JP3548375B2 - Coating method and apparatus - Google Patents
Coating method and apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP3548375B2 JP3548375B2 JP10243897A JP10243897A JP3548375B2 JP 3548375 B2 JP3548375 B2 JP 3548375B2 JP 10243897 A JP10243897 A JP 10243897A JP 10243897 A JP10243897 A JP 10243897A JP 3548375 B2 JP3548375 B2 JP 3548375B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photosensitive resin
- coating
- discharge port
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造等において、基板上に感光性樹脂を塗布し露光し現像することによって目的とする樹脂パターンを得る処理工程に使用される塗布処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の製造においては、シリコン等の半導体単結晶基板(以下、基板という)上に素子を形成するため、塗布装置にて基板表面に感光性樹脂を塗布し、露光装置にて予め用意されたマスク(レチクル)のパターンを露光転写し、現像装置にて現像処理を行ない、目的とする感光性樹脂の転写パターンを得る。この転写パターンをマスクとして後の工程で素子を基板上に形成する。素子が形成される精度は転写パターンに依存し、前記塗布/露光/現像工程は半導体素子製造において極めて重要な工程である。
【0003】
塗布/露光/現像の工程は、図5に示すように、露光工程を中心として塗布工程と現像工程が前後に行なわれる。塗布工程は、感光性樹脂の基板への密着性を高めるための表面改質処理(処理順序1)、塗布直前の基板の温度制御(処理順序2)、基板表面への感光性樹脂滴下、高速回転による樹脂の基板上での薄膜化、塗布後の基板面の不要な感光性樹脂の除去(処理順序3)、感光性樹脂内の溶剤を揮発させ塗膜の強度を向上させるための熱処理(処理順序4)、露光直前の基板の温度制御等が行なわれる。露光工程は、マスク(レチクル)の選択、基板の精密な位置決め、基板表面へのマスク投影等が行なわれる(処理順序5)。
【0004】
現像工程は露光直後の感光性樹脂安定のための熱処理(処理順序6)、現像直前の基板の温度制御(処理順序7)、基板表面への現像液滴下、現像後の現像液の除去/洗浄、高速回転による基板表面の乾燥(処理順序8)、現像後のパターン強化のための熱処理(処理順序9)、基板の収納容器回収前冷却等が行なわれる。
【0005】
基板を除き処理に使用される材料のコストとして、感光性樹脂が大きな割合を占めるため、その使用量削減の手段が求められる。図6に示すように、長手方向に延びるレジストノズル2を用いて基板上に薄膜状で塗布することで、その使用量の削減を行なうことが提案されている(例えば、特開昭58−170565号公報)。また、長手に延びるノズルの構造に関するものとして、特開平7−326564号公報記載のものが知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする問題】
上述した従来例としてのレジスト削減手法は基板上に盛り付けられるレジスト膜を基板全面に渡り薄く拡げるとしているが、この手法では現在の半導体製造に主として使用されている逐次移動式縮小投影露光装置 (以下、ステッパという) では露光領域とならない部分にも感光性樹脂が塗布される。また基板外周端部に塗布された感光性樹脂の剥離による発塵を防止するため感光性樹脂を溶剤で洗浄する工程も必要である。
【0007】
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑みてなされたもので、感光性樹脂の使用量の削減を図り、かつ端部の不要レジストの除去処理を不要にすることが可能な塗布処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段および作用】
上記の目的を達成するため本発明では、実際の露光に必要な部分にのみ感光性樹脂を塗布し、露光されない (製品として使用されない) 部分には感光性樹脂の塗布は行なわないようにする。
【0009】
すなわち、本発明の塗布処理装置は、半導体素子製造等に使用される感光性樹脂を基板上に塗布する際、前記感光性樹脂をスリット状の吐出口より滲出させ、吐出口を一定の方向に相対移動させ基板上に塗布する装置において、吐出口の輻を製造物である素子の切断部分 (スクライブライン) を加味した寸法と同寸またはその整数倍に設定したことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態においては、感光性樹脂供給配管を含む感光性樹脂塗布部が前記基板上を移動可能かつ吐出口(ノズル)交換可能に構成されており、任意の位置に、交換可能な任意のスリット状の吐出口の幅で、任意の面積(吐出口幅×相対移動距離)で感光性樹脂を塗布することが可能となっている。また、基板上に感光性樹脂を塗布する処理工程において感光性樹脂塗布部に感光性樹脂吐出口端と基板表面間の距離を検出する距離検出器が取り付けられており、感光性樹脂塗布部を基板面と垂直方向に移動させ、感光性樹脂吐出口端と基板表面間の距離を予め定められた間隔に制御する。より好ましくは、基板上に感光性樹脂を塗布する処理工程において、感光性樹脂吐出口端と基板表面間の距離を予め定められた間隔に制御するにあたり、その距離検出器を複数具備し、基板端部で複数の位置検出器のうち、1個以上が基板外となり距離検出器の機能が正常に機能しないと想定される場合は、全距離検出器が検知可能な位置より吐出を開始するよう予め設定されており、感光性樹脂吐出口の移動途中に複数の距離検出器のうち1個以上が基板外となった場合は距離制御を中止し直前の距離データにて塗布を続行する。さらに、塗布処理を行なう基板は予め定められた温度に制御された温度制御板上に載置される。そして、基板の結晶方向を示すオリエンテーションフラットまたはノッチが予め定められた方向および位置となるよう位置決めされて載置されるよう位置決め機構(アライメント機構)および基板搬送機構を具備している。または温度制御板上に具備された位置決め機構 (アライメント機構) により予め定められた塗布目標範囲と基板の実位置を整合させることが可能な構成となっている。
【0011】
本発明の他の実施の形態においては、感光性樹脂供給配管を含む感光性樹脂供給部が複数具備されており、予め定められた処理手順にて、複数の内の特定の供給部が選択的に使用される構成となっている。また、複数具備された感光性樹脂供給部を用い、基板上に塗布するにあたり、基板塗布処理中に感光性樹脂供給部を交換し単一の基板上に感光性樹脂の種類や塗布厚さを異ならせて塗布することが可能な構成および処理方法を有している。
【0012】
【実施例】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
図1〜3は本発明の一実施例に係る塗布処理装置に構成を示す。図1は全体図、図2は塗布処理部の拡大図、図3は塗布ノズル部の拡大図である、図において、1は基板、2は塗布ノズル、3はノズル保持部、4はX移動軸、5はY移動軸、6は温度制御板、7は感光性樹脂、8は基板位置検出器、9は基板位置調整(アライメント)ステージ、10は基板搬送機構、11は距離センサである。塗布ノズル2には感光性樹脂供給配管21が設けられており、ここに不図示の感光性樹脂供給用の配管が接続され感光性樹脂が供給される。この塗布ノズル2はX移動軸4によりX方向に、Y移動軸5によりY方向に移動可能であり、基板1上の任意の位置にそのスリット(吐出)幅に応じた塗布幅で感光性樹脂を塗布することができる。塗布ノズル2としては他に予備の塗布ノズル2a,2b,2cが準備されている。これらの塗布ノズル2,2a,2b,2cは相互に異なるスリット幅の吐出口を有し、製造すべき素子の切断部分 (スクライブライン) を加味した寸法が決まれば、その寸法と同寸または整数倍のスリット幅(塗布幅)を有する塗布ノズル2が選択されてノズル保持部3に取り付けられ、前記感光性樹脂供給用の配管を接続される。残りの3つのノズルは予備ノズル2a,2b,2cとして塗布部ベース22に設けられた収納位置に収納されている。
【0013】
図4は、図1〜3に示す装置の処理工程を示す。
処理は、次の順序で行なわれる。
1.基板1が、予めその位置精度が確保されている状態で温度制御板6上に載置される。基板1の位置設定は、基板位置検出器8の情報に従い、基板位置調整ステージ9が基板位置を回転/移動動作を行なうことで設定する。位置設定後、基板搬送機構10が基板1を基板位置調整ステージ9より、温度制御板6上に位置精度を維持したまま搬送/載置する。
2.ノズル保持部3が予め定められた処理内容に従い、塗布ノズル2を選択的に保持する。
3.塗布ノズル2が、X移動軸4/Y移動軸5により予め定められた位置に移動する。
4.塗布ノズル2より、感光性樹脂7の吐出が行なわれる。吐出時には感光性樹脂吐出口と基板1の表面が予め設定された高さとなるように、距離センサ11の情報によりノズル保持部3が保持高さを調整する。また、基板の端部において距離センサ11が、基板外となり、高さ調整が不可となる場合は、直前の距離情報を用いて塗布ノズル2の高さを固定する制御を行なう。また、吐出開始位置/終了位置とも基板外となる処理の場合は、塗布部長さの中点またはスクラブライン位置より双方向に塗布を行なう。
【0014】
5.感光性樹脂7の吐出開始と同時または予め定められたタイミングでY移動軸が定められた速度で移動を開始する。
6.予め定められた時間または距離を移動後、感光性樹脂の吐出が停止される。
7.同一の塗布ノズル2を用いる同一基板上での次の塗布動作指示が予め定められている場合は、上記の処理3よりの繰り返しとなる。
8.別種の感光性樹脂7による同一基板1上での次の塗布動作指示が予め定められている場合は、上記の処理2よりの繰り返しとなる。
9.塗布ノズル2が待機位置に移動し、ノズル保持部3が塗布ノズル2を開放する。
10.基板1が、温度制御板6上より次の処理へ搬送されるため取り外される。
【0015】
【実施例の変形例】
なお、上述においては、感光性樹脂供給配管を含む感光性樹脂供給部が1個の例を示したが、このような感光性樹脂供給部を複数個設け、予め定められた処理手順にて、複数の内の特定の供給部が選択的に使用される構成としてもよい。その場合、複数具備された感光性樹脂供給部を用いて基板上に塗布するにあたり、基板塗布処理中に感光性樹脂供給部を交換し単一の基板上に感光性樹脂の種類や塗布厚さを異ならせて塗布することが可能になる。
【0016】
【デバイス生産方法の実施例】
次に上記説明した塗布処理装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図7は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0017】
図8は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【0018】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば実際の露光に必要な部分にのみ感光性樹脂を塗布し、露光されない (製品として使用されない) 部分には感光性樹脂の塗布は行なわない。よって感光性樹脂の使用量を削減することが可能であり、併せて端部の不要レジストの除去処理も不要なことより、その処理により発生する液の飛沫による塗布膜上のピンホール等の障害を回避することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る塗布処理装置の構成を示す図である。
【図2】図1の装置における塗布処理部の拡大図である。
【図3】図1の装置における塗布ノズル部の拡大図である。
【図4】図1の装置における処理フローを示す図である。
【図5】一般的な塗布/現像処理工程を示す図表である。
【図6】従来の塗布処理装置の構成を示す図である。
【図7】微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図8】図7におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
1:基板、2,2a,2b,2c:塗布ノズル、3:ノズル保持部、4:X移動軸、5:Y移動軸、6:温度制御板、7:感光性樹脂、8:基板位置検出器、9:基板位置調整ステージ、10:基板搬送機構、11:距離センサ、21,21a,21b,21c:感光性樹脂供給配管、22:塗布部ベース。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a coating processing apparatus used in a processing step of obtaining a desired resin pattern by applying a photosensitive resin on a substrate, exposing and developing the resin in a semiconductor manufacturing or the like.
[0002]
[Prior art]
In the manufacture of a semiconductor device, in order to form an element on a semiconductor single crystal substrate such as silicon (hereinafter, referred to as a substrate), a photosensitive resin is applied to the substrate surface with a coating device and prepared in advance with an exposure device. The pattern of the mask (reticle) is exposed and transferred, and development processing is performed in a developing device to obtain an intended transfer pattern of the photosensitive resin. Elements are formed on the substrate in a later step using this transfer pattern as a mask. The precision with which the elements are formed depends on the transfer pattern, and the coating / exposure / development steps are extremely important steps in the manufacture of semiconductor elements.
[0003]
In the coating / exposure / development step, as shown in FIG. 5, a coating step and a development step are performed before and after the exposure step. The coating process includes a surface modification process (processing sequence 1) for improving the adhesion of the photosensitive resin to the substrate, a temperature control of the substrate immediately before coating (processing sequence 2), a dropping of the photosensitive resin onto the substrate surface, and a high speed. Thinning the resin on the substrate by rotation, removing unnecessary photosensitive resin from the substrate surface after coating (processing sequence 3), heat treatment for volatilizing the solvent in the photosensitive resin and improving the strength of the coating film ( Processing order 4), temperature control of the substrate immediately before exposure, and the like are performed. In the exposure step, selection of a mask (reticle), precise positioning of the substrate, projection of the mask on the substrate surface, and the like are performed (processing sequence 5).
[0004]
The development process includes a heat treatment for stabilizing the photosensitive resin immediately after the exposure (processing sequence 6), a temperature control of the substrate immediately before the development (processing sequence 7), a drop of the developing liquid on the substrate surface, and a removal / cleaning of the developing solution after the development. Drying of the substrate surface by high-speed rotation (processing sequence 8), heat treatment for pattern strengthening after development (processing sequence 9), cooling before collecting the substrate storage container, and the like are performed.
[0005]
Since photosensitive resin accounts for a large proportion of the cost of materials used for processing except for the substrate, means for reducing the amount used is required. As shown in FIG. 6, it has been proposed to reduce the amount of application by applying a thin film on a substrate using a
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Although the above-described conventional resist reduction method spreads the resist film formed on the substrate thinly over the entire surface of the substrate, this method employs a sequential moving reduction projection exposure apparatus (hereinafter, referred to as a main device) mainly used in the current semiconductor manufacturing. , A stepper), a photosensitive resin is also applied to a portion that is not an exposure area. In addition, a step of washing the photosensitive resin with a solvent is required to prevent dust generation due to peeling of the photosensitive resin applied to the outer peripheral edge of the substrate.
[0007]
The present invention has been made in view of the above-described problems in the conventional example, and is a coating processing apparatus capable of reducing the amount of photosensitive resin used and eliminating the need for removing unnecessary resist at the end. The purpose is to provide.
[0008]
Means and action for solving the problem
In order to achieve the above object, in the present invention, a photosensitive resin is applied only to a portion necessary for actual exposure, and a photosensitive resin is not applied to a portion not exposed (not used as a product).
[0009]
That is, the coating processing apparatus of the present invention, when applying a photosensitive resin used in semiconductor device manufacturing and the like on the substrate, exudes the photosensitive resin from the slit-shaped discharge port, the discharge port in a certain direction In an apparatus for relatively moving and coating a substrate, the radiation of the discharge port is set to be equal to or a multiple of the dimension in consideration of a cut portion (scribe line) of an element as a product.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In one embodiment of the present invention, the photosensitive resin application section including the photosensitive resin supply pipe is configured to be movable on the substrate and the discharge port (nozzle) is replaceable. The photosensitive resin can be applied with an arbitrary area (ejection port width × relative moving distance) with an arbitrary slit-shaped ejection port width. In the process of applying the photosensitive resin on the substrate, a distance detector for detecting the distance between the end of the photosensitive resin discharge port and the surface of the substrate is attached to the photosensitive resin application section. The substrate is moved in a direction perpendicular to the substrate surface, and the distance between the photosensitive resin discharge port end and the substrate surface is controlled to a predetermined distance. More preferably, in the processing step of applying a photosensitive resin on the substrate, in controlling the distance between the photosensitive resin discharge port end and the substrate surface at a predetermined interval, the substrate is provided with a plurality of distance detectors, If it is assumed that at least one of the position detectors at the end is out of the substrate and the function of the distance detector is not functioning properly, the discharge is started from a position where all the distance detectors can detect. If one or more of the plurality of distance detectors are outside the substrate during the movement of the photosensitive resin discharge port, the distance control is stopped and the application is continued with the immediately preceding distance data. Further, the substrate on which the coating process is to be performed is mounted on a temperature control plate controlled to a predetermined temperature. A positioning mechanism (alignment mechanism) and a substrate transport mechanism are provided so that the orientation flat or notch indicating the crystal direction of the substrate is positioned and mounted so as to be in a predetermined direction and position. Alternatively, the configuration is such that a predetermined application target range and the actual position of the substrate can be matched by a positioning mechanism (alignment mechanism) provided on the temperature control plate.
[0011]
In another embodiment of the present invention, a plurality of photosensitive resin supply units including a photosensitive resin supply pipe are provided, and a predetermined supply unit is selectively provided by a predetermined processing procedure. It is configured to be used for In addition, using a plurality of photosensitive resin supply units, when coating on a substrate, the photosensitive resin supply unit is replaced during the substrate coating process, and the type and thickness of the photosensitive resin are applied on a single substrate. It has a configuration and a processing method that can be applied differently.
[0012]
【Example】
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 to 3 show the configuration of a coating apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 is an overall view, FIG. 2 is an enlarged view of a coating processing section, and FIG. 3 is an enlarged view of a coating nozzle section. In the drawing, 1 is a substrate, 2 is a coating nozzle, 3 is a nozzle holding section, and 4 is X movement. The
[0013]
FIG. 4 shows processing steps of the apparatus shown in FIGS.
The processing is performed in the following order.
1. The
2. The
3. The
4. The
[0014]
5. The Y movement axis starts moving at a predetermined speed at the same time as the start of the discharge of the
6. After moving for a predetermined time or distance, the discharge of the photosensitive resin is stopped.
7. When the next application operation instruction on the same substrate using the
8. When the next application operation instruction on the
9. The
10. The
[0015]
[Modification of Embodiment]
In the above description, one example of the photosensitive resin supply unit including the photosensitive resin supply pipe has been described. However, a plurality of such photosensitive resin supply units are provided, and a predetermined processing procedure is performed. It is good also as composition which a specific supply part among a plurality is used selectively. In that case, when applying on the substrate using the plurality of photosensitive resin supply units, the photosensitive resin supply unit is exchanged during the substrate coating process, and the type and thickness of the photosensitive resin are applied on a single substrate. Can be applied differently.
[0016]
[Example of device production method]
Next, an embodiment of a device production method using the above-described coating apparatus will be described.
FIG. 7 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micro machines, etc.). In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2 (mask fabrication) forms a mask on which the designed pattern is formed. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is referred to as a preprocess, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in
[0017]
FIG. 8 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. Step 14 (ion implantation) implants ions into the wafer. In step 15 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. Step 19 (resist stripping) removes unnecessary resist after etching. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
By using the production method of the present embodiment, a highly integrated device, which was conventionally difficult to produce, can be produced at low cost.
[0018]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a photosensitive resin is applied only to a portion necessary for actual exposure, and a photosensitive resin is not applied to a portion that is not exposed (not used as a product). Therefore, it is possible to reduce the amount of photosensitive resin used, and it is not necessary to remove unnecessary resist at the edges. Can be avoided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a coating processing unit in the apparatus of FIG.
FIG. 3 is an enlarged view of a coating nozzle portion in the apparatus of FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a processing flow in the apparatus of FIG. 1;
FIG. 5 is a chart showing general coating / developing processing steps.
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional coating apparatus.
FIG. 7 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.
FIG. 8 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 7;
[Explanation of symbols]
1: substrate, 2, 2a, 2b, 2c: coating nozzle, 3: nozzle holder, 4: X movement axis, 5: Y movement axis, 6: temperature control plate, 7: photosensitive resin, 8: substrate position detection 9: substrate position adjustment stage, 10: substrate transfer mechanism, 11: distance sensor, 21, 21a, 21b, 21c: photosensitive resin supply pipe, 22: coating unit base.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243897A JP3548375B2 (en) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | Coating method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243897A JP3548375B2 (en) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | Coating method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284397A JPH10284397A (en) | 1998-10-23 |
| JP3548375B2 true JP3548375B2 (en) | 2004-07-28 |
Family
ID=14327480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10243897A Expired - Fee Related JP3548375B2 (en) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | Coating method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3548375B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7125584B2 (en) | 1999-09-27 | 2006-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a liquid film on a substrate |
| JP2004098245A (en) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
| JP7702320B2 (en) * | 2021-09-22 | 2025-07-03 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate Processing Equipment |
-
1997
- 1997-04-07 JP JP10243897A patent/JP3548375B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10284397A (en) | 1998-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8021062B2 (en) | Developing apparatus and developing method | |
| US7742146B2 (en) | Coating and developing method, coating and developing system and storage medium | |
| EP1632992A1 (en) | Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate | |
| US20020136971A1 (en) | Manufacturing system in electronic devices | |
| JPH1043666A (en) | Method and apparatus for forming applied film | |
| WO2005101467A1 (en) | Coater/developer and coating/developing method | |
| JP2010130014A (en) | Nozzle, and apparatus and method for processing substrate using same | |
| JP3548375B2 (en) | Coating method and apparatus | |
| KR20070061400A (en) | Recording medium recording application, developing apparatus and application, developing method and computer readable program | |
| JPH1041206A (en) | Semiconductor processing apparatus and processing method | |
| JP2008098520A (en) | Peripheral exposure apparatus, coating and developing apparatus, peripheral exposure method and coating, developing method, and storage medium | |
| JP3599323B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP4428792B2 (en) | Exposure equipment | |
| JP4696558B2 (en) | Photoresist pattern forming method and substrate for forming photoresist pattern | |
| JPH11121362A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP5501086B2 (en) | Development processing method | |
| US20250364296A1 (en) | Semiconductor wafer, method for processing semiconductor wafer, and processing apparatus | |
| JPH03242922A (en) | Exposing apparatus of peripheral part of plate-shaped body and exposing method of periphery of wafer | |
| JP2002367899A (en) | Development processing method | |
| EP0982630A2 (en) | Semiconductor-device manufacturing method having resist-film developing process according to wet treatment | |
| JPS60110118A (en) | Method and apparatus for coating resist | |
| JP3527459B2 (en) | Coating film forming method and coating processing apparatus | |
| JP3993426B2 (en) | Heat treatment apparatus and method, photomask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| KR19980021330A (en) | How to remove the photosensitive film on the wafer edge | |
| JPH09275058A (en) | Projection exposure method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040106 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040407 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040416 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |