small, the value of the coupling coefficient necessary for feedback cannot be secured,
This causes a problem that the threshold current value of the laser increases. The present invention is
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a distributed feedback semiconductor laser capable of reducing the threshold current value of laser oscillation.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる分布帰還
型半導体レーザは、半導体基板上に、第１のクラッド層
と、活性層と、第２のクラッド層と、コンタクト層と、
電流通路を成すストライプ溝を有する電流ストップ層
と、電極層とを順次積層し、上記電極層から上記第２ク
ラッド層にわたった複数の凹部をそれぞれ一定間隔あけ
て上記ストライプ溝方向に並設し、上記凹部の底面に金
属膜を設けたものである。凹部の底面に金属膜を形成す
ることにより、活性層近傍のクラッド層上に金属膜が存
在することになり、光（電界）は吸収されてロスが発生
する。この吸収は凹部のみで発生するため、ストライプ
溝方向、即ち共振器方向において吸収（利得の減少）が
周期的に発生する。このことにより、利得結合の効果が
発生する。なお、回折格子により周期的な屈折率変化が
生ずるため、屈折率結合の効果も存在する。したがっ
て、結合係数が増大し、レーザ発振に必要な閾電流値が
低減する。A distributed feedback semiconductor laser according to the present invention comprises a first clad layer, an active layer, a second clad layer, a contact layer, and a contact layer on a semiconductor substrate.
A current stop layer having a stripe groove forming a current path and an electrode layer are sequentially laminated, and a plurality of recesses extending from the electrode layer to the second clad layer are arranged in parallel in the stripe groove direction at regular intervals. The metal film is provided on the bottom surface of the recess. By forming the metal film on the bottom surface of the recess, the metal film exists on the clad layer in the vicinity of the active layer, and light (electric field) is absorbed and loss occurs. Since this absorption occurs only in the concave portion, absorption (reduction in gain) occurs periodically in the stripe groove direction, that is, in the resonator direction. This causes the effect of gain coupling. Since the diffraction grating causes a periodic change in the refractive index, there is also an effect of refractive index coupling. Therefore, the coupling coefficient increases and the threshold current value required for laser oscillation decreases.
【０００７】また、本発明は、上記金属膜が光（電界）
を吸収する作用をもつことにより、アルミニウム、チタ
ン、ニッケルもしくはクロムまたはこれら２種以上から
なる合金のいずれかであることが好ましい。これら金属
のうちアルミニウムまたはチタンは、発振波長における
光の吸収率が大きいため、アルミニウムまたはチタンを
用いることが望ましい。Further, according to the present invention, the metal film is light (electric field).
It is preferably aluminum, titanium, nickel or chromium, or an alloy composed of two or more of these, because it has a function of absorbing the above. Of these metals, aluminum or titanium has a large light absorptance at the oscillation wavelength, and therefore aluminum or titanium is preferably used.
【０００８】また、本発明は、上記金属膜の厚さが０．
０５μｍないし０．２μｍであることが望ましい。金属
膜の厚さが０．０５μｍより小さいと、光（電界）を吸
収する作用が小さい。また、金属膜の厚さが０．２μｍ
を超えると、回折格子による周期的な屈折率変化が小さ
くなるため、屈折率結合の作用が小さくなり、結合係数
が低下する。Further, according to the present invention, the metal film has a thickness of 0.
It is desirable that the thickness is from 05 μm to 0.2 μm. When the thickness of the metal film is smaller than 0.05 μm, the action of absorbing light (electric field) is small. The thickness of the metal film is 0.2 μm
When it exceeds, the periodical refractive index change due to the diffraction grating becomes small, so that the action of refractive index coupling becomes small and the coupling coefficient decreases.
【０００９】なお、上記半導体基板はInPからなり、コ
ンタクト層はInGaAsもしくはInGaAsPから構成されてい
ることが好ましい。第１及び第２のクラッド層は、例え
ばInP等の半導体からなる。第１及び第２のクラッド層
は、一方がｐ型半導体層なら、他方がｎ型半導体層であ
る。活性層は、レーザ動作を起こす媒質であり、例えば
InGaAsPの半導体からなる。It is preferable that the semiconductor substrate is made of InP and the contact layer is made of InGaAs or InGaAsP. The first and second cladding layers are made of a semiconductor such as InP. One of the first and second cladding layers is a p-type semiconductor layer and the other is an n-type semiconductor layer. The active layer is a medium that causes a laser operation, for example,
Made of InGaAsP semiconductor.
【００１０】コンタクト層は、電極層と半導体層である
第２のクラッド層との接触層との接触抵抗を減少させる
ためのものであり、例えばInGaAs等の半導体からなる。
このコンタクト層は、その下方にある第２のクラッド層
の半導体のｎ型、ｐ型に対応してｎ型又はｐ型となる。The contact layer is for reducing the contact resistance between the electrode layer and the contact layer between the second cladding layer, which is a semiconductor layer, and is made of a semiconductor such as InGaAs.
This contact layer becomes n-type or p-type corresponding to the n-type and p-type of the semiconductor of the second cladding layer therebelow.
【００１１】電流ストップ層は、Au等からなる電極層に
加えられた電流をストライプ溝を通してコンタクト層に
流す役割を持ち、例えばＳｉＯ2からなる。複数の凹部
のそれぞれの深さは最大１μｍとする。これら凹部の数
は、共振器長が大略２５０〜４００μｍであり、グレー
ティング周期を０．２〜０．３μｍとした場合、８３０
〜２，０００の範囲となるThe current stop layer has a role of causing a current applied to the electrode layer made of Au or the like to flow into the contact layer through the stripe groove, and is made of, for example, SiO 2 . The maximum depth of each of the plurality of recesses is 1 μm. The number of these recesses is 830 when the resonator length is approximately 250 to 400 μm and the grating period is 0.2 to 0.3 μm.
To be in the range of 2,000
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態について説明する。図１は本発明の一実施形態
による分布帰還型半導体レーザの上方斜視図であり、図
２は図１中ａ−ａ線の断面図であり、図３は図１中ｂ−
ｂ線の正断面図である。まず、図１、図２、及び図３を
参照してこの半導体レーザの全体的な構造について説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is an upper perspective view of a distributed feedback semiconductor laser according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line aa in FIG. 1, and FIG. 3 is b- in FIG.
It is a front sectional view of line b. First, the overall structure of this semiconductor laser will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3.
【００１３】この半導体レーザは、長方状のｎ型のInP
の半導体基板１２の下面に金などからなる共通電極層１
１が形成されている。基板１２の上には、ｎ型InPから
なる第１クラッド層１３、InGaAsPからなる活性層１
４、ｐ型InPの第２クラッド層１５が積層され、クラッ
ド層１５は下層１５Ａと上層１５Ｂとからなり、上層１
５Ａと下層１５Ｂとの間にInGaAsまたはInGaAsPからな
るエッチングストップ層１０が介挿されている。This semiconductor laser is a rectangular n-type InP
The common electrode layer 1 made of gold or the like on the lower surface of the semiconductor substrate 12 of
1 is formed. A first cladding layer 13 made of n-type InP and an active layer 1 made of InGaAsP are formed on the substrate 12.
4, the second clad layer 15 of p-type InP is laminated, and the clad layer 15 is composed of a lower layer 15A and an upper layer 15B.
An etching stop layer 10 made of InGaAs or InGaAsP is interposed between 5A and the lower layer 15B.
【００１４】コンタクト層１６には、基板１２の長手方
向に延びるストライプ溝１９を形成するようＳｉ０2か
らなる電流ストップ層１７を形成している。電流ストッ
プ層１７の上面及びストライプ溝１９内のコンタクト層
１６の上面には電極層１８が形成されている。電極層１
８から電流を注入した場合、ストライプ溝１９の幅寸法
内の活性層１４において、レーザ発振が行われる。On the contact layer 16, a current stop layer 17 made of SiO 2 is formed so as to form a stripe groove 19 extending in the longitudinal direction of the substrate 12. An electrode layer 18 is formed on the upper surface of the current stop layer 17 and the upper surface of the contact layer 16 in the stripe groove 19. Electrode layer 1
When a current is injected from 8, laser oscillation is performed in the active layer 14 within the width dimension of the stripe groove 19.
【００１５】コンタクト層１６から第２のクラッド層１
５にわたった複数の凹部２０がそれぞれ一定間隔をあけ
てストライプ溝１９方向に並設して形成されている。隣
接する凹部２０の中間は、凸部２１となり、これら凹部
２０と凸部２１により、回折格子が形成されている。こ
の回折格子は、絶縁層のストライプ溝１９が形成されて
いない部分で、かつ、活性層１４の近傍に形成されるも
のであり、図１，２の形態では、絶縁層のストライプ溝
１９の両側部に回折格子が２列に形成されている。な
お、本発明構造において回折格子が絶縁層のストライプ
溝１９の一方の側部に１列のみ形成されていてもよいの
は勿論である。Contact layer 16 to second cladding layer 1
A plurality of recesses 20 extending over 5 are formed side by side in the direction of the stripe groove 19 at regular intervals. A convex portion 21 is formed between the adjacent concave portions 20, and the concave portion 20 and the convex portion 21 form a diffraction grating. This diffraction grating is formed in a portion where the insulating layer stripe groove 19 is not formed and in the vicinity of the active layer 14. In the embodiments of FIGS. 1 and 2, both sides of the insulating layer stripe groove 19 are formed. Diffraction gratings are formed in two rows in the section. Of course, in the structure of the present invention, the diffraction grating may be formed in only one row on one side of the stripe groove 19 of the insulating layer.
【００１６】また、凹部２０の各底部はエッチングスト
ップ層１０に到達されてエッチングストップ層１０で止
められており、各凹部２０の底部は均一な深さにされて
いる。例えば、凹部２０の上部開放端と底部の面までの
長さは、約０．６５μｍである。なお、凹部２０のスト
ライプ溝１９方向の間隔及びその幅は、発振波長に応じ
て設計される。各凹部２０の底面には、膜厚０．０５な
いし０．２μｍの金属膜２２形成されている。The bottoms of the recesses 20 reach the etching stop layer 10 and are stopped by the etching stop layer 10. The bottoms of the recesses 20 have a uniform depth. For example, the length from the upper open end of the recess 20 to the bottom surface is about 0.65 μm. The interval of the recess 20 in the direction of the stripe groove 19 and its width are designed according to the oscillation wavelength. A metal film 22 having a thickness of 0.05 to 0.2 μm is formed on the bottom surface of each recess 20.
【００１７】金属膜２２は、アルミニウム、チタン、ニ
ッケルもしくはクロムまたはこれら２種以上からなる合
金のいずれかを、例えば真空蒸着によって形成される
が、凹部２０を形成した後に、金属膜２２を形成する工
程を単に付加するだけである。The metal film 22 is made of aluminum, titanium, nickel or chromium, or an alloy of two or more of these, for example, by vacuum deposition. The metal film 22 is formed after the recess 20 is formed. Simply add steps.
【００１８】次に、この半導体レーザの動作について説
明する。まず、この半導体レーザの電界分布について説
明する。電極層１８に電流が流されると、電流は絶縁層
１７に形成されたストライプ溝１９のみからコンタクト
層１６へ注入される。コンタクト層１６へ注入された電
流は第２のクラッド層の上層１５Ｂ、エッチングストッ
プ層１０、及び第２のクラッド層の下層１５Ａを介して
活性層１４へ注入される。Next, the operation of this semiconductor laser will be described. First, the electric field distribution of this semiconductor laser will be described. When a current is passed through the electrode layer 18, the current is injected into the contact layer 16 only from the stripe groove 19 formed in the insulating layer 17. The current injected into the contact layer 16 is injected into the active layer 14 through the upper layer 15B of the second cladding layer, the etching stop layer 10 and the lower layer 15A of the second cladding layer.
【００１９】電流が活性層１４へ注入されると、反転分
布が生じ、誘導放出光が放出される。放出された誘導放
出光の強度は、活性層１４の内ストライプ溝１９の下部
で強く、ガウス分布状に強度が弱くなる。誘導放出光は
活性層１４内を伝搬するが、活性層１４と第２のクラッ
ド層１５及び第１のクラッド層１３の屈折率差によって
垂直方向の閉じこめ率が高くなるため、電界分布は垂直
方向に潰れ、図１中の線ｂ−ｂに沿った方向（以下、平
行方向と称する）に延びた楕円状になる。When current is injected into the active layer 14, population inversion occurs and stimulated emission light is emitted. The intensity of the emitted stimulated emission light is strong under the inner stripe groove 19 of the active layer 14 and weakens in a Gaussian distribution. The stimulated emission light propagates in the active layer 14, but since the confinement ratio in the vertical direction increases due to the refractive index difference between the active layer 14 and the second cladding layer 15 and the first cladding layer 13, the electric field distribution is in the vertical direction. 1 and is elliptically shaped to extend in a direction along line bb in FIG. 1 (hereinafter referred to as a parallel direction).
【００２０】なお、誘導放出光の電界は活性層１４内の
みに存在する訳ではなく、第２のクラッド層１５内や第
１のクラッド層内１３内に“しみ出す”。従って、レー
ザ光は凹部２０及び凸部２１による屈折率の変化によっ
て屈折率結合型の結合係数を得るとともに、金属膜２２
の有無による利得の変化によって利得結合型の結合係数
を得る。The electric field of the stimulated emission light does not exist only in the active layer 14, but "bleeds out" into the second cladding layer 15 and the first cladding layer 13. Therefore, the laser light obtains a refractive index coupling type coupling coefficient by the change of the refractive index by the concave portion 20 and the convex portion 21, and at the same time, the metal film 22.
A gain-coupling type coupling coefficient is obtained by changing the gain depending on the presence or absence of.
【００２１】金属膜２２を設けない場合、つまり０μｍ
の場合、利得結合型の周期構造によって得られる結合係
数が０であるので結合係数の比は１である。このときの
総合結合係数の値は約２５である。When the metal film 22 is not provided, that is, 0 μm
In the case of, the coupling coefficient obtained by the gain coupling type periodic structure is 0, and thus the coupling coefficient ratio is 1. The value of the total coupling coefficient at this time is about 25.
【００２２】金属膜２２の膜厚が０．０５μｍとなる
と、結合係数の比が１．２程度となるが、この場合単一
の縦モードと他の縦モードとのＳＮ比が３０ｄＢ程度と
なり、発振縦モードのＳＮ比の改善が図れることにな
る。また、このときの総合結合係数は、結合係数の比が
１．２であるため、約３０となり、安定な単一の縦モー
ドを得ることができる。金属膜２２の膜厚が厚くなるに
つれて結合係数の比が大きくなるが、膜厚が０．２μｍ
を超えると、前述したように利得結合の効果が飽和する
ため結合係数の比が飽和してしまい、膜厚を厚くしても
結合係数の比が余り増加しなくなる。When the thickness of the metal film 22 is 0.05 μm, the coupling coefficient ratio is about 1.2. In this case, the SN ratio between the single longitudinal mode and other longitudinal modes is about 30 dB, It is possible to improve the SN ratio of the oscillation longitudinal mode. Further, the total coupling coefficient at this time is about 30 because the ratio of the coupling coefficients is 1.2, and a stable single longitudinal mode can be obtained. The coupling coefficient ratio increases as the thickness of the metal film 22 increases, but the thickness is 0.2 μm.
When it exceeds, the effect of gain coupling saturates as described above, so that the ratio of coupling coefficients saturates, and the ratio of coupling coefficients does not increase much even if the film thickness is increased.
【００２３】また、金属膜２２の膜厚が０．２μｍを超
えると、図１〜３中の電極層１８と短絡してしまう場合
がある。この場合、金属膜２２から電流が注入されるこ
とになり、絶縁層１８を設けて活性層１４に注入される
電流を狭搾した意味が全く無くなってしまう。また、金
属膜２２から電流が注入されると、レーザ発振に必要な
電流値は、ストライプ溝１９から注入される電流の値と
金属膜２２から注入される電流の値との和であるので、
実質的にレーザ発振閾値が増加してしまうことになる。If the thickness of the metal film 22 exceeds 0.2 μm, it may short-circuit with the electrode layer 18 shown in FIGS. In this case, the current is injected from the metal film 22, and there is no meaning to squeeze the current injected into the active layer 14 by providing the insulating layer 18. When the current is injected from the metal film 22, the current value required for laser oscillation is the sum of the current value injected from the stripe groove 19 and the current value injected from the metal film 22.
This substantially increases the laser oscillation threshold.
【００２４】さらに、活性層１４の凹部２０の下方に位
置する部位においてもレーザ発振が生じてしまい、出射
されるレーザ光の近視野像及び遠視野像を変えてしま
う。つまり、金属膜２２から注入される電流は全て損失
となってしまうので、金属膜２２の膜厚が０．２μｍ以
下である必要がある。金属膜２２の膜厚が０．２μｍで
ある場合、結合係数の比は約１．５８となり結合係数が
４０近くの値を得ることができ、安定な単一縦モードを
得ることができるとともに、レーザ発振閾値を低くする
ことができる。Further, laser oscillation also occurs in the portion of the active layer 14 located below the recess 20, which changes the near-field image and the far-field image of the emitted laser light. That is, since the current injected from the metal film 22 is entirely lost, the film thickness of the metal film 22 needs to be 0.2 μm or less. When the film thickness of the metal film 22 is 0.2 μm, the coupling coefficient ratio is about 1.58, and the coupling coefficient can be close to 40, and a stable single longitudinal mode can be obtained. The laser oscillation threshold can be lowered.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ストライプ溝方向に並設した複数の凹部の各底面に金属
膜を設けたので、レーザ発振の閾電流値の低減を図るこ
とができるという効果がある。その結果、単一の縦モー
ドを効率よく得ることができるという効果がある。As described above, according to the present invention,
Since the metal film is provided on each bottom surface of the plurality of concave portions arranged in the stripe groove direction, it is possible to reduce the threshold current value of laser oscillation. As a result, there is an effect that a single longitudinal mode can be efficiently obtained.
【図１】 本発明の一実施形態による分布帰還型半導体
レーザの上方斜視図である。FIG. 1 is a top perspective view of a distributed feedback semiconductor laser according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１中ａ−ａ線の断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line aa in FIG.
【図３】 図１中ｂ−ｂ線の正断面図である。3 is a front sectional view taken along line bb in FIG.
【図４】 従来の分布帰還型半導体レーザの構成を示す
断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a configuration of a conventional distributed feedback semiconductor laser.
【符号の説明】 １２ 半導体基板 １３ 第１のクラッド層 １４ 活性層 １５ 第２のクラッド層 １６ コンタクト層 １７ 電流ストップ層 １８ 電極層 １９ ストライプ溝 ２０ 凹部 ２１ 凸部 ２２ 金属膜[Explanation of symbols] 12 Semiconductor substrate 13 First cladding layer 14 Active layer 15 Second cladding layer 16 Contact layer 17 Current stop layer 18 electrode layers 19 stripe grooves 20 recess 21 convex 22 Metal film
Claims (3)
活性層と、第２のクラッド層と、コンタクト層と、電流
通路を成すストライプ溝を有する電流ストップ層と、電
極層とを順次積層し、前記電極層から前記第２クラッド
層にわたった複数の凹部をそれぞれ一定間隔あけて前記
ストライプ溝方向に並設し、前記凹部の底面に金属膜を
設けたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。1. A first cladding layer on a semiconductor substrate,
An active layer, a second clad layer, a contact layer, a current stop layer having a stripe groove forming a current path, and an electrode layer are sequentially laminated, and a plurality of layers extending from the electrode layer to the second clad layer are stacked. A distributed feedback semiconductor laser, wherein recesses are arranged in parallel in the stripe groove direction at regular intervals, and a metal film is provided on the bottom surface of the recesses.
ニッケルもしくはクロムまたはこれら２種以上からなる
合金のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の
分布帰還型半導体レーザ。2. The metal film is made of aluminum, titanium,
The distributed feedback semiconductor laser according to claim 1, wherein the distributed feedback semiconductor laser is one of nickel, chromium, and an alloy composed of two or more of these.
し０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
の分布帰還型半導体レーザ。3. The distributed feedback semiconductor laser according to claim 1, wherein the thickness of the metal film is 0.05 μm to 0.2 μm or less.
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|---|---|---|---|
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