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JP3585146B2 - ATM cellization / decellulation equipment - Google Patents
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JP3585146B2 - ATM cellization / decellulation equipment - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はATM(Asynchronous Transfer Mode:非同期転送モード) セル化/デセル化装置に関する。
【0002】
このATMセル化/デセル化装置は、同期転送モード(STM:Synchronous Transfer Mode)網で扱われるCBR(Constant Bit Rate) データを分割してATM網に送信可能とする為のクラッド方式とも呼ばれるATMセル化方式と、ATM網から受信したATMセルをSTM網に送信する為にCBRデータに多重するデセル化方式とを適用したものである。
【0003】
CBRデータとは、B−ISDN(Broadband aspects of Integrated Service Digital Network) のサービスにおいて、通信速度の観点から2つに分類される固定速度(CBR)サービスと可変速度(VBR)サービスの内、固定速度サービスを実現するために用いられるものである。
【0004】
固定速度サービスとは、情報が一定の速度で回線上を流れる通信である。N−ISDN(Narrowband aspects of ISDN)の64〜1536/1920/Kbpsディジタル通信サービスは、B−ISDN内ではCBRサービスとして扱われる。具体的なサービス速度については、例えば42.195Kbpsというように全く任意に設定可能とするか、或いは64Kbpsの整数倍というようにステップを設けるか、今後の課題となっている。なお、従来の専用線ベースで提供されてきたディジタル2次群などの速度もCBRサービスのステップの一つとして扱われる。
【0005】
【従来の技術】
従来のATMセル化方式においては、STM網から送られてきたCBRデータを一旦セル化バッファに蓄積し、これをATM網が読みだすようにしている。また、CBRデータのフレーム若しくはマルチフレームの異常時には、その異常を示すアラーム信号をCBRデータが伝送されるラインと別のラインによってATM網へ通知していた。
【0006】
また、従来のATMセルのデセル化方式においては、STM網が、ATM網から送られてきたATMセルを一旦デセル化バッファに蓄積してSTMの周期に従って読み出すが、この際、受信ATMセルの全てを監視することによって、ATM網のセルが前後にずれるゆらぎやSTM網の擾乱によって発生するデセル化バッファのオーバーフロー/アンダフローの監視を行なってきた。
【0007】
オーバーフローとは、セルがバッファ蓄積容量をオーバする状態であり、この場合、セルがバッファ装置に蓄積されない状態が生じるので適正なデータの読み出しが行えなくなる。アンダフローとは、セルのバッファ蓄積量がゼロとなる状態であり、この場合、セルがバッファ装置に蓄積されていないにも関わらず、何らかのデータが読みだされてしまうので適正なデータの読み出しが行えなくなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来のATMセル化/デセル化方式において、CBRデータのフレーム若しくはマルチフレームに周期異常が発生した場合、CBRデータをセル化バッファへ書き込む周期が変化し、セル化バッファからのATMセルの読み出し周期が変わってしまう。この為、ATMセルの送信間隔が正常時と比べ変化し、ATMセルの受信側のデセル化バッファのデータ蓄積量がオーバーフロー又はアンダフロー方向に推移し、デセル化バッファで吸収することが可能であるゆらぎ吸収幅を越えてしまう問題があった。
【0009】
また、CBRデータのフレーム若しくはマルチフレームで構成するデータの同期がはずれた場合に、同期がはずれたままの位相でATMセル化して送信すると、ATMセルの受信側でも先の送信時の同期外れが起因する同期はずれが発生し、デセル化バッファがバッファ・オーバーフロー又はバッファ・アンダフロー方向に推移してしまう問題があった。
【0010】
更に、フレーム位相の周期異常が発生して再び復旧した場合、前位相と復旧後に新しく同期がとれた位相とが異なるケースが生じる。この場合、新しい位相でデセル化バッファから連続してデータを読み出すことになるが、デセル化バッファの蓄積データ量をカウントして監視するためのカウンタの値が、実際に読みだし可能なデータ量と異なってデータ残量が合わず、デセル化バッファ内に読みだすデータが無くなってもアンダフローのアラームが発生しないままデセル化を続ける問題があった。
【0011】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、データフレームに同期外れが生じてもATMセル化/デセル化バッファがオーバーフロー/アンダフローとならないようにすることができるATMセル化/デセル化装置を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
図1に本発明の原理図を示す。この図に示すATMセル化/デセル化装置は、同期転送モード網から送信されてきたSTMデータを蓄積するセル化バッファ1と、STMデータのフレームパルス周期の異常を検出する異常監視手段2と、フレームパルスに同期してセル化バッファ1にSTMデータを書き込む書込制御手段4と、フレームパルスと独立して入力される非同期転送モード網のATMセルのセルフレームパルスに同期してセル化バッファ1からATMセルを読み出すことにより、異常監視手段2の異常検出時に正常時の読み出し間隔でATMセルを読み出す読出制御手段5と、異常監視手段2の異常検出時に、セル化バッファ1から読みされたATMセルに警報セルをマッピングすることにより、警報セルを正常なATMセルと同じ間隔で出力する異常処理手段3とを具備して構成したものである。
【0013】
このような構成によれば、STMデータのフレームパルスの周期異常時でも、正常時の読み出し間隔でATMセルを読み出すことが可能となるので、セル化バッファ1のオーバフロー/アンダフローを防止することができ、また周期異常時にはATMセルにその異常を知らせる警報セルがマッピングされるので周期異常を非同期転送モード網へ通知することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図2は本発明の第1実施形態によるATMセル化/デセル化装置のブロック構成図である。
【0015】
図2に示すATMセル化/デセル化装置において、符号1はセル化バッファ、2はフレームパルス周期異常監視部、3は異常処理部、4は書込制御部、5は読出制御部である。
【0016】
セル化バッファ1は、図示せぬSTM網から送信されてきたCBRデータD1をATMセル化する為に一旦蓄積するものである。
フレームパルス周期異常監視部2は、STM網に同期したクロックCK1により作動し、CBRデータD1のフレームパルスFP1の周期の監視を行なうことによってフレームパルスFP1の周期の異常を監視するものであり、その異常検出時に異常処理信号S1を、異常処理部3、書込制御部4及び読出制御部5へ出力する。
【0017】
書込制御部4は、異常処理信号S1の未供給時、即ちフレームパルスFP1の周期が正常時に、フレームパルスFP1とクロックCK1に同期した書き込みアドレス及び書き込みイネーブル信号を生成してセル化バッファ1にCBRデータD1を書き込む制御を行い、CBRデータD1を書き込んだ都度、書込完了信号S2を読出制御部5へ出力する。また、異常処理信号S1の供給時、即ちフレームパルスFP1の周期が異常時は、読出制御部5への書込完了信号S2の出力は行わない。
【0018】
読出制御部5は、異常処理信号S1の未供給時に、ATMセルC1のセルフレームパルスFP2と図示せぬATM網に同期したクロックCK2に同期した読み出しアドレスと読み出しイネーブル信号を、書込完了信号S2が入力された際に生成してセル化バッファ1からATMセルC1を読み出す制御を行うものである。
【0019】
また、異常処理信号S1の供給時は、読み出しアドレスを書込完了信号S2に依存しないフリーランとする。この場合、アドレスの指定は行われないものの、セル化バッファ1からはATMセルC1が正常時と同様に読みだされ、ATM網へ送信される。
【0020】
異常処理部3は、異常処理信号S1の未供給時には、セル化バッファ1から読みだされたATMセルC1を通過させるのみであるが、異常処理信号S1の供給時には、ATMセルC1のペイロードに警報セルをマッピングして送信する。
【0021】
このような構成によれば、CBRデータD1のフレームパルスFP1の周期異常時でも、異常前の正常時の位相でATMセルC1を出力することが可能となるので、セル化バッファ1のオーバフロー/アンダフローを防止することができる。また異常時にはその異常を知らせる警報セルの転送が可能となる。
【0022】
また、警報セルをATM網が受信した場合に、読出制御部5に対してセル化バッファ1からのATMセルC1の読み出しを強制的に停止させるようにすることによって、ATMセルC1を受信するATM網のデセル化バッファでアンダフローを強制発生させ、これによって下位に対して警報転送を実現できる。
【0023】
次に、第2実施形態のATMセル化/デセル化装置を図3を参照して説明する。但し、図3に示す第2実施形態において図2に示した第1実施形態の各部に対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0024】
図3において、符号11は多重同期検出部、12は書込制御部であり、データビットアドレス生成部13及びアドレス多重化部14を具備して構成されている。15は読出制御部である。
【0025】
多重同期検出部11は、CBRデータD1のフレームパルスFP1及びSTM網に同期したクロックCK1に応じて、CBRデータD1中に多重された各々フレーム構成が異なるデータAとデータBの内、マルチフレーム構成のデータBのマルチフレーム同期を取り、そのフレーム位相情報をデータB用アドレスAD1としてデータビットアドレス生成部13、アドレス多重化部14及び読出制御部15へ出力するものであり、図4に示すように、フレームパターン検出判定部18と、同期保護段数カウンタ19と、第1フレームカウンタ20と、第2フレームカウンタ21と、DPRAM(Dual Port RAM) を用いた多重処理用メモリ部22と、セレクタ(SEL)23とを具備して構成されている。
【0026】
ここで図5を参照して、データA及びデータBが多重化されたCBRデータD1とATMセルC1との相互変換であるATMセル化/デセル化について説明しておく。
【0027】
図5に示すように、CBRデータD1は1フレームが125μsであり、この中に1対のデータA及びデータBから成る1つのチャネルCHがk個多重化されている。即ち第1チャネルCH1〜第kチャネルCHkまで多重化されている。また、データAは125μsのフレームで構成するが、データBは125μsのnフレームでマルチフレーム構成とする。
【0028】
このようなCBRデータD1をATMセル化する場合は、kチャネル多重の125μs×nフレーム分をひとまとまりと考え、速度に適合したチャネル数分を1つのATMセルにマッピングして、kチャネルをj個のATMセル#1〜#jに分割する。
【0029】
また、データAとデータBとをATMセル化するに当たって複数チャネルを1つのATMセルにするセル化においては、図6に示すように、データAは時刻t5〜t10間、時刻t10〜t15間に示すように、連続したnフレーム分を1つのATMセルにマッピングするが、データBはCH1〜CHmで示すようにマルチフレームを構成しているので、全てのチャネルCH1〜CHmのマルチフレーム同期を各チャネルCH1〜CHm毎に行い、位相制御してマッピングする。
【0030】
即ち、CH1の時刻t1〜t6間のnフレーム1F〜nFと、CH2の時刻t2〜t7間のnフレーム1F〜nFと、CH3の時刻t3〜t8間のnフレーム1F〜nFと、…、CHmの時刻t2〜t7間のnフレーム1F〜nFとを同相にして1番目のセル#1にマッピングし、CH1の時刻t6〜t11間のnフレーム1F〜nFと、CH2の時刻t7〜t12間のnフレーム1F〜nFと、CH3の時刻t8〜t13間のnフレーム1F〜nFと、…、CHmの時刻t7〜t12間のnフレーム1F〜nFとを同相にして2番目のセル#2にマッピングし、以降同様に各CH1〜CHmのnフレーム1F〜nFを順次セルにマッピングするといった処理を行う。
【0031】
尚、上記図5、図6を用いた説明においては、先願の特許出願、特許平7−182864号「非同期転送装置」に記述した内容を参照して説明した。
次に、図4に示す多重同期検出部11の説明を行う。
【0032】
フレームパターン検出判定部18は、フレームパルスFP1及びクロックCK1に応じて、CBRデータD1内のマルチフレーム構成のデータBのフレーム同期パターンを検出し、その同期パターンの正常/異常を判定するものである。
【0033】
例えば、データBのマルチフレームの1つがnフレーム構成の場合、nフレームの同期パターン1F〜nFが例えば2回連続して検出されることによってマルチフレームの1周期分が正常と判定し、この際”1”を出力し、1F〜nFが2回連続して検出されなかった場合に異常と判定し、この際”0”を出力する。
【0034】
同期保護段数カウンタ19は、フレームパターン検出判定部18のフレーム同期パターン検出判定結果に応じて同期保護段数をカウントすることによってマルチフレームの同期/同期外れを示す信号を出力するものである。
【0035】
これは、フレーム同期パターンの正常を示す”1”をカウントした値を多重処理用メモリ部22の同期保護段数カウント値記憶領域に記憶し、この記憶されたフィードバックカウント値に、次に入力された正常を示す”1”のカウント値をインクリメントし、このカウント値をメモリ部22の同期保護段数カウント値記憶領域に上書きする。
【0036】
以降同様にカウント値が所定の同期保護段数の例えば「2」となるまでカウント動作を行い、カウント途中に異常(同期外れ)を示す”0”が入力された場合にカウント値を0とする。
【0037】
また同期保護段数カウンタ19は、そのカウント動作を行っている間、セレクタ23へ第1フレームカウンタ20から出力される第1カウント値を選択する第1選択信号を出力し、同期外れ状態から同期状態に復旧した場合、瞬間的に第2フレームカウンタ21から出力される第2カウント値を選択する第2選択信号を出力する。
【0038】
第1及び第2フレームカウンタ20,21は、マルチフレームのフレーム位相をカウントするものである。フレームパターン検出判定部18のフレーム同期パターン検出判定結果が正常を示す”1”の場合は、双方のカウンタ20,21は共にその”1”をカウントし、ここで、第1フレームカウンタ20は、同期信号供給時にそのカウンタ20から出力される第1カウント値を選択するセレクタ23を介して多重処理用メモリ部22の第1カウント値記憶領域に記憶し、この記憶されたフィードバックカウント値に、次に入力された正常を示す”1”のカウント値をインクリメントし、このカウント値をセレクタ23を介してメモリ部22の第1カウント値記憶領域に上書きする。
【0039】
また、第2フレームカウンタ21は、その出力第2カウント値を多重処理用メモリ部22の第2カウント値記憶領域に記憶し、この記憶されたフィードバックカウント値に、次に入力された正常を示す”1”のカウント値をインクリメントし、このカウント値をメモリ部22の第2カウント値記憶領域に上書きする。
【0040】
メモリ部22の第1カウント値記憶領域に順次インクリメントされて記憶される第1カウント値はフレーム位相情報であるデータB用アドレスB1として出力される。
【0041】
一方、フレーム同期パターン検出判定結果が異常を示す”0”となった場合、即ち同期外れが生じた場合は、第1フレームカウンタ20が前位相のままカウントを続け、第2フレームカウンタ21が新たに同期をとる為のフレームカウント用となる。
【0042】
例えば、図7に時刻t1で示すタイミングで同期外れが生じた場合、第1フレームカウンタ20は前フレーム位相のままカウント動作を続け、これによって第1カウント値が1F,2F,…,nFと前フレーム位相のまま継続して出力される。一方、第2フレームカウンタ21は、その同期外れとなったフレーム位相でカウントを行う。
【0043】
この時、同期保護段数カウンタ19からは第1選択信号が出力されたままなのでセレクタ23はその第1カウント値を選択し、この選択された第1カウント値が多重処理用メモリ部22を介してデータB用アドレスB1として出力される。従って、データB用アドレスB1は同期外れとなる前のフレーム位相で出力されることになる。
【0044】
その後、時刻t2で示すタイミングで同期保護段数カウンタ19において1回目の同期保護が取れ、時刻t3で示すタイミングで2回目の同期保護が取れると、同期検出状態となって同期が復旧するので、この時、同期保護段数カウンタ19からセレクタ23へ第2選択信号が時刻t3〜t4の間出力される。
【0045】
これによって、セレクタ23が第2カウント値の1Fを選択して多重処理用メモリ部22へ出力するので、多重処理用メモリ部22の第1カウント値記憶領域に上書きされ、この上書きされた第2カウント値の1FがデータB用アドレスB1として出力される。つまり、時刻t3で位相跳躍が行われることになる。
【0046】
また、同第2カウント値の1Fは第2カウント値記憶領域にも上書きされるので、第1及び第2カウント値記憶領域の値が同値の1Fとなる。従って、その同値のメモリ部22のフィードバック第2カウント値に基づいて双方のカウンタ20,21がカウントを行うので、双方のカウント値は等しくなり、以降双方のカウンタ20,21は同様にカウント動作を行う。
【0047】
また時刻t4以降は、同期保護段数カウンタ19から再び第1選択信号が出力されるので、第1カウント値がデータB用アドレスB1として出力される。
この結果、復旧後でも多重処理用メモリ部22からは復旧前のフレーム位相と同位相の第1カウント値がデータB用アドレスB1として出力されることになる。
【0048】
次に、図3に示す書込制御部12のデータビットアドレス生成部13は、フレームパルスFP1及びクロックCK1に応じてCBRデータD1からデータA用アドレスA1を生成してアドレス多重化部14へ出力すると共に、データA用アドレスA1生成時にセレクト信号S3をアドレス多重化部14へ出力するものである。
【0049】
アドレス多重化部14は、多重同期検出部11から出力されるデータB用アドレスB1とデータA用アドレスA1を交互に多重化してセル化バッファ1の書き込みアドレスとして出力するものであり、セレクト信号S3の供給時にデータA用アドレスA1をセル化バッファ1へ出力し、未供給時にデータB用アドレスB1を出力する。
【0050】
このようなに書込制御部12から出力されるデータA用アドレスA1及びデータB用アドレスB1に応じてCBRデータD1のデータA及びデータBが交互にセル化バッファ1に書き込まれる。
【0051】
読出制御部15は、セルフレームパルスFP2及びATM網に同期したクロックCK2に応じてデータAを読み出すためのアドレスをセル化バッファ1へ出力すると共に、データB用アドレスB1の入力時に、データBを読み出すためのアドレスを出力し、これによってデータA及びデータBがセル化されたATMセルC1をATM網へ出力する。
【0052】
以上説明した第2実施形態によれば、フレーム同期がはずれた場合でも、前フレーム位相でCBRデータD1をATMセルC1にマッピングすることが可能となり、同期が外れる前のフレーム位相でATMセルを転送できる。
【0053】
従って、従来のように、CBRデータのフレーム若しくはマルチフレームで構成するデータの同期がはずれた場合に、同期がはずれたままの位相でATMセル化して送信すると、ATMセルの受信側でも先の送信時の同期外れが起因する同期はずれが発生し、デセル化バッファがバッファ・オーバーフロー又はバッファ・アンダフロー方向に推移してしまうといったことが無くなる。
【0054】
次に、第3実施形態のATMセル化/デセル化装置を図8を参照して説明する。但し、図8に示す第3実施形態において図3に示した第2実施形態の各部に対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0055】
図8において、符号30はデセル化バッファ、31は書込アドレス生成部、32は読出アドレス生成部、33は読出位相ラッチ部、34は容量監視部であり、2入力タイプのカウンタ制御部35及びアップ/ダウンカウンタ36を具備して構成されている。
【0056】
デセル化バッファ30は、ATM網から送信されてきたATMセルC1をCBRデータD1にデセル化する為に一旦蓄積するものである。
書込アドレス生成部31は、ATMセルC1が適正なものである場合に送出されるセルイネーブル信号S5の供給時に、ATMセルC1のセルフレームパルスFP2及びATM網に同期したクロックCK2に応じて書込アドレスW1と、この書込アドレスW1と同時に書込イネーブル信号WEをデセル化バッファ30へ出力し、また書込イネーブル信号WEを容量監視部34のカウンタ制御部35へ出力するものである。
【0057】
デセル化バッファ30に書込イネーブル信号WE及び書込アドレスW1が入力されることによってATMセルC1がそのアドレスの記憶領域に書き込まれて記憶されるようになっている。この書き込みは瞬時に行われる。
【0058】
読出アドレス生成部32は、容量監視部34のアップ/ダウンカウンタ36から出力される読出許可信号S6の入力時に、CBRデータD1のフレームパルス(又はマルチフレームパルス)FP2及びSTM網に同期したクロックCK1に応じて第2実施形態で説明したデータAのアドレスを出力し、また、第2実施形態で説明した多重同期検出部11からデータB用アドレスB1が出力されている際にはそのデータB用アドレスB1を出力し、双方の出力アドレスを読出アドレスR1としてデセル化バッファ30へ出力し、これと同時に読出イネーブル信号REを出力し、また、その読出イネーブル信号REをカウンタ制御部35及び読出位相ラッチ部33へ出力するものである。
【0059】
デセル化バッファ30に読出イネーブル信号RE及び読出アドレスR1が入力されることによってそのアドレスの記憶領域に記憶されたATMセルのデータA及びデータBが多重化されてCBRデータD1としてSTM網へ出力されるようになっている。
【0060】
デセル化バッファ30からのCBRデータD1の読み出し時間は、ATMセルC1の書き込み時間が瞬時なのに対して所定時間を要するようになっている。
容量監視部34は、デセル化バッファ30の記憶容量を監視するものであり、この構成要素のカウンタ制御部35は、書込イネーブル信号WEのみが供給されている都度アップ/ダウンカウンタ36を所定カウント値アップカウントさせ、読出イネーブル信号REのみが供給されている都度、所定カウント値ダウンカウントさせ、書込イネーブル信号WE及び読出イネーブル信号REの双方の入力時或いは双方の未入力時に未カウント状態とする制御を行うものである。
【0061】
アップ/ダウンカウンタ36は、デセル化バッファ30の監視したい記憶セル数に対応するカウント値が予め設定されており、その設定カウント値となった場合に読出許可信号S6を読出アドレス生成部32へ出力する。
【0062】
設定カウント値としては、例えば1つのセルが48バイトなので、1セル分の48カウント分が設定され、また1カウント値が1バイト分に対応させられている。
【0063】
読出位相ラッチ部33は、読出アドレスR1と同位相の読出イネーブル信号REと、データB用アドレスB1との位相を比較し、双方の位相が一致しない場合、即ちデータB用アドレスB1が第2実施形態で説明したように位相同期が復旧した際に生じる位相跳躍を示す場合に、アップ/ダウンカウンタ36をクリアするカウントダウンイネーブル信号S7を出力するものである。このクリア時にデセル化バッファ30に蓄積されたCBRデータD1が廃棄されるようになっている。
【0064】
このような構成の第3実施形態の動作を図9を参照して説明する。
図9に示す時刻t0〜t1間でデセル化バッファ30の初期化が完了し、時刻t1において1個目のセル1Cがデセル化バッファ30に書き込まれたとする。この時、書込イネーブル信号WEの供給に応じたカウンタ制御部35の制御によってアップ/ダウンカウンタ36がアップカウントする。
【0065】
これによってカウンタ36のカウント値が設定カウント値の48カウント値と等しくなると、読出許可信号S6が読出アドレス生成部32へ出力されて読出アドレスR1がデセル化バッファ30へ送出され、時刻t2に示すように書き込まれたセル1C(CBRデータD1)の読み出しが開始される。
【0066】
この読み出し途中で時刻t3に示すように2個目のセル2Cがデセル化バッファ30に書き込まれ、また時刻t4に示すように1個目のセル1Cの読み出しが終了すると共に、セル2Cの読み出しが開始され、この読み出し途中で時刻t5に示すように3個目のセル3Cがデセル化バッファ30に書き込まれる。
【0067】
ここで、位相跳躍があったとすると、多重同期検出部11から出力されるデータB用アドレスB1の位相が変化するので、読出位相ラッチ部33が、そのデータB用アドレスB1と読出イネーブル信号REとの位相の不一致を検出することによって、カウントダウンイネーブル信号S7をアップ/ダウンカウンタ36へ出力し、この結果、時刻t6に示すようにカウンタ36がクリアされ、デセル化バッファ30に蓄積されたセル3Cが廃棄される。
【0068】
その後、時刻t7において4個目のセル1Cが書き込まれると、アップ/ダウンカウンタ36がアップカウントし、これによってカウンタ36のカウント値が設定カウント値の48カウント値と等しくなると、読出許可信号S6が読出アドレス生成部32へ出力されて読出アドレスR1がデセル化バッファ30へ送出され、時刻t8に示すように書き込まれたセル4Cの読み出しが開始される。以降今までの説明と同様に処理される。
【0069】
以上説明した第3実施形態によれば、CBRデータD1のフレーム位相の周期異常が発生して再び復旧し、前位相と復旧後に新しく同期がとれた位相とが異なるケース(位相跳躍)が生じた場合に、従来のように、新しい位相でデセル化バッファから連続してデータを読み出すことになり、デセル化バッファの蓄積データ量をカウントして監視するためのカウンタの値が、実際に読みだし可能なデータ量と異なってデータ残量が合わず、デセル化バッファ内に読みだすデータが無くなってもアンダフローのアラームが発生しないままデセル化を続けるといったことが無くなる。
【0070】
即ち、デセル化バッファ内にデータが存在しないのに読み出しをすることを防止して、バッファアンダフロー方向への推移を無くすことが可能となる。
また、図8に示した第3実施形態構成において、位相跳躍の発生時に、読出位相ラッチ部33から出力されるカウントダウンイネーブル信号S7が供給されたアップ/ダウンカウンタ36が、前位相と復旧時の位相差分のセルバイト数に対応するカウント値をダウンカウントし、この時読み出し中のセルの残り分のみをデセル化バッファ30から廃棄するように構成する。
【0071】
即ち、時刻t0〜t5まで図9と同様な図10に示すように、時刻t6で位相跳躍があった場合に、カウントダウンイネーブル信号S7が入力されたアップ/ダウンカウンタ36が、符号38で示す前位相と復旧時の位相差分のセルバイト数に対応するカウント値をダウンカウントし、読み出し中のセル2Cのデセル化バッファ30における残り分を廃棄する。この結果、時刻t6に示すように、セル3Cの読み出しが行われる。
【0072】
従って、位相跳躍が発生してもデセル化バッファ30に蓄積されたセルの廃棄を行うことなくデセル化が可能となる。
【0073】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のATMセル化/デセル化装置によれば、データフレームに同期外れが生じてもATMセル化/デセル化バッファがオーバーフロー/アンダフローとならないようにすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】本発明の第1実施形態によるATMセル化/デセル化装置のブロック構成図である。
【図3】本発明の第2実施形態によるATMセル化/デセル化装置のブロック構成図である。
【図4】図3に示す多重同期検出部のブロック構成図である。
【図5】ATMセル化/デセル化の変換説明図である。
【図6】CBRデータ内のデータAとBのATMセル化説明図である。
【図7】図3に示す多重同期検出部の同期復旧時の動作説明図である。
【図8】本発明の第3実施形態によるATMセル化/デセル化装置のブロック構成図である。
【図9】図8に示すATMセル化/デセル化装置の動作説明図である。
【図10】図8に示すATMセル化/デセル化装置の他の動作説明図である。
【符号の説明】
1 セル化バッファ
2 異常監視手段
3 異常処理手段
4 書込制御手段
5 読出制御手段
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an ATM (Asynchronous Transfer Mode) celling / decellularizing apparatus.
[0002]
This ATM cell forming / de-celling apparatus is an ATM cell which is also called a cladding method for dividing CBR (Constant Bit Rate) data handled in a synchronous transfer mode (STM) network so that the data can be transmitted to the ATM network. And a decellularization method of multiplexing ATM cells received from the ATM network with CBR data for transmission to the STM network.
[0003]
CBR data is a fixed-rate (CBR) service and a fixed-rate (VBR) service that are classified into two types from the viewpoint of communication speed in a service of B-ISDN (Broadband aspects of Integrated Service Digital Network). It is used to realize services.
[0004]
Fixed-rate service is communication in which information flows over a line at a constant rate. The N-ISDN (Narrowband aspects of ISDN) 64-1536 / 1920 / Kbps digital communication service is treated as a CBR service in the B-ISDN. Whether the specific service speed can be set arbitrarily such as 42.195 Kbps or a step such as an integral multiple of 64 Kbps is an issue for the future. It should be noted that the speed of a digital secondary group or the like provided on a conventional leased line basis is also treated as one of the steps of the CBR service.
[0005]
[Prior art]
In the conventional ATM cell system, CBR data sent from the STM network is temporarily stored in a cell buffer, and is read out by the ATM network. Further, when a CBR data frame or multi-frame is abnormal, an alarm signal indicating the abnormality is notified to the ATM network through a line different from the line on which the CBR data is transmitted.
[0006]
In the conventional ATM cell decellularization method, the STM network temporarily stores the ATM cells sent from the ATM network in a decellularization buffer and reads out the ATM cells in accordance with the STM cycle. Has been monitored to monitor the fluctuations of cells in the ATM network moving back and forth and the overflow / underflow of the decellularization buffer caused by disturbances in the STM network.
[0007]
An overflow is a state in which a cell exceeds the buffer storage capacity. In this case, a state occurs in which the cell is not stored in the buffer device, so that proper data cannot be read. An underflow is a state in which the buffer storage amount of a cell becomes zero. In this case, even though the cell is not stored in the buffer device, some data is read out, so that proper data reading is performed. I can't do it.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above-mentioned conventional ATM cell conversion / de-cell conversion method, if a cycle abnormality occurs in a frame or multi-frame of CBR data, the cycle of writing CBR data to the cell conversion buffer changes, and the ATM cell from the cell conversion buffer changes. Read cycle changes. For this reason, the transmission interval of the ATM cell changes as compared with the normal case, and the data accumulation amount of the decellularization buffer on the receiving side of the ATM cell changes in the overflow or underflow direction, and can be absorbed by the decellularization buffer. There is a problem that the fluctuation absorption width is exceeded.
[0009]
Also, when data composed of CBR data frames or multiframes is out of synchronization, if ATM cells are converted and transmitted with a phase that remains out of synchronization, the out-of-synchronization at the time of the previous transmission is also performed on the receiving side of the ATM cells. As a result, a loss of synchronization occurs, and there is a problem that the decellularized buffer shifts in a buffer overflow or buffer underflow direction.
[0010]
Further, when the frame phase is abnormally restored due to a period abnormality, a case occurs in which the previous phase is different from the newly synchronized phase after the restoration. In this case, data is continuously read from the deceleration buffer with a new phase, but the counter value for counting and monitoring the accumulated data amount of the deceleration buffer is equal to the actually readable data amount. Differently, the remaining data amount does not match, and there is a problem that even if there is no more data to be read out in the decellularization buffer, decellularization continues without generating an underflow alarm.
[0011]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has been made in consideration of such a problem. Even if a data frame loses synchronization, an ATM cell conversion / decellation buffer can be prevented from overflowing / underflowing. It is intended to provide a decelerating device.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
FIG. 1 shows a principle diagram of the present invention. The ATM cellization / decellulation apparatus shown in FIG. 1 includes a cellization buffer 1 for storing STM data transmitted from a synchronous transfer mode network, an abnormality monitoring means 2 for detecting an abnormality in a frame pulse cycle of STM data, Writing control means 4 for writing STM data to the cell buffer 1 in synchronization with the frame pulse; Input independently of frame pulse Reads ATM cells from cell buffer 1 in synchronization with cell frame pulse of ATM cells in asynchronous transfer mode network By doing When the abnormality monitoring unit 2 detects an abnormality, the reading control unit 5 reads the ATM cell at a normal reading interval, and when the abnormality monitoring unit 2 detects an abnormality, it reads from the cell buffer 1. Out Alarm cells to assigned ATM cells Thereby, an alarm cell is output at the same interval as a normal ATM cell. It is configured to include the abnormality processing means 3.
[0013]
According to such a configuration, even when the period of the frame pulse of the STM data is abnormal, it is possible to read the ATM cells at the normal reading interval, so that the overflow / underflow of the cell buffer 1 can be prevented. In addition, when a period abnormality occurs, an alarm cell for notifying the abnormality is mapped to the ATM cell, so that the period abnormality can be notified to the asynchronous transfer mode network.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a block diagram of an ATM cell forming / de-celling apparatus according to the first embodiment of the present invention.
[0015]
In the ATM cell forming / de-cell forming apparatus shown in FIG. 2, reference numeral 1 denotes a cell buffer, 2 denotes a frame pulse period abnormality monitoring unit, 3 denotes an abnormality processing unit, 4 denotes a write control unit, and 5 denotes a read control unit.
[0016]
The cell buffer 1 temporarily stores the CBR data D1 transmitted from an STM network (not shown) in order to convert the data into ATM cells.
The frame pulse period abnormality monitoring unit 2 operates by a clock CK1 synchronized with the STM network, and monitors the period of the frame pulse FP1 of the CBR data D1 to monitor the period of the frame pulse FP1. When an abnormality is detected, an abnormality processing signal S1 is output to the abnormality processing unit 3, the write control unit 4, and the read control unit 5.
[0017]
When the abnormal processing signal S1 is not supplied, that is, when the period of the frame pulse FP1 is normal, the write control unit 4 generates a write address and a write enable signal synchronized with the frame pulse FP1 and the clock CK1, and supplies the write address and the write enable signal to the cell buffer 1. The CBR data D1 is controlled to be written, and a write completion signal S2 is output to the read control unit 5 each time the CBR data D1 is written. When the abnormal processing signal S1 is supplied, that is, when the cycle of the frame pulse FP1 is abnormal, the output of the write completion signal S2 to the read control unit 5 is not performed.
[0018]
When the abnormality processing signal S1 is not supplied, the read control unit 5 sends a read address and a read enable signal synchronized with a cell frame pulse FP2 of the ATM cell C1 and a clock CK2 synchronized with an ATM network (not shown) to a write completion signal S2. Is generated and the ATM cell C1 is controlled to be read from the celling buffer 1.
[0019]
When the abnormality processing signal S1 is supplied, the read address is set to a free run that does not depend on the write completion signal S2. In this case, although the address is not specified, the ATM cell C1 is read from the cell buffer 1 in the same manner as in the normal state, and transmitted to the ATM network.
[0020]
When the abnormal processing signal S1 is not supplied, the abnormal processing unit 3 only passes the ATM cell C1 read from the cell buffer 1, but when the abnormal processing signal S1 is supplied, an alarm is given to the payload of the ATM cell C1. Map and transmit cells.
[0021]
According to such a configuration, even when the period of the frame pulse FP1 of the CBR data D1 is abnormal, it is possible to output the ATM cell C1 at the normal phase before the abnormality, so that the overflow / underflow of the cell buffer 1 is possible. Flow can be prevented. In the event of an abnormality, it is possible to transfer an alarm cell for notifying the abnormality.
[0022]
Further, when the ATM cell receives the alarm cell, the read control unit 5 is forcibly stopped reading the ATM cell C1 from the cell buffer 1 so that the ATM cell receiving the ATM cell C1 is stopped. An underflow is forcibly generated in the decellularization buffer of the network, whereby an alarm transfer can be realized for the lower order.
[0023]
Next, an ATM cell forming / de-celling apparatus according to a second embodiment will be described with reference to FIG. However, in the second embodiment shown in FIG. 3, parts corresponding to the respective parts of the first embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0024]
In FIG. 3, reference numeral 11 denotes a multiplex synchronization detection unit, and 12 denotes a write control unit, which includes a data bit address generation unit 13 and an address multiplexing unit 14. Reference numeral 15 denotes a read control unit.
[0025]
The multiplex synchronization detecting unit 11 performs a multi-frame configuration among data A and data B multiplexed in the CBR data D1 having different frame configurations according to the frame pulse FP1 of the CBR data D1 and the clock CK1 synchronized with the STM network. Of the data B, and outputs the frame phase information as a data B address AD1 to the data bit address generation unit 13, the address multiplexing unit 14, and the read control unit 15, as shown in FIG. In addition, a frame pattern detection determination unit 18, a synchronization protection stage number counter 19, a first frame counter 20, a second frame counter 21, a multiplex processing memory unit 22 using DPRAM (Dual Port RAM), and a selector ( SEL) 23.
[0026]
Here, with reference to FIG. 5, a description will be given of the ATM cell conversion / de-cell conversion which is the mutual conversion between the CBR data D1 in which the data A and the data B are multiplexed and the ATM cell C1.
[0027]
As shown in FIG. 5, one frame of the CBR data D1 is 125 μs, and k channels CH including a pair of data A and data B are multiplexed therein. That is, the first channel CH1 to the k-th channel CHk are multiplexed. The data A is composed of 125 μs frames, while the data B is multi-frame composed of 125 μs n frames.
[0028]
When such CBR data D1 is converted into ATM cells, k channels multiplexed 125 μs × n frames are considered as one unit, and the number of channels adapted to the speed are mapped into one ATM cell, and k channels are converted into j cells. It is divided into ATM cells # 1 to #j.
[0029]
In the case where the data A and the data B are converted into ATM cells, a plurality of channels are converted into one ATM cell. As shown in FIG. 6, data A is transmitted between time t5 and t10 and between time t10 and t15. As shown, n consecutive frames are mapped to one ATM cell. However, since data B forms a multiframe as indicated by CH1 to CHm, the multiframe synchronization of all the channels CH1 to CHm is The mapping is performed for each of the channels CH1 to CHm, and the phase is controlled and mapped.
[0030]
That is, n frames 1F to nF of CH1 from time t1 to t6, n frames 1F to nF of CH2 from time t2 to t7, n frames 1F to nF of CH3 from time t3 to t8,..., CHm Are mapped to the first cell # 1 in phase with the n frames 1F to nF between times t2 and t7, and between the n frames 1F to nF between times t6 and t11 of CH1 and between times t7 and t12 of CH2. The n frames 1F to nF, the n frames 1F to nF between times t8 to t13 of CH3, and the n frames 1F to nF between times t7 to t12 of CHm are mapped in phase to the second cell # 2. Thereafter, similarly, a process of sequentially mapping n frames 1F to nF of each of CH1 to CHm to cells is performed.
[0031]
In the description with reference to FIGS. 5 and 6, the description has been made with reference to the contents described in the earlier application, Japanese Patent Application No. 7-182864, “Asynchronous Transfer Device”.
Next, the multiplex synchronization detecting section 11 shown in FIG. 4 will be described.
[0032]
The frame pattern detection determination unit 18 detects a frame synchronization pattern of data B having a multi-frame configuration in the CBR data D1 according to the frame pulse FP1 and the clock CK1, and determines whether the synchronization pattern is normal or abnormal. .
[0033]
For example, when one of the multi-frames of the data B has an n-frame configuration, one cycle of the multi-frame is determined to be normal by detecting, for example, two consecutive synchronization patterns 1F to nF of the n-frame. "1" is output, and if 1F to nF are not detected twice consecutively, it is determined that there is an abnormality, and "0" is output at this time.
[0034]
The synchronization protection stage number counter 19 outputs a signal indicating multi-frame synchronization / out-of-synchronization by counting the number of synchronization protection stages according to the frame synchronization pattern detection determination result of the frame pattern detection determination unit 18.
[0035]
This is because a value obtained by counting "1" indicating the normality of the frame synchronization pattern is stored in the synchronization protection stage number count value storage area of the multiplex processing memory unit 22, and the value inputted next to the stored feedback count value is stored. The count value of “1” indicating normality is incremented, and this count value is overwritten in the synchronous protection stage number count value storage area of the memory unit 22.
[0036]
Thereafter, similarly, the count operation is performed until the count value becomes a predetermined number of synchronization protection stages, for example, “2”. When “0” indicating an abnormality (loss of synchronization) is input in the middle of the count, the count value is set to 0.
[0037]
Further, the synchronization protection stage number counter 19 outputs a first selection signal for selecting the first count value output from the first frame counter 20 to the selector 23 during the counting operation. When the state is restored to the second state, a second selection signal for selecting the second count value output from the second frame counter 21 instantaneously is output.
[0038]
The first and second frame counters 20 and 21 count the frame phase of a multi-frame. If the frame synchronization pattern detection determination result of the frame pattern detection determination unit 18 is “1” indicating normality, both counters 20 and 21 both count “1”, and the first frame counter 20 The first count value output from the counter 20 when the synchronizing signal is supplied is stored in the first count value storage area of the multiplex processing memory unit 22 via the selector 23 for selecting the first count value. Is incremented, and the count value is overwritten in the first count value storage area of the memory unit 22 via the selector 23.
[0039]
The second frame counter 21 stores the output second count value in the second count value storage area of the multiplex processing memory unit 22, and indicates the next input normality to the stored feedback count value. The count value of “1” is incremented, and this count value is overwritten in the second count value storage area of the memory unit 22.
[0040]
The first count value that is sequentially incremented and stored in the first count value storage area of the memory unit 22 is output as data B address B1 that is frame phase information.
[0041]
On the other hand, when the frame synchronization pattern detection determination result becomes “0” indicating an abnormality, that is, when an out-of-sync occurs, the first frame counter 20 continues counting with the previous phase, and the second frame counter 21 starts counting. This is for frame counting to synchronize with.
[0042]
For example, if an out-of-synchronization occurs at the timing indicated by time t1 in FIG. 7, the first frame counter 20 continues the counting operation with the previous frame phase, whereby the first count value becomes 1F, 2F,. Output is continued with the frame phase. On the other hand, the second frame counter 21 counts at the frame phase out of synchronization.
[0043]
At this time, since the first selection signal is still output from the synchronization protection stage number counter 19, the selector 23 selects the first count value, and the selected first count value is transmitted via the multiplex processing memory unit 22. It is output as data B address B1. Therefore, the data B address B1 is output at the frame phase before the synchronization is lost.
[0044]
Thereafter, when the first synchronization protection is taken by the synchronization protection stage number counter 19 at the timing shown by the time t2 and the second synchronization protection is taken by the timing shown by the time t3, the synchronization is detected and the synchronization is restored. At this time, the second selection signal is output from the synchronization protection stage number counter 19 to the selector 23 during the time t3 to t4.
[0045]
As a result, the selector 23 selects the second count value 1F and outputs it to the multiplex processing memory unit 22, so that the first count value storage area of the multiplex processing memory unit 22 is overwritten. The count value 1F is output as data B address B1. That is, a phase jump is performed at time t3.
[0046]
In addition, since the second count value 1F is also overwritten in the second count value storage area, the values in the first and second count value storage areas become the same value 1F. Therefore, both counters 20 and 21 perform counting based on the feedback second count value of the memory unit 22 having the same value, so that both count values become equal, and thereafter both counters 20 and 21 similarly perform the counting operation. Do.
[0047]
After time t4, the first selection signal is output again from the synchronization protection stage number counter 19, so that the first count value is output as the data B address B1.
As a result, the first count value having the same phase as the frame phase before the restoration is output from the multiplex processing memory unit 22 as the data B address B1 even after the restoration.
[0048]
Next, the data bit address generator 13 of the write controller 12 shown in FIG. 3 generates the data A address A1 from the CBR data D1 according to the frame pulse FP1 and the clock CK1, and outputs the data A1 to the address multiplexer 14. At the same time, when the data A address A1 is generated, the select signal S3 is output to the address multiplexing unit 14.
[0049]
The address multiplexing section 14 alternately multiplexes the data B address B1 and the data A address A1 output from the multiplex synchronization detecting section 11 and outputs the multiplexed address as a write address of the cell buffer 1, and a select signal S3. , The address A1 for data A is output to the cell buffer 1 when it is supplied, and the address B1 for data B is output when it is not supplied.
[0050]
As described above, the data A and the data B of the CBR data D1 are alternately written to the cell buffer 1 according to the data A address A1 and the data B address B1 output from the write control unit 12.
[0051]
The read control unit 15 outputs an address for reading the data A to the cell buffer 1 in response to the cell frame pulse FP2 and the clock CK2 synchronized with the ATM network, and also outputs the data B when the data B address B1 is input. An address for reading is output, and an ATM cell C1 in which data A and data B are converted into cells is output to the ATM network.
[0052]
According to the second embodiment described above, even when frame synchronization is lost, it is possible to map the CBR data D1 to the ATM cell C1 with the previous frame phase, and transfer the ATM cell with the frame phase before the synchronization is lost. it can.
[0053]
Therefore, when data composed of CBR data frames or multi-frames is out of synchronization as in the related art, if the ATM cells are transmitted with the phase kept out of synchronization and transmitted, the receiving side of the ATM cells also performs the previous transmission. An out-of-synchronization caused by an out-of-synchronization at the time does not occur, and the decellulation buffer does not shift in the buffer overflow or buffer underflow direction.
[0054]
Next, an ATM cell forming / de-celling apparatus according to a third embodiment will be described with reference to FIG. However, in the third embodiment shown in FIG. 8, parts corresponding to the respective parts of the second embodiment shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0055]
8, reference numeral 30 denotes a decellularization buffer, 31 denotes a write address generation unit, 32 denotes a read address generation unit, 33 denotes a read phase latch unit, 34 denotes a capacity monitoring unit, and a two-input type counter control unit 35 and An up / down counter 36 is provided.
[0056]
The deceleration buffer 30 temporarily stores the ATM cell C1 transmitted from the ATM network in order to decelerate it into CBR data D1.
The write address generation unit 31 writes the cell enable signal S5, which is transmitted when the ATM cell C1 is proper, in response to the cell frame pulse FP2 of the ATM cell C1 and the clock CK2 synchronized with the ATM network. The write address W1 and the write enable signal WE at the same time as the write address W1 are output to the decellularization buffer 30, and the write enable signal WE is output to the counter control unit 35 of the capacity monitoring unit 34.
[0057]
When the write enable signal WE and the write address W1 are input to the decellularization buffer 30, the ATM cell C1 is written and stored in the storage area of the address. This writing is instantaneous.
[0058]
When the read enable signal S6 output from the up / down counter 36 of the capacity monitor 34 is input, the read address generator 32 receives the frame pulse (or multi-frame pulse) FP2 of the CBR data D1 and the clock CK1 synchronized with the STM network. And outputs the address of data A described in the second embodiment in response to the data B. When the address B1 for data B is output from the multiplex synchronization detection unit 11 described in the second embodiment, An address B1 is output, and both output addresses are output as read addresses R1 to the decellularization buffer 30. At the same time, a read enable signal RE is output, and the read enable signal RE is output to the counter control unit 35 and the read phase latch. This is output to the unit 33.
[0059]
When read enable signal RE and read address R1 are input to decellularization buffer 30, data A and data B of the ATM cell stored in the storage area of the address are multiplexed and output to the STM network as CBR data D1. It has become so.
[0060]
The time required to read the CBR data D1 from the decellularization buffer 30 requires a predetermined time while the time required to write the ATM cell C1 is instantaneous.
The capacity monitoring unit 34 monitors the storage capacity of the deceleration buffer 30, and the counter control unit 35 of this component counts up / down counter 36 every time only the write enable signal WE is supplied. Each time only the read enable signal RE is supplied, the value is counted down by a predetermined value, and the count is set to an uncounted state when both the write enable signal WE and the read enable signal RE are input or when both are not input. The control is performed.
[0061]
In the up / down counter 36, a count value corresponding to the number of storage cells to be monitored in the decellularization buffer 30 is set in advance, and when the count value reaches the set count value, the read enable signal S6 is output to the read address generation unit 32. I do.
[0062]
As the set count value, for example, since one cell has 48 bytes, 48 counts for one cell are set, and one count value corresponds to one byte.
[0063]
The read phase latch unit 33 compares the phase of the read enable signal RE having the same phase as the read address R1 with the phase of the data B address B1, and when both phases do not match, that is, the data B address B1 is in the second embodiment. As described in the embodiment, when the phase jump occurs when the phase synchronization is restored, a countdown enable signal S7 for clearing the up / down counter 36 is output. At the time of this clearing, the CBR data D1 stored in the deceleration buffer 30 is discarded.
[0064]
The operation of the third embodiment having such a configuration will be described with reference to FIG.
Assume that the initialization of the deceleration buffer 30 is completed between times t0 and t1 shown in FIG. 9 and that the first cell 1C is written into the deceleration buffer 30 at time t1. At this time, the up / down counter 36 counts up under the control of the counter control unit 35 according to the supply of the write enable signal WE.
[0065]
As a result, when the count value of the counter 36 becomes equal to the set count value of 48, the read enable signal S6 is output to the read address generation unit 32, and the read address R1 is sent to the decellularization buffer 30, and as shown at time t2. Of the cell 1C (CBR data D1) written to the memory cell is started.
[0066]
During this reading, the second cell 2C is written into the decellularization buffer 30 as shown at time t3, and the reading of the first cell 1C is completed as shown at time t4, and the reading of cell 2C is stopped. Then, during the reading, the third cell 3C is written into the decellularization buffer 30 as shown at time t5.
[0067]
Here, if there is a phase jump, the phase of the data B address B1 output from the multiplex synchronization detecting section 11 changes, so that the read phase latch section 33 outputs the data B address B1 and the read enable signal RE. , A countdown enable signal S7 is output to the up / down counter 36. As a result, the counter 36 is cleared as shown at time t6, and the cell 3C stored in the decellularization buffer 30 is Discarded.
[0068]
Thereafter, when the fourth cell 1C is written at time t7, the up / down counter 36 counts up. When the count value of the counter 36 becomes equal to the set count value of 48, the read enable signal S6 is output. The read address R1 is output to the read address generation unit 32, and the read address R1 is transmitted to the decellularization buffer 30, and reading of the written cell 4C is started as shown at time t8. Thereafter, processing is performed in the same manner as described above.
[0069]
According to the third embodiment described above, a period abnormality of the frame phase of the CBR data D1 occurs, the frame is restored again, and a case (phase jump) in which the previous phase is different from the newly synchronized phase after the restoration occurs. In such a case, data is read continuously from the deceleration buffer with a new phase as in the past, and the counter value for counting and monitoring the amount of data stored in the deceleration buffer can be actually read. Therefore, even if there is no data to be read out in the decellularization buffer, the decellularization will not be continued without generating an underflow alarm even if there is no data to be read out.
[0070]
That is, it is possible to prevent reading even when data does not exist in the decellularization buffer, and to eliminate the transition in the buffer underflow direction.
Further, in the configuration of the third embodiment shown in FIG. 8, when a phase jump occurs, the up / down counter 36 supplied with the countdown enable signal S7 output from the read-out phase latch unit 33 sets the up / down counter 36 at the time of recovery from the previous phase. The count value corresponding to the number of cell bytes of the phase difference is down-counted, and only the remainder of the cell being read at this time is discarded from the decellularization buffer 30.
[0071]
That is, as shown in FIG. 10 similar to FIG. 9 from time t0 to t5, when there is a phase jump at time t6, the up / down counter 36 to which the countdown enable signal S7 has been input is set to the position indicated by the reference numeral 38. The count value corresponding to the cell byte number of the phase and the phase difference at the time of restoration is down-counted, and the remaining cell 2C being read out in the decellularization buffer 30 is discarded. As a result, as shown at time t6, the cell 3C is read.
[0072]
Therefore, even if a phase jump occurs, the cells stored in the decellularization buffer 30 can be decellularized without being discarded.
[0073]
【The invention's effect】
As described above, according to the ATM cell forming / de-celling apparatus of the present invention, even if the data frame is out of synchronization, the ATM cell forming / de-celling buffer can be prevented from overflowing / underflowing. There is.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram of an ATM cell forming / de-celling apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram of an ATM cell forming / de-celling apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a block diagram of a multiplex synchronization detecting unit shown in FIG. 3;
FIG. 5 is an explanatory diagram of conversion between ATM cell conversion and decellularization.
FIG. 6 is an explanatory diagram of converting data A and B in CBR data into ATM cells.
FIG. 7 is an explanatory diagram of an operation of the multiplex synchronization detecting unit shown in FIG. 3 when synchronization is restored.
FIG. 8 is a block diagram of an ATM cell forming / de-celling apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram illustrating the operation of the ATM cell forming / de-celling apparatus shown in FIG. 8;
FIG. 10 is another operation explanatory view of the ATM cell forming / de-celling apparatus shown in FIG. 8;
[Explanation of symbols]
1 Cellular buffer
2 Abnormality monitoring means
3 Error handling means
4 Write control means
5 Read control means

Claims (3)

同期転送モード網から送信されてきたSTMデータを蓄積するセル化バッファと、
該STMデータに含まれるマルチフレーム構成の第1データのマルチフレーム同期及び同期外れを検出し、同期外れ時に前同期時と同位相で第1データ書込アドレスを出力し、同期外れから同期に復旧した際に復旧時の位相で該第1データ書込アドレスを出力する多重同期検出手段と、
該第1データ書込アドレスと、該STMデータに含まれる該第1データ以外の第2データの書込アドレスとを交互に該セル化バッファへ出力することによって該STMデータを書き込む書込制御手段と、
該第1データ書込アドレス入力時に非同期転送モード網のATMセルのセルフレームパルスに同期して第1データ読出アドレスを該セル化バッファへ出力すると共に、該第1データ書込アドレス未入力時に該セルフレームパルスに同期して第2データ読出アドレスを出力することにより該セル化バッファから第1及び第2データが配置されたATMセルを読み出す読出制御手段とを具備したことを特徴とするATMセル化/デセル化装置。
A cell buffer for storing STM data transmitted from the synchronous transfer mode network;
Detects multi-frame synchronization and out-of-synchronization of the first data of the multi-frame configuration included in the STM data, outputs the first data write address in the same phase as in the previous synchronization at the out-of-synchronization, and recovers from the out-of-synchronization to synchronization Means for outputting the first data write address at the phase at the time of recovery,
Write control means for writing the STM data by alternately outputting the first data write address and the write address of second data other than the first data included in the STM data to the cell buffer; When,
When the first data write address is input, the first data read address is output to the cell buffer in synchronization with the cell frame pulse of the ATM cell in the asynchronous transfer mode network. Read-out control means for reading out the ATM cell in which the first and second data are arranged from the cell buffer by outputting the second data read address in synchronization with the cell frame pulse. Conversion / deceleration equipment.
非同期転送モード網から送信されてきたATMセルを蓄積するデセル化バッファと、
該非同期転送モード網のATMセルのセルフレームパルスに同期して該ATMセルを該デセル化バッファに書き込む書込制御手段と、
読出許可信号の供給時であって、第1データアドレス入力時に同期転送モード網のSTMデータのフレームパルスに同期して第1データ読出アドレスを出力し、該第1データアドレス未入力時に該フレームパルスに同期して第2データ読出アドレスを出力することにより、該デセル化バッファからマルチフレーム構成の第1データと該第1データ以外の第2データとを多重化してSTMデータとして読み出す読出制御手段と、
前記ATMセル書き込み時の書込イネーブル信号のみの供給時にアップカウントし、前記STMデータ読み出し時の読出イネーブル信号の供給時にダウンカウントし、該書込及び読出イネーブル信号の双方の入力時又は未入力時に未カウント状態となり、前記デセル化バッファの所定容量に対応したカウント値までカウントした際に、前記読出許可信号を出力する容量監視手段と、
該STMデータに含まれる第1データのマルチフレーム同期及び同期外れを検出し、同期外れ時に前同期時と同位相で前記第1データアドレスを出力し、同期外れから同期に復旧した際に復旧時の位相で該第1データアドレスを出力する多重同期検出手段と、
該第1データアドレスの復旧時の位相が前記読出イネーブル信号の位相と異なる場合に該容量監視手段のカウント値をクリアするカウント制御信号を出力する読出位相ラッチ手段とを具備し、
前記カウント制御信号により前記カウント値がクリアされた際に前記デセル化バッファの蓄積ATMセルを廃棄するようにしたことを特徴とするATMセル化/デセル化装置。
A decellularization buffer for storing ATM cells transmitted from the asynchronous transfer mode network;
Writing control means for writing the ATM cell to the decellularization buffer in synchronization with a cell frame pulse of the ATM cell of the asynchronous transfer mode network;
When the read enable signal is supplied, the first data read address is output in synchronization with the frame pulse of the STM data in the synchronous transfer mode network when the first data address is input, and the frame pulse is output when the first data address is not input. Read control means for multiplexing the first data of the multi-frame configuration and the second data other than the first data from the decellularization buffer and outputting the same as STM data by outputting the second data read address in synchronization with ,
It counts up when only the write enable signal is supplied at the time of writing the ATM cell, counts down when the read enable signal is supplied at the time of reading the STM data, and when both the write and read enable signals are input or not input. A capacity monitoring unit that outputs the read permission signal when it is in an uncounted state and counts up to a count value corresponding to a predetermined capacity of the deceleration buffer;
Detects multi-frame synchronization and loss of synchronization of the first data included in the STM data, outputs the first data address in the same phase as at the time of pre-synchronization at the time of loss of synchronization, and recovers the data when synchronization is restored from the loss of synchronization. Multiplex synchronization detecting means for outputting the first data address at the phase of
Read phase latch means for outputting a count control signal for clearing the count value of the capacity monitoring means when the phase at the time of restoration of the first data address is different from the phase of the read enable signal;
An ATM cell forming / de-celling apparatus characterized in that when the count value is cleared by the count control signal, the stored ATM cells in the de-cell forming buffer are discarded.
前記カウント制御信号によって、前記第1データアドレスが示す復旧前と復旧時の位相差分の前記デセル化バッファ容量に対応する前記容量監視手段のカウント値をダウンカウントし、この時、該デセル化バッファの読み出し中のATMセルの残り分のみを廃棄するようにしたことを特徴とする請求項記載のATMセル化/デセル化装置。The count control signal is used to down-count the count value of the capacity monitoring means corresponding to the deceleration buffer capacity of the phase difference between before and after the restoration indicated by the first data address. 3. The apparatus according to claim 2, wherein only the remaining ATM cells being read are discarded.
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