JP3528540B2 - シリコン溶解用ルツボの製造方法 - Google Patents
シリコン溶解用ルツボの製造方法Info
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- JP3528540B2 JP3528540B2 JP27893497A JP27893497A JP3528540B2 JP 3528540 B2 JP3528540 B2 JP 3528540B2 JP 27893497 A JP27893497 A JP 27893497A JP 27893497 A JP27893497 A JP 27893497A JP 3528540 B2 JP3528540 B2 JP 3528540B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ルツボの内側が
高純度シリカ層からなり、ルツボの外側が低純度シリカ
層からなる積層構造を有するシリコン溶解用ルツボおよ
びその製造方法に関するものであり、特に規格外の形状
を有するルツボの内側空間が立方体または直方体形状を
有するシリコン溶解用ルツボおよびその製造方法に関す
るものである。
高純度シリカ層からなり、ルツボの外側が低純度シリカ
層からなる積層構造を有するシリコン溶解用ルツボおよ
びその製造方法に関するものであり、特に規格外の形状
を有するルツボの内側空間が立方体または直方体形状を
有するシリコン溶解用ルツボおよびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン溶解用ルツボとして高純
度石英ルツボまたは高純度黒鉛ルツボが使用されてい
た。しかし高純度黒鉛ルツボで作製したシリコンインゴ
ットは十分な純度が得られないところから、高純度のシ
リコンインゴットを製造するにはどうしても高純度石英
ルツボを使用しなければならなかった。この高純度石英
ルツボを製造するには、純度：９９．９％以上の高純度
溶融シリカ粉末を用意し、この高純度溶融シリカ粉末
を、ルツボの形状をしたキャビティを有する内型と外型
からなる黒鉛型の前記キャビティに充填し、ついで内型
を取り除いて外型の内面側壁に張り付いている高純度溶
融シリカ粉末にアーク炎を当てながら外型を回転し、シ
リカ粉末を溶融しながらルツボに成形することにより作
製していた。
度石英ルツボまたは高純度黒鉛ルツボが使用されてい
た。しかし高純度黒鉛ルツボで作製したシリコンインゴ
ットは十分な純度が得られないところから、高純度のシ
リコンインゴットを製造するにはどうしても高純度石英
ルツボを使用しなければならなかった。この高純度石英
ルツボを製造するには、純度：９９．９％以上の高純度
溶融シリカ粉末を用意し、この高純度溶融シリカ粉末
を、ルツボの形状をしたキャビティを有する内型と外型
からなる黒鉛型の前記キャビティに充填し、ついで内型
を取り除いて外型の内面側壁に張り付いている高純度溶
融シリカ粉末にアーク炎を当てながら外型を回転し、シ
リカ粉末を溶融しながらルツボに成形することにより作
製していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高純度石英ル
ツボを製造するための原料である高純度溶融シリカ粉末
は高価であり、近年のシリコンインゴットのコストダウ
ンに対する要求に十分答えることができず、さらにバー
ナーを使用するために内径が小さい小径の高純度石英ル
ツボを製造することができない。また、黒鉛型を使用し
て作るために、例えばルツボの内側空間が立方体または
直方体形状を有する高純度石英ルツボのように規格寸法
から外れた高純度石英ルツボを製造するには価格が高く
なることは避けられなかった。
ツボを製造するための原料である高純度溶融シリカ粉末
は高価であり、近年のシリコンインゴットのコストダウ
ンに対する要求に十分答えることができず、さらにバー
ナーを使用するために内径が小さい小径の高純度石英ル
ツボを製造することができない。また、黒鉛型を使用し
て作るために、例えばルツボの内側空間が立方体または
直方体形状を有する高純度石英ルツボのように規格寸法
から外れた高純度石英ルツボを製造するには価格が高く
なることは避けられなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
工業上使用するシリコン溶解用ルツボはもちろんのこ
と、規格から外れた形状の高純度石英ルツボであっても
安価にかつ簡単に製造すべく研究を行なった結果、ルツ
ボの内側空間と同じ任意の寸法および形状を有する蝋型
を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコ
ロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げ
て蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の
表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散
布してスタッコ層を形成することにより高純度シリカ層
を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋
型を、純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末と
コロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上
げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層
の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ砂を
散布してスタッコ層を形成することにより低純度シリカ
層を形成すると、ルツボの内側が高純度シリカ層からな
り、ルツボの外側が低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボが得られ、このシリコン溶
解用ルツボは高価な純度：９９．９％以上の高純度溶融
シリカ粉末の使用量を大幅に少なくすることができ、し
かも、蝋型の形状を変えることにより形の自由なシリコ
ン溶解用ルツボを製造することができるという知見を得
たのである。
工業上使用するシリコン溶解用ルツボはもちろんのこ
と、規格から外れた形状の高純度石英ルツボであっても
安価にかつ簡単に製造すべく研究を行なった結果、ルツ
ボの内側空間と同じ任意の寸法および形状を有する蝋型
を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコ
ロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げ
て蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の
表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散
布してスタッコ層を形成することにより高純度シリカ層
を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋
型を、純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末と
コロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上
げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層
の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ砂を
散布してスタッコ層を形成することにより低純度シリカ
層を形成すると、ルツボの内側が高純度シリカ層からな
り、ルツボの外側が低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボが得られ、このシリコン溶
解用ルツボは高価な純度：９９．９％以上の高純度溶融
シリカ粉末の使用量を大幅に少なくすることができ、し
かも、蝋型の形状を変えることにより形の自由なシリコ
ン溶解用ルツボを製造することができるという知見を得
たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、ルツボの内側空間と同じ形状を有する
蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより高純度シリ
カ層を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成し
た蝋型をさらに純度：９９．９％未満の溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％未満の溶融シリカ砂を散布
してスタッコ層を形成することにより、内側の高純度シ
リカ層および外側の低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に特徴を有す
るものである。
たものであって、ルツボの内側空間と同じ形状を有する
蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより高純度シリ
カ層を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成し
た蝋型をさらに純度：９９．９％未満の溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％未満の溶融シリカ砂を散布
してスタッコ層を形成することにより、内側の高純度シ
リカ層および外側の低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に特徴を有す
るものである。
【０００６】この発明のシリコン溶解用ルツボを構成す
る内層の高純度シリカ層は、純度：９９．９％以上の高
純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリ
ーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形
成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％以上の
高純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操
作を複数繰り返すことにより成形することができる。
る内層の高純度シリカ層は、純度：９９．９％以上の高
純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリ
ーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形
成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％以上の
高純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操
作を複数繰り返すことにより成形することができる。
【０００７】またこの発明のシリコン溶解用ルツボを構
成する外層の低純度シリカ層は、前記内層の高純度シリ
カ層を有する蝋型を、純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸
漬した後引き上げることによりスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操作を複数
回繰り返すことにより成形することができる。
成する外層の低純度シリカ層は、前記内層の高純度シリ
カ層を有する蝋型を、純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸
漬した後引き上げることによりスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操作を複数
回繰り返すことにより成形することができる。
【０００８】さらにこの発明のシリコン溶解用ルツボ
は、ルツボの内側空間が立方体または直方体形状の空間
を有することができる。このルツボの内側空間の形状が
立方体または直方体形状の空間を有するシリコン溶解用
ルツボは、立方体または直方体形状の蝋型を使用し、こ
の蝋型を純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより高純度シリ
カ層を形成し、さらにこの高純度シリカ層を形成した立
方体または直方体形状の蝋型を純度：９９．９％未満の
低純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラ
リーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を
形成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％未満
の低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成し低
純度シリカ層を形成することにより製造することができ
る。
は、ルツボの内側空間が立方体または直方体形状の空間
を有することができる。このルツボの内側空間の形状が
立方体または直方体形状の空間を有するシリコン溶解用
ルツボは、立方体または直方体形状の蝋型を使用し、こ
の蝋型を純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより高純度シリ
カ層を形成し、さらにこの高純度シリカ層を形成した立
方体または直方体形状の蝋型を純度：９９．９％未満の
低純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラ
リーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を
形成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％未満
の低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成し低
純度シリカ層を形成することにより製造することができ
る。
【０００９】従って、この発明は、立方体または直方体
形状の蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリ
カ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した
後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このス
ラリー層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シ
リカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより高純
度シリカ層を形成し、さらに、表面に高純度シリカ層を
形成した立方体または直方体形状の蝋型を、純度：９
９．９％未満の溶融シリカ粉末とコロイダルシリカから
なるスラリーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラ
リー層を形成し、このスラリー層の表面に純度：９９．
９％未満の溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成す
ることにより純度：９９．９％未満の低純度シリカ層を
形成するルツボの内側空間が立方体または直方体形状を
有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に特徴を有す
るものである。
形状の蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリ
カ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した
後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このス
ラリー層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シ
リカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより高純
度シリカ層を形成し、さらに、表面に高純度シリカ層を
形成した立方体または直方体形状の蝋型を、純度：９
９．９％未満の溶融シリカ粉末とコロイダルシリカから
なるスラリーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラ
リー層を形成し、このスラリー層の表面に純度：９９．
９％未満の溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成す
ることにより純度：９９．９％未満の低純度シリカ層を
形成するルツボの内側空間が立方体または直方体形状を
有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に特徴を有す
るものである。
【００１０】この発明の内側空間が立方体または直方体
形状を有するシリコン溶解用ルツボを使用すると、断面
が正方形または長方形を有するシリコンインゴットが得
られる。この断面が正方形または長方形を有するシリコ
ンインゴットは、特に太陽光発電用電池のシリコン基板
のような正方形または長方形を有するシリコン基板の製
造に用いると、高価なシリコンインゴットを最も有効に
活用することができる。
形状を有するシリコン溶解用ルツボを使用すると、断面
が正方形または長方形を有するシリコンインゴットが得
られる。この断面が正方形または長方形を有するシリコ
ンインゴットは、特に太陽光発電用電池のシリコン基板
のような正方形または長方形を有するシリコン基板の製
造に用いると、高価なシリコンインゴットを最も有効に
活用することができる。
【００１１】すなわち、従来の丸棒形状のシリコンイン
ゴットから正方形または長方形の太陽光発電用電池シリ
コン基板を作るには、丸棒形状のシリコンインゴットを
スライスして図４の平面図に示されるシリコン円板６を
作製し、このシリコン円板６の隅を切り落として図４の
平面図に示されるように正方形または長方形の太陽光発
電用電池シリコン基板７を作製する。この時、切り落と
した切除部分５が無駄となる。しかし、シリコンインゴ
ットが角型形状であり、スライスしてえられたシリコン
板が正方形または長方形であるならば、正方形または長
方形の太陽光発電用電池シリコン基板を作るには、図３
の平面図に示されるように切除部分５が極めて少なくす
ることができ、従って、コストを下げることができる。
ゴットから正方形または長方形の太陽光発電用電池シリ
コン基板を作るには、丸棒形状のシリコンインゴットを
スライスして図４の平面図に示されるシリコン円板６を
作製し、このシリコン円板６の隅を切り落として図４の
平面図に示されるように正方形または長方形の太陽光発
電用電池シリコン基板７を作製する。この時、切り落と
した切除部分５が無駄となる。しかし、シリコンインゴ
ットが角型形状であり、スライスしてえられたシリコン
板が正方形または長方形であるならば、正方形または長
方形の太陽光発電用電池シリコン基板を作るには、図３
の平面図に示されるように切除部分５が極めて少なくす
ることができ、従って、コストを下げることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面に基
づいて一層具体的に説明する。図１はこの発明のシリコ
ン溶解用ルツボの製造方法を示す断面説明図である。
縦：３２０ｍｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：４００ｍｍの
寸法を有する図１（ａ）に示される直方体蝋型１用意
し、この蝋型１を、市販の純度：９９．９９％、平均粒
径：４４μｍ以下の高純度溶融シリカ粉末：６５％をコ
ロイダルシリカに添加してなるスラリーに浸漬し、スラ
リーから引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、
このスラリー層の表面に純度：９９．９９％、最大粒
径：１５０メッシュの高純度溶融シリカ砂を散布してス
タッコ層を形成することにより蝋型の表面に高純度シリ
カ層を形成し、この操作を３回繰り返して蝋型１の表面
に３層からなる合計厚さ：３ｍｍの図１（ｂ）に示され
る高純度シリカ層２を形成した。
づいて一層具体的に説明する。図１はこの発明のシリコ
ン溶解用ルツボの製造方法を示す断面説明図である。
縦：３２０ｍｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：４００ｍｍの
寸法を有する図１（ａ）に示される直方体蝋型１用意
し、この蝋型１を、市販の純度：９９．９９％、平均粒
径：４４μｍ以下の高純度溶融シリカ粉末：６５％をコ
ロイダルシリカに添加してなるスラリーに浸漬し、スラ
リーから引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、
このスラリー層の表面に純度：９９．９９％、最大粒
径：１５０メッシュの高純度溶融シリカ砂を散布してス
タッコ層を形成することにより蝋型の表面に高純度シリ
カ層を形成し、この操作を３回繰り返して蝋型１の表面
に３層からなる合計厚さ：３ｍｍの図１（ｂ）に示され
る高純度シリカ層２を形成した。
【００１３】この表面に高純度シリカ層２を有する蝋型
１を、さらに市販の純度：９９％、平均粒径：４４μｍ
以下の低純度溶融シリカ粉末：６８％をコロイダルシリ
カに添加してなるスラリーに浸漬し、スラリーから引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９％、最大粒径：１５０メッシュの
低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成するこ
とにより蝋型の表面に低純度シリカ層を形成し、この操
作を７回繰り返して蝋型の表面に７層からなる合計厚
さ：１０ｍｍの図１（ｃ）に示される低純度シリカ層３
を形成した。
１を、さらに市販の純度：９９％、平均粒径：４４μｍ
以下の低純度溶融シリカ粉末：６８％をコロイダルシリ
カに添加してなるスラリーに浸漬し、スラリーから引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９％、最大粒径：１５０メッシュの
低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成するこ
とにより蝋型の表面に低純度シリカ層を形成し、この操
作を７回繰り返して蝋型の表面に７層からなる合計厚
さ：１０ｍｍの図１（ｃ）に示される低純度シリカ層３
を形成した。
【００１４】次に、蝋型１の表面に高純度シリカ層２お
よび低純度シリカ層３を形成した図１（ｃ）に示される
蝋型被覆体を温度：１００℃に加熱して蝋型１を溶解除
去し、得られた高純度シリカ層２および低純度シリカ層
３からなる積層体を温度：８００℃で８時間加熱保持す
ることにより焼成し、図２の斜視図に示されるような本
発明ルツボ４を製造した。
よび低純度シリカ層３を形成した図１（ｃ）に示される
蝋型被覆体を温度：１００℃に加熱して蝋型１を溶解除
去し、得られた高純度シリカ層２および低純度シリカ層
３からなる積層体を温度：８００℃で８時間加熱保持す
ることにより焼成し、図２の斜視図に示されるような本
発明ルツボ４を製造した。
【００１５】この本発明ルツボを使用して縦：３２０ｍ
ｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：３００ｍｍの寸法を有する
シリコンインゴットを製造し、このシリコンインゴット
から縦：１５０ｍｍ、横：１５０ｍｍ、厚さ：４００μ
ｍの寸法を有する角型シリコン板を作製し、このシリコ
ン板の端部を切除して太陽光発電用電池シリコン基板７
を製造したところ、図３の平面図に示されるように切除
部分５が極めて少なくすることができ、２１％の切除で
太陽光発電用電池シリコン基板７を製造することができ
た。
ｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：３００ｍｍの寸法を有する
シリコンインゴットを製造し、このシリコンインゴット
から縦：１５０ｍｍ、横：１５０ｍｍ、厚さ：４００μ
ｍの寸法を有する角型シリコン板を作製し、このシリコ
ン板の端部を切除して太陽光発電用電池シリコン基板７
を製造したところ、図３の平面図に示されるように切除
部分５が極めて少なくすることができ、２１％の切除で
太陽光発電用電池シリコン基板７を製造することができ
た。
【００１６】一方、比較のために、外径：１５０ｍｍの
丸棒状シリコンインゴットを用意し、このインゴットを
スライスして図４の平面図に示される直径：１５０ｍｍ
のシリコン円板６を作製し、このシリコン円板６の端部
を切除して縦：１００ｍｍ、横：１００ｍｍ、厚さ：４
００μｍの寸法を有する太陽光発電用電池シリコン基板
７を製造したところ、図４の平面図に示される切除部分
５は４３％に達した。
丸棒状シリコンインゴットを用意し、このインゴットを
スライスして図４の平面図に示される直径：１５０ｍｍ
のシリコン円板６を作製し、このシリコン円板６の端部
を切除して縦：１００ｍｍ、横：１００ｍｍ、厚さ：４
００μｍの寸法を有する太陽光発電用電池シリコン基板
７を製造したところ、図４の平面図に示される切除部分
５は４３％に達した。
【００１７】
【発明の効果】上述のように、この発明は、（１）ルツ
ボの内側が高純度シリカ層からなりルツボの外側が低純
度シリカ層からなる積層構造を有するのでシリコン溶解
用ルツボ自体の製造コストを下げることができる、
（２）従来のような黒鉛型を使用しないので規格外の形
状を有するシリコン溶解用ルツボ、例えばルツボの内側
空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用
ルツボを安価に製造することができる、（３）このルツ
ボを使用して角型シリコンインゴットを製造し、この角
型シリコンインゴットを使用して太陽光発電用電池シリ
コン基板などの正方形または長方形のシリコン基板を無
駄なく製造することができるなど、大量生産とコストダ
ウンに優れた効果を有するものである。
ボの内側が高純度シリカ層からなりルツボの外側が低純
度シリカ層からなる積層構造を有するのでシリコン溶解
用ルツボ自体の製造コストを下げることができる、
（２）従来のような黒鉛型を使用しないので規格外の形
状を有するシリコン溶解用ルツボ、例えばルツボの内側
空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用
ルツボを安価に製造することができる、（３）このルツ
ボを使用して角型シリコンインゴットを製造し、この角
型シリコンインゴットを使用して太陽光発電用電池シリ
コン基板などの正方形または長方形のシリコン基板を無
駄なく製造することができるなど、大量生産とコストダ
ウンに優れた効果を有するものである。
【図１】この発明のルツボの製造方法を説明するための
断面説明図である。
断面説明図である。
【図２】この発明のルツボの製造方法で得られた内側空
間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用ル
ツボの斜視説明図である。
間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用ル
ツボの斜視説明図である。
【図３】この発明のルツボを使用して作製した角型シリ
コンインゴットのスライス板から太陽光発電用電池シリ
コン基板を切り出す方法を説明するための平面図であ
る。
コンインゴットのスライス板から太陽光発電用電池シリ
コン基板を切り出す方法を説明するための平面図であ
る。
【図４】従来の丸棒シリコンインゴットのスライス板か
ら太陽光発電用電池シリコン基板を切り出す方法を説明
するための平面図である。
ら太陽光発電用電池シリコン基板を切り出す方法を説明
するための平面図である。
１ 蝋型
２ 高純度シリカ層
３ 低純度シリカ層
４ 本発明ルツボ
５ 切除部分
６ シリコン円板
７ 太陽光発電用電池シリコン基板
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(56)参考文献 特開 昭62−108515（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−126004（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−17996（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−279167（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−169798（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−255476（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−174151（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C01B 33/02
B22C 9/10
Claims (2)
- 【請求項１】ルツボの内側空間と同じ形状を有する蝋型
を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコ
ロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げ
て前記蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより前記ルツボ
の内側空間と同じ形状を有する蝋型の表面に高純度シリ
カ層を形成し、 この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋型を、さら
に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末とコロ
イダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げて
前記高純度シリカ層の表面にスラリー層を形成し、この
スラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融
シリカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより前
記高純度シリカ層の上に低純度シリカ層を形成し、 次いで、前記ルツボの形状を有する蝋型を溶融除去する
ことを特徴とするシリコン溶解用ルツボの製造方法。 - 【請求項２】前記高純度シリカ層を形成する操作を複数
回繰り返し、さらに前記低純度シリカ層を形成する操作
を複数回繰り返すことにより形成することを特徴とする
請求項１記載のシリコン溶解用ルツボの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27893497A JP3528540B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | シリコン溶解用ルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27893497A JP3528540B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | シリコン溶解用ルツボの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11116228A JPH11116228A (ja) | 1999-04-27 |
| JP3528540B2 true JP3528540B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=17604118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27893497A Expired - Lifetime JP3528540B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | シリコン溶解用ルツボの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3528540B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4985553B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2012-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 |
| JP4985554B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2012-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 |
| CN107032771A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-08-11 | 邹亚静 | 一种石英陶瓷坩埚的制造方法 |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP27893497A patent/JP3528540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11116228A (ja) | 1999-04-27 |
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