JP3575764B2

JP3575764B2 - Manufacturing method of liquid crystal display device

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Publication number: JP3575764B2
Application number: JP2003074642A
Authority: JP
Inventors: 真澄久保; 覚岸本; 陽三鳴瀧; 正悟藤岡
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2003-03-18
Filing date: 2003-03-18
Publication date: 2004-10-13
Anticipated expiration: 2019-03-29
Also published as: JP2003307729A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、通過反射両用型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータ等のＯＡ（ＯｆｆｉｃｅＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器のポータブル化が進み、表示装置の低コスト化が重要な課題となっている。表示装置は、電気光学特性を有する表示媒体を挟んで各々電極が形成された一対の基板が設けられ、その電極間に電圧を印加することによって表示を行う構成を有する。このような表示装置の表示媒体としては、液晶、エレクトロルミネッセンス、プラズマ、エレクトロクロミック等が使用されており、特に、液晶を用いた液晶表示装置（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）が、薄型で低消費電力であるために最も実用化が進んでいる。液晶表示装置は、現在ワードプロセッサやパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器や、電子手帳等の携帯情報機器、及び液晶モニターを備えたカメラー体型ＶＴＲ等に多く用いられている。
【０００３】
液晶表示装置の表示モード及び駆動方法について、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマティック）モードを初めとする単純マトリクス方式は、最も低コスト化を実現できる部類に属する。しかし、今後、情報のマルチメディア化が進むにつれ、ディスプレイの高解像度化、高コントラスト化、多階調（マルチカラー、フルカラー）化及び広視野角化が要求されるようになるので、単純マトリクス方式では対応が困難であると考えられる。そこで、個々の画素にスイッチング素子（アクティブ素子）を設けて駆動可能な走査電極の本数を増加させるアクティブマトリクス方式が提案されている。この方式により、ディスプレイの高解像度化、高コントラスト化、多階調化及び広視野角化が達成されつつある。アクティブマトリクス方式の液晶表示装置においては、マトリクス状に設けられた画素電極と、画素電極の近傍を通る走査線とが、アクティブ素子を介して電気的に接続された構成となっている。アクティブ素子としては、２端子の非線形素子及び３端子の非線形素子があり、現在採用されているアクティブ素子の代表格は、３端子素子の薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）である。
【０００４】
液晶表示装置は透過型及び反射型を有する。液晶ディスプレイはＣＲＴ（ブラウン管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）とは異なり自らは発光しないため、バックライトと呼ばれる蛍光管からなる装置を背後に設置して照明する透過型が一般的である。しかし、バックライトは通常液晶ディスプレイの全消費電力のうち５０％以上を消費するため、バックライトの代わりに反射板を設置し、周囲光を利用して表示を行う反射型は、戸外や常時携帯して使用する機会が多い携帯情報機器にとって低消費電力化の観点から有利である。
【０００５】
反射型液晶表示装置で用いられる表示モードには、現在透過型で広く用いられているＴＮ（ツイステッドネマテイック）モード、ＳＴＮモードといった偏光板を利用するタイプの他、偏光板を用いないため明るい表示が実現できる相転移型ゲストホストモードも近年盛んに開発が行われている。
【０００６】
反射型液晶表示装置は周囲の光が暗い場合には視認性が極端に低下するという欠点を有する。一方、透過型液晶表示装置はこれとは逆に周囲光が非常に明るい場合−例えば晴天下等での視認性が低下する問題があった。そこで、絶縁基板上に、光反射機能を有する材料からなる反射電極とそれとは別に光透過機能を有する材料からなる透明電極を有する基板を用いることで、周囲の光が暗い場合ではバックライトを用いて透明電極を透過する光を利用して表示する透過型液晶表示装置として、周囲光が明るい場合には、光反射率の比較的高い膜で形成した反射電極での反射光を利用して表示する反射型液晶表示装置として表示が可能になる。これにより、１枚のパネルで周囲の光が暗い場合ではバックライトを用いて、周囲光が明るい場合はバックライトを使わずに周囲光を利用する透過反射両用型液晶表示装置として用いることが可能になる。
【０００７】
これは、従来の透過型液晶表示よりも周囲光が明るい場合にはバックライトを使わない分低消費電力であり、周囲の光が暗い場合ではバックライトを用いることで、従来の反射型液晶表示装置のように周囲の光が暗いと十分な表示が得られないという欠点を克服できる。
【０００８】
上記のような反射型液晶表示装置及び透過反射両用型液晶表示装置において、周囲光を利用して明るい表示を行なう為には、あらゆる角度からの入射光に対して表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。最適な反射特性を有する反射板を製造するために、反射板に凹凸部を再現性よく均一に形成することが必要になる。
【０００９】
反射板の形成について、絶縁基板に感光性樹脂層を塗布してパターン化した後熱処理を行うことによりパターン部を丸くなるように角落としを行うことによる方法がある。以下に、透過反射両用型液晶表示装置の透過反射両用型基板（素子側基板）の従来の製造工程について、図１〜３を参照しながら説明する。
【００１０】
図１は、透過反射両用型基板１０の一画素分の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。透過反射両用型基板１０は、ソースバスライン１２、ゲートバスライン１４、ソースバスライン１２とゲートバスライン１４に囲まれる領域に形成されている画素電極２７及び２９、ならびに各画素電極に対応して設けられているアモルファスシリコントランジスタ（ＴＦＴ）１６を含んでいる。複数の画素電極が基板上にマトリクス状に配置され、液晶表示装置の表示部を構成する。画素電極は、光透過領域１８（電極２７に対応）と光透過領域１８以外の光反射領域１９（電極２９に対応）とを含んでいる。光反射領域１９はゲートバスライン１４と部分的に重なっている（領域Ａ）。
【００１１】
ＴＦＴ１６部は、図２に示すように、ガラス基板２０上のゲート電極１４ａ（Ｔａ膜）、絶縁層２１（ＳｉＮｘ膜）、半導体層２２（ａ−Ｓｉ膜）、ｎ型半導体層２３（ｎ型ａ−Ｓｉ膜）、ソース電極２４・ドレイン電極２５（ＩＴＯ膜）、及びＴａによる２つの層２６を含んでいる。光透過領域における画素電極２７は、ソース電極２４・ドレイン電極２５と同時に形成したＩＴＯなどの膜から構成されている（なお、透過画素電極２７上にはＴａ膜は存在しない）。基板上部には凹凸部を有する感光性樹脂層２８が形成され、その上面の一部にＡｌ／Ｍｏ膜による光反射領域１９の画素電極２９が設けられている。
【００１２】
この透過反射両用型基板１０は図３（ａ）〜（ｆ）に示すような工程により形成される。なお、図３（ａ）〜（ｆ）は図２のＴＦＴ１６を省略した部分に対応する。まず、図３（ａ）に示すように、上面にゲートバスライン１４、絶縁層２１及び画素電極２７が形成されている基板２０の上に、ポジ型の感光性樹脂層２８（日本合成ゴム製アクリル樹脂）を３．７μｍの厚さに塗布する。感光性樹脂層２８の領域Ａにおける部分の下には、ゲートバスライン１４などの表面反射が比較的高いパターンが存在しており、感光性樹脂層２８の領域Ｂにおける部分の下には、絶縁膜２１及び透明電極（画素電極２７）等の表面反射が比較的低い層のみが形成され表面反射が比較的高いパターンが存在しない。
【００１３】
このような基板に対し、図４に示す遮光部４２を有するフォトマスク（遮光マスク）４０を用いて、均一に低照度で露光４４を行う（図３（ｂ））。フォトマスク４０について、遮光部４２は直径１２μｍの丸型の形状を有し、遮光部４２の中心間隔が１４μｍである。但し、均一に遮光部４２の中心間隔が１４μｍとなるように配置すると反射光の干渉が問題となるので、遮光部４２の中心間隔は最小が１４μｍ前後になるようにランダムに配置したものを用いる。露光強度は、素ガラスにおいて露光条件をふりながら反射特性を評価し、良好な反射特性が得られる露光強度を求めた結果に基づき、５０ｍＪに設定されている。
【００１４】
次に、図５に示すような、コンタクトホール部２８ａ及び透過領域１８の透過電極２７に対応する部分を開口した露光部２８ｂ及び２７ｂを持つフォトマスク５０を用いて、図３（ｃ）に示すように均一に高照度で露光を行なう。露光強度は２６０ｍＪである。
【００１５】
次に、図３（ｄ）に示すように、現像液で現像を行う。これにより、上述した高照度露光部分（露光部２８ｂ及び２７ｂ）の樹脂が完全に除去され、低照度露光部の樹脂は初期の膜厚に対して幾らか膜減りする。
【００１６】
次に、図３（ｅ）に示すように、１００℃で１１分加熱処理を行ない、その後２２０℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって低照度露光された領域の樹脂が変形し、なだらかな凹凸形状を得る。
【００１７】
次に、反射電極２９としてＭｏ薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成し、その上にＡ１薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成しパターニングを行う。具体的には、フォトレジストを基板上に塗布し、透過電極部２７ａ上部のフォトレジストの部分を露光してから、現像、エッチング、剥離の工程を行うことによってＡｌ／Ｍｏ電極のパターニングを行い、図３（ｆ）に示すような反射画素電極２９を完成させる。
【００１８】
以下に、従来の反射型液晶表示装置について簡単に説明する。反射型液晶表示装置の素子側基板の形成について、ガラス等からなる基板の表面に最適な反射特性を有するために制御された凹凸を形成しその上に銀などの薄膜を形成し反射板を形成する手段がある。特開平６−７５２３８号公報において、基板上に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光部が配列された遮光マスクを介して感光性樹脂を露光及び現像した後に熱処理を行うことにより複数の凸部を形成している。この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体保護膜を形成し絶縁体保護膜上に金属薄膜からなる反射板を形成している。また、反射板を外側に形成することで問題となるガラス厚みの影響による二重映りの発生を、反射板を内部に形成し画素電極と兼ねる構造にすることで解決している。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の上記のような工程により形成される透過反射両用型液晶表示装置の反射板において、次のような問題点がある。
【００２０】
感光性樹脂層２８の下にバスラインや補助容量等の表面反射が比較的強い配線パターンが存在する領域Ａと、感光性樹脂層２８の下に絶縁膜、透明電極等の表面反射が比較的弱い領域Ｂでは、同じ露光強度で凹凸形状を形成しても、凹凸の段差形状に差が見られる。例えば上記図３の工程によれば、領域Ａにおいては凸部の感光性樹脂層２８の厚さａが２．７μｍ、凹部の厚さｂが１．０μｍであるに対して、領域Ｂにおいては凸部の感光性樹脂層２８の厚さａ’が２．９μｍ、凹部の厚さｂ’が１．９μｍである（図３（ｅ））。領域Ａにおいて凹凸形状の段差が大きくなった原因としては、領域Ａにおいては感光性樹脂層の下に存在するパターンでの表面反射により露光量が増加するため、凹凸形状の段差が、領域Ｂに比べて大きくなることが考えられる。
【００２１】
すなわち、絶縁基板に感光性樹脂を塗布してパターン化する際に、感光性樹脂の下地がバスライン等の表面反射が比較的高い場合と、絶縁膜、透明電極等の表面反射が比較的低い場合とでは、その上に形成された凹凸形状が異なって設計通りの反射特性が実現できなかった。同じ露光強度で凹凸形状をパターン化しても、感光性樹脂の下地が表面反射の比較的高い場合には、表面反射により露光量が増加するため、凹凸形状の段差が、下地が表面反射の比較的低い場合に比べて大きくなる。
【００２２】
また、３端子非線形抵抗素子が形成された基板上には、バスラインや補助容量などの導電性薄膜層、絶縁体層、半導体層などの積層が多く形成されており平坦ではなく、それぞれの層ごとに段差が存在している。このため、凹凸部を形成するための感光性樹脂も下層の段差の影響を受け均一な膜厚を保つことができなくなる。領域Ｂのように、領域Ａ上に感光性樹脂を塗布すると、基板表面の段差のためにバスラインや補助容量などの上の感光性樹脂の膜厚が、それ以外の部分（領域Ｂ）の感光性樹脂の膜厚より薄くなる。ポジ型感光性樹脂で凹凸部を形成する際、すべて同じ直径の円形の遮光部を有する遮光手段を用いた場合、感光性樹脂の膜厚が異なる領域で、大きさ（直径）の異なる円形の凸部が形成されてしまう。また、すべて同じ直径の円形の透光部を有する遮光手段を用いた場合も、感光性樹脂の膜厚が異なる領域で、大きさ（直径）の異なる円形の凹部が形成されてしまう。ネガ型感光性樹脂で凹凸部を形成する際も同様に異なる円形の凹部あるいは凸部が形成されてしまう。また、絶縁基板に感光性樹脂を塗布してパターン化する際に、領域Ａで反射効率が良好になるように露光すると、領域Ｂでは露光量不足で凹凸形状が十分に形成されず、良好な反射特性が得られない。一方、絶縁基板に感光性樹脂を塗布してパターン化する際に、領域Ｂで反射効率が良好になるように露光すると、領域Ａでは露光量オーバーで急峻な凹凸形状が形成され、良好な反射特性が得られない。
【００２３】
上記のように、同一画素内でも凹凸形状が領域ごとに異なることとなり、最適な反射特性を得るために制御された凹凸を画素内で均一に形成することが困難であった。
【００２４】
以上の説明は透過反射両用型液晶表示装置に関しているが、反射型液晶表示装置は表示部が透過領域１８を有しておらずすべてが反射領域となる場合であり、基本的に上記と同様な問題を持っている。反射型液晶表示装置の反射板の凹凸部は、円形のものがランダムに配置されて形成されており、その直径φが１μｍ〜３０μｍであり、またそれらの隣接する間隔も同様に１μｍ〜３０μｍと非常に微少である。このため、高精細なフォトリソグラフィが要求され、均一な凹凸部を持つ反射板を形成することが困難であった。
【００２５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、良好な反射特性を有する反射板を備えた透過反射両用型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置、ならびにそれらの製造方法を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明による液晶表示装置の製造方法は、第１の基板と、液晶層を挟んで該第１の基板に対向する対向基板と、を備えた液晶表示装置の製造方法であって、該第１の基板の該液晶層側表面における第１の領域及び該第１の領域より反射率が低い第２の領域に感光性樹脂層を形成する工程と、複数の円形パターンを有するとともに該第１の領域における該円形パターンの直径が該第２の領域における該円形パターンの直径よりも小さい遮光マスクを用いて該感光性樹脂層を露光し、該第１の領域及び該第２の領域に該感光性樹脂層による凹凸を形成する工程と、該感光性樹脂層の該液晶層側に該凹凸が反映されるように光反射板を形成する工程と、を包含する。
【００２７】
前記円形パターンは遮光部である。
【００２８】
前記露光は、前記第１の領域及び前記第２の領域に対して同じ照度で行う。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の基本的なコンセプトを説明する。
【００３０】
本発明では、良好な反射特性を有する反射板を持つ透過反射両用型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置を形成するために、感光性樹脂層の露光工程において、感光性樹脂層の異なる領域に対して露光量を変える。より具体的には、感光性樹脂の下地が表面反射の比較的高い領域又は配線などが存在することで感光性樹脂層の厚さが比較的に小さい領域（領域Ａ）の露光量を、下地が表面反射の比較的低い領域又は配線などが存在しないことで感光性樹脂層の厚さが比較的に大きい領域（領域Ｂ）の露光量より低くなるように設定する。
【００３１】
この露光量の調整について、均一なパターンを持つフォトマスク（遮光マスク）を用い露光する光の強度（露光強度）を制御する方法と、異なる領域のパターンが異なっているフォトマスクを用いて露光を行う方法などがある。
【００３２】
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態として、透過反射両用型基板を備えた透過反射両用型液晶表示装置及びその製造方法を説明する。
【００３３】
本実施形態における透過反射両用基板の一画素分の平面図は、基本的には図１に示す構成と同様であり、その説明を省略する。図６は、本発明による透過反射両用型基板６０の図１のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す。透過反射両用型基板６０における反射板６９は、実質的に同一なサイズの凹凸を持っており、均一で良好な反射特性を有する。本願明細書において、反射板が持っている「実質的に同一なサイズの凹凸」とは、反射板が、１つの画素内で表示品質に不均一を生じさせない反射特性を示すようなサイズのばらつきを有する凹凸を指す。なお、透過反射両用型基板６０の他の部分は図２に示す対応の部分と基本的に同様である。
【００３４】
以下に、図７（ａ）〜（ｇ）を参照しながら透過反射両用型液晶表示装置の製造方法を説明する。本実施形態において、均一なパターンを持つフォトマスクを用い感光性樹脂層を露光する露光量を制御することで、感光性樹脂層の表面に所望の凹凸を形成する。なお、図７（ａ）〜（ｇ）は図６のＴＦＴ１６を省略した部分に対応する。
【００３５】
まず、図７（ａ）に示すように、上面にゲートバスライン１４、絶縁層２１及び画素電極２７が形成されている基板２０の上に、ポジ型の感光性樹脂層６８（日本合成ゴム製アクリル樹脂）を３．７μｍ程度の厚さに塗布する。感光性樹脂層６８の領域Ａにおける部分の下には、ゲートバスライン１４などの表面反射が比較的高いパターンが存在しており、感光性樹脂層６８の領域Ｂにおける部分の下には、絶縁膜２１及び透明電極（画素電極２７）等の表面反射が比較的低い層のみが形成され表面反射が比較的高いパターンが存在しない。このため、感光性樹脂層６８の厚さは領域Ａの部分が領域Ｂの部分より小さい。
【００３６】
このような基板を、図８に示すような、領域Ａがすべて遮光し、それ以外の領域（領域Ｂ）が不規則に配置された遮光部８２を有する第１のフォトマスク８０を用いて、均一に低照度で露光４４を行う（図７（ｂ））。フォトマスク８０について、遮光部８２は直径Ｄが１２μｍの丸型の形状を有し、遮光部８２の中心間隔Ｅが１４μｍである。但し、均一に遮光部８２の中心間隔が１４μｍとなるように配置すると反射光の干渉が問題となるので、遮光部８２の中心間隔は、最小が１４μｍ前後になるようにランダムに配置したものを用いる。露光強度は、約５０ｍＪに設定されている。
【００３７】
次に、図９に示すような、領域Ａは不規則に配置された遮光部８２を有し、それ以外の領域（領域Ｂ）が全面遮光している第２のフォトマスク９０を用いて、図７（ｃ）に示すように均一に低照度で露光４４を行う。遮光部８２のサイズ及び配置は上記の第１のフォトマスク８０を用いる露光工程のそれと同一である。この工程で、露光強度を第１のフォトマスク８０の場合と同じく５０ｍＪで露光を行なうと、感光性樹脂層の領域Ａにおける凹凸形状の段差が領域Ｂのそれより大きくなる。なぜなら、感光性樹脂層６８の領域Ａの下には表面反射が比較的強い配線パターン（ゲートバスライン１４）が存在しており、さらにこれにより感光性樹脂層６８の領域Ａの部分の膜厚がそれ以外の部分（領域Ｂ）のそれより薄いからである。
【００３８】
領域Ａについての最適な露光強度を設定するために、透過反射両用型基板に対して、図４に示す従来のフォトマスク４０を用いて露光を行い、露光強度と領域Ａと領域Ｂでの凹凸形状の段差の関係を調べた。その結果を図１０に示す。図１０では、反射特性を支配する凹凸のサイズのばらつきとして、凹凸の相対的な形状だけでなく、同一面からの高さの均一性も考慮するため、樹脂膜厚に下地膜を加算した値を縦軸に設定している。すなわち、領域Ａにおいては、領域Ｂと同一面からの高さの均一性も比較できるように、ゲートバスラインの膜厚０．３μｍを加算している。図１０から分かるように、領域Ａの凸部の感光性樹脂層の厚さａと領域Ｂの凸部の感光性樹脂層の厚さａ’（図３（ｅ）参照）は、露光強度に関係なくほぼ一定である。一方、凹部の感光性樹脂層の厚さは、露光強度３５ｍＪ時（厚さｂ）と、露光強度５０ｍＪ時（厚さｂ’）がほぼ等しい。上記の結果に基づいて、本実施形態では、図７（ｃ）に示す工程において領域Ａに対する第２のフォトマスク９０を用いて露光する場合の露光強度を約３５ｍＪに設定する。
【００３９】
次に、図５に示すような、コンタクトホール部２８ａ及び透過領域１８の透過電極２７ａに対応する部分を開口した露光部２８ｂ及び２７ｂを持つフォトマスク５０（第３のフォトマスク）を用いて、図７（ｄ）に示すように均一に高照度で露光を行なう。露光強度は２６０ｍＪである。
【００４０】
次に、図７（ｅ）に示すように、現像液で現像を行う。これにより、上述した高照度露光部分（露光部２８ｂ及び２７ｂ）の樹脂が完全に除去され、低照度露光部の樹脂は初期の膜厚に対して幾らか膜減りする。
【００４１】
次に、図７（ｆ）に示すように、１００℃で１１分加熱処理を行ない、その後２２０℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって低照度露光された領域の樹脂が変形し、なだらかな凹凸形状を得る。
【００４２】
次に、反射電極６９としてＭｏ薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成し、その上にＡ１薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成しパターニングを行う。具体的には、フォトレジストを基板上に塗布し、透過電極２７ａ上部のフォトレジストの部分を露光してから、現像、エッチング、剥離の工程を行うことによってＡｌ／Ｍｏ電極のパターニングを行い、図７（ｇ）に示すような反射画素電極６９を完成させる。反射画素電極６９は実質的に感光性樹脂層６８と同一の凹凸形状を有する。
【００４３】
以上の工程により、なだらかで高密度な反射凹凸を有する反射板を形成していると共に、領域Ａにおいても領域Ｂにおいても反射板が形成されている領域では段差が均一な凹凸形状が得られる。つまり、従来技術による反射板が有する凹凸形状（Ａ領域における段差（ａ−ｂ＝２．７μｍ−１．０μｍ）が１．７μｍ、Ｂ領域における段差（ａ’−ｂ’＝２．９μｍ−１．９μｍ）が１．０μｍに対し、本発明による反射板の凹凸は、領域Ａでも領域Ｂでも段差（ａ−ｂ＝２．７−１．６＝１．１、及びａ’−ｂ’＝３．０−１．９＝１．１）が１．１μｍという同一なサイズを有する。この結果、従来の反射板と比べて、本発明による反射板が均一で良好な反射率を示す。
【００４４】
上記のように形成した透過反射両用型基板と対向電極を有するカラーフィルタ基板とを貼り合わせて、基板間に液晶を注入して透過反射両用型液晶表示パネルを作成する。
【００４５】
以上の説明では、フォトマスクの遮光部が円形の形状となっているが、円形の代わりに、四方形、長方形などの他の幾何学的形状を有してもよい。さらに、本実施形態では、感光性樹脂層現像後、凹部が存在するように露光しているが、後述する図２０に示すように、感光性樹脂層現像後、凸部だけが存在する工程においても、凸部の形状を調整するため、最適な露光量を設定することで、実質的に同一なサイズを有する凹凸形状を実現することができる。これらのことは以下の実施形態についても同様である。
【００４６】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態として、透過反射両用型液晶表示装置の他の製造方法を説明する。上記の第１の実施形態では、感光性樹脂層に凹凸を形成するために２枚のフォトマスク（８０及び９０）を用いて感光性樹脂層の領域Ａ及び領域Ｂの部分を２つの工程で露光している。本実施形態では、凹凸を形成するために、領域Ａ及び領域Ｂに対応する部分が異なるパターンを持つ１枚のフォトマスクを用いて１つの露光工程を行う。このフォトマスクにおいて、領域Ａにおける露光する面積対遮光する面積の比率が、領域Ｂにおける露光する面積対遮光する面積の比率より小さく設定される。図１１（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、本実施形態により対角２インチの透過反射両用型液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００４７】
まず、図１１（ａ）に示すように、上面にゲートバスライン１４、絶縁層２１及び画素電極２７が形成されている基板２０の上に、ポジ型の感光性樹脂層６８（日本合成ゴム製アクリル樹脂）を３．７μｍ程度の厚さに塗布する。
【００４８】
このような基板を、図１２に示すフォトマスク１２０を用いて、均一に低照度で露光４４（露光強度、約５０ｍＪ）を行う（図１１（ｂ）。フォトマスク１２０は、不規則に配置された円形の遮光部１２２ａを持つ領域Ａのパターンと、領域Ａのパターンと遮光部１２２ａの直径及び中心間隔が異なる遮光部１２２ｂを持つ領域Ｂのパターンを有する。遮光部１２２ａ及び１２２ｂの大きさ及び中心間隔を調整すれば、感光性樹脂層６８の領域Ａの部分に対する露光量を領域Ｂの部分に対する露光量より少なくすることができる。（遮光部１２２ａ及び１２２ｂの大きさ及び中心間隔の最適な値についての考察は後ほど詳細に説明する。）本実施形態では、フォトマスク１２０の領域Ａの丸型遮光部１２２ａは直径が１０μｍ、中心間隔が１２μｍであり、領域Ｂの丸型遮光部１２２ｂは直径が１２μｍ、中心間隔が１４μｍである。但し、遮光部の中心間隔を均一に１２μｍ及び１４μｍに設定すると反射光の干渉が問題となるので、遮光部の中心間隔は、最小がそれぞれ１２μｍ及び１４μｍ前後になるようにランダムに設定することが好ましい。露光条件は第１の実施形態と同様に、５０ｍＪの露光強度に設定される。
【００４９】
次に、図５に示すような、コンタクトホール部２８ａ及び透過領域１８の透過電極２７ａに対応する部分を開口した露光部２８ｂ及び２７ｂを持つフォトマスク５０を用いて、図１１（ｃ）に示すように均一に高照度で露光を行なう。露光強度は２６０ｍＪである。
【００５０】
次に、図１１（ｄ）に示すように、現像液で現像を行う。これにより、上述した高照度露光部分（露光部２８ｂ及び２７ｂ）の樹脂が完全に除去され、低照度露光部の樹脂は初期の膜厚に対して幾らか膜減りする。
【００５１】
次に、図１１（ｅ）に示すように、１００℃で１１分加熱処理を行ない、その後２２０℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって低照度露光された領域の樹脂が変形し、なだらかな凹凸形状を得る。
【００５２】
次に、反射電極６９としてＭｏ薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成し、その上にＡ１薄膜をスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さに形成しパターニングを行う。具体的には、フォトレジストを基板上に塗布し、透過電極２７ａ上部のフォトレジストの部分を露光してから、現像、エッチング、剥離の工程を行うことによってＡｌ／Ｍｏ電極のパターニングを行い、図１１（ｆ）に示すような反射画素電極６９を完成させる。このように形成した透過反射両用型基板と対向電極を有するカラーフィルタ基板とを貼り合わせて、基板間に液晶を注入して透過反射両用型液晶表示パネルを作成する。
【００５３】
以下に、本実施形態で用いられるフォトマスク１２０の遮光部１２２ａ及び１２２ｂの大きさ及び中心間隔の最適な値について考察する。
【００５４】
まず、この考察を行うために、遮光部の大きさ及び中心間隔が異なる複数のフォトマスク（図４に示すフォトマスク４０を参照）を用いて、複数の透過反射両用型基板を形成する。具体的には、素ガラス基板の上に、ポジ型の感光性樹脂層を３．７μｍ程度の厚さに塗布してから、一定の大きさ及び中心間隔を持つ遮光部を有するフォトマスクを用いて、均一に低照度で露光（露光強度、約５０ｍＪ）を行う。現像後、１００℃で１１分加熱処理を行ない、さらに２２０℃で６０分間の加熱処理を行う。そして基板上にＡｌ（厚さ１００ｎｍ）／Ｍｏ（厚さ１００ｎｍ）による反射板を形成する。この反射基板とガラス基板をサリチル酸メチルを挟んで貼り合わせ、ミノルタＣＭ−２００２を用いて標準白色板をリファレンスにして、反射強度を表すＹ値を測定した。この結果を図１３に示す。
【００５５】
図１３において、曲線（８−２Ｐ）は丸型遮光部の直径が８μｍであり中心間隔が１０μｍであるパターンを有するフォトマスクを用いて形成した反射基板、曲線（１０−２Ｐ）は丸型遮光部の直径が１０μｍであり中心間隔が１２μｍであるパターンを有するフォトマスクを用いて形成した反射基板、曲線（１２−２Ｐ）は丸型遮光部の直径が１２μｍであり中心間隔が１４μｍであるパターンを有するフォトマスクを用いて形成した反射基板の場合の、露光強度と反射板のＹ値との関係を示す。但し、均一に遮光部の中心間隔がそれぞれ１４μｍ、１２μｍ、１０μｍとなるように配置すると反射光の干渉が問題となるので、遮光部の中心間隔は、それぞれ最小が１４μｍ、１２μｍ、１０μｍ前後になるようにランダムに配置したものを用いた。
【００５６】
図１３によると、遮光部の直径が１２μｍから１０μｍ、８μｍと小さくなるに連れて、Ｙ値が最大になる露光強度が大きくなるのがわかる。このことから、図１２に示すフォトマスク１２０を用いて感光性樹脂層の露光を行う場合、領域Ａの遮光部１２２ａの直径を領域Ｂの遮光部１２２ｂの直径よりも小さくすることで、遮光部の直径が全面同じであるフォトマスクで露光した場合よりも、より良好な反射特性が得られることが分かる。
【００５７】
本実施形態によって形成される表示パネルは、従来技術にる表示パネルに比べてより高いＹ値が得られる（なお、Ｙ値の測定に関して、液晶層の層厚が反射特性に影響を与えないように、偏光板はパネルに貼り合わせずに測定を行なっている）。より具体的に、図４に示すフォトマスク４０（遮光部は均一に直径１２μｍ、中心間隔が１４μｍとなっている）を用いる従来技術によるパネルは、Ｙ値が５．２８となっている。これに対し、第２の実施形態の方法により、領域Ａの遮光部１２２ａの直径が８μｍ、中心間隔が１０μｍ、領域Ｂの遮光部１２２ｂの直径が１２μｍ、中心間隔が１４μｍとなるフォトマスク１２０を用いて形成したパネルのＹ値が５．３１となる。また、同様に第２の実施形態の方法により、領域Ａの遮光部１２２ａの直径が１０μｍ、中心間隔が１２μｍ、領域Ｂの遮光部１２２ｂの直径が１２μｍ、中心間隔が１４μｍとなるフォトマスク１２０を用いて形成したパネルのＹ値が５．７３となり、従来例のパネルに比べて約９％の反射特性の改善が認められる。この様に、フォトマスクの領域Ａと領域Ｂで遮光部の直径又は中心間隔を変えることで、反射板の反射特性の向上が可能である。
【００５８】
本実施形態は、第１の実施形態に比べてさらに次のような利点を有する。第１の実施形態では、感光性樹脂層に凹凸を形成するための露光工程において、２枚のフォトマスクを用いて２回の工程を行うが、第２の実施形態によれば、２種類のパターンを持つフォトマスクを用いることで、１枚のフォトマスクにより１つの露光工程で所望の凹凸が形成できる。このため、露光量を変えることでマスク数や工程数の増加による生産効率の低下が避けられる。
【００５９】
なお、基板上に形成された配線パターンなどを考慮して、その上に反射画素電極（反射板）が形成される感光性樹脂層の全面に均一な形状の凹凸を形成するのに必要であれば、感光性樹脂層の露光に用いられるフォトマスクの遮光部のパターン（遮光部のサイズ及び間隔）を２種類以上にしても良い。
【００６０】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態として、透過反射両用型液晶表示装置のさらに他の製造方法を説明する。本実施形態は、感光性樹脂層に凹凸を形成するために用いるフォトマスクのパターンが第２の実施形態のそれと異なっており、製造方法は第２の実施形態の場合に類似する。以下では、主にこのフォトマスクのパターンについて説明する。
【００６１】
図１４に示すように、本実施形態に用いるフォトマスク１４０の領域Ａ及び領域Ｂの２種類のパターンは、不規則に配置された遮光部１４２ａ及び１４２ｂの直径が同一で遮光部の中心間隔が異なっている。感光性樹脂層に均一な凹凸形状を形成するために、フォトマスク１４０の領域Ａにおける遮光部１４２ａの中心間隔を、領域Ｂにおける遮光部１４２ｂの中心間隔より小さくしている。
【００６２】
遮光部の間隔を変化させ、遮光部の直径を一定にしたマスクパターンでの最適露光強度を評価するために、遮光部の直径が８μｍの丸型で、遮光部の中心間隔が１０μｍとなるように配置したパターン（８−２Ｐ）と、遮光部の直径が８μｍの丸型で、遮光部１７の中心間隔が１１μｍとなるように配置したパターン（８−３Ｐ）を有するフォトマスクを用いて露光強度を変化させて反射板を作成し、その露光強度とＹ値との関係を調べた。その結果を図１５に示す。反射板の作成において、均一に遮光部の中心間隔がそれぞれ１０μ、１１μｍとなるように配置すると反射光の干渉が問題となるので、遮光部の中心間隔は、それぞれ最小が１０μｍ又は１１μｍ前後になるようにランダムに配置したものを用いた。
【００６３】
図１５によると、遮光部の間隔が１１μｍから１０μｍと小さくなるに連れて、Ｙ値が最大になる露光強度が大きくなるのがわかる。このことからも、領域Ａの遮光部１４２ａの間隔を領域Ｂの遮光部１４２ｂの間隔よりも小さくすることで、領域Ａにおける感光性樹脂層の露光する面積を領域Ｂにおける感光性樹脂層の露光する面積より小さくすることによって、領域Ａ及び領域Ｂに対して同じ強度の光を照射しても均一な形状の凹凸を形成することが期待できる。その結果、遮光部の間隔が全面同じであるフォトマスクで露光した場合よりも、より良好な反射特性を示す反射電極が得られる。
【００６４】
本実施形態によるフォトマスク１４０を用いて感光性樹脂層に凹凸を形成する場合、フォトマスクのパターン１４２ａ及び１４２ｂの具体的な寸法は、感光性樹脂の塗布膜厚や、感光性樹脂の下にある配線パターンの表面反射特性や膜厚を考慮して適切に設定すればよい。
【００６５】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態として、透過反射両用型液晶表示装置のさらに他の製造方法を説明する。本実施形態は、感光性樹脂層に凹凸を形成するために用いるフォトマスクのパターンが第２の実施形態のそれと異なっており、製造方法は第２の実施形態の場合に類似する。以下では、主にこのフォトマスクのパターンについて説明する。
【００６６】
図１６に示すように、本実施形態によるフォトマスク１６０は、領域Ａの透光部１６２ａの直径が領域Ｂの透光部１６２ｂの直径より小さく、透光部１６２ａの最小間隔（１つの透光部の辺と隣りの透光部の辺との最小間隔）と透光部１６２ｂの最小間隔とは同一になるように設定される。なお、透光部１６２ａ及び透光部１６２ｂは不規則に配置されている。
【００６７】
このようなフォトマスクでの最適露光強度を評価するために、透光部の直径が８μｍの丸型で、透光部の中心間隔が最小１２μｍとなるように配置したパターン（８−４Ｎ）と、透光部の直径が６μｍの丸型で、透光部の中心間隔が最小１０μｍとなるように配置したパターン（６−４Ｎ）を有するフォトマスクを用いて露光強度を変化させて作成した反射板に対し、露光強度とＹ値の依存性を調べた。その結果を図１７に示す。なお、反射板の作成において、均一に透光部の中心間隔がそれぞれ最小１０μｍと最小１２μｍとなるように配置すると反射光の干渉が問題となるので、透光部の中心間隔は、それぞれ１０μｍ前後と１２μｍ前後になるようにランダムに配置したものを用いた。
【００６８】
図１７によると、透光部の直径が８μｍから６μｍと小さくなるに連れて、Ｙ値が最大になる露光強度が大きくなるのがわかる。このことからも、領域Ａの透光部１６２ａの直径を領域Ｂの透光部１６２ｂの直径よりも小さくすることで、透光部の直径が全面同じであるフォトマスクで露光した場合よりも、より良好な反射特性が得られることが期待できる。よって、領域Ｂよりも領域Ａの方が、感光性樹脂の低照度露光する面積を小さくすることで、同じ露光強度で領域Ａでも領域Ｂでも良好な反射特性を持つ反射電極を形成できる。
【００６９】
本実施形態によるフォトマスク１６０を用いて感光性樹脂層に凹凸を形成する場合、フォトマスクのパターン１６２ａ及び１６２ｂの具体的な寸法は、感光性樹脂の塗布膜厚や、感光性樹脂の下にある配線パターンの表面反射特性や膜厚を考慮して適切に設定すればよい。
【００７０】
以上の実施形態では、透過電極領域である領域１８（領域Ｃ）は領域Ｂに含まれるようにし（図２参照）、領域Ｂと同じマスクパターンで低照度露光を行なったが、領域Ｃはコンタクトホール部と共に感光性樹脂をすべて除去するので、透過電極領域である領域Ｃは領域Ａと同じマスクパターンで低照度露光を行なってもよい。
【００７１】
また、上記の説明では反射板の凹凸を１層の感光性樹脂で形成しているが、複数の感光性樹脂層を用いて凹凸を形成してもよい。例えば、第１の感光性樹脂を塗布後凹凸パターンを形成した後、その上に第２の感光性樹脂層を塗布し、反射板を形成することができる。
【００７２】
なお、下地が表面反射の比較的低い領域（領域Ｂ）の感光性樹脂層表面の凹凸形状と同様な凹凸をバスライン上（領域Ａ）の感光性樹脂層表面に形成することが理想的であるが、バスラインのパターンが比較的細い場合は、バスライン上の感光性樹脂層表面に所望の凹凸を形成することが困難なときがある。しかし、バスライン上には通常、反射層は一部しか形成されないため、面積の大きな補助容量形成部上に形成された反射層と比べると、反射特性には大きく寄与しない。よって、下地が表面反射の比較的高い領域（例えば補助容量形成部）の一部に、下地が表面反射の比較的低い領域に形成された凹凸と異なる凹凸形状を形成するだけでも、反射電極の反射特性の向上が図れる。
【００７３】
（第５の実施形態）
以下に、本発明の第５の実施形態として、反射型液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００７４】
図１８は、素子側基板１８０の一画素分の平面図である。図１９は、図１８のＡ−Ａ’断面図である。素子側基板１８０は、ソースバスライン１８１、ゲートバスライン１８２、ソースバスライン１８１とゲートバスライン１８２に囲まれる領域に形成されている反射板を兼ねた画素電極（反射電極）１８６、ならびに各画素電極に対応して設けられている３端子非線形抵抗素子１８５を含んでいる。複数の画素電極がガラス基板１９０上にマトリクス状に配置され、液晶表示装置の表示部を構成する。なお、ガラス基板１９０上には、補助容量電極及び補助容量配線１９４が、反射電極１８６と一部重なるように設けられている。
【００７５】
３端子非線形抵抗素子１８５は、図１９に示すように、ガラス基板１９０の上の導電薄膜からなるゲート電極１８２ａと、ゲート電極１８２ａ及び補助容量電極１９４上に形成された絶縁体層１８９と、半導体層１８７と、コンタクト層１８７ａ及び１８７ｂと、ソース電極１８３及びドレイン電極１８４とによって構成されている。
【００７６】
この３端子非線形抵抗素子１８５の上には絶縁体保護層１９２が形成され、この絶縁体保護層１９２にはドレイン電極１８４の引き回し電極１８４ａの上部にコンタクトホール１９８が位置するようにパターン形成されている。その上にさらに、アルミニウムなどから形成された反射電極１８６が、ドレイン電極１８４の引き回し電極１８４ａにコンタクトホール１９８を介して電気的に接続されるように形成されている。
【００７７】
また、あらゆる角度からの入射光に対し表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させるような最適な反射特性を有する反射板を形成するために、反射電極１８６が形成される部分の絶縁体保護層１９２の下部には複数の凹凸部からなる感光性樹脂層１９１が形成されている。
【００７８】
以下に、図２０（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、上記の反射型液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００７９】
図２０（ａ）に示すように、補助容量電極１９４、絶縁体層１８９、ドレイン電極１８４及び端子非線形抵抗素子１８５（不図示）が形成された基板１９０の全面にポジ型感光性樹脂１９１ａを塗布する。感光性樹脂１９１ａであるレジスト材料として、例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）を好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートにより塗布する。本実施例では、２０００ｒｐｍで３０秒間塗布を行った。
【００８０】
３端子非線形抵抗素子１８５が形成された基板１９０上には多くの金属薄膜層（補助容量電極１９４、ドレイン電極１８４等）、絶縁体層１８９、半導体層（不図示）等が積層されているため平坦ではなく、それぞれの層ごとに段差が存在している。図２０（ａ）に示すように、基板１９０は、感光性樹脂１９１ａの厚さが比較的に小さい領域Ａと、感光性樹脂層１９１ａの厚さが比較的に大きい領域Ｂを有する。領域Ａにおける感光性樹脂層１９１ａの厚さは２μｍ、領域Ｂにおける感光性樹脂層１９１ａの厚さは３μｍとなる。
【００８１】
次に、図２１に示すようなフォトマスク２１０を用いて、図２０（ｂ）に示されるように露光を行う。フォトマスク２１０は、斜線で示す円形の遮光領域２１２ａ及び２１２ｂが不規則に配置されている。遮光領域２１２ａは基板１９０上の補助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａに配置され、遮光領域２１２ｂはその他のドレイン電極の位置する領域Ｂに配置されている。遮光領域２１２ａの直径Ｄ１は、遮光領域２１２ｂの直径Ｄ２よりも大きく形成されている。たとえば、直径Ｄ１は１５μｍであり、直径Ｄ２は１０μｍである。フォトマスク２１０を用いることにより、領域Ａにおける露光する面積対遮光する面積の比率が、領域Ｂにおける露光する面積対遮光する面積の比率より小さく設定される。
【００８２】
フォトマスク２１０により露光する際、補助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａは、その他のドレイン電極の位置する領域Ｂよりも感光性樹脂１９１ａの膜厚が薄いためオーバー露光となり、図２０（ｂ）における感光性樹脂層１９１ａ中の矢印で示す位置まで露光されることとなる。
【００８３】
次に、図２０（ｃ）に示されるように、感光性樹脂１９１ａを現像し円形の凸部を形成する。現像液として、２．３８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を用いる。これにより、補助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａの凸部は図２０（ｂ）の工程で用いたフォトマスク２１０の遮光領域２１２ａよりも、小さな直径の円形の凸部となり、その他のドレイン電極の位置する領域Ｂに形成された凸部と同じ直径の円形の凸部となる。
【００８４】
次に、図２０（ｄ）に示されるように、好ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理をすることで凸部（感光性樹脂層１９１ａ）の角が取り除かれ滑らかな凸部による感光性樹脂層１９１が形成される。本実施例では、１８０℃で３０分間熱処理を行う。
【００８５】
その後、図２０（ｅ）に示されるように、凸部による感光性樹脂層１９１を形成した基板上に絶縁体保護膜１９２として、レジスト樹脂を好ましくは１０００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍでスピンコートにより塗布する。本実施例では、２２００ｒｐｍで２０秒間塗布することで、１μｍの膜厚となる。これにより絶縁体保護膜１９２上には感光性樹脂層１９１の凸部に応じた凸部が生じるが、感光性樹脂層１９１の凸部よりも滑らかな形状となる。さらに、ドレイン電極１８４と次の工程で形成される反射電極１８６とを接続するためのコンタクトホール１９８（図１９参照）をフォトリソグラフイ法を用いて形成する。
【００８６】
最後に、図２０（ｆ）に示されるように、絶縁体保護膜１９２上に反射電極１８６となる金属薄膜を２０００Åの膜厚で真空蒸着を行う。これによりドレイン電極１８４と反射電極１８６はコンタクトホール１９８を介して接続される。さらに金属薄膜を画素ごとにパターニングすることで反射電極１８６は完成される。金属薄膜は本実施例ではアルミニウムを用いたが、銀、銅、ニッケル、クロムなどを用いることも可能である。なお、上記のように形成した素子側基板１８０を、周知の方法で対向基板と張り合わせ、その間に液晶を注入することで反射型液晶表示装置が得られる。
【００８７】
以上の工程により、感光性樹脂１９１の膜厚が異なる領域Ａ及びＢで直径の異なる遮光領域２１２ａ及び２１２ｂを有する遮光手段２１０を用いることで同一画素内で均一な凹凸形状を作成することができ、最適な反射特性を有する反射電極をかねた反射板が得られる。
【００８８】
なお、本実施例ではポジ型感光性樹脂を用いたが、ネガ型感光性樹脂を用いることで領域Ａ、Ｂ共に同じ直径の円形の凹部が形成され、同一画素内で均一な凹凸形状を作成することができ、ボジ型感光性樹脂を用いた場合と同じ効果を得ることができる。
【００８９】
本実施例では、２種類の遮光領域２１２ａ、２１２ｂを有するフォトマスク２１０を用いたが、遮光手段はこれに限定されない。たとえば３端子非線形抵抗素子１８５上にも異なる直径の円形の遮光領域を形成してもよく、遮光領域は３種類以上の円形形状でもよい。
【００９０】
（第６の実施形態）
以下に、本発明の第６の実施形態として、反射型液晶表示装置の他の製造方法を説明する。本実施形態は、感光性樹脂層を複数の凸部に形成するための露光工程において用いるフォトマスクが第５の実施形態の場合と異なっており、それ以外の工程は基本的には同様である。
【００９１】
図２２は、本実施形態で用いるフォトマスク２２０の平面を示す。フォトマスク２２０と第５の実施形態のフォトマスク２１０との違いは、フォトマスク２１０では遮光部として円形の遮光領域が設けられているが、フォトマスク２２０ではそれとは反対に透光部として円形の透過領域２２２ａ及び２２２ｂが設けられている。
【００９２】
図２３（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、本実施形態の反射型液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００９３】
まず、図２３（ａ）に示すように、補助容量電極１９４、絶縁体層１８９、ドレイン電極１８４及び端子非線形抵抗素子１８５（不図示）が形成された基板１９０の全面にポジ型感光性樹脂１９１ａを塗布する。感光性樹脂１９１ａであるレジスト材料として、例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）を好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートにより塗布する。本実施例では、２０００ｒｐｍで３０秒間塗布を行った。
【００９４】
３端子非線形抵抗素子１８５が形成された基板１９０上には多くの金属薄膜層（補助容量電極１９４、ドレイン電極１８４等）、絶縁体層１８９、半導体層（不図示）等が積層されているため平坦ではなく、それぞれの層ごとに段差が存在している。図２３（ａ）に示すように、基板１９０は、感光性樹脂１９１ａの厚さが比較的に小さい領域Ａと、感光性樹脂層１９１ａの厚さが比較的に大きい領域Ｂを有する。領域Ａにおける感光性樹脂層１９１ａの厚さは２μｍ，領域Ｂにおける感光性樹脂層１９１ａの厚さは３μｍとなる。
【００９５】
次に、図２２に示すようなフォトマスク２２０を用いて、図２３（ｂ）に示されるように露光を行う。フォトマスク２２０は、円形の透光領域２２２ａ及び２２２ｂが形成され、さらにドレイン電極１８４と反射電極１８６（図１９参照）を電気的に接続させるコンタクトホール１９８を形成するための透光領域２２２ｃが形成されている。透光領域２２２ａは基板１９０上の補助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａに配置され、透光領域２２２ｂはその他のドレイン電極の位置する領域Ｂに配置されている。透光領域２２２ａの直径Ｆ１は、透光領域２２２ｂの直径Ｆ２よりも小さく形成されている。たとえば、直径Ｆ１は５μｍであり、直径Ｆ２は１０μｍである。フォトマスク２２０を用いることにより、領域Ａにおける露光する面積対遮光する面積の比率が、領域Ｂにおける露光する面積対遮光する面積の比率より小さく設定される。
【００９６】
フォトマスク２２０により露光する際、補助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａは、その他のドレイン電極の位置する領域Ｂよりも感光性樹脂１９１ａの膜厚が薄いためオーバー露光となり、図２３（ｂ）における感光性樹脂１９１ａ中の矢印で示す位置まで露光されることとなる。
【００９７】
次に、図２３（ｃ）に示されるように、感光性樹脂１９１ａを現像し円形の凸部を形成する。現像液として、２．３８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を用いる。これにより、補助容量電極１９４が下層に形成されている領域Ａの凸部は図２３（ｂ）の工程で用いたフォトマスク２２０の透光領域２２２ａよりも、大きな直径の円形の凹部となり、その他のドレイン電極の位置する領域Ｂに形成された凸部と同じ直径の円形の凹部となる。
【００９８】
次に、図２３（ｄ）に示されるように、好ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理をすることで凸部（感光性樹脂層１９１ａ）の角が取り除かれ滑らかな凸部による感光性樹脂層１９１が形成される。本実施例では、１８０℃で３０分間熱処理を行う。
【００９９】
その後、図２３（ｅ）に示されるように、凸部による感光性樹脂層１９１を形成した基板上に絶縁体保護膜１９２として、レジスト樹脂を好ましくは１０００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍでスピンコートにより塗布する。本実施例では、２２００ｒｐｍで２０秒間塗布することで、１μｍの膜厚となる。これにより絶縁体保護膜１９２上には感光性樹脂層１９１の凸部に応じた凸部が生じるが、感光性樹脂層１９１の凸部よりも滑らかな形状となる。さらに、ドレイン電極１８４と次の工程で形成される反射電極１８６とを接続するためのコンタクトホール１９８（図１９参照）をフォトリソグラフイ法を用いて形成する。
【０１００】
最後に、図２３（ｆ）に示されるように、絶縁体保護膜１９２上に反射電極１８６となる金属薄膜を２０００Åの膜厚で真空蒸着を行う。これによりドレイン電極１８４と反射電極１８６はコンタクトホール１９８を介して接続される。さらに金属薄膜を画素ごとにパターニングすることで反射電極１８６は完成される。金属薄膜は本実施例ではアルミニウムを用いたが、銀、銅、ニッケル、クロムなどを用いることも可能である。なお、上記のように形成した素子側基板１８０を、周知の方法で対向基板と張り合わせ、その間に液晶を注入することで反射型液晶表示装置が得られる。
【０１０１】
以上の工程により、感光性樹脂１９１の膜厚が異なる領域Ａ及びＢで直径の異なる透光領域２２２ａ及び２２２ｂを有する遮光手段２２０を用いることで同一画素内で均一な凹凸形状を作成することができ、最適な反射特性を有する反射電極をかねた反射板が得られる。
【０１０２】
なお、本実施例ではポジ型感光性樹脂を用いたが、ネガ型感光性樹脂を用いることで領域Ａ、Ｂ共に同じ直径の円形の凹部が形成され、同一画素内で均一な凹凸形状を作成することができ、ボジ型感光性樹脂を用いた場合と同じ効果を得ることができる。
【０１０３】
本実施例では、２種類の透光領域２２２ａ、２２２ｂを有するフォトマスク２２０を用いたが、透光手段はこれに限定されない。たとえば３端子非線形抵抗素子１８５上にも異なる直径の円形の透光領域を形成してもよく、透光領域は３種類以上の円形形状でもよい。
【０１０４】
上記の第５及び６の実施形態では補助容量画素電極１９４が設けられており、第１〜４の実施形態では補助容量画素電極が示されていないが、第１〜４の実施形態についても補助容量画素電極を設けてもよい。例えば、図２４（図１に対応）に示すように、画素電極の中心部に、補助容量画素電極２４２をゲートバスライン１４と同一の工程で同一の材料で形成することができる。この場合、補助容量画素電極２４２が形成されている領域も、上記の説明で定義している領域Ａ（感光性樹脂の下地が表面反射の比較的高い領域又は配線などが存在することで感光性樹脂層の厚さが比較的に小さい領域）となる。
【０１０５】
【発明の効果】
本発明によれば反射板の凹凸を形成するための感光性樹脂の下地膜の光反射特性不均一であり又は下地膜に表面段差がある場合でも、反射特性の良好な透過反射両用型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置を得ることが可能となる。
【０１０６】
また、透過反射両用型液晶表示装置の場合、透光部はバスライン等を形成する表面反射の比較的高い領域に形成することはできないため、反射部における感光性樹脂の下地が表面反射の比較的高い領域の存在比率が高い。よって、画素すべてが反射部である反射型晶装置装置と比べて、透過反射両用型液晶表示装置ではバスライン等を形成する表面反射率の比較的高い領域上に形成された反射層の特性が、反射板の特性に大きく影響する。このことから、透過反射両用型液晶表示装置について、本発明による反射板の反射特性向上の効果がより著しい。
【図面の簡単な説明】
【図１】透過反射両用型基板の一画素分の平面図。
【図２】図１の線Ａ―Ａ’に沿った断面図。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は従来技術による透過反射両用型液晶表示装置の製造工程図。
【図４】図３の工程で用いられるフォトマスクの平面図。
【図５】図３の工程で用いられるフォトマスクの平面図。
【図６】本発明による透過反射両用型基板の断面図（図１の断面図に対応）。
【図７】（ａ）〜（ｇ）は本発明の第１の実施形態による透過反射両用型液晶表示装置の製造工程図。
【図８】図７の工程で用いられるフォトマスクの平面図。
【図９】図７の工程で用いられるフォトマスクの平面図。
【図１０】感光性樹脂層の厚さと露光強度との関係を示す図。
【図１１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施形態による透過反射両用型液晶表示装置の製造工程図。
【図１２】図１１の工程で用いられるフォトマスクの平面図。
【図１３】反射強度を表すＹ値と感光性樹脂層に対する露光強度との関係を示す図。
【図１４】本発明による第３の実施形態で用いられるフォトマスクの平面図。
【図１５】反射強度を表すＹ値と感光性樹脂層に対する露光強度との関係を示す図。
【図１６】本発明による第４の実施形態で用いられるフォトマスクの平面図。
【図１７】反射強度を表すＹ値と感光性樹脂層に対する露光強度との関係を示す図。
【図１８】本発明の第５の実施形態による反射型液晶表示装置の素子側基板の一画素分の平面図。
【図１９】図１８の線Ａ―Ａ’に沿った断面図。
【図２０】（ａ）〜（ｆ）は第５の実施形態による反射型液晶表示装置の製造工程図。
【図２１】図２０の工程で用いられるフォトマスクの平面図。
【図２２】本発明の第６の実施形態で用いられるフォトマスクの平面図。
【図２３】（ａ）〜（ｆ）は第６の実施形態による反射型液晶表示装置の製造工程図。
【図２４】補助容量画素電極が設けられている場合の図１に対応する平面図。
【符号の説明】
１０透過反射両用型液晶表示装置の素子側基板
１２ソースバスライン
１４ゲートバスライン
１６ＴＦＴ
２０ガラス基板
２１絶縁層
２７画素電極
２７ａ透過電極
２８、６８、１９１感光性樹脂層
２９、６９、１８６反射板（反射画素電極）
４０、５０、８０、９０、１２０、１６０、２２０フォトマスク
４２、８２、１２２ａ、１２２ｂ、２１２ａ、２１２ｂ遮光部
４４露光
１６２ａ、１６２ｂ、２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ透光部
１８０反射型液晶表示装置の素子側基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a pass-reflection type liquid crystal display device and a reflection type liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, OA (Office Automation) devices such as personal computers have become portable, and cost reduction of display devices has become an important issue. The display device has a structure in which a pair of substrates each having electrodes formed thereon is provided with a display medium having electro-optical characteristics interposed therebetween, and display is performed by applying a voltage between the electrodes. As a display medium of such a display device, liquid crystal, electroluminescence, plasma, electrochromic, or the like is used. In particular, a liquid crystal display device using a liquid crystal (Liquid Crystal Display, LCD) is thin and has low power consumption. Is the most practical. 2. Description of the Related Art Currently, liquid crystal display devices are widely used in OA devices such as word processors and personal computers, portable information devices such as electronic organizers, and camera-type VTRs equipped with a liquid crystal monitor.
[0003]
Regarding the display mode and the driving method of the liquid crystal display device, the simple matrix system including the STN (super twisted nematic) mode belongs to the class that can realize the lowest cost. However, with the advancement of multimedia information in the future, it is required to increase the resolution, contrast, multi-gradation (multi-color, full-color) and wide viewing angle of the display. It is considered difficult to respond. Therefore, an active matrix method has been proposed in which switching elements (active elements) are provided in individual pixels to increase the number of scan electrodes that can be driven. With this method, high resolution, high contrast, multi-gradation, and wide viewing angle of the display are being achieved. An active matrix liquid crystal display device has a configuration in which pixel electrodes provided in a matrix and scanning lines passing in the vicinity of the pixel electrodes are electrically connected via active elements. The active element includes a two-terminal non-linear element and a three-terminal non-linear element, and a typical example of the active element currently employed is a three-terminal element thin film transistor (TFT).
[0004]
The liquid crystal display device has a transmission type and a reflection type. Since a liquid crystal display does not emit light itself unlike a CRT (CRT) or EL (electroluminescence), a transmissive liquid crystal display in which a device including a fluorescent tube called a backlight is installed behind and illuminated is generally used. However, a backlight typically consumes 50% or more of the total power consumption of a liquid crystal display. Therefore, the reflection type, which uses a reflector instead of the backlight and performs display by using ambient light, is used outdoors or at all times. There are many opportunities to use Mobile phone It is advantageous for information equipment from the viewpoint of low power consumption.
[0005]
The display modes used in the reflection type liquid crystal display device include a TN (twisted nematic) mode and a STN mode, which are widely used in transmission type at present, and a bright display because no polarizing plate is used. In recent years, a phase change type guest-host mode that can realize the above has been actively developed.
[0006]
The reflection type liquid crystal display device has a disadvantage that visibility is extremely reduced when ambient light is dark. On the other hand, the transmissive liquid crystal display device has a problem that, when the ambient light is very bright, the visibility under a clear sky is deteriorated. Therefore, by using a substrate having a reflective electrode made of a material having a light reflecting function and a transparent electrode made of a material having a light transmitting function separately on an insulating substrate, a backlight is used when ambient light is dark. As a transmissive liquid crystal display device that displays using light transmitted through a transparent electrode, when ambient light is bright, display is performed using reflected light from a reflective electrode formed of a film with a relatively high light reflectance. Display as a reflective liquid crystal display device. As a result, a single panel can be used as a transflective liquid crystal display device that uses a backlight when the ambient light is dark and uses the ambient light without using the backlight when the ambient light is bright. become.
[0007]
This is because the backlight is not used when the ambient light is brighter than the conventional transmissive liquid crystal display, and the power consumption is lower because the backlight is not used. It is possible to overcome the disadvantage that sufficient display cannot be obtained if the ambient light is dark as in the device.
[0008]
In the reflective liquid crystal display device and the transflective liquid crystal display device as described above, in order to perform bright display using ambient light, incident light from all angles is scattered in a direction perpendicular to the display screen. It is necessary to increase the intensity of the emitted light. In order to manufacture a reflector having optimal reflection characteristics, it is necessary to form uneven portions on the reflector with good reproducibility.
[0009]
There is a method of forming a reflection plate by applying a photosensitive resin layer to an insulating substrate to form a pattern and then performing a heat treatment so that the pattern portion is rounded so that the pattern portion becomes round. Hereinafter, a conventional manufacturing process of a transmission / reflection type substrate (element-side substrate) of a transmission / reflection type liquid crystal display device will be described with reference to FIGS.
[0010]
FIG. 1 is a plan view of one pixel of the transflective substrate 10. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. The transmissive / reflective dual-purpose substrate 10 corresponds to the source bus line 12, the gate bus line 14, the pixel electrodes 27 and 29 formed in a region surrounded by the source bus line 12 and the gate bus line 14, and the respective pixel electrodes. It includes an amorphous silicon transistor (TFT) 16 provided. A plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on a substrate, and constitute a display unit of a liquid crystal display device. The pixel electrode includes a light transmitting region 18 (corresponding to the electrode 27) and a light reflecting region 19 (corresponding to the electrode 29) other than the light transmitting region 18. The light reflection region 19 partially overlaps with the gate bus line 14 (region A).
[0011]
As shown in FIG. 2, the TFT 16 includes a gate electrode 14a (Ta film), an insulating layer 21 (SiNx film), a semiconductor layer 22 (a-Si film), and an n-type semiconductor layer 23 (n-type) on a glass substrate 20. a-Si film), a source electrode 24 and a drain electrode 25 (ITO film), and two layers 26 of Ta. The pixel electrode 27 in the light transmission region is formed of a film such as ITO formed simultaneously with the source electrode 24 and the drain electrode 25 (a Ta film does not exist on the transmission pixel electrode 27). A photosensitive resin layer 28 having an uneven portion is formed on an upper portion of the substrate, and a pixel electrode 29 of the light reflection region 19 made of an Al / Mo film is provided on a part of the upper surface.
[0012]
The transflective substrate 10 is formed by steps as shown in FIGS. 3 (a) to 3 (f) correspond to the portion of FIG. 2 from which the TFT 16 is omitted. First, as shown in FIG. 3A, a positive type photosensitive resin layer 28 (made by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) is formed on a substrate 20 on which a gate bus line 14, an insulating layer 21 and a pixel electrode 27 are formed on the upper surface. (Acrylic resin) to a thickness of 3.7 μm. Below the portion in the region A of the photosensitive resin layer 28, there is a pattern such as the gate bus line 14 having a relatively high surface reflection, and below the portion in the region B of the photosensitive resin layer 28, Only the layer having relatively low surface reflection such as the film 21 and the transparent electrode (pixel electrode 27) is formed, and there is no pattern having relatively high surface reflection.
[0013]
Exposure 44 is uniformly performed on such a substrate at a low illuminance using a photomask (light-shielding mask) 40 having a light-shielding portion 42 shown in FIG. 4 (FIG. 3B). In the photomask 40, the light shielding portion 42 has a round shape with a diameter of 12 μm, and the center interval between the light shielding portions 42 is 14 μm. However, if the light-shielding portions 42 are uniformly arranged so that the center interval is 14 μm, interference of reflected light becomes a problem. Therefore, the light-shielding portions 42 are randomly arranged so that the minimum center interval is about 14 μm. . The exposure intensity is set to 50 mJ based on the result of evaluating the reflection characteristics of the elementary glass while changing the exposure conditions, and obtaining the exposure intensity at which good reflection characteristics are obtained.
[0014]
Next, as shown in FIG. 5, using a photomask 50 having exposure portions 28b and 27b in which portions corresponding to the transmission electrodes 27 of the contact hole portions 28a and the transmission regions 18 are opened as shown in FIG. Exposure is performed uniformly at high illuminance as described above. The exposure intensity is 260 mJ.
[0015]
Next, as shown in FIG. 3D, development is performed with a developer. As a result, the resin in the high illuminance exposed portions (the exposed portions 28b and 27b) is completely removed, and the resin in the low illuminance exposed portion is somewhat reduced in thickness with respect to the initial film thickness.
[0016]
Next, as shown in FIG. 3 (e), a heat treatment is performed at 100 ° C. for 11 minutes, and then a heat treatment is performed at 220 ° C. for 60 minutes. Deforms and obtains a smooth uneven shape.
[0017]
Next, a Mo thin film is formed as a reflective electrode 29 to a thickness of 100 nm by a sputtering method, and an A1 thin film is formed thereon to a thickness of 100 nm by a sputtering method and patterned. Specifically, a photoresist is applied on the substrate, and a portion of the photoresist on the transmission electrode portion 27a is exposed, and then, development, etching, and stripping are performed to pattern the Al / Mo electrode. The reflection pixel electrode 29 as shown in FIG.
[0018]
Hereinafter, a conventional reflective liquid crystal display device will be briefly described. As for the formation of the element-side substrate of the reflection type liquid crystal display device, the surface of the substrate made of glass or the like is formed with irregularities controlled to have optimal reflection characteristics, and a thin film such as silver is formed thereon to form a reflection plate. There is a way to do it. In JP-A-6-75238, a plurality of convex portions are formed by applying a photosensitive resin on a substrate, exposing and developing the photosensitive resin through a light-shielding mask in which circular light-shielding portions are arranged, and then performing a heat treatment. Is formed. An insulator protection film is formed on the protrusion along the shape of the protrusion, and a reflector made of a metal thin film is formed on the insulator protection film. In addition, the occurrence of double reflection due to the influence of the thickness of the glass, which is a problem caused by forming the reflection plate on the outside, is solved by forming the reflection plate inside and having a structure that also serves as a pixel electrode.
[0019]
[Problems to be solved by the invention]
The following problems are involved in the conventional reflection plate of the transflective liquid crystal display device formed by the above-described steps.
[0020]
A region A in which a wiring pattern having relatively strong surface reflection such as a bus line or an auxiliary capacitor exists under the photosensitive resin layer 28, and a surface reflection such as an insulating film or a transparent electrode under the photosensitive resin layer 28 has relatively small surface reflection. In the weak region B, even if the unevenness is formed at the same exposure intensity, a difference is seen in the uneven shape of the unevenness. For example, according to the process of FIG. 3 described above, in the region A, the thickness a of the photosensitive resin layer 28 in the convex portion is 2.7 μm and the thickness b in the concave portion is 1.0 μm, whereas in the region B, The thickness a ′ of the photosensitive resin layer 28 at the convex portion is 2.9 μm, and the thickness b ′ at the concave portion is 1.9 μm (FIG. 3E). The reason for the large unevenness in the area A is that the exposure amount increases in the area A due to the surface reflection in the pattern existing under the photosensitive resin layer. It is conceivable that it becomes larger than that.
[0021]
That is, when the photosensitive resin is applied to the insulating substrate to form a pattern, the photosensitive resin base has relatively high surface reflection such as a bus line, and the insulating film and the transparent electrode have relatively low surface reflection. In the case, the irregularities formed thereon were different, and the designed reflection characteristics could not be realized. Even if the uneven shape is patterned at the same exposure intensity, if the surface of the photosensitive resin has relatively high surface reflection, the amount of exposure increases due to surface reflection. It becomes larger than the case when it is very low.
[0022]
On the substrate on which the three-terminal non-linear resistance element is formed, many layers of conductive thin-film layers such as bus lines and auxiliary capacitors, insulator layers, and semiconductor layers are formed. There is a step for each. For this reason, the photosensitive resin for forming the uneven portion cannot be maintained at a uniform film thickness due to the influence of the step of the lower layer. When the photosensitive resin is applied on the area A as in the area B, the thickness of the photosensitive resin on the bus line, the auxiliary capacitor, and the like is increased due to the step on the substrate surface. It becomes thinner than the thickness of the photosensitive resin. When light-shielding means having circular light-shielding portions having the same diameter are used when forming the concave-convex portions with the positive-type photosensitive resin, circular regions having different sizes (diameters) in regions where the thickness of the photosensitive resin is different. Protrusions are formed. Further, even when light-shielding means having circular light-transmitting portions having the same diameter are used, circular concave portions having different sizes (diameters) are formed in regions where the thickness of the photosensitive resin is different. Similarly, when a concave-convex portion is formed of a negative photosensitive resin, a different circular concave portion or convex portion is formed. In addition, when a photosensitive resin is applied to an insulating substrate to form a pattern, when exposure is performed so that the reflection efficiency is good in the region A, the unevenness is not sufficiently formed in the region B due to an insufficient amount of exposure. Reflection characteristics cannot be obtained. On the other hand, when the photosensitive resin is applied to the insulating substrate to form a pattern, exposure is performed in the region B so that the reflection efficiency becomes good. No characteristics can be obtained.
[0023]
As described above, even in the same pixel, the uneven shape is different for each region, and it is difficult to uniformly form unevenness in a pixel to obtain optimal reflection characteristics.
[0024]
Although the above description relates to the transflective liquid crystal display device, the reflective liquid crystal display device has a case where the display section does not have the transmissive region 18 and all are reflective regions. Have a problem. The projections and depressions of the reflection plate of the reflection type liquid crystal display device are formed by randomly arranging circular ones, the diameter φ is 1 μm to 30 μm, and the interval between them is also 1 μm to 30 μm. Very small. For this reason, high definition photolithography has been required, and it has been difficult to form a reflector having uniform uneven portions.
[0025]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and the purpose thereof is to: Good It is an object of the present invention to provide a transmission-reflection type liquid crystal display device and a reflection type liquid crystal display device provided with a reflection plate having reflection characteristics, and a method of manufacturing the same.
[0026]
[Means for Solving the Problems]
A method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display device comprising: a first substrate; and an opposing substrate that faces the first substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween. Forming a photosensitive resin layer in a first region on the liquid crystal layer side surface of the substrate and a second region having a lower reflectance than the first region; The photosensitive resin layer is exposed using a light-shielding mask in which the diameter of the circular pattern in the region is smaller than the diameter of the circular pattern in the second region, and the first region and the second region are exposed to light. Forming a light reflecting plate on the liquid crystal layer side of the photosensitive resin layer so as to reflect the unevenness.
[0027]
The circular pattern is a light shielding portion.
[0028]
The exposure is performed with the same illuminance on the first region and the second region.
[0029]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The basic concept of the present invention will be described below.
[0030]
In the present invention, in order to form a transmission-reflection type liquid crystal display device and a reflection type liquid crystal display device having a reflection plate having good reflection characteristics, in the photosensitive resin layer exposure step, different regions of the photosensitive resin layer are used. On the other hand, the exposure amount is changed. More specifically, the amount of exposure in the region (region A) where the thickness of the photosensitive resin layer is relatively small due to the presence of wiring or the like where the base of the photosensitive resin has a relatively high surface reflection is reduced. Is set to be lower than the exposure amount in a region (region B) where the thickness of the photosensitive resin layer is relatively large due to the relatively low surface reflection region or the absence of wiring or the like.
[0031]
Regarding the adjustment of the exposure amount, a method of controlling the intensity of exposure light (exposure intensity) using a photomask (light-shielding mask) having a uniform pattern, and a method of performing exposure using a photomask having a different pattern in a different region. There are ways to do it.
[0032]
(1st Embodiment)
Hereinafter, as a first embodiment of the present invention, a transmission / reflection type liquid crystal display device including a transmission / reflection type substrate and a method for manufacturing the same will be described.
[0033]
The plan view of one pixel of the transmission / reflection substrate in the present embodiment is basically the same as the configuration shown in FIG. 1, and the description is omitted. FIG. 6 shows a cross-sectional structure of the transflective substrate 60 according to the present invention along the line AA ′ in FIG. The reflection plate 69 in the transmission / reflection type substrate 60 has irregularities of substantially the same size, and has uniform and favorable reflection characteristics. In the specification of the present application, “substantially the same size unevenness” of the reflector refers to variation in size such that the reflector exhibits a reflection characteristic that does not cause non-uniform display quality within one pixel. Point. The other portions of the transmission / reflection type substrate 60 are basically the same as the corresponding portions shown in FIG.
[0034]
Hereinafter, a method for manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, desired unevenness is formed on the surface of the photosensitive resin layer by controlling the amount of exposure for exposing the photosensitive resin layer using a photomask having a uniform pattern. FIGS. 7A to 7G correspond to portions in which the TFT 16 is omitted in FIG.
[0035]
First, as shown in FIG. 7A, a positive photosensitive resin layer 68 (made by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) is formed on a substrate 20 on which the gate bus line 14, the insulating layer 21 and the pixel electrode 27 are formed on the upper surface. (Acrylic resin) is applied to a thickness of about 3.7 μm. Below the portion in the region A of the photosensitive resin layer 68, there is a pattern having a relatively high surface reflection such as the gate bus line 14, and below the portion in the region B of the photosensitive resin layer 68, Only the layer having relatively low surface reflection such as the film 21 and the transparent electrode (pixel electrode 27) is formed, and there is no pattern having relatively high surface reflection. Therefore, the thickness of the photosensitive resin layer 68 in the region A is smaller than that in the region B.
[0036]
By using a first photomask 80 having a light-shielding portion 82 in which the area A is entirely shielded from light and the other area (area B) is irregularly arranged as shown in FIG. Exposure 44 is performed uniformly at low illuminance (FIG. 7B). In the photomask 80, the light shielding portion 82 has a round shape with a diameter D of 12 μm, and the center interval E between the light shielding portions 82 is 14 μm. However, if the light-shielding portions 82 are uniformly arranged so that the center interval is 14 μm, interference of reflected light poses a problem. Therefore, the light-shielding portions 82 should be randomly arranged so that the minimum is approximately 14 μm. Used. The exposure intensity is set at about 50 mJ.
[0037]
Next, as shown in FIG. 9, a region A has a light-shielding portion 82 arranged irregularly, and a second photomask 90 in which the other region (region B) is entirely light-shielded is used. As shown in FIG. 7C, the exposure 44 is performed uniformly at low illuminance. The size and arrangement of the light-shielding portion 82 are the same as those in the exposure step using the first photomask 80 described above. In this step, when the exposure is performed at an exposure intensity of 50 mJ as in the case of the first photomask 80, the step of the uneven shape in the region A of the photosensitive resin layer becomes larger than that in the region B. This is because a wiring pattern (gate bus line 14) having relatively strong surface reflection exists below the region A of the photosensitive resin layer 68, and further, the film thickness of the region A of the photosensitive resin layer 68 is reduced. Is thinner than that of the other portion (region B).
[0038]
In order to set the optimal exposure intensity for the region A, the transmission / reflection type substrate is exposed using the conventional photomask 40 shown in FIG. The relationship between the shape steps was investigated. The result is shown in FIG. In FIG. 10, in order to consider not only the relative shape of the unevenness but also the uniformity of the height from the same surface as the unevenness of the unevenness that governs the reflection characteristics, the value obtained by adding the base film to the resin film thickness is used. Is set on the vertical axis. That is, in the region A, the gate bus line thickness of 0.3 μm is added so that the uniformity of the height from the same plane as the region B can be compared. As can be seen from FIG. 10, the thickness a of the photosensitive resin layer in the convex portion in the region A and the thickness a ′ of the photosensitive resin layer in the convex portion in the region B (see FIG. Regardless, it is almost constant. On the other hand, the thickness of the photosensitive resin layer in the concave portion is substantially equal at the exposure intensity of 35 mJ (thickness b) and at the exposure intensity of 50 mJ (thickness b ′). Based on the above results, in the present embodiment, the exposure intensity when exposing the region A using the second photomask 90 in the step shown in FIG. 7C is set to about 35 mJ.
[0039]
Next, as shown in FIG. 5, using a photomask 50 (third photomask) having exposure portions 28b and 27b in which portions corresponding to the transmission electrode 27a of the contact hole portion 28a and the transmission region 18 are opened. As shown in FIG. 7D, exposure is performed uniformly at high illuminance. The exposure intensity is 260 mJ.
[0040]
Next, as shown in FIG. 7E, development is performed with a developer. As a result, the resin in the high illuminance exposed portions (the exposed portions 28b and 27b) is completely removed, and the resin in the low illuminance exposed portion is somewhat reduced in thickness with respect to the initial film thickness.
[0041]
Next, as shown in FIG. 7F, a heat treatment is performed at 100 ° C. for 11 minutes, and then a heat treatment is performed at 220 ° C. for 60 minutes. Deforms and obtains a smooth uneven shape.
[0042]
Next, a Mo thin film is formed as the reflective electrode 69 to a thickness of 100 nm by sputtering, and an A1 thin film is formed thereon to a thickness of 100 nm by sputtering, and is patterned. More specifically, a photoresist is applied on the substrate, and a portion of the photoresist on the transmission electrode 27a is exposed, and then, development, etching, and stripping are performed to pattern the Al / Mo electrode. A reflective pixel electrode 69 as shown in FIG. 7 (g) is completed. The reflective pixel electrode 69 has substantially the same concavo-convex shape as the photosensitive resin layer 68.
[0043]
Through the above steps, a reflection plate having a smooth and high-density reflection unevenness is formed, and an uneven shape having a uniform step is obtained in both the region A and the region B where the reflection plate is formed. In other words, the concavo-convex shape (step (ab = 2.7 μm−1.0 μm) in the A region is 1.7 μm) and the step (a′−b ′ = 2.9 μm−1) in the B region of the reflector according to the related art. 0.9 μm) is 1.0 μm, whereas the unevenness of the reflector according to the present invention is not uniform in both the region A and the region B (ab = 2.7-1.6 = 1.1 and a′−b ′ = 3.0-1.9 = 1.1) have the same size of 1.1 μm, so that the reflector according to the present invention exhibits a uniform and good reflectivity as compared with the conventional reflector.
[0044]
The transmission / reflection type liquid crystal display panel is formed by bonding the transmission / reflection type substrate formed as described above and a color filter substrate having a counter electrode, and injecting liquid crystal between the substrates.
[0045]
In the above description, the light shielding portion of the photomask has a circular shape, but may have another geometrical shape such as a quadrangle or a rectangle instead of the circle. Further, in the present embodiment, after the development of the photosensitive resin layer, the exposure is performed so that the concave portion is present. However, as shown in FIG. Also, by adjusting the shape of the convex portion and setting the optimal exposure amount, it is possible to realize an uneven shape having substantially the same size. The same applies to the following embodiments.
[0046]
(Second embodiment)
Hereinafter, as a second embodiment of the present invention, another method for manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described. In the first embodiment described above, the area A and the area B of the photosensitive resin layer are formed in two steps by using two photomasks (80 and 90) in order to form irregularities in the photosensitive resin layer. Exposure. In this embodiment, in order to form the unevenness, one exposure step is performed by using one photomask having a different pattern in a portion corresponding to the region A and the region B. In this photomask, the ratio of the exposed area to the light-shielded area in the region A is set smaller than the ratio of the exposed area to the light-shielded area in the region B. With reference to FIGS. 11A to 11F, description will be made on a method of manufacturing a two-inch diagonal transflective liquid crystal display device according to the present embodiment.
[0047]
First, as shown in FIG. 11A, a positive photosensitive resin layer 68 (made by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) is formed on a substrate 20 on which the gate bus line 14, the insulating layer 21, and the pixel electrode 27 are formed on the upper surface. (Acrylic resin) is applied to a thickness of about 3.7 μm.
[0048]
Exposure 44 (exposure intensity, about 50 mJ) is uniformly performed on such a substrate at a low illuminance using a photomask 120 shown in Fig. 12 (Fig. 11B). And a pattern of a region B having a light-shielding portion 122b having a light-shielding portion 122a having a different diameter and a center interval from the pattern of the region A and the light-shielding portion 122a. By adjusting the center interval, the exposure amount for the region A of the photosensitive resin layer 68 can be made smaller than the exposure amount for the region B. (The optimal size and the center interval of the light-shielding portions 122a and 122b). In the present embodiment, the round light-shielding portion 122a in the region A of the photomask 120 has a diameter of 10 μm and a center interval of 1. μm, and the round light-shielding portion 122b in the region B has a diameter of 12 μm and a center interval of 14 μm.However, if the center intervals of the light-shielding portions are uniformly set to 12 μm and 14 μm, interference of reflected light poses a problem. It is preferable to randomly set the center intervals of the light-shielding portions so that the minimum is around 12 μm and 14 μm, respectively, and the exposure condition is set to an exposure intensity of 50 mJ as in the first embodiment.
[0049]
Next, as shown in FIG. 5, using a photomask 50 having exposure portions 28b and 27b having openings corresponding to the contact holes 28a and the transmission electrodes 27a of the transmission region 18 as shown in FIG. Exposure is performed uniformly at high illuminance as described above. The exposure intensity is 260 mJ.
[0050]
Next, as shown in FIG. 11D, development is performed with a developer. As a result, the resin in the high illuminance exposed portions (the exposed portions 28b and 27b) is completely removed, and the resin in the low illuminance exposed portion is somewhat reduced in thickness with respect to the initial film thickness.
[0051]
Next, as shown in FIG. 11E, a heat treatment is performed at 100 ° C. for 11 minutes, and then a heat treatment is performed at 220 ° C. for 60 minutes. Deforms and obtains a smooth uneven shape.
[0052]
Next, a Mo thin film is formed as the reflective electrode 69 to a thickness of 100 nm by sputtering, and an A1 thin film is formed thereon to a thickness of 100 nm by sputtering, and is patterned. More specifically, a photoresist is applied on the substrate, and a portion of the photoresist on the transmission electrode 27a is exposed, and then, development, etching, and stripping are performed to pattern the Al / Mo electrode. The reflection pixel electrode 69 as shown in FIG. The transmission / reflection type liquid crystal display panel is fabricated by bonding the transmission / reflection type substrate thus formed and a color filter substrate having a counter electrode, and injecting liquid crystal between the substrates.
[0053]
Hereinafter, the optimal values of the sizes and the center intervals of the light shielding portions 122a and 122b of the photomask 120 used in the present embodiment will be considered.
[0054]
First, in order to make this consideration, a plurality of transmission / reflection type substrates are formed using a plurality of photomasks (see the photomask 40 shown in FIG. 4) having different sizes and center intervals of the light-shielding portions. Specifically, a positive photosensitive resin layer is applied to a thickness of about 3.7 μm on an elementary glass substrate, and then a photomask having a light shielding portion having a fixed size and a center interval is used. Exposure (exposure intensity, about 50 mJ) with low illuminance. After the development, heat treatment is performed at 100 ° C. for 11 minutes, and further heat treatment is performed at 220 ° C. for 60 minutes. Then, a reflector made of Al (100 nm thick) / Mo (100 nm thick) is formed on the substrate. The reflective substrate and the glass substrate were bonded together with a methyl salicylate sandwiched therebetween, and the Y value representing the reflection intensity was measured using Minolta CM-2002 with reference to a standard white plate. The result is shown in FIG.
[0055]
In FIG. 13, a curve (8-2P) represents a reflective substrate formed using a photomask having a pattern in which the diameter of the round light-shielding portion is 8 μm and the center interval is 10 μm, and a curve (10-2P) represents the round light-shielding portion. Reflective substrate formed using a photomask having a pattern in which the diameter of the portion is 10 μm and the center interval is 12 μm. A curve (12-2P) indicates a pattern in which the diameter of the round light-shielding portion is 12 μm and the center interval is 14 μm. 11 shows the relationship between the exposure intensity and the Y value of the reflector in the case of a reflective substrate formed using a photomask having the following. However, if the light-shielding portions are arranged so that the center intervals of the light-shielding portions are 14 μm, 12 μm, and 10 μm, respectively, interference of reflected light becomes a problem. Used randomly.
[0056]
According to FIG. 13, it can be seen that as the diameter of the light shielding portion decreases from 12 μm to 10 μm and 8 μm, the exposure intensity at which the Y value becomes maximum increases. Accordingly, when the photosensitive resin layer is exposed using the photomask 120 shown in FIG. 12, the diameter of the light-shielding portion 122a in the region A is made smaller than the diameter of the light-shielding portion 122b in the region B. It can be seen that better reflection characteristics can be obtained than when exposure is performed using a photomask having the same diameter over the entire surface.
[0057]
The display panel formed according to the present embodiment can obtain a higher Y value than the display panel according to the related art (for the measurement of the Y value, the thickness of the liquid crystal layer does not affect the reflection characteristics. The measurement is performed without attaching the polarizing plate to the panel.) More specifically, in the conventional panel using the photomask 40 shown in FIG. 4 (the light-shielding portion has a uniform diameter of 12 μm and a center interval of 14 μm), the Y value is 5.28. On the other hand, according to the method of the second embodiment, the photomask 120 in which the diameter of the light-shielding portion 122a in the region A is 8 μm, the center interval is 10 μm, and the diameter of the light-shielding portion 122b in the region B is 12 μm and the center interval is 14 μm. The Y value of the panel formed using this is 5.31. Similarly, according to the method of the second embodiment, the photomask 120 in which the light-shielding portion 122a in the region A has a diameter of 10 μm and the center interval is 12 μm, and the light-shielding portion 122b in the region B has a diameter of 12 μm and the center interval is 14 μm. The Y value of the panel formed by using this becomes 5.73, and the reflection characteristic is improved by about 9% as compared with the conventional panel. As described above, by changing the diameter or the center interval of the light shielding portion between the region A and the region B of the photomask, the reflection characteristics of the reflector can be improved.
[0058]
The present embodiment has the following advantages over the first embodiment. In the first embodiment, in the exposure step for forming irregularities in the photosensitive resin layer, two steps are performed using two photomasks. According to the second embodiment, two types of photomasks are used. By using a photomask having a pattern, desired unevenness can be formed in one exposure step with one photomask. Therefore, by changing the exposure amount, a decrease in production efficiency due to an increase in the number of masks and steps can be avoided.
[0059]
In consideration of the wiring pattern formed on the substrate, it is necessary to form uniformly shaped unevenness on the entire surface of the photosensitive resin layer on which the reflective pixel electrode (reflective plate) is formed. For example, two or more types of light-shielding portion patterns (sizes and intervals of light-shielding portions) of a photomask used for exposing the photosensitive resin layer may be used.
[0060]
(Third embodiment)
As a third embodiment of the present invention, still another method for manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described. In the present embodiment, the pattern of the photomask used to form the unevenness in the photosensitive resin layer is different from that of the second embodiment, and the manufacturing method is similar to that of the second embodiment. Hereinafter, the pattern of the photomask will be mainly described.
[0061]
As shown in FIG. 14, the two types of patterns of the region A and the region B of the photomask 140 used in the present embodiment have the same diameter of the light-shielding portions 142a and 142b arranged irregularly and the center interval between the light-shielding portions. Is different. In order to form a uniform uneven shape on the photosensitive resin layer, the center interval between the light shielding portions 142a in the region A of the photomask 140 is made smaller than the center interval between the light shielding portions 142b in the region B.
[0062]
In order to evaluate the optimum exposure intensity in a mask pattern in which the distance between the light-shielding portions is changed and the diameter of the light-shielding portions is constant, the light-shielding portion has a circular shape with a diameter of 8 μm and the center interval between the light-shielding portions is 10 μm. Is exposed using a photomask having a pattern (8-2P) arranged in a circle and a pattern (8-3P) having a round shape in which the diameter of the light-shielding portion is 8 μm and the center interval between the light-shielding portions 17 is 11 μm. A reflector was prepared by changing the intensity, and the relationship between the exposure intensity and the Y value was examined. The result is shown in FIG. In the production of the reflector, if the light-shielding portions are arranged so that the center intervals thereof are uniformly 10 μm and 11 μm, interference of reflected light becomes a problem. Therefore, the minimum center distance of the light-shielding portions is about 10 μm or 11 μm, respectively. Used randomly.
[0063]
According to FIG. 15, it can be seen that the exposure intensity at which the Y value becomes maximum increases as the interval between the light shielding portions decreases from 11 μm to 10 μm. Accordingly, by making the interval between the light-shielding portions 142a in the region A smaller than the interval between the light-shielding portions 142b in the region B, the area of the photosensitive resin layer exposed in the region A can be reduced. By making the area smaller than that of the area A, even if the area A and the area B are irradiated with light of the same intensity, it is expected that unevenness having a uniform shape is formed. As a result, a reflective electrode exhibiting better reflection characteristics can be obtained as compared with a case where exposure is performed using a photomask in which the intervals between the light shielding portions are the same.
[0064]
When the photomask 140 according to the present embodiment is used to form irregularities in the photosensitive resin layer, the specific dimensions of the photomask patterns 142a and 142b are determined by the thickness of the applied photosensitive resin and the thickness under the photosensitive resin. What is necessary is just to set appropriately considering the surface reflection characteristic and the film thickness of a certain wiring pattern.
[0065]
(Fourth embodiment)
As a fourth embodiment of the present invention, still another method of manufacturing a transflective liquid crystal display device will be described. In the present embodiment, the pattern of the photomask used to form the unevenness in the photosensitive resin layer is different from that of the second embodiment, and the manufacturing method is similar to that of the second embodiment. Hereinafter, the pattern of the photomask will be mainly described.
[0066]
As shown in FIG. 16, in the photomask 160 according to the present embodiment, the diameter of the light transmitting portion 162a in the region A is smaller than the diameter of the light transmitting portion 162b in the region B, and the minimum distance between the light transmitting portions 162a (one light transmitting portion) The minimum distance between the side of the part and the side of the adjacent light transmitting part) and the minimum distance of the light transmitting part 162b are set to be the same. Note that the light transmitting portions 162a and 162b are arranged irregularly.
[0067]
In order to evaluate the optimum exposure intensity with such a photomask, a pattern (8-4N) having a circular shape with a light-transmitting portion having a diameter of 8 μm and arranged so that the center distance between the light-transmitting portions is at least 12 μm. A reflection formed by changing the exposure intensity using a photomask having a pattern (6-4N) in which the diameter of the light transmitting part is 6 μm and the center distance between the light transmitting parts is at least 10 μm. The dependence of the exposure intensity and the Y value on the plate was examined. FIG. 17 shows the result. In the production of the reflection plate, if the centers of the light-transmitting portions are uniformly arranged so as to have a minimum of 10 μm and a minimum of 12 μm, respectively, interference of reflected light becomes a problem. And randomly arranged so as to be about 12 μm.
[0068]
According to FIG. 17, it can be seen that the exposure intensity at which the Y value becomes maximum increases as the diameter of the light transmitting portion decreases from 8 μm to 6 μm. For this reason, by making the diameter of the light transmitting portion 162a in the region A smaller than the diameter of the light transmitting portion 162b in the region B, it is possible to reduce the diameter of the light transmitting portion 162a as compared with the case of performing exposure using a photomask in which the light transmitting portion has the same diameter. It can be expected that better reflection characteristics can be obtained. Accordingly, by making the area of the photosensitive resin exposed to low illuminance smaller in the area A than in the area B, a reflective electrode having good reflection characteristics can be formed in both the area A and the area B with the same exposure intensity.
[0069]
When unevenness is formed in the photosensitive resin layer using the photomask 160 according to the present embodiment, the specific dimensions of the photomask patterns 162a and 162b are determined based on the thickness of the applied photosensitive resin and the thickness under the photosensitive resin. What is necessary is just to set appropriately considering the surface reflection characteristic and the film thickness of a certain wiring pattern.
[0070]
In the above embodiment, the region 18 (region C), which is the transmission electrode region, is included in the region B (see FIG. 2), and the low illuminance exposure is performed using the same mask pattern as that of the region B. Since all of the photosensitive resin is removed together with the holes, the region C, which is the transmission electrode region, may be exposed to low illuminance using the same mask pattern as the region A.
[0071]
Further, in the above description, the unevenness of the reflector is formed by one layer of photosensitive resin, but the unevenness may be formed by using a plurality of photosensitive resin layers. For example, a reflection plate can be formed by forming a concavo-convex pattern after applying the first photosensitive resin and then applying a second photosensitive resin layer thereon.
[0072]
In addition, it is ideal to form irregularities on the surface of the photosensitive resin layer on the bus line (area A) similar to the irregularities on the surface of the photosensitive resin layer in the area where the surface reflection is relatively low (area B). However, when the pattern of the bus line is relatively narrow, it may be difficult to form desired irregularities on the surface of the photosensitive resin layer on the bus line. However, since only a part of the reflective layer is usually formed on the bus line, the reflective layer does not significantly contribute to the reflection characteristics as compared with the reflective layer formed on the storage capacitor forming portion having a large area. Therefore, even if the base is formed in a part of a region where surface reflection is relatively high (for example, an auxiliary capacitance forming part), the base is merely formed with an uneven shape different from the unevenness formed in the region where surface reflection is relatively low. The reflection characteristics can be improved.
[0073]
(Fifth embodiment)
Hereinafter, as a fifth embodiment of the present invention, a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device will be described.
[0074]
FIG. 18 is a plan view of one pixel of the element-side substrate 180. FIG. 19 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. The element-side substrate 180 includes a source bus line 181, a gate bus line 182, a pixel electrode (reflection electrode) 186 serving also as a reflector formed in a region surrounded by the source bus line 181 and the gate bus line 182, and each pixel. A three-terminal nonlinear resistance element 185 provided corresponding to the electrode is included. A plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on the glass substrate 190, and constitute a display portion of a liquid crystal display device. Note that an auxiliary capacitance electrode and an auxiliary capacitance wiring 194 are provided over the glass substrate 190 so as to partially overlap the reflective electrode 186.
[0075]
As shown in FIG. 19, the three-terminal nonlinear resistance element 185 includes a gate electrode 182a made of a conductive thin film on a glass substrate 190, an insulator layer 189 formed on the gate electrode 182a and the auxiliary capacitance electrode 194, and a semiconductor. The semiconductor device includes a layer 187, contact layers 187a and 187b, a source electrode 183, and a drain electrode 184.
[0076]
An insulator protective layer 192 is formed on the three-terminal non-linear resistance element 185, and the insulator protective layer 192 is patterned so that a contact hole 198 is located above the leading electrode 184a of the drain electrode 184. I have. Further, a reflection electrode 186 made of aluminum or the like is further formed so as to be electrically connected to a routing electrode 184a of the drain electrode 184 via a contact hole 198.
[0077]
Further, in order to form a reflector having an optimal reflection characteristic such that the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles is increased, a portion where the reflective electrode 186 is formed is formed. Under the insulator protection layer 192, a photosensitive resin layer 191 including a plurality of uneven portions is formed.
[0078]
Hereinafter, a method of manufacturing the above-described reflective liquid crystal display device will be described with reference to FIGS.
[0079]
As shown in FIG. 20A, a positive photosensitive resin 191a is applied to the entire surface of the substrate 190 on which the auxiliary capacitance electrode 194, the insulator layer 189, the drain electrode 184, and the terminal nonlinear resistance element 185 (not shown) are formed. I do. As a resist material which is the photosensitive resin 191a, for example, OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is preferably applied by spin coating at 500 rpm to 3000 rpm. In the present embodiment, the coating was performed at 2000 rpm for 30 seconds.
[0080]
Many metal thin film layers (such as the auxiliary capacitance electrode 194 and the drain electrode 184), an insulator layer 189, and a semiconductor layer (not shown) are laminated on the substrate 190 on which the three-terminal nonlinear resistance element 185 is formed. It is not flat, and there is a step for each layer. As shown in FIG. 20A, the substrate 190 has a region A where the thickness of the photosensitive resin 191a is relatively small and a region B where the thickness of the photosensitive resin layer 191a is relatively large. The thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region A is 2 μm, and the thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region B is 3 μm.
[0081]
Next, exposure is performed as shown in FIG. 20B using a photomask 210 as shown in FIG. In the photomask 210, circular light-shielding regions 212a and 212b indicated by oblique lines are irregularly arranged. The light-shielding region 212a is disposed in a region A on the substrate 190 where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in a lower layer, and the light-shielding region 212b is disposed in a region B where other drain electrodes are located. The diameter D1 of the light shielding area 212a is formed larger than the diameter D2 of the light shielding area 212b. For example, the diameter D1 is 15 μm and the diameter D2 is 10 μm. By using the photomask 210, the ratio of the exposed area to the light-shielded area in the region A is set to be smaller than the ratio of the exposed area to the light-shielded area in the region B.
[0082]
When the exposure is performed by the photomask 210, the region A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer is overexposed because the photosensitive resin 191a has a smaller thickness than the region B where the other drain electrodes are located. The exposure is performed up to the position indicated by the arrow in the photosensitive resin layer 191a in (b).
[0083]
Next, as shown in FIG. 20C, the photosensitive resin 191a is developed to form a circular convex portion. 2.38% NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is used as a developer. As a result, the convex portion in the region A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer becomes a circular convex portion having a smaller diameter than the light shielding region 212a of the photomask 210 used in the step of FIG. Is formed in a circular protrusion having the same diameter as the protrusion formed in the region B where the drain electrode is located.
[0084]
Next, as shown in FIG. 20D, the heat treatment is preferably performed at 120 ° C. to 250 ° C. to remove the corners of the convex portions (photosensitive resin layer 191 a), thereby forming the photosensitive resin layer with smooth convex portions. 191 are formed. In this embodiment, the heat treatment is performed at 180 ° C. for 30 minutes.
[0085]
Thereafter, as shown in FIG. 20E, a resist resin is applied as an insulator protective film 192 by spin coating, preferably at 1000 rpm to 3500 rpm, on the substrate on which the photosensitive resin layer 191 having the convex portions is formed. In the present embodiment, the film is applied at 2200 rpm for 20 seconds to have a film thickness of 1 μm. As a result, a protrusion corresponding to the protrusion of the photosensitive resin layer 191 is formed on the insulator protective film 192, but the shape becomes smoother than the protrusion of the photosensitive resin layer 191. Further, a contact hole 198 (see FIG. 19) for connecting the drain electrode 184 and the reflective electrode 186 formed in the next step is formed by using photolithography.
[0086]
Finally, as shown in FIG. 20F, a metal thin film serving as the reflective electrode 186 is vacuum-deposited on the insulator protective film 192 to a thickness of 2000 °. As a result, the drain electrode 184 and the reflection electrode 186 are connected via the contact hole 198. Further, the reflective electrode 186 is completed by patterning the metal thin film for each pixel. Although aluminum is used for the metal thin film in this embodiment, silver, copper, nickel, chromium, or the like may be used. The element-side substrate 180 formed as described above is bonded to a counter substrate by a well-known method, and a liquid crystal is injected between them to obtain a reflection type liquid crystal display device.
[0087]
Through the above steps, uniform unevenness can be formed in the same pixel by using the light shielding means 210 having the light shielding regions 212a and 212b having different diameters in the regions A and B having different thicknesses of the photosensitive resin 191. Thus, a reflection plate serving as a reflection electrode having optimal reflection characteristics can be obtained.
[0088]
In this embodiment, the positive photosensitive resin is used. However, by using the negative photosensitive resin, circular recesses having the same diameter are formed in the regions A and B, and a uniform uneven shape is formed in the same pixel. Thus, the same effect as in the case of using the bodi type photosensitive resin can be obtained.
[0089]
In this embodiment, the photomask 210 having two types of light-shielding regions 212a and 212b is used, but the light-shielding means is not limited to this. For example, circular light-shielding regions having different diameters may be formed on the three-terminal nonlinear resistance element 185, and three or more types of circular light-shielding regions may be formed.
[0090]
(Sixth embodiment)
Hereinafter, another method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device will be described as a sixth embodiment of the present invention. In the present embodiment, a photomask used in an exposure step for forming a photosensitive resin layer on a plurality of convex portions is different from that in the fifth embodiment, and the other steps are basically the same. .
[0091]
FIG. 22 shows a plane of the photomask 220 used in the present embodiment. The difference between the photomask 220 and the photomask 210 of the fifth embodiment is that the photomask 210 has a circular light-shielding region as a light-shielding portion, whereas the photomask 220 has a circular light-shielding portion as a light-transmitting portion. Transmission regions 222a and 222b are provided.
[0092]
With reference to FIGS. 23A to 23F, a method for manufacturing the reflective liquid crystal display device of the present embodiment will be described.
[0093]
First, as shown in FIG. 23A, a positive photosensitive resin 191a is formed on the entire surface of a substrate 190 on which an auxiliary capacitance electrode 194, an insulator layer 189, a drain electrode 184, and a terminal nonlinear resistance element 185 (not shown) are formed. Is applied. As a resist material which is the photosensitive resin 191a, for example, OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is preferably applied by spin coating at 500 rpm to 3000 rpm. In the present embodiment, the coating was performed at 2000 rpm for 30 seconds.
[0094]
Many metal thin film layers (such as the auxiliary capacitance electrode 194 and the drain electrode 184), an insulator layer 189, and a semiconductor layer (not shown) are laminated on the substrate 190 on which the three-terminal nonlinear resistance element 185 is formed. It is not flat, and there is a step for each layer. As shown in FIG. 23A, the substrate 190 has a region A where the thickness of the photosensitive resin 191a is relatively small, and a region B where the thickness of the photosensitive resin layer 191a is relatively large. The thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region A is 2 μm, and the thickness of the photosensitive resin layer 191a in the region B is 3 μm.
[0095]
Next, exposure is performed as shown in FIG. 23B using a photomask 220 as shown in FIG. In the photomask 220, circular light-transmitting regions 222a and 222b are formed, and further, a light-transmitting region 222c for forming a contact hole 198 for electrically connecting the drain electrode 184 and the reflective electrode 186 (see FIG. 19) is formed. Have been. The light transmitting region 222a is disposed in a region A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in a lower layer on the substrate 190, and the light transmitting region 222b is disposed in a region B where another drain electrode is located. The diameter F1 of the light transmitting region 222a is formed smaller than the diameter F2 of the light transmitting region 222b. For example, the diameter F1 is 5 μm and the diameter F2 is 10 μm. By using the photomask 220, the ratio of the area to be exposed to light in the region A is set to be smaller than the ratio of the area to be exposed to light in the region B.
[0096]
When the exposure is performed by the photomask 220, the region A where the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer is overexposed because the thickness of the photosensitive resin 191a is smaller than the region B where the other drain electrode is located. The exposure is performed up to the position indicated by the arrow in the photosensitive resin 191a in (b).
[0097]
Next, as shown in FIG. 23C, the photosensitive resin 191a is developed to form a circular convex portion. 2.38% NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is used as a developer. As a result, the convex portion of the region A in which the auxiliary capacitance electrode 194 is formed in the lower layer becomes a circular concave portion having a larger diameter than the light transmitting region 222a of the photomask 220 used in the step of FIG. Is a circular concave portion having the same diameter as the convex portion formed in the region B where the drain electrode is located.
[0098]
Next, as shown in FIG. 23 (d), heat treatment is preferably performed at 120 ° C. to 250 ° C. to remove the corners of the convex portion (photosensitive resin layer 191 a), thereby forming the photosensitive resin layer by a smooth convex portion. 191 are formed. In this embodiment, the heat treatment is performed at 180 ° C. for 30 minutes.
[0099]
Thereafter, as shown in FIG. 23E, a resist resin is applied as an insulator protective film 192 by spin coating, preferably at 1000 rpm to 3500 rpm, on the substrate on which the photosensitive resin layer 191 having the convex portions is formed. In the present embodiment, the film is applied at 2200 rpm for 20 seconds to have a film thickness of 1 μm. As a result, a protrusion corresponding to the protrusion of the photosensitive resin layer 191 is formed on the insulator protective film 192, but the shape becomes smoother than the protrusion of the photosensitive resin layer 191. Further, a contact hole 198 (see FIG. 19) for connecting the drain electrode 184 and the reflective electrode 186 formed in the next step is formed by using photolithography.
[0100]
Finally, as shown in FIG. 23F, a metal thin film serving as the reflective electrode 186 is vacuum-deposited on the insulating protective film 192 to a thickness of 2000 °. As a result, the drain electrode 184 and the reflection electrode 186 are connected via the contact hole 198. Further, the reflective electrode 186 is completed by patterning the metal thin film for each pixel. Although aluminum is used for the metal thin film in this embodiment, silver, copper, nickel, chromium, or the like may be used. The element-side substrate 180 formed as described above is bonded to a counter substrate by a well-known method, and a liquid crystal is injected between them to obtain a reflection type liquid crystal display device.
[0101]
Through the above steps, uniform unevenness can be formed in the same pixel by using the light shielding means 220 having the light-transmitting regions 222a and 222b having different diameters in the regions A and B having different thicknesses of the photosensitive resin 191. As a result, it is possible to obtain a reflection plate having a reflection electrode having optimum reflection characteristics.
[0102]
In this embodiment, the positive photosensitive resin is used. However, by using the negative photosensitive resin, circular recesses having the same diameter are formed in the regions A and B, and a uniform uneven shape is formed in the same pixel. Thus, the same effect as in the case of using the bodi type photosensitive resin can be obtained.
[0103]
In this embodiment, the photomask 220 having two types of light-transmitting regions 222a and 222b is used, but the light-transmitting means is not limited to this. For example, circular light-transmitting regions having different diameters may be formed on the three-terminal nonlinear resistance element 185, and the light-transmitting regions may have three or more types of circular shapes.
[0104]
In the fifth and sixth embodiments, the auxiliary capacitance pixel electrode 194 is provided, and in the first to fourth embodiments, the auxiliary capacitance pixel electrode is not shown. A capacitor pixel electrode may be provided. For example, as shown in FIG. 24 (corresponding to FIG. 1), the auxiliary capacitance pixel electrode 242 can be formed at the center of the pixel electrode in the same step and with the same material as the gate bus line 14. In this case, the area where the auxiliary capacitance pixel electrode 242 is formed is also the area A defined in the above description (the area where the base of the photosensitive resin has a relatively high surface reflection or the presence of wiring or the like exists). (A region where the thickness of the resin layer is relatively small).
[0105]
【The invention's effect】
According to the present invention, even if the light reflection characteristics of the photosensitive resin base film for forming the unevenness of the reflection plate is uneven or the base film has a surface step, Reflective properties It is possible to obtain a good transflective liquid crystal display device and a good reflection liquid crystal display device.
[0106]
Further, in the case of a transflective liquid crystal display device, since the translucent portion cannot be formed in a relatively high surface reflection region forming a bus line or the like, the base of the photosensitive resin in the reflection portion is compared with the surface reflection. High ratio of high target areas. Therefore, as compared with the reflection type crystal device in which all the pixels are reflection portions, the characteristics of the reflection layer formed on the region having a relatively high surface reflectivity forming the bus line and the like in the transmission / reflection type liquid crystal display device. Greatly affects the characteristics of the reflector. For this reason, the effect of improving the reflection characteristics of the reflector according to the present invention is more remarkable in the transflective liquid crystal display device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of one pixel of a transflective substrate.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1;
3 (a) to 3 (f) are manufacturing process diagrams of a transflective liquid crystal display device according to a conventional technique.
FIG. 4 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 3;
FIG. 5 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 3;
FIG. 6 is a cross-sectional view (corresponding to the cross-sectional view of FIG. 1) of the transflective substrate according to the present invention.
FIGS. 7A to 7G are manufacturing process diagrams of the transflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 7;
FIG. 9 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 7;
FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the thickness of a photosensitive resin layer and exposure intensity.
FIGS. 11A to 11F are manufacturing process diagrams of a transflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 11;
FIG. 13 is a diagram showing the relationship between the Y value representing the reflection intensity and the exposure intensity for the photosensitive resin layer.
FIG. 14 is a plan view of a photomask used in a third embodiment according to the present invention.
FIG. 15 is a view showing the relationship between the Y value representing the reflection intensity and the exposure intensity for the photosensitive resin layer.
FIG. 16 is a plan view of a photomask used in a fourth embodiment according to the present invention.
FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the Y value representing the reflection intensity and the exposure intensity for the photosensitive resin layer.
FIG. 18 is a plan view of one pixel of an element-side substrate of a reflection type liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 18;
FIGS. 20A to 20F are manufacturing process diagrams of the reflective liquid crystal display device according to the fifth embodiment.
FIG. 21 is a plan view of a photomask used in the step of FIG. 20;
FIG. 22 is a plan view of a photomask used in a sixth embodiment of the present invention.
FIGS. 23A to 23F are manufacturing process diagrams of the reflection type liquid crystal display device according to the sixth embodiment.
FIG. 24 is a plan view corresponding to FIG. 1 when an auxiliary capacitance pixel electrode is provided.
[Explanation of symbols]
10. Device-side substrate of transflective liquid crystal display device
12 Source bus line
14 Gate bus line
16 TFT
20 Glass substrate
21 Insulating layer
27 Pixel electrode
27a Transmission electrode
28, 68, 191 Photosensitive resin layer
29, 69, 186 Reflector (reflective pixel electrode)
40, 50, 80, 90, 120, 160, 220 Photomask
42, 82, 122a, 122b, 212a, 212b Light shielding unit
44 Exposure
162a, 162b, 222a, 222b, 222c Light transmitting part
180 Element-side substrate of reflective liquid crystal display

Claims

A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a first substrate; and a counter substrate facing the first substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween,
Forming a photosensitive resin layer in a first region on the liquid crystal layer side surface of the first substrate and a second region having a lower reflectance than the first region;
Exposing the photosensitive resin layer using a light-shielding mask having a plurality of circular patterns and having a diameter of the circular pattern in the first region smaller than a diameter of the circular pattern in the second region; Forming irregularities by the photosensitive resin layer in the region and the second region;
Forming a light reflecting plate so that the unevenness is reflected on the liquid crystal layer side of the photosensitive resin layer;
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:

The method according to claim 1, wherein the circular pattern is a light shielding portion.

3. The method according to claim 1, wherein the exposing is performed with the same illuminance on the first region and the second region. 4.