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JP3537643B2 - Electronic components - Google Patents
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JP3537643B2 - Electronic components - Google Patents

Electronic components

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JP3537643B2
JP3537643B2 JP23315597A JP23315597A JP3537643B2 JP 3537643 B2 JP3537643 B2 JP 3537643B2 JP 23315597 A JP23315597 A JP 23315597A JP 23315597 A JP23315597 A JP 23315597A JP 3537643 B2 JP3537643 B2 JP 3537643B2
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シールドケースを
有する電子部品に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component having a shield case.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、シールドケースを有する電子部品
としては、例えば、温度補償型水晶発振器、携帯用通信
機器に用いられる周波数選択装置など広く知られてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as electronic parts having a shield case, for example, a temperature-compensated crystal oscillator, a frequency selection device used in portable communication equipment, and the like are widely known.

【0003】このような電子部品である例えば温度補償
型水晶発振器は、気密容器を有する水晶振動子を振動
部、主に温度感応素子、抵抗、コンデンサからなる温度
補償回路、主にトランジスタからなる発振回路、主にコ
ンデンサからなる周波数調整回路を構成されている。例
えば、図7に示す電子部品70は、セラミックやガラス
エポキシなどの実装基板71上に、水晶振動子を含む上
述の各回路を構成する電子部品素子3が搭載され、これ
ら電子部品素子3が金属製のシールドケース72に覆わ
れている。
For example, a temperature-compensated crystal oscillator, which is such an electronic component, includes a crystal resonator having an airtight container, a vibration section, a temperature compensation circuit mainly composed of a temperature-sensitive element, a resistor, and a capacitor, and an oscillation mainly composed of a transistor. A circuit, a frequency adjustment circuit mainly composed of a capacitor, is configured. For example, an electronic component 70 shown in FIG. 7 has electronic components 3 constituting the above-described circuits including a crystal oscillator mounted on a mounting board 71 made of ceramic, glass epoxy, or the like. Is covered by a shield case 72 made of a metal.

【0004】このようなシールドケース72は、底面が
開口した筐体状を成し、少なくとも表面が半田接合可能
な金属材料から成っている。そして、シールドケース7
2の底面開口近傍の一部が実装基板71の側面や表面周
囲に形成したアース電位の電極パターン73と半田74
を介して接合されて、実装基板71とシールドケース7
2とが電気的、機械的に接合されていた。
[0004] Such a shield case 72 has a housing shape with an open bottom, and at least the surface is made of a metal material that can be soldered. And shield case 7
A portion near the bottom opening of the second electrode 2 has a ground potential electrode pattern 73 and a solder 74 formed on the side surface and the surface periphery of the mounting board 71.
And the mounting board 71 and the shield case 7
2 were electrically and mechanically joined.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このようなシールドケ
ース72を実装基板71に接合するためには、上述のよ
うに実装基板71の側面や表面周囲にアース電位の電極
パターン73を形成しなくてはならず、基板に形成する
配線パターンの引回しに制約が発生してしまいシールド
ケース72を有する電子部品全体が大型化してしまう。
同時に、シールドケース72の半田付けの際、溶融した
半田74がアース電位以外の配線パターンに接触し、電
気的ショートを引き起こし、他の電子部品素子3を破壊
したり、溶融した半田が不要な部分、例えば基板の底面
側にまで広がってしまい、電子部品をプリント配線基板
上に実装する際の支障となったり、完成品外形寸法等を
要求寸法から外れたりすることがある。
In order to join such a shield case 72 to the mounting substrate 71, it is not necessary to form the ground potential electrode pattern 73 on the side surface and the surface periphery of the mounting substrate 71 as described above. However, the routing of the wiring pattern formed on the substrate is restricted, and the entire electronic component having the shield case 72 becomes large.
At the same time, when the shield case 72 is soldered, the molten solder 74 comes into contact with a wiring pattern other than the ground potential, causing an electrical short, destroying other electronic component elements 3 or a portion where the molten solder is unnecessary. For example, it spreads to the bottom side of the substrate, which may hinder the mounting of the electronic component on the printed wiring board, or may deviate the external dimensions of the finished product from the required dimensions.

【0006】また、シールドケース72を実装基板71
の所定位置に配置するために、基板71の一部とシール
ドケース72の一部が互いに嵌合しあう構造を設けて、
仮保持される必要があり、実装基板71の加工、シール
ドケース72の加工が難しく、高価なものとなる。
Further, the shield case 72 is mounted on the mounting board 71.
In order to arrange at a predetermined position, a structure in which a part of the substrate 71 and a part of the shield case 72 are fitted to each other is provided,
It is necessary to be temporarily held, and processing of the mounting board 71 and processing of the shield case 72 are difficult and expensive.

【0007】さらに、シールドケース72と実装基板7
1とを半田74を用いて接合するため、糸半田を用いる
場合には、その接合作業が煩雑となり、また、クリーム
半田などを用いる場合には、実装基板71上に搭載した
電子部品素子3に熱履歴回数が増加して、電子部品素子
3自身の特性が不安定となってしまう。
Further, the shield case 72 and the mounting board 7
1 and the solder 74, the use of thread solder makes the joining operation complicated, and the use of cream solder or the like makes the electronic component element 3 mounted on the mounting board 71 difficult. The number of thermal histories increases, and the characteristics of the electronic component element 3 itself become unstable.

【0008】さらに、シールドケース72は実装基板7
1上に搭載された電子部品素子3の上面とシールドケー
ス72の天井面との最小間隔が150μm以上に保たれ
ていたため、通信機器等などの小型の要求に充分に応え
ることができない構造であった。これは、電子部品素子
3とシールドケース72の近接部分は、シールドケース
72がアース電位と接続する部分(シールドケース72
の底面開口周囲の一部)から離れた部分となってしまう
ため、電子部品素子3とシールドケース72との間で浮
遊容量成分が発生し易くなっている。この浮遊容量成分
の影響を抑えるため、電子部品素子3の上面とシールド
ケース72の天井面との最小間隔が150μm以上に保
たれていた。
Further, the shield case 72 is mounted on the mounting board 7.
Since the minimum distance between the upper surface of the electronic component element 3 mounted on the device 1 and the ceiling surface of the shield case 72 is kept at 150 μm or more, the structure cannot sufficiently meet the demand for small size such as communication equipment. Was. This is because the proximity of the electronic component element 3 to the shield case 72 is the portion where the shield case 72 is connected to the ground potential (the shield case 72).
(Part of the periphery of the bottom opening) of the electronic component element 3 and the shield case 72 easily generate a stray capacitance component. In order to suppress the influence of the stray capacitance component, the minimum distance between the upper surface of the electronic component element 3 and the ceiling surface of the shield case 72 is kept at 150 μm or more.

【0009】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、シールドケースの接合構造に
改良を加え、シールドケースの接合工程が非常に簡略化
され、且つ小型・軽量化となる電子部品を提供するもの
である。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and has as its object to improve the joining structure of the shield case, greatly simplify the joining process of the shield case, and reduce the size and size of the shield case. An object of the present invention is to provide an electronic component that is reduced in weight.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品は、基
板に搭載された複数の電子部品素子のうち、1つの電子
部品素子の容器の一部に、該電子部品素子を被覆するよ
うに、シールドケースを接合して成る電子部品におい
て、前記シールドケースに、前記容器と接合する凹んだ
窪み部を形成するとともに、該窪み部内にエネルギービ
ームを照射することにより、前記窪み部の一部と前記容
器の一部とを溶融させて接合したことを特徴とするもの
である。
An electronic component according to the present invention is provided such that a part of a container of one electronic component element among a plurality of electronic component elements mounted on a substrate is covered with the electronic component element. In an electronic component formed by joining a shield case, the shield case is formed with a recessed portion to be joined to the container, and an energy beam is irradiated into the recessed portion to form a part of the recessed portion. A part of the container is melted and joined.

【0011】尚、電子部品素子の容器は、それを構成す
る蓋体や全体が回路基板上の動作中、アース電位となっ
ていることが望ましい。また、上述の溶融接合は、シー
ルドケースと電子部品素子のとが密接している状態で、
この密接部分にスポット的にエネルギービーム、例えば
レーザーを照射して、少なくともシールドケースの材料
が溶融する程度の高温にして、両者を接合するものであ
る。
It is desirable that the cover of the electronic component element and the entire cover constituting the electronic component element be at the ground potential during operation on the circuit board. In addition, the above-described fusion bonding is performed in a state where the shield case and the electronic component element are in close contact with each other,
An energy beam, for example, a laser is radiated to the close portion in a spot manner to raise the temperature of the shield case to at least a high temperature at which the material of the shield case is melted.

【0012】[0012]

【作用】本発明によれば、シールドケースは、基板に搭
載された複数の電子部品素子のうち、1つの電子部品素
子の容器の一部に溶融接合されている。即ち、従来のよ
うに、シールドケースを、基板に半田接合する必要がな
いため、この半田接合による種々の問題点を一掃でき
る。
According to the present invention, the shield case is fusion-bonded to a part of the container of one electronic component element among the plurality of electronic component elements mounted on the substrate. That is, unlike the conventional case, it is not necessary to solder the shield case to the board, so that various problems caused by the soldering can be eliminated.

【0013】例えば構造的には、基板にシールドケース
と接合する電極パターンを形成する必要がなくなり、基
板上の配線パターンの引回し自由度が向上し、電子部品
全体の小型化が可能となる。
For example, structurally, there is no need to form an electrode pattern on the substrate to be joined to the shield case, so that the wiring pattern on the substrate can be routed more freely and the entire electronic component can be reduced in size.

【0014】また、シールドケースの半田付けの際、溶
融した半田による配線パターンとの短絡が一切なくなる
ため、特性の信頼性の高い電子部品となる。また、電子
部品をプリント配線基板上に実装する際の支障が発生し
たりすることがなく、外形寸法が非常に安定化する。
Further, when the shield case is soldered, there is no short circuit with the wiring pattern due to the molten solder, so that the electronic component has high reliability. In addition, there is no trouble in mounting the electronic component on the printed wiring board, and the external dimensions are extremely stabilized.

【0015】また、半田接合による困難な作業がなくな
り、シールドケースの接合作業が容易になったり、電子
部品素子に熱履歴回数が減少して特性が安定する。
Further, the difficult work by soldering is eliminated, the work of joining the shield case is facilitated, and the number of heat histories of the electronic component element is reduced, so that the characteristics are stabilized.

【0016】シールドケースや基板の構造が簡素化し、
基板の加工、シールドケースの加工が容易となる。
The structure of the shield case and the substrate is simplified,
Processing of the substrate and processing of the shield case are facilitated.

【0017】また、基板上に搭載される電子部品の素子
のうちシールドケースと溶融接合する前記1つの電子部
品素子の搭載高さが最も高い場合には、前記1つの電子
部品素子とシールドケースとの間隔を実質的に皆無とす
ることができるため、非常に低背化の電子部品となる。
[0017] When the mounting height of the one electronic component element that is melt-bonded to the shield case among the electronic component elements mounted on the substrate is the highest, the one electronic component element and the shield case are not connected. Can be substantially eliminated, resulting in an electronic component having a very low height.

【0018】同時に、他の電子部品素子とシールドケー
スとの間が近接しても、この電子部品素子の容器をアー
ス電位にしておけば、溶融接合された部位がアース電位
に接続する部位となるため、他の電子部品素子とシール
ドケースとの間の浮遊容量成分の発生を有効に抑えるこ
とができるため、特性的に安定した電子部品となる。
At the same time, even if the other electronic component element and the shield case are close to each other, if the container of this electronic component element is kept at the ground potential, the fused and joined portion becomes the portion connected to the ground potential. Therefore, the generation of the stray capacitance component between the other electronic component element and the shield case can be effectively suppressed, and the electronic component is stable in characteristics.

【0019】また、本発明ではシールドケースに、1つ
の電子部品素子の容器と接合する凹んだ窪み部を形成す
るとともに、該窪み部内にエネルギービームを照射する
ことにより、前記窪み部の一部と前記容器の一部とを溶
融させて接合が行われている。
Further, in the present invention, the shield case is formed with a recessed portion to be joined to the container of one electronic component element, and the recessed portion is irradiated with an energy beam so that a part of the recessed portion is formed. The joining is performed by melting a part of the container.

【0020】上述のように、シールドケースの前記容器
との溶融接合部分が凹んでいるため、この窪み部分がシ
ールドケースの天井面の最下部分となる。従って、シー
ルドケースの天井面が、加工精度、熱的な変形、反りが
発生しても、この窪み部分を確実に容器の一部に接触さ
せることができる。そして、シールドケースの上面側か
ら窪み部分にシールドケースと容器とが溶融接合できる
エネルギービームを照射すれば、確実な溶融接合が達成
できる。
As described above, since the fusion bonding portion of the shield case with the container is recessed, this recess portion becomes the lowermost portion of the ceiling surface of the shield case. Therefore, even if processing accuracy, thermal deformation and warpage occur on the ceiling surface of the shield case, the recessed portion can be reliably brought into contact with a part of the container. Then, by irradiating the recessed portion from the upper surface side of the shield case with an energy beam capable of melting and bonding the shield case and the container, reliable fusion bonding can be achieved.

【0021】尚、前記1つの電子部品素子の高さが他の
電子部品素子よりも低い場合でも、シールドケースの窪
み部を形成して強制的に接合用電子部品素子と溶融接合
させることができる。何れにしても、シールドケースの
前記容器との溶融接合部分が凹んでいるために非常に安
定した溶融接合が可能となる。
Even when the height of the one electronic component element is lower than that of the other electronic component elements, the hollow portion of the shield case can be formed to forcibly fuse the electronic component element with the bonding electronic component element. . In any case, since the fusion bonding portion of the shield case with the container is concave, very stable fusion bonding can be performed.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品を図面に
基づいて詳説する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an electronic component according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0023】図1は、本発明の電子部品の外観斜視図で
あり、図2はその断面図である。
FIG. 1 is an external perspective view of an electronic component according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view thereof.

【0024】ここで、本発明の電子部品とは、1つの基
板(実装基板)に、コンデンサ、抵抗トランジスタ、I
C素子、水晶振動子、SAWフィルタなどの電子部品素
子を搭載して、所定動作を行わせる部品(モジール)を
いう。
Here, the electronic component of the present invention means that a capacitor, a resistor transistor, an I
A component (module) on which an electronic component element such as a C element, a quartz oscillator, and a SAW filter is mounted to perform a predetermined operation.

【0025】尚、以下の説明では、電子部品として温度
補償型水晶発振器を例にして説明する。即ち、電子部品
素子というと、温度補償型水晶発振器を構成する水晶振
動子、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、トランジスタと
なる。
In the following description, a temperature-compensated crystal oscillator will be described as an example of the electronic component. That is, the electronic component elements are a crystal oscillator, a capacitor, a resistor, a thermistor, and a transistor that constitute a temperature-compensated crystal oscillator.

【0026】図において、10は温度補償型水晶発振器
(電子部品)であり、1は実装基板、2、3は、水晶振
動子、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、トランジスタな
どの電子部品素子、4はシールドケースである。
In the drawing, reference numeral 10 denotes a temperature-compensated crystal oscillator (electronic component), 1 denotes a mounting substrate, 2 and 3 denote electronic component elements such as a crystal oscillator, a capacitor, a resistor, a thermistor, a transistor, and 4 denotes a shield. It is a case.

【0027】実装基板1は、単板構造、内部に所定配線
導体が形成された多層構造のセラミック基板、ガラスエ
ポキシ基板などの基板11と、少なくとも基板11の表
面に形成され、所定回路を構成する配線パターン12
と、基板11の底面や側面に形成され、配線パターン1
2に接続された端子電極13とから構成されている。
The mounting substrate 1 is formed on a substrate 11 such as a single-plate structure, a multilayer ceramic substrate having a predetermined wiring conductor formed therein, a glass epoxy substrate or the like, and at least a surface of the substrate 11 to constitute a predetermined circuit. Wiring pattern 12
And the wiring pattern 1 formed on the bottom and side surfaces of the substrate 11.
2 and a terminal electrode 13 connected to the terminal electrode 2.

【0028】このような実装基板1は、公知の多層配線
基板、厚膜回路基板、ガラスエポキシ基板の製造方法に
よって作成される。
The mounting board 1 is manufactured by a known method for manufacturing a multilayer wiring board, a thick film circuit board, or a glass epoxy board.

【0029】電子部品素子2、3は、温度補償型水晶発
振器の概略回路構成、即ち、水晶振動子部、温度補償回
路部、周波数調整回路部、発振・増幅回路部を構成する
各種電子部品素子となる。例えば、水晶振動子部にあっ
ては、金属製気密容器や、金属蓋体を有する気密容器に
水晶振動片を収容した水晶振動子が例示でき、温度補償
回路部にあっては、コンデンサ、抵抗、サーミスタが例
示でき、周波数調整回路部にあっては、コンデンサが例
示でき、発振・増幅回路部にあっては、トランジスタ、
コンデンサ、抵抗、インダクタンス素子などが例示でき
る。
The electronic component elements 2 and 3 have a schematic circuit configuration of a temperature-compensated crystal oscillator, that is, various electronic component elements constituting a crystal oscillator section, a temperature compensation circuit section, a frequency adjustment circuit section, and an oscillation / amplification circuit section. It becomes. For example, in the case of a crystal unit, a metal hermetic container or a crystal unit in which a crystal vibrating piece is accommodated in an airtight container having a metal lid can be exemplified. , A thermistor, a capacitor in the frequency adjustment circuit section, a transistor in the oscillation / amplification circuit section,
Examples include a capacitor, a resistor, and an inductance element.

【0030】これらの電子部品素子のうち、特に重要な
電子部品素子は、容器の一部がアース電位にして使用さ
れる水晶振動子2(1つの電子部品素子)である。尚、
その他の電子部品素子は、その周囲が絶縁材料で保護被
覆されているものが多く、これらを電子部品素子3とい
う。
Among these electronic component elements, a particularly important electronic component element is the quartz oscillator 2 (one electronic component element) used by setting a part of the container to the ground potential. still,
Many of the other electronic component elements have their periphery protected and covered with an insulating material, and these are referred to as electronic component elements 3.

【0031】ここで、水晶振動子2について説明する
と、水晶振動子2の気密容器の種類も様々存在する。図
では、実装基板1上に表面実装されるSMDパッケージ
を有する水晶振動子が用いられている。
Here, the crystal unit 2 will be described. There are various types of airtight containers for the crystal unit 2. In the figure, a quartz oscillator having an SMD package which is surface-mounted on the mounting substrate 1 is used.

【0032】水晶振動子2は、図3に示すように、底面
から平板状セラミック層、水晶振動片載置用枠状セラミ
ック層、水晶振動片収納空間用枠状セラミック層が積層
された筺体状容器21と、水晶振動片22、Fe−Ni
合金(コバール)などの金属蓋体23とから構成されて
いる。即ち、筺体状容器21と金属蓋体23とで、水晶
振動片22を気密的に封止する容器を構成する。
As shown in FIG. 3, the crystal resonator 2 has a housing shape in which a flat ceramic layer, a frame ceramic layer for mounting a crystal resonator element, and a frame ceramic layer for a crystal resonator element storage space are laminated from the bottom surface. Container 21, crystal vibrating piece 22, Fe-Ni
And a metal cover 23 made of an alloy (Kovar) or the like. That is, the housing 21 and the metal lid 23 constitute a container for hermetically sealing the quartz-crystal vibrating piece 22.

【0033】さらに具体的には、筺体状容器21の底面
に、実装基板1の配線パターン12と半田接合される出
力電極24が形成されている。また、筺体状容器21の
上面には、金属蓋体23をシーム溶接するための封止用
導体膜(不図示)、溶接金属リング25が配置されてい
る。尚、金属蓋体23と溶接金属リング25とのシーム
溶接を行う作業性を考慮して、封止用導体膜、溶接金属
リング25はアース電位に接続されている。また、封止
用導体膜、溶接金属リング25は、筺体状容器21の表
面から側面及び底面に導出されたシーム溶接電流接点電
極(不図示)を有している。
More specifically, an output electrode 24 to be soldered to the wiring pattern 12 of the mounting board 1 is formed on the bottom surface of the housing 21. A sealing conductor film (not shown) for seam welding the metal cover 23 and a weld metal ring 25 are arranged on the upper surface of the housing-like container 21. In consideration of the workability of performing seam welding between the metal lid 23 and the weld metal ring 25, the sealing conductor film and the weld metal ring 25 are connected to the ground potential. In addition, the sealing conductor film and the weld metal ring 25 have seam welding current contact electrodes (not shown) led out from the surface of the housing 21 to the side and bottom surfaces.

【0034】そして、水晶振動子2を実装基板1に搭載
する際、封止用導体膜、溶接金属リング25から導出さ
れたシーム溶接電流接点電極を、実装基板1のアース電
位の配線パターン12に半田接合することにより、金属
蓋体23はアース電位となる。
When the crystal resonator 2 is mounted on the mounting substrate 1, the seam welding current contact electrode derived from the sealing conductor film and the weld metal ring 25 is connected to the ground potential wiring pattern 12 of the mounting substrate 1. By soldering, the metal lid 23 is at the ground potential.

【0035】また、図には示していないが、円形、角形
のステム、円形、角形の金属キャップからなる容器内に
円板状、短冊状の水晶振動片を収納した水晶振動子もあ
るが、この場合、実装基板1に搭載する際、封止用導体
膜、溶接金属リング25から導出されたシーム溶接電流
接点電極を、実装基板1のアース電位の配線パターン1
2と金属キャップとを電気的に接続することにより、金
属蓋体23はアース電位となる。
Although not shown in the figure, there is also a quartz oscillator in which a disc-shaped or strip-shaped quartz-crystal vibrating piece is housed in a container formed of a circular or square stem, a circular or square metal cap, In this case, when mounted on the mounting board 1, the seam welding current contact electrode derived from the sealing conductor film and the weld metal ring 25 is connected to the wiring pattern 1 of the ground potential of the mounting board 1.
By electrically connecting the metal cap 2 to the metal cap, the metal lid 23 is set to the ground potential.

【0036】ここで、実装基板1上に搭載される電子部
品素子の高さを比較すると、抵抗、コンデンサ、トラン
ジスタなどはの電子部品素子3は、0.9mm程度であ
り、水晶振動子2の高さは、1.0mm程度と若干高く
なっている。
Here, comparing the heights of the electronic component elements mounted on the mounting substrate 1, the electronic component elements 3 such as resistors, capacitors, and transistors are about 0.9 mm, and the height of the crystal resonator 2 is about 0.9 mm. The height is slightly higher, about 1.0 mm.

【0037】シールドケース4は、少なくとも電子部品
素子2、3を覆うような形状、例えば、底面側から開口
して筺体状となっており、SUS304をプレス成型し
て形成される。即ち、シールドケース4は、天井面4
1、4つの側面42・・・を有する形状であり、その厚
みは80μm程度となっている。また、4つの側面42
・・・の高さ方向の寸法は、水晶振動子2の搭載高さに
比較して若干短い寸法となっている。
The shield case 4 has a shape that covers at least the electronic component elements 2 and 3, for example, has a housing shape opened from the bottom side, and is formed by press-molding SUS304. That is, the shield case 4 is
, And has a thickness of about 80 μm. Also, the four side surfaces 42
Are slightly shorter than the mounting height of the crystal unit 2.

【0038】この厚み80μmは、例えば、電子部品を
組み込む移動体通信機器の軽量、小型化に応えるもので
あり、例えば、従来は、150μm程度のシールドケー
スが使用されていた。また、厚み80μmという薄さ
は、後述のシールドケース4と水晶振動子2との溶融接
合時、熱の拡散を防止し、熱容量を小さくして、レーザ
ーなどのエネルギービームを照射した時、瞬時に少なく
ともシールドケース4の材料であるSUS304が溶融
する約1250℃〜1300℃にまで昇温できるように
するためである。
The thickness of 80 μm corresponds to, for example, a reduction in weight and size of a mobile communication device incorporating electronic components. For example, a shield case of about 150 μm has conventionally been used. In addition, the thinness of 80 μm prevents instantaneous diffusion of heat during fusion bonding between the shield case 4 and the crystal unit 2, which will be described later, and reduces the heat capacity. This is because the temperature can be raised to at least about 1250 ° C. to 1300 ° C. at which SUS 304, which is the material of the shield case 4, is melted.

【0039】尚、シールドケース4は、その表面がカー
ボン(C)などの黒色顔料を有するメッキ槽でNiメッ
キされ、表面のみが黒色化されている。この表面の黒色
化は、以下の2点のために行われる。
The surface of the shield case 4 is plated with Ni in a plating tank having a black pigment such as carbon (C), and only the surface is blackened. This blackening of the surface is performed for the following two points.

【0040】1つは、上述のようにシールドケース4に
レーザーなどのエネルギービームを照射した時、シール
ドケース4の表面での光りの反射を抑制し、エネルギー
ビームが効率よく吸収し、レーザーなどのエネルギービ
ームのパワーの省力化を達成するためである。例えば、
銀白色のシールドケース4の場合には、エネルギービー
ムのランプに13Aの電流を流さなくてはならないとこ
ろ、黒色系のシールドケース4の場合には、同一条件で
エネルギービームのランプに11Aの電流で安定して溶
融接合が達成できる。
One is that when the shield case 4 is irradiated with an energy beam such as a laser as described above, the reflection of light on the surface of the shield case 4 is suppressed, the energy beam is efficiently absorbed, and This is to achieve energy saving of the energy beam power. For example,
In the case of the silver-white shield case 4, a current of 13 A must be supplied to the energy beam lamp, while in the case of the black shield case 4, the energy beam lamp is supplied with the current of 11 A under the same conditions. Stable fusion bonding can be achieved.

【0041】他に、シールドケース4の表面に、型番や
特性を示すマークをエネルギービームの罫書きによって
形成した際、この罫書き跡(マーク)を鮮明に示すため
である。即ち、従来、マークは、銀白色系のケース上に
黒色樹脂ペーストで印刷・硬化して、コントラスト性に
劣っていたが、本発明では、エネルギービームの罫書き
によって、コントラストが向上し、しかも、微細なマー
クが可能となる。尚、このマーク形成時のエネルギービ
ームの強度は、表面の黒色系のNiメッキ層を焼失でき
る程度の強さでよい。
Another reason is that when a mark indicating a model number or a characteristic is formed on the surface of the shield case 4 by scribing with an energy beam, the mark (mark) is clearly displayed. That is, conventionally, the mark was printed and cured with a black resin paste on a silver-white case, and the contrast was inferior. In the present invention, however, the contrast was improved by scribing the energy beam, and Fine marks can be formed. The intensity of the energy beam at the time of forming the mark may be such that the black Ni plating layer on the surface can be burned off.

【0042】次に、上述の実装基板1、水晶振動子2、
電子部品素子3、シールドケース4を用いた温度補償型
水晶発振器10の組立方法及びシールドケース4の接合
構造を説明する。
Next, the above-mentioned mounting substrate 1, crystal oscillator 2,
A method of assembling the temperature-compensated crystal oscillator 10 using the electronic component element 3 and the shield case 4 and a joining structure of the shield case 4 will be described.

【0043】まず、公知の厚膜回路基板の製法で配線パ
ターン12が作成された実装基板1に、水晶振動子2、
電子部品素子3を配線パターン12上に搭載するために
クリーム半田を塗布する。
First, a quartz oscillator 2 is mounted on a mounting substrate 1 on which a wiring pattern 12 is formed by a known method of manufacturing a thick film circuit board.
A cream solder is applied to mount the electronic component element 3 on the wiring pattern 12.

【0044】次に、クリーム半田が塗布された部分に、
水晶振動子2及び電子部品素子3を搭載し、リフロー処
理によって接合する。尚、ここで、水晶振動子2は、実
装基板1の中央部付近に配置することが望ましい。この
結果、実装基板1上に、水晶振動子2が、他の電子部品
素子3に比較してその上面が突出して搭載される。
Next, in the portion where the cream solder is applied,
The crystal unit 2 and the electronic component element 3 are mounted and joined by reflow processing. Here, it is desirable that the crystal unit 2 be disposed near the center of the mounting substrate 1. As a result, the crystal resonator 2 is mounted on the mounting substrate 1 with its upper surface protruding as compared with the other electronic component elements 3.

【0045】次に、水晶振動子2、他の電子部品素子3
を搭載して、実装基板1の上面から、水晶振動子2、他
の電子部品素子3を被覆するように、シールドケース4
を載置する。この状態で、シールドケース4の天井面4
1が水晶振動子2の上面、即ち、金属蓋体23に載置さ
れた状態で保持されることになる。
Next, the crystal oscillator 2 and other electronic component elements 3
So that the crystal case 2 and other electronic component elements 3 are covered from the upper surface of the mounting substrate 1 so that the shield case 4
Is placed. In this state, the ceiling surface 4 of the shield case 4
1 is held in a state of being placed on the upper surface of the crystal resonator 2, that is, the metal lid 23.

【0046】次に、シールドケース4の所定表面、即
ち、水晶振動子2の上面と接触している領域内に、複数
箇所にYAGレーザーなどのエネルギービームをスポッ
ト的に照射して、シールドケース4の天井面41と水晶
振動子2の金属蓋体23とを溶融接合する。この溶融接
合した部分をXで示す。
Next, an energy beam such as a YAG laser is spot-irradiated onto a predetermined surface of the shield case 4, that is, a region in contact with the upper surface of the crystal unit 2. And the metal lid 23 of the crystal unit 2 are melt-bonded. This fused portion is indicated by X.

【0047】これは、シールドケース4にエネルギービ
ームをスポット的に照射することにより、シールドケー
ス4が局地的に昇温し、例えば、SUS304の溶融温
度である約1250℃以上となると、シールドケース4
が溶融し、その結果、水晶振動子2のFe−Ni合金の
金属蓋体23とを溶融接合することになる。
This is because when the shield case 4 is locally irradiated with an energy beam by the energy beam, the temperature of the shield case 4 is locally increased. For example, when the temperature of the shield case 4 becomes about 1250 ° C. or more, which is the melting temperature of SUS304, 4
Is melted, and as a result, the quartz oscillator 2 is melt-bonded to the metal lid 23 made of the Fe—Ni alloy.

【0048】これにより、シールドケース4は、水晶振
動子2の上面に強固に溶融接合して、実装基板1に搭載
された水晶振動子2、電子部品素子3を被覆することが
できる。しかも、上述したように、シールドケース4が
接合する水晶振動子2の金属蓋体23は、アース電位と
なっているため、シールドケース4全体がアース電位と
なり、シールド効果を持たせることができる。
As a result, the shield case 4 can be firmly melt-bonded to the upper surface of the crystal unit 2 to cover the crystal unit 2 and the electronic component 3 mounted on the mounting substrate 1. In addition, as described above, since the metal lid 23 of the crystal unit 2 to which the shield case 4 is joined is at the ground potential, the entire shield case 4 is at the ground potential, and a shielding effect can be provided.

【0049】尚、上述のレーザーなどのエネルギービー
ムによるマーク形成処理は、溶融接合処理の前後のいず
れかに行う。この時のエネルギービームは、シールドケ
ース4の表面の黒色系Niメッキを飛散させる程度の強
度でよい。
The above-described mark forming process using an energy beam such as a laser is performed before or after the fusion bonding process. The energy beam at this time may have such an intensity that the black Ni plating on the surface of the shield case 4 is scattered.

【0050】上述のように温度補償型水晶発振器10に
おいて、構造的には、シールドケース4を従来の約15
0μmから約80μm程度にまで薄くなっている。しか
も、実装基板1上で最も搭載高さの高い水晶振動子2と
シールドケース4とが密着している。さらに、シールド
ケース4の接合が、従来のようにシールドケース4と実
装基板1との間で半田を介して行っていないため、シー
ルドケース4の接合用半田に相当する厚みを減少させる
ことができる。
As described above, in the temperature-compensated crystal oscillator 10, the shielding case 4 is structurally
The thickness is reduced from 0 μm to about 80 μm. Moreover, the crystal resonator 2 having the highest mounting height on the mounting substrate 1 and the shield case 4 are in close contact with each other. Furthermore, since the joining of the shield case 4 is not performed between the shield case 4 and the mounting board 1 via solder unlike the related art, the thickness corresponding to the joining solder of the shield case 4 can be reduced. .

【0051】以上の点から、温度補償型水晶発振器10
の全体の厚みを非常に薄くできることになり、温度補償
型水晶発振器10を実装する例えば移動体通信機器の小
型化・軽量化に対応できるようになる。例えば、従来、
図7に示された電子部品70では、高さ2mm程度であ
たのに対して、本発明の温度補償型水晶発振器10で
は、高さ1.6mmと約20%も減少させることができ
る。
From the above points, the temperature-compensated crystal oscillator 10
Can be made very thin, and it becomes possible to cope with a reduction in size and weight of, for example, a mobile communication device on which the temperature-compensated crystal oscillator 10 is mounted. For example,
While the height of the electronic component 70 shown in FIG. 7 is about 2 mm, the height of the temperature-compensated crystal oscillator 10 of the present invention can be reduced to about 1.6 mm, which is about 20%.

【0052】また、接合構造としては、シールドケース
4の天井面41と水晶振動子2の金属蓋体23との溶融
接合で行い、従来のような半田接合ではない。従って、
従来のように、図7に示す実装基板71の周囲にシール
ドケース72を半田接合させるためのアース電位の配線
パターンを形成する必要がなくなるため、実装基板1上
の配線パターン12の引き回す自由度が向上する。ま
た、従来のシールドケース72を接合する半田の溶融に
より発生していた所定信号配線パターンとの短絡が一切
発生せず、動作信頼性の高い温度補償型水晶発振器10
となる。さらに、シールドケース4側と実装基板1側
に、両者を仮保持する構造が不要となる。
The bonding structure is fusion bonding between the ceiling surface 41 of the shield case 4 and the metal cover 23 of the crystal unit 2, and is not a conventional solder bonding. Therefore,
Unlike the related art, there is no need to form a wiring pattern of the ground potential for soldering the shield case 72 around the mounting board 71 shown in FIG. improves. Further, no short-circuit occurs with the predetermined signal wiring pattern caused by melting of the solder for joining the conventional shield case 72, and the temperature-compensated crystal oscillator 10 with high operation reliability is obtained.
It becomes. Further, a structure for temporarily holding both the shield case 4 and the mounting board 1 is not required.

【0053】以上の点から、温度補償型水晶発振器10
全体が非常に簡素化されて、外形寸法が非常に安定化
し、且つ小型化となる。
From the above points, the temperature-compensated crystal oscillator 10
The whole is greatly simplified, the external dimensions are very stable and the size is reduced.

【0054】また、接合作業としては、手作業を強いら
れる糸半田接合作業がなくなり、また、リフローによる
従来のシールドケース72を接合する場合に比較して、
実装基板1に搭載される水晶振動子2、電子部品素子3
にかかる熱処理回数が減少して、それ自身の特性が安定
する。
Further, as the joining operation, there is no need to perform a thread soldering operation, which requires a manual operation.
Crystal resonator 2 and electronic component element 3 mounted on mounting substrate 1
, The number of heat treatments is reduced, and the characteristics of itself are stabilized.

【0055】シールドケース4のシールド作用的には、
シールドケース4は、その天井面41の中央付近で接地
されることになるため、電子部品素子2とシールドケー
ス4との間の間隔が、従来の電子部品70に比較して狭
くなったとしても、逆に浮遊容量成分の発生を有効に抑
えることができるため、温度補償型水晶発振器10の所
定動作が安定化する。
The shielding action of the shield case 4 is as follows.
Since the shield case 4 is grounded in the vicinity of the center of the ceiling surface 41, even if the space between the electronic component element 2 and the shield case 4 is narrower than the conventional electronic component 70. On the contrary, since the generation of the stray capacitance component can be effectively suppressed, the predetermined operation of the temperature-compensated crystal oscillator 10 is stabilized.

【0056】上述の構造では、シールドケース4の天井
面41は、実質的に平面状態であり、この平面部分で水
晶振動子2のアース電位の金属蓋体23と溶融接合して
いる。これに対して、図4に示すように、シールドケー
ス4の所定表面、即ち、水晶振動子2の上面と接触して
いる領域内に、複数箇所に貫通孔43を形成し、この貫
通孔43に、レーザーなどのエネルギービームをスポッ
ト的に照射して、シールドケース4の天井面41と水晶
振動子2の金属蓋体23とを溶融接合させても構わな
い。
In the above-described structure, the ceiling surface 41 of the shield case 4 is substantially flat, and the flat surface portion is fusion-bonded to the metal cover 23 at the ground potential of the crystal unit 2. On the other hand, as shown in FIG. 4, through holes 43 are formed at a plurality of places on a predetermined surface of the shield case 4, that is, in a region in contact with the upper surface of the crystal unit 2, and the through holes 43 are formed. Alternatively, the ceiling surface 41 of the shield case 4 and the metal lid 23 of the crystal unit 2 may be melt-bonded by irradiating an energy beam such as a laser in a spot manner.

【0057】このような構造であれば、レーザーなどの
エネルギービームを照射すべき位置が簡単に、且つ確実
に見出すことができ、しかも、溶融接合部分Xを目視で
確認することもできるとともに、レーザーのエネルギー
強度を低下させることができる。
With such a structure, the position to be irradiated with an energy beam such as a laser can be easily and reliably found, and the fused joint portion X can be visually confirmed. Energy intensity can be reduced.

【0058】また、図5に示すように、シールドケース
4の所定表面、即ち、水晶振動子2の上面と接触してい
る領域内に、複数箇所に、例えば直径20〜100μm
程度で20μm以上の窪み部44を形成し、このこの窪
み部44にレーザーなどのエネルギービームをスポット
的に照射して、シールドケース4の天井面41と水晶振
動子2の金属蓋体23とを溶融接合させても構わない。
As shown in FIG. 5, a predetermined surface of the shield case 4, that is, a region in contact with the upper surface of the crystal unit 2, has a diameter of 20 to 100 μm, for example.
A recess 44 having a thickness of about 20 μm or more is formed, and an energy beam such as a laser is radiated to this recess 44 in a spot-like manner, so that the ceiling surface 41 of the shield case 4 and the metal lid 23 of the crystal unit 2 are separated. It may be melt-bonded.

【0059】レーザーなどのエネルギービームの照射
は、複数の箇所に同時に照射して溶融接合することが望
ましいが、設備などの制約から複数の箇所を順次に照射
して溶融接合しなくてはならない。ここで、最初の箇所
で行う溶融接合時、昇温された熱によって、シールドケ
ース4に20μm程度でうねりが生じてしまうことがあ
る。見掛け上、シールドケース4の天井面41が平面状
であったとしても、2番目の箇所の溶融接合部分Xが、
シールドケース4の天井面41と水晶振動子2の金属蓋
体23とが接触していない場合もあり、また、シールド
ケース4の加工精度によってもシールドケース4の天井
面41と水晶振動子2の金属蓋体23とが接触していな
い場合もある。
It is desirable to irradiate an energy beam such as a laser beam to a plurality of locations for simultaneous fusion bonding. However, it is necessary to sequentially irradiate a plurality of locations for fusion bonding due to limitations of equipment and the like. Here, at the time of the fusion bonding performed at the first location, the raised heat may cause undulation in the shield case 4 at about 20 μm. Apparently, even if the ceiling surface 41 of the shield case 4 is flat, the melt-bonded portion X at the second location is
In some cases, the ceiling surface 41 of the shield case 4 does not contact the metal cover 23 of the crystal unit 2, and the ceiling surface 41 of the shield case 4 and the crystal unit 2 also depend on the processing accuracy of the shield case 4. In some cases, the metal lid 23 is not in contact.

【0060】このような場合、シールドケース4が水晶
振動子2の金属蓋体23と接触する領域内に、例えば2
0μm以上の窪み部44を形成することにより、溶接接
合する箇所をシールドケース4と水晶振動子2の金属蓋
体23と安定して接触させておくことができるため、溶
接接合の信頼性が向上する。
In such a case, for example, in the area where the shield case 4 is in contact with the metal lid 23 of the crystal unit 2,
By forming the recessed portion 44 of 0 μm or more, the portion to be welded can be stably brought into contact with the shield case 4 and the metal lid 23 of the crystal unit 2, thereby improving the reliability of the welded joint. I do.

【0061】また、図6には、シールドケース4の所定
表面、即ち、水晶振動子2の上面と接触している領域内
に形成する窪み部45として、水晶振動子2の上面と接
触する領域を広くして、この領域内に複数の接合部分X
を形成しても構わない。
FIG. 6 shows a depressed portion 45 formed in a predetermined surface of the shield case 4, that is, in a region in contact with the upper surface of the crystal unit 2, in an area in contact with the upper surface of the crystal unit 2. And a plurality of joints X
May be formed.

【0062】即ち、実装基板1上に搭載する水晶振動子
2、複数の電子部品素子3のうち、水晶振動子2が最も
搭載高さが高いとはかぎらない。このような場合には、
シールドケース4の天井面41に一段凹んだ窪み部45
を形成して、搭載高さが最も高い他の電子部品素子3と
シールドケース4との当接を回避して、シールドケース
4と水晶振動子2の金属蓋体23とが接触するようにし
ている。
That is, the crystal oscillator 2 mounted on the mounting substrate 1 and the plurality of electronic component elements 3 are not necessarily the highest in the mounting height of the crystal oscillator 2. In such a case,
A recess 45 recessed in the ceiling surface 41 of the shield case 4
Is formed to avoid contact between the other electronic component element 3 having the highest mounting height and the shield case 4 so that the shield case 4 and the metal cover 23 of the crystal unit 2 come into contact with each other. I have.

【0063】例えば、温度補償型水晶発振器10におい
て、周波数調整回路にトリマーコンデンサを用いた場合
に、電子部品素子3であるこのトリマコンデンサが、水
晶振動子2である水晶振動子よりも搭載高さが高くなる
ことがある。
For example, in the temperature-compensated crystal oscillator 10, when a trimmer capacitor is used for the frequency adjustment circuit, the height of the trimmer capacitor that is the electronic component element 3 is higher than that of the crystal resonator that is the crystal resonator 2. May be higher.

【0064】この場合、シールドケース4のトリマコン
デンサと当接しえる部分に、トリマーコンデンサの上部
(調整ピンの頭部部分)のみが突出されるように、開口
を形成してもよい。このようにすれば、シールドケース
4を水晶振動子2に安定して溶接接合できるとともに、
トリマコンデンサの容量をシールドケース4を接合した
後でも、簡単に調整することができる。
In this case, an opening may be formed in a portion of the shield case 4 which can come into contact with the trimmer capacitor so that only the upper portion (the head portion of the adjustment pin) of the trimmer capacitor protrudes. By doing so, the shield case 4 can be stably welded to the crystal unit 2 and
The capacitance of the trimmer capacitor can be easily adjusted even after the shield case 4 is joined.

【0065】上述の実施例では、電子部品として、温度
補償型水晶発振器10で、且つ水晶振動子2を示してお
り、SMD対応で上面にアース電位となる金属蓋体23
(容器の一部)を有する水晶振動子2を用いた例であ
る。
In the above-mentioned embodiment, the temperature-compensated crystal oscillator 10 and the crystal oscillator 2 are shown as the electronic components.
This is an example in which a crystal resonator 2 having (a part of a container) is used.

【0066】しかし、デジタル型の温度補償水晶発振器
のように、水晶振動子の温度周波数をデジタル補償デー
タに基づいて温度補償を行う場合には、デジタル補償デ
ータを記憶するメモリ手段及びメモリ素子を制御する制
御手段が必要である。このようなICに集積できる手段
が、アース電位の金属蓋体で封止さられている半導体素
子を用いる場合には、必要に応じて、水晶振動子2をア
ース電位の金属蓋体で封止さられている半導体素子とし
ても構わない。
However, when temperature compensation of the crystal oscillator is performed based on the digital compensation data as in a digital type temperature compensated crystal oscillator, the memory means and the memory element for storing the digital compensation data are controlled. Control means is required. When the means that can be integrated into such an IC uses a semiconductor element sealed with a ground potential metal lid, the crystal unit 2 may be sealed with a ground potential metal lid as necessary. It may be used as a semiconductor element.

【0067】上述の実施例などから、水晶振動子2とし
ては、アース電位の金属蓋体を有する電子部品素子であ
ればよいことが判る。
From the above-described examples and the like, it can be seen that the quartz resonator 2 may be any electronic component element having a metal cover at the ground potential.

【0068】従って、金属ステム上に電子部品素体を搭
載して、金属容器で封止して電子部品素子、例えば、円
板状水晶振動片用いて水晶振動子や圧電単結晶基板の表
面弾性波を用いて動作する電子部品素子(SAWデバイ
ス)を、接合用電子部品素子としても用いても構わな
い。
Accordingly, the electronic component element body is mounted on the metal stem and sealed with a metal container, and the electronic component element, for example, the surface elasticity of the crystal resonator or the piezoelectric single crystal substrate is formed using a disk-shaped crystal resonator element. An electronic component element (SAW device) that operates using waves may be used as a bonding electronic component element.

【0069】例えば、SAWデバイスは、移動体通信機
器では、局発振回路部分や通信チッネル選択回路部分な
ど非常に高周波領域部分の回路に使用されるものであ
る。従って、本発明の電子部品とは、温度補償型水晶発
振器以外に、上述の局発振回路部分や通信チャンネル選
択回路部分などを1つの電子部品として部品にも広く適
用できる。
For example, a SAW device is used in a mobile communication device for a circuit in a very high frequency region such as a local oscillation circuit and a communication channel selection circuit. Therefore, the electronic component of the present invention can be widely applied to components other than the temperature-compensated crystal oscillator, such as the local oscillation circuit portion and the communication channel selection circuit portion as one electronic component.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上、本発明によれば、実装基板に搭載
した電子部品素子を覆うシールドケースの接合構造とし
て、実装基板に接合固定するのではなく、実装基板に搭
載した1つの電子部品素子にエネルギービームでもって
シールドケースを接合したため、シールドケースの接合
工程が非常に簡略化され、且つ小型・軽量化となり、動
作的にも安定する電子部品を提供できるものである。ま
た、シールドケースが前記1つの電子部品素子の容器と
接合する部分が凹んでいるために、非常に安定した溶融
接合が可能となる電子部品を提供できるものである。
As described above, according to the present invention, one electronic component element mounted on a mounting substrate is provided as a bonding structure of a shield case for covering the electronic component element mounted on the mounting substrate, instead of being bonded and fixed to the mounting substrate. Since the shield case is joined with an energy beam, the joining process of the shield case is greatly simplified, and the size and weight can be reduced, and an electronic component that is stable in operation can be provided. Further, since the shield case has a concave portion at which the one electronic component element is joined to the container, an electronic component capable of performing very stable fusion bonding can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電子部品の一例である温度補償型水晶
発振器の外観斜視図である。
FIG. 1 is an external perspective view of a temperature-compensated crystal oscillator which is an example of an electronic component of the present invention.

【図2】本発明の電子部品の一例である温度補償型水晶
発振器の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a temperature-compensated crystal oscillator which is an example of the electronic component of the present invention.

【図3】本発明の電子部品の一例である温度補償型水晶
発振器に用いる接合用電子部品素子の構造を示す断面図
である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of a bonding electronic component element used in a temperature-compensated crystal oscillator which is an example of the electronic component of the present invention.

【図4】本発明の他の電子部品のシールドケース接合構
造部分の部分断面図である。
FIG. 4 is a partial sectional view of a shield case joining structure portion of another electronic component of the present invention.

【図5】本発明の別の電子部品のシールドケース接合構
造部分の部分断面図である。
FIG. 5 is a partial sectional view of a shield case joining structure portion of another electronic component of the present invention.

【図6】本発明のさらに別の電子部品のシールドケース
接合構造部分の部分断面図である。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a shield case joining structure portion of still another electronic component of the present invention.

【図7】従来の電子部品の一例である温度補償型水晶発
振器の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a temperature-compensated crystal oscillator that is an example of a conventional electronic component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・実装基板 2・・・・接合用電子部品素子 23・・・アース電位の金属蓋体 3・・・・電子部品素子 4・・・・シールドケース 41・・・天井面 44、45・・窪み部 1 ... Mounting board 2 .... Electronic components for bonding 23 ... Metal cover with earth potential 3 ... Electronic component elements 4 .... Shield case 41 ・ ・ ・ Ceiling surface 44, 45 ... hollow

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板に搭載された複数の電子部品素子の
うち、1つの電子部品素子の容器の一部に、該電子部品
素子を被覆するように、シールドケースを接合して成る
電子部品において、 前記シールドケースに、前記容器と接合する凹んだ窪み
部を形成するとともに、該窪み部内にエネルギービーム
を照射することにより、前記窪み部の一部と前記容器の
一部とを溶融させて接合したことを特徴とする電子部
品。
A plurality of electronic component elements mounted on a substrate;
Of these, one part of the electronic component element
Composed of a shield case to cover the element
In the electronic component, the shield case is provided with a concave recess to be joined to the container.
Energy beam within the recess.
By irradiating a part of the recess and the container
Electronic part characterized in that a part of it is melted and joined
Goods.
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