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JP3585200B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板のような各種の被処理基板に対して処理を施すための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、複数枚の半導体ウエハ(以下単に「ウエハ」という。 )を一括して処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合がある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを一括して薬液などに浸漬させ、これによりウエハ表面を洗浄したりウエハ表面に形成された薄膜を除去したりするために用いられ、たとえばこのような薬液処理を行うための複数の薬液処理部と、薬液処理後のウエハを水洗いし、さらに減圧乾燥させる減圧乾燥部とを備えている。
【0003】
図10は、減圧乾燥部の概略断面図である。減圧乾燥部は、純水によってウエハWを水洗いするとともに、IPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用してウエハWを乾燥させるもので、チャンバ700と、チャンバ700の上面に開閉可能に装着されたカバー701と、カバー701が閉塞されている場合に、チャンバ700内に外気が侵入しないようにするために、チャンバ700とカバー701との間をシールするOリング702と、チャンバ700内に設けられた昇降可能なウエハガイド703と、チャンバ700内の下方に配置され、純水が貯留される貯留槽704と、チャンバ700内の上方に配置され、IPAベーパが吐出されるノズル705と、チャンバ700内を減圧するための減圧ポンプ706が接続された排気管707とを備えている。
【0004】
図示しないウエハ搬送ロボットによってウエハWが搬送されてくると、カバー701が開けられ、この状態においてウエハ搬送ロボットからウエハガイド703にウエハWが渡される。ウエハガイド703では、当該ウエハWが鉛直に一括して整列保持される。その後、ウエハガイド703が下降させられ、二点鎖線で示すように、純水が貯留されている貯留槽704に収容され、この貯留槽704にて水洗いされる。その後、IPAベーパがノズル705からチャンバ700内に供給されるとともに、ウエハガイド703が実線で示す位置まで上昇させられる。この上昇過程において、ウエハWに付着している水滴がIPAベーパと置換され、水滴がウエハWから除去されるとともにウエハWの表面がIPAベーパによって覆われる。さらに、この状態において減圧ポンプ706が駆動され、チャンバ700内が減圧される。その結果、ウエハWの表面を覆っていたIPAベーパが蒸発する。これにより、ウエハWが乾燥される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
チャンバ700内が減圧されている場合、チャンバ700内では、チャンバ700の上方から排気管707が接続されている下方に向く気流が発生する。Oリング702によってチャンバ700とカバー701との間が確実にシールされている場合には特に問題はないが、Oリング702のシール面702aが経年変化等によって劣化すると、Oリング702とカバー701との間に隙間ができ、この隙間から外気がチャンバ700内に吸い込まれる。その結果、白抜き矢印で示すように、パーティクルを含む外気が乾燥処理中のウエハWに直接当たる。その結果、半導体装置の歩留まりの低下を招くという不具合が生じていた。
【0006】
そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、パーティクルを含む外気が侵入してきても、当該外気が基板に直接当たるのを防止することができる基板処理装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するための請求項1記載の発明は、減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのシール部材と、上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、上記内部空間において基板が収容される位置よりも下方に上記内部空間と上記減圧処理容器内の空間とを連通する連通口が形成され、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0008】
本発明によれば、シール部材と基板との間が遮蔽容器によって遮蔽されているから、たとえシール部材のシール面が劣化して外気が減圧処理容器内に吸い込まれてきたとしても、当該外気が基板に直接当たるのを防止できる。したがって、基板にパーティクルが付着するのを防止できるから、処理を良好に行うことができる。そのため、高品質な基板を提供できるから、基板処理の歩留まりの低下を抑えることができる。
また、遮蔽容器の基板収容位置よりも下方に遮蔽容器の内部空間と減圧容器の内部の空間とを連通する連通口が形成されているから、遮蔽容器の内部から上記連通口へと向かう気流を生じさせることができる。したがって、シール部材のシール面から外気が減圧処理容器内に吸い込まれても、当該外気は上記気流によって連通口から遮蔽容器の内部に導かれるのを阻止される。
しかも、遮蔽容器の内部空間の空気は、連通口を介して流出するから、多量の空気を短時間に流出させることができる。よって、減圧速度が速くなるから、効率的な処理を行うことができる。
【0009】
請求項2記載の発明は、上記遮蔽容器、上記蓋体に対向する開口を有、上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置である。
【0010】
本発明では、たとえば基板を遮蔽容器の内部に収容した状態において減圧手段によって遮蔽空間を減圧し、処理を行うことができる。したがって、遮蔽容器の内部空間と遮蔽空間とが連通しているので、遮蔽容器の内部空間から遮蔽空間に向く気流が生じる。そのため、シール部材のシール面の隙間から外気が減圧処理容器内に吸い込まれても、当該外気は上記気流によって遮蔽容器の内部に導かれるのを阻止される。よって、外気が遮蔽容器内の基板に直接当たることがない。そのため、上記請求項1記載の発明と同様の作用効果を奏する。
【0011】
請求項3記載の発明は、上記遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのシール手段をさらに含ことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置である。
本発明では、遮蔽容器と蓋体との間の隙間がシールされているから、当該隙間から遮蔽容器の内部に外気が導かれるのも阻止される。そのため、外気が遮蔽容器内の基板に直接当たることがない
【0012】
請求項4記載の発明は、上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのOリングであることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置である。
【0013】
本発明によれば、Oリングによって遮蔽容器と蓋体との間の隙間がシールされるから、上記隙間を確実にシールすることができる。そのため、外気の遮蔽容器の内部への侵入を確実に阻止できるから、基板へのパーティクルの付着を一層確実に防止できる。よって、上記請求項1ないし3に記載の発明に比べて一層高品質な基板を提供することができる。
【0014】
請求項5記載の発明は、上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間を非接触にてシールするためのラビリンス機構であることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置である。
本発明によれば、遮蔽容器と蓋体との間の隙間が非接触にてシールされるから、シール部分におけるパーティクルの発生がない。したがって、シール面にてシールする上記請求項4記載の発明に比べて基板へのパーティクルを一層確実に防止できる。よって、上記請求項4記載の発明に比べて一層高品質な基板を提供することができる。
【0015】
請求項6記載の発明は、上記シール部材は、リップパッキンであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置である。
本発明によれば、減圧処理容器と蓋体との間の隙間を良好にシールすることができるから、外気の減圧処理容器への侵入を最小限に抑えることができる。
請求項7記載の発明は、上記減圧処理容器内において上記遮蔽容器の下方に設けられ、基板洗浄用の純水が貯留される貯留槽をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項8記載の発明は、減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのリップパッキンと、上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、さらに上記蓋体に対向する開口を有し、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器と、この遮蔽容器と上記蓋体との間の隙間を非接触でシールするシール手段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
請求項9記載の発明は、上記シール手段は、ラビリンス機構であることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部が適用されるウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。このウエットステーション1は、カセットCに収納されている複数枚(たとえば26枚)のウエハWに対して薬液処理を施すためのものである。
【0017】
ウエットステーション1は、2カセット分の枚数(たとえば52枚)のウエハWの向きを整えるための整列部2と、向きが整えられた後のウエハWをカセットCから一括して取り出すための取出部3と、取出部3によってカセットから取り出されたウエハWに対して薬液処理を施すための複数の薬液処理部4、5、6、7、8および9と、薬液処理後の複数枚のウエハWを一括して水洗いし、かつ減圧乾燥させる減圧乾燥部10とを備えている。整列部2、取出部3、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10は、所定の処理部配列方向aに沿って直線状に配置されている。
【0018】
薬液処理部4〜9は、複数枚のウエハWを一括して所定の薬液に浸漬させることによってウエハWを処理するものである。すなわち、各薬液処理部4〜9の内部には、たとえばアンモニア、フッ酸、硫酸などの薬液を貯留できる貯留槽(図示せず)が配置されており、薬液が貯留されている貯留槽内にウエハWを浸漬させることによって、ウエハWの表面が洗浄されたりウエハWの表面に形成されている薄膜が除去されたりするようになっている。
【0019】
また、このウエットステーション1は、取出部3から減圧乾燥部10までの間において、複数枚のウエハWを一括して搬送するためのウエハ搬送ロボット11を備えている。ウエハ搬送ロボット11は、処理部配列方向aに沿って移動可能なもので、処理部配列方向aに関して開閉可能なウエハ保持チャック12を有している。ウエハ保持チャック12は、ウエハ搬送ロボット11に対して昇降自在に取り付けられている。この構成により、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10の内部にまで下降してウエハWの受け渡しを行うことができるようになっている。
【0020】
図2は、ウエハ保持チャック12の構成を示す正面図である。ウエハ保持チャック12は、処理部配列方向aに関して互いに対向するように配置された一対のチャック部13を有している。各チャック部13は、それぞれ、処理部配列方向aにほぼ直交するウエハ配列方向bに関して所定間隔離れて配置された一対のアーム部14(一方側のみ図示)と、ウエハ配列方向bに沿って延び、アーム部14の下端部においてアーム部同士をつなぐ上下一対の保持部15とを有している。各チャック部13の保持部15には、V字状の保持溝16が多数形成されている。
【0021】
ウエハWを保持する際には、一対のチャック部13が互いに近づけられる。その結果、一対のチャック部13の各保持溝16にウエハWの周縁部が係合する。これにより、ウエハWは、ウエハ保持チャック12に鉛直に保持される。そのため、複数枚のウエハWは、ウエハ保持チャック12にウエハ配列方向bに沿って鉛直に整列保持される。
【0022】
図3は、減圧乾燥部10の内部構成を薬液処理部9が位置する側から見た断面図、図4は、減圧乾燥部10の内部構成をウエハ保持ロボット11が位置する側から見た断面図である。減圧乾燥部10は、純水を用いてウエハWに付着している薬液等を洗い流し、かつIPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用して洗浄後のウエハWを乾燥させるためのものである。減圧乾燥部10は、チャンバ20と、チャンバ20内において複数枚のウエハWを一括して保持するためのウエハガイド40と、ウエハガイド40を昇降させるためのリフタ60と、チャンバ20内の下部に配置され、純水が貯留される貯留槽80と、チャンバ20内の上部に配置された遮蔽部100とを備えている。
【0023】
チャンバ20は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁21、22、23および24によって囲まれている。チャンバ20の上面には、オートカバー120が開閉可能に装着されている。オートカバー120は、ウエハ保持ロボット11が備えられている側と反対側の支点部121を支点にして、開閉機構122によって自動的に開閉することができる。オートカバー120は、ウエハ保持チャック13とチャンバ20内のウエハガイド40との間でウエハWの受け渡しが行われる際に開けられ、純水洗浄処理および乾燥処理時には閉塞される。
【0024】
チャンバ20の上面には、オートカバー120の閉塞状態において、オートカバー120とチャンバ20との間をシールするためのリップパッキン123が設けられている。これにより、チャンバ20の外部からパーティクルを含む外気がチャンバ20内に侵入するのが防止されるとともに、IPAベーパがチャンバ20外に漏れるのが防止される。
【0025】
遮蔽部100は、主として、リップパッキン123のシール面が劣化した場合に、チャンバ20内に侵入するおそれのある外気から基板処理位置に置かれているウエハWを遮蔽するためのもので、チャンバ20のほぼ上半分の空間内に配置されている。遮蔽部100は、チャンバ20の側壁21〜24の近傍に当該各側壁21〜24に沿うように配置された4つの側壁101、102、103および104を有している。各側壁101〜104の上端付近には、チャンバ20の内側に入り込む段差部101a、102a、103aおよび104aが形成されている。遮蔽部100の上面は、主として、ウエハ保持チャック12をチャンバ20内に進入させるために、開口している。
【0026】
オートカバー120の内壁には、オートカバー120の閉じ状態において下方に突出する突出部300が取り付けられている。突出部300は、オートカバー120の閉塞状態において、遮蔽部100の側壁101〜104の上端に形成された段差部101a〜104aの外側に位置するように、配置されている。すなわち、突出部300と段差部101a〜104aとによって、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間の隙間を非接触にてシールするラビリンス機構301が構成されている。
【0027】
各側壁101〜104のうちリフタ60が配置されている側の側壁102には、リフタ60の上下動を許容するために上下に長い切欠き106が形成されている。また、遮蔽部100の下面は開口している。この構成により、を収容空間105内の基板処理位置にウエハWが達するまでウエハガイド40を上昇させることができる。
【0028】
このように、チャンバ20の内部空間は、上端側がラビリンス機構301によってシールされた遮蔽部100によって、遮蔽部100の内部空間である収容空間105とその外部空間である遮蔽空間107とに区画されている。ただし、遮蔽部100の下面が開口していることから、収容空間105と遮蔽空間107とはこの下面の開口(以下「連通口」という。)108によって連通されている。
【0029】
ウエハガイド40は、ウエハ配列方向bに沿って長く形成され、このウエハ配列方向bと直交する処理部配列方向aに関して互いに所定間隔だけ離れている4つのガイド部41、42、43および44と、これらガイド部41〜44の先端部を互いに連結するための連結部45とを備えている。ガイド部41には、当該ガイド部41を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長い2つの保持板46および47がそれぞれボルト52および53によって取り付けられている。ガイド部44には、当該ガイド部44を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長い2つの保持板48および49がボルト54および55によって取り付けられている。また、ガイド部42および43には、それぞれ、当該各ガイド部42および43の外側の面に、ウエハ配列方向bに沿って長い1つの保持板50および51がボルト56および57によって取り付けられている。
【0030】
各保持板46〜51の上辺には、それぞれ、ほぼV字状の複数の保持溝58が形成されている。いずれかの保持板に形成されている1つの保持溝は、他の保持板の平面視において処理部配列方向aに沿う直線上に位置する他の5つの保持溝とともに、1つのグループを形成している。この1つのグループに含まれる6つの保持溝58はウエハWの周縁部の形状に沿うように配置されている。1枚のウエハWは、1つのグループに含まれる保持溝58にその周縁部が係合した状態で鉛直に保持される。ウエハガイド40には、上述のような6つの保持溝58で構成されるグループがウエハ配列方向bに関して複数形成されており、これによりウエハガイド40では、複数枚のウエハWを一括してウエハ配列方向bに沿って整列保持することができる。
【0031】
このように、ウエハWは、6つの保持溝58によって保持されるから、保持状態が非常に安定する。したがって、ウエハWが倒れるなどの不具合の発生を防止できる。そのため、ウエハWを傷つけることを回避できるから、高品質なウエハWを提供できる。
リフタ60は、このようなウエハガイド40を予め定める純水処理位置(実線で示す)と基板処理位置(二点鎖線で示す)との間で昇降させる。純水処理位置は、貯留槽80の内部であって、貯留槽80内に純水が貯留されている場合に、当該純水にウエハWが完全に浸漬されるような位置に設定されている。基板処理位置は、ウエハガイド40に保持されているウエハWの下端部が遮蔽部100の収容空間105内に完全に収まるような位置に設定されている。ウエハガイド40が純水処理位置まで下降されるのは、主として、ウエハWに純水洗浄処理を施す場合である。また、ウエハガイド40が基板処理位置まで上昇されるのは、ウエハ保持チャック12からウエハWを受け取る場合、および純水洗浄処理が終了した後にウエハWを乾燥させる場合である。
【0032】
リフタ60は、ガイド部41〜44を連結板45の側壁22側で連結し、支持する支持アーム61と、支持アーム61の上端に取り付けられた支持部62と、支持部62の下端に取り付けられ、下方に向けて延びた支持軸63と、この支持軸63を上下方向に移動させる昇降機構64とを備えている。昇降機構64によって支持軸63が昇降されると、これに伴って支持部62および支持アーム61も昇降し、その結果ウエハガイド40が昇降する。
【0033】
なお、参照符号78は、ウエハWを乾燥させる際に用いられるIPAベーパから昇降機構64などを保護したり、昇降機構64で発生するパーティクルがチャンバ20内に侵入するのを防止するためのベローズである。
貯留槽80は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁81、82、83および84、ならびに底壁85を有し、上面が開口している。貯留槽80の底壁85付近にはノズル86が配置されている。ノズル86には、図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路87が連結されている。純水供給路87の途中部には、純水供給弁88が介装されている。この構成により、純水供給弁88の開閉を制御することで、貯留槽80に純水を供給することができる。
【0034】
貯留槽80の側壁81〜84の上辺には、所定間隔で所定深さのV字状のノッチ90が複数個形成されている。この構成により、貯留槽80に貯留されている純水をノッチ90を介して貯留槽80の外部にオーバーフローさせることができる。これにより、元々ウエハWに付着していて純水洗浄処理中に純水中に溶けだした薬液やパーティクル等を貯留槽80外に排出することができる。
【0035】
チャンバ20の底壁25には、チャンバ20外にまで延びたドレン排出路26が連結されている。これにより、純水洗浄処理中に貯留槽80からオーバーフローされた薬液やパーティクル等の溶けだした純水をチャンバ20外に排出することができる。
また、貯留槽80の底壁85には、ドレン弁91が介装されたドレン排出路92が連結されている。この構成により、ドレン弁91の開閉を制御することで、貯留槽80に貯留されている純水を貯留槽80の外部に排出することができる。これにより、純水洗浄処理後において使用済の純水を排出することができるようになっている。
【0036】
収容空間105内の上部には、ウエハ配列方向bに沿って長く延びた2つのIPA管140が配置されている。IPA管140には、IPAベーパをチャンバ20内に供給するためのIPA吐出孔141が複数形成されている。IPA吐出孔141からは、純水洗浄処理後の乾燥処理時においてIPAベーパが吐出されるようになっている。一方、純水洗浄処理後においては、ウエハガイド40が上位置に向けて上昇させられる。この上昇途中において、チャンバ20内に供給されたIPAベーパとウエハWの表面に付着している水滴とが置換される。すなわち、ウエハW表面から水滴が除去されるとともに、ウエハW表面がIPAベーパによって覆われる。
【0037】
排出路26の途中部には、排気管30が連結されている。また、純水供給路87は、純水排出弁95が介装された純水排出路96を介して、排気管30に接続されている。排気管30には、減圧ポンプ31が接続されている。
減圧ポンプ31は、乾燥処理時に駆動されるようになっている。この場合、チャンバ20内の空気が排気管30を介して吸引され、チャンバ20内が減圧される。その結果、ウエハW表面を覆っているIPAベーパが蒸発する。これにより、ウエハWを乾燥させることができる。
【0038】
また、減圧ポンプ31が駆動されると同時に、純水排出弁95が開成される。その結果、ノズル86から閉成状態にある純水供給弁88に至る純水供給路87内の純水が純水排出路96を介して吸引される。これにより、純水供給路87内が乾燥されるようになっている。
図5は、開閉機構122の構成を示すための図であって、図4のh方向から見た図である。開閉機構122は、オートカバー120をチャンバ20の背面26側にある支点部121を支点にして自動的に開閉させるためのもので、図示しない制御部によってその動作が制御される。開閉機構122は、オートカバー120の支点側に取り付けられた可動部250を備えている。可動部250は、側面視においてほぼ長方形状のもので、オートカバー120が取り付けられている取付端において支点部121に回動自在に取り付けられている。可動部250の取付端の反対側である揺動端には、当該可動部250を支点部121を中心にして回動させるための第1シリンダ251の第1ロッド252が連結ピン253を介して連結されている。
【0039】
さらに具体的には、第1シリンダ251は、可動部250を、当該可動部250がほぼ水平になる閉塞位置と揺動端が取付端に対して下方に位置する開放位置との間で、支点部121を中心にして回動させるものである。第1シリンダ251は、チャンバ20の背面26の上部に向けて斜めに進退するように、チャンバ20の側壁24の外側に斜めに取り付けられている。可動部250の揺動端は、第1シリンダ251の第1ロッド252に固定された連結ピン253に回動可能に取り付けられている。
【0040】
この構成により、第1ロッド252が延ばされると、可動部250が支点部121を中心して回動し、やがて、実線で示すように、閉塞位置に達する。その結果、オートカバー120は閉塞状態となる。一方、この状態から第1ロッド252が引っ込むと、可動部250は支点部121を中心にして上述とは反対方向に回動し、やがて、二点鎖線で示すように、開放位置に達する。その結果、オートカバー120は開放状態となる。
【0041】
また、開閉機構122は、オートカバー120が閉じられる際に、オートカバー120を確実に閉じるための先端閉じ部260を備えている。オートカバー120の先端120aには、閉塞状態において下方に突出する係合爪270が取り付けられている。係合爪270の先端は、オートカバー120の閉塞状態において水平に突出している。先端閉じ部260は、オートカバー120が閉じられたときに、係合爪270を上方から押さえつけることによって、オートカバー120を確実に閉塞させる。
【0042】
先端閉じ部260は、側面視において細長く、かつその先端部が係合爪270に上方から係合するようにされた係合爪261を、当該係合爪261が係合爪270に係合する位置と当該係合が解除される位置との間で回動させるための第2シリンダ262を備えている。係合爪261は、側壁24に取り付けられた固定ピン264に回動可能に取り付けられ、かつ先端部の反対側の端部が第2ロッド263に固定されている取付ピン265に回動可能に取り付けられている。第2シリンダ262の第2ロッド263は、上下方向に沿って進退可能なものである。
【0043】
この構成により、第2ロッド263が上方向に延びると、これに伴って係合爪261が固定ピン264を中心にして回動し、やがて、実線で示すように、係合爪261の先端部が係合爪270に係合する。その結果、係合爪270が係合爪261によって上方から押さえつけられる。これにより、オートカバー120が確実に閉塞される。この状態から第2ロッド263が下方向に引っ込むと、係合爪261が上記とは反対方向に回動する。その結果、上記係合状態が解除される。
【0044】
図6は、減圧乾燥部10の概略断面図である。上述のように、乾燥処理時においては、オートカバー120は閉塞されている。この場合、チャンバ20の内外は、リップパッキン123によって遮断されている。このような状態で減圧ポンプ31が駆動されると、遮蔽空間107内の空気は、チャンバ20の上方から下方にある排気管30に向かって吸引される。一方、収容空間105は遮蔽部100の連通口108によって遮蔽空間107に連通されているから、収容空間105内の空気は、当該連通口108を通って遮蔽空間107に導かれ、さらに、排気管30に向かって吸引される。すなわち、収容空間105から遮蔽部100の下方の遮蔽空間107に向く気流400が生じる。
【0045】
ところで、チャンバ20の内外を遮断しているリップパッキン123は、経年変化等によって、そのシール面123aが劣化する場合がある。この場合、オートカバー120とチャンバ20との間に隙間ができる。このような状態で乾燥処理が行われると、白抜き矢印で示すように、外気が上記隙間からチャンバ20内に吸い込まれる。
【0046】
この吸い込まれた外気は、ラビリンス機構301によって遮蔽部100の上面に導かれるのが阻止されるために、遮蔽部100の側壁101〜104とチャンバ20の側壁21〜24との間を通って遮蔽部100の下方まで導かれる。一方、収容空間105からその下方の遮蔽空間107に向く気流400が生じている。したがって、外気は、気流400によって遮蔽部100の下面の開口に向かうことなく、排気管30に向けて導かれる。すなわち、外気は、収容空間105の基板処理位置に位置しているウエハWに当たることなく、排気管30に吸引されていく。
【0047】
以上のように第1実施形態によれば、ウエハWを完全に収容できる遮蔽部100をチャンバ20内に配置し、かつ遮蔽部100の上面をラビリンス機構301によってシールしているから、たとえ乾燥処理時に外気がチャンバ20内に吸い込まれても、当該外気がウエハWに直接当たることはない。したがって、ウエハWにパーティクルが付着するのが防止されるから、乾燥処理を良好に行うことができる。よって、高品質なウエハWを提供することができる。
【0048】
なお、上記説明では、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間をラビリンス機構301によって非接触にシールしている。しかし、たとえば図7に示すように、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間を、遮蔽部100の上端に設けられたベース部410に取り付けられたOリング411によってシールするようにしてもよい。このようにすれば、リップパッキン123周辺と遮蔽部100の上部とをさらに確実にシールするから、外気がウエハWに直接当たるのをさらに確実に防止する。
【0049】
図8は、本発明の第2実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。図8において、図6と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
上記第1実施形態にかかる遮蔽部100は、チャンバ20のほぼ上半分の空間内に配置され、かつその下面が開口しているのに対して、この第2実施形態にかかる遮蔽部100は、チャンバ20の内部空間のほぼ全体に配置され、かつ下面は開口していないものである。すなわち、遮蔽部100の底壁109は、チャンバ20の底壁25の近傍に当該底壁25に沿って配置されており、遮蔽空間107は、遮蔽部100の側壁101〜104および底壁109とチャンバ20の側壁21〜24および底壁25との間の空間となる。
【0050】
また、上記第1実施形態では、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間はラビリンス機構301やOリング411などのシール手段によってシールされているのに対して、この第2実施形態では、ラビリンス機構301やOリング411のようなシール手段は備えられていない。すなわち、オートカバー120の内壁に取り付けられた突出部300は備えられておらず、したがって遮蔽部100の上面とオートカバー120との間は隙間があいたままとなっている。
【0051】
以上のことから、この第2実施形態では、遮蔽部100によって区画された収容空間105と遮蔽空間107とは、遮蔽部100の下面において連通されているのではなく、遮蔽部100の上面において連通されていると言える。
減圧ポンプ31が連結されている排気管30は、遮蔽空間107に直結している。したがって、減圧ポンプ31が駆動されると、遮蔽空間107内の空気が排気管30に吸引される。これに伴って、収容空間105内の空気は、遮蔽部100の上面から遮蔽空間107に吸い込まれ、収容空間105から遮蔽空間107に向く気流430が生じる。この気流430は、遮蔽空間107から収容空間105への空気の流れを阻止しているから、実質的に、遮蔽部100とオートカバー120との間の隙間をシールする機能を果たしている。したがって、リップパッキン123のシール面123aの隙間から外気がチャンバ20内に吸い込まれても、上記気流430によって当該外気は収容空間105に導かれるのを阻止され、そのまま遮蔽空間107を通って排気管30に吸い込まれる。よって、外気が収容空間105内に収容されているウエハWに当たることがない。
【0052】
以上のようにこの第2実施形態によっても、外気がウエハWに直接当たるのを防止できるから、乾燥処理を良好に行うことができ、したがって高品質なウエハWの提供に貢献できる。
図9は、本発明の第3実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。図9において、図6と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
【0053】
なお、この第3実施形態では、上記第1実施形態において説明した遮蔽部100の構成および遮蔽部100に関連する構成をベースにしているが、上記図7に示した構成、および上記第2実施形態において説明した構成をベースにしてもよいのはもちろんである。
上記実施形態では、チャンバ20の底壁25に連結された排出路26の途中部に排気管30が連結され、チャンバ20の上方から下方に向く気流を発生させているのに対して、この第3実施形態では、チャンバ20の側壁24の上部に排気管30が連結され、チャンバ20の下方から上方に向く気流を発生させている。具体的には、排気管30は、側壁24の上部であって、かつリップパッキン123が設けられている位置の近傍に配置されている。
【0054】
この構成では、減圧ポンプ31が駆動されると、チャンバ20の下方から遮蔽部100の側壁104とチャンバ20の側壁24との間を通って排気管30に向く気流440が発生する。また、この気流440には、遮蔽部100の下面に向けて下降し、さらに連通口108から遮蔽部100の側壁104とチャンバ20の側壁24との間に導かれる収容空間105内の空気も含まれる。一方、排気管30が連結されている側壁24側のリップパッキン123のシール面123aの隙間からチャンバ20内に吸い込まれた外気は、ラビリンス機構301によって収容空間105内に侵入するのが阻止されるから、遮蔽空間107に導かれ、その後すぐに、排気管30に吸い込まれる。また、排気管30が連結されていない側壁21〜23側から吸い込まれた空気は、遮蔽部100の側壁101〜103に沿って排気管30に吸引されていく。
【0055】
以上のように第3実施形態によれば、排気管30をチャンバ20の側壁24の上部であって、かつリップパッキン123の近傍に連結しているから、チャンバ20内に吸い込まれた外気をすぐに回収することができる。したがって、上記実施形態に比べてウエハWに外気が当たる可能性をさらに低くすることができるから、乾燥処理を一層良好に行うことができる。よって、一層高品質なウエハWを提供することができる。
【0056】
本発明の実施の形態は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態では、オートカバー120は、チャンバ20の上端に取り付けられた支点部121を支点にして開閉できるようになっているが、たとえば上下方向に開閉できるようなものであってもよい。この場合、遮蔽部100をチャンバ20内に固定するのではなく、たとえばオートカバー120に固定するようにしてもよい。この構成によれば、オートカバー120と遮蔽部100との間に隙間が形成されることはない。すなわち、収容空間105内に外気が入り込む可能性のある経路を1つなくすことができるから、外気がウエハWに直接当たるのを一層確実に防止することができる。
【0057】
また、上記実施形態では、本発明をウエハWに処理を施す装置に適用する場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板やPDP(プラズマディスプレイパネル)などの各種の被処理基板に処理を施す装置に対しても広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部を含むウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。
【図2】ウエハ保持チャックを示す正面図である。
【図3】減圧乾燥部の内部構成を薬液処理部が位置する側から見た断面図である。
【図4】減圧乾燥部の内部構成をウエハ保持ロボットが位置する側から見た断面図である。
【図5】開閉機構の構成を説明するために、図4のh方向から見た側面図である。
【図6】減圧乾燥部の概略断面図である。
【図7】シール手段としてOリングを用いた場合の減圧乾燥部の概略断面図である。
【図8】本発明の第2実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。
【図9】本発明の第3実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。
【図10】従来の減圧乾燥部の概略断面図である。
【符号の説明】
1 ウエットステーション
10 減圧乾燥部
20 チャンバ(減圧処理容器)
31 減圧ポンプ(減圧手段)
100 遮蔽部(遮蔽手段)
120 オートカバー(蓋体)
123 リップパッキン(シール部材)
123a シール面
301 ラビリンス機構(シール手段)
411 Oリング(シール手段)
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for performing processing on various substrates to be processed such as a semiconductor wafer and a glass substrate for a liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
BACKGROUND In a semiconductor device manufacturing process, a batch-type wafer processing apparatus that collectively processes a plurality of semiconductor wafers (hereinafter, simply referred to as “wafers”) may be used. This type of wafer processing apparatus is used to collectively immerse a plurality of wafers in a chemical solution or the like, thereby cleaning the wafer surface or removing a thin film formed on the wafer surface. A plurality of chemical processing sections for performing a chemical processing, and a reduced-pressure drying section for washing the wafer after the chemical processing with water and further drying under reduced pressure.
[0003]
FIG. 10 is a schematic sectional view of the reduced-pressure drying unit. The reduced-pressure drying section is for washing the wafer W with pure water and drying the wafer W using IPA (isopropyl alcohol) vapor, and includes a chamber 700 and a cover 701 that is openably and closably mounted on the upper surface of the chamber 700. And an O-ring 702 that seals between the chamber 700 and the cover 701 to prevent outside air from entering the chamber 700 when the cover 701 is closed. A possible wafer guide 703, a storage tank 704 that is disposed below the chamber 700 and stores pure water, a nozzle 705 that is disposed above the chamber 700 and discharges IPA vapor, and the inside of the chamber 700 An exhaust pipe 707 to which a decompression pump 706 for reducing pressure is connected is provided.
[0004]
When the wafer W is transferred by a wafer transfer robot (not shown), the cover 701 is opened, and the wafer W is transferred from the wafer transfer robot to the wafer guide 703 in this state. In the wafer guide 703, the wafer W is aligned and held vertically and collectively. Thereafter, the wafer guide 703 is lowered, and is stored in a storage tank 704 storing pure water, as shown by a two-dot chain line, and is washed in the storage tank 704. Thereafter, IPA vapor is supplied from the nozzle 705 into the chamber 700, and the wafer guide 703 is raised to a position indicated by a solid line. During this ascent process, the water droplets adhering to the wafer W are replaced with the IPA vapor, the water droplets are removed from the wafer W, and the surface of the wafer W is covered with the IPA vapor. Further, in this state, the pressure reducing pump 706 is driven, and the pressure in the chamber 700 is reduced. As a result, the IPA vapor covering the surface of the wafer W evaporates. Thereby, the wafer W is dried.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
When the pressure in the chamber 700 is reduced, an airflow is generated in the chamber 700 from above the chamber 700 to a downward direction to which the exhaust pipe 707 is connected. There is no particular problem when the space between the chamber 700 and the cover 701 is securely sealed by the O-ring 702. A gap is formed therebetween, and outside air is sucked into the chamber 700 from the gap. As a result, as shown by the white arrow, the outside air containing the particles directly hits the wafer W during the drying process. As a result, there has been a problem that the yield of the semiconductor device is reduced.
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problem and to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the outside air from directly hitting the substrate even when outside air including particles enters. .
[0007]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
The invention according to claim 1 for achieving the above object has a reduced-pressure processing container for reducing the pressure inside by a decompression means, accommodating a substrate, and performing processing, a lid body capable of opening and closing the reduced-pressure processing container, When the decompression processing container is closed with the lid, a sealing member for sealing between the decompression processing container and the lid with a sealing surface,An internal space provided inside the decompression processing container and capable of accommodating the substrate is provided. The internal space communicates with a space in the decompression processing container below a position where the substrate is accommodated in the internal space. Communication port is formed,The airflow that flows into the decompression chamber from the gap between the sealing surfacesBasePrevents direct contact with the boardShielding containerAnd a substrate processing apparatus.
[0008]
According to the present invention, between the sealing member and the substrateIs shielded by the shielding containerTherefore, even if the sealing surface of the sealing member is deteriorated and external air is sucked into the decompression processing container, it is possible to prevent the external air from directly hitting the substrate. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate, so that the processing can be performed favorably. Therefore, a high-quality substrate can be provided, and a decrease in the yield of substrate processing can be suppressed.
In addition, since a communication port is formed below the substrate housing position of the shielding container to communicate the internal space of the shielding container and the internal space of the decompression container, the airflow flowing from the inside of the shielding container to the communication port is reduced. Can be caused. Therefore, even if external air is sucked into the decompression processing container from the sealing surface of the seal member, the external air is prevented from being guided into the shielding container from the communication port by the air flow.
Moreover, since the air in the inner space of the shielding container flows out through the communication port, a large amount of air can flow out in a short time. Thus, the decompression speed is increased, so that efficient processing can be performed.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, the shieldingcontainerIs,UpHas an opening facing the lidAndWherein the decompression means decompresses a shielding space formed between the decompression processing container and the shielding container.In oneIt is a substrate processing apparatus of a statement.
[0010]
In the present invention, for example, in a state where the substrate is housed inside the shielding container, the shielding space can be depressurized by the decompression means to perform the processing. Therefore, the inner space of the shielding container and the shielding space communicate with each other.BecauseThen, an airflow is generated from the internal space of the shielding container toward the shielding space. Therefore, even if external air is sucked into the decompression processing container from the gap between the sealing surfaces of the sealing member, the external air is prevented from being guided into the shielding container by the airflow. Therefore, the outside air does not directly hit the substrate in the shielding container. Therefore, the same operation and effect as those of the first aspect can be obtained.
[0011]
The invention according to claim 3 further includes sealing means for sealing a gap between the shielding container and the lid.M3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein:
In the present invention, the gap between the shielding container and the lid isButFrom the gap to the inside of the shielding container.Fresh airIs also prevented from being guided. Therefore, the outside air does not directly hit the substrate in the shielding container.
[0012]
The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the sealing means is an O-ring for sealing a gap between the shielding container and the lid.
[0013]
According to the present invention, since the gap between the shielding container and the lid is sealed by the O-ring, the gap can be reliably sealed. Therefore, it is possible to reliably prevent the outside air from entering the inside of the shielding container, and it is possible to more reliably prevent particles from adhering to the substrate. Therefore, a higher quality substrate can be provided as compared with the first to third aspects of the present invention.
[0014]
The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the sealing means is a labyrinth mechanism for sealing a gap between the shielding container and the lid in a non-contact manner. is there.
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, since the clearance gap between a shielding container and a cover is sealed by non-contact, there is no generation of a particle in a sealing part. Therefore, particles on the substrate can be more reliably prevented as compared with the invention described in claim 4 in which the sealing is performed on the sealing surface. Therefore, a higher quality substrate can be provided as compared with the invention described in claim 4 above.
[0015]
The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the seal member is a lip packing.
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, since the clearance gap between a decompression processing container and a lid can be satisfactorily sealed, the invasion of outside air to a decompression processing container can be suppressed to the minimum.
The invention according to claim 7 further includes a storage tank provided in the decompression processing container below the shielding container and storing pure water for cleaning the substrate. A substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects.
The invention according to claim 8 is such that the inside of the depressurization processing vessel is decompressed by the decompression means, the substrate is accommodated in the decompression processing vessel, and the decompression processing vessel is opened and closed. A lip packing for sealing between the decompression processing container and the lid with a sealing surface when closed by a body, and an internal space provided inside the decompression processing container and capable of accommodating the substrate. Further comprising an opening facing the lid, a shielding container for preventing an airflow flowing into the decompression processing container from the gap of the sealing surface from directly hitting the substrate, and the shielding container, A sealing means for sealing a gap between the cover and the cover in a non-contact manner.
The invention according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the sealing means is a labyrinth mechanism.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a wet station to which a reduced-pressure drying unit as a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied. The wet station 1 is for performing a chemical treatment on a plurality of (for example, 26) wafers W stored in a cassette C.
[0017]
The wet station 1 includes an alignment unit 2 for adjusting the orientation of two cassettes (for example, 52) of wafers W (for example, 52), and an unloading unit for collectively removing the wafers W whose orientation has been adjusted from the cassette C. 3, a plurality of chemical processing units 4, 5, 6, 7, 8 and 9 for performing chemical processing on wafers W taken out of the cassette by the unloading unit 3, and a plurality of wafers W after the chemical processing. And a reduced-pressure drying unit 10 for simultaneously washing with water and drying under reduced pressure. The alignment unit 2, the take-out unit 3, the chemical processing units 4 to 9 and the reduced-pressure drying unit 10 are linearly arranged along a predetermined processing unit arrangement direction a.
[0018]
The chemical processing units 4 to 9 process the wafers W by immersing a plurality of wafers W in a predetermined chemical at a time. That is, a storage tank (not shown) capable of storing a chemical such as ammonia, hydrofluoric acid, or sulfuric acid is disposed inside each of the chemical processing units 4 to 9, and is stored in the storage tank in which the chemical is stored. By immersing the wafer W, the surface of the wafer W is cleaned or a thin film formed on the surface of the wafer W is removed.
[0019]
In addition, the wet station 1 includes a wafer transfer robot 11 for transferring a plurality of wafers W collectively from the unloading unit 3 to the reduced-pressure drying unit 10. The wafer transfer robot 11 is movable along the processing unit arrangement direction a, and has a wafer holding chuck 12 that can be opened and closed in the processing unit arrangement direction a. The wafer holding chuck 12 is attached to the wafer transfer robot 11 so as to be able to move up and down. With this configuration, the wafer W can be transferred to the inside of the chemical processing units 4 to 9 and the reduced-pressure drying unit 10.
[0020]
FIG. 2 is a front view showing the configuration of the wafer holding chuck 12. The wafer holding chuck 12 has a pair of chuck portions 13 arranged to face each other in the processing unit arrangement direction a. Each of the chuck portions 13 extends in the wafer arrangement direction b with a pair of arm portions 14 (only one side is shown) arranged at predetermined intervals in a wafer arrangement direction b substantially orthogonal to the processing unit arrangement direction a. And a pair of upper and lower holding portions 15 that connect the arm portions at the lower end of the arm portion 14. A large number of V-shaped holding grooves 16 are formed in the holding portion 15 of each chuck portion 13.
[0021]
When holding the wafer W, the pair of chuck portions 13 are brought close to each other. As a result, the peripheral edge of the wafer W is engaged with each holding groove 16 of the pair of chuck portions 13. As a result, the wafer W is held vertically by the wafer holding chuck 12. Therefore, the plurality of wafers W are vertically aligned and held by the wafer holding chuck 12 along the wafer arrangement direction b.
[0022]
3 is a cross-sectional view of the internal configuration of the reduced-pressure drying unit 10 viewed from the side where the chemical solution processing unit 9 is located. FIG. 4 is a cross-sectional view of the internal configuration of the reduced-pressure drying unit 10 viewed from the side where the wafer holding robot 11 is located. FIG. The reduced-pressure drying unit 10 is for washing away the chemical solution or the like adhering to the wafer W using pure water and drying the washed wafer W using IPA (isopropyl alcohol) vapor. The reduced-pressure drying unit 10 includes a chamber 20, a wafer guide 40 for collectively holding a plurality of wafers W in the chamber 20, a lifter 60 for raising and lowering the wafer guide 40, and a lower part in the chamber 20. A storage tank 80 is provided and stores pure water, and a shielding unit 100 is provided in the upper part of the chamber 20.
[0023]
The chamber 20 is substantially rectangular in plan view, and is surrounded by side walls 21, 22, 23, and 24. On the upper surface of the chamber 20, an auto cover 120 is mounted so as to be openable and closable. The auto cover 120 can be automatically opened and closed by an opening / closing mechanism 122 using a fulcrum 121 on a side opposite to the side on which the wafer holding robot 11 is provided as a fulcrum. The auto cover 120 is opened when the wafer W is transferred between the wafer holding chuck 13 and the wafer guide 40 in the chamber 20, and is closed during the pure water cleaning process and the drying process.
[0024]
A lip packing 123 for sealing between the auto cover 120 and the chamber 20 when the auto cover 120 is closed is provided on the upper surface of the chamber 20. This prevents outside air containing particles from entering the chamber 20 from the outside of the chamber 20 and prevents the IPA vapor from leaking out of the chamber 20.
[0025]
The shielding unit 100 is mainly for shielding the wafer W placed at the substrate processing position from the outside air which may enter the chamber 20 when the sealing surface of the lip packing 123 is deteriorated. Are arranged in the space of almost the upper half. The shielding portion 100 has four side walls 101, 102, 103 and 104 arranged near the side walls 21 to 24 of the chamber 20 so as to be along the respective side walls 21 to 24. Near the upper ends of the side walls 101 to 104, step portions 101a, 102a, 103a, and 104a that enter the inside of the chamber 20 are formed. The upper surface of the shielding unit 100 is opened mainly to allow the wafer holding chuck 12 to enter the chamber 20.
[0026]
On the inner wall of the auto cover 120, a protruding portion 300 that protrudes downward when the auto cover 120 is closed is attached. The protruding portion 300 is arranged so as to be located outside the step portions 101 a to 104 a formed at the upper ends of the side walls 101 to 104 of the shielding portion 100 when the auto cover 120 is closed. That is, the labyrinth mechanism 301 that seals the gap between the upper surface of the shielding unit 100 and the auto cover 120 in a non-contact manner is configured by the protruding portion 300 and the step portions 101a to 104a.
[0027]
A vertically long notch 106 is formed on the side wall 102 on the side where the lifter 60 is disposed among the side walls 101 to 104 to allow the lifter 60 to move up and down. Also,Shielding part 100Is open at the bottom. With this configuration, the wafer guide 40 can be raised until the wafer W reaches the substrate processing position in the housing space 105.
[0028]
As described above, the inner space of the chamber 20 is partitioned into the housing space 105 which is the inner space of the shield 100 and the shield space 107 which is the outer space by the shield 100 whose upper end is sealed by the labyrinth mechanism 301. I have. However, since the lower surface of the shielding unit 100 is open, the housing space 105 and the shielding space 107 are communicated by an opening (hereinafter, referred to as a “communication port”) 108 on the lower surface.
[0029]
The wafer guide 40 is formed to be long along the wafer arrangement direction b, and includes four guide portions 41, 42, 43, and 44 that are separated from each other by a predetermined distance in a processing unit arrangement direction a orthogonal to the wafer arrangement direction b. A connecting portion 45 is provided for connecting the tip portions of the guide portions 41 to 44 to each other. Two holding plates 46 and 47 which are opposed to the guide portion 41 with the guide portion 41 interposed therebetween and which are long along the wafer arrangement direction b are attached by bolts 52 and 53, respectively. Two holding plates 48 and 49 which are opposed to the guide portion 44 with the guide portion 44 therebetween and which are long in the wafer arrangement direction b are attached by bolts 54 and 55. Further, one holding plate 50 and 51 long along the wafer arrangement direction b are attached to the guide portions 42 and 43 by bolts 56 and 57 on the outer surfaces of the guide portions 42 and 43, respectively. .
[0030]
On the upper side of each of the holding plates 46 to 51, a plurality of substantially V-shaped holding grooves 58 are formed. One holding groove formed in one of the holding plates forms one group together with the other five holding grooves located on a straight line along the processing unit arrangement direction a in plan view of the other holding plate. ing. The six holding grooves 58 included in this one group are arranged along the shape of the peripheral portion of the wafer W. One wafer W is held vertically with its peripheral edge engaged with the holding groove 58 included in one group. In the wafer guide 40, a plurality of groups including the above-described six holding grooves 58 are formed in the wafer arrangement direction b, so that the wafer guide 40 collectively arranges a plurality of wafers W. The alignment can be maintained along the direction b.
[0031]
As described above, since the wafer W is held by the six holding grooves 58, the holding state is very stable. Therefore, it is possible to prevent a trouble such as the wafer W from falling down. Therefore, it is possible to avoid damaging the wafer W, so that a high-quality wafer W can be provided.
The lifter 60 moves the wafer guide 40 up and down between a predetermined pure water processing position (shown by a solid line) and a substrate processing position (shown by a two-dot chain line). The pure water processing position is set to a position inside the storage tank 80 such that when pure water is stored in the storage tank 80, the wafer W is completely immersed in the pure water. . The substrate processing position is set at a position where the lower end of the wafer W held by the wafer guide 40 is completely contained in the storage space 105 of the shielding unit 100. The wafer guide 40 is lowered to the pure water processing position mainly when the wafer W is subjected to pure water cleaning processing. The wafer guide 40 is raised to the substrate processing position when receiving the wafer W from the wafer holding chuck 12 and when drying the wafer W after the pure water cleaning process is completed.
[0032]
The lifter 60 connects the guide portions 41 to 44 on the side wall 22 side of the connection plate 45 and supports the support arm 61, a support portion 62 attached to the upper end of the support arm 61, and a lower end of the support portion 62. , A support shaft 63 extending downward, and an elevating mechanism 64 for moving the support shaft 63 in the vertical direction. When the support shaft 63 is moved up and down by the elevating mechanism 64, the support section 62 and the support arm 61 are also moved up and down accordingly, and as a result, the wafer guide 40 is moved up and down.
[0033]
Reference numeral 78 denotes a bellows for protecting the elevating mechanism 64 and the like from IPA vapor used when drying the wafer W and for preventing particles generated by the elevating mechanism 64 from entering the chamber 20. is there.
The storage tank 80 is substantially rectangular in plan view, has side walls 81, 82, 83, and 84, and a bottom wall 85, and has an open upper surface. A nozzle 86 is arranged near the bottom wall 85 of the storage tank 80. The nozzle 86 is connected to a pure water supply passage 87 through which pure water is guided from a pure water tank (not shown). A pure water supply valve 88 is provided at an intermediate portion of the pure water supply passage 87. With this configuration, pure water can be supplied to the storage tank 80 by controlling the opening and closing of the pure water supply valve 88.
[0034]
On the upper sides of the side walls 81 to 84 of the storage tank 80, a plurality of V-shaped notches 90 having a predetermined depth are formed at predetermined intervals. With this configuration, the pure water stored in the storage tank 80 can overflow out of the storage tank 80 via the notch 90. As a result, the chemical solution, particles, and the like originally attached to the wafer W and dissolved in the pure water during the pure water cleaning process can be discharged out of the storage tank 80.
[0035]
A drain discharge path 26 extending to the outside of the chamber 20 is connected to the bottom wall 25 of the chamber 20. Thereby, the pure water in which the chemical solution or particles overflowed from the storage tank 80 during the pure water cleaning process and have been dissolved can be discharged to the outside of the chamber 20.
In addition, a drain discharge passage 92 in which a drain valve 91 is interposed is connected to the bottom wall 85 of the storage tank 80. With this configuration, by controlling the opening and closing of the drain valve 91, the pure water stored in the storage tank 80 can be discharged to the outside of the storage tank 80. Thereby, the used pure water can be discharged after the pure water cleaning process.
[0036]
Two IPA tubes 140 extending long along the wafer arrangement direction b are arranged in the upper part of the accommodation space 105. The IPA pipe 140 has a plurality of IPA discharge holes 141 for supplying IPA vapor into the chamber 20. IPA vapor is discharged from the IPA discharge hole 141 during the drying process after the pure water cleaning process. On the other hand, after the pure water cleaning process, the wafer guide 40 is raised toward the upper position. During this ascent, the IPA vapor supplied into the chamber 20 is replaced with water droplets adhering to the surface of the wafer W. That is, water droplets are removed from the surface of the wafer W, and the surface of the wafer W is covered with the IPA vapor.
[0037]
An exhaust pipe 30 is connected to an intermediate portion of the discharge path 26. Further, the pure water supply path 87 is connected to the exhaust pipe 30 via a pure water discharge path 96 in which a pure water discharge valve 95 is provided. A pressure reducing pump 31 is connected to the exhaust pipe 30.
The decompression pump 31 is driven during the drying process. In this case, the air in the chamber 20 is sucked through the exhaust pipe 30, and the pressure in the chamber 20 is reduced. As a result, the IPA vapor covering the surface of the wafer W evaporates. Thereby, the wafer W can be dried.
[0038]
At the same time that the pressure reducing pump 31 is driven, the pure water discharge valve 95 is opened. As a result, pure water in the pure water supply path 87 from the nozzle 86 to the closed pure water supply valve 88 is sucked through the pure water discharge path 96. Thus, the inside of the pure water supply passage 87 is dried.
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the opening / closing mechanism 122, and is a diagram viewed from the h direction in FIG. The opening / closing mechanism 122 is for automatically opening and closing the auto cover 120 with the fulcrum 121 on the back surface 26 side of the chamber 20 as a fulcrum, and its operation is controlled by a control unit (not shown). The opening / closing mechanism 122 includes a movable section 250 attached to a fulcrum side of the auto cover 120. The movable portion 250 has a substantially rectangular shape in a side view, and is rotatably attached to the fulcrum portion 121 at an attachment end where the auto cover 120 is attached. A first rod 252 of a first cylinder 251 for rotating the movable section 250 about the fulcrum 121 is provided at a swinging end opposite to the mounting end of the movable section 250 via a connection pin 253. Are linked.
[0039]
More specifically, the first cylinder 251 moves the movable portion 250 between a closed position where the movable portion 250 is substantially horizontal and an open position where the swinging end is located below the mounting end. It is rotated about the part 121. The first cylinder 251 is obliquely attached to the outside of the side wall 24 of the chamber 20 so as to advance and retreat obliquely toward the upper part of the back surface 26 of the chamber 20. The swing end of the movable part 250 is rotatably attached to a connection pin 253 fixed to the first rod 252 of the first cylinder 251.
[0040]
With this configuration, when the first rod 252 is extended, the movable portion 250 rotates around the fulcrum portion 121 and eventually reaches the closed position as shown by the solid line. As a result, the auto cover 120 is closed. On the other hand, when the first rod 252 is retracted from this state, the movable portion 250 rotates around the fulcrum portion 121 in the opposite direction to the above, and eventually reaches the open position as indicated by the two-dot chain line. As a result, the auto cover 120 is opened.
[0041]
Further, the opening / closing mechanism 122 includes a distal end closing portion 260 for securely closing the auto cover 120 when the auto cover 120 is closed. An engagement claw 270 that protrudes downward in the closed state is attached to the distal end 120a of the auto cover 120. The tip of the engagement claw 270 projects horizontally when the auto cover 120 is closed. When the auto cover 120 is closed, the distal end closing section 260 securely closes the auto cover 120 by pressing the engaging claw 270 from above.
[0042]
The distal end closing portion 260 is elongated in a side view, and the engaging claw 261 engages with the engaging claw 270 with the engaging claw 261 having its leading end engaged with the engaging claw 270 from above. A second cylinder 262 is provided for rotating between the position and the position at which the engagement is released. The engaging claw 261 is rotatably attached to a fixing pin 264 attached to the side wall 24, and is rotatably attached to a mounting pin 265 having an end opposite to the distal end fixed to the second rod 263. Installed. The second rod 263 of the second cylinder 262 is capable of moving back and forth along the vertical direction.
[0043]
With this configuration, when the second rod 263 extends in the upward direction, the engaging claw 261 rotates about the fixing pin 264 in association with this, and eventually, as shown by the solid line, the distal end of the engaging claw 261. Are engaged with the engagement claws 270. As a result, the engagement claw 270 is pressed from above by the engagement claw 261. Thereby, the auto cover 120 is reliably closed. When the second rod 263 is retracted downward from this state, the engagement claws 261 rotate in the opposite direction. As a result, the engaged state is released.
[0044]
FIG. 6 is a schematic sectional view of the reduced-pressure drying unit 10. As described above, the auto cover 120 is closed during the drying process. In this case, the inside and outside of the chamber 20 are shut off by the lip packing 123. When the pressure reducing pump 31 is driven in such a state, the air in the shielding space 107 is sucked from above the chamber 20 toward the exhaust pipe 30 below. On the other hand, since the accommodation space 105 is communicated with the shielding space 107 by the communication port 108 of the shielding unit 100, the air in the accommodation space 105 is guided to the shielding space 107 through the communication port 108, and further, the exhaust pipe Aspirated toward 30. That is, an airflow 400 is generated from the accommodation space 105 to the shielding space 107 below the shielding portion 100.
[0045]
By the way, the sealing surface 123a of the lip packing 123 blocking the inside and outside of the chamber 20 may deteriorate due to aging or the like. In this case, a gap is formed between the auto cover 120 and the chamber 20. When the drying process is performed in such a state, outside air is sucked into the chamber 20 from the gap as indicated by a white arrow.
[0046]
Since the sucked outside air is prevented from being guided to the upper surface of the shielding portion 100 by the labyrinth mechanism 301, the outside air passes through between the side walls 101 to 104 of the shielding portion 100 and the side walls 21 to 24 of the chamber 20. It is guided to below the part 100. On the other hand, an airflow 400 is generated from the accommodation space 105 to the shielding space 107 below the accommodation space 105. Therefore, the outside air is guided toward the exhaust pipe 30 by the airflow 400 without going to the opening on the lower surface of the shielding unit 100. That is, the outside air is sucked into the exhaust pipe 30 without hitting the wafer W located at the substrate processing position of the accommodation space 105.
[0047]
As described above, according to the first embodiment, the shielding unit 100 that can completely accommodate the wafer W is disposed in the chamber 20 and the upper surface of the shielding unit 100 is sealed by the labyrinth mechanism 301. Even if outside air is sometimes sucked into the chamber 20, the outside air does not directly hit the wafer W. Therefore, the particles are prevented from adhering to the wafer W, so that the drying process can be performed favorably. Therefore, a high quality wafer W can be provided.
[0048]
In the above description, the labyrinth mechanism 301 seals the upper surface of the shielding unit 100 and the auto cover 120 in a non-contact manner. However, for example, as shown in FIG. 7, the space between the upper surface of the shielding unit 100 and the auto cover 120 may be sealed by an O-ring 411 attached to a base unit 410 provided at the upper end of the shielding unit 100. Good. By doing so, the periphery of the lip packing 123 and the upper part of the shielding portion 100 are more reliably sealed, so that the outside air is more reliably prevented from directly hitting the wafer W.
[0049]
FIG. 8 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 8, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIG.
The shielding unit 100 according to the first embodiment is arranged in a substantially upper half space of the chamber 20 and has an open lower surface, whereas the shielding unit 100 according to the second embodiment includes: It is arranged over almost the entire internal space of the chamber 20 and its lower surface is not open. That is, the bottom wall 109 of the shielding unit 100 is disposed near the bottom wall 25 of the chamber 20 along the bottom wall 25, and the shielding space 107 is formed by the side walls 101 to 104 and the bottom wall 109 of the shielding unit 100. It is a space between the side walls 21 to 24 and the bottom wall 25 of the chamber 20.
[0050]
In the first embodiment, the upper surface of the shielding unit 100 and the auto cover 120 are sealed by a sealing means such as a labyrinth mechanism 301 and an O-ring 411.Like the labyrinth mechanism 301 and the O-ring 411No sealing means is provided. That is, the protruding portion 300 attached to the inner wall of the auto cover 120 is not provided, so that a gap remains between the upper surface of the shielding portion 100 and the auto cover 120.
[0051]
As described above, in the second embodiment, the accommodation space 105 and the shielding space 107 defined by the shielding unit 100 are not communicated with each other on the lower surface of the shielding unit 100 but are communicated on the upper surface of the shielding unit 100. It can be said that it is.
The exhaust pipe 30 to which the decompression pump 31 is connected is directly connected to the shielding space 107. Therefore, when the pressure reducing pump 31 is driven, the air in the shielding space 107 is sucked into the exhaust pipe 30. Along with this, the air in the accommodation space 105 is sucked into the shielding space 107 from the upper surface of the shielding part 100, and an airflow 430 from the accommodation space 105 to the shielding space 107 is generated. Since the airflow 430 blocks the flow of air from the shielding space 107 to the housing space 105, the airflow 430 substantially functions to seal a gap between the shielding unit 100 and the auto cover 120. Therefore, even if outside air is sucked into the chamber 20 from the gap between the sealing surfaces 123 a of the lip packing 123, the outside air is prevented from being guided to the housing space 105 by the airflow 430, and passes through the shielding space 107 as it is and the exhaust pipe Sucked in 30. Therefore, the outside air does not hit the wafer W stored in the storage space 105.
[0052]
As described above, also according to the second embodiment, it is possible to prevent the outside air from directly hitting the wafer W, so that the drying process can be performed favorably, and therefore, it is possible to contribute to the provision of a high quality wafer W.
FIG. 9 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. 9, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIG.
[0053]
Although the third embodiment is based on the configuration of the shielding unit 100 and the configuration related to the shielding unit 100 described in the first embodiment, the configuration shown in FIG. It goes without saying that the configuration described in the embodiment may be based.
In the above-described embodiment, the exhaust pipe 30 is connected to an intermediate portion of the discharge path 26 connected to the bottom wall 25 of the chamber 20 to generate an airflow that flows downward from above the chamber 20. In the third embodiment, the exhaust pipe 30 is connected to the upper part of the side wall 24 of the chamber 20 to generate an airflow that goes upward from below the chamber 20. Specifically, the exhaust pipe 30 is arranged above the side wall 24 and near the position where the lip packing 123 is provided.
[0054]
In this configuration, when the decompression pump 31 is driven, an airflow 440 is generated from below the chamber 20 toward the exhaust pipe 30 through between the side wall 104 of the shielding unit 100 and the side wall 24 of the chamber 20. The airflow 440 also includes air in the storage space 105 that descends toward the lower surface of the shield 100 and is guided from the communication port 108 to between the side wall 104 of the shield 100 and the side wall 24 of the chamber 20. It is. On the other hand, the outside air sucked into the chamber 20 from the gap of the sealing surface 123a of the lip packing 123 on the side wall 24 to which the exhaust pipe 30 is connected is prevented from entering the housing space 105 by the labyrinth mechanism 301. Is guided to the shielding space 107, and immediately thereafter, is sucked into the exhaust pipe 30. The air sucked in from the side walls 21 to 23 to which the exhaust pipe 30 is not connected is sucked into the exhaust pipe 30 along the side walls 101 to 103 of the shielding unit 100.
[0055]
As described above, according to the third embodiment, since the exhaust pipe 30 is connected to the upper portion of the side wall 24 of the chamber 20 and to the vicinity of the lip packing 123, the outside air sucked into the chamber 20 is immediately discharged. Can be recovered. Therefore, the possibility of the outside air being exposed to the wafer W can be further reduced as compared with the above embodiment, and the drying process can be performed more favorably. Therefore, a higher quality wafer W can be provided.
[0056]
Although the embodiments of the present invention are as described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, the auto cover 120 can be opened and closed with the fulcrum 121 attached to the upper end of the chamber 20 as a fulcrum. . In this case, the shielding unit 100 may be fixed to the auto cover 120, for example, instead of being fixed in the chamber 20. According to this configuration, no gap is formed between the auto cover 120 and the shielding unit 100. That is, since one path through which outside air can enter the accommodation space 105 can be eliminated, the outside air can be more reliably prevented from directly hitting the wafer W.
[0057]
Further, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to an apparatus for processing a wafer W is described. However, the present invention is applied to various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display and a PDP (plasma display panel). The present invention can be widely applied to an apparatus for processing a processing substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a wet station including a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view showing a wafer holding chuck.
FIG. 3 is a cross-sectional view of an internal configuration of a reduced-pressure drying unit as viewed from a side where a chemical processing unit is located.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the internal configuration of the reduced-pressure drying unit as viewed from a side where a wafer holding robot is located.
FIG. 5 is a side view seen from a direction h in FIG. 4 for explaining the configuration of the opening / closing mechanism.
FIG. 6 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit.
FIG. 7 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying section when an O-ring is used as a sealing means.
FIG. 8 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a schematic sectional view of a conventional vacuum drying unit.
[Explanation of symbols]
1 Wet station
10 Vacuum drying section
20 chambers (decompression container)
31 Pressure reducing pump (pressure reducing means)
100 shielding part (shielding means)
120 Auto cover (lid)
123 Lip packing (seal member)
123a Seal surface
301 Labyrinth mechanism (sealing means)
411 O-ring (sealing means)

Claims (9)

減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、
この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、
上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのシール部材と、
上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、上記内部空間において基板が収容される位置よりも下方に上記内部空間と上記減圧処理容器内の空間とを連通する連通口が形成され、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器とを含むことを特徴とする基板処理装置。
The internal pressure is reduced by the pressure reducing means, a reduced pressure processing container for housing the substrate and performing the processing,
A lid body capable of opening and closing the decompression processing container,
When the decompression processing container is closed with the lid, a sealing member for sealing between the decompression processing container and the lid with a sealing surface,
An internal space provided inside the decompression processing container and capable of accommodating the substrate is provided. The internal space communicates with a space in the decompression processing container below a position where the substrate is accommodated in the internal space. communicating port is formed to a substrate processing apparatus characterized by airflow flowing into the vacuum processing vessel from a gap of the seal face and a shielding container to prevent hitting directly on Kimoto plate.
上記遮蔽容器、上記蓋体に対向する開口を有
上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
The shielding container have a opening facing the upper Symbol lid,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the decompression unit decompresses a shielding space formed between the decompression processing container and the shielding container. 3.
上記遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのシール手段をさらに含ことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein further including that a sealing means for sealing the gap between the shielding container and the lid. 上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのOリングであることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the sealing means is an O-ring for sealing a gap between the shielding container and the lid. 上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間を非接触にてシールするためのラビリンス機構であることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said sealing means is a labyrinth mechanism for sealing a gap between the shielding container and the lid in a non-contact manner. 上記シール部材は、リップパッキンであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the seal member is a lip packing. 上記減圧処理容器内において上記遮蔽容器の下方に設けられ、基板洗浄用の純水が貯留される貯留槽をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a storage tank provided in the decompression processing container below the shielding container and storing pure water for cleaning the substrate. 減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、  The internal pressure is reduced by the pressure reducing means, a reduced pressure processing container for housing the substrate and performing the processing,
この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、  A lid body capable of opening and closing the decompression processing container,
上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのリップパッキンと、  When the decompression processing container is closed with the lid, a lip packing for sealing the space between the decompression processing container and the lid with a sealing surface,
上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、さらに上記蓋体に対向する開口を有し、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器と、  It is provided inside the decompression processing container, has an internal space capable of accommodating the substrate, further has an opening facing the lid, and an airflow flowing into the decompression processing container from a gap in the sealing surface. A shielding container that prevents direct contact with the substrate,
この遮蔽容器と上記蓋体との間の隙間を非接触でシールするシール手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。  A substrate processing apparatus, comprising: sealing means for sealing a gap between the shielding container and the lid in a non-contact manner.
上記シール手段は、ラビリンス機構であることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。  9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein said sealing means is a labyrinth mechanism.
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