JP3585200B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
Substrate processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP3585200B2 JP3585200B2 JP08155997A JP8155997A JP3585200B2 JP 3585200 B2 JP3585200 B2 JP 3585200B2 JP 08155997 A JP08155997 A JP 08155997A JP 8155997 A JP8155997 A JP 8155997A JP 3585200 B2 JP3585200 B2 JP 3585200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- substrate
- shielding
- sealing
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 64
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 50
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 24
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 120
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 37
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 14
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 11
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板のような各種の被処理基板に対して処理を施すための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、複数枚の半導体ウエハ(以下単に「ウエハ」という。 )を一括して処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合がある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを一括して薬液などに浸漬させ、これによりウエハ表面を洗浄したりウエハ表面に形成された薄膜を除去したりするために用いられ、たとえばこのような薬液処理を行うための複数の薬液処理部と、薬液処理後のウエハを水洗いし、さらに減圧乾燥させる減圧乾燥部とを備えている。
【0003】
図10は、減圧乾燥部の概略断面図である。減圧乾燥部は、純水によってウエハWを水洗いするとともに、IPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用してウエハWを乾燥させるもので、チャンバ700と、チャンバ700の上面に開閉可能に装着されたカバー701と、カバー701が閉塞されている場合に、チャンバ700内に外気が侵入しないようにするために、チャンバ700とカバー701との間をシールするOリング702と、チャンバ700内に設けられた昇降可能なウエハガイド703と、チャンバ700内の下方に配置され、純水が貯留される貯留槽704と、チャンバ700内の上方に配置され、IPAベーパが吐出されるノズル705と、チャンバ700内を減圧するための減圧ポンプ706が接続された排気管707とを備えている。
【0004】
図示しないウエハ搬送ロボットによってウエハWが搬送されてくると、カバー701が開けられ、この状態においてウエハ搬送ロボットからウエハガイド703にウエハWが渡される。ウエハガイド703では、当該ウエハWが鉛直に一括して整列保持される。その後、ウエハガイド703が下降させられ、二点鎖線で示すように、純水が貯留されている貯留槽704に収容され、この貯留槽704にて水洗いされる。その後、IPAベーパがノズル705からチャンバ700内に供給されるとともに、ウエハガイド703が実線で示す位置まで上昇させられる。この上昇過程において、ウエハWに付着している水滴がIPAベーパと置換され、水滴がウエハWから除去されるとともにウエハWの表面がIPAベーパによって覆われる。さらに、この状態において減圧ポンプ706が駆動され、チャンバ700内が減圧される。その結果、ウエハWの表面を覆っていたIPAベーパが蒸発する。これにより、ウエハWが乾燥される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
チャンバ700内が減圧されている場合、チャンバ700内では、チャンバ700の上方から排気管707が接続されている下方に向く気流が発生する。Oリング702によってチャンバ700とカバー701との間が確実にシールされている場合には特に問題はないが、Oリング702のシール面702aが経年変化等によって劣化すると、Oリング702とカバー701との間に隙間ができ、この隙間から外気がチャンバ700内に吸い込まれる。その結果、白抜き矢印で示すように、パーティクルを含む外気が乾燥処理中のウエハWに直接当たる。その結果、半導体装置の歩留まりの低下を招くという不具合が生じていた。
【0006】
そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、パーティクルを含む外気が侵入してきても、当該外気が基板に直接当たるのを防止することができる基板処理装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するための請求項1記載の発明は、減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのシール部材と、上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、上記内部空間において基板が収容される位置よりも下方に上記内部空間と上記減圧処理容器内の空間とを連通する連通口が形成され、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0008】
本発明によれば、シール部材と基板との間が遮蔽容器によって遮蔽されているから、たとえシール部材のシール面が劣化して外気が減圧処理容器内に吸い込まれてきたとしても、当該外気が基板に直接当たるのを防止できる。したがって、基板にパーティクルが付着するのを防止できるから、処理を良好に行うことができる。そのため、高品質な基板を提供できるから、基板処理の歩留まりの低下を抑えることができる。
また、遮蔽容器の基板収容位置よりも下方に遮蔽容器の内部空間と減圧容器の内部の空間とを連通する連通口が形成されているから、遮蔽容器の内部から上記連通口へと向かう気流を生じさせることができる。したがって、シール部材のシール面から外気が減圧処理容器内に吸い込まれても、当該外気は上記気流によって連通口から遮蔽容器の内部に導かれるのを阻止される。
しかも、遮蔽容器の内部空間の空気は、連通口を介して流出するから、多量の空気を短時間に流出させることができる。よって、減圧速度が速くなるから、効率的な処理を行うことができる。
【0009】
請求項2記載の発明は、上記遮蔽容器は、上記蓋体に対向する開口を有し、上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置である。
【0010】
本発明では、たとえば基板を遮蔽容器の内部に収容した状態において減圧手段によって遮蔽空間を減圧し、処理を行うことができる。したがって、遮蔽容器の内部空間と遮蔽空間とが連通しているので、遮蔽容器の内部空間から遮蔽空間に向く気流が生じる。そのため、シール部材のシール面の隙間から外気が減圧処理容器内に吸い込まれても、当該外気は上記気流によって遮蔽容器の内部に導かれるのを阻止される。よって、外気が遮蔽容器内の基板に直接当たることがない。そのため、上記請求項1記載の発明と同様の作用効果を奏する。
【0011】
請求項3記載の発明は、上記遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのシール手段をさらに含むことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置である。
本発明では、遮蔽容器と蓋体との間の隙間がシールされているから、当該隙間から遮蔽容器の内部に外気が導かれるのも阻止される。そのため、外気が遮蔽容器内の基板に直接当たることがない。
【0012】
請求項4記載の発明は、上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのOリングであることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置である。
【0013】
本発明によれば、Oリングによって遮蔽容器と蓋体との間の隙間がシールされるから、上記隙間を確実にシールすることができる。そのため、外気の遮蔽容器の内部への侵入を確実に阻止できるから、基板へのパーティクルの付着を一層確実に防止できる。よって、上記請求項1ないし3に記載の発明に比べて一層高品質な基板を提供することができる。
【0014】
請求項5記載の発明は、上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間を非接触にてシールするためのラビリンス機構であることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置である。
本発明によれば、遮蔽容器と蓋体との間の隙間が非接触にてシールされるから、シール部分におけるパーティクルの発生がない。したがって、シール面にてシールする上記請求項4記載の発明に比べて基板へのパーティクルを一層確実に防止できる。よって、上記請求項4記載の発明に比べて一層高品質な基板を提供することができる。
【0015】
請求項6記載の発明は、上記シール部材は、リップパッキンであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置である。
本発明によれば、減圧処理容器と蓋体との間の隙間を良好にシールすることができるから、外気の減圧処理容器への侵入を最小限に抑えることができる。
請求項7記載の発明は、上記減圧処理容器内において上記遮蔽容器の下方に設けられ、基板洗浄用の純水が貯留される貯留槽をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項8記載の発明は、減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのリップパッキンと、上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、さらに上記蓋体に対向する開口を有し、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器と、この遮蔽容器と上記蓋体との間の隙間を非接触でシールするシール手段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
請求項9記載の発明は、上記シール手段は、ラビリンス機構であることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部が適用されるウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。このウエットステーション1は、カセットCに収納されている複数枚(たとえば26枚)のウエハWに対して薬液処理を施すためのものである。
【0017】
ウエットステーション1は、2カセット分の枚数(たとえば52枚)のウエハWの向きを整えるための整列部2と、向きが整えられた後のウエハWをカセットCから一括して取り出すための取出部3と、取出部3によってカセットから取り出されたウエハWに対して薬液処理を施すための複数の薬液処理部4、5、6、7、8および9と、薬液処理後の複数枚のウエハWを一括して水洗いし、かつ減圧乾燥させる減圧乾燥部10とを備えている。整列部2、取出部3、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10は、所定の処理部配列方向aに沿って直線状に配置されている。
【0018】
薬液処理部4〜9は、複数枚のウエハWを一括して所定の薬液に浸漬させることによってウエハWを処理するものである。すなわち、各薬液処理部4〜9の内部には、たとえばアンモニア、フッ酸、硫酸などの薬液を貯留できる貯留槽(図示せず)が配置されており、薬液が貯留されている貯留槽内にウエハWを浸漬させることによって、ウエハWの表面が洗浄されたりウエハWの表面に形成されている薄膜が除去されたりするようになっている。
【0019】
また、このウエットステーション1は、取出部3から減圧乾燥部10までの間において、複数枚のウエハWを一括して搬送するためのウエハ搬送ロボット11を備えている。ウエハ搬送ロボット11は、処理部配列方向aに沿って移動可能なもので、処理部配列方向aに関して開閉可能なウエハ保持チャック12を有している。ウエハ保持チャック12は、ウエハ搬送ロボット11に対して昇降自在に取り付けられている。この構成により、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10の内部にまで下降してウエハWの受け渡しを行うことができるようになっている。
【0020】
図2は、ウエハ保持チャック12の構成を示す正面図である。ウエハ保持チャック12は、処理部配列方向aに関して互いに対向するように配置された一対のチャック部13を有している。各チャック部13は、それぞれ、処理部配列方向aにほぼ直交するウエハ配列方向bに関して所定間隔離れて配置された一対のアーム部14(一方側のみ図示)と、ウエハ配列方向bに沿って延び、アーム部14の下端部においてアーム部同士をつなぐ上下一対の保持部15とを有している。各チャック部13の保持部15には、V字状の保持溝16が多数形成されている。
【0021】
ウエハWを保持する際には、一対のチャック部13が互いに近づけられる。その結果、一対のチャック部13の各保持溝16にウエハWの周縁部が係合する。これにより、ウエハWは、ウエハ保持チャック12に鉛直に保持される。そのため、複数枚のウエハWは、ウエハ保持チャック12にウエハ配列方向bに沿って鉛直に整列保持される。
【0022】
図3は、減圧乾燥部10の内部構成を薬液処理部9が位置する側から見た断面図、図4は、減圧乾燥部10の内部構成をウエハ保持ロボット11が位置する側から見た断面図である。減圧乾燥部10は、純水を用いてウエハWに付着している薬液等を洗い流し、かつIPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用して洗浄後のウエハWを乾燥させるためのものである。減圧乾燥部10は、チャンバ20と、チャンバ20内において複数枚のウエハWを一括して保持するためのウエハガイド40と、ウエハガイド40を昇降させるためのリフタ60と、チャンバ20内の下部に配置され、純水が貯留される貯留槽80と、チャンバ20内の上部に配置された遮蔽部100とを備えている。
【0023】
チャンバ20は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁21、22、23および24によって囲まれている。チャンバ20の上面には、オートカバー120が開閉可能に装着されている。オートカバー120は、ウエハ保持ロボット11が備えられている側と反対側の支点部121を支点にして、開閉機構122によって自動的に開閉することができる。オートカバー120は、ウエハ保持チャック13とチャンバ20内のウエハガイド40との間でウエハWの受け渡しが行われる際に開けられ、純水洗浄処理および乾燥処理時には閉塞される。
【0024】
チャンバ20の上面には、オートカバー120の閉塞状態において、オートカバー120とチャンバ20との間をシールするためのリップパッキン123が設けられている。これにより、チャンバ20の外部からパーティクルを含む外気がチャンバ20内に侵入するのが防止されるとともに、IPAベーパがチャンバ20外に漏れるのが防止される。
【0025】
遮蔽部100は、主として、リップパッキン123のシール面が劣化した場合に、チャンバ20内に侵入するおそれのある外気から基板処理位置に置かれているウエハWを遮蔽するためのもので、チャンバ20のほぼ上半分の空間内に配置されている。遮蔽部100は、チャンバ20の側壁21〜24の近傍に当該各側壁21〜24に沿うように配置された4つの側壁101、102、103および104を有している。各側壁101〜104の上端付近には、チャンバ20の内側に入り込む段差部101a、102a、103aおよび104aが形成されている。遮蔽部100の上面は、主として、ウエハ保持チャック12をチャンバ20内に進入させるために、開口している。
【0026】
オートカバー120の内壁には、オートカバー120の閉じ状態において下方に突出する突出部300が取り付けられている。突出部300は、オートカバー120の閉塞状態において、遮蔽部100の側壁101〜104の上端に形成された段差部101a〜104aの外側に位置するように、配置されている。すなわち、突出部300と段差部101a〜104aとによって、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間の隙間を非接触にてシールするラビリンス機構301が構成されている。
【0027】
各側壁101〜104のうちリフタ60が配置されている側の側壁102には、リフタ60の上下動を許容するために上下に長い切欠き106が形成されている。また、遮蔽部100の下面は開口している。この構成により、を収容空間105内の基板処理位置にウエハWが達するまでウエハガイド40を上昇させることができる。
【0028】
このように、チャンバ20の内部空間は、上端側がラビリンス機構301によってシールされた遮蔽部100によって、遮蔽部100の内部空間である収容空間105とその外部空間である遮蔽空間107とに区画されている。ただし、遮蔽部100の下面が開口していることから、収容空間105と遮蔽空間107とはこの下面の開口(以下「連通口」という。)108によって連通されている。
【0029】
ウエハガイド40は、ウエハ配列方向bに沿って長く形成され、このウエハ配列方向bと直交する処理部配列方向aに関して互いに所定間隔だけ離れている4つのガイド部41、42、43および44と、これらガイド部41〜44の先端部を互いに連結するための連結部45とを備えている。ガイド部41には、当該ガイド部41を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長い2つの保持板46および47がそれぞれボルト52および53によって取り付けられている。ガイド部44には、当該ガイド部44を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長い2つの保持板48および49がボルト54および55によって取り付けられている。また、ガイド部42および43には、それぞれ、当該各ガイド部42および43の外側の面に、ウエハ配列方向bに沿って長い1つの保持板50および51がボルト56および57によって取り付けられている。
【0030】
各保持板46〜51の上辺には、それぞれ、ほぼV字状の複数の保持溝58が形成されている。いずれかの保持板に形成されている1つの保持溝は、他の保持板の平面視において処理部配列方向aに沿う直線上に位置する他の5つの保持溝とともに、1つのグループを形成している。この1つのグループに含まれる6つの保持溝58はウエハWの周縁部の形状に沿うように配置されている。1枚のウエハWは、1つのグループに含まれる保持溝58にその周縁部が係合した状態で鉛直に保持される。ウエハガイド40には、上述のような6つの保持溝58で構成されるグループがウエハ配列方向bに関して複数形成されており、これによりウエハガイド40では、複数枚のウエハWを一括してウエハ配列方向bに沿って整列保持することができる。
【0031】
このように、ウエハWは、6つの保持溝58によって保持されるから、保持状態が非常に安定する。したがって、ウエハWが倒れるなどの不具合の発生を防止できる。そのため、ウエハWを傷つけることを回避できるから、高品質なウエハWを提供できる。
リフタ60は、このようなウエハガイド40を予め定める純水処理位置(実線で示す)と基板処理位置(二点鎖線で示す)との間で昇降させる。純水処理位置は、貯留槽80の内部であって、貯留槽80内に純水が貯留されている場合に、当該純水にウエハWが完全に浸漬されるような位置に設定されている。基板処理位置は、ウエハガイド40に保持されているウエハWの下端部が遮蔽部100の収容空間105内に完全に収まるような位置に設定されている。ウエハガイド40が純水処理位置まで下降されるのは、主として、ウエハWに純水洗浄処理を施す場合である。また、ウエハガイド40が基板処理位置まで上昇されるのは、ウエハ保持チャック12からウエハWを受け取る場合、および純水洗浄処理が終了した後にウエハWを乾燥させる場合である。
【0032】
リフタ60は、ガイド部41〜44を連結板45の側壁22側で連結し、支持する支持アーム61と、支持アーム61の上端に取り付けられた支持部62と、支持部62の下端に取り付けられ、下方に向けて延びた支持軸63と、この支持軸63を上下方向に移動させる昇降機構64とを備えている。昇降機構64によって支持軸63が昇降されると、これに伴って支持部62および支持アーム61も昇降し、その結果ウエハガイド40が昇降する。
【0033】
なお、参照符号78は、ウエハWを乾燥させる際に用いられるIPAベーパから昇降機構64などを保護したり、昇降機構64で発生するパーティクルがチャンバ20内に侵入するのを防止するためのベローズである。
貯留槽80は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁81、82、83および84、ならびに底壁85を有し、上面が開口している。貯留槽80の底壁85付近にはノズル86が配置されている。ノズル86には、図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路87が連結されている。純水供給路87の途中部には、純水供給弁88が介装されている。この構成により、純水供給弁88の開閉を制御することで、貯留槽80に純水を供給することができる。
【0034】
貯留槽80の側壁81〜84の上辺には、所定間隔で所定深さのV字状のノッチ90が複数個形成されている。この構成により、貯留槽80に貯留されている純水をノッチ90を介して貯留槽80の外部にオーバーフローさせることができる。これにより、元々ウエハWに付着していて純水洗浄処理中に純水中に溶けだした薬液やパーティクル等を貯留槽80外に排出することができる。
【0035】
チャンバ20の底壁25には、チャンバ20外にまで延びたドレン排出路26が連結されている。これにより、純水洗浄処理中に貯留槽80からオーバーフローされた薬液やパーティクル等の溶けだした純水をチャンバ20外に排出することができる。
また、貯留槽80の底壁85には、ドレン弁91が介装されたドレン排出路92が連結されている。この構成により、ドレン弁91の開閉を制御することで、貯留槽80に貯留されている純水を貯留槽80の外部に排出することができる。これにより、純水洗浄処理後において使用済の純水を排出することができるようになっている。
【0036】
収容空間105内の上部には、ウエハ配列方向bに沿って長く延びた2つのIPA管140が配置されている。IPA管140には、IPAベーパをチャンバ20内に供給するためのIPA吐出孔141が複数形成されている。IPA吐出孔141からは、純水洗浄処理後の乾燥処理時においてIPAベーパが吐出されるようになっている。一方、純水洗浄処理後においては、ウエハガイド40が上位置に向けて上昇させられる。この上昇途中において、チャンバ20内に供給されたIPAベーパとウエハWの表面に付着している水滴とが置換される。すなわち、ウエハW表面から水滴が除去されるとともに、ウエハW表面がIPAベーパによって覆われる。
【0037】
排出路26の途中部には、排気管30が連結されている。また、純水供給路87は、純水排出弁95が介装された純水排出路96を介して、排気管30に接続されている。排気管30には、減圧ポンプ31が接続されている。
減圧ポンプ31は、乾燥処理時に駆動されるようになっている。この場合、チャンバ20内の空気が排気管30を介して吸引され、チャンバ20内が減圧される。その結果、ウエハW表面を覆っているIPAベーパが蒸発する。これにより、ウエハWを乾燥させることができる。
【0038】
また、減圧ポンプ31が駆動されると同時に、純水排出弁95が開成される。その結果、ノズル86から閉成状態にある純水供給弁88に至る純水供給路87内の純水が純水排出路96を介して吸引される。これにより、純水供給路87内が乾燥されるようになっている。
図5は、開閉機構122の構成を示すための図であって、図4のh方向から見た図である。開閉機構122は、オートカバー120をチャンバ20の背面26側にある支点部121を支点にして自動的に開閉させるためのもので、図示しない制御部によってその動作が制御される。開閉機構122は、オートカバー120の支点側に取り付けられた可動部250を備えている。可動部250は、側面視においてほぼ長方形状のもので、オートカバー120が取り付けられている取付端において支点部121に回動自在に取り付けられている。可動部250の取付端の反対側である揺動端には、当該可動部250を支点部121を中心にして回動させるための第1シリンダ251の第1ロッド252が連結ピン253を介して連結されている。
【0039】
さらに具体的には、第1シリンダ251は、可動部250を、当該可動部250がほぼ水平になる閉塞位置と揺動端が取付端に対して下方に位置する開放位置との間で、支点部121を中心にして回動させるものである。第1シリンダ251は、チャンバ20の背面26の上部に向けて斜めに進退するように、チャンバ20の側壁24の外側に斜めに取り付けられている。可動部250の揺動端は、第1シリンダ251の第1ロッド252に固定された連結ピン253に回動可能に取り付けられている。
【0040】
この構成により、第1ロッド252が延ばされると、可動部250が支点部121を中心して回動し、やがて、実線で示すように、閉塞位置に達する。その結果、オートカバー120は閉塞状態となる。一方、この状態から第1ロッド252が引っ込むと、可動部250は支点部121を中心にして上述とは反対方向に回動し、やがて、二点鎖線で示すように、開放位置に達する。その結果、オートカバー120は開放状態となる。
【0041】
また、開閉機構122は、オートカバー120が閉じられる際に、オートカバー120を確実に閉じるための先端閉じ部260を備えている。オートカバー120の先端120aには、閉塞状態において下方に突出する係合爪270が取り付けられている。係合爪270の先端は、オートカバー120の閉塞状態において水平に突出している。先端閉じ部260は、オートカバー120が閉じられたときに、係合爪270を上方から押さえつけることによって、オートカバー120を確実に閉塞させる。
【0042】
先端閉じ部260は、側面視において細長く、かつその先端部が係合爪270に上方から係合するようにされた係合爪261を、当該係合爪261が係合爪270に係合する位置と当該係合が解除される位置との間で回動させるための第2シリンダ262を備えている。係合爪261は、側壁24に取り付けられた固定ピン264に回動可能に取り付けられ、かつ先端部の反対側の端部が第2ロッド263に固定されている取付ピン265に回動可能に取り付けられている。第2シリンダ262の第2ロッド263は、上下方向に沿って進退可能なものである。
【0043】
この構成により、第2ロッド263が上方向に延びると、これに伴って係合爪261が固定ピン264を中心にして回動し、やがて、実線で示すように、係合爪261の先端部が係合爪270に係合する。その結果、係合爪270が係合爪261によって上方から押さえつけられる。これにより、オートカバー120が確実に閉塞される。この状態から第2ロッド263が下方向に引っ込むと、係合爪261が上記とは反対方向に回動する。その結果、上記係合状態が解除される。
【0044】
図6は、減圧乾燥部10の概略断面図である。上述のように、乾燥処理時においては、オートカバー120は閉塞されている。この場合、チャンバ20の内外は、リップパッキン123によって遮断されている。このような状態で減圧ポンプ31が駆動されると、遮蔽空間107内の空気は、チャンバ20の上方から下方にある排気管30に向かって吸引される。一方、収容空間105は遮蔽部100の連通口108によって遮蔽空間107に連通されているから、収容空間105内の空気は、当該連通口108を通って遮蔽空間107に導かれ、さらに、排気管30に向かって吸引される。すなわち、収容空間105から遮蔽部100の下方の遮蔽空間107に向く気流400が生じる。
【0045】
ところで、チャンバ20の内外を遮断しているリップパッキン123は、経年変化等によって、そのシール面123aが劣化する場合がある。この場合、オートカバー120とチャンバ20との間に隙間ができる。このような状態で乾燥処理が行われると、白抜き矢印で示すように、外気が上記隙間からチャンバ20内に吸い込まれる。
【0046】
この吸い込まれた外気は、ラビリンス機構301によって遮蔽部100の上面に導かれるのが阻止されるために、遮蔽部100の側壁101〜104とチャンバ20の側壁21〜24との間を通って遮蔽部100の下方まで導かれる。一方、収容空間105からその下方の遮蔽空間107に向く気流400が生じている。したがって、外気は、気流400によって遮蔽部100の下面の開口に向かうことなく、排気管30に向けて導かれる。すなわち、外気は、収容空間105の基板処理位置に位置しているウエハWに当たることなく、排気管30に吸引されていく。
【0047】
以上のように第1実施形態によれば、ウエハWを完全に収容できる遮蔽部100をチャンバ20内に配置し、かつ遮蔽部100の上面をラビリンス機構301によってシールしているから、たとえ乾燥処理時に外気がチャンバ20内に吸い込まれても、当該外気がウエハWに直接当たることはない。したがって、ウエハWにパーティクルが付着するのが防止されるから、乾燥処理を良好に行うことができる。よって、高品質なウエハWを提供することができる。
【0048】
なお、上記説明では、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間をラビリンス機構301によって非接触にシールしている。しかし、たとえば図7に示すように、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間を、遮蔽部100の上端に設けられたベース部410に取り付けられたOリング411によってシールするようにしてもよい。このようにすれば、リップパッキン123周辺と遮蔽部100の上部とをさらに確実にシールするから、外気がウエハWに直接当たるのをさらに確実に防止する。
【0049】
図8は、本発明の第2実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。図8において、図6と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
上記第1実施形態にかかる遮蔽部100は、チャンバ20のほぼ上半分の空間内に配置され、かつその下面が開口しているのに対して、この第2実施形態にかかる遮蔽部100は、チャンバ20の内部空間のほぼ全体に配置され、かつ下面は開口していないものである。すなわち、遮蔽部100の底壁109は、チャンバ20の底壁25の近傍に当該底壁25に沿って配置されており、遮蔽空間107は、遮蔽部100の側壁101〜104および底壁109とチャンバ20の側壁21〜24および底壁25との間の空間となる。
【0050】
また、上記第1実施形態では、遮蔽部100の上面とオートカバー120との間はラビリンス機構301やOリング411などのシール手段によってシールされているのに対して、この第2実施形態では、ラビリンス機構301やOリング411のようなシール手段は備えられていない。すなわち、オートカバー120の内壁に取り付けられた突出部300は備えられておらず、したがって遮蔽部100の上面とオートカバー120との間は隙間があいたままとなっている。
【0051】
以上のことから、この第2実施形態では、遮蔽部100によって区画された収容空間105と遮蔽空間107とは、遮蔽部100の下面において連通されているのではなく、遮蔽部100の上面において連通されていると言える。
減圧ポンプ31が連結されている排気管30は、遮蔽空間107に直結している。したがって、減圧ポンプ31が駆動されると、遮蔽空間107内の空気が排気管30に吸引される。これに伴って、収容空間105内の空気は、遮蔽部100の上面から遮蔽空間107に吸い込まれ、収容空間105から遮蔽空間107に向く気流430が生じる。この気流430は、遮蔽空間107から収容空間105への空気の流れを阻止しているから、実質的に、遮蔽部100とオートカバー120との間の隙間をシールする機能を果たしている。したがって、リップパッキン123のシール面123aの隙間から外気がチャンバ20内に吸い込まれても、上記気流430によって当該外気は収容空間105に導かれるのを阻止され、そのまま遮蔽空間107を通って排気管30に吸い込まれる。よって、外気が収容空間105内に収容されているウエハWに当たることがない。
【0052】
以上のようにこの第2実施形態によっても、外気がウエハWに直接当たるのを防止できるから、乾燥処理を良好に行うことができ、したがって高品質なウエハWの提供に貢献できる。
図9は、本発明の第3実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。図9において、図6と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
【0053】
なお、この第3実施形態では、上記第1実施形態において説明した遮蔽部100の構成および遮蔽部100に関連する構成をベースにしているが、上記図7に示した構成、および上記第2実施形態において説明した構成をベースにしてもよいのはもちろんである。
上記実施形態では、チャンバ20の底壁25に連結された排出路26の途中部に排気管30が連結され、チャンバ20の上方から下方に向く気流を発生させているのに対して、この第3実施形態では、チャンバ20の側壁24の上部に排気管30が連結され、チャンバ20の下方から上方に向く気流を発生させている。具体的には、排気管30は、側壁24の上部であって、かつリップパッキン123が設けられている位置の近傍に配置されている。
【0054】
この構成では、減圧ポンプ31が駆動されると、チャンバ20の下方から遮蔽部100の側壁104とチャンバ20の側壁24との間を通って排気管30に向く気流440が発生する。また、この気流440には、遮蔽部100の下面に向けて下降し、さらに連通口108から遮蔽部100の側壁104とチャンバ20の側壁24との間に導かれる収容空間105内の空気も含まれる。一方、排気管30が連結されている側壁24側のリップパッキン123のシール面123aの隙間からチャンバ20内に吸い込まれた外気は、ラビリンス機構301によって収容空間105内に侵入するのが阻止されるから、遮蔽空間107に導かれ、その後すぐに、排気管30に吸い込まれる。また、排気管30が連結されていない側壁21〜23側から吸い込まれた空気は、遮蔽部100の側壁101〜103に沿って排気管30に吸引されていく。
【0055】
以上のように第3実施形態によれば、排気管30をチャンバ20の側壁24の上部であって、かつリップパッキン123の近傍に連結しているから、チャンバ20内に吸い込まれた外気をすぐに回収することができる。したがって、上記実施形態に比べてウエハWに外気が当たる可能性をさらに低くすることができるから、乾燥処理を一層良好に行うことができる。よって、一層高品質なウエハWを提供することができる。
【0056】
本発明の実施の形態は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態では、オートカバー120は、チャンバ20の上端に取り付けられた支点部121を支点にして開閉できるようになっているが、たとえば上下方向に開閉できるようなものであってもよい。この場合、遮蔽部100をチャンバ20内に固定するのではなく、たとえばオートカバー120に固定するようにしてもよい。この構成によれば、オートカバー120と遮蔽部100との間に隙間が形成されることはない。すなわち、収容空間105内に外気が入り込む可能性のある経路を1つなくすことができるから、外気がウエハWに直接当たるのを一層確実に防止することができる。
【0057】
また、上記実施形態では、本発明をウエハWに処理を施す装置に適用する場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板やPDP(プラズマディスプレイパネル)などの各種の被処理基板に処理を施す装置に対しても広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部を含むウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。
【図2】ウエハ保持チャックを示す正面図である。
【図3】減圧乾燥部の内部構成を薬液処理部が位置する側から見た断面図である。
【図4】減圧乾燥部の内部構成をウエハ保持ロボットが位置する側から見た断面図である。
【図5】開閉機構の構成を説明するために、図4のh方向から見た側面図である。
【図6】減圧乾燥部の概略断面図である。
【図7】シール手段としてOリングを用いた場合の減圧乾燥部の概略断面図である。
【図8】本発明の第2実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。
【図9】本発明の第3実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。
【図10】従来の減圧乾燥部の概略断面図である。
【符号の説明】
1 ウエットステーション
10 減圧乾燥部
20 チャンバ(減圧処理容器)
31 減圧ポンプ(減圧手段)
100 遮蔽部(遮蔽手段)
120 オートカバー(蓋体)
123 リップパッキン(シール部材)
123a シール面
301 ラビリンス機構(シール手段)
411 Oリング(シール手段)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for performing processing on various substrates to be processed such as a semiconductor wafer and a glass substrate for a liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
BACKGROUND In a semiconductor device manufacturing process, a batch-type wafer processing apparatus that collectively processes a plurality of semiconductor wafers (hereinafter, simply referred to as “wafers”) may be used. This type of wafer processing apparatus is used to collectively immerse a plurality of wafers in a chemical solution or the like, thereby cleaning the wafer surface or removing a thin film formed on the wafer surface. A plurality of chemical processing sections for performing a chemical processing, and a reduced-pressure drying section for washing the wafer after the chemical processing with water and further drying under reduced pressure.
[0003]
FIG. 10 is a schematic sectional view of the reduced-pressure drying unit. The reduced-pressure drying section is for washing the wafer W with pure water and drying the wafer W using IPA (isopropyl alcohol) vapor, and includes a
[0004]
When the wafer W is transferred by a wafer transfer robot (not shown), the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
When the pressure in the
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problem and to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the outside air from directly hitting the substrate even when outside air including particles enters. .
[0007]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
The invention according to claim 1 for achieving the above object has a reduced-pressure processing container for reducing the pressure inside by a decompression means, accommodating a substrate, and performing processing, a lid body capable of opening and closing the reduced-pressure processing container, When the decompression processing container is closed with the lid, a sealing member for sealing between the decompression processing container and the lid with a sealing surface,An internal space provided inside the decompression processing container and capable of accommodating the substrate is provided. The internal space communicates with a space in the decompression processing container below a position where the substrate is accommodated in the internal space. Communication port is formed,The airflow that flows into the decompression chamber from the gap between the sealing surfacesBasePrevents direct contact with the boardShielding containerAnd a substrate processing apparatus.
[0008]
According to the present invention, between the sealing member and the substrateIs shielded by the shielding containerTherefore, even if the sealing surface of the sealing member is deteriorated and external air is sucked into the decompression processing container, it is possible to prevent the external air from directly hitting the substrate. Therefore, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate, so that the processing can be performed favorably. Therefore, a high-quality substrate can be provided, and a decrease in the yield of substrate processing can be suppressed.
In addition, since a communication port is formed below the substrate housing position of the shielding container to communicate the internal space of the shielding container and the internal space of the decompression container, the airflow flowing from the inside of the shielding container to the communication port is reduced. Can be caused. Therefore, even if external air is sucked into the decompression processing container from the sealing surface of the seal member, the external air is prevented from being guided into the shielding container from the communication port by the air flow.
Moreover, since the air in the inner space of the shielding container flows out through the communication port, a large amount of air can flow out in a short time. Thus, the decompression speed is increased, so that efficient processing can be performed.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, the shieldingcontainerIs,UpHas an opening facing the lidAndWherein the decompression means decompresses a shielding space formed between the decompression processing container and the shielding container.In oneIt is a substrate processing apparatus of a statement.
[0010]
In the present invention, for example, in a state where the substrate is housed inside the shielding container, the shielding space can be depressurized by the decompression means to perform the processing. Therefore, the inner space of the shielding container and the shielding space communicate with each other.BecauseThen, an airflow is generated from the internal space of the shielding container toward the shielding space. Therefore, even if external air is sucked into the decompression processing container from the gap between the sealing surfaces of the sealing member, the external air is prevented from being guided into the shielding container by the airflow. Therefore, the outside air does not directly hit the substrate in the shielding container. Therefore, the same operation and effect as those of the first aspect can be obtained.
[0011]
The invention according to claim 3 further includes sealing means for sealing a gap between the shielding container and the lid.M3. The substrate processing apparatus according to
In the present invention, the gap between the shielding container and the lid isButFrom the gap to the inside of the shielding container.Fresh airIs also prevented from being guided. Therefore, the outside air does not directly hit the substrate in the shielding container.
[0012]
The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the sealing means is an O-ring for sealing a gap between the shielding container and the lid.
[0013]
According to the present invention, since the gap between the shielding container and the lid is sealed by the O-ring, the gap can be reliably sealed. Therefore, it is possible to reliably prevent the outside air from entering the inside of the shielding container, and it is possible to more reliably prevent particles from adhering to the substrate. Therefore, a higher quality substrate can be provided as compared with the first to third aspects of the present invention.
[0014]
The invention according to
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, since the clearance gap between a shielding container and a cover is sealed by non-contact, there is no generation of a particle in a sealing part. Therefore, particles on the substrate can be more reliably prevented as compared with the invention described in claim 4 in which the sealing is performed on the sealing surface. Therefore, a higher quality substrate can be provided as compared with the invention described in claim 4 above.
[0015]
The invention according to
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, since the clearance gap between a decompression processing container and a lid can be satisfactorily sealed, the invasion of outside air to a decompression processing container can be suppressed to the minimum.
The invention according to claim 7 further includes a storage tank provided in the decompression processing container below the shielding container and storing pure water for cleaning the substrate. A substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects.
The invention according to
The invention according to
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a wet station to which a reduced-pressure drying unit as a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied. The wet station 1 is for performing a chemical treatment on a plurality of (for example, 26) wafers W stored in a cassette C.
[0017]
The wet station 1 includes an
[0018]
The chemical processing units 4 to 9 process the wafers W by immersing a plurality of wafers W in a predetermined chemical at a time. That is, a storage tank (not shown) capable of storing a chemical such as ammonia, hydrofluoric acid, or sulfuric acid is disposed inside each of the chemical processing units 4 to 9, and is stored in the storage tank in which the chemical is stored. By immersing the wafer W, the surface of the wafer W is cleaned or a thin film formed on the surface of the wafer W is removed.
[0019]
In addition, the wet station 1 includes a wafer transfer robot 11 for transferring a plurality of wafers W collectively from the unloading unit 3 to the reduced-
[0020]
FIG. 2 is a front view showing the configuration of the
[0021]
When holding the wafer W, the pair of
[0022]
3 is a cross-sectional view of the internal configuration of the reduced-
[0023]
The
[0024]
A lip packing 123 for sealing between the
[0025]
The
[0026]
On the inner wall of the
[0027]
A vertically
[0028]
As described above, the inner space of the
[0029]
The
[0030]
On the upper side of each of the holding
[0031]
As described above, since the wafer W is held by the six holding
The
[0032]
The
[0033]
The
[0034]
On the upper sides of the
[0035]
A
In addition, a
[0036]
Two
[0037]
An
The
[0038]
At the same time that the
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the opening /
[0039]
More specifically, the
[0040]
With this configuration, when the
[0041]
Further, the opening /
[0042]
The distal
[0043]
With this configuration, when the
[0044]
FIG. 6 is a schematic sectional view of the reduced-
[0045]
By the way, the sealing
[0046]
Since the sucked outside air is prevented from being guided to the upper surface of the shielding
[0047]
As described above, according to the first embodiment, the
[0048]
In the above description, the
[0049]
FIG. 8 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 8, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIG.
The
[0050]
In the first embodiment, the upper surface of the
[0051]
As described above, in the second embodiment, the
The
[0052]
As described above, also according to the second embodiment, it is possible to prevent the outside air from directly hitting the wafer W, so that the drying process can be performed favorably, and therefore, it is possible to contribute to the provision of a high quality wafer W.
FIG. 9 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. 9, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIG.
[0053]
Although the third embodiment is based on the configuration of the
In the above-described embodiment, the
[0054]
In this configuration, when the
[0055]
As described above, according to the third embodiment, since the
[0056]
Although the embodiments of the present invention are as described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, the
[0057]
Further, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to an apparatus for processing a wafer W is described. However, the present invention is applied to various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display and a PDP (plasma display panel). The present invention can be widely applied to an apparatus for processing a processing substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a wet station including a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view showing a wafer holding chuck.
FIG. 3 is a cross-sectional view of an internal configuration of a reduced-pressure drying unit as viewed from a side where a chemical processing unit is located.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the internal configuration of the reduced-pressure drying unit as viewed from a side where a wafer holding robot is located.
FIG. 5 is a side view seen from a direction h in FIG. 4 for explaining the configuration of the opening / closing mechanism.
FIG. 6 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit.
FIG. 7 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying section when an O-ring is used as a sealing means.
FIG. 8 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic sectional view of a reduced-pressure drying unit which is a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a schematic sectional view of a conventional vacuum drying unit.
[Explanation of symbols]
1 Wet station
10 Vacuum drying section
20 chambers (decompression container)
31 Pressure reducing pump (pressure reducing means)
100 shielding part (shielding means)
120 Auto cover (lid)
123 Lip packing (seal member)
123a Seal surface
301 Labyrinth mechanism (sealing means)
411 O-ring (sealing means)
Claims (9)
この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、
上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのシール部材と、
上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、上記内部空間において基板が収容される位置よりも下方に上記内部空間と上記減圧処理容器内の空間とを連通する連通口が形成され、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器とを含むことを特徴とする基板処理装置。The internal pressure is reduced by the pressure reducing means, a reduced pressure processing container for housing the substrate and performing the processing,
A lid body capable of opening and closing the decompression processing container,
When the decompression processing container is closed with the lid, a sealing member for sealing between the decompression processing container and the lid with a sealing surface,
An internal space provided inside the decompression processing container and capable of accommodating the substrate is provided. The internal space communicates with a space in the decompression processing container below a position where the substrate is accommodated in the internal space. communicating port is formed to a substrate processing apparatus characterized by airflow flowing into the vacuum processing vessel from a gap of the seal face and a shielding container to prevent hitting directly on Kimoto plate.
上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。The shielding container have a opening facing the upper Symbol lid,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the decompression unit decompresses a shielding space formed between the decompression processing container and the shielding container. 3.
この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、 A lid body capable of opening and closing the decompression processing container,
上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのリップパッキンと、 When the decompression processing container is closed with the lid, a lip packing for sealing the space between the decompression processing container and the lid with a sealing surface,
上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、さらに上記蓋体に対向する開口を有し、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器と、 It is provided inside the decompression processing container, has an internal space capable of accommodating the substrate, further has an opening facing the lid, and an airflow flowing into the decompression processing container from a gap in the sealing surface. A shielding container that prevents direct contact with the substrate,
この遮蔽容器と上記蓋体との間の隙間を非接触でシールするシール手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus, comprising: sealing means for sealing a gap between the shielding container and the lid in a non-contact manner.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08155997A JP3585200B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Substrate processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08155997A JP3585200B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275793A JPH10275793A (en) | 1998-10-13 |
| JP3585200B2 true JP3585200B2 (en) | 2004-11-04 |
Family
ID=13749657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08155997A Expired - Fee Related JP3585200B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3585200B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418324B1 (en) * | 2001-12-01 | 2004-02-14 | 한국디엔에스 주식회사 | Wafer dryer for semiconductor cleaning apparatus |
| JP4634266B2 (en) * | 2005-09-28 | 2011-02-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06314678A (en) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Hermetically sealed cleaning apparatus |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP08155997A patent/JP3585200B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10275793A (en) | 1998-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100385037B1 (en) | Cleaning device and cleaning method | |
| KR101798320B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US6374837B2 (en) | Single semiconductor wafer processor | |
| US6932884B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR102126154B1 (en) | Substrate processing method | |
| KR19980025069A (en) | Cleaning device and cleaning method | |
| TWI607487B (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
| KR100870119B1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| KR100421349B1 (en) | Processing apparatus for target processing substrate | |
| JP4255222B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH10154689A (en) | Cleaning device and cleaning method | |
| JP3585200B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JPH10275846A (en) | Substrate-holding member and substrate-treating device using the same | |
| JP2006278955A (en) | Method and device for substrate processing | |
| KR20070049693A (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2002136935A (en) | Cleaning treatment apparatus and cleaning treatment method | |
| JP3910757B2 (en) | Processing apparatus and processing method | |
| JPH08148465A (en) | Substrate processing device | |
| JP3000179B2 (en) | Transport drive | |
| KR0151159B1 (en) | Driving apparatus having seal elements for cleaning | |
| JPH11162905A (en) | Substrate treatment apparatus | |
| JPH1064861A (en) | Wafer cleaning method and apparatus | |
| KR100757849B1 (en) | Substrate Processing Method | |
| JP3375831B2 (en) | Processing equipment | |
| JPH11330031A (en) | Substrate processor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040227 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040421 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040728 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040802 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |