JP3537372B2

JP3537372B2 - スペクトル線幅可変光源装置

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Publication number: JP3537372B2
Application number: JP2000094886A
Authority: JP
Inventors: 智幸尾崎; 正則滝沢; 隆生谷本
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2000-03-30
Filing date: 2000-03-30
Publication date: 2004-06-14
Anticipated expiration: 2020-03-30
Also published as: JP2001281610A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザを用い
た光源装置に係わり、特に出射光のスペクトル線幅を連
続的に変更できるスペクトル線幅可変光源装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムに組込むための各種通信
機器を新規に開発したり、光ファイバ等の通信網を新規
に構築したり、既に光通信システムに組込まれている光
通信機器の保守点検を実施したりする場合、これらの試
験対象となる被測定系に対して、精度の高い光試験信号
を印加する必要がある。

【０００３】例えば、上述した被測定系の損失測定を実
施する場合は、図８に示すように、例えば半導体レーザ
が組込まれた光源装置１から出力された単一モードの光
２は例えば光ファイバを介して被測定系３へ入力され
る。被測定系３を経由した光４は例えば光ファイバを介
して測定装置５へ入射される。測定装置５は、入力され
た被測定系３を経由した光４のパワー（強度）を測定す
る。

【０００４】半導体レーザが組込まれた光源装置１から
出力された単一モードの光２の波長分布特性を図９に示
す。図示するように、この単一モードの光２の波長分布
６においては、ほぼレーザ材質で定まる中心波長λ₀を
中心とする鋭いピーク波形となる。この分布波形６の急
峻度を示す尺度として、分布波形６における光パワーの
ピーク値Ｐの１／２の値（１／２）Ｐにおける分布波形
６の幅をスペクトル線幅Ｂ_Pと定義している。

【０００５】被測定系３に対する光波長特性を測定する
場合は、光源装置１から出射され被測定系３へ入射され
る光２（試験光信号）のスペクトル線幅Ｂ_Pは狭い方が
よい。

【０００６】一般に、光が互いに屈折率が異なる材質相
互間の境界を透過する時には、入射光の一部が反射して
反射光が発生する。したがって、図８の測定系において
は、光源装置１から出射された光２の一部は被測定系３
の入力端で反射されて反射光として光源装置１方向へ戻
る。その結果、この反射光と光源装置１から出射された
光２との間に干渉現象が発生し、被測定系３へ入射され
る光２の光パワーが変動する。被測定系３へ入射される
光２の光パワーが大きく変動すると、この被測定系３を
経由して測定装置５へ入射される光４の光パワー（光強
度）も大きく変動する。したがって、この測定装置５に
おいて、被測定系３の損失を正確に測定できない。

【０００７】干渉現象は互いに波長が一致している光ど
うしで大きく発生し、波長が離れている光どうしでは干
渉現象は発生しにくい。すなわち、干渉による共振長よ
り広いスペクトル線幅Ｂ_Pが必要である。図９に示す分
布波形６において、スペクトル線幅Ｂ_Pが狭いことは、
含まれる波長成分が少ないことを示し、反射光と干渉を
起こす確率が高くなり、光２の光パワー（光強度）が大
きく変動することになる。一方、スペクトル線幅Ｂ_Pが
広いことは、含まれる波長が多いことを示し、反射光と
干渉を起こす確率が低くなり、光２の光パワー（光強
度）の変動は小さくなる。

【０００８】しかしながら、一般に、単一モードの光を
出射する半導体レーザにおいては、光波長特性を測定す
る目的のために、スペクトル線幅Ｂ_Pは狭いので、被測
定系の接続点又は内部における反射による干渉の影響に
より、測定装置５で被測定系の損失を精度よく測定でき
ない問題がある。

【０００９】さらに、被測定系３が海底に敷設された海
底ケーブルのように長距離の光ファイバの場合でこの光
ファイバの保守点検を実施する場合、この光ファイバの
一端に、パルス試験装置（ＯＴＤＲ）を接続して、この
光ファイバへ試験用のパルス信号を送出して、後方散乱
特性を測定し、この後方散乱特性から光ファイバの断線
や異常の有無及び断線や異常の位置を確認するようにし
ている。

【００１０】この場合、光パルスの光源としてスペクト
ル線幅Ｂ_Pが狭い光を使用すると、検出される後方散乱
特性のＳ／Ｎを向上させる目的で光源装置から出力され
る光パルスのパワーを増加したとしても、光ファイバ内
の光伝送に関する非線形現象により、光ファイバ内を伝
搬する光パルスのパワーは増加せずに、ダイナミックレ
ンジが低下する現象が発生することが知られている。さ
らに、検出される後方散乱特性のＳ／Ｎを向上させるた
めには、光パルスのパワーを増加することよりも、光パ
ルスの光源としての光のスペクトル線幅Ｂ_Pを広く設定
すればよいことが実証されている。

【００１１】このように、被測定系３に対する測定項目
によっては、光源装置１から出力される光のスペクトル
線幅Ｂ_Pを広く設定できることが望まれている。

【００１２】このように光源装置１から出力される光の
スペクトル線幅Ｂ_Pを広く設定できる光源装置は、例え
ば、図１０に示すように構成されている。半導体レーザ
７から出力された単一モードの光ａは、光ファイバ８を
介して光変調器９へ入力される。光変調器９はこの入射
した光ａを入力された変調信号ｂに基づいて変調し、変
調した光ａ₁を光ファイバ１０を介して出力端子１１か
ら外部へ出射する。

【００１３】例えば白色雑音を発生する雑音発生器１２
から出力された雑音ｂ₁は切換スイッチ１３の一方の端
子１３ａに入力される。切換スイッチ１３の他方の端子
１３ｂは開放されている。切換スイッチ１３の共有端子
１３ｃは光変調器９の変調信号入力端子に接続されてい
る。

【００１４】このような構成の光源装置において、切換
スイッチ１３を雑音発生器１２側に切換えた状態におい
ては、雑音発生器１２から出力された雑音ｂ₁が変調信
号ｂとして光変調器９の変調信号入力端子に印加され
る。雑音は理論的には無限の周波数成分を有しているの
で、この雑音ｂ₁で、図９に示す分布波形６を有する光
ａを変調すると、分布波形６における中心波長λ₀の両
側に多数の側波帯に起因するスペクトルが発生し、結果
的に光変調器９から出力される光変調後の光ａ₁のスペ
クトル線幅Ｂ_Pが広くなる。

【００１５】一方、切換スイッチ１３を開放端子１３ｂ
側に切換えた状態においては、光変調器９の変調信号入
力端子には変調信号は入力されていないので、この光変
調器９は、入射される光ａに対して変調動作を実施しな
いので、光変調器９から出力される光ａ₁のスペクトル
線幅Ｂ_Pは変化しない。

【００１６】このように、光変調器９を用いることによ
って、出力端子１１から出力される光ａ₁のスペクトル
線幅Ｂ_Pを広く変更できる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示す光変調器９を用いた光源装置においても未だ解消
すべき次のような課題があった。

【００１８】すなわち、出力端子１１から出力される光
ａのスペクトル線幅Ｂ_Pは広ければ広い程よいものでは
なくて一定の最適範囲がある。すなわち、被測定系３が
例えば光通信機器の場合、この光通信機器の仕様で定め
られた波長範囲を外れた波長成分を有する光ａを光通信
機器へ入射したとしても、この光通信機器の性能を正し
く評価できない。

【００１９】また、パルス試験装置（ＯＴＤＲ）を用い
て海底ケーブルのように長距離の光ファイバの特性を測
定する場合においても、該当光ファイバ内の光伝送に関
する非線形特性により最適範囲のスペクトル線幅Ｂ_Pが
存在するはずである。

【００２０】しかし、図１０に示す光源装置において
は、光変調器９で半導体レーザ７から出射された光ａを
変調するか否かの２種類のみである。変調信号ｂは雑音
発生器１２で発生した雑音ｂ₁である。この雑音ｂ₁の周
波数帯域は理論的に無限であり、変更できなく固定値で
ある。したがって、光変調器９で光変調された光ａ₁の
スペクトル線幅Ｂ_Pも固定値である。

【００２１】このように、従来の技術においては、半導
体レーザ７から出力される光ａのスペクトル線幅Ｂ_Pを
簡単に変更できなかった。

【００２２】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、光変調器に対する変調信号を雑音以外で
かつ雑音に近似した信号を用いることによって、簡単な
構成で、かつ簡単に出力される光のスペクトル線幅Ｂ_P
を自由に設定変更できるスペクトル線幅可変光源装置を
提供することを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解消するため
に、本発明のスペクトル線幅可変光源装置においては、
単一モードの光を出射する半導体レーザと、この半導体
レーザから出射された光を入力された変調信号に基づい
て光変調しこの光変調した光を出力する光変調器と、デ
ジタルの擬似ランダム信号を発生しこの発生した擬似ラ
ンダム信号を変調信号として光変調器へ送出する擬似ラ
ンダム信号発生器と、光変調器から出力される光のスペ
クトル線幅を可変設定するために、擬似ランダム信号発
生器のレジスタの段数を可変設定する擬似ランダム信号
制御部とを備えている。

【００２４】このように構成されたスペクトル線幅可変
光源装置においては、光変調器は半導体レーザから出射
された光を入力されたデジタルの擬似ランダム信号から
なる変調信号に基づいて光変調する。擬似ランダム信号
は、周知のように、雑音に近い特性を有すので、この擬
似ランダム信号を変調信号に採用する事によって、図１
０で示した雑音を変調信号に採用した場合と同様に、分
布波形における中心波長の両側に多数の側波帯に起因す
るスペクトルが発生し、結果的に光変調器から出力され
る光変調後の光のスペクトル線幅が広くなる。

【００２５】この光変調後の光のスペクトル線幅の広が
り程度は、変調信号が有す周波数成分に大きく依存す
る。すなわち、周波数成分が高くなると、分布波形にお
ける中心波長の両側に多数の側波帯に起因する各スペク
トルが、中心波長から離れた位置に発生するので、結果
的に、光変調された後の光のスペクトル線幅が広くな
る。

【００２６】したがって、この擬似ランダム信号の周波
数特性を特徴づける擬似ランダム信号発生器のレジスタ
の段数を可変制御することによって、光変調後の光のス
ペクトル線幅を自由に可変設定できる。

【００２７】

【００２８】一般的にデジタルの擬似ランダム信号を発
生する擬似ランダム信号発生器は、直列接続された複数
のレジスタと１個又は複数の排他的論理和回路で構成さ
れている。そして、この擬似ランダム信号の周期はレジ
スタ数ｎで定まる。したがって、このレジスタの段数を
変更することによって、光変調後の光のスペクトル線幅
を自由に可変設定できる。

【００２９】さらに、別の発明は、上述した発明のスペ
クトル線幅可変光源装置における光変調器は光強度変調
器又は光位相変調器で構成されている。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
を用いて説明する。（第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係わる
スペクトル線幅可変光源装置の概略構成を示すブロック
図である。図１０に示す従来の光源装置と同一部分には
同一符号を付して重複する部分の詳細説明を省略する。

【００３１】半導体レーザ７は、図４（ａ）に示す中心
波長λ₀を中心とするスペクトル線幅Ｂ_S1を有する波長
分布６で示される波長分布特性を有する単一モードの光
ａを出力する。半導体レーザ７から出射された光ａは光
ファイバ８を介して光強度変調器１４へ入力される。光
強度変調器１４はこの入射した光ａを変調信号入力端子
に印加されている変調信号ｂ₁に基づいて変調し、変調
した光ａ₂を光ファイバ１０を介して出力端子１１から
外部へ出射する。

【００３２】擬似ランダム信号発生器としてのＰＮ信号
発生器１５は、擬似ランダム信号としてのＭ系列のＰＮ
信号ｄを発生して、このＰＮ信号ｄを変調信号ｂ₁とし
て光強度変調器１４の変調信号入力端子へ送出する。こ
のＰＮ信号発生器１５にはこのＰＮ信号発生器１５から
出力されるＰＮ信号ｄを特長づけるパラメータを可変設
定するＰＮ信号制御部１６が接続されている。このＰＮ
信号制御部１６はクロック周波数設定部１７とＰＮ段数
設定部１８とで構成されている。

【００３３】図２は、光強度変調器１４の概略構成を示
す模式図である。光ファイバ８から入力コネクタ１９を
介して入射された光aは、同一構成の二つの光路２０
ａ。２０ｂに分岐された後、それぞれの光路２０ａ。２
０ｂに介挿された電気光学素子２１ａ、２１ｂへ入射さ
れる。各電気光学素子２１ａ、２１ｂには、光aの透過
方向と直交する方向に電界を印加するための電極２２
ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂが取付られている。

【００３４】一方、変調信号入力端子から入力された変
調信号ｂ₁は信号分割回路２６で例えば位相が９０度互
いに離れた二つの信号ｃ₁、ｃ₂に変換されて、各電気光
学素子２１ａ、２１ｂの電極２２ａ、２２ｂ、２３ａ、
２３ｂへ印加される。各電気光学素子２１ａ、２１ｂ
は、電極２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂに電界が印加
されると、内部を透過する光ａの波形の位相を、印加さ
れた電界に対応した量だけ移動させる。すなわち、各電
気光学素子２１ａ、２１ｂ及び電極２２ａ、２２ｂ、２
３ａ、２３ｂはそれぞれ光位相変調器を構成する。

【００３５】各電気光学素子２１ａ、２１ｂで位相変調
された各光は、それぞれの光路２４ａ、２４ｂを経由さ
れたのち、波形合成されて、出力コネクタ２５を介し
て、光強度変調された光ａ₂として光ファイバ１０を介
して出力端子１１へ送出される。

【００３６】このように、この光強度変調器１４におい
ては、入射した光ａを二つの光路に分けて、それぞれ位
相が異なる信号で位相変調を施した後、両者を合成する
ことにより、入力した変調信号ｂ₁に対応して光強変調
された光ａ₂を得ることができる。

【００３７】図３は、ＰＮ信号発生器１５の概略構成を
示すブロック図である。初期値を入力するための入力端
子２８とＰＮ信号ｄを出力するための出力端子２９との
間にＮ個のレジスタ３０（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、
…、Ｒ_N-1、Ｒ_N）が直列接続されている。そして、出力
端子２９の出力信号と最終段のレジスタ３０（Ｒ_N）の
入力信号とは排他的論理和回路（ＥＸＯＲ）３１の各入
力端子へ入力される。この排他的論理和回路３１の出力
端子から出力される出力信号は、入力端子２８へ入力さ
れる。

【００３８】例えば、Ｎ個のレジスタ３０（Ｒ₁、Ｒ₂、
Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、…、Ｒ_N-1、Ｒ_N）のうち、先頭からｎ
番（ｎ＜Ｎ―１）までの各レジスタ３０（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ
₃、Ｒ₄、Ｒ₅、…、Ｒ_n）には、該当レジスタ３０をバイ
パスするためのバイパススイッチ３２が取付られてい
る。各バイパススイッチ３２はＰＮ信号制御部１６内に
設けられたＰＮ段数設定部１８にて、任意に開閉制御さ
れる。バイパススイッチ３２の閉鎖数を増加するとＰＮ
段数が減少し、バイパススイッチ３２の開放数を減少す
るとＰＮ段数が増加する。

【００３９】さらに、クロック信号発生器３３から出力
された周波数ｆ_Sのクロック信号ｋは分周器３４で１／
Ｍに分周されて新たなクロック信号ｋ₁として各レジス
タ３０へ印加される。各レジスタ３０は、クロック信号
ｋ₁のクロックが入力される毎に、前段のレジスタ３０
に記憶されているデータ（ビットデータ）を取込んで、
自己に記憶されているデータ（ビットデータ）を後段の
レジスタ３０へ送出する。

【００４０】分周器３４の分周比（１／Ｍ）はＰＮ信号
制御部１６内のクロック周波数設定部１７で変更設定で
きる。ＰＮ段数設定部１８及びクロック周波数設定部１
７は操作者がキーボード等を用いて簡単に操作できる。
すなわち、操作者は、ＰＮ信号発生器１５におけるＰＮ
段数及びクロック信号ｋ₁の周波数ｆ_Cを任意に設置可能
である。

【００４１】このような構成のＰＮ信号発生器１５にお
いて、各バイパススイッチ３２が開放された状態におい
て、入力端子２８に初期値を設置して、クロック発生器
３３を起動すると、出力端子２９から、周期（ビット周
期）が（２^N―１）で、ビットレートが（ｆ_S／Ｍ）であ
るＰＮ信号ｄが出力される。この周期（２^N―１）及び
ビットレート（ｆ_S／Ｍ）を任意に設置可能である。こ
の周期（２^N―１）及びビットレート（ｆ_S／Ｍ）はＰＮ
信号ｄの周波数成分を構成する。

【００４２】このように構成されたスペクトル線幅可変
光源装置において、半導体レーザ7から出力さらた光ａ
は図４（ａ）に示す極く狭いスペクトル線幅Ｂ_S1の分布
波形６を有する。このスペクトラム線幅Ｂ_S1を有する光
ａを光強度変調器１４で、ＰＮ信号ｄからなる変調信号
ｂ₁で変調すると、この光強度変調された光ａ₂は図４
（ｂ）に示す広いスペクトル線幅Ｂ_S2の分布波形６ａを
有する、ＰＮ信号制御部１６内のＰＮ段数設定部１８に
おけるＰＮ段数を増加することによって、この光強度変
調された光ａ₂のスペクトラム線幅Ｂ_S2を所定の範囲内
において、任意の値に拡大できる。ＰＮ信号ｄのＰＮ段
数Ｋを増加すると前述した周期（２^K―１）が長くな
り、含まれる周波数の帯域幅が広くなる。周波数帯域幅
が広くなると、ＰＮ信号ｄは雑音に近いので、分布波形
における中心波長の両側に側波帯に起因するスペクトル
が、中心波長から離れた位置に多数発生するので、結果
的に、光強度変調された後の光ａ₂のスペクトル線幅Ｂ
_S2が広くなる。

【００４３】逆に、ＰＮ信号制御部１６内のＰＮ段数設
定部１８におけるＰＮ段数を減少することによって、光
強度変調された後の光ａ₂のスペクトル線幅Ｂ_S2が狭く
なる。したがって、ＰＮ信号ｄのＰＮ段数を変更するこ
とによってスペクトル線幅Ｂ _S2を自由に可変設定でき
る。

【００４４】次に、クロック周波数設定部１７で、ＰＮ
信号ｄのクロック信号の周波数ｆ_C（＝ｆ_S／Ｍ）を高く
すると、図５に示すように、光強度変調された後の光ａ
₂の分布波形６ａにおける中心波長λ₀の両側に現れる多
数の側波帯に起因するスペクトル相互間の間隔が広くな
るので、結果的に、光強度変調された後の光ａ₂のスペ
クトル線幅Ｂ_S2が広くなる。

【００４５】したがって、ＰＮ信号ｄのクロック信号の
周波数ｆ_Cを変更することによってスペクトル線幅Ｂ_S2
を自由に可変設定できる。

【００４６】このように、第１実施形態のスペクトル線
幅可変光源装置においては、ＰＮ信号ｄにおけるＰＮ段
数又はＰＮ信号ｄのクロック信号の周波数ｆ_Cを変更す
る事によって出力端子１１から出力される光ａ₂のスペ
クトル線幅Ｂ_S2を自由に可変設定できる。

【００４７】（第２実施形態）図６は本発明の第２実施
形態に係わるスペクトル線幅可変光源装置の概略構成を
示すブロック図である。図１に示す第１実施形態装置と
同一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説明
を省略する。

【００４８】この第２実施形態のスペクトル線幅可変光
源装置においては、図１に示す第１実施形態装置におけ
る光強度変調器１４を光位相変調器３５に置き換えてい
る。その他の構成は、図１に示す第１実施形態装置と同
じである。

【００４９】図７は、光位相変調器３５の概略構成を示
す模式図である。光ファイバ８から入力コネクタ３６を
介して入射された光aは、光路３７に介挿された電気光
学素子３８へ入射される。電気光学素子３８には光aの
透過方向と直交する方向に電界を印加するための電極３
９ａ、３９ｂが取付られている。変調信号入力端子から
入力された変調信号宇ｂ₁は電気光学素子３８の電極３
９ａ、３９ｂへ印加される。電気光学素子３８は、電極
３９ａ、３９ｂに電界が印加されると、内部を透過する
光ａの波形の位相を、印加された電界に対応した量だけ
移動させる。電気光学素子３８で位相変調された光ａ₃
は出力コネクタ４０を介して、光位相変調された光ａ₃
として光ファイバ１０を介して出力端子１１へ送出され
る。

【００５０】このように構成された第２実施形態のスペ
クトル線幅可変光源装置においては、半導体レーザ７か
ら出力された光ａは、光位相変調器３５においてＰＮ信
号ｄによって位相変調される。その結果、この位相変調
された光ａ₃に含まれる波長成分が広く分散するので、
スペクトル線幅Ｂ_S2が広くなる。

【００５１】位相変調の程度は、ＰＮ信号ｄのＰＮ段数
又はＰＮ信号ｄのクロック信号の周波数ｆ_Cを変更する
事によって変更可能である。したがって、第１実施形態
のスペクトル線幅可変光源装置とほぼ同様の作用効果を
得ることが可能である。

【００５２】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。各実施形態においては、ＰＮ信号
制御部１６内に、クロック周波数設定部１７とＰＮ段数
設定部１８を設けたが、いずれか一方のみであってもよ
い。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のスペクト
ル線幅可変光源装置においては、光変調器に対する変調
信号を雑音以外でかつ雑音に近似したＰＮ信号を用いて
いる。ＰＮ信号はＰＮ段を変更することによって、簡単
にその周波数特性を変更できる。したがって、簡単な構
成で、かつ簡単に出力される光のスペクトル線幅を自由
に設定変更できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係わるスペクトル線幅
可変光源装置の概略構成を示すブロック図

【図２】同スペクトル線幅可変光源装置に組込まれた光
強度変調器の概略構成を示す模式図

【図３】同スペクトル線幅可変光源装置に組込まれたＰ
Ｎ信号発生器の概略構成を示すブロック図

【図４】同スペクトル線幅可変光源装置における半導体
レーザから出力された光のスペクトル線幅と光変調器か
ら出力された光のスペクトル線幅との対比を示す図

【図５】同スペクトル線幅可変光源装置におけるクロッ
ク周波数を変更した場合における光変調された光の分布
特性を示す図

【図６】本発明の第２実施形態に係わるスペクトル線幅
可変光源装置の概略構成を示すブロック図

【図７】同スペクトル線幅可変光源装置に組込まれた光
位相変調器の概略構成を示す模式図

【図８】一般的な被測定系に対する光の損失測定を測定
するための測定シシテムの模式図

【図９】光源装置から出射された光の分布波形を示す図

【図１０】従来の光源装置の概略構成を示すブロック図

【符号の説明】

７…半導体レーザ８，１９…光ファイバ１１…出力端子１４…光強度変調器１５…ＰＮ信号発生器１６…ＰＮ信号制御部１７…クロック周波数設定部１８…ＰＮ段数設定部３５…光位相変調部ａ、ａ₁、ａ₂、ａ₃…光ｂ、ｂ₁…変調信号ｄ…ＰＮ信号

フロントページの続き (56)参考文献特開平５−289125（ＪＰ，Ａ) 特開平11−225109（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/00 - 1/125

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】単一モードの光を出射する半導体レーザ
（７）と、前記半導体レーザから出射された光を入力された変調信
号に基づいて光変調しこの光変調した光を出力する光変
調器（１４，３５）と、デジタルの擬似ランダム信号を発生しこの発生した擬似
ランダム信号を変調信号として前記光変調器へ送出する
擬似ランダム信号発生器（１５）と、前記光変調器から出力される光のスペクトル線幅を可変
設定するために、前記擬似ランダム信号発生器のレジス
タ（３０）の段数を可変設定する擬似ランダム信号制御
部（１６）とを備えたスペクトル線幅可変光源装置。
【請求項２】前記光変調器は、光強度変調器（１４）
と光位相変調器（３５）とのいずれか一方であることを
特徴とする請求項１記載のスペクトル線幅可変光源装
置。