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JP3530925B2 - オキソエステル化合物の製造方法 - Google Patents
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JP3530925B2 - オキソエステル化合物の製造方法 - Google Patents

オキソエステル化合物の製造方法

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JP3530925B2
JP3530925B2 JP22630599A JP22630599A JP3530925B2 JP 3530925 B2 JP3530925 B2 JP 3530925B2 JP 22630599 A JP22630599 A JP 22630599A JP 22630599 A JP22630599 A JP 22630599A JP 3530925 B2 JP3530925 B2 JP 3530925B2
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利紘 鎌田
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Furan Compounds (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オキソエステル化
合物の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】エステル基のα位にケトン基を有したオ
キソエステル化合物は、応用面での幅広い用途が期待さ
れているにもかかわらず、合成化学上の困難さから、現
在に至るまで文献未載の化合物である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、新規なオキソエステル化合物の製造方法を提供す
ることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく、低級アルキルスルフィニルメチルケトンと
ヒドロキシ化合物とによるプンメラー反応について鋭意
研究を重ねた結果、ルイス酸として固体酸触媒の機能を
もつ銅塩を触媒として使用することにより、オキソエス
テル化合物を合成しうることを見いだし、この知見に基
づき本発明をなすに至った。すなわち本発明は、(1)式(II)で示される低級アルキルスルフィニルメ
チルケトンとヒドロキシ化合物(R OH)とを銅塩の
存在下で反応させることを特徴とする式(I)で表され
るオキソエステル化合物の製造方法、 式(I)
【0005】
【化5】
【0006】(式中、R及びRは、脂肪族基、芳香
族基またはヘテロ環基を示す。)式(II)
【0007】
【化6】
【0008】(式中、Rは、脂肪族基、芳香族基また
はヘテロ環基を示し、Rは低級アルキル基を示す。) ()式(III)で示される低級アルキルチオアセター
ル化合物とヒドロキシ化合物(ROH)とを銅塩の存
在下で反応させることを持徴とする式(I)で表される
オキソエステル化合物の製造方法、及び式(I)
【化7】 (式中、R 及びR は、脂肪族基、芳香族基またはヘ
テロ環基を示す。) 式(III)
【0009】
【化8】
【0010】(式中、Rは、脂肪族基、芳香族基また
はヘテロ環基を示し、Rは、水素原子、脂肪族基、芳
香族基またはヘテロ環基を示し、Rは低級アルキル基
を示す。) ((1)又は(2)項において、前記式(II)で示
される低級アルキルスルフィニルメチルケトン又は前記
式(III)で示される低級アルキルチオアセタール化合
物と前記ヒドロキシ化合物(R OH)とを反応させて
前記(I)で表されるオキソエステル化合物を得る際に
存在させるオキソエステル化合物合成用銅塩触媒を提供
するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる低級ア
ルキルスルフィニルメチルケトン(II)は、脂肪族から
芳香族及び脂環族までの種々のタイプの化学構造をもつ
β−ケトスルホキシド化合物であり、Rとしては例え
ば、メチル、エチル、ヘプタデシルなどのアルキル基
(好ましくは炭素数1〜20のアルキル基)、フェニ
ル、ナフチルなどのアリール基、シクロペンチル、シク
ロヘキシルなどのシクロアルキル基(好ましくは炭素数
5〜10のシクロアルキル基)及びそれらの置換誘導体
が挙げられる。また、ヒドロキシ化合物(ROH)と
しては、脂肪族アルコール、例えば、メタノール、エタ
ノールなどの第1級アルコールのほか、2−プロパノー
ル、2−ブタノールなどの第2級アルコール、t−ブタ
ノール、t−ペンタノールなどの第3級アルコールを用
いることができ、さらにシクロヘキサノールなどの脂環
族アルコール、フェノールなどのアリールアルコールも
用いることができる。Rとは、好ましくは、炭素数1
〜20のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル
基、炭素数6〜10のアリール基が挙げられる。このよ
うなヒドロキシ化合物を、銅塩の存在下、前記式(II)
で表される低級アルキルスルフィニルメチルケトンと反
応させることにより、前記式(I)で表されるオキソエ
ステル化合物が得られる。
【0012】本発明において用いられる一般式(III)
で表される低級アルキルチオアセタール化合物のR
しては例えば、前記の一般式(II)で表される化合物に
ついて挙げたものが挙げられる。また、Rの各基の具
体例としてはRにおいて同種の基について挙げたもの
が挙げられる。一般式(II)又は(III)においてR
は、メチル、エチル、プロピルなどの低級アルキル基で
あり、好ましくはメチルである。本発明のオキソエステ
ル化合物の合成方法において用いる銅塩としては第二銅
塩が好ましく、塩化第二銅、臭化第二銅、硫酸銅、硝酸
第二銅などを用いることができ、無水塩化第二銅が持に
好ましい。銅塩の使用量は、通常、モル比で、式(II)
又は(III)の低級アルキルスルフィニルメチルケトン
又は低級アルキルチオアセタール1に対し1〜8であ
る。また、式(II)又は(III)の化合物と反応させる
ヒドロキシ化合物(ROH)の使用量は、モル比で、
式(II)の低級アルキルスルフィニルメチルケトン又は
式(III)の低級アルキルチオアセタール化合物1に対
し1〜7である。本発明のオキソエステル化合物(I)
の製造方法によれば、一般式(II)又は(III)のいず
れの化合物を用いる場合も、反応は、通常、有機溶媒中
で行なわれる。有機溶媒としては、例えば、アセトニト
リル、DMF、アセトン、ニトロメタン、シクロヘキサ
ノン、ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタンなど
が具体例として挙げられる。また、これらの混合溶媒を
用いることもできる。このような有機溶媒に、前記銅塩
及びヒドロキシ化合物を原科の低級アルキルスルフィニ
ルメチルケトンとともに加え、加熱撹拌して反応させ
る。
【0013】反応温度は好ましくは50〜120℃であ
り、より好ましくは70℃以上であり、反応時間は通常
4〜20時間である。反応は窒素雰囲気下で行い、反応
収率を上げるためには、たえず効率よく反応液を撹拌す
るのが好ましい。反応後は、そのまま簡単なろ過操作で
銅塩を除き溶媒を除去すれば、目的の式(I)で表され
るオキソエステル化合物を得ることができる。
【0014】
【実施例】次に本発明を実施例に基づいてさらに詳細に
説明する。 実施例1 メチルスルフィニルメチルケトン(II)(R=p−
(OMe)フェニル、R =CH)0.125g、塩
化第二銅0.51g、1−ヘキサノール(ROH、R
=n−C13)0.325g、アセトニトリル1
0mlの混合物を、80℃で14時間撹拌した。反応
後、不溶物質をろ過して除き、溶媒を減圧下除去して得
た残留物を簡単なクロマトグラフィーにより精製し、殆
ど無色の油状物質として0.132g(85%)の純粋
なオキソエステル化合物(I)(R=p−(OMe)
フェニル、R=n−C13)を得た。
【0015】Rf(SiO/ベンゼン):0.30。 MS(m/z):264(M)。 IR(Neat):1740(エステル)、1680
(ケトン)cm−1 H−NMR(CDCl):δ=3.90s(3H、
OCH)、4.37t(2H、ヘキシル基)、1.7
7m(2H、ヘキシル基)、1.35m(6H、ヘキシ
ル基)、0.89t(3H、ヘキシル基)。13 C‐NMR(CDCl):δ=184.99(ケ
トンC=0)、165.02(エステルC=O)、5
5.65(OCH)、66.24、28.44、2
5.47、31.35、22.50、13.98(ヘキ
シル基)。
【0016】実施例1で使用したメチルスルフィニルメ
チルケトン(R=p−(OMe)フェニル)又は1−
ヘキサノールに代えて、表1に示す各種Rを有したメ
チルスルフィニルメチルケトン又はRを有するヒドロ
キシ化合物を使用した以外は実施例1と全く同様にして
反応を行い、R及び/またはRの異なる各種オキソ
エステル化合物(いずれも油状物質)を合成した。
【0017】
【表1】
【0018】実施例2 メチルチオアセタール化合物(III)(R=p−(O
Me)フェニル、R=n−C、R=CH
0.100g、塩化第二銅0.35g、1−ヘキサノー
ル(ROH、R=n−C13)0.275g、
アセトニトリル10mlの混合物を、81℃で8時間撹
拌した。反応後、不溶物質をろ過して除き、溶媒を減圧
下除去して得た残留物を簡単なクロマトグラフィーによ
り精製し、殆ど無色の油状物質として0.094g(9
1%)の、実施例1で得られた生成物と同様のオキソエ
ステル化合物(I)(R=p−(OMe)フェニル、
=n−C13)を得た。
【0019】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、各
オキソエステル化合物が得られる。かかる化合物は、ケ
トン基とエステル基の2個のカルボニル基に由来する特
異な反応性を有することから、キラルホスト化合物など
種々の機能性物質を合成するための反応素材として学術
的に有用であるほか、ポリエステルなどのポリマー、重
金属捕集剤、界面活性剤、マクロリド系化合物の製造原
料などとしても利用でき、産業的にも有用である。か
つ、かかる化合物は、固体酸の銅塩を触媒として用いる
ことにより、環境汚染の問題のない、クリーンで、かつ
簡便な方法で合成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (56)参考文献 特開 平6−65178(JP,A) 特開 平4−295454(JP,A) 特開 平5−255189(JP,A) 特開 昭61−172848(JP,A) 特開 昭60−184050(JP,A) 特開 昭60−19750(JP,A) 特開 昭60−172988(JP,A) 特開 昭62−207891(JP,A) 特開 昭60−130603(JP,A) 特開 昭55−149226(JP,A) 特開 平11−113589(JP,A) 特開2001−48850(JP,A) 特開2000−336056(JP,A) 特開2000−247924(JP,A) 特公 昭63−45386(JP,B1) 米国特許4465834(US,A) J.Org.Chem.,1994,Vo l.59,No.23,P6973−6985 Tetahedron,1990,Vo l.46,No.8,P2943−2964 Synthesis,1982,No. 1,P41−42 J.Am.Chem.Soc., 1966,Vol.88,No.23,P5498− 5504 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 67/00 C07C 69/716 C07C 69/738 C07D 307/46 B01J 27/122 C07B 61/00 300 CA(STN) REGISTRY(STN)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(II)で示される低級アルキルスルフ
    ィニルメチルケトンとヒドロキシ化合物(ROH)と
    を銅塩の存在下で反応させることを特徴とする式(I)
    で表されるオキソエステル化合物の製造方法。式(I) 【化1】 (式中、R 及びR は、脂肪族基、芳香族基またはヘ
    テロ環基を示す。) 式(II) 【化2】 (式中、Rは、脂肪族基、芳香族基またはヘテロ環基
    を示し、Rは低級アルキル基を示す。)
  2. 【請求項2】 式(III)で示される低級アルキルチオ
    アセタール化合物とヒドロキシ化合物(ROH)とを
    銅塩の存在下で反応させることを持徴とする式(I)で
    表されるオキソエステル化合物の製造方法。式(I) 【化3】 (式中、R 及びR は、脂肪族基、芳香族基またはヘ
    テロ環基を示す。) 式(III) 【化4】 (式中、Rは、脂肪族基、芳香族基またはヘテロ環基
    を示し、Rは、水素原子、脂肪族基、芳香族基または
    ヘテロ環基を示し、Rは低級アルキル基を示す。)
  3. 【請求項3】 請求項1又は2において、前記式(II)
    で示される低級アルキルスルフィニルメチルケトン又は
    前記式(III)で示される低級アルキルチオアセタール
    化合物と前記ヒドロキシ化合物(R OH)とを反応さ
    せて前記(I)で表されるオキソエステル化合物を得る
    際に存在させるオキソエステル化合物合成用銅塩触媒。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4465834A (en) 1965-09-20 1984-08-14 Fmc Corporation Anticholinergic drugs

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.Am.Chem.Soc.,1966,Vol.88,No.23,P5498−5504
J.Org.Chem.,1994,Vol.59,No.23,P6973−6985
Synthesis,1982,No.1,P41−42
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