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JP3568753B2 - Inspection method and inspection device for defective electrode on substrate - Google Patents
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JP3568753B2 - Inspection method and inspection device for defective electrode on substrate - Google Patents

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JP3568753B2 JP28692197A JP28692197A JP3568753B2 JP 3568753 B2 JP3568753 B2 JP 3568753B2 JP 28692197 A JP28692197 A JP 28692197A JP 28692197 A JP28692197 A JP 28692197A JP 3568753 B2 JP3568753 B2 JP 3568753B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置のガラス基板上などに形成される電極の欠陥を検査する基板上の欠陥電極の検査方法と検査装置に関し、特に電極の断線欠陥の位置を特定することができる基板上の欠陥電極の検査方法と検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、コンピュータなどに使用される表示装置としてブラウン管を使用した表示装置に取って代わって液晶を使用したマトリクスタイプの表示装置が多く採用されてきている。このような装置は、画面上に一度に表示できるデータを多くするために、大画面あるいは高解像度な液晶表示装置の開発も進んでおり、基板上に形成される電極がより小さなパターンになってきている。そのため、歩留まりの低下で欠陥基板の発生が多くなり、この欠陥基板の修復が行われている。また、液晶表示装置のコスト削減のためにも欠陥基板の修復が行われている。
【0003】
上記のような液晶表示装置には、マトリクスタイプの液晶基板が使用されている。通常のマトリクスタイプの液晶基板は、2枚のガラス基板にそれぞれITOなどからなる透明なX電極、透明なY電極がエッチング処理により形成され、各基板の電極形成面がマトリクス状に対向させて配置され、このガラス基板間に液晶が封入されて形成される。
【0004】
上記のように、電極をガラス基板に形成した場合、図7(B)および(C)に示す欠陥が生じることがある。このような欠陥は、エッチング処理時に異物の混入やエッチング処理不良などが原因で発生し、図7(A)の良品に対して、(B)は隣り合うラインの一部が接している状態のショート欠陥、(C)は同一ライン上の一部が欠損している状態の断線(オープン)欠陥を示している。
【0005】
上記(B)のショート欠陥に対しては、従来から使用されている検査装置により、ショート欠陥がどのラインの電極で発生し、そのラインのどの位置で発生しているか特定することができた。一方、(C)の断線欠陥に対しては、画像処理装置や作業者の目視に頼っていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記図7(C)の断線欠陥に対しては、どのラインの電極で断線欠陥が発生しているかは特定できるものの、長さ方向の位置は測定原理上特定できなかった。
そのため、電極3のライン上を▲1▼カメラとモニターとを用いて画像処理による方法で監視したり、▲2▼作業者が目視で監視したりしていた。
【0007】
上記▲1▼の画像処理による場合には、専用のカメラやモニタを使用するため装置自体が非常に高価であり、基板を照らす照明などの条件設定が容易でなく、さらには投資金額の割には処理が遅いなどの問題があった。
また、液晶の電極パターンというのは非常に微細なパターンで形成されているため、上記▲2▼の目視による場合には、検査を行うのに非常に多くの時間を必要としなければならず、また欠陥を見落とす危険があり確実性に欠けるものであった。さらには上記のような検査は非常に神経を使うものであり作業者へかなりの負担が強いられるという問題があった。
【0008】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、断線欠陥の長さ方向の位置を、条件設定が容易で且つ検査の所要時間が短い安価な装置により特定することができる基板上の欠陥電極の検査方法と検査装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板上の欠陥電極の検査方法は、基板上に形成された電極の断線欠陥の場所を特定する基板上の欠陥電極の検査方法であって、
第1の導体を検査対象となる1本の電極ラインに接触させ、第2の導体を検査対象となる前記電極ラインおよびこの電極ラインに隣合う他の電極ラインに接触させ、前記第1の導体と前記第2の導体との間の電流値または電圧値を監視して、欠陥の生じている電極を特定し、
前記第1の導体を特定された前記電極ラインに接触させた状態で、前記第2の導体を特定された前記電極ラインおよびこの電極ラインに隣合う他の電極ラインに沿って移動させて、このときの前記第1の導体と前記第2の導体との間の電流値または電圧値の変化を監視して、前記特定された電極ラインの欠陥箇所を特定することを特徴とするものである。
【0010】
上記手段により、電極の長さ方向の一端に第1の導体が接触されるとともに他端に第2の導体が接触されて電極上の両導体間の導通性が検査される。このとき、電極に断線欠陥が発生していれば両導体間には電流は流れず、一方電極に断線欠陥が発生していなければ両導体間に電流が流れるようになり、この導通の変化を回路内に発生する電流値または電圧値によって監視することによりどのラインの電極で断線欠陥が発生しているか特定することができる。
【0012】
導体間の電流値または電圧値を監視して断線欠陥のある電極のライン方向の位置が特定されると、第2の導体が、電極上を摺動しながら移動する。上記両導体が断線欠陥を境にして異なる側に存在すると電流値または電圧値に変化は見られず、第2の導体が移動して両導体が同じ側に存在すると両導体間が導通して電流値または電圧値が変化する。上記のようにして、欠陥電極の正確な位置が特定される。
【0013】
この場合に、前記第2の導体をブラシ状とすることが好ましい。
【0014】
液晶表示基板に形成される電極は非常に微細であるため、欠陥電極の検査時に移動可能な側の導体が針状の導体であると、移動時に導体が電極のラインから外れるなどして検査ミスが発生し、欠陥位置の特定が確実に行われず、そのため基板の位置決めにかなり高精度な補正装置が必要であったが、上記のように一方の導体をブラシ形状に形成し、且つ隣り合う電極にまたがるように形成することにより、基板の位置決めに高精度な補正装置を必要とせず、検査ミスを防止することができるものである。
【0015】
また本発明は、基板上に形成された電極の断線欠陥の位置を特定する基板上の欠陥電極の検査装置であって、
断線欠陥のある1本の極ラインの一端に接触する第1の導体と、断線欠陥のある前記電極ラインおよびこの電極ラインに隣合う他の電極ラインに接触する第2の導体と、前記第2の導体を断線欠陥のある前記電極ラインに沿って移動させる移動装置と、両導体間の電流または電圧を監視する検査回路とを有することを特徴とするものである。この場合に、前記第2の導体がブラシ状であることが好ましい。
【0016】
上記装置により、高価な装置を使用することなく安価な装置で構成することができるとともに、確実に素早く検査することができるものである。
【0017】
なお、本発明の基板は、液晶表示装置のガラス基板に代表されるが、他のIC搭載基板などであってもよく、また電極は、液晶表示装置の場合にはITOなどの透明電極であるが、他の銅箔や金箔電極であってもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板上の欠陥電極の検査方法を図1および図2を示して説明する。図1は、基板の検査から修復までの装置全体を示す説明図であり、図2(A)は基板と検査装置との位置関係を示す上面図、(B)はその側面図および回路図である。
通常、液晶表示装置に使用される基板は、図7に示すように、ガラス基板2上にITOなどの材料からなるX電極あるいはY電極3が等間隔でライン状にエッチング処理により形成されている。前記エッチング処理による電極形成時に異物が混入するなどして、電極3には図7(C)にあるような断線欠陥部6が生じることがある。
【0019】
上記のような断線欠陥部6の位置を特定するための装置が図2に示す検査装置8である。
前記検査装置8は、第1の導体としての検査プローブ8a、第2の導体としての検査ブラシ8b、検査回路8cから構成されているものである。
電極3が形成されたガラス基板2は、図1に示すテーブル12に載置され、電極3の検査が行われる。ガラス基板2が位置決めされた後、2本の導体からなる検査プローブ8aおよび検査ブラシ8bが電極3のラインの両端に配置される。なお、必要であれば、テーブル12をX−Y方向あるいはθ方向に移動させてガラス基板2の位置を微調整することができる。
【0020】
また、前記検査プローブ8aはその先端が針状に形成されている。また、前記検査ブラシ8bは、隣り合う電極3のラインにまたがるように幅広に形成されており、このため検査ブラシ8bが電極3のラインから多少ずれたとしても検査ミスが起こることはない。なお、前記検査ブラシ8bは、電極3を損傷させることがないように、軟らかな毛先を有する導電性ブラシを用いることが好ましい。
前記検査プローブ8aと検査ブラシ8bとは検査回路8cに接続されている。この検査回路8cには、電源E、抵抗R、および抵抗Rに流れる電圧Vを計測する電圧計を有しており、この検査回路8cの両端が前記検査プローブ8aと検査ブラシ8bとにそれぞれ接続されている。なお、前記抵抗Rは、電極3よりも十分に大きい抵抗のものが使用されている。
【0021】
電極3が正常に形成されている場合には、電極3間に電流Iが流れて回路が導通し、抵抗Rには電圧V(=IR)が発生する。一方、電極3に断線欠陥部6が存在している場合には、回路全体が導通せず、抵抗Rには電流が流れないため電圧は発生しない。この電圧値(V)の有無をモニター上で監視することにより、断線欠陥部6が電極3のどのラインで発生しているのかを特定することができる。
続いて、電極3の長さ方向の欠陥位置の特定が行われる。
【0022】
図2(A)および(B)に示すように、検査ブラシ8bが検査プローブ8aの方向すなわち▲1▼から▲4▼の方向へ移動を開始して断線欠陥部6が発生している場所を検査する。この場合の検査ブラシ8bは、電極3上を摺動しながら移動する。このとき断線欠陥部6の手前に位置する状態▲2▼では抵抗Rには電圧は発生せず、断線欠陥部6を越えた時点の状態▲3▼で電圧が発生し、断線欠陥部6を境にして電圧変化が起こり、断線欠陥部6の位置が特定される。
上記のようにして、断線欠陥部6がどのラインで発生し、しかもラインのどの場所であるかまでが正確に特定されるようになっている。
【0023】
図1に示すように、上記検査装置8は、移動装置13cおよび制御装置11に接続されており、前記移動装置13cにより検査プローブ8aおよび検査ブラシ8bを移動させることができ、制御装置11により上記動作が制御され、さらに断線欠陥部6の位置データが保存され、このデータが次の修復のための装置へ送られる。
図1は、電極3が形成されたガラス基板2の検査から修復までの装置全体を示し、検査装置8、転写装置4、加熱装置5および制御装置11から構成されているものである。
【0024】
上述した方法、装置により断線欠陥部6が特定されると、次に転写装置4が作動するようになっている。
前記転写装置4は、転写プローブ4a、移動装置13aおよび版ペースト1cから構成されており、転写プローブ4aが断線欠陥部6との間を適切に移動できるように制御装置11により制御されている。また、前記版ペースト1cは基台4dと版枠4cとで形成されており、その版枠4c内にペースト1が流し込まれ、スキージなどによって平坦にならされて版ペースト1cとして形成されている。
また、前記加熱装置5は、半導体レーザー5aと移動装置13bとから構成されているものである。
【0025】
図3は、断線欠陥部6を有する基板の修復工程を示したものである。
前記転写プローブ4aにより断線欠陥部6にペースト1が転写され、続いて半導体レーザー5aによりペースト1に対しての焼成が行われる。この半導体レーザー5aは、移動装置13bに接続されており、断線欠陥部6に形成されたペースト1の上部へ自由に移動可能となるように制御装置11により制御されている。
【0026】
前記転写プローブ4aの動作を図4を用いて説明すると、転写プローブ4aはまず初期状態(i)から版ペースト1c上へと移動され(ii)、降下される(iii)。次いで、転写プローブ4aは版ペースト1cの底部に到達するまで押し込まれ、転写プローブ4aを上昇させることにより、一定量のペースト1が転写プローブ4aの先端部に転写される。このとき、図5(A)に示すように、転写プローブ4aの内部には弾性体としてコイルばね7が配設されており、転写プローブ4aが版ペースト1cの底部に到達されると、コイルばね7の付勢力に抗して転写プローブ4aの上部から力Fで押圧されるようになっている。次いで、転写プローブ4aは、断線欠陥部6上に移動され(iv)、降下される(v)。そして、転写プローブ4aを上昇させることによりペースト1が転写プローブ4aと分離されて、前記ペースト1が断線欠陥部6に転写させられ、初期状態(i)へと戻る(vi)。
【0027】
また、上記転写プローブ4aは、その材質をベリリウム−銅とすることが好ましく、また図5(B)に示すように、その先端部が平坦形状4bとされることが、転写を容易にする点において好ましい。
上記のような転写プローブ4aを使用することにより、高精度な位置決めなどの機構や制御が不要になる。また、転写するペースト1の量を変える場合には、版ペースト1cの深さを変更することにより容易に対応することができる。
【0028】
前記金属の有機化合物からなるペースト1は、金粉をベースとした金ペーストではなく、金原子が有機物と結合して形成されたものであり、全体が液状のペーストで形成されたものである。このようなペースト1としては、金レジネートをベースとしたMOD(メタロオーガニックデポジション)タイプの金ペーストを使用することが好ましく、且つその中でも低温焼成用のものが好ましい。
上記のようにして断線欠陥部6に転写されたペースト1からなる修復前基板10は、図3(B)の工程へと送られ、そこでペースト1の焼成が行われる。
【0029】
この焼成で使用される加熱装置5の加熱源としては、半導体レーザー5aが用いられ、またその波長は810nm近傍の近赤外線を照射することにより焼成が行われる。なお、前記半導体レーザー5aは、図示していないが、複数の半導体素子をユニット化したものであり、それぞれの素子から発射されるレーザー光がガラスファイバーを使用して束ねられ、レンズユニットにより集光されて対象物に光を照射できるように形成されている。
【0030】
上記のような半導体レーザー5aを使用した場合、図3(B)の矢印で示されているように、ペースト1に照射される部分はレーザー光が吸収されて発熱が起こり加熱されるが、それ以外の部分はレーザー光は吸収されず、電極3およびガラス基板2を通り抜けてしまう。すなわち、この半導体レーザー5aは近赤外線が発射される素子を使用しており、上記で例示したペースト1はそのペーストの色が黒色であるため、近赤外線は吸収される。したがって、転写されたペースト1の部分のみ加熱処理が行われ、それ以外のガラス基板2の部分には発熱は起こらず、ガラス基板2が損傷することがない。
また、この半導体レーザー5aは、レーザー光の出力強度を容易にコントロールすることができ、それによって断線欠陥部6が、ペースト1の焼成において、高品質な焼成部として得ることができる。
【0031】
前述した高品質な焼成部を得るための一例として、図6に示すプロファイルを挙げることができる。すなわち、最初に、所定の出力まで上昇した後(0〜8秒)、一定時間段階的(8〜16秒、16〜24秒)に低出力が保持され、このとき予備焼成が行われて液体であるペースト1中の溶剤分が飛ばされる。その後一定時間(24〜34秒)高出力が保持されることにより、本焼成が行われて金属成分の析出が行われ、焼成完了後は徐々に出力を下げて(34〜42秒)冷却が行われる。上記のような工程を経ることにより、断線欠陥部6に形成された金属の析出部が、ひび割れのない且つ緻密である高品質な金属薄膜1aを得ることができる。なお、上記プロファイルは一例であり、ペースト1の転写量等によって適宜変更することができる。
【0032】
上記のようにして、断線欠陥部6が修復され、図3(C)に示すような金属の析出物による金属薄膜1aが得られ、修復された基板10aが得られるものである。
上記のように、ガラス基板2上の電極3に生じた断線欠陥部6に対して、転写装置4により金属の有機化合物からなるペースト1が転写され、そのペースト1の部分が半導体レーザー5aからなる加熱装置5によって焼成され、ペースト1中の金属成分のみを析出させて欠陥部の修復が行われるものである。
【0033】
【発明の効果】
本発明の基板上の欠陥電極の検査方法は、基板上の欠陥電極の位置の特定をライン方向の特定にとどまること無く、ライン上の位置まで特定することができる。
【0034】
また、本発明の検査装置は、2本の移動可能な導体と簡単な検査回路という安価な装置で構成することができるとともに、確実に素早く検査することができるものである。さらに、上記検査装置を使用することにより、作業者は欠陥を見落とすことなく確実に欠陥を発見することができるとともに、非常に神経を要する作業が必要でなくなることにより作業者への負担を軽減することができるものである。
【0035】
また、このような安価な検査装置を使用し、しかも作業スピードを上げることにより、液晶表示基板のコストダウンを図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の検査装置と、それに伴う修復装置とで構成される装置全体を示す説明図、
【図2】(A)検査装置の配置を示す平面図、(B)その側面図と検査装置に接続される回路図、
【図3】(A)(B)(C)は、欠陥電極の修正方法を示す工程図、
【図4】転写プローブの動作を示す説明図、
【図5】(A)は転写プローブの構造を示す正面図、(B)は拡大図、
【図6】焼成における時間と出力の関係を示すプロファイル、
【図7】基板上に形成された電極を表す平面図であり、(A)は正常、(B)はショート欠陥、(C)は断線欠陥を示す、
【符号の説明】
2 ガラス基板
3 電極
6 断線欠陥部
8 検査装置
8a 検査プローブ
8b 検査ブラシ
8c 検査回路
E 電源
R 抵抗
V 電圧
I 電流
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting a defective electrode on a substrate for inspecting a defect of an electrode formed on a glass substrate or the like of a liquid crystal display device. The present invention relates to a defective electrode inspection method and an inspection apparatus.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, as a display device used in a computer or the like, a matrix type display device using liquid crystal has been widely used in place of a display device using a cathode ray tube. In such devices, in order to increase the amount of data that can be displayed on the screen at one time, the development of large-screen or high-resolution liquid crystal display devices is also progressing, and the electrodes formed on the substrate are becoming smaller patterns. ing. Therefore, the occurrence of defective substrates increases due to a decrease in yield, and the defective substrates are repaired. Further, in order to reduce the cost of the liquid crystal display device, a defective substrate is repaired.
[0003]
A liquid crystal display device as described above uses a matrix type liquid crystal substrate. In a normal matrix type liquid crystal substrate, a transparent X electrode and a transparent Y electrode made of ITO or the like are formed on two glass substrates by etching, respectively, and the electrode forming surfaces of each substrate are arranged to face each other in a matrix. A liquid crystal is sealed between the glass substrates.
[0004]
As described above, when the electrode is formed on a glass substrate, defects illustrated in FIGS. 7B and 7C may occur. Such a defect is caused by the inclusion of a foreign substance during the etching process or a defect in the etching process. FIG. 7B shows a state in which a part of an adjacent line is in contact with a non-defective product in FIG. A short defect (C) indicates a disconnection (open) defect in which a part of the same line is missing.
[0005]
With respect to the short-circuit defect of the above (B), it was possible to specify the line of the short-circuit defect and the position of the line where the short-circuit defect occurred by using a conventionally used inspection apparatus. On the other hand, for the disconnection defect of (C), the visual processing of an image processing apparatus or an operator relies.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, for the disconnection defect shown in FIG. 7C, it is possible to specify which line of the electrode has the disconnection defect, but the position in the length direction cannot be specified due to the measurement principle.
For this reason, the line of the electrode 3 is monitored by a method based on image processing using (1) a camera and a monitor, and (2) a worker is visually monitored.
[0007]
In the case of the image processing of the above (1), the apparatus itself is very expensive because a dedicated camera and monitor are used, and it is not easy to set conditions such as lighting for illuminating the substrate. Had problems such as slow processing.
In addition, since the liquid crystal electrode pattern is formed by a very fine pattern, it requires a very large amount of time to perform the inspection in the case of visual inspection in the above (2). In addition, there was a risk of overlooking the defect and lacked certainty. Further, the above-mentioned inspection is very nervous, and there is a problem that a considerable burden is imposed on an operator.
[0008]
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problem, and it is an object of the present invention to specify the position in the length direction of a disconnection defect on a substrate on which a condition can be easily set and an inexpensive apparatus having a short inspection time can be specified. It is an object of the present invention to provide a defective electrode inspection method and an inspection apparatus.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The method for inspecting a defective electrode on a substrate according to the present invention is a method for inspecting a defective electrode on a substrate to specify the location of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate,
The first conductor is brought into contact with one electrode line to be inspected, the second conductor is brought into contact with the electrode line to be inspected and another electrode line adjacent to the electrode line, and the first conductor monitors the current value or voltage value between said second conductor to identify an electrode occurring defects,
While the first conductor is in contact with the specified electrode line, the second conductor is moved along the specified electrode line and another electrode line adjacent to the specified electrode line, and A change in a current value or a voltage value between the first conductor and the second conductor at the time is monitored, and a defective portion of the specified electrode line is specified .
[0010]
By the above means, the first conductor is brought into contact with one end in the longitudinal direction of the electrode and the second conductor is brought into contact with the other end, and the continuity between the two conductors on the electrode is inspected. At this time, if a disconnection defect occurs in the electrode, no current flows between the two conductors, and if a disconnection defect does not occur in the electrode, a current flows between the two conductors. By monitoring the current value or the voltage value generated in the circuit, it is possible to identify which line of the electrode has the disconnection defect.
[0012]
When the current value or the voltage value between the conductors is monitored and the position of the electrode having the disconnection defect in the line direction is specified, the second conductor moves while sliding on the electrode. When the two conductors are present on different sides of the disconnection defect, no change in the current value or the voltage value is observed, and when the second conductor moves and both conductors are present on the same side, the two conductors conduct to each other. The current value or voltage value changes. As described above, the exact position of the defective electrode is specified.
[0013]
In this case, it is preferable that the second conductor has a brush shape .
[0014]
Since the electrodes formed on the liquid crystal display substrate are extremely fine, if the movable conductor is a needle-like conductor when inspecting a defective electrode, the conductor may fall out of the electrode line during the movement, resulting in an inspection error. Occurred, and the defect position was not reliably determined. Therefore, a highly accurate correction device was required for positioning the substrate. However, as described above, one conductor was formed in a brush shape, and the adjacent electrode was formed. With such a configuration, a high-precision correction device is not required for positioning the substrate, and an inspection error can be prevented.
[0015]
Further, the present invention is an inspection apparatus for a defective electrode on a substrate for specifying the position of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate,
A first conductor in contact with one end of a single conductive Gokura inn with line breaking, and a second conductor in contact with the adjacent other electrode lines to the electrode lines and the electrode lines of line breaking, the it is characterized in that it has a moving device for moving along the second guide member to the electrode line with a line breaking, and a test circuit for monitoring the current or voltage between both conductors. In this case, it is preferable that the second conductor has a brush shape.
[0016]
With the above-described device, an inexpensive device can be configured without using an expensive device, and the inspection can be performed reliably and quickly.
[0017]
Note that the substrate of the present invention is represented by a glass substrate of a liquid crystal display device, but may be another IC mounting substrate or the like, and the electrode is a transparent electrode such as ITO in the case of a liquid crystal display device. However, another copper foil or gold foil electrode may be used.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a method for inspecting a defective electrode on a substrate according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an explanatory view showing the entire device from inspection to repair of a substrate. FIG. 2A is a top view showing the positional relationship between the substrate and the inspection device, and FIG. 2B is a side view and a circuit diagram thereof. is there.
Normally, as shown in FIG. 7, a substrate used in a liquid crystal display device has an X electrode or a Y electrode 3 made of a material such as ITO formed on a glass substrate 2 by etching at regular intervals in a line shape. . In some cases, for example, a foreign matter is mixed into the electrode 3 during the formation of the electrode by the etching process, so that a disconnection defect portion 6 as shown in FIG.
[0019]
An apparatus for specifying the position of the disconnection defect 6 as described above is the inspection apparatus 8 shown in FIG.
The inspection device 8 includes an inspection probe 8a as a first conductor, an inspection brush 8b as a second conductor, and an inspection circuit 8c.
The glass substrate 2 on which the electrodes 3 are formed is placed on a table 12 shown in FIG. 1 and the inspection of the electrodes 3 is performed. After the glass substrate 2 is positioned, an inspection probe 8a and an inspection brush 8b composed of two conductors are arranged at both ends of the line of the electrode 3. If necessary, the position of the glass substrate 2 can be finely adjusted by moving the table 12 in the XY direction or the θ direction.
[0020]
The tip of the inspection probe 8a is formed in a needle shape. Further, the inspection brush 8b is formed wide so as to straddle the line of the adjacent electrode 3, so that even if the inspection brush 8b is slightly displaced from the line of the electrode 3, an inspection error does not occur. It is preferable to use a conductive brush having a soft tip so that the electrode 3 is not damaged.
The inspection probe 8a and the inspection brush 8b are connected to an inspection circuit 8c. The inspection circuit 8c has a power source E, a resistor R, and a voltmeter for measuring a voltage V flowing through the resistor R. Both ends of the inspection circuit 8c are connected to the inspection probe 8a and the inspection brush 8b, respectively. Have been. The resistor R has a resistance sufficiently larger than that of the electrode 3.
[0021]
When the electrodes 3 are formed normally, a current I flows between the electrodes 3 to make the circuit conductive, and a voltage V (= IR) is generated at the resistor R. On the other hand, when the disconnection defect 6 exists in the electrode 3, the entire circuit does not conduct, and no current flows through the resistor R, so that no voltage is generated. By monitoring the presence or absence of this voltage value (V) on a monitor, it is possible to specify in which line of the electrode 3 the disconnection defect 6 occurs.
Subsequently, the defect position in the length direction of the electrode 3 is specified.
[0022]
As shown in FIGS. 2A and 2B, the inspection brush 8b starts moving in the direction of the inspection probe 8a, that is, in the direction from (1) to (4), and the position where the disconnection defect portion 6 is generated is determined. inspect. In this case, the inspection brush 8b moves while sliding on the electrode 3. At this time, in the state (2) located before the disconnection defect portion 6, no voltage is generated in the resistor R, and a voltage is generated in the state (3) at the time when the resistance R is exceeded. A voltage change occurs at the boundary, and the position of the disconnection defect portion 6 is specified.
As described above, the line at which the disconnection defect portion 6 occurs and the position of the line can be accurately specified.
[0023]
As shown in FIG. 1, the inspection device 8 is connected to a moving device 13c and a control device 11, and can move the inspection probe 8a and the inspection brush 8b by the moving device 13c. The operation is controlled, and the position data of the disconnection defect portion 6 is stored, and this data is sent to the next device for repair.
FIG. 1 shows the entire apparatus from inspection to repair of the glass substrate 2 on which the electrodes 3 are formed, and is composed of an inspection device 8, a transfer device 4, a heating device 5, and a control device 11.
[0024]
When the disconnection defect portion 6 is specified by the above-described method and apparatus, the transfer device 4 is operated next.
The transfer device 4 includes a transfer probe 4a, a moving device 13a, and a plate paste 1c. The transfer device 4 is controlled by the control device 11 so that the transfer probe 4a can be appropriately moved between the transfer probe 4a and the disconnection defect portion 6. The plate paste 1c is formed of a base 4d and a plate frame 4c, and the paste 1 is poured into the plate frame 4c and is flattened by a squeegee or the like to form a plate paste 1c.
Further, the heating device 5 is constituted by a semiconductor laser 5a and a moving device 13b.
[0025]
FIG. 3 shows a process of repairing the substrate having the disconnection defect portion 6.
The paste 1 is transferred to the disconnection defect portion 6 by the transfer probe 4a, and subsequently the paste 1 is baked by the semiconductor laser 5a. The semiconductor laser 5a is connected to the moving device 13b, and is controlled by the control device 11 so that the semiconductor laser 5a can freely move to the upper part of the paste 1 formed in the disconnection defect portion 6.
[0026]
The operation of the transfer probe 4a will be described with reference to FIG. 4. First, the transfer probe 4a is moved from the initial state (i) onto the plate paste 1c (ii) and is lowered (iii). Next, the transfer probe 4a is pushed in until it reaches the bottom of the plate paste 1c, and by raising the transfer probe 4a, a fixed amount of paste 1 is transferred to the tip of the transfer probe 4a. At this time, as shown in FIG. 5A, a coil spring 7 is provided as an elastic body inside the transfer probe 4a. When the transfer probe 4a reaches the bottom of the plate paste 1c, the coil spring 7 7, the transfer probe 4a is pressed by a force F from above. Next, the transfer probe 4a is moved onto the disconnection defect 6 (iv) and lowered (v). By raising the transfer probe 4a, the paste 1 is separated from the transfer probe 4a, and the paste 1 is transferred to the disconnection defect portion 6, and returns to the initial state (i) (vi).
[0027]
The material of the transfer probe 4a is preferably beryllium-copper, and as shown in FIG. 5 (B), the tip of the transfer probe 4a has a flat shape 4b to facilitate transfer. Is preferred.
The use of the transfer probe 4a as described above eliminates the need for a highly accurate positioning mechanism or control. When the amount of the paste 1 to be transferred is changed, it can be easily coped with by changing the depth of the plate paste 1c.
[0028]
The paste 1 composed of the metal organic compound is not a gold paste based on gold powder, but is formed by bonding gold atoms to an organic substance, and is entirely formed of a liquid paste. As such a paste 1, it is preferable to use a MOD (metallo organic deposition) type gold paste based on a gold resinate, and among them, a low temperature firing paste is preferable.
The unrepaired substrate 10 made of the paste 1 transferred to the disconnection defect portion 6 as described above is sent to the step of FIG. 3B, where the paste 1 is baked.
[0029]
A semiconductor laser 5a is used as a heating source of the heating device 5 used in this baking, and baking is performed by irradiating near infrared rays having a wavelength of about 810 nm. Although not shown, the semiconductor laser 5a is obtained by unitizing a plurality of semiconductor elements, and laser light emitted from each element is bundled using a glass fiber and condensed by a lens unit. It is formed so that the object can be irradiated with light.
[0030]
When the semiconductor laser 5a as described above is used, as shown by the arrow in FIG. 3B, the portion irradiated to the paste 1 absorbs the laser beam, generates heat, and is heated. The other portions are not absorbed by the laser beam and pass through the electrode 3 and the glass substrate 2. That is, the semiconductor laser 5a uses an element that emits near-infrared rays, and the paste 1 illustrated above absorbs near-infrared rays because the paste has a black color. Therefore, only the transferred portion of the paste 1 is subjected to the heat treatment, and the other portions of the glass substrate 2 do not generate heat, and the glass substrate 2 is not damaged.
Further, in the semiconductor laser 5a, the output intensity of the laser beam can be easily controlled, whereby the disconnection defect portion 6 can be obtained as a high quality fired portion in firing the paste 1.
[0031]
As an example for obtaining the high-quality fired portion described above, a profile shown in FIG. 6 can be mentioned. That is, first, after rising to a predetermined output (0 to 8 seconds), a low output is maintained for a fixed time stepwise (8 to 16 seconds, 16 to 24 seconds). Of the solvent in the paste 1 is removed. After that, by maintaining the high output for a certain time (24 to 34 seconds), the main firing is performed to deposit the metal component, and after the firing is completed, the output is gradually lowered (34 to 42 seconds) to cool down. Done. Through the above-described steps, it is possible to obtain a high-quality metal thin film 1a in which the deposited portion of the metal formed in the disconnection defect portion 6 is crack-free and dense. The above profile is an example, and can be changed as appropriate according to the amount of the paste 1 to be transferred.
[0032]
As described above, the disconnection defect portion 6 is repaired, a metal thin film 1a made of a metal precipitate as shown in FIG. 3C is obtained, and the repaired substrate 10a is obtained.
As described above, the paste 1 made of a metal organic compound is transferred to the disconnection defect portion 6 generated in the electrode 3 on the glass substrate 2 by the transfer device 4, and the portion of the paste 1 is made of the semiconductor laser 5a. The baking is performed by the heating device 5, and only the metal component in the paste 1 is precipitated to repair the defective portion.
[0033]
【The invention's effect】
According to the method for inspecting a defective electrode on a substrate of the present invention, the position of the defective electrode on the substrate can be specified not only in the line direction but also on the line.
[0034]
Further, the inspection apparatus of the present invention can be constituted by an inexpensive apparatus including two movable conductors and a simple inspection circuit, and can surely and quickly inspect. Further, by using the above-described inspection device, the worker can surely find the defect without overlooking the defect, and reduce the burden on the worker by eliminating the need for extremely nervous work. Is what you can do.
[0035]
Further, by using such an inexpensive inspection device and increasing the working speed, the cost of the liquid crystal display substrate can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing an entire apparatus composed of an inspection apparatus of the present invention and a repair apparatus associated therewith;
2A is a plan view showing an arrangement of the inspection apparatus, FIG. 2B is a side view thereof, and a circuit diagram connected to the inspection apparatus;
FIGS. 3A, 3B, and 3C are process diagrams showing a method for repairing a defective electrode; FIGS.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing the operation of the transfer probe.
5A is a front view showing the structure of a transcription probe, FIG. 5B is an enlarged view,
FIG. 6 is a profile showing a relationship between time and output in firing,
7A and 7B are plan views showing electrodes formed on a substrate, wherein FIG. 7A shows a normal state, FIG. 7B shows a short-circuit defect, and FIG.
[Explanation of symbols]
2 Glass substrate 3 Electrode 6 Disconnection defect 8 Inspection device 8a Inspection probe 8b Inspection brush 8c Inspection circuit E Power supply R Resistance V Voltage I Current

Claims (4)

基板上に形成された電極の断線欠陥の場所を特定する基板上の欠陥電極の検査方法であって、
第1の導体を検査対象となる1本の電極ラインに接触させ、第2の導体を検査対象となる前記電極ラインおよびこの電極ラインに隣合う他の電極ラインに接触させ、前記第1の導体と前記第2の導体との間の電流値または電圧値を監視して、欠陥の生じている電極を特定し、
前記第1の導体を特定された前記電極ラインに接触させた状態で、前記第2の導体を特定された前記電極ラインおよびこの電極ラインに隣合う他の電極ラインに沿って移動させて、このときの前記第1の導体と前記第2の導体との間の電流値または電圧値の変化を監視して、前記特定された電極ラインの欠陥箇所を特定することを特徴とする基板上の欠陥電極の検査方法。
A method for inspecting a defective electrode on a substrate to identify a location of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate,
The first conductor is brought into contact with one electrode line to be inspected, the second conductor is brought into contact with the electrode line to be inspected and another electrode line adjacent to the electrode line, and the first conductor monitors the current value or voltage value between said second conductor to identify an electrode occurring defects,
While the first conductor is in contact with the specified electrode line, the second conductor is moved along the specified electrode line and another electrode line adjacent to the specified electrode line, and Monitoring a change in a current value or a voltage value between the first conductor and the second conductor at the time to identify a defective portion of the specified electrode line. Inspection method of electrode.
前記第2の導体をブラシ状とする請求項1記載の基板上の欠陥電極の検査方法。 2. The method for inspecting a defective electrode on a substrate according to claim 1, wherein the second conductor has a brush shape . 基板上に形成された電極の断線欠陥の位置を特定する基板上の欠陥電極の検査装置であって、
断線欠陥のある1本の極ラインの一端に接触する第1の導体と、断線欠陥のある前記電極ラインおよびこの電極ラインに隣合う他の電極ラインに接触する第2の導体と、前記第2の導体を断線欠陥のある前記電極ラインに沿って移動させる移動装置と、両導体間の電流または電圧を監視する検査回路とを有することを特徴とする基板上の欠陥電極の検査装置。
An inspection device for a defective electrode on a substrate that specifies the position of a disconnection defect of an electrode formed on the substrate,
A first conductor in contact with one end of a single conductive Gokura inn with line breaking, and a second conductor in contact with the adjacent other electrode lines to the electrode lines and the electrode lines of line breaking, the a moving device for moving along the second guide member to the electrode line with a disconnection defect inspection apparatus of the defect electrodes on the substrate, characterized in that it comprises a test circuit for monitoring the current or voltage between both conductors .
前記第2の導体がブラシ状である請求項3記載の基板上の欠陥電極の検査装置。The inspection device for a defective electrode on a substrate according to claim 3, wherein the second conductor is in a brush shape.
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