Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3577433B2 - High frequency heating equipment - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3577433B2 - High frequency heating equipment - Google Patents

High frequency heating equipment Download PDF

Info

Publication number
JP3577433B2
JP3577433B2 JP32980999A JP32980999A JP3577433B2 JP 3577433 B2 JP3577433 B2 JP 3577433B2 JP 32980999 A JP32980999 A JP 32980999A JP 32980999 A JP32980999 A JP 32980999A JP 3577433 B2 JP3577433 B2 JP 3577433B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
output
predetermined number
output module
heating device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP32980999A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001148283A (en
Inventor
和広 中井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP32980999A priority Critical patent/JP3577433B2/en
Publication of JP2001148283A publication Critical patent/JP2001148283A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3577433B2 publication Critical patent/JP3577433B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、工業用周波数帯電磁波を加熱源とする高周波加熱装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
高周波加熱装置は、電子レンジの名で広く民間に普及している工業用周波数帯電磁波(通称マイクロ波)の誘電加熱特性を利用した加熱装置である。
【0003】
従来、上記高周波加熱装置の高周波発生部にはマグネトロンが使用されることが通例である。このマグネトロンは、構造が決まれば発振周波数が決まる周波数固定型の2極式発振管であり、その周波数の安定度は悪いが、構造が簡単な上、投入電力のマイクロ波への変換効率が70%以上と高いために、大電力を必要とする用途に広く用いられている。
【0004】
民生用としては、工業用周波数帯2.45GHzのマイクロ波をこのマグネトロンで発生し、500W程度の加熱能力を持つ電子レンジとして利用されている。上記2.45GHzのマイクロ波を発生するマグネトロンの寸法は物理的に略固定され、およそ7cm〜10cm立方の空間を占有する。現在市販されている平均的な電子レンジの寸法が30cm×25cm×20cm程度であることから見て、上記マグネトロンが占める空間が非常に大きいことが理解できる。
【0005】
この様な寸法的制約を解消するために、従来からマグネトロンに代る発振素子が模索されており、その一例として真空マイクロデバイスによる固体マグネトロンの開発等が行われてきた。
【0006】
上記真空マイクロデバイスの外形寸法はおよそ20mm×60mm×40mm程度と予想されており、上記マグネトロンに比して極めて良好な容積効率を示す。ところが、現段階で実用に耐えるデバイスは開発されおらず、高周波加熱装置として利用できるまでには至っていないのが現状である。
【0007】
一方において、静電誘導型トランジスタ(以下、SITと略称する)もマグネトロン代替としての素養を満足しており、過去に注目されたがその製造プロセスの複雑さから民生用のマイクロ波発振素子としては下火になっている。ところが、近年、その欠点を改善したリセスゲート構造のSITが開発され(実公報第2517175号)、再び電子レンジヘの応用への期待が高まってきている。尚、リセスゲート構造のSITとは、ドレイン層とソース層との間に埋め込まれたゲート層を、縦縞状ゲートと横縞状ゲートとによる複数の格子状ゲート部で構成して成る能動素子のことである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記リセスゲート構造のSITにおける現段階での仕様は、動作圧60V〜70V,出力46W,変換効率40%であり、マグネトロンと比較すると見劣りのする物である。
【0009】
しかしながら、その外形寸法は20mm×10mm×4mmであり、真空マイクロデバイスよりも更にコンパクトになっている。したがって、従来の電子レンジの補助的加熱手段あるいは複数の素子を用いた合成加熱手段として利用可能である。
【0010】
そこで、この発明の目的は、リセスゲート構造のSITをマイクロ波発振モジュールとして利用した高周波加熱装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第1の発明は、リセスゲート構造のSITを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、記発振源を複数有する高周波出力モジュールと、この高周波出力モジュールの出力を入力として所定数の位相の高周波を上記所定数の出力端子から出力するバトラーマトリックスと、上記バトラーマトリックスにおける上記所定数の出力端子に接続されて上記所定数の方向へのビームを出力する多連装アンテナを備えたことを特徴としている。
【0012】
上記構成によれば、複数有するリセスゲート構造のSITの出力が電力合成される。こうして、複数個のリセスゲート構造SITに基づいて、高出力が得られる。さらに、上記多連装アンテナからは、上記バトラーマトリックスからの所定数の位相の高周波に基づいて上記所定数の方向へのマルチ高周波ビームが放射される。
【0013】
また、上記第1の発明の高周波加熱装置は、上記高周波出力モジュールの励振部をこの高周波出力モジュールの外に在る外部発振素子で構成することが望ましい。
【0014】
上記構成によれば、上記高周波出力モジュールの励振部が、上記高周波出力モジュールの外に在る外部発振素子で構成されている。したがって、位相変換を行うことによって、能動的に上記工業用周波数帯電磁波の放射特性を変化させたり電力を合成することが可能となる。
【0015】
また、上記第1の発明の高周波加熱装置は、上記バトラーマトリックスは出力する高周波の位相数と同じ所定数の入力端子を有しており、上記高周波出力モジュールの出力端子に接続されると共に、上記高周波出力モジュールの出力端子からの出力を排他的に上記バトラーマトリックスの上記所定数の入力端子の何れか一つに供給するスイッチング手段を備えることが望ましい。
【0016】
上記構成によれば、上記高周波出力モジュールからの出力が、スイッチング手段によって排他的に上記バトラーマトリックスにおける何れか一つの入力端子に供給される。したがって、上記多連装アンテナから放射される高周波ビームの放射方向を、上記所定数の方向に変更することが可能になる。
【0017】
た、第2の発明の高周波加熱装置は、リセスゲート構造のSITを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、上記発振源を複数有する所定数の高周波出力モジュールと、上記高周波出力モジュールの励振部を構成すると共に , 上記高周波出力モジュールの外に在る発振素子と、上記発振素子の出力端子に接続されたプリアンプと、上記プリアンプの出力に基づいて上記所定数の位相の励振信号を生成し,上記所定数の高周波出力モジュールに出力するバトラーマトリックスと、並列配置されると共に,上記所定数の高周波出力モジュールの何れか一つに接続された上記所定数の無指向性アンテナを備えたことを特徴としている。
【0018】
上記構成によれば、バトラーマトリックスから出力される所定数の位相の励振信号の夫々がリセスゲート構造のSITを複数有する高周波出力モジュールに入力され、上記所定数の位相の高周波が得られる。そして、夫々の位相の高周波は上記所定数の無指向性アンテナの何れか一つに入力される。こうして、複数個のリセスゲート構造SITの出力が電力合成れ、尚且つ、放射特性も合成されて上記所定数の方向へのマルチビームが出力される。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。リセスゲート構造のSITは、1999年6月現在、動作電圧60V〜70V,出力46W,効率40%が得られることが報告されており、近い将来、動作電圧50V〜140V,出力130W,効率70%,電力利得10dB程度まで、改善できる見通しが立っている。とはいえ、現在市場に出回っている電子レンジのマイクロ波発振装置であるマグネトロンは、動作電圧4kV,出力500Wから1kW,効率70%であることから、SIT単体では到底マグネトロンの代替が務まるものではない。
【0020】
<第1実施の形態>
上記SITは、上記マグネトロンと異なり周波数や位相を設計時に能動的に設定することができるため、複数のSITを用意しその出力電力を合成することが可能である。したがって、その際における位相を制御し適切なアンテナに接続することによって、従来マグネトロンによる加熱においては必須であったスタラーファンやターンテーブルを用いることなく高周波の多方向への放射を行なって、均一な加熱を実現できる可能性を有している。
【0021】
図1は、本実施の形態の高周波加熱装置に搭載されるマイクロ波発振モジュールおける構成例を示す図である。このマイクロ波発振モジュールは、単一の外部発振素子1を励振部とする複数のSIT2a,2bで構成される130W出力のSIT出力モジュール2を有する。そして、SIT出力モジュール2の出力をSPST(単極単投)高周波スイッチ3の各スイッチ(1)〜(4)に入力し、SPST高周波スイッチ3の出力をバトラーマトリックス4の4つの給電端子a)〜d)の何れか一つの給電端子に排他的に入力する構成を有している。尚、図中、「HB」は3dB結合器である。
【0022】
上記SPST高周波スイッチ3を構成する一個のスイッチは、ピンダイオードを用いた高周波用オン・オフスイッチであり、図2に示すように、2つのダイオードD1,D2の組み合わせによって周波数特性を変化させてアナログスイッチと同等の機能を持たせている。図2において、各ダイオードD1,D2のオンおよびオフは夫々順方向および逆方向に相当する。尚、図中「A」,「B」は、SPST高周波スイッチ3の状態を表わす。
【0023】
図1において、上記SPST高周波スイッチ3のスイッチ(1)をオンにして、SIT出力モジュール2の出力をバトラーマトリックス4の給電端子a)に入力すると、4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5の各1/4λマイクロストリップアンテナA,B,C,Dに供給される高周波の位相は、夫々、
(A,B,C,D)=(−45°,−90°,−135°,−180°)
に変換される。その結果、4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5から出力される高周波の方向は、矢印1の方に向くことになる。
【0024】
また、上記SPST高周波スイッチ3のスイッチ(2)をオンして、SIT出力モジュール2の出力をバトラーマトリックス4の給電端子b)に入力すると、4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5の各1/4λマイクロストリップアンテナA,B,C,Dに供給される高周波の位相は、夫々、
(A,B,C,D)=(−135°,0°,−225°,−90°)
に変換される。その結果、4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5からの高周波の方向は、矢印2の方に向くことになる。
【0025】
以下、同様に、上記SIT出力モジュール2の出力をバトラーマトリックス4の給電端子c)に入力した場合には4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5からの高周波は矢印3の方向に、給電端子d)に入力した場合には矢印4の方向に放射されることになる。
【0026】
このように、本マイクロ波発振モジュールによれば、機械的に動くアンテナを用いることなく高周波の放射方向を変化させることができ、従来のスタラーファンと同等の機能を持たせることが可能になる。
【0027】
上述したように、本実施の形態においては、マイクロ波発振モジュールを、外部発振素子1と、SIT出力モジュール2と、SPST高周波スイッチ3と、バトラーマトリックス4と、4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5で構成している。
【0028】
そして、単一の外部発振素子1を励振部とすると共に複数のSIT2a,2bで構成される130W出力のSIT出力モジュール2の出力を、SPST高周波スイッチ3を介してバトラーマトリックス4の各給電端子a)〜d)に排他的に入力する。そして、バトラーマトリックス4の4つの出力端子からの高周波を、4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5の各1/4λマイクロストリップアンテナA,B,C,Dに供給するようにしている。
【0029】
このように、上記SIT出力モジュール2を構成する複数のSIT2a,2bの出力をバトラーマトリックス4によって4連装1 / 4λマイクロストリップアンテナ5に給電するので、複数のSITを用いて大きな加熱能力を得ることができるのである。さらに、上記SPST高周波スイッチ3の各スイッチ(1)〜(4)を順次オンすることによって、4連装1/4λマイクロストリップアンテナ5からの高周波の放射方向を、図1における矢印1〜矢印4の方向に順次変えることができる。したがって、空間的に均一な加熱を行うことができ、電子レンジ等の加熱源に用いた場合に、従来マグネトロンにおいて必須であったスタラーファンやターンテーブルを省略することができる。
【0030】
尚、本実施の形態においては、上記SIT出力モジュール2の励振部をSIT出力モジュール2の外部に在る外部発振素子1で構成している。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、発振素子をSIT出力モジュールに内蔵しても構わない。
【0031】
<第2実施の形態>
ところで、上述したように、現段階では、上記SITの高出力化は精々40W程度であり、近い将来130W程度まで改善されても現行マグネトロンの500Wには程遠い、そのために、本実施の形態においては、複数のSITをモジュール化し、複数のSIT出力モジュールの出力を合成して目的の500Wの高出力を得るようにしている。
【0032】
図3は、上記マイクロ波発振モジュールおける他の構成例を示す図である。このマイクロ波発振モジュールは、単一の外部発振素子11を発振源とする130W出力の2つのSIT出力モジュール12,13をウィルキンソンカプラー14で合成する。同様に、外部発振素子11を発振源とする130W出力の2つのSIT出力モジュール15,16をウィルキンソンカプラー17で合成する。そして更に、ウィルキンソンカプラー14の出力とウィルキンソンカプラー17の出力とを、ウィルキンソンカプラー18によって合成して130W×4の出力を得るようにしている。
【0033】
そして、上記ウィルキンソンカプラー18の出力には、1/4λ短絡型マイクロストリップアンテナ19を接続して特性改善を図っている。尚、ウィルキンソンカプラー18の出力には、第1実施の形態におけるバトラーマトリックスの各給電端子a)〜d)を接続して、マルチビームを達成するように構成しても差し支えない。
【0034】
このように、本実施の形態においては、2個のSITを有して130Wの出力を呈する4個のSIT出力モジュールを、2個ずつウィルキンソンカプラーで電力合成する。さらに、2個のウィルキンソンカプラーの出力を他のウィルキンソンカプラーで電力合成するようにしている。したがって、(130/2)Wの出力を呈するSITを用いて、現行マグネトロンに匹敵する520Wの加熱能力を得ることができるのである。
【0035】
尚、本実施の形態と同様に、上記第1実施の形態におけるSIT出力モジュール2の数を複数にして、更なる高出力化を図ることも可能である。
【0036】
<第3実施の形態>
図4は、上記マイクロ波発振モジュールおける他の構成例を示す図である。このマイクロ波発振モジュールは、単一の外部発振素子21の出力を4個のプリアンプ22で増幅し、夫々の出力をバトラーマトリックス23の4個の給電端子に入力する。さらに、バトラーマトリックス23からの4つの出力を130W出力を呈する4個のSIT出力モジュール24〜27に入力し、各SIT出力モジュール24〜27からの出力を4連装1/4λマイクロストリップアンテナ28の各1/4λマイクロストリップアンテナA,B,C,Dに供給するようにしている。
【0037】
このような構成を取ることによって、上記4連装1/4λマイクロストリップアンテナ28からは、図1に示す矢印1〜矢印4の総ての方向に同時に高周波が放射されることになる。したがって、4つの1/4λマイクロストリップアンテナA,B,C,Dの放射特性が無指向性であるにも関わらず、4方向のマルチビームアンテナとして機能させることができるのである。
【0038】
尚、上記プリアンプ22の数は4個に限定されるものではない。要は、プリアンプの出力がバトラーマトリックス23の4個の給電端子に入力される構成を有していればよいのである。
【0039】
ここで、上記SIT出力モジュール2,12,13,15,16,24〜27内の発振回路は通常のトランジスタと同じくLC発振回路でよく、出力はエミッタフォロワーを採用する、図5はその回路図である。尚、31はSITである。
【0040】
<第4実施の形態>
本実施の形態においては、上記各実施の形態におけるマルチビーム発振型のマイクロ波発振モジュールの高周波加熱装置への搭載例について説明する。
【0041】
図6(a)は、上記マルチビーム発振型のマイクロ波発振モジュール42を、高周波加熱装置としての電子レンジの筺体41に設置した様子を示す。また、図6(b)は、図6(a)におけるマイクロ波発振モジュール42の設置個所の部分拡大図である。尚、図6(a)は筺体41の内部を示しており、筺体41の図中手前側および右側の側壁と天板とは省略している。
【0042】
本実施の形態においては、従来のマグネトロン方式とは異なって導波管というものは必要がなく、マイクロ波発振モジュール42を筺体41に直接設置することが可能であり、容積の節約になる。アンテナ部43は4連装1/4λマイクロストリップアンテナの構成を取っている。
【0043】
上記4連装1/4λマイクロストリップアンテナ43は、図7に示すように、導通基盤45に逆F字型の4個の1/4λマイクロストリップアンテナ46が取り付けられている簡単な構造を有している。そして、中央のピン47が給電端子となり、給電は同軸線路48によって行われる。
【0044】
尚、上記アンテナ43は、図8に示すように4連装1/4λマイクロロッドアンテナ50で構成してもよい。この4連装1/4λマイクロロッドアンテナ50は、4個の逆F字型の1/4λマイクロロッドアンテナ51で構成されている。そして、この1/4λマイクロロッドアンテナ51が取り付けられた導通基盤52の裏側にはボックス53を設け、その内部に全回路を内装している。ここで、ボックス53内に設けられる内部基盤は、第1実施の形態における外部発振素子1,SIT出力モジュール2,SPST高周波スイッチ3,バトラーマトリックス4や、第2実施の形態における外部発振素子11,SIT出力モジュール12・13・15・16,ウィルキンソンカプラー14・17・18や、第3実施の形態における外部発振素子21,プリアンプ22,バトラーマトリックス23,SIT出力モジュール24〜27等の各回路間の干渉を考慮しながら配置する必要がある。
【0045】
上述したように、上記1/4λマイクロストリップアンテナ46を一体に4連装したマイクロ波発振モジュール42を電子レンジの筺体41に設置してもよいが、発振部がモジュール化されているので、1/4λマイクロストリップアンテナ46をモジュール化された発振部から個々に分離して、筺体41の各部に分散して配置することも可能である。
【0046】
その場合は、上記1/4λマイクロストリップアンテナ46の面積を大きくした方がマッチングは取り易い。そこで、1/4λマイクロストリップアンテナ46として、図9に示すような典型的な1/4λ短絡型マイクロストリップアンテナ61を用い、筺体41の各部に配置してストリップラインのような伝送線路で給電を行うことが望ましい。
【0047】
【発明の効果】
以上より明らかなように、第1の発明の高周波加熱装置は、リセスゲート構造のSITを複数有する高周波出力モジュールと、この高周波出力モジュールの出力を入力とするバトラーマトリックスと、このバトラーマトリックスからの所定数の出力端子に接続された多連装アンテナを備えたので、複数個のリセスゲート構造SITの出力を電力合成して、高い加熱能力を得ることができる。さらに、上記バトラーマトリックスによる所定数の位相の高周波に基づいて上記所定数の方向へのマルチ高周波ビームを放射できる。
【0048】
すなわち、この発明によれば、空間的に均一な加熱を行うことができ、従来マグネトロンにおいて必須であったスタラーファンやターンテーブルを省略して、コンパクト化を図ることができるのである。したがって、マイクロ波を利用した高周波加熱装置のコンパクト化と高出力化とを両立させることができる。
【0049】
また、上記第1の発明の発明の高周波加熱装置は、上記高周波出力モジュールの励振部を上記高周波出力モジュール外に在る外部発振素子で構成すれば、容易に位相変換を行うことができ、能動的に上記マイクロ波の放射特性を変化させたり電力を合成することが可能になる。
【0050】
また、上記第1の発明の発明の高周波加熱装置は、上記バトラーマトリックスを、出力する高周波の位相数と同じ所定数の入力端子を有するように成し、上記高周波出力モジュールの出力端子に接続されて、上記高周波出力モジュールの出力端子からの出力を排他的に上記バトラーマトリックスの入力端子の何れか一つに供給するスイッチング手段を備えれば、上記多連装アンテナから放射される高周波ビームの放射方向を、上記所定数の方向に変更することが可能になる。
【0051】
た、第2の発明の高周波加熱装置は、リセスゲート構造のSITを複数有する所定数の高周波出力モジュールと、上記高周波出力モジュールの外に在って各高周波出力モジュールの励振部を構成する発振素子と、上記発振素子に接続されたプリアンプと、上記所定数の位相の励振信号を生成して上記高周波出力モジュールに出力するバトラーマトリックスと、上記所定数の高周波出力モジュールの何れか一つに接続された上記所定数の無指向性アンテナを備えたので、上記バトラーマトリックスからの上記所定数の位相の励振信号を高周波出力モジュールに入力して、上記所定数の位相の高周波を得ることができる。したがって、夫々の位相の高周波を上記所定数の無指向性アンテナの何れかに入力することによって、複数個のリセスゲート構造SITからの出力の電力合成を行い、尚且つ、放射特性も合成して上記所定数の方向へのマルチビームを放射することができる。
【0052】
すなわち、この発明によれば、複数個のリセスゲート構造SITの出力を電力合成して、高い加熱能力を得ることができる。さらに、空間的に均一な加熱を行うことができ、従来マグネトロンにおいて必須であったスタラーファンやターンテーブルを省略することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の高周波加熱装置に搭載されるマイクロ波発振モジュールの構成例を示す図である。
【図2】ピンダイオードの構成を示す図である。
【図3】図1とは異なる構成例を示す図である。
【図4】図1および図3とは異なる構成例を示す図である。
【図5】SITを用いた発振回路の回路図である。
【図6】マイクロ波発振モジュールを電子レンジの筺体に設置した様子を示す図である。
【図7】4連装1/4λマイクロストリップアンテナの概観図である。
【図8】4連装1/4λマイクロロッドアンテナの概観図である。
【図9】1/4λ短絡型マイクロストリップアンテナの概観図である。
【符号の説明】
1,11,21…外部発振素子、
2,12,13,15,16,24〜27…SIT出力モジュール、
3…SPST高周波スイッチ、 4,23…バトラーマトリックス、
5,28,43…4連装1/4λマイクロストリップアンテナ、
14,17,18…ウィルキンソンカプラー、
19,61…1/4λ短絡型マイクロストリップアンテナ、
22…プリアンプ、 31…SIT、
41…筺体、 42…マイクロ波発振モジュール、
45,52…導通基盤、
46…1/4λマイクロストリップアンテナ、
47…ピン、 48…同軸線路、
50…4連装1/4λマイクロロッドアンテナ、
51…1/4λマイクロロッドアンテナ、
53…ボックス。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an improvement of a high-frequency heating device using an industrial frequency band electromagnetic wave as a heating source.
[0002]
[Prior art]
The high-frequency heating device is a heating device that utilizes the dielectric heating characteristic of industrial frequency band electromagnetic waves (commonly called microwaves), which is widely used in the private sector under the name of a microwave oven.
[0003]
Conventionally, a magnetron is usually used for the high frequency generator of the high frequency heating device. This magnetron is a fixed-frequency two-pole oscillation tube whose oscillation frequency is determined when its structure is determined. The frequency stability is low, but the structure is simple and the conversion efficiency of input power to microwave is 70%. %, It is widely used for applications requiring large power.
[0004]
For consumer use, microwaves in the industrial frequency band of 2.45 GHz are generated by this magnetron, and are used as microwave ovens having a heating capacity of about 500 W. The size of the magnetron that generates the microwave of 2.45 GHz is physically substantially fixed, and occupies a space of about 7 cm to 10 cm 3. It can be understood that the space occupied by the magnetron is very large in view of the fact that the average size of a commercially available microwave oven is about 30 cm × 25 cm × 20 cm.
[0005]
In order to eliminate such dimensional restrictions, oscillation elements have been sought in place of magnetrons, and as an example, solid magnetrons using vacuum micro devices have been developed.
[0006]
The external dimensions of the vacuum microdevice are expected to be about 20 mm × 60 mm × 40 mm, and show extremely good volumetric efficiency as compared with the magnetron. However, at present, a device that can withstand practical use has not been developed, and at present, it has not been used as a high-frequency heating device.
[0007]
On the other hand, electrostatic induction type transistors (hereinafter abbreviated as SITs) have also met the background as magnetron replacements, and have attracted attention in the past. It is down. However, in recent years, an SIT having a recess gate structure in which the disadvantage has been improved has been developed (Japanese Utility Model Publication No. 2517175), and expectations for application to a microwave oven are increasing again. The SIT having the recessed gate structure is an active element in which a gate layer buried between a drain layer and a source layer is constituted by a plurality of grid-like gate portions including vertical stripe gates and horizontal stripe gates. is there.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the specifications of the recess gate structure at the present stage in the SIT are an operating pressure of 60 V to 70 V, an output of 46 W, and a conversion efficiency of 40%, which are inferior to magnetrons.
[0009]
However, its outer dimensions are 20 mm × 10 mm × 4 mm, which is more compact than a vacuum microdevice. Therefore, it can be used as an auxiliary heating means of a conventional microwave oven or a combined heating means using a plurality of elements.
[0010]
Therefore, an object of the present invention is to provide a high-frequency heating device using a SIT having a recess gate structure as a microwave oscillation module.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, the first invention is a high frequency heating apparatus utilizing industrial frequency band electromagnetic waves and oscillating source SIT recess gate structure, and a high frequency output module having a plurality of upper Symbol oscillation source, A Butler matrix that outputs a high frequency of a predetermined number of phases from the predetermined number of output terminals with an output of the high frequency output module as an input, and is connected to the predetermined number of output terminals of the Butler matrix and is connected to the predetermined number of directions. It is characterized by having a multiple antenna for outputting a beam .
[0012]
According to the above configuration, the output power of SI T recess gate structure in which a plurality chromatic synthesis. Thus, high output can be obtained based on the plurality of recess gate structures SIT. Further, the multiple antennas radiate multiple high-frequency beams in the predetermined number of directions based on high-frequency waves having a predetermined number of phases from the Butler matrix.
[0013]
Further, in the high-frequency heating device according to the first aspect of the present invention, it is preferable that the excitation unit of the high-frequency output module is configured by an external oscillation element outside the high-frequency output module.
[0014]
According to the configuration, the excitation unit of the high-frequency output module is configured by the external oscillation element outside the high-frequency output module. Therefore, by performing the phase conversion, it becomes possible to actively change the radiation characteristic of the above-mentioned industrial frequency band electromagnetic wave or to synthesize electric power.
[0015]
Also, with the first high-frequency heating apparatus of the invention, the Butler matrix has an input terminal of the same predetermined number of the number of phases of the high frequency output is connected to an output terminal of the high-frequency output module, It is desirable to have switching means for exclusively supplying an output from an output terminal of the high-frequency output module to any one of the predetermined number of input terminals of the Butler matrix .
[0016]
According to the above configuration, the output of the high frequency output module or colleagues, is supplied to one of input terminals of the exclusive the Butler matrix by the switching means. Accordingly, the radial RF beam emitted from the Tarenso antenna, Rukoto of varying puff in the direction of the predetermined number can be ing.
[0017]
Also, high-frequency heating apparatus of the second invention is a high frequency heating apparatus utilizing industrial frequency band electromagnetic waves and oscillating source SIT recess gate structure, a predetermined number of high-frequency output module having a plurality of upper Symbol oscillation source When, along with constituting the excitation portion of the high-frequency output module, the oscillator located outside the RF output module and connected to the preamplifier to an output terminal of the oscillator, the predetermined number on the basis of the output of the preamplifier And a Butler matrix that generates an excitation signal having a phase of the predetermined number and outputs the same to the predetermined number of high-frequency output modules, and the predetermined number of non-linear circuits connected in parallel to any one of the predetermined number of high-frequency output modules. It is characterized by having a directional antenna.
[0018]
According to the above configuration, each of the excitation signals having a predetermined number of phases output from the Butler matrix is input to the high-frequency output module having a plurality of SITs having the recess gate structure, and the high frequency having the predetermined number of phases is obtained. Then, the high frequency of each phase is input to any one of the predetermined number of omnidirectional antennas. Thus, the output of the plurality of recess gate structure SIT is power combining, besides, the multi-beam radiation characteristic be synthesized in the direction of the predetermined number are output.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments. As of June 1999, it has been reported that the SIT having the recess gate structure has an operating voltage of 60 V to 70 V, an output of 46 W, and an efficiency of 40%. In the near future, an operating voltage of 50 V to 140 V, an output of 130 W, an efficiency of 70%, There is a prospect that the power gain can be improved up to about 10 dB. Nevertheless, magnetrons, which are microwave ovens of microwave ovens currently on the market, have an operating voltage of 4 kV, an output of 500 W to 1 kW, and an efficiency of 70%. Absent.
[0020]
<First embodiment>
Unlike the magnetron, the SIT can actively set the frequency and phase at the time of design, so that a plurality of SITs can be prepared and their output power can be combined. Therefore, by controlling the phase at that time and connecting it to an appropriate antenna, high-frequency radiation in multiple directions can be achieved without using a stirrer fan or turntable, which was indispensable for heating with a magnetron in the past. It has the possibility of realizing appropriate heating.
[0021]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a microwave oscillation module mounted on the high-frequency heating device according to the present embodiment. This microwave oscillation module has a 130 W output SIT output module 2 composed of a plurality of SITs 2 a and 2 b using a single external oscillation element 1 as an excitation unit. Then, the output of the SIT output module 2 is input to each of the switches (1) to (4) of the SPST (single-pole, single-throw) high-frequency switch 3, and the output of the SPST high-frequency switch 3 is supplied to the four power supply terminals a of the Butler matrix 4. To d) to exclusively input to any one of the power supply terminals. In the figure, "HB" is a 3 dB coupler.
[0022]
One of the switches constituting the SPST high-frequency switch 3 is a high-frequency on / off switch using a pin diode. As shown in FIG. It has the same function as a switch. In FIG. 2, ON and OFF of the diodes D1 and D2 correspond to forward and reverse directions, respectively. Note that “A” and “B” in the figure represent states of the SPST high-frequency switch 3.
[0023]
In FIG. 1, when the switch (1) of the SPST high-frequency switch 3 is turned on and the output of the SIT output module 2 is input to the feeder terminal a) of the Butler matrix 4, each of the four 1/4 .lambda. The phases of the high frequencies supplied to the / 4λ microstrip antennas A, B, C and D are respectively
(A, B, C, D) = (-45 °, -90 °, -135 °, -180 °)
Is converted to As a result, the direction of the high frequency output from the quadruple quarter-λ microstrip antenna 5 is directed in the direction of arrow 1.
[0024]
When the switch (2) of the SPST high-frequency switch 3 is turned on and the output of the SIT output module 2 is input to the feeder terminal b) of the Butler matrix 4, each quarter λ of the quadruple quarter λ microstrip antenna 5 The phases of the high frequencies supplied to the microstrip antennas A, B, C and D are respectively
(A, B, C, D) = (-135 °, 0 °, -225 °, -90 °)
Is converted to As a result, the direction of the high frequency from the quadruple quarter-λ microstrip antenna 5 is directed in the direction of arrow 2.
[0025]
Hereinafter, similarly, when the output of the SIT output module 2 is input to the feed terminal c) of the Butler matrix 4, the high frequency from the quadruple quarter-λ microstrip antenna 5 is supplied in the direction of arrow 3 and the feed terminal d). Is emitted in the direction of arrow 4.
[0026]
As described above, according to the present microwave oscillation module, the radiation direction of high frequency can be changed without using a mechanically moving antenna, and it is possible to have a function equivalent to that of a conventional stirrer fan. .
[0027]
As described above, in the present embodiment, the microwave oscillating module includes the external oscillating element 1, the SIT output module 2, the SPST high-frequency switch 3, the butler matrix 4, and the quadruple quarter λ microstrip antenna 5. It consists of.
[0028]
The single external oscillating element 1 is used as an excitation unit, and the output of the 130 W output SIT output module 2 composed of a plurality of SITs 2 a and 2 b is supplied to the respective feed terminals a of the butler matrix 4 via the SPST high frequency switch 3. ) To d) are input exclusively. Then, high frequencies from the four output terminals of the Butler matrix 4 are supplied to the respective quarter-λ microstrip antennas A, B, C and D of the quadruple quarter-λ microstrip antenna 5.
[0029]
Thus, a plurality of SIT2a constituting the SIT output module 2, since the power supply output of 2b by Butler matrix 4 to 4 twin 1 / 4.lamda microstrip antenna 5, to obtain a large heating capacity by using a plurality of SIT You can do it. Further, by sequentially turning on each of the switches (1) to (4) of the SPST high-frequency switch 3, the radiation direction of the high frequency from the quadruple quarter-λ microstrip antenna 5 is changed by arrows 1 to 4 in FIG. The direction can be changed sequentially. Therefore, uniform heating can be performed spatially, and when used for a heating source such as a microwave oven, a stirrer fan and a turntable conventionally required in a magnetron can be omitted.
[0030]
In the present embodiment, the excitation section of the SIT output module 2 is constituted by an external oscillating element 1 outside the SIT output module 2. However, the present invention is not limited to this, and the oscillation element may be built in the SIT output module.
[0031]
<Second embodiment>
By the way, as described above, at the present stage, the high output of the SIT is at most about 40 W, and even if it is improved to about 130 W in the near future, it is still far from the current magnetron of 500 W. Therefore, in the present embodiment, , A plurality of SITs are modularized, and outputs of the plurality of SIT output modules are combined to obtain a desired high output of 500 W.
[0032]
FIG. 3 is a diagram showing another configuration example of the microwave oscillation module. In this microwave oscillation module, two SIT output modules 12 and 13 of 130 W output using a single external oscillation element 11 as an oscillation source are combined by a Wilkinson coupler 14. Similarly, two SIT output modules 15 and 16 of 130 W output using the external oscillation element 11 as an oscillation source are combined by a Wilkinson coupler 17. Further, the output of the Wilkinson coupler 14 and the output of the Wilkinson coupler 17 are combined by the Wilkinson coupler 18 to obtain an output of 130 W × 4.
[0033]
The output of the Wilkinson coupler 18 is connected to a λλ short-circuited microstrip antenna 19 to improve the characteristics. Incidentally, the feeder terminals a) to d) of the Butler matrix in the first embodiment may be connected to the output of the Wilkinson coupler 18 to achieve multi-beam.
[0034]
As described above, in the present embodiment, four SIT output modules each having two SITs and exhibiting an output of 130 W are power-combined two by two with a Wilkinson coupler. Further, the outputs of the two Wilkinson couplers are combined by another Wilkinson coupler. Therefore, using a SIT exhibiting an output of (130/2) W, it is possible to obtain a heating capacity of 520 W comparable to the current magnetron.
[0035]
Incidentally, as in the present embodiment, it is also possible to increase the number of SIT output modules 2 in the first embodiment to further increase the output.
[0036]
<Third embodiment>
FIG. 4 is a diagram showing another configuration example of the microwave oscillation module. In this microwave oscillation module, the output of a single external oscillation element 21 is amplified by four preamplifiers 22, and the respective outputs are input to four feed terminals of a Butler matrix 23. Further, the four outputs from the Butler matrix 23 are input to four SIT output modules 24 to 27 exhibiting a 130 W output, and the output from each SIT output module 24 to 27 is output to each of the quadruple quarter-λ microstrip antennas 28. The signals are supplied to quarter-λ microstrip antennas A, B, C, and D.
[0037]
By adopting such a configuration, the quadruple quarter- [lambda] microstrip antenna 28 emits high frequencies in all directions of arrows 1 to 4 shown in FIG. Therefore, even though the radiation characteristics of the four quarter-λ microstrip antennas A, B, C, and D are omnidirectional, they can function as multi-beam antennas in four directions.
[0038]
The number of the preamplifiers 22 is not limited to four. In short, what is necessary is just to have a configuration in which the output of the preamplifier is input to the four power supply terminals of the Butler matrix 23.
[0039]
Here, the oscillating circuits in the SIT output modules 2, 12, 13, 15, 16, 24 to 27 may be LC oscillation circuits like ordinary transistors, and the output employs an emitter follower. FIG. It is. Incidentally, 31 is SIT.
[0040]
<Fourth embodiment>
In this embodiment, an example of mounting the multi-beam oscillation type microwave oscillation module in each of the above embodiments on a high-frequency heating device will be described.
[0041]
FIG. 6A shows a state in which the microwave oscillation module 42 of the multi-beam oscillation type is installed in a housing 41 of a microwave oven as a high-frequency heating device. FIG. 6B is a partially enlarged view of a place where the microwave oscillation module 42 in FIG. 6A is installed. FIG. 6A shows the inside of the housing 41, and the front side and right side walls of the housing 41 and the top plate are omitted.
[0042]
In the present embodiment, unlike a conventional magnetron system, a waveguide is not required, and the microwave oscillation module 42 can be directly installed in the housing 41, thereby saving the volume. The antenna section 43 has a configuration of a quadruple quarter-λ microstrip antenna.
[0043]
The quadruple quarter-λ microstrip antenna 43 has a simple structure in which four inverted-F-shaped quarter-λ microstrip antennas 46 are attached to a conductive base 45 as shown in FIG. I have. The central pin 47 serves as a power supply terminal, and power is supplied by the coaxial line 48.
[0044]
The antenna 43 may be constituted by a quadruple quarter-λ microrod antenna 50 as shown in FIG. The quadruple quarter-λ microrod antenna 50 is composed of four inverted F-shaped quarter-λ microrod antennas 51. A box 53 is provided on the back side of the conductive board 52 to which the 1 / 4λ microrod antenna 51 is attached, and the entire circuit is housed therein. Here, the internal base provided in the box 53 includes the external oscillating device 1, the SIT output module 2, the SPST high-frequency switch 3, and the Butler matrix 4 in the first embodiment, and the external oscillating device 11, in the second embodiment. The SIT output modules 12, 13, 15, 16, the Wilkinson couplers 14, 17, 18, and the circuits such as the external oscillating element 21, the preamplifier 22, the Butler matrix 23, and the SIT output modules 24-27 in the third embodiment. It is necessary to arrange them while considering interference.
[0045]
As described above, the microwave oscillating module 42 in which the quarter λ microstrip antenna 46 is integrally mounted in four units may be installed in the housing 41 of the microwave oven, but since the oscillating unit is modularized, It is also possible to separate the 4λ microstrip antenna 46 from the modularized oscillating section individually and to disperse and dispose it in each section of the housing 41.
[0046]
In that case, matching can be easily achieved by increasing the area of the 上 記 λ microstrip antenna 46. Therefore, a typical 1 / 4λ short-circuited microstrip antenna 61 as shown in FIG. 9 is used as the 1 / 4λ microstrip antenna 46, and is disposed in each part of the housing 41 to supply power through a transmission line such as a stripline. It is desirable to do.
[0047]
【The invention's effect】
As apparent from the above, the high frequency heating apparatus of the first invention comprises a high-frequency output module having a plurality of SIT of re Sesugeto structure, the Butler matrix which receives the output of the high-frequency output module, given from the Butler matrix Since the multiple antennas connected to the number of output terminals are provided, it is possible to combine the outputs of the plurality of recess gate structures SIT with power and obtain a high heating capability. Further, based on the high frequency of a predetermined number of phases by the Butler matrix, multiple high frequency beams can be emitted in the predetermined number of directions.
[0048]
That is, according to the present invention, spatially uniform heating can be performed, and a stirrer fan and a turntable, which have been indispensable in a conventional magnetron, can be omitted to achieve compactness. Therefore, it is possible to achieve both the compactness and the high output of the high-frequency heating device using the microwave.
[0049]
In the high-frequency heating device according to the first aspect of the present invention, if the excitation unit of the high-frequency output module is configured by an external oscillating element provided outside the high-frequency output module, phase conversion can be easily performed. This makes it possible to change the radiation characteristics of the microwave and to combine the power.
[0050]
Further, the first high-frequency heating apparatus of the invention relates to a form so as to have an input terminal of the same predetermined number of the number of phases of the high frequency of the Butler matrix, and outputs, connected to the output terminal of the high-frequency output module If switching means for exclusively supplying the output from the output terminal of the high-frequency output module to any one of the input terminals of the Butler matrix is provided, the radiation of the high-frequency beam radiated from the multiple antenna is provided. direction, Rukoto of varying puff in the direction of the predetermined number can be ing.
[0051]
Also, high-frequency heating apparatus of the second invention, an oscillation element constituting a predetermined number of high-frequency output module to a plurality have a SIT recess gate structure is outside the above high-frequency output module an excitation portion of the radio frequency output module A preamplifier connected to the oscillation element, a Butler matrix that generates an excitation signal having the predetermined number of phases and outputs the excitation signal to the high frequency output module, and is connected to any one of the predetermined number of high frequency output modules. Since the predetermined number of omnidirectional antennas are provided, the excitation signal of the predetermined number of phases from the Butler matrix can be input to a high-frequency output module to obtain the high frequency of the predetermined number of phases. Therefore, by inputting the high frequency of each phase to any one of the predetermined number of omnidirectional antennas, the power from the plurality of recess gate structures SIT is synthesized, and the radiation characteristics are also synthesized. Multiple beams can be emitted in a predetermined number of directions.
[0052]
That is, according to the present invention, the outputs of the plurality of recess gate structures SIT can be power-combined to obtain a high heating capability. Furthermore, it is possible to perform spatially uniform heating, and it is possible to omit a stirrer fan and a turntable that have been essential in a conventional magnetron.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a microwave oscillation module mounted on a high-frequency heating device of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a pin diode.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example different from FIG. 1;
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a configuration different from FIGS. 1 and 3;
FIG. 5 is a circuit diagram of an oscillation circuit using SIT.
FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which the microwave oscillation module is installed in a housing of a microwave oven.
FIG. 7 is a schematic view of a quadruple quarter-λ microstrip antenna.
FIG. 8 is a schematic view of a quadruple quarter-λ microrod antenna.
FIG. 9 is a schematic view of a 1 / 4λ short-circuit type microstrip antenna.
[Explanation of symbols]
1, 11, 21 ... external oscillating element,
2,12,13,15,16,24-27 ... SIT output module,
3, SPST high-frequency switch, 4,23 Butler matrix,
5, 28, 43 ... quadruple quarter-λ microstrip antenna,
14, 17, 18 ... Wilkinson coupler,
19,61 ... 1 / 4λ short-circuit type microstrip antenna,
22 ... Preamplifier, 31 ... SIT,
41 ... housing, 42 ... microwave oscillation module,
45, 52 ... conductive base,
46 ... 1 / 4λ microstrip antenna,
47 ... pin, 48 ... coaxial line,
50 ... quadruple 1 / 4λ micro rod antenna,
51 1 / 4λ micro rod antenna,
53 ... Box.

Claims (4)

リセスゲート構造の静電誘導トランジスタを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、
記発振源を複数有する高周波出力モジュールと、
この高周波出力モジュールの出力を入力として、所定数の位相の高周波を上記所定数の出力端子から出力するバトラーマトリックスと、
上記バトラーマトリックスにおける上記所定数の出力端子に接続されて、上記所定数の方向へのビームを出力する多連装アンテナ
を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
A high-frequency heating device using an industrial frequency band electromagnetic wave having an electrostatic induction transistor having a recess gate structure as an oscillation source,
And a high frequency output module having a plurality of upper Symbol oscillation source,
A Butler matrix that receives an output of the high-frequency output module as input, and outputs a high-frequency having a predetermined number of phases from the predetermined number of output terminals,
A high-frequency heating device, comprising: a multiple antenna connected to the predetermined number of output terminals of the Butler matrix to output beams in the predetermined number of directions .
請求項1に記載の高周波加熱装置において、
上記高周波出力モジュールの励振部を、上記高周波出力モジュールの外に在る外部発振素子で構成したことを特徴とする高周波加熱装置。
The high-frequency heating device according to claim 1,
A high-frequency heating device, wherein the excitation unit of the high-frequency output module is constituted by an external oscillation element outside the high-frequency output module.
請求項1に記載の高周波加熱装置において、
上記バトラーマトリックスは、出力する高周波の位相数と同じ所定数の入力端子を有しており、
上記高周波出力モジュールの出力端子に接続されると共に、上記高周波出力モジュールの出力端子からの出力を排他的に上記バトラーマトリックスの上記所定数の入力端子の何れか一つに供給するスイッチング手段
を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
The high-frequency heating device according to claim 1,
The Butler matrix has a predetermined number of input terminals equal to the number of high-frequency phases to be output,
Is connected to the output terminal of the high frequency output module, comprising a switching means for supplying one of exclusively the Butler the predetermined number of input terminals of the matrix output from the output terminal of the high-frequency output module A high-frequency heating device.
リセスゲート構造の静電誘導トランジスタを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、
上記発振源を複数有する所定数の高周波出力モジュールと、
上記高周波出力モジュールの励振部を構成すると共に、上記高周波出力モジュールの外に在る発振素子と、
上記発振素子の出力端子に接続されたプリアンプと、
上記プリアンプの出力に基づいて上記所定数の位相の励振信号を生成し、上記所定数の高周波出力モジュールに出力するバトラーマトリックスと、
並列配置されると共に、上記所定数の高周波出力モジュールの何れか一つに接続された上記所定数の無指向性アンテナ
を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
A high-frequency heating device using an industrial frequency band electromagnetic wave having an electrostatic induction transistor having a recess gate structure as an oscillation source,
A predetermined number of high-frequency output modules having a plurality of the oscillation sources,
An oscillation element that constitutes an excitation unit of the high-frequency output module, and is provided outside the high-frequency output module,
A preamplifier connected to the output terminal of the oscillation element,
A Butler matrix that generates an excitation signal having the predetermined number of phases based on the output of the preamplifier and outputs the excitation signal to the predetermined number of high-frequency output modules,
A high-frequency heating apparatus comprising: the predetermined number of omnidirectional antennas arranged in parallel and connected to any one of the predetermined number of high-frequency output modules .
JP32980999A 1999-11-19 1999-11-19 High frequency heating equipment Expired - Fee Related JP3577433B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32980999A JP3577433B2 (en) 1999-11-19 1999-11-19 High frequency heating equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32980999A JP3577433B2 (en) 1999-11-19 1999-11-19 High frequency heating equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001148283A JP2001148283A (en) 2001-05-29
JP3577433B2 true JP3577433B2 (en) 2004-10-13

Family

ID=18225493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32980999A Expired - Fee Related JP3577433B2 (en) 1999-11-19 1999-11-19 High frequency heating equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3577433B2 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007247198A (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Nobuyasu Kondo Display means snow melting system
JP5169371B2 (en) * 2008-03-26 2013-03-27 パナソニック株式会社 Microwave processing equipment
JP5589300B2 (en) * 2009-04-13 2014-09-17 パナソニック株式会社 Heat treatment equipment
JP5589306B2 (en) * 2009-05-20 2014-09-17 パナソニック株式会社 Heat treatment equipment
US9967925B2 (en) 2012-09-13 2018-05-08 Goji Limited RF oven with inverted F antenna
CN105071017A (en) * 2015-08-06 2015-11-18 广东美的厨房电器制造有限公司 Antenna for microwave heating and microwave heating equipment
WO2020208814A1 (en) 2019-04-12 2020-10-15 三菱電機株式会社 Heating device
WO2026014477A1 (en) * 2024-07-10 2026-01-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 Radio wave radiation system, radio wave radiation device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001148283A (en) 2001-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6188360B1 (en) Radio-frequency radiation source, radio frequency radiation source array, antenna module, and radio equipment
JP3839322B2 (en) Impedance matching circuit and antenna device using the same
JP3577433B2 (en) High frequency heating equipment
Mao et al. Single-pole double-throw filtering switch and its application in pattern reconfigurable antenna
JP3656470B2 (en) Frequency switching structure of surface mount antenna and communication device having the structure
JP4263961B2 (en) Antenna device for portable radio
JP4645603B2 (en) Antenna structure and wireless communication apparatus including the same
US11923587B2 (en) Transmission line for radiofrequency range current
Wang et al. A compact harmonic-suppressed filtenna based on miniaturized high-order half-mode SIW cavity
Martinez et al. High-efficiency FET/microstrip-patch oscillators
JP2019521629A (en) Circuit board arrangement for signal supply to radiators
US6753824B2 (en) Compact, planar antenna with two ports and terminal comprising same
JP3895223B2 (en) Antenna device
Guo et al. A beam-reconfigurable probe-fed mm-wave SIW slot array antenna using cavity-backed U-slot SIW switch
Federico et al. A wide-angle scanning array using a multi-mode antenna for mm-wave communications
JP2024034858A (en) High frequency amplifier, antenna module, and radar module
Wu et al. Highly Integrated Circularly Polarized Beam Scanning Array With High Aperture Efficiency Based on Hybrid Integrated Suspended Line Technology
Chen et al. A wideband pattern-reconfigurable antenna based on high-order magneto-electric dipole concept
Bonefacic et al. Modified rectangular oscillating patch antenna with bipolar transistor
Rahman et al. A 26-MESFET spatial power-combining oscillator
Bonefačić et al. Active push-pull circular patch antenna
JP2005229499A (en) Multiband antenna device
CN115911836A (en) A W-band Active Phased Array Antenna
Bonefacic et al. Active Push-Pull Circular Patch Antenna
CN121440168A (en) Antenna assemblies and electronic devices

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040316

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040514

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040706

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040712

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070716

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees