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JP3556488B2 - プラズマディスプレイパネル用基板 - Google Patents
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、板状絶縁基体に放電表示セルを構成する隔壁が形成されたプラズマディスプレイパネル(以下、PDPという)用基板に関するものである。
【0002】
【従来技術】
従来から画像表示装置として多用されてきたCRTは、容積および重量が大で、高電圧が必要である等の欠点から、近年のマルチメディアの浸透に伴い、情報インターフェイスとして発光ダイオード(LED)や液晶表示素子(LCD)、あるいはPDP等の大型画面で高画質、その上、薄型軽量で設置場所を選ばない等の特徴を有する平面画像表示装置が開発され、これらの利用範囲が拡大しつつある。
【0003】
かかる平面画像表示装置としては、とりわけプラズマ発光を利用したPDPが大型画面用カラー画像表示装置の発光素子として将来性が注目されている。
【0004】
このようなPDPは、背面板と正面板を成す一対の平坦な絶縁基板と、その空間を仕切る隔壁で囲まれた微小な放電表示セル内に、対向する電極群を設けると共に、前記空間に希ガス等の放電可能なガスを気密封入した構造を成しており、前記対向する電極間に電圧を選択的に印加して放電によりプラズマを発生させ、該プラズマから放出される紫外光により、放電表示セル内壁に形成された蛍光体を発光させ、画像表示装置の発光素子として利用するものである。
【0005】
従来、背面板や隔壁の反射率を高めたPDPとして、特開平9−231910号公報に開示されたPDPが知られている。
【0006】
この公報に開示されたPDPでは、隔壁が、鉛主成分のガラスと、ZrO、TiO、BNのうちいずれか1種からなる平均粒径0.2〜1.5μmのセラミックフィラーとからなり、セラミックフィラーを10〜40重量%含有するものであり、このようなPDPでは、背面板や隔壁の反射率を高めることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示されたPDPでは、硬度が低いため、高精細の隔壁を形成することが難しい上、パネルの封止時に隔壁に欠けが生じやすいという課題があった。
【0008】
また、鉛主成分のガラスが60〜90重量%と多いため、比誘電率が大きく、また誘電損失が大きくなるという問題があった。これにより、アドレス期間中の電束分布を放電空間に集中させることができず、発光輝度を下げる原因となる他、前記放電表示セルの静電容量が大となることから、PDPを駆動する際の放電電極間の駆動電流が大きくなってPDPの消費電力が引き上げられ、電源設備が大型化するという問題があった。また、信号の応答に遅れが生じるという問題があった。
【0009】
本発明は前記課題に鑑み成されたもので、隔壁の硬度を向上できるとともに、隔壁の比誘電率および誘電損失を小さくすることにより、輝度を向上し、消費電力を低下でき、さらに信号に対する応答性を向上できるPDP用基板を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のPDP用基板は、板状絶縁基体と、該板状絶縁基体に形成された複数の隔壁とを具備するプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁が、ガラス(ただし、P 系ガラスを除く)と、ZrO、TiO、AlO3、SiO、MgO、CaOおよびYO3のうち少なくとも1種からなるセラミックフィラ―とからなり、該セラミックフィラーが前記ガラス100重量部に対して70〜90重量部含有し、ビッカース硬度が450kg/mm 以上であるものである。ここで、セラミックフィラーの平均粒径が0.5〜2μmであることが望ましい。また、ガラスが、金属元素としてB、Si、Znと、アルカリ金属のうち少なくとも2種以上とを含有することが望ましい。
【0011】
また、本発明のプラズマディスプレイパネル用基板の隔壁の測定周波数100kHzにおける比誘電率が8.0以下、かつ誘電損失が1.0%以下であることが望ましい。
【0012】
【作用】
本発明のPDP用基板によれば、PDPの放電表示セルを構成する隔壁が、ガラス(ただし、P 系ガラスを除く)と、ZrO、TiO、AlO3、SiO、MgO、CaOおよびYO3のうち少なくとも1種からなるセラミックフィラ―を、ガラス100重量部に対して70〜90重量部含有し、ビッカース硬度が450kg/mm 以上であることから、隔壁の硬度を向上することができ、PDP用基板の隔壁を高精細化できることになる。これは、隔壁表面に露出した多量のセラミックフィラーが均一な分布状態で焼きつくため、緻密な表面状態を保持できるとともに、外力が作用した場合、その外力が表面のセラミックフィラーにより分散できるからと思われる。
【0013】
また、ガラス量が少ないため、特開平9−231910号公報に開示されるような鉛主成分のガラスを用いたとしても隔壁の比誘電率および誘電損失を低く維持でき、アドレス期間中の電束分布を放電空間に集中させることができ、発光輝度を向上し、且つ放電表示セルの静電容量を小さくできることから、PDPを駆動する際の放電電極間の駆動電流を小さくでき、PDPの消費電力を低減できるとともに、信号の応答性を向上できる。
【0014】
また、セラミックフィラーの平均粒径を0.5〜2μmとすることにより、隔壁の硬度をさらに向上することができる。
【0015】
さらに、ガラスが、金属元素としてB、Si、Znと、アルカリ金属のうち少なくとも2種以上を含有することにより、特開平9−231910号公報に開示されるような鉛主成分のガラスを用いないため、比誘電率および誘電損失をさらに低下でき、発光輝度を向上し、消費電力を低下できるとともに、焼成温度を低下でき、板状絶縁基体への熱変形の影響が小さくなり、隔壁の寸法精度が向上し、製造歩留まりが向上する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のPDP用基板を用いたPDPは、例えば、図1に示すように、板状絶縁基体1(背面板)と、板状絶縁基体1に一体に形成された複数の隔壁3とを具備するものであり、一対の隔壁3により放電表示セル5が形成されている。この放電表示セル5の底面にはアドレス電極7が形成され、アドレス電極7は保護膜8により被覆され、この保護膜8には蛍光体9が被覆されている。
【0017】
一方、隔壁3の上面には正面板11が接合され、その内面には一対の放電維持電極13が形成され、放電維持電極13は保護膜14により被覆されている。
【0018】
放電表示セル5内には希ガス等の放電可能なガスが気密封入されており、対向する電極7、13間に電圧を選択的に印加して放電によりプラズマを発生させ、該プラズマから放出される紫外光により、放電表示セル5内壁に形成された蛍光体9を発光させ、画像表示装置の発光素子として利用される。尚、隔壁は、その上部にブラックトップを有することがある。
【0019】
そして、本発明のPDP用基板の隔壁、または隔壁の一部を構成するブラックトップが、ガラス(ただし、P 系ガラスを除く)と、ZrO、TiO、AlO3、SiO、MgO、CaOおよびYO3のうち少なくとも1種からなるセラミックフィラーとからなり、該セラミックフィラ―をガラス100重量部に対して70〜90重量部含有し、ビッカース硬度が450kg/mm 以上であるものである。なお、P 系ガラスとは15%以上のP を含有するガラスである。
【0020】
ここで、セラミックフィラーとして、ZrO、TiO、Al、SiO、MgO、CaOおよびYのうち少なくとも1種類を選択したのは、セラミックフィラー自体の硬度が高く、焼成時にガラスと固溶しないからである。セラミックフィラーは、高い硬度を有するという理由からTiOが望ましい。
【0021】
さらに、セラミックフィラーを、ガラス100重量部に対して70〜90重量部含有したのは、セラミックフィラーが、ガラス100重量部に対して70重量部よりも少ない場合には、硬度を高める効果が小さく、また、鉛主成分のガラスを用いた場合には、ガラス量が多くなるため比誘電率および誘電損失が高くなるからであり、90重量部よりも多い場合には、硬度が低下する傾向にあるとともに、ガラスの歪点が高くなり、低温焼成が困難になるからである。セラミックフィラーは、隔壁硬度、比誘電率、誘電損失および焼成温度の点から75〜85重量部含有することが望ましい。
【0022】
また、セラミックフィラーの平均粒径は0.5〜2μmであることが望ましい。これは、平均粒径が0.5μmよりも小さい場合には、ガラスと混合してスラリー化した時に凝集を生じやすいためであり、2μmよりも大きい場合には、焼成後に隔壁表面にあるセラミックフィラーが脱粒し、欠陥となるからである。セラミックフィラーの平均粒径は0.8〜1.6μmが特に望ましい。
【0023】
本発明のPDP用基板では、ガラスは、550℃以下の低温焼成が可能なもので、例えば鉛やアルカリ、リン等を含有する各種ガラスが挙げられ、前記ガラスとしては、ガラスの歪点の低下とPDPの発光輝度を向上させる誘電特性を有する(比誘電率が小さい)という点からは、アルカリ金属の2種以上を含有することがより望ましい。これは、アルカリ金属の酸化物がガラス溶融時に融剤として作用し、融点を下げるとともに、PDPのAg電極材のマイグレーションを防止できるからである。
【0024】
特に、ガラスは、金属元素として、B、Si、Znと、アルカリ金属のうち少なくとも2種以上を含有することが望ましい。これは、ガラスの網目成分の分極率が小さくなるため、ガラス全体の比誘電率を低下でき、これにより、発光輝度を向上し、消費電力を低下できるからである。
【0025】
アルカリ金属としては、Li、Na、K、Rb、Csがあるが、これらのうち、Ag電極からイオン化した金属成分のマイグレーションを防止する点から、異種アルカリ酸化物のクラスターを形成し易い、原子量が大きく異なる組み合わせが好ましく、例えばLiとCs、NaとRbとを組み合わせて用いることが望ましい。
【0026】
また、特に発光輝度の向上に好適な誘電特性を具備し、機械的強度や製造工程における化学的耐久性を具備するという点では、かかるガラスとしてはホウケイ酸亜鉛系ガラスに、アルカリ金属の酸化物を含有するものがより望ましい。
【0027】
特に、ガラスとしては、それぞれ以下に詳述する理由により、25〜60重量%のBと、20〜45重量%のZnOと、10〜40重量%のSiOと、1〜5重量%のAlと、2〜8重量%のZrOとからなり、アルカリ金属のうち2種以上を酸化物換算で6〜14重量%含有することが望ましい。
【0028】
即ち、Bは、ホウケイ酸亜鉛系ガラスの組成中、ガラス溶融時に融剤として作用し、強固なガラスを作る効果を有するもので、25〜60重量%含有せしめることにより、隔壁の熱膨張率を板状絶縁基体の熱膨張率に近づけることができる。
【0029】
また、SiOは、表面硬度を高くする高融点ガラスの主要成分であり、比誘電率を低下させるという作用を有するもので、10〜40重量%含有することにより、歪点と比誘電率を低下させ、表面硬度を向上できる。
【0030】
一方、ZnOは、歪点を下げる効果を有するもので、20〜45重量%含有することにより化学的耐久性を増大させることができる。
【0031】
更に、Alはガラスの分相を防ぎ、化学的耐久性を向上し、隔壁の強度を増し、板状絶縁基体との熱膨張率の整合を図るために含有させるものであり、1〜5重量%含有させることにより、歪点を低下させ、隔壁の強度を向上させることができる。
【0032】
また、ZrOは隔壁の白色化に寄与するものであり、歪点との関係から2〜8重量%含有することが望ましい。
【0033】
さらに、アルカリ金属のうち2種以上を酸化物換算で6〜14重量%含有したのは、6重量%未満では比誘電率が高く、歪点が高くなり、14重量%よりも多い場合にはAg電極材料のマイグレーションが発生し易いからである。
【0034】
尚、本発明のPDP用基板には、前記低温焼成可能なガラスとセラミックフィラー以外に、適宜、第3の成分を添加して、比誘電率や誘電損失、絶縁抵抗等の電気的特性や線膨張係数を調整することも可能である。
【0035】
また、上記セラミックフィラーを用いることにより、PDPの放電表示セルを構成する隔壁を板状絶縁基体に積層して形成したり、隔壁成形体のダレや低融点物質の溶融による隔壁の曲がりや反り等の変形を抑制し、成形体の強度を向上する効果もある。
【0036】
本発明のPDP用基板の隔壁は、ビッカース硬度が450kg/mm以上で、100kHzにおける比誘電率が8.0以下、かつ誘電損失が1.0%以下のものである。
【0037】
ビッカース硬度を450kg/mm以上としたのは、これ以下だと、高精細の隔壁を形成することが困難となり、高精細の画質が得られなくなるからであり、測定周波数100kHzにおける比誘電率を8.0以下としたのは、100kHzにおける比誘電率が8.0を越えると、十分に放電空間に電束分布を集中させることができず、発光輝度の向上および消費電力の低減という作用効果が小さくなるからである。
【0038】
また、測定周波数100kHzにおける隔壁の誘電損失を1.0%以下としたのは、1.0%を越えると、隔壁部でのエネルギー損失や印加電圧パルスに対する応答の遅れが大きく、消費電力を増大させる原因となるからである。
【0039】
特に、本発明のPDP用基板では、ビッカース硬度が500kg/mm以上で、100kHzにおける比誘電率が7.0以下、かつ誘電損失が0.5%以下であることがより望ましい。
【0040】
尚、ガラスの歪点が400℃未満の場合には、焼成時に隔壁の曲がりや反り等の変形を生じ易くなり、500℃を越えると短時間焼成が困難となる。従って、本発明では、ガラスの歪点は400〜500℃の範囲であることが望ましく、焼成は隔壁用組成物が緻密化し、かつ板状絶縁基体と密着すれば良いことから、焼成温度はガラスの歪点以上でガラスからなる板状絶縁基体の歪点以下の温度であれば良く、具体的には530〜550℃の温度範囲が好ましい。
【0041】
【実施例】
先ず、表1に示すガラス原料粉末と、種々の平均粒径を有する表1のセラミックフィラーを、ガラス原料粉末100重量部に対して表2に示す割合でそれぞれ秤量し、それをイソプロピルアルコール(IPA)を溶媒としてそれぞれ18時間、ジルコニアボールを用いたボールミルにて湿式で混合した。
【0042】
その後、粉砕混合物にバインダーを添加して撹拌した後、50メッシュの網を通して得られた造粒体を1000kg/cmの圧力で直径20mm、厚さ4mmの円板状に成形し、該成形体を表3に示す各焼成温度で20分間焼成した。
【0043】
その後、円板状の焼成体を研磨加工して直径17mm、厚さ2mmの円板を作製し、両端面にIn−Ga電極を塗布して評価用の試料を得た。
【0044】
かくして得られた評価用の試料をLCRメータを用いて、雰囲気温度が25℃、測定周波数100kHz(AC100V)の条件で比誘電率、誘電損失を測定した。
【0045】
一方、前記粉砕混合物にバインダーを添加して撹拌した後、50メッシュの網を通して得られた泥漿をガラス基板上に塗布して乾燥した後、表3に示す温度で20分間焼成し、該焼成体の表面研磨を行った。かくして得られた評価用の試料について、標準荷重98.07Nのマイクロビッカース硬度計により、表面硬度を測定した。これらの結果を表3に記載した。
【0046】
【表1】
Figure 0003556488
【0047】
【表2】
Figure 0003556488
【0048】
【表3】
Figure 0003556488
【0049】
これらの表から明らかなように、セラミックフィラーを添加しない試料No.1、8、セラミックフィラーの添加量が70重量部よりも少ない試料No.7、25、29ではビッカース硬度が低く、90重量部よりも多い試料No.4、12、16、20、23、27では、ビッカース硬度が低く、比誘電率および誘電損失が高くなり、ガラスの歪点が高くなる傾向にあることが判る。
【0050】
一方、本発明の試料では、ビッカース硬度が450kg/mm以上で、100kHzにおける比誘電率が8.0以下、かつ誘電損失が1.0%以下と優れた特性を有することが判る。
【0051】
そして、B、Si、Znと、アルカリ金属のうち少なくとも2種以上を含有するガラスを用い、このガラス100重量部に対してセラミックフィラーを75〜85重量部含有する試料No.10、11、14、15、18、19では、ビッカース硬度が500kg/mm以上で、100kHzにおける比誘電率が7.0以下、かつ誘電損失が0.8%以下であることが判る。
【0052】
そして、本発明者等は、セラミックフィラーの平均粒径とビッカース硬度の関係を調べるため、試料No.3のセラミックフィラーの平均粒径を変化させ、ビッカース硬度を測定した。その結果を図2に示す。この図2から、セラミックフィラーが1.0〜1.5μmの場合にはビッカース硬度がピークを示し、0.5μmに近づくに従い、または2.0μmに近づくに従い、ビッカース硬度が低下する傾向にあることが判る。
【0053】
【発明の効果】
本発明のPDP用基板では、隔壁を、ガラスと、ZrO、TiO、Al、SiO、MgO、CaOおよびYのうち少なくとも1種類からなる所定量のセラミックフィラーとから構成したため、ビッカース硬度が450kg/mm以上で、100kHzにおける比誘電率が8.0以下、かつ誘電損失が1.0%以下となり、隔壁のビッカース硬度が向上でき、その結果、高精細の隔壁を形成し、高画質化を図ることができるとともに、印加電圧パルスに対する応答性が良く、隔壁部でのエネルギー損失を低減でき、さらに、焼成温度が低く、絶縁基板の熱変形の影響が小さくなり隔壁の寸法精度が向上し、製造歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】PDPの一部を示す断面図である。
【図2】セラミックフィラーの平均粒径とビッカース硬度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1・・・板状絶縁基体
3・・・隔壁
7・・・アドレス電極
9・・・蛍光体
11・・・正面板
13・・・放電維持電極

Claims (4)

  1. 板状絶縁基体と、該板状絶縁基体に形成された複数の隔壁とを具備するプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁が、ガラス(ただし、P 系ガラスを除く)と、ZrO、TiO、Al、SiO、MgO、CaOおよびYのうち少なくとも1種からなるセラミックフィラーとからなり、該セラミックフィラーが前記ガラス100重量部に対して70〜90重量部含有し、ビッカース硬度が450kg/mm 以上であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板。
  2. セラミックフィラーの平均粒径が0.5〜2μmであることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
  3. ガラスが、金属元素としてB、Si、Znと、アルカリ金属のうち少なくとも2種以上とを含有することを特徴とする請求項1または2記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
  4. 隔壁の測定周波数100kHzにおける比誘電率が8.0以下、かつ誘電損失が1.0%以下であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
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