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JP3529554B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents
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JP3529554B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents

Manufacturing method of electronic device

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JP3529554B2
JP3529554B2 JP17742396A JP17742396A JP3529554B2 JP 3529554 B2 JP3529554 B2 JP 3529554B2 JP 17742396 A JP17742396 A JP 17742396A JP 17742396 A JP17742396 A JP 17742396A JP 3529554 B2 JP3529554 B2 JP 3529554B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子素子の製造方法
に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子素子を用いた電気部品の一例として
図3に示す如き接触型薄膜磁気ヘッド41がある。上記磁
気ヘッド41は支持ビーム36fに対して、電子素子である
磁気ヘッド素子30を接合して形成される。上記磁気ヘッ
ド素子30は次のようにして製造している。図4の(A)
に示すように、基板2上に分離層3を介して素子層4を
形成した素子板1を作る。上記素子層4においては多数
の素子要素5が縦横に配列されている。この素子板1に
対して次の第1〜第5の工程を施すことによりヘッド素
子30を形成する。第1の工程は、上記素子板1を図4の
(B)に示すように多数の短冊体43に例えばレーザスク
ライブ手段によって切断する。上記各短冊体43は多数の
素子要素5を縦列状に含んでいる。上記第1の工程にお
いて短冊状に切断された短冊体43にあっては素子要素5
相互を精度高く切り離さなければならない。その為に次
の第2〜第5の工程を行わねばならない。即ち、第2の
工程として、図4の(C)に示すように上記多数の短冊
体43をエッチング槽に入れ、各短冊体43の分離層3をエ
ッチングして夫々基板2から短冊片44を分離させる。こ
の場合、各短冊片44は多数の素子要素5が一続きに連な
った状態となっている。次に第3の工程として、上記短
冊片44における素子要素5相互の高精度での切り離しの
為に、それら多数の素子要素5を正しく配列する。即
ち、図4の(D)に示すように上記短冊片44を所定の保
持板45の上に接着用のワックス46を用いて正しく貼り付
ける。次に第4の工程として、その短冊片44における素
子要素5をレーザスクライブ法により切り分けて多数の
電子素子30にする。実線47は切り分けの済んだ箇所、想
像線48はこれから切り分けを行う箇所を夫々示す。切り
分けの後は第5の工程として各電子素子30を保持板45か
ら分離させる。
2. Description of the Related Art As an example of an electric component using an electronic element, there is a contact type thin film magnetic head 41 as shown in FIG. The magnetic head 41 is formed by joining the magnetic head element 30, which is an electronic element, to the support beam 36f. The magnetic head element 30 is manufactured as follows. FIG. 4 (A)
As shown in FIG. 3, the element plate 1 is formed by forming the element layer 4 on the substrate 2 with the separation layer 3 interposed therebetween. In the element layer 4, a large number of element elements 5 are arranged vertically and horizontally. The head element 30 is formed by subjecting the element plate 1 to the following first to fifth steps. In the first step, as shown in FIG. 4B, the element plate 1 is cut into a large number of strips 43 by, for example, laser scribing means. Each strip 43 includes a large number of element elements 5 in a column. In the strip body 43 cut into strips in the first step, the element element 5
We must separate each other with high precision. Therefore, the following 2nd-5th processes must be performed. That is, as a second step, as shown in FIG. 4C, the large number of strips 43 are put in an etching tank, and the separation layer 3 of each strip 43 is etched to remove strips 44 from the substrate 2, respectively. Separate. In this case, each strip 44 is in a state where a large number of element elements 5 are continuously arranged. Next, as a third step, in order to separate the element elements 5 in the strip piece 44 from each other with high accuracy, a large number of these element elements 5 are correctly arranged. That is, as shown in FIG. 4D, the strip piece 44 is correctly attached to a predetermined holding plate 45 by using an adhesive wax 46. Next, as a fourth step, the element elements 5 in the strip 44 are cut into a large number of electronic elements 30 by a laser scribing method. A solid line 47 indicates a portion where the division has been completed, and an imaginary line 48 indicates a portion where the division is to be performed. After the cutting, as a fifth step, each electronic element 30 is separated from the holding plate 45.

【0003】上記保持板45からの電子素子30の分離は例
えば次のように行っている。図4の(E)に示すように
櫛状に連続している多数の支持ビーム36fを夫々電子素
子30に沿わせ、各々を接合する。次に上記ワックス46を
加熱により緩め、支持ビーム36fを保持板45から離反さ
せることにより各々に接合済みの電子素子30を保持板45
上から分離させる。
The electronic element 30 is separated from the holding plate 45, for example, as follows. As shown in FIG. 4 (E), a large number of support beams 36f which are continuous in a comb shape are respectively arranged along the electronic element 30 and are joined together. Next, the wax 46 is loosened by heating, and the supporting beam 36f is separated from the holding plate 45, so that the electronic elements 30 bonded to each of them are held by the holding plate 45.
Separate from above.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この従来の電子素子の
製造方法では、第1の工程の切断ののち上記第4の工程
での切断のために上記第2〜第5の工程を行わねばなら
ず、多数の作業手間を要する問題点があった。
In this conventional method of manufacturing an electronic device, the cutting of the first step must be followed by the cutting of the fourth step to the second to fifth steps. However, there is a problem that a lot of work is required.

【0005】又上記従来の製造方法では、図4の(G)
に示す如く上記レーザスクライブによる切断の際に生ず
る基板2、分離層3、素子層4等の溶融物21fが素子層
4の表面7に例えば盛り上がり状に付着したり、或いは
それらの溶融物が切り粉22fとなって飛び散りそれが上
記表面7に付着したりする。それらの溶融物21fや切り
粉22fは次のような問題を生ずる。例えば上記表面7が
磁気ヘッド素子における磁気ディスクとの対向面の場
合、出来上がった磁気ヘッドを使用する場合に、上記盛
り上がった状態となっている溶融物21fや付着している
切り粉22fが、上記対向面7に備わっている接触パッド
8と磁気ディスクとの接触を阻害する問題点があった。
又上記表面7が支持ビーム36fとの接合面の場合には、
磁気ヘッド素子30と支持ビーム36fとの接合の際に、上
記溶融物21fや切り粉22fが上記表面7に備えられてい
る接続パッドと支持ビーム36fにおける導電路との接合
を阻害する問題点があった。
Further, in the above conventional manufacturing method, FIG.
As shown in FIG. 3, the melt 21f of the substrate 2, the separation layer 3, the element layer 4, etc., which is generated during the cutting by the laser scribing, adheres to the surface 7 of the element layer 4 in a swelling manner, for example, or the melt is cut. The powder 22f is scattered and adheres to the surface 7. The melt 21f and the cutting powder 22f cause the following problems. For example, when the surface 7 is a surface of the magnetic head element facing the magnetic disk, when the finished magnetic head is used, the melt 21f in the raised state and the adhering chips 22f are There is a problem that the contact between the contact pad 8 provided on the facing surface 7 and the magnetic disk is obstructed.
When the surface 7 is a joint surface with the support beam 36f,
When the magnetic head element 30 and the support beam 36f are joined, there is a problem that the melt 21f and the cutting powder 22f impede the joining of the connection pad provided on the surface 7 and the conductive path in the support beam 36f. there were.

【0006】更に上記従来の製造方法では、上記保持板
45の上に多数の素子要素5を正しく配列して切断する為
に短冊片44はワックス46を用いてしっかりと接着せねば
ならない。この為、上記第5の工程において一部の電子
素子30を保持板45から分離させる場合にはワックス46を
緩めねばならず、そうすると保持板45上に残った他の電
子素子30はその緩んだワックス46の為に(F)の如く配
列が乱れてしまう。配列が乱れたそれらの電子素子30は
新たな支持ビーム36fとの接合が困難となって利用不能
となる。このことは電子素子30の歩留まりを悪化させる
問題点となっていた。
Further, in the above conventional manufacturing method, the holding plate is used.
The strips 44 must be firmly glued with wax 46 in order to properly align and cut the multiple element elements 5 on the 45. Therefore, when separating some of the electronic elements 30 from the holding plate 45 in the fifth step, the wax 46 must be loosened, and then the other electronic elements 30 remaining on the holding plate 45 are loosened. Due to the wax 46, the arrangement is disturbed as shown in (F). The electronic elements 30 whose arrangement is disturbed become unusable because it is difficult to bond them to the new supporting beam 36f. This has been a problem that deteriorates the yield of the electronic device 30.

【0007】本件出願の電子素子の製造方法は上記従来
技術の問題点を解決する為に提供するものである。その
目的は、素子板に対して一つの方向とそれとは交差する
方向に夫々溝を形成する工程を行い、その後基板と素子
要素とを分離させる工程を一度施すことによって、全て
の素子要素を相互に分離可能な状態にすることが出来る
ようにした製造方法を提供することである。更なる目的
は、素子板に対して一つの方向に多数の溝を形成する工
程を施した後は、それに引き続いてそれとは交差する方
向に多数の溝を形成する工程を行うことの出来る製造方
法を提供することである。そのように一つの方向とそれ
とは交差する方向とに夫々溝を形成するものであって
も、一つの方向に形成する溝の深さを深くすることによ
って、その溝からエッチング液を接着層に到達させて、
基板からの素子要素の分離を迅速に行わせることが出来
るようにすることである。このように本願発明の目的
は、前記従来技術に比べて、一つの方向に素子要素相互
を切断した後それとは交差するもう一つの方向に素子要
素相互を切断する場合における、前記第3の工程(接着
の工程)や第5の工程(分離の工程)などの手間を省略
した簡易な製造方法を提供することである。他の目的
は、切断の際に生ずる溶融物や切り粉が素子表面に付着
することを防止出来るようにした製造方法を提供するこ
とである。他の目的は、多数の電子素子を歩留まり良く
利用できる形態で得ることが出来るようにした製造方法
を提供することである。他の目的及び利点は図面及びそ
れに関連した以下の説明により容易に明らかになるであ
ろう。
The method of manufacturing an electronic device of the present application is provided to solve the above-mentioned problems of the prior art. The purpose is to perform a step of forming a groove in the element plate in one direction and a direction intersecting with the element plate, and then to perform a step of separating the substrate and the element element once so that all the element elements are mutually isolated. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method capable of making a separable state. A further object is a manufacturing method capable of performing a step of forming a large number of grooves in one direction on an element plate, and subsequently performing a step of forming a large number of grooves in a direction intersecting with the element plate. Is to provide. Even if a groove is formed in each of the one direction and the direction intersecting with that direction, by increasing the depth of the groove formed in one direction, the etching liquid is applied to the adhesive layer from the groove. Let it reach
It is to be able to quickly separate the element elements from the substrate. As described above, the object of the present invention is to provide the third step in the case of cutting the element elements in one direction and then cutting the element elements in the other direction that intersects with the prior art, as compared with the prior art. It is an object of the present invention to provide a simple manufacturing method that saves labor such as the (adhesion step) and the fifth step (separation step). Another object is to provide a manufacturing method capable of preventing a melted material or cutting powder generated at the time of cutting from adhering to the element surface. Another object is to provide a manufacturing method capable of obtaining a large number of electronic devices in a form that can be used with high yield. Other objects and advantages will be readily apparent from the drawings and the following description related thereto.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本願発明における電子素子の製造方法は、素子層を
支える為の基板と、上記基板の上に形成され且つエッチ
ング液により溶けて分離層としての機能を備える接着層
と、上記接着層の上に形成され且つ多数の素子要素を縦
横に配列して成る素子層とで構成される素子板に対し、
上記素子要素相互の切り離しの為の切断の工程と、基板
と素子要素との分離の為にエッチング液により上記接着
層を溶かす工程とを施すことによって、上記素子板から
多数の電子素子を製造する電子素子の製造方法におい
て、上記切断の工程は、上記素子板に対し、素子層の表
面から接着層にまで達してエッチング液を素子層の表面
から接着層まで到達させる深さの貫通溝を複数条平行的
に形成する工程と、素子層の厚みの中間までに留まって
素子要素相互の離散を防止できる深さの半切溝を上記貫
通溝とは交差する状態で複数条形成する工程とから成
り、上記接着層を溶かす工程は、上記貫通溝を通してエ
ッチング液を接着層に到達させることにより接着層を溶
かす工程であり、上記溶かす工程の後上記基板から分離
した素子要素を上記半切溝において分断することにより
多数の電子素子を製造するものである。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an electronic device according to the present invention comprises a substrate for supporting an device layer and a substrate formed on the substrate and separated by being dissolved by an etching solution. For an element plate composed of an adhesive layer having a function as a layer and an element layer formed on the adhesive layer and having a large number of element elements arranged vertically and horizontally,
A large number of electronic elements are manufactured from the element plate by performing a cutting step for separating the element elements from each other and a step of dissolving the adhesive layer with an etching solution for separating the substrate and the element elements. In the method of manufacturing an electronic element, the cutting step includes a plurality of through-grooves having a depth that allows the etching solution to reach the adhesive layer from the surface of the element layer to the adhesive layer on the element plate. It consists of a process of forming parallel stripes, and a process of forming a plurality of semi-cut grooves with a depth that can stay in the middle of the thickness of the element layer and prevent the element elements from being separated from each other so as to intersect the through groove. The step of melting the adhesive layer is a step of melting the adhesive layer by allowing an etching solution to reach the adhesive layer through the through groove, and after the melting step, the element elements separated from the substrate are separated into It is intended to produce a large number of electronic devices by dividing the groove.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下本願発明の実施の形態を示す
図面について説明する。図1の(A)、(B)におい
て、1は多数の電子素子を製造する元となる素子板を示
す。上記電子素子としては接触型磁気ヘッドにおける磁
気ヘッド素子或いはその他のセンサーなどがあるが、こ
こでは磁気ヘッド素子を例にとって説明する。上記素子
板1は例えば直径6インチ程度の大きさを有しており、
符号2〜4で示す部材から構成されている。2は素子層
を支える為の基板で、面積に比べ厚みの非常に小さい素
子層4を破損せぬように支える為のものである。該基板
2としては上記素子層の支持が可能な強度を有するもの
として例えばセラミック基板が用いられる。3は上記基
板2の上に形成した分離層で、基板2と素子層とをエッ
チング手段による分離を可能な状態で一体的に接着する
為のもので、接着層とも呼ばれる。該分離層3はエッチ
ング液により溶ける性質を有する材料例えば銅で形成さ
れる。4は上記接着層3の上に形成した素子層で、多数
の素子要素5を縦横に配列した構成となっている。素子
要素5は後述のようにして相互に切り離しされることに
より一つずつの電子素子となるものである。各素子要素
5は母体内に素子体を埋め込み或いは一部が表出する状
態に備えた構成となっている。母体は例えばセラミック
製である。素子体は電子素子において磁気的及び電気的
作動を行う主体部で、コア、ヨークなどの磁性体とコイ
ル、リード線などの導電体から構成されている。これら
の素子要素5は縦横の碁盤の目状の切断によって多数の
素子に切り離しできるよう縦横に整然と配列されてい
る。素子層4においては上記母体が一続きとなって母体
層を構成しており、その母体層内において上記素子体が
縦横に配列された状態となっている。上記のような素子
層4の作成は例えば薄膜作成技術を用いて行われ、母体
層はセラミック薄膜を積層した型になっており、その中
に上記素子体がヘッド機能を有する形状を伴って盛り込
まれている。素子層4の厚みは例えば50μm程度であ
る。7は素子層4の表面を示す。この表面7は磁気ヘッ
ド素子において例えば磁気ディスクとの対向部となる側
の面であり、そこには各素子要素5において磁気ディス
クに対するデータの読み書きを行う為の接触パッド8が
表出状態に備わっている。接触パッド8は上記薄膜作成
技術において炭素系ガス下における放電化学気相成長法
により成膜した硬質炭素膜で形成されている。上記表面
7は上記磁気ヘッド素子における他の側例えば支持ビー
ムとの接合を行う側の面となる場合もある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The drawings showing the embodiments of the present invention will be described below. In FIGS. 1A and 1B, reference numeral 1 denotes an element plate which is a source for manufacturing a large number of electronic elements. The electronic element may be a magnetic head element in a contact type magnetic head or another sensor, but the magnetic head element will be described here as an example. The element plate 1 has a diameter of, for example, about 6 inches,
It is composed of members indicated by reference numerals 2 to 4. Reference numeral 2 is a substrate for supporting the element layer, which is for supporting the element layer 4 having a very small thickness as compared with the area so as not to be damaged. As the substrate 2, for example, a ceramic substrate having a strength capable of supporting the element layer is used. Denoted at 3 is a separation layer formed on the substrate 2 for integrally bonding the substrate 2 and the element layer in a state where they can be separated by an etching means, and is also called an adhesive layer. The separation layer 3 is formed of a material having a property of being dissolved by an etching solution, such as copper. An element layer 4 is formed on the adhesive layer 3 and has a large number of element elements 5 arranged vertically and horizontally. The element elements 5 become individual electronic elements by being separated from each other as described later. Each element element 5 has a configuration in which the element body is embedded in the mother body or partially exposed. The base is made of ceramic, for example. The element body is a main body portion that performs magnetic and electrical operations in an electronic element, and is composed of a magnetic body such as a core and a yoke and a conductor such as a coil and a lead wire. These element elements 5 are arranged vertically and horizontally in order so that they can be separated into a large number of elements by cutting the cells vertically and horizontally. In the element layer 4, the above-mentioned mother bodies are continuously arranged to form a mother body layer, and the element bodies are arranged vertically and horizontally in the mother body layer. The element layer 4 as described above is formed by using, for example, a thin film forming technique, and the base layer is a type in which ceramic thin films are laminated, and the element body is incorporated therein with a shape having a head function. Has been. The thickness of the element layer 4 is, for example, about 50 μm. Reference numeral 7 indicates the surface of the element layer 4. The surface 7 is a surface of the magnetic head element that faces the magnetic disk, for example, and a contact pad 8 for reading and writing data from and to the magnetic disk in each element element 5 is provided in the exposed state. ing. The contact pad 8 is formed of a hard carbon film formed by a discharge chemical vapor deposition method under a carbon-based gas in the above thin film forming technique. The surface 7 may be the surface on the other side of the magnetic head element, for example, on the side where the support beam is joined.

【0010】多数の電子素子の製造は、上記のような素
子板に対し以下のような手段を施すことによって行う。
図1の(C)に示すように、先ず上記素子層4の表面7
に保護層9を形成する。保護層9は表面7への不要物の
付着防止の為に備えさせるものであり、表面7の全体を
覆いそこの凹凸を埋めるように例えば接触パッド8を埋
めるように備えさせる。保護層9の材料としては例えば
フォトレジストが用いられ、回転塗布の手段によって上
記表面7の全面に塗布し、電気炉内で硬化処理を施す。
保護層9の厚みは上記表面7への不要物の付着を阻止す
るに足る程度でよく、例えば10μm程度である。
A large number of electronic elements are manufactured by applying the following means to the above element plate.
As shown in FIG. 1C, first, the surface 7 of the element layer 4 is formed.
Then, the protective layer 9 is formed. The protective layer 9 is provided to prevent adhesion of unwanted substances to the surface 7, and is provided so as to cover the entire surface 7 and fill up the irregularities therein, for example, the contact pad 8. A photoresist, for example, is used as a material for the protective layer 9, and is coated on the entire surface 7 by means of spin coating, and is cured in an electric furnace.
The thickness of the protective layer 9 may be sufficient to prevent the attachment of unwanted matter to the surface 7, and is, for example, about 10 μm.

【0011】次に図1の(D)〜(H)に示すように、
上記素子板1に対して上記素子要素5相互の切り離しの
為の切断の工程を施す。該工程は、素子板1を切断の為
の装置に装填して行う。切断はレーザースクライブ、マ
シンスライスなどの手段によって行うことが出来るが、
細幅の溝の形成を適切に行うことが容易な点から例えば
レーザースクライブの手段によって行う。該切断の工程
においては、上記素子板1に対して以下に述べるシート
要素区分溝11を形成する工程と、短冊要素区分溝13を形
成する工程と、素子要素区分溝17を形成する工程と、連
結部の切り離し溝18を形成する工程とを行う。
Next, as shown in (D) to (H) of FIG.
The element plate 1 is subjected to a cutting step for separating the element elements 5 from each other. This step is performed by loading the element plate 1 into a device for cutting. Cutting can be done by means of laser scribing, machine slicing, etc.,
Since it is easy to properly form the narrow groove, for example, laser scribe means is used. In the cutting step, a step of forming a sheet element dividing groove 11 described below on the element plate 1, a step of forming a strip element dividing groove 13, and a step of forming an element element dividing groove 17, And a step of forming the disconnecting groove 18 of the connecting portion.

【0012】シート要素区分溝11は素子層4を複数のシ
ート要素12,12・・・に区分する為のものである。シー
ト要素12は後述のエッチングの工程が行われることによ
り素子シート25(図2参照)となるもので、その大きさ
は取り扱いに適する大きさの素子シート25を得ることが
出来るように設定する。上記シート要素区分溝11は、個
別の素子シート25を得る為に、貫通溝として形成する。
貫通溝とは、その溝の両側において素子層4を相互に分
断する為のものであり、又エッチング液を素子層4の表
面から接着層3まで到達させる為のものである。該貫通
溝の深さは、上記分断と上記エッチング液の到達の為
に、図1の(F)に示すように保護層9を通して素子層
4の表面7から接着層3にまで達する深さに形成する。
The sheet element dividing groove 11 is for dividing the element layer 4 into a plurality of sheet elements 12, 12, ... The sheet element 12 becomes an element sheet 25 (see FIG. 2) by performing an etching process described later, and its size is set so that the element sheet 25 having a size suitable for handling can be obtained. The sheet element dividing groove 11 is formed as a through groove in order to obtain the individual element sheets 25.
The through groove is for dividing the element layer 4 from each other on both sides of the groove, and for allowing the etching solution to reach the adhesive layer 3 from the surface of the element layer 4. The depth of the through-groove is such that it reaches the adhesive layer 3 from the surface 7 of the element layer 4 through the protective layer 9 as shown in FIG. Form.

【0013】短冊要素区分溝13はシート要素12を相互に
並列状態となる複数の短冊要素14に区分する為のもので
あり、そのような区分の目的の為に該短冊要素区分溝13
は複数条平行的に形成する。短冊要素14とは、シート要
素12の領域内において多数の素子要素5が夫々短冊状と
なる集団に区分けされた各々のものいう。各々の短冊要
素14は1行に並んだ状態の多数(例えば50個程度)の
素子要素5を含んでいる。短冊要素14の寸法は例えば幅
1mm、長さ50mm程度である。上記のような各短冊
要素区分溝13は、素子要素5相互の境界位置に形成す
る。隣り合う短冊要素区分溝13相互の間隔D1は一つの素
子要素5の幅W1と同寸である。各短冊要素区分溝13の長
さは、シート要素12が素子シート25となったときに短冊
要素14相互の連結状態が保たれるようにする為に、図1
の(E)に示すように短冊要素区分溝13の端13aとシー
ト要素区分溝11との間に溝の無い部分15が残存する長さ
に形成する。上記溝の無い部分15は短冊要素14相互の連
結状態を保つ為の連結部として機能する。上記短冊要素
区分溝13は素子層4における周辺のシート要素12にあっ
ては上記と同様に短冊要素14相互の連結状態が保たれる
ようにする為に素子層4の周縁との間に溝のない部分が
残存する長さに形成する。上記短冊要素区分溝13は、短
冊要素14相互間において素子要素5を完全に切り離す為
に、貫通溝として形成する。
The strip element dividing groove 13 is for dividing the sheet element 12 into a plurality of strip elements 14 arranged in parallel with each other, and for the purpose of such division, the strip element dividing groove 13 is provided.
Are formed in parallel. The strip elements 14 are each formed by grouping a large number of element elements 5 in the area of the sheet element 12 into strip-shaped groups. Each strip element 14 includes a large number (for example, about 50) of element elements 5 arranged in one row. The dimensions of the strip element 14 are, for example, about 1 mm in width and 50 mm in length. The strip element dividing grooves 13 as described above are formed at the boundary positions between the element elements 5. The distance D1 between the adjacent strip element division grooves 13 is the same as the width W1 of one element element 5. The length of each strip element division groove 13 is shown in FIG. 1 so that the strip elements 14 can be connected to each other when the sheet element 12 becomes the element sheet 25.
As shown in (E), the length is formed such that the groove-free portion 15 remains between the end 13a of the strip element division groove 13 and the sheet element division groove 11. The grooveless portion 15 functions as a connecting portion for keeping the connected state of the strip elements 14. In the peripheral sheet element 12 in the element layer 4, the strip element division groove 13 is formed between the strip element 14 and the peripheral edge of the element layer 4 in order to keep the strip elements 14 connected to each other in the same manner as described above. It is formed to have a length where a part without a mark remains. The strip element dividing groove 13 is formed as a through groove in order to completely separate the element element 5 between the strip elements 14.

【0014】素子要素区分溝17はシート要素12内におい
て各短冊要素14における素子要素5を相互に区分する為
のものであり、そのような区分の目的の為に該素子要素
区分溝17は上記貫通溝とは交差する状態で複数条形成す
る。その交差の状態は、上記素子要素5相互を区分する
為に、多数の素子要素5が縦横に直交する状態に並んで
いる本例の場合は、上記短冊要素区分溝13と直交する状
態である。該素子要素区分溝17は、隣接する素子要素5
相互の区分の為に素子要素5相互の境界位置に形成す
る。隣り合う素子要素区分溝17の間隔D2は一つの素子要
素5の長さL1と同寸である。素子要素区分溝17の長さ
は、全ての短冊要素14において素子要素5相互を区分す
る為に、素子層4の周縁にまで到達する長さに形成す
る。上記素子要素区分溝17は、素子要素相互の離散を防
止する為に、半切溝として形成する。半切溝とは素子要
素5が基板2から分離されても該半切溝の両側の素子要
素5相互の連結状態を保ち、隣接する素子要素5相互を
外力の印加による破断によって分断しようとする場合に
は、その破断位置を予め定めた一定位置(半切溝を形成
してある位置)に特定する為のものである。このような
半切溝は、図1の(H)に示すように保護層9を通して
素子層4の表面7から素子層4の厚みの中間までに留ま
る深さに形成する。
The element element dividing groove 17 is for dividing the element elements 5 in each strip element 14 in the sheet element 12 from each other, and for the purpose of such division, the element element dividing groove 17 is described above. Plural strips are formed in a state intersecting with the through groove. In the case of this example in which a large number of element elements 5 are arranged vertically and horizontally in order to separate the element elements 5 from each other, the intersecting state is a state orthogonal to the strip element dividing groove 13. . The element element dividing groove 17 is provided in the adjacent element element 5
It is formed at the boundary position between the element elements 5 for the purpose of the mutual division. The distance D2 between the adjacent element element division grooves 17 is the same as the length L1 of one element element 5. The length of the element element dividing groove 17 is formed to reach the peripheral edge of the element layer 4 in order to divide the element elements 5 in all the strip elements 14. The element element dividing groove 17 is formed as a half cut groove in order to prevent the element elements from being separated from each other. A half-cut groove is used when the element elements 5 are separated from the substrate 2 and the element elements 5 on both sides of the half-cut groove are kept connected to each other, and the adjacent element elements 5 are to be separated by breakage due to application of an external force. Is for specifying the breaking position to a predetermined fixed position (position where the half cut groove is formed). As shown in FIG. 1H, such a half-cut groove is formed through the protective layer 9 to a depth that remains from the surface 7 of the element layer 4 to the middle of the thickness of the element layer 4.

【0015】連結部の切り離し溝18は上記短冊要素14相
互を連結する連結部15を切り離す為のものであり、その
ような目的の為に該切り離し溝18は短冊要素区分溝13の
端部13a相互を連結する状態で素子層4の周縁にまで到
達する状態に形成する。該切り離し溝18は、素子シート
25の状態では上記連結部15が存在して短冊要素14相互の
連結状態が保たれるようにするために、半切溝として形
成する。
The disconnecting groove 18 of the connecting portion is for disconnecting the connecting portion 15 connecting the strip elements 14 to each other, and for such purpose, the disconnecting groove 18 is the end portion 13a of the strip element dividing groove 13. The element layers 4 are formed so as to reach the peripheral edge of the element layer 4 while being connected to each other. The separation groove 18 is a device sheet.
In the state of 25, the connecting portion 15 exists and is formed as a half cut groove so that the connecting state of the strip elements 14 is maintained.

【0016】上記貫通溝11,13及び半切溝17,18は上記
保護層9を通して形成する。この為、図1の(G)に示
す如く、それらの溝11,13,17,18の形成に伴って生ず
る溶融物21は例えば保護層9における溝の両側の壁面に
付着し、又、飛散した切り粉22は保護層9の上面に付着
する。
The through grooves 11 and 13 and the half cut grooves 17 and 18 are formed through the protective layer 9. Therefore, as shown in FIG. 1 (G), the melt 21 generated by the formation of the grooves 11, 13, 17, 18 adheres to the wall surfaces on both sides of the groove in the protective layer 9 and scatters. The cut chips 22 adhere to the upper surface of the protective layer 9.

【0017】上記各溝11,13,17,18の形成は、例えば
YAGレーザの基本波長1.066μmを波長変換素子
を用いて0.266μmに変換し、凸レンズで25μm
に集光したレーザビームで保護層9の上からスクライブ
することによって行う。スクライブを行う部分は、ヘッ
ド機能に無関係なセラミック母体である。シート要素区
分溝11及び短冊要素区分溝13の形成は、上記切断装置に
おいて素子板1を設置したステージをNC制御でシート
要素12のパターンを描くようにプログラミングし、上記
貫通溝に加工する。該加工は、例えばレーザパワー40
0mW/cm2、ステージ動作速度100mm/分の条
件で行う。溝17,18の形成は同様に、素子要素5の連結
パターンをプログラミングし、半切溝に加工する。該加
工は、例えば200mW/cm2、200mm/分の条
件で行う。尚上記各溝11,13,17,18の形成の工程は、
素子板1を切断装置に一度装填したならばそのままの状
態で行えば良いものであり、それらは何れの順序で形成
しても良い。
The grooves 11, 13, 17, and 18 are formed by converting the fundamental wavelength of the YAG laser of 1.066 μm to 0.266 μm by using a wavelength conversion element, and by using a convex lens of 25 μm.
It is performed by scribing from above the protective layer 9 with the laser beam focused on. The part that scribes is a ceramic matrix that is unrelated to the head function. The sheet element dividing groove 11 and the strip element dividing groove 13 are formed by programming the stage on which the element plate 1 is installed in the above cutting device so as to draw the pattern of the sheet element 12 by NC control, and processing the through groove. For example, the laser power 40
It is performed under the conditions of 0 mW / cm 2 and a stage operating speed of 100 mm / min. The grooves 17 and 18 are similarly formed by programming the connection pattern of the element elements 5 and processing them into half-cut grooves. The processing is performed, for example, under the conditions of 200 mW / cm 2 and 200 mm / min. The steps of forming the grooves 11, 13, 17 and 18 are as follows.
Once the element plate 1 has been loaded into the cutting device, it may be carried out as it is, and they may be formed in any order.

【0018】次に基板2と素子要素5との分離の為にエ
ッチング液により上記接着層3を溶かして多数の素子要
素5を基板2から分離させる工程を行う。エッチング液
による接着層3の溶解は、図2の(A)に示す如くエッ
チング槽23内の酸性のエッチング液24(例えば硝酸)中
に素子板1を浸漬することにより行うことが出来る。こ
の場合、上記浸漬状態では、図2の(B)に矢印26で示
すように、エッチング液は素子板1内の各所においてシ
ート要素区分溝11、短冊要素区分溝13等の貫通溝を通し
て素子層4の表面7から接着層3に到達する。この為、
接着層3は素子板1において上記シート要素区分溝11や
短冊要素区分溝13が設けられている各所から同時的に溶
かされる。その結果、接着層3の全体の溶解が短時間で
行われ、基板2と素子要素5との分離を短時間で行うこ
とが出来る。上記の場合、半切溝の部分では、硝酸は分
離層3まで到達しない。又ヘッドの母体であるセラミッ
ク薄膜はエッチング液に侵されない為、原形を維持でき
る。上記エッチングにより、素子板1における複数のシ
ート要素12は基板2から夫々離れ、図2の(C)に示す
如き素子シート25となる。該素子シート25においては前
記短冊要素区分溝13は素子シート25の表面から裏面まで
貫通する切れ目13’となっている。そして各短冊要素14
は、複数の素子要素5が素子区分溝17を介して1行に連
結した状態の連結素子となっている。上記エッチングを
終えて得られた素子シート25は純水リンス、乾燥工程を
行い、次の工程に移る。
Next, in order to separate the substrate 2 from the element elements 5, a step of dissolving the adhesive layer 3 with an etching solution to separate a large number of element elements 5 from the substrate 2 is performed. The dissolution of the adhesive layer 3 with the etching solution can be performed by immersing the element plate 1 in an acidic etching solution 24 (for example, nitric acid) in the etching bath 23 as shown in FIG. In this case, in the immersed state, as shown by an arrow 26 in FIG. 2B, the etching solution is passed through the element layer through the through grooves such as the sheet element dividing groove 11 and the strip element dividing groove 13 at various places in the element plate 1. The adhesive layer 3 is reached from the surface 7 of 4. Therefore,
The adhesive layer 3 is simultaneously melted from the element plate 1 at various places where the sheet element dividing groove 11 and the strip element dividing groove 13 are provided. As a result, the entire adhesive layer 3 is dissolved in a short time, and the substrate 2 and the element element 5 can be separated in a short time. In the above case, nitric acid does not reach the separation layer 3 in the half-cut groove portion. Further, since the ceramic thin film that is the base of the head is not attacked by the etching solution, the original shape can be maintained. By the above etching, the plurality of sheet elements 12 on the element plate 1 are separated from the substrate 2, respectively, and become the element sheet 25 as shown in FIG. In the element sheet 25, the strip element dividing groove 13 is a cut 13 'that penetrates from the front surface to the back surface of the element sheet 25. And each strip element 14
Is a connection element in which a plurality of element elements 5 are connected in one row via the element division grooves 17. The element sheet 25 obtained after the above etching is rinsed with pure water and dried, and then moved to the next step.

【0019】次に素子層4の上を覆っていた保護層9を
除去する。保護層9の除去によりそれに付着していた上
記溶融物21や切り粉22も一緒に除去される。尚上記保護
層9の除去は保護層9として用いた材料に応じた溶剤を
用いて行う。
Next, the protective layer 9 covering the element layer 4 is removed. When the protective layer 9 is removed, the melt 21 and chips 22 attached to it are also removed. The protective layer 9 is removed by using a solvent suitable for the material used for the protective layer 9.

【0020】次に上記基板2から分離した素子要素5を
上記半切溝17において分断することにより、素子シート
25から多数の電子素子を得る。上記分断は複数の電子素
子がばらばらになるのを防止してそれらが1列に並ぶ状
態で得られるようにする為に、例えば以下のようにして
行う。先ず素子シート25における多数の素子要素5を図
2の(D)に示すように保持具31で保持する。保持具31
としてはそれらの素子要素5を相互の位置ずれなく保持
できるようにする為に例えばバキュームにより吸着して
保持するものを用いることが出来る。上記保持具31によ
る保持状態において、先ず図2の(C)に符号27で示す
位置の切り離し溝18に沿って素子シート25の破断を行
い、複数の短冊要素14相互をそれらの一端14aにおいて
連結していた連結片28を取り除く。この状態では、並列
状態に並んでいる複数の短冊要素14はそれらの他端14b
において上記とは別な連結片28’により相互に一体に連
結されており、各短冊要素14における素子要素5及び素
子区分溝17は精度高く一列に並んでいる。次に、各短冊
要素14の端において矢印34方向に並んだ状態となってい
る複数の素子要素5(短冊要素14における素子要素5の
並びを1行と呼んだのに対して、この方向の素子要素5
の並びを本件明細書中においては1列と呼ぶ)を、別の
保持具32でもって保持する。該保持具32としても上記保
持具31と同様の理由からバキュームにより吸着保持する
ものを用いると良い。そして保持具32で保持したそれら
複数の素子要素5を、矢印29で示す位置の素子区分溝17
において複数並列する短冊要素14に跨って分断する。そ
の結果、保持具32の上に、1列に並ぶ状態となっている
複数の電子素子を得る。尚上記素子区分溝17での分断
は、上記1列に並ぶ素子要素5に対して矢印33で示すよ
うな圧力又は振動等の機械力を加えることにより、素子
区分溝17の位置で破断を生じさせて行うことが出来る。
Next, the element sheet 5 separated from the substrate 2 is divided in the half cut groove 17 to form an element sheet.
Obtain a large number of electronic devices from 25. The above-mentioned division is performed as follows, for example, in order to prevent a plurality of electronic elements from being separated and to obtain them in a state where they are arranged in one row. First, a large number of element elements 5 on the element sheet 25 are held by a holder 31 as shown in FIG. Holder 31
In order to be able to hold these element elements 5 without misalignment with each other, it is possible to use, for example, those which are sucked and held by vacuum. In the state of being held by the holding tool 31, first, the element sheet 25 is broken along the disconnecting groove 18 at the position shown by reference numeral 27 in FIG. 2C, and the plurality of strip elements 14 are connected to each other at their one ends 14a. Remove the connecting piece 28 that was used. In this state, the strip elements 14 arranged in parallel have their other ends 14b.
, The element elements 5 and the element dividing grooves 17 in each strip element 14 are accurately aligned in a line by a connecting piece 28 'different from the above. Next, at the end of each strip element 14, a plurality of element elements 5 arranged in the direction of the arrow 34 (the row of the element elements 5 in the strip element 14 is called one line, Element element 5
This arrangement is referred to as one row in the present specification) is held by another holding tool 32. As the holder 32, a holder that sucks and holds by vacuum is preferably used for the same reason as the holder 31. Then, the plurality of element elements 5 held by the holder 32 are connected to the element dividing groove 17 at the position indicated by the arrow 29.
In, a plurality of strip-shaped elements 14 arranged in parallel are divided. As a result, a plurality of electronic elements arranged in a line are obtained on the holder 32. The division in the element division groove 17 causes breakage at the position of the element division groove 17 by applying a mechanical force such as pressure or vibration to the element elements 5 arranged in one row as shown by an arrow 33. You can do it.

【0021】次に上記のようにして得た複数の電子素子
30の利用を例えば以下のようにして行う。上記保持具32
上の電子素子は、本実施形態では上面がディスク対向面
となっている。この為、それらの電子素子において接続
パッドが備えられていて支持ビームとの接合を行うよう
になっている接合面が上面となるように、図2の(E)
に示す如く別の保持具35によって持ち替える。尚上記1
列の素子要素5を分断する際のそれらの素子要素5の保
持を、上記接合面が上面となる状態で行う場合には、こ
の持ち替えは不要である。次に図2の(F)、(G)に
示すように、保持具35の上の電子素子30においてその端
に位置するものから順に(他の位置の電子素子30からで
も良い)それらの接合面において支持ビーム36との接合
を行い、そしてその支持ビーム36を保持具35から離反さ
せることにより、接合を完了した素子要素30を保持具35
から分離させる。この場合、保持具35による電子素子30
の吸着を行っていない場合や弱い場合には、分離対象の
電子素子30をそのまま保持具35から分離させればよい。
又保持具35による電子素子30の吸着が強い場合には、上
記分離対象の電子素子30のみに関してバキュームの吸着
を解いたり緩めたりするようにしてもよい。上記接合は
半田或いは接着など周知の方法で行う。上記のようにし
て電子素子30の利用を行う場合、保持具35の上に残る電
子素子30はその保持を緩める必要がないので、保持具35
に対して位置の乱れを生ずることはない。従って支持ビ
ーム36を保持具35に対して予め定めた位置に順にもたら
すことにより、夫々電子素子30との適正な接合を次々と
繰り返して行うことが出来る。尚保持具35の上の電子素
子30を全て取り終えたならば、上記素子区分溝17での破
断からの工程を繰り返し行う。又上記支持ビームとの接
合は、複数の支持ビームを準備しそれらの各々に対して
夫々電子素子30を接合する操作を同時的に行っても良
い。
Next, a plurality of electronic devices obtained as described above
Use of 30 is performed as follows, for example. Above holder 32
In the present embodiment, the upper surface of the upper electronic element is the disk facing surface. For this reason, the electronic device of FIG. 2 is provided with a bonding surface provided with a connection pad and adapted to bond with the supporting beam as an upper surface.
As shown in FIG. 5, the holder 35 is replaced by another holder 35. The above 1
When holding the element elements 5 in the row when the element elements 5 in the row are divided, this holding change is not necessary when the joining surface is the upper surface. Next, as shown in (F) and (G) of FIG. 2, joining of the electronic elements 30 on the holder 35 in order from the one located at the end thereof (the electronic elements 30 at other positions may be used). By joining the supporting beam 36 with the supporting beam 36 on the surface and separating the supporting beam 36 from the holder 35, the element element 30 that has completed the joining is held by the holder 35.
Separate from. In this case, the electronic element 30 by the holder 35
When the adsorption is not performed or is weak, the electronic element 30 to be separated may be separated from the holder 35 as it is.
Further, when the electronic element 30 is strongly attracted by the holder 35, the vacuum attraction of the electronic element 30 to be separated may be released or loosened. The joining is performed by a known method such as soldering or bonding. When the electronic element 30 is used as described above, it is not necessary to loosen the holding of the electronic element 30 remaining on the holder 35, so the holder 35
There is no position disturbance with respect to. Therefore, by bringing the support beam 36 to the holder 35 at predetermined positions in sequence, proper bonding with the electronic elements 30 can be repeated one after another. When all the electronic elements 30 on the holder 35 have been removed, the steps from the break in the element dividing groove 17 are repeated. In addition, the bonding with the supporting beams may be performed by simultaneously preparing a plurality of supporting beams and bonding the electronic element 30 to each of them.

【0022】上記したようにレーザスクライブとNCプ
ログラミングステージ制御を用いて素子シート25のパタ
ーンの形成を行う手段では、電子素子としてのヘッド素
子の寸法設計に合わせて素子シート25の寸法、形状を自
由に変更できる為、基板上でのヘッド素子形成密度に合
わせて対応することが出来る。又、素子要素の取り扱い
を素子シート25即ちシート状のヘッド素子群で行う行為
は、作業性を上げると共に、破損防止をもたらし、歩留
まりの向上に繋がる。更に、半切溝17の分断で電子素子
を個別化する方法は、大量一括処理を可能にすると共
に、後の接合工程を同一方法の繰り返し処理で行うこと
を可能にし、作業性、歩留まりの向上をもたらす。
In the means for forming the pattern of the element sheet 25 by using the laser scribing and NC programming stage control as described above, the dimension and shape of the element sheet 25 can be freely adjusted according to the dimension design of the head element as an electronic element. Can be changed according to the density of head elements formed on the substrate. In addition, the act of handling the element elements by the element sheet 25, that is, the sheet-shaped head element group, not only improves workability but also prevents damage and leads to improvement in yield. Furthermore, the method of individualizing the electronic elements by dividing the half-cut groove 17 enables a large-scale batch processing and also enables the subsequent bonding step to be performed by repeating the same method, thereby improving workability and yield. Bring

【0023】[0023]

【発明の効果】以上のように本願発明にあっては、電子
素子30を製造する場合、素子板1に対して一つの方向に
溝13を形成する工程とそれとは交差する方向に溝17を形
成する工程とを連続して行ってしまうことが出来、しか
もその後基板2と素子要素5とを分離させる工程を一度
施せば全ての素子要素5を相互に切り離し可能な状態に
することが出来るので、手間数少なく製造を行い得る作
業上の効果がある。しかも上記溝13,17の形成の場合、
一つの方向に形成する溝13の深さを深くしておくので、
接着層3を溶かす工程においては、上記の溝13からエッ
チング液を接着層3に到達させて、基板2からの素子要
素5の分離を迅速に行わせることが出来る効果もある。
又、溝13,17の形成の場合、素子層4の上に予め保護層
9を設けておいて、溝の形成の際の溶融物21や切り粉22
をその保護層9に付着させるようにしているので、切断
工程の終了後はその保護層9を除去することにより上記
溶融物21や切り粉22を保護層9と共に除去できる。その
結果、それら溶融物21や切り粉22の付着のない電子素子
30を得ることが出来る効果がある。このことは、磁気デ
ィスクとの接触不良や支持ビームとの接合不良の問題を
生じ難い磁気ヘッド素子を得ることを可能に出来る利点
がある。更に本願発明にあっては、多数の電子素子30を
それらが全て分割された状態でしかも1列に並んだ状態
で得ることが出来る特長がある。この為、それらを順次
利用していく場合、例えば支持ビームと順次接合して取
って行く場合、他の残った電子素子30に対して何らの影
響を及ぼさぬようにして(残った電子素子30に配列の乱
れを生ずることなく)取っていくことが出来、電子素子
を歩留まり良く利用することを可能に出来る利点があ
る。
As described above, according to the present invention, when manufacturing the electronic element 30, the step of forming the groove 13 in one direction on the element plate 1 and the groove 17 in the direction intersecting with the step. Since the step of forming can be continuously performed, and further, the step of separating the substrate 2 and the element element 5 can be performed once so that all the element elements 5 can be separated from each other. However, there is an operational effect that the manufacturing can be performed with less labor. Moreover, in the case of forming the above-mentioned grooves 13 and 17,
Since the depth of the groove 13 formed in one direction is deepened,
In the step of melting the adhesive layer 3, there is also an effect that the etching liquid can reach the adhesive layer 3 from the groove 13 described above, and the element element 5 can be quickly separated from the substrate 2.
Further, in the case of forming the grooves 13 and 17, the protective layer 9 is previously provided on the element layer 4, and the melt 21 and the cutting powder 22 at the time of forming the groove are formed.
Is adhered to the protective layer 9, the melt 21 and the cutting powder 22 can be removed together with the protective layer 9 by removing the protective layer 9 after the cutting step. As a result, an electronic device without adhesion of the melt 21 and the cutting chips 22
There is an effect that you can get 30. This has the advantage that it is possible to obtain a magnetic head element that is less likely to cause problems such as poor contact with the magnetic disk and poor bonding with the support beam. Further, the present invention has a feature that a large number of electronic elements 30 can be obtained in a state where they are all divided and arranged in a line. Therefore, when they are sequentially used, for example, when they are sequentially joined to the support beam to be removed, the remaining electronic elements 30 are not affected (the remaining electronic elements 30 Therefore, there is an advantage that electronic devices can be used with a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)〜(H)は素子板から電子素子を製造す
る過程のうち、素子板に対して切断の作業を行うまでの
工程を説明するための図であり、これらのうち(F)は
(E)における1F−1F位置の断面図である(図の輻
輳を避ける為にハッチングを省略した)。
FIG. 1A to FIG. 1H are views for explaining a process of cutting an element plate in a process of manufacturing an electronic element from the element plate, and among these, (F) is a cross-sectional view of 1F-1F position in (E) (hatching is omitted to avoid congestion in the drawing).

【図2】(A)〜(G)はエッチングから電子素子の取
出までの工程を説明するための図である。
2A to 2G are views for explaining steps from etching to taking out an electronic element.

【図3】接触型薄膜磁気ヘッドを示す図。FIG. 3 is a view showing a contact type thin film magnetic head.

【図4】(A)〜(G)は従来の電子素子の製造過程を
説明するための図。
FIGS. 4A to 4G are views for explaining a conventional manufacturing process of an electronic element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 素子板 2 基板 3 分離層 4 素子層 9 保護層 13 貫通溝 17 半切溝 1 element plate 2 substrates 3 separation layers 4 element layers 9 Protective layer 13 through groove 17 Half cut groove

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−85421(JP,A) 特開 平7−129925(JP,A) 特開 平8−64556(JP,A) 特開 平6−224298(JP,A) 特開 平5−266449(JP,A) 特開 平6−162439(JP,A) 特開 平6−150250(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/31 H01L 21/306 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (56) Reference JP-A-7-85421 (JP, A) JP-A-7-129925 (JP, A) JP-A-8-64556 (JP, A) JP-A-6- 224298 (JP, A) JP-A-5-266449 (JP, A) JP-A-6-162439 (JP, A) JP-A-6-150250 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/31 H01L 21/306

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 素子層を支える為の基板と、上記基板の
上に形成され且つエッチング液により溶けて分離層とし
ての機能を備える接着層と、上記接着層の上に形成され
且つ多数の素子要素を縦横に配列して成る素子層とで構
成される素子板に対し、上記素子要素相互の切り離しの
為の切断の工程と、基板と素子要素との分離の為にエッ
チング液により上記接着層を溶かす工程とを施すことに
よって、上記素子板から多数の電子素子を製造する電子
素子の製造方法において、上記切断の工程は、上記素子
板に対し、素子層の表面から接着層にまで達してエッチ
ング液を素子層の表面から接着層まで到達させる深さの
貫通溝を複数条平行的に形成する工程と、素子層の厚み
の中間までに留まって素子要素相互の離散を防止できる
深さの半切溝を上記貫通溝とは交差する状態で複数条形
成する工程とから成り、上記接着層を溶かす工程は、上
記貫通溝を通してエッチング液を接着層に到達させるこ
とにより接着層を溶かす工程であり、上記溶かす工程の
後上記基板から分離した素子要素を上記半切溝において
分断することにより多数の電子素子を製造することを特
徴とする電子素子の製造方法。
1. A substrate for supporting an element layer, an adhesive layer formed on the substrate and having a function as a separation layer by being dissolved by an etching solution, and a large number of elements formed on the adhesive layer. For an element plate composed of element layers formed by arranging elements vertically and horizontally, a cutting step for separating the element elements from each other, and an adhesive layer formed by an etching solution for separating the substrate and the element elements. In the method of manufacturing an electronic element for manufacturing a large number of electronic elements from the element plate by performing a step of melting, the cutting step, the element plate, from the surface of the element layer to reach the adhesive layer. A step of forming a plurality of parallel through grooves having a depth that allows the etching solution to reach from the surface of the element layer to the adhesive layer, and a depth that can prevent the element elements from being separated from each other by staying in the middle of the thickness of the element layer. Half cut groove above The step of forming a plurality of lines in a state intersecting with the through groove, the step of melting the adhesive layer is a step of melting the adhesive layer by allowing an etching solution to reach the adhesive layer through the through groove, and the step of melting After that, a large number of electronic elements are manufactured by dividing the element elements separated from the substrate in the half cut grooves.
【請求項2】 上記貫通溝及び半切溝の形成の前に上記
素子層の表面に保護層を形成し、上記貫通溝及び半切溝
は上記保護層を通して形成することにより、それらの溝
の形成に伴って生ずる溶融物及び切り粉を上記保護層に
付着させることを特徴とする請求項1の電子素子の製造
方法。
2. A protective layer is formed on the surface of the element layer before the formation of the through-groove and the half-cut groove, and the through-groove and the half-cut groove are formed through the protective layer, thereby forming the grooves. 2. The method for manufacturing an electronic element according to claim 1, wherein the melt and the cutting dust generated together are attached to the protective layer.
【請求項3】 上記多数の素子要素は、夫々複数の素子
要素が半切溝を介して連結状態となっている複数の短冊
要素が、相互に並列となりしかも少なくとも各々の一端
において相互に連結されている状態で基板から分離さ
せ、上記分断は、上記並列する状態の複数の短冊要素に
おいて行うことにより複数の電子素子が1列に並ぶ状態
で分断することを特徴とする請求項1の電子素子の製造
方法。
3. The plurality of element elements, wherein a plurality of strip elements each having a plurality of element elements connected to each other through a half-cut groove are parallel to each other and are connected to each other at least at one end thereof. 2. The electronic element according to claim 1, wherein the electronic element is separated from the substrate in a state where the plurality of electronic elements are arranged in a line by separating the plurality of electronic elements from each other in a parallel state. Production method.
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