JP3565067B2 - Cmosロジック用電源回路 - Google Patents
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Description
【発明の技術分野】
本発明はCMOSロジック用電源回路に関し、特にはより低消費電流化が求められる技術領域に好適なCMOSロジック用電源回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
通常、CMOSロジックの電源は直接電源端子から与えられている。例えば、図6に示すようにCMOSインバータの場合、PチャネルMOSトランジスタのソースは電源端子VDD(電源電圧VDD=5V)に接続される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のものでは、ロジックレベルの移り変わりのときにPチャネルMOSトランジスタ、NチャネルMOSトランジスタが共にオンする状態が生じ、その瞬間大きな電流が流れるため、消費電流が大きくなる傾向があった。電源電圧を低くしてもこの傾向は変わらない。また、アナログ回路へのクロストークノイズの原因にもなる。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明では、CMOSロジックにおいては、電源端子間にPチャネルMOSトランジスタ、NチャネルMOSトランジスタがそれぞれ通常1段分づつ設けられる点に着目し、NチャネルMOSトランジスタ、PチャネルMOSトランジスタのそれぞれのしきい値Vth(NMOS)、Vth(PMOS)とし、電源電圧をVth(NMOS)+Vth(PMOS)に設定する。これによって貫通電流をコントロールすることを可能にする。また、プロセスのばらつきによるトランジスタのしきい値Vthの変動による消費電流への影響が少ない回路構成となる。
【0005】
さらに、トータルでの消費電流の瞬時値を一定にすることでアナログ回路への悪影響を減らす。また、消費電流のコントロールを容易になる。
【0006】
【発明の実施の形態】
そこで、本発明では、ダイオード接続されたPチャネルMOSトランジスタとダイオード接続されたNチャネルMOSトランジスタとを互いに直列接続してなる直列回路と、第1の電源端子と当該第1の電源端子と異なる電位の第2の電源端子との間で、上記直列回路と直列に接続された電流源とを設け、上記直列回路と上記電流源との接続点からCMOSロジックの電源を取り出す。上記接続点から直接CMOSロジックの電源を取り出すことが好ましく、上記接続点からバッファを介してCMOSロジックの電源を取り出すこともできる。
【0007】
【実施例】
次に、本発明の第1実施例のCMOSロジック用電源回路について説明する。まず、本例の構成について図1を参照しながら説明する。PチャネルMOSトランジスタP1、NチャネルMOSトランジスタN1はダイオード接続されている。すなわち、それぞれドレインとゲートとを接続してある。PチャネルMOSトランジスタP1、NチャネルMOSトランジスタN1の互いのドレイン、ゲート同士を接続し、直列回路1を構成している。この直列回路1と電流源2とが電源端子VSS(0V)と電源端子VDD(5V)との間で直列に接続されている。NチャネルMOSトランジスタN1のソースを電源端子VSS(0V)に接続し、PチャネルMOSトランジスタP1のソースを電流源2を介して電源端子VDDに接続してある。なお、ここでは、電源端子VDD(5V)は、CMOSロジックを含む集積回路(図示しない。)の電源電圧の電源端子として述べるが、これに限らず、これにより低い電圧の端子であっても良い。また、同図において、電流源2に添えられた矢印は電流の向きを示しており、以下に述べる図においても同様である。直列回路1と電流源2との接続点に端子Tを設け、バッファ3の負相入力に接続してある。バッファ3の出力端子をCMOSロジック用の電源端子Voutとして用いる。例えば、電源端子Voutと電源端子VSSとの間にPチャネルMOSトランジスタP2とNチャネルMOSトランジスタN2とを直列に接続し、CMOSインバータ4を設ける。通常はこうしたロジックが多数配置されるが、以上の構成の場合、NチャネルMOSトランジスタ、PチャネルMOSトランジスタのそれぞれのしきい値Vth(NMOS)、Vth(PMOS)とすると、電流源2によってVth(NMOS)+Vth(PMOS)の電位を作り、バッファ3を通してCMOSロジックに電源を与える。このため、CMOSインバータ4の貫通電流は電流源2によってコントロールできる。具体的にはCMOSインバータ4のPチャネルMOSトランジスタP2とNチャネルMOSトランジスタN2のサイズをそれぞれPチャネルMOSトランジスタP1、NチャネルMOSトランジスタN1のサイズと同一に設定したとき、貫通電流は電流源2に流れる電流値となる。これにより、プロセスのばらつきによるトランジスタのしきい値Vthの変動によらず、貫通電流全体のコントロールが可能となる。
【0008】
次に本発明の第2実施例について説明する。上記第1実施例では、バッファ3自体が電流を消費してしまうが、この消費電流値を低く抑えることは、その素子特性のため、バッファの安定性の問題が生じやすい。また、CMOSロジック特有のクロックの立上がり(又は立下がり)とその直後に電流値が最大となるスパイク状の電流波形については、従来のものと同様のである。
【0009】
そこで、第2実施では、図2に示すようにバッファ3を廃し、直列回路1と電流源2との接続点を直接、CMOSロジック用電源端子出力端子Voutとしてある。なお、図2において図1に示したものと同じ符号は図1に示したものと同じ構成要素を示してあり、以下に述べる各図においても同様のものとする。このような構成により、バッファでの消費電流をなくなる。CMOSロジックでの消費電流は常に電流源2に流れる電流値Iそのものとなる。そのため、クロストークノイズを大幅に減らすことができ、アナログ回路への悪影響も大幅に減らすことができる。さらに完全に電流源2によってロジック部の消費電流をコントロールできる。
【0010】
また、本例の構成では、電源端子Vout、電源端子VSS間の電圧は一定ではなくなる。CMOSロジックが大きな電流値を消費しているときは、PチャネルMOSトランジスタP1、NチャネルMOSトランジスタN1に流れる電流値は小さくなるので、電源端子Voutの電位もそれに伴って低くなる。それによってCMOSロジックの消費電流が小さくなるというネガティブフィードバックが働く回路構成となっている。具体的には、クロックの立下がり(又は立上がり)とその直後にCMOSロジックでの消費電流は増加するが、電源端子Voutの電位もそれに伴って低くなるため、図6に示す従来のもののように著しい増加にはならない。このようなネガティブフィードバックによる穏やかな消費電流の変動動作は、クロストークノイズ等のアナログ回路への悪影響を少なくできる。
【0011】
以上のように本例では、プロセスのばらつきは勿論、本来の電源電圧にも関係なく、貫通電流のコントロールも消費電流のコントロールも良好に行われる。
【0012】
なお、本例は図2に示す構成に限らず、例えば、図3乃至図5に示すように構成することもできる。図3においては、PチャネルMOSトランジスタ1P、NチャネルMOSトランジスタ1Nの配置を入れ替えてある。図4においては、電流源2の極性を反転してある。図5においては、PチャネルMOSトランジスタ1P、NチャネルMOSトランジスタ1Nのドレイン同士を抵抗Rを介して接続してある。これらのように変更した場合も、詳しく述べないが、図2のものと同様の動作により、同様の作用効果を奏する。これらは単なるバリエーションのいくつかに過ぎずない。
【0013】
【発明の効果】
本発明によれば、プロセスのばらつきによるトランジスタのしきい値電圧の変動や電源電圧の変動によらず、CMOSロジックでの貫通電流をコントロールすることができ、消費電流のコントロールが容易にでき、消費電流のばらつきを抑えることができる。
【0014】
また、消費電流のコントロールができ、CMOSロジック用電源回路の低消費電流化を進めることが可能となる。加えて、クロストークノイズ等のアナログ回路への悪影響を効果的に抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例のCMOSロジック用電源回路の構成を示す説明図。
【図2】本発明の第2実施例のCMOSロジック用電源回路の構成を示す説明図。
【図3】本発明の第2実施例の構成の一部に変更を加えたものを示す説明図。
【図4】本発明の第2実施例の構成の一部に変更を加えたものを示す説明図。
【図5】本発明の第2実施例の構成の一部に変更を加えたものを示す説明図。
【図6】従来の技術を説明するための説明図。
【符号の説明】
1 直列回路
1P PチャネルMOSトランジスタ
1N NチャネルMOSトランジスタ
2 電流源
3 バッファ
Claims (1)
- ダイオード接続されたPチャネルMOSトランジスタとダイオード接続されたNチャネルMOSトランジスタとを互いに直列接続してなる直列回路と、
第1の電源端子と当該第1の電源端子と異なる電位の第2の電源端子との間で、上記直列回路と直列に接続された電流源と、
上記直列回路と上記電流源との接続点の電位が、上記PチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタのしきい値の和で決定され、その電位が負相入力に与えられるバッファと、
上記バッファの出力を高電位側の電源とし、当該電源と上記第2の電源端子との間で電流路を構成するCMOSロジックとを有することを特徴とするCMOSロジック用電源回路。
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