JP3531107B2 - 導電性セラミックス偏向電極 - Google Patents
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- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
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- C04B2111/94—Electrically conducting materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は導電性セラミックス
偏向電極に関するものであり、特に、電子ビーム露光装
置の静電偏向方式の副偏向器を構成する偏向電極の劣化
を防止するための電極材料及びメタライズ材料に特徴の
ある導電性セラミックス偏向電極に関するものである。
偏向電極に関するものであり、特に、電子ビーム露光装
置の静電偏向方式の副偏向器を構成する偏向電極の劣化
を防止するための電極材料及びメタライズ材料に特徴の
ある導電性セラミックス偏向電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＤＲＡＭ（ダイナミックス・ラン
ダム・アクセス・メモリ）は、年々高集積化が進み２０
０１年には１ＧｂｉｔＤＲＡＭが普及すると見られてい
るが、この様な１Ｇｂｉｔ或いは４ＧｂｉｔのＤＲＡＭ
等の超高集積度半導体装置を製造する際には、０．１μ
ｍ以下のリソグラフィー技術として注目されている電子
ビーム露光技術が不可欠であると考えられている。
ダム・アクセス・メモリ）は、年々高集積化が進み２０
０１年には１ＧｂｉｔＤＲＡＭが普及すると見られてい
るが、この様な１Ｇｂｉｔ或いは４ＧｂｉｔのＤＲＡＭ
等の超高集積度半導体装置を製造する際には、０．１μ
ｍ以下のリソグラフィー技術として注目されている電子
ビーム露光技術が不可欠であると考えられている。
【０００３】現在まで、配線寸法が小さくなるにつれ
て、リソグラフィー用の光源としては、水銀ランプのｇ
線（＝４３５．８ｎｍ），ｉ線（＝３６５ｎｍ）から、
ＫｒＦエキシマレーザ（＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザ（＝１９３ｎｍ＝０．１９３μｍ）へと波長が
小さくなる方向へと移行している。
て、リソグラフィー用の光源としては、水銀ランプのｇ
線（＝４３５．８ｎｍ），ｉ線（＝３６５ｎｍ）から、
ＫｒＦエキシマレーザ（＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザ（＝１９３ｎｍ＝０．１９３μｍ）へと波長が
小さくなる方向へと移行している。
【０００４】しかし、これらの光源を用いても、０．１
μｍ以下のパターンの露光は不可能であるので、より波
長の短い電子ビームを光源とする電子ビーム露光方法が
注目されている。
μｍ以下のパターンの露光は不可能であるので、より波
長の短い電子ビームを光源とする電子ビーム露光方法が
注目されている。
【０００５】ここで、図４を参照して、電子ビーム露光
装置の概略的構成を説明する。図４参照図４は、電子ビ
ーム露光装置の一例の概念的構成図であり、ＬａＢ6 チ
ップからなるＬａＢ6 電子銃３１から発生した熱電子を
電子線４５として取り出し、種々のフィルター、マス
ク、偏向器で電子線４５の位置、形状等を変化させて、
Ｓｉウェハ等のウェハ４３上に設けた電子線レジスト
（図示を省略）上に描画するものである。
装置の概略的構成を説明する。図４参照図４は、電子ビ
ーム露光装置の一例の概念的構成図であり、ＬａＢ6 チ
ップからなるＬａＢ6 電子銃３１から発生した熱電子を
電子線４５として取り出し、種々のフィルター、マス
ク、偏向器で電子線４５の位置、形状等を変化させて、
Ｓｉウェハ等のウェハ４３上に設けた電子線レジスト
（図示を省略）上に描画するものである。
【０００６】この場合、電子線４５の位置は、磁場によ
る偏向と電場による偏向の２種類の偏向方法を組み合わ
せて用いており、磁場を用いた主偏向器４１はミリ単位
の偏向を行う主偏向領域で用いられ、一方、電場を用い
た副偏向器４０は１００μｍ内の偏向を行う副偏向領域
内の描画に用いられている。
る偏向と電場による偏向の２種類の偏向方法を組み合わ
せて用いており、磁場を用いた主偏向器４１はミリ単位
の偏向を行う主偏向領域で用いられ、一方、電場を用い
た副偏向器４０は１００μｍ内の偏向を行う副偏向領域
内の描画に用いられている。
【０００７】従来の電子ビーム露光装置はスループット
が低く、寿命が短いという問題があった。この内、スル
ープットが低い最も大きな理由は、光リソグラフィーの
ように一括したパターン露光が難しいという点にある。
即ち、電子線はスポット径が絞られ、基本的に描画露光
方式を採用して微細パターンを全てスキャンする方式で
あるため、全描画露光に長時間を要するためである。
が低く、寿命が短いという問題があった。この内、スル
ープットが低い最も大きな理由は、光リソグラフィーの
ように一括したパターン露光が難しいという点にある。
即ち、電子線はスポット径が絞られ、基本的に描画露光
方式を採用して微細パターンを全てスキャンする方式で
あるため、全描画露光に長時間を要するためである。
【０００８】そこで、電子線をスポット位置に正確に且
つ迅速に動かすために、静電偏向方式の副偏向器の特性
の向上が要請されており、それに伴って副偏向器を構成
する偏向電極の特性の向上が要請されている。
つ迅速に動かすために、静電偏向方式の副偏向器の特性
の向上が要請されており、それに伴って副偏向器を構成
する偏向電極の特性の向上が要請されている。
【０００９】この様な副偏向器を構成する偏向電極の電
極材料に対しては、室温での電気抵抗値が１０-1Ω・ｃ
ｍ前後程度であることが要求されている。即ち、電極材
料としては、基本的には導電性に優れることが重要では
あるが、副偏向器は磁場中で電場をかけるものであるた
め、金属並の低抵抗体を磁場内で使用する偏向電極とし
て用いると、電極周りに渦電流が発生するという問題が
あるためであり、この渦電流の発生を抑制するために、
１０-1Ω・ｃｍ前後の抵抗値が必要となる。
極材料に対しては、室温での電気抵抗値が１０-1Ω・ｃ
ｍ前後程度であることが要求されている。即ち、電極材
料としては、基本的には導電性に優れることが重要では
あるが、副偏向器は磁場中で電場をかけるものであるた
め、金属並の低抵抗体を磁場内で使用する偏向電極とし
て用いると、電極周りに渦電流が発生するという問題が
あるためであり、この渦電流の発生を抑制するために、
１０-1Ω・ｃｍ前後の抵抗値が必要となる。
【００１０】この様な条件を満たす電極材料として、従
来より、アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）系セラミッ
クスが用いられており、また、このアルチック系セラミ
ックスを用いた偏向電極に対して電圧を印加するための
リード線を接続するためのメタライズ層を形成する際に
は、アルミナ材料で実績のあるＭｏ−Ｍｎ法、或いは、
炭化物セラミックスのメタライズ手法として利用されて
いるＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を適用している。
来より、アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）系セラミッ
クスが用いられており、また、このアルチック系セラミ
ックスを用いた偏向電極に対して電圧を印加するための
リード線を接続するためのメタライズ層を形成する際に
は、アルミナ材料で実績のあるＭｏ−Ｍｎ法、或いは、
炭化物セラミックスのメタライズ手法として利用されて
いるＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を適用している。
【００１１】この偏向電極は真空中で使用するものであ
り、ウェハ上に設けた電子線レジストを描画する際に、
電子線レジストを構成するレジスト樹脂が飛散し、時間
とともに偏向電極の内側の表面のレジスト飛散物が付着
し、このレジストは絶縁体であるため、これらのレジス
トの付着物はチャージアップの原因となる。
り、ウェハ上に設けた電子線レジストを描画する際に、
電子線レジストを構成するレジスト樹脂が飛散し、時間
とともに偏向電極の内側の表面のレジスト飛散物が付着
し、このレジストは絶縁体であるため、これらのレジス
トの付着物はチャージアップの原因となる。
【００１２】そこで、この様な不所望なレジストの堆積
物を除去するために、偏向電極に対して定期的に酸素プ
ラズマを用いたアッシングを行って偏向電極の表面をク
リーニングする必要があった。
物を除去するために、偏向電極に対して定期的に酸素プ
ラズマを用いたアッシングを行って偏向電極の表面をク
リーニングする必要があった。
【００１３】しかし、この様なアルチック系セラミック
スを用いた偏向電極は寿命が短いという問題がある。即
ち、偏向電極を構成するアルチック系セラミックスには
ＴｉＣが含まれているため、酸素プラズマを用いたクリ
ーニング工程においてＴｉＣが酸化されて絶縁体のＴｉ
Ｏ2 等のＴｉ酸化物が形成され、それによって偏向電極
の抵抗値が変化し、結果的に、設定した電圧で所期の偏
向値が得られなくなるためである。
スを用いた偏向電極は寿命が短いという問題がある。即
ち、偏向電極を構成するアルチック系セラミックスには
ＴｉＣが含まれているため、酸素プラズマを用いたクリ
ーニング工程においてＴｉＣが酸化されて絶縁体のＴｉ
Ｏ2 等のＴｉ酸化物が形成され、それによって偏向電極
の抵抗値が変化し、結果的に、設定した電圧で所期の偏
向値が得られなくなるためである。
【００１４】この様な問題を解決するために、アルチッ
ク系セラミックスの全表面を金属でコーティングした偏
向電極も使用されている。この様な改良型の偏向電極を
用いた場合、表面酸化はみられないが、長時間酸素プラ
ズマの照射を行うと、表面にコーティングした金属膜が
スパッタリングされて偏向電極が劣化するという問題が
ある。
ク系セラミックスの全表面を金属でコーティングした偏
向電極も使用されている。この様な改良型の偏向電極を
用いた場合、表面酸化はみられないが、長時間酸素プラ
ズマの照射を行うと、表面にコーティングした金属膜が
スパッタリングされて偏向電極が劣化するという問題が
ある。
【００１５】そこで、この様なアルチック系セラミック
スを用いた偏向電極の欠点を解決するために、本出願人
は、酸化物のみで構成される酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ2 ）系のセラミックス電極を提案している。
スを用いた偏向電極の欠点を解決するために、本出願人
は、酸化物のみで構成される酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ2 ）系のセラミックス電極を提案している。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な酸化
ルテニウム系セラミックスを用いて偏向電極を構成する
ことには問題がある。即ち、酸化ルテニウム系セラミッ
クスを偏向電極として用いるためには、曲面形状を有す
る偏向電極の外側の表面にリード線を接続するためのメ
タライズ層を形成する必要があるが、この様なメタライ
ズ層としては、密着性に優れ、且つ、その表面がはんだ
濡れ性に優れている必要がある。
ルテニウム系セラミックスを用いて偏向電極を構成する
ことには問題がある。即ち、酸化ルテニウム系セラミッ
クスを偏向電極として用いるためには、曲面形状を有す
る偏向電極の外側の表面にリード線を接続するためのメ
タライズ層を形成する必要があるが、この様なメタライ
ズ層としては、密着性に優れ、且つ、その表面がはんだ
濡れ性に優れている必要がある。
【００１７】しかし、アルミナ系或いは炭化物セラミッ
クス系ではない酸化ルテニウム系セラミックスに対して
は、Ｍｏ−Ｍｎ法や、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材をその
まま適用することができず、曲面形状を有する偏向電極
に寸法精度良くメタライズ層を形成することは困難であ
った。
クス系ではない酸化ルテニウム系セラミックスに対して
は、Ｍｏ−Ｍｎ法や、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材をその
まま適用することができず、曲面形状を有する偏向電極
に寸法精度良くメタライズ層を形成することは困難であ
った。
【００１８】即ち、Ｍｏ−Ｍｎ法は、本質的に厚膜プロ
セスであるため、高温で焼き付ける工程を採用すること
になるため、表面の凹凸が大きくなり均一なメタライズ
層を形成することが困難になり、また、反応によって密
着性が劣化するという問題があり、さらに、はんだ濡れ
性が良くないという問題がある。る。一方、Ａｇ−Ｃｕ
−Ｔｉ系ろう材も８００〜９００℃の高温処理が必要に
なり、やはり、Ｍｏ−Ｍｎ法と同様の問題がある。
セスであるため、高温で焼き付ける工程を採用すること
になるため、表面の凹凸が大きくなり均一なメタライズ
層を形成することが困難になり、また、反応によって密
着性が劣化するという問題があり、さらに、はんだ濡れ
性が良くないという問題がある。る。一方、Ａｇ−Ｃｕ
−Ｔｉ系ろう材も８００〜９００℃の高温処理が必要に
なり、やはり、Ｍｏ−Ｍｎ法と同様の問題がある。
【００１９】この様に、メタライズ層を寸法精度良く形
成できないと、８個の偏向電極を組み合わせて８極電極
構造の副偏向器を組み立てる際に、クリアランスが低下
するという問題がある。
成できないと、８個の偏向電極を組み合わせて８極電極
構造の副偏向器を組み立てる際に、クリアランスが低下
するという問題がある。
【００２０】したがって、本発明は、劣化の生じない導
電性材料で偏向電極を構成するとともに、密着強度及び
はんだ濡れ性に優れた膜厚の均一なメタライズ層を形成
することを目的とする。
電性材料で偏向電極を構成するとともに、密着強度及び
はんだ濡れ性に優れた膜厚の均一なメタライズ層を形成
することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成図であり、この図１を参照して本発明における課題を
解決するための手段を説明する。なお、図１（ａ）は、
副偏向器を構成する８極電極の概略的斜視図であり、ま
た、図１（ｂ）は８極電極を構成する偏向電極の概略的
要部斜視図である。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 上記の目的を達成するために、本発明は、導電性酸化物
と焼結助剤とからなるセラミックスで構成される偏向電
極本体２の表面に、少なくとも、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｉの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成され、
偏向電極本体２と直接接触する密着メタライズ層３と、
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇの内の少なくとも一つを
含む導電性材料で構成され、リード線が接続される接続
用メタライズ層４とからなる、リード線を接続するため
の多層構造のメタライズ層を設けたことを特徴とする。
成図であり、この図１を参照して本発明における課題を
解決するための手段を説明する。なお、図１（ａ）は、
副偏向器を構成する８極電極の概略的斜視図であり、ま
た、図１（ｂ）は８極電極を構成する偏向電極の概略的
要部斜視図である。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 上記の目的を達成するために、本発明は、導電性酸化物
と焼結助剤とからなるセラミックスで構成される偏向電
極本体２の表面に、少なくとも、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｉの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成され、
偏向電極本体２と直接接触する密着メタライズ層３と、
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇの内の少なくとも一つを
含む導電性材料で構成され、リード線が接続される接続
用メタライズ層４とからなる、リード線を接続するため
の多層構造のメタライズ層を設けたことを特徴とする。
【００２２】この様に、偏向電極本体２、特に、副偏向
器１の偏向電極本体２を構成する導電性酸化物として、
ＲｕＯ2 ，ＲｅＯ2 ，ＩｒＯ2 ，ＳｒＶＯ3 ，ＣａＶＯ
3 ，ＬａＴｉＯ3 ，ＳｒＭｏＯ3 ，ＣａＭｏＯ3 ，Ｓｒ
ＣｒＯ3 ，ＣａＣｒＯ3 ，ＬａＶＯ3 ，ＧｄＶＯ3 ，Ｓ
ｒＭｎＯ3 ，ＣａＭｎＯ3 ，ＮｉＣｒＯ3 ，ＢｉＣｒＯ
3 ，ＬａＣｒＯ3 ，ＬｎＣｒＯ3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，Ｓｒ
ＦｅＯ3 ，ＢａＲｕＯ 3 ，ＬａＭｎＯ3 ，ＬｎＭｎ
Ｏ3 ，ＬａＦｅＯ3 ，ＬｎＦｅＯ3 ，ＬａＣｏＯ3，Ｌ
ａＲｈＯ3 ，ＬａＮｉＯ3 ，ＰｂＲｕＯ3 ，Ｂｉ2 Ｒｕ
2 Ｏ 7，ＬａＴａＯ 3 ，ＢｉＲｕＯ3 の内に少なくとも
一つを用いることによって、付着したレジストを除去す
る酸素プラズマ照射工程において、偏向電極本体２が酸
化されることがなく、したがって、電気抵抗値が変化す
ることがない。
器１の偏向電極本体２を構成する導電性酸化物として、
ＲｕＯ2 ，ＲｅＯ2 ，ＩｒＯ2 ，ＳｒＶＯ3 ，ＣａＶＯ
3 ，ＬａＴｉＯ3 ，ＳｒＭｏＯ3 ，ＣａＭｏＯ3 ，Ｓｒ
ＣｒＯ3 ，ＣａＣｒＯ3 ，ＬａＶＯ3 ，ＧｄＶＯ3 ，Ｓ
ｒＭｎＯ3 ，ＣａＭｎＯ3 ，ＮｉＣｒＯ3 ，ＢｉＣｒＯ
3 ，ＬａＣｒＯ3 ，ＬｎＣｒＯ3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，Ｓｒ
ＦｅＯ3 ，ＢａＲｕＯ 3 ，ＬａＭｎＯ3 ，ＬｎＭｎ
Ｏ3 ，ＬａＦｅＯ3 ，ＬｎＦｅＯ3 ，ＬａＣｏＯ3，Ｌ
ａＲｈＯ3 ，ＬａＮｉＯ3 ，ＰｂＲｕＯ3 ，Ｂｉ2 Ｒｕ
2 Ｏ 7，ＬａＴａＯ 3 ，ＢｉＲｕＯ3 の内に少なくとも
一つを用いることによって、付着したレジストを除去す
る酸素プラズマ照射工程において、偏向電極本体２が酸
化されることがなく、したがって、電気抵抗値が変化す
ることがない。
【００２３】また、メタライズ層を、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚ
ｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成
される密着メタライズ層３、特に、物理的気相成長層か
らなる密着メタライズ層３と、また、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ａｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料
で構成される接続用メタライズ層４、特に、メッキ膜か
らなる接続用メタライズ層４とで構成することによっ
て、高温工程を用いることなく、密着性が良好で、Ｐｂ
−Ｓｎ半田との濡れ性が良好で、且つ、膜厚の均一性に
優れるメタライズ層を曲面形状の酸化物セラミックスに
対して形成することができる。
ｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成
される密着メタライズ層３、特に、物理的気相成長層か
らなる密着メタライズ層３と、また、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ａｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料
で構成される接続用メタライズ層４、特に、メッキ膜か
らなる接続用メタライズ層４とで構成することによっ
て、高温工程を用いることなく、密着性が良好で、Ｐｂ
−Ｓｎ半田との濡れ性が良好で、且つ、膜厚の均一性に
優れるメタライズ層を曲面形状の酸化物セラミックスに
対して形成することができる。
【００２４】また、導電性酸化物と焼結助剤とからなる
セラミックスには、焼結助剤をとして、電気的抵抗を適
度な値に高めるために、例えば、１０-4〜１０4 Ω・ｃ
ｍにするために、硼珪酸ガラス等の軟化点が４００℃以
上の鉛成分を含まないガラスを主体とするガラスを用い
ることが望ましい。
セラミックスには、焼結助剤をとして、電気的抵抗を適
度な値に高めるために、例えば、１０-4〜１０4 Ω・ｃ
ｍにするために、硼珪酸ガラス等の軟化点が４００℃以
上の鉛成分を含まないガラスを主体とするガラスを用い
ることが望ましい。
【００２５】なお、軟化点が４００℃未満であると、偏
向電極として使用時の熱環境に耐えることが困難にな
り、また、ガラス中に鉛（Ｐｂ）が含まれていると高温
環境下でＰｂが表面に析出して導電性を帯び、偏向電極
本体２の抵抗値が低下するという問題が発生する。但
し、Ｐｂ成分を含むガラスが、少量含まれているぶんに
は特段の問題はない。
向電極として使用時の熱環境に耐えることが困難にな
り、また、ガラス中に鉛（Ｐｂ）が含まれていると高温
環境下でＰｂが表面に析出して導電性を帯び、偏向電極
本体２の抵抗値が低下するという問題が発生する。但
し、Ｐｂ成分を含むガラスが、少量含まれているぶんに
は特段の問題はない。
【００２６】また、導電性酸化物と焼結助剤とからなる
セラミックスの熱膨張率は、使用環境において、物理的
配置が変化しないように１０-5／℃以下とすることが望
ましい。
セラミックスの熱膨張率は、使用環境において、物理的
配置が変化しないように１０-5／℃以下とすることが望
ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態の偏向電極の製造工程を説明する。 図２（ａ）参照 まず、ＲｕＯ2 と硼珪酸ガラスを、例えば、重量比で２
０：８０の割合で混合した複合体を研削・研磨して断面
が湾曲した板状のＲｕＯ2 系偏向電極本体１１を形成す
る。因に、この場合のＲｕＯ2 系偏向電極本体１１の抵
抗率は、抵抗率が〜１０-4Ω・ｃｍのＲｕＯ2 に絶縁体
の硼珪酸ガラスを混合することによって〜１０-1Ω・ｃ
ｍ程度となる。
の第１の実施の形態の偏向電極の製造工程を説明する。 図２（ａ）参照 まず、ＲｕＯ2 と硼珪酸ガラスを、例えば、重量比で２
０：８０の割合で混合した複合体を研削・研磨して断面
が湾曲した板状のＲｕＯ2 系偏向電極本体１１を形成す
る。因に、この場合のＲｕＯ2 系偏向電極本体１１の抵
抗率は、抵抗率が〜１０-4Ω・ｃｍのＲｕＯ2 に絶縁体
の硼珪酸ガラスを混合することによって〜１０-1Ω・ｃ
ｍ程度となる。
【００２８】図２（ｂ）参照
次いで、レジストパターン（図示を省略）をマスクとし
て、スパッタリング法によって、厚さが、例えば、１０
０ｎｍのＴｉ密着改善層１２を成膜したのち、引き続い
て、厚さが、例えば、２００ｎｍのＰｔバリア層１３を
成膜する。
て、スパッタリング法によって、厚さが、例えば、１０
０ｎｍのＴｉ密着改善層１２を成膜したのち、引き続い
て、厚さが、例えば、２００ｎｍのＰｔバリア層１３を
成膜する。
【００２９】図２（ｃ）参照
次いで、無電解メッキ法を用いてＰｔバリア層１３上に
厚さが、例えば、２μｍのＡｕメッキ層１４を成膜した
のち、レジストパターンを除去し、レジストパターン上
に堆積した不要な堆積物をリフトオフする。
厚さが、例えば、２μｍのＡｕメッキ層１４を成膜した
のち、レジストパターンを除去し、レジストパターン上
に堆積した不要な堆積物をリフトオフする。
【００３０】図２（ｄ）参照
次いで、Ａｕメッキ層１４上にＰｂ−Ｓｎ半田１５を形
成し、このＰｂ−Ｓｎ半田１５を利用してＲｕＯ2 系偏
向電極本体１１に電圧を印加するためのリード線１６と
接続することによって偏向電極の基本構造が完成する。
以降は、この様に形成した偏向電極を８個、円周上に等
間隔で配置して８極電極を構成することで静電偏向型の
副偏向器が得られる。
成し、このＰｂ−Ｓｎ半田１５を利用してＲｕＯ2 系偏
向電極本体１１に電圧を印加するためのリード線１６と
接続することによって偏向電極の基本構造が完成する。
以降は、この様に形成した偏向電極を８個、円周上に等
間隔で配置して８極電極を構成することで静電偏向型の
副偏向器が得られる。
【００３１】
【表１】
この本発明の第１の実施の形態の偏向電極は、メタライ
ズ層となるＡｕメッキ層１４を形成する前に、Ｔｉ密着
改善層１２を設けているので、表１に示すように、従来
のＭｏ−Ｍｎ法或いはＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を用い
た場合より、均一な膜厚分布で、密着強度及びはんだ濡
れ性に優れたメタライズ層を形成することができる。
ズ層となるＡｕメッキ層１４を形成する前に、Ｔｉ密着
改善層１２を設けているので、表１に示すように、従来
のＭｏ−Ｍｎ法或いはＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材を用い
た場合より、均一な膜厚分布で、密着強度及びはんだ濡
れ性に優れたメタライズ層を形成することができる。
【００３２】因に、１０ｍｍ角内の膜厚分布は〜５％で
あり、密着強度は３ｋｇ／ｍｍ2 であり、また、はんだ
濡れ性は９０％であった。なお、はんだ濡れ性（％）
は、メタライズ層の表面積に対する表面を覆うはんだの
表面積の比率で表す。
あり、密着強度は３ｋｇ／ｍｍ2 であり、また、はんだ
濡れ性は９０％であった。なお、はんだ濡れ性（％）
は、メタライズ層の表面積に対する表面を覆うはんだの
表面積の比率で表す。
【００３３】また、ＲｕＯ2 系偏向電極本体１１は、Ｒ
ｕＯ2 と硼珪酸ガラスのみからなる導電性酸化物セラミ
ックスで構成されているので、レジスト飛散物の付着に
伴うクリーニング工程において、酸素プラズマに晒され
ても導電性酸化物セラミックスがさらに酸化されること
はなく、したがって、ＲｕＯ2 系偏向電極本体１１の電
気抵抗値が変化することがない。
ｕＯ2 と硼珪酸ガラスのみからなる導電性酸化物セラミ
ックスで構成されているので、レジスト飛散物の付着に
伴うクリーニング工程において、酸素プラズマに晒され
ても導電性酸化物セラミックスがさらに酸化されること
はなく、したがって、ＲｕＯ2 系偏向電極本体１１の電
気抵抗値が変化することがない。
【００３４】また、この導電性酸化物セラミックスの焼
結助剤は、上記の様にＰｂを含まず軟化点が４００℃以
上の硼珪酸ガラスであるので、電子ビーム露光工程にお
ける温度環境に熱変形せずに耐えることができる。
結助剤は、上記の様にＰｂを含まず軟化点が４００℃以
上の硼珪酸ガラスであるので、電子ビーム露光工程にお
ける温度環境に熱変形せずに耐えることができる。
【００３５】したがって、このＲｕＯ2 系偏向電極本体
１１を組み合わせて８極電極を構成した場合にも、使用
中に熱膨張による変形が少ないので、電子ビームを精度
良く偏向することができる。
１１を組み合わせて８極電極を構成した場合にも、使用
中に熱膨張による変形が少ないので、電子ビームを精度
良く偏向することができる。
【００３６】また、Ｐｂが含まれていないので、熱環境
下でＰｂが還元されて析出することがなく、それによっ
て、ＲｕＯ2 系偏向電極本体１１の導電性が高まること
はない。
下でＰｂが還元されて析出することがなく、それによっ
て、ＲｕＯ2 系偏向電極本体１１の導電性が高まること
はない。
【００３７】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施の形態の偏向電極の製造工程を説明する。 図３（ａ）参照 まず、ＩｒＯ2 と硼珪酸ガラスを、例えば、容量比で
１：４の割合で混合した複合体を研削・研磨して断面が
湾曲した板状のＩｒＯ2 系偏向電極本体２１を形成す
る。因に、この場合のＩｒＯ2 系偏向電極本体２１の抵
抗率も、抵抗率が〜１０-5Ω・ｃｍのＩｒＯ2 に硼珪酸
ガラスを混合することによって〜１０-1Ω・ｃｍ程度と
なる。
施の形態の偏向電極の製造工程を説明する。 図３（ａ）参照 まず、ＩｒＯ2 と硼珪酸ガラスを、例えば、容量比で
１：４の割合で混合した複合体を研削・研磨して断面が
湾曲した板状のＩｒＯ2 系偏向電極本体２１を形成す
る。因に、この場合のＩｒＯ2 系偏向電極本体２１の抵
抗率も、抵抗率が〜１０-5Ω・ｃｍのＩｒＯ2 に硼珪酸
ガラスを混合することによって〜１０-1Ω・ｃｍ程度と
なる。
【００３８】図３（ｂ）参照
次いで、レジストパターン（図示を省略）をマスクとし
て、スパッタリング法によって、厚さが、例えば、１０
０ｎｍのＣｒ密着改善層２２を成膜し、次いで、無電解
メッキ法によって、厚さが、例えば、２００ｎｍのＮｉ
バリア層２３を成膜する。
て、スパッタリング法によって、厚さが、例えば、１０
０ｎｍのＣｒ密着改善層２２を成膜し、次いで、無電解
メッキ法によって、厚さが、例えば、２００ｎｍのＮｉ
バリア層２３を成膜する。
【００３９】図３（ｃ）参照
引き続いて、無電解メッキ法を用いてＮｉバリア層２３
上に厚さが、例えば、２μｍのＡｕメッキ層２４を成膜
したのち、レジストパターンを除去し、レジストパター
ン上に堆積した不要な堆積物をリフトオフする。
上に厚さが、例えば、２μｍのＡｕメッキ層２４を成膜
したのち、レジストパターンを除去し、レジストパター
ン上に堆積した不要な堆積物をリフトオフする。
【００４０】図３（ｄ）参照
次いで、Ａｕメッキ層２４上にＰｂ−Ｓｎ半田２５を形
成し、このＰｂ−Ｓｎ半田２５を利用してＩｒＯ2 系偏
向電極本体２１に電圧を印加するためのリード線２６と
接続することによって偏向電極の基本構造が完成する。
以降は、この様に形成した偏向電極を８個、円周上に等
間隔で配置して８極電極を構成することで静電偏向型の
副偏向器が得られる。
成し、このＰｂ−Ｓｎ半田２５を利用してＩｒＯ2 系偏
向電極本体２１に電圧を印加するためのリード線２６と
接続することによって偏向電極の基本構造が完成する。
以降は、この様に形成した偏向電極を８個、円周上に等
間隔で配置して８極電極を構成することで静電偏向型の
副偏向器が得られる。
【００４１】この場合も上記の第１の実施の形態と同様
に、均一な膜厚分布で、密着強度及びはんだ濡れ性に優
れたメタライズ層を形成することができる。また、Ｉｒ
Ｏ2 系偏向電極本体２１もＲｕＯ2 系偏向電極本体１１
と同様に、酸化によって抵抗率が変化することがなく、
良好な耐熱性が得られる。
に、均一な膜厚分布で、密着強度及びはんだ濡れ性に優
れたメタライズ層を形成することができる。また、Ｉｒ
Ｏ2 系偏向電極本体２１もＲｕＯ2 系偏向電極本体１１
と同様に、酸化によって抵抗率が変化することがなく、
良好な耐熱性が得られる。
【００４２】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
の各実施の形態においては、密着改善層をスパッタリン
グ法を用いて成膜しているが、真空蒸着法等の他の物理
的気相成長法によって形成しても良いものである。
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
の各実施の形態においては、密着改善層をスパッタリン
グ法を用いて成膜しているが、真空蒸着法等の他の物理
的気相成長法によって形成しても良いものである。
【００４３】また、上記の各実施の形態においては、密
着改善層としてＴｉ或いはＣｒを用いているが、Ｔｉ或
いはＣｒに限られるものではなく、ＺｒやＮｉを用いて
も良いものである。
着改善層としてＴｉ或いはＣｒを用いているが、Ｔｉ或
いはＣｒに限られるものではなく、ＺｒやＮｉを用いて
も良いものである。
【００４４】また、上記の各実施の形態においては、接
続用メタライズ層としてＡｕメッキ層を用いているが、
Ａｕに限られるものでなく、Ｐｂ−Ｓｎ半田濡れ性の良
好なＣｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ａｇを用いても良いものであ
り、また、成膜法としては、無電解メッキ法の代わりに
電解メッキ法を用いても良いものである。
続用メタライズ層としてＡｕメッキ層を用いているが、
Ａｕに限られるものでなく、Ｐｂ−Ｓｎ半田濡れ性の良
好なＣｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ａｇを用いても良いものであ
り、また、成膜法としては、無電解メッキ法の代わりに
電解メッキ法を用いても良いものである。
【００４５】また、上記の各実施の形態においては、Ｐ
ｔバリア層或いはＮｉバリア層を用いているが、この様
なバリア層は、接続用メタライズ層の材料によっては必
ずしも必要がないものであり、例えば、Ｎｉを用いた場
合には、バリア層は不要になり、また、Ａｕ等を用いた
場合にも、接続用メタライズ層を通常より厚く形成した
場合には、バリア層は必ずしも必要はないものである。
ｔバリア層或いはＮｉバリア層を用いているが、この様
なバリア層は、接続用メタライズ層の材料によっては必
ずしも必要がないものであり、例えば、Ｎｉを用いた場
合には、バリア層は不要になり、また、Ａｕ等を用いた
場合にも、接続用メタライズ層を通常より厚く形成した
場合には、バリア層は必ずしも必要はないものである。
【００４６】また、上記の各実施の形態においては、偏
向電極本体を構成する導電性酸化物としてＲｕＯ2 或い
はＩｒＯ2 を用いているが、ＲｕＯ2 或いはＩｒＯ2 に
限られるものではなく、ＲｅＯ2 を用いても良い。
向電極本体を構成する導電性酸化物としてＲｕＯ2 或い
はＩｒＯ2 を用いているが、ＲｕＯ2 或いはＩｒＯ2 に
限られるものではなく、ＲｅＯ2 を用いても良い。
【００４７】さらには、導電性ペロブスカイト酸化物で
あるＳｒＶＯ3 ，ＣａＶＯ3 ，ＬａＴｉＯ3 ，ＳｒＭｏ
Ｏ3 ，ＣａＭｏＯ3 ，ＳｒＣｒＯ3 ，ＣａＣｒＯ3 ，Ｌ
ａＶＯ3 ，ＧｄＶＯ3 ，ＳｒＭｎＯ3 ，ＣａＭｎＯ3 ，
ＮｉＣｒＯ3 ，ＢｉＣｒＯ3，ＬａＣｒＯ3 ，ＬｎＣｒ
Ｏ3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，ＳｒＦｅＯ3 ，ＢａＲｕＯ3 ，Ｌ
ａＭｎＯ3 ，ＬｎＭｎＯ3 ，ＬａＦｅＯ3 ，ＬｎＦｅＯ
3 ，ＬａＣｏＯ3 ，ＬａＲｈＯ3 ，ＬａＮｉＯ3 ，Ｐｂ
ＲｕＯ3 ，Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ 7，ＬａＴａＯ3 ，ＢｉＲｕ
Ｏ3 を用いても良いものである。但し、電子ビーム露光
装置の副偏向器を構成する偏向電極として用いる場合に
は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の磁性を有する材料は不適当で
ある。
あるＳｒＶＯ3 ，ＣａＶＯ3 ，ＬａＴｉＯ3 ，ＳｒＭｏ
Ｏ3 ，ＣａＭｏＯ3 ，ＳｒＣｒＯ3 ，ＣａＣｒＯ3 ，Ｌ
ａＶＯ3 ，ＧｄＶＯ3 ，ＳｒＭｎＯ3 ，ＣａＭｎＯ3 ，
ＮｉＣｒＯ3 ，ＢｉＣｒＯ3，ＬａＣｒＯ3 ，ＬｎＣｒ
Ｏ3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，ＳｒＦｅＯ3 ，ＢａＲｕＯ3 ，Ｌ
ａＭｎＯ3 ，ＬｎＭｎＯ3 ，ＬａＦｅＯ3 ，ＬｎＦｅＯ
3 ，ＬａＣｏＯ3 ，ＬａＲｈＯ3 ，ＬａＮｉＯ3 ，Ｐｂ
ＲｕＯ3 ，Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ 7，ＬａＴａＯ3 ，ＢｉＲｕ
Ｏ3 を用いても良いものである。但し、電子ビーム露光
装置の副偏向器を構成する偏向電極として用いる場合に
は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の磁性を有する材料は不適当で
ある。
【００４８】また、上記の各実施の形態においては、偏
向電極本体を構成する導電性酸化物セラミックスの焼結
助剤として硼珪酸ガラスを用いているが、硼珪酸ガラス
に限られるものではなく、軟化点が４００℃以上でＰｂ
を含まない公知の他のガラスを用いても良いものであ
る。但し、この様なガラスに少量のＰｂ成分を含むガラ
スを混合させて用いても問題はない。
向電極本体を構成する導電性酸化物セラミックスの焼結
助剤として硼珪酸ガラスを用いているが、硼珪酸ガラス
に限られるものではなく、軟化点が４００℃以上でＰｂ
を含まない公知の他のガラスを用いても良いものであ
る。但し、この様なガラスに少量のＰｂ成分を含むガラ
スを混合させて用いても問題はない。
【００４９】また、上記の各実施の形態においては、偏
向電極を電子ビーム露光装置の副偏向器を構成する偏向
電極として説明しているが、電子ビーム露光装置に限ら
れるものではなく、電子顕微鏡等の他の荷電ビーム照射
装置の静電偏向電極として用いても良いものであり、特
に、磁場の存在下で動作させる静電偏向電極として好適
である。
向電極を電子ビーム露光装置の副偏向器を構成する偏向
電極として説明しているが、電子ビーム露光装置に限ら
れるものではなく、電子顕微鏡等の他の荷電ビーム照射
装置の静電偏向電極として用いても良いものであり、特
に、磁場の存在下で動作させる静電偏向電極として好適
である。
【００５０】ここで、再び、図１を参照して、本発明の
詳細な特徴を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （付記１） 導電性酸化物と焼結助剤とからなるセラミ
ックスで構成される偏向電極本体２の表面に、少なくと
も、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含
む導電性材料で構成され、偏向電極本体２と直接接触す
る密着メタライズ層３と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａ
ｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成され、
リード線が接続される接続用メタライズ層４とからな
る、リード線を接続するための多層構造のメタライズ層
を設けたことを特徴とする導電性セラミックス偏向電
極。 （付記２） 上記導電性酸化物が、ＲｕＯ2 ，Ｒｅ
Ｏ2 ，ＩｒＯ2 ，ＳｒＶＯ3 ，ＣａＶＯ3 ，ＬａＴｉＯ
3 ，ＳｒＭｏＯ3 ，ＣａＭｏＯ3 ，ＳｒＣｒＯ3 ，Ｃａ
ＣｒＯ3 ，ＬａＶＯ3 ，ＧｄＶＯ3 ，ＳｒＭｎＯ3 ，Ｃ
ａＭｎＯ3 ，ＮｉＣｒＯ3 ，ＢｉＣｒＯ3 ，ＬａＣｒＯ
3 ，ＬｎＣｒＯ3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，ＳｒＦｅＯ3 ，Ｂａ
ＲｕＯ3 ，ＬａＭｎＯ3 ，ＬｎＭｎＯ3 ，ＬａＦｅ
Ｏ3 ，ＬｎＦｅＯ3 ，ＬａＣｏＯ3 ，ＬａＲｈＯ3 ，Ｌ
ａＮｉＯ3 ，ＰｂＲｕＯ3 ，Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ 7，ＬａＴ
ａＯ3 ，ＢｉＲｕＯ3 の内に少なくとも一つを含むこと
を特徴とする付記１記載の導電性セラミックス偏向電
極。 （付記３） 上記導電性酸化物と焼結助剤とからなるセ
ラミックスの前記焼結助剤として、軟化点が４００℃以
上の鉛成分を含まないガラスを主体とするガラスを用い
たことを特徴とする付記１または２に記載の導電性セラ
ミックス偏向電極。 （付記４） 上記導電性酸化物と焼結助剤とからなるセ
ラミックスの固有電気抵抗値が１０-4〜１０4 Ω・ｃｍ
であり、且つ、熱膨張率が１０-5／℃以下であることを
特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の導電性セ
ラミックス偏向電極。 （付記５） 上記密着メタライズ層３が、物理的気相成
長層であることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１
に記載の導電性セラミックス偏向電極。 （付記６） 上記接続用メタライズ層４が、メッキ膜で
あることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載
の導電性セラミックス偏向電極。 （付記７） 上記偏向電極が、電子ビーム露光装置の副
偏向器１を構成する偏向電極であることを特徴とする付
記１乃至６のいずれか１に記載の導電性セラミックス偏
向電極。
詳細な特徴を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （付記１） 導電性酸化物と焼結助剤とからなるセラミ
ックスで構成される偏向電極本体２の表面に、少なくと
も、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含
む導電性材料で構成され、偏向電極本体２と直接接触す
る密着メタライズ層３と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａ
ｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成され、
リード線が接続される接続用メタライズ層４とからな
る、リード線を接続するための多層構造のメタライズ層
を設けたことを特徴とする導電性セラミックス偏向電
極。 （付記２） 上記導電性酸化物が、ＲｕＯ2 ，Ｒｅ
Ｏ2 ，ＩｒＯ2 ，ＳｒＶＯ3 ，ＣａＶＯ3 ，ＬａＴｉＯ
3 ，ＳｒＭｏＯ3 ，ＣａＭｏＯ3 ，ＳｒＣｒＯ3 ，Ｃａ
ＣｒＯ3 ，ＬａＶＯ3 ，ＧｄＶＯ3 ，ＳｒＭｎＯ3 ，Ｃ
ａＭｎＯ3 ，ＮｉＣｒＯ3 ，ＢｉＣｒＯ3 ，ＬａＣｒＯ
3 ，ＬｎＣｒＯ3 ，ＳｒＲｕＯ3 ，ＳｒＦｅＯ3 ，Ｂａ
ＲｕＯ3 ，ＬａＭｎＯ3 ，ＬｎＭｎＯ3 ，ＬａＦｅ
Ｏ3 ，ＬｎＦｅＯ3 ，ＬａＣｏＯ3 ，ＬａＲｈＯ3 ，Ｌ
ａＮｉＯ3 ，ＰｂＲｕＯ3 ，Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ 7，ＬａＴ
ａＯ3 ，ＢｉＲｕＯ3 の内に少なくとも一つを含むこと
を特徴とする付記１記載の導電性セラミックス偏向電
極。 （付記３） 上記導電性酸化物と焼結助剤とからなるセ
ラミックスの前記焼結助剤として、軟化点が４００℃以
上の鉛成分を含まないガラスを主体とするガラスを用い
たことを特徴とする付記１または２に記載の導電性セラ
ミックス偏向電極。 （付記４） 上記導電性酸化物と焼結助剤とからなるセ
ラミックスの固有電気抵抗値が１０-4〜１０4 Ω・ｃｍ
であり、且つ、熱膨張率が１０-5／℃以下であることを
特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の導電性セ
ラミックス偏向電極。 （付記５） 上記密着メタライズ層３が、物理的気相成
長層であることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１
に記載の導電性セラミックス偏向電極。 （付記６） 上記接続用メタライズ層４が、メッキ膜で
あることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載
の導電性セラミックス偏向電極。 （付記７） 上記偏向電極が、電子ビーム露光装置の副
偏向器１を構成する偏向電極であることを特徴とする付
記１乃至６のいずれか１に記載の導電性セラミックス偏
向電極。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、偏向電極の構成材料と
なる導電性セラミックスを導電性酸化物とガラスとによ
って構成しているので偏向電極が酸化して抵抗値が変化
することがなく、また、曲面形状を有する偏向電極の表
面に形成するメタライズ層を通常の成膜工程で形成して
いるので膜厚の均一性、密着性、及び、はんだ濡れ性の
全てに優れたメタライズ層とすることができ、電子ビー
ム露光装置の副偏向器等の偏向器を精度良く動作させる
ことが可能になり、ひいては、電子ビーム露光装置等の
荷電ビーム照射装置の高性能化に寄与するところが大き
い。
なる導電性セラミックスを導電性酸化物とガラスとによ
って構成しているので偏向電極が酸化して抵抗値が変化
することがなく、また、曲面形状を有する偏向電極の表
面に形成するメタライズ層を通常の成膜工程で形成して
いるので膜厚の均一性、密着性、及び、はんだ濡れ性の
全てに優れたメタライズ層とすることができ、電子ビー
ム露光装置の副偏向器等の偏向器を精度良く動作させる
ことが可能になり、ひいては、電子ビーム露光装置等の
荷電ビーム照射装置の高性能化に寄与するところが大き
い。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の偏向電極の製造工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の偏向電極の製造工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図４】電子ビーム露光装置の概念的構成図である。
１ 副偏向器
２ 偏向電極本体
３ 密着メタライズ層
４ 接続用メタライズ層
１１ ＲｕＯ2 系偏向電極本体
１２ Ｔｉ密着改善層
１３ Ｐｔバリア層
１４ Ａｕメッキ層
１５ Ｐｂ−Ｓｎ半田
１６ リード線
２１ ＩｒＯ2 系偏向電極本体
２２ Ｃｒ密着改善層
３３ Ｎｉバリア層
２４ Ａｕメッキ層
２５ Ｐｂ−Ｓｎ半田
２６ リード線
３１ ＬａＢ6 電子銃
３２ アパチャ
３３ レンズ
３４ レンズ
３５ ブロックマスク
３６ レンズ
３７ ブランカ
３８ レンズ
３９ レンズ
４０ 副偏向器
４１ 主偏向器
４２ レンズ
４３ ウェハ
４４ イマージョンレンズ
４５ 電子線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2001−307671（ＪＰ，Ａ)
特開2000−106117（ＪＰ，Ａ)
特開2000−11937（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−103944（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−83587（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−276549（ＪＰ，Ａ)
特開2000−200575（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−50969（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/147
H01J 37/305
H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 導電性酸化物と焼結助剤とからなるセラ
ミックスで構成される偏向電極本体の表面に、少なくと
も、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含
む導電性材料で構成され、前記偏向電極本体と直接接触
する密着メタライズ層と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａ
ｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成され、
リード線が接続される接続用メタライズ層とからなる、
リード線を接続するための多層構造のメタライズ層を設
けたことを特徴とする導電性セラミックス偏向電極。 - 【請求項２】 上記導電性酸化物と焼結助剤とからなる
セラミックスの前記焼結助剤として、軟化点が４００℃
以上の鉛成分を含まないガラスを主体とするガラスを用
いたことを特徴とする請求項１記載の導電性セラミック
ス偏向電極。 - 【請求項３】 上記導電性酸化物と焼結助剤とからなる
セラミックスの固有電気抵抗値が１０-4〜１０4 Ω・ｃ
ｍであり、且つ、熱膨張率が１０-5／℃以下であること
を特徴とする請求項１または２に記載の導電性セラミッ
クス偏向電極。 - 【請求項４】 上記密着メタライズ層が、物理的気相成
長層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１項に記載の導電性セラミックス偏向電極。 - 【請求項５】 上記接続用メタライズ層が、メッキ膜で
あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に
記載の導電性セラミックス偏向電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401450A JP3531107B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 導電性セラミックス偏向電極 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401450A JP3531107B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 導電性セラミックス偏向電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203504A JP2002203504A (ja) | 2002-07-19 |
| JP3531107B2 true JP3531107B2 (ja) | 2004-05-24 |
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ID=18865878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000401450A Expired - Fee Related JP3531107B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 導電性セラミックス偏向電極 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4809966B2 (ja) * | 2000-02-10 | 2011-11-09 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置、静電偏向器およびその製造方法 |
| JP5032721B2 (ja) * | 2001-04-03 | 2012-09-26 | 富士通株式会社 | 導電性電極材料、電極部品、静電偏向器及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| JP2007294850A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 静電偏向器及び電子線照射装置及び基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法 |
| CN105470082B (zh) * | 2015-11-27 | 2017-12-26 | 重庆大学 | 一种电子束90度偏转器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000106117A (ja) | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Advantest Corp | 電子ビーム照射装置の静電偏向器 |
| JP2000200575A (ja) | 1999-01-05 | 2000-07-18 | Nikon Corp | 電磁偏向器及び荷電粒子露光装置 |
| JP2001307671A (ja) | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Fujitsu Ltd | 電極用材料、荷電粒子線装置用電極及びその製造方法 |
-
2000
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