JP3586731B2 - Manufacturing method of glass master for optical disk - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク用スタンパのマスタリング技術に関し、特にハイブリッドCD−R、ハイブリッドCD−RW用のガラス原盤作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ピットとグルーブを有する光ディスクにおいて、それぞれの深さはλ/4n、λ/8n(λ:再生波長 n:基板の屈折率)であることが望ましい。そのような光ディスクを得るために、光ディスク原盤におけるフォトレジストのパターン形成もピットとグルーブとで異なるものとする必要がある。
【0003】
従来、フォトレジストのパターンの深さを変えるため、感光させるレーザの強度を利用していた。つまり、弱いレーザパワーで浅いグルーブを形成し、強いレーザパワーで深いピットを形成していた。ピットの深さはフォトレジストの膜厚で決まるが、グルーブの深さはレーザパワーに依存し、露光時のレーザパワーの変動、フォーカスの変動などによりグループの深さに変動が発生しやすい。また、グループの幅の制御も非常に困難である。
【0004】
このような問題を解決するため、図4および図5に示すように、ガラス基板51上に第1フォトレジスト層52、中間層53、第2フォトレジスト層54の順に積層し、中間層53と第2フォトレジスト層54との合計膜厚でグルーブGの深さを制御し(図4)、第1フォトレジスト層52、中間層53、および第2フォトレジスト層54の合計膜厚でピットPの深さを制御する(図5)方法が提案されている。
【0005】
例えば、特開平7−161077号公報に開示されたガラス原盤作製方法では図4、図5に示すように、第2フォトレジスト層54の現像、中間層53のエッチング、第1フォトレジスト層52の現像の順にパターニングを行うことにより、グルーブGとピットPを形成している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記公報記載の方法においては、第2フォトレジスト層54の現像、中間層53のエッチング、第1フォトレジスト層52の現像の順にパターニングを行うことにより、グルーブGとピットPを形成している。
【0007】
ところが、グルーブGのパターニングにおいては、第2フォトレジスト層54の現像、あるいは第2フォトレジスト層54の現像と中間層53のエッチングのみで十分であり、最後の第1フォトレジスト層52の現像を行うと、図4(d)のように中間層部分に段部55(グルーブ底部における段部)が発生する。この段部55が発生するのは、第1フォトレジスト層52の現像を行っているときに、第2フォトレジスト層54の現像も進行してしまうためである〔図4(c)と図4(d)を比較〕。このような段部55は、光ディスクの再生あるいは記録時のノイズの原因となるため好ましくない。
【0008】
また、上記公報記載の方法では、第2フォトレジスト層54の感度が第1フォトレジスト層52の感度よりも高いため、ピットPが段状になる〔図5(d)〕。この場合、特別な問題とはならないが、上記と逆に第2フォトレジスト層54の感度が第1フォトレジスト52層の感度よりも低い場合には、新たな問題が発生する。つまり、ピットPが段状にならないように第1フォトレジスト層52の現像幅を第2フォトレジスト層54の現像幅と同等以上にしようとすると、図5(d)に示すように、第1フォトレジスト層52の現像中に、現像液に溶解しない中間層53の破片53aがガラス原盤全面に散らばってしまう。このような破片53aは、光ディスクの再生あるいは記録時のノイズの原因となるため好ましくない。
【0009】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、その目的は、ガラス基板上に第1のフォトレジスト層、中間層、第2のフォトレジスト層の順に積層し、中間層と第2のフォトレジスト層の膜厚でグルーブ深さを制御するとともに、第1のフォトレジスト層、中間層および第2のフォトレジスト層の膜厚でピットの深さを制御してピットとグルーブを同時に形成する光ディスクガラス原盤の作製方法において、グルーブ底部の段部がなく、しかも中間層の破片が残留しないガラス原盤を得ることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の光ディスク用ガラス原盤の作製方法(図1参照)は、ガラス基板11上に第1ポジ型フォトレジスト層12、酸化膜からなる中間層13、第2ポジ型フォトレジスト層14の順に積層された原盤を作製する方法において、第1、第2ポジ型フォトレジスト層12,14を感光させる光量の第1の記録光で第1、第2ポジ型フォトレジスト層12,14に潜像を形成するとともに、第2ポジ型フォトレジスト層14のみを感光させる第1の記録光の光量よりも弱い光量の第2の記録光で第2ポジ型フォトレジスト層14に潜像を形成し〔図1(a)〕、しかる後に第2ポジ型フォトレジスト層14の現像〔図1(b)〕、酸化膜からなる中間層13のエッチング〔図1(c)〕、第1ポジ型フォトレジスト層12の現象〔図1(d)〕、酸化膜からなる中間層13のエッチング〔図1(e)〕の順に処理を行うことを特徴とする。
【0011】
請求項2に記載の光ディスク用ガラス原盤の作製方法(図3参照)は、ガラス基板上31にネガ型フォトレジスト層32、酸化膜からなる中間層33、ポジ型フォトレジスト層34の順に積層された原盤を作製する方法において、ネガ型フォトレジスト層32とポジ型フォトレジスト層34とを感光させる光量の第1の記録光によりネガ型フォトレジスト層32とポジ型フォトレジスト層34とに潜像を形成するとともに、ポジ型フォトレジスト層34のみを感光させる第1の光の光量よりも弱い光量の第2の記録光でポジ型フォトレジスト層34に潜像を形成し〔図3(a)〕、しかる後にポジ型フォトレジスト層34の現像〔図3(b)〕、酸化膜からなる中間層33のエッチング〔図3(c)〕、ネガ型フォトレジスト層32のエッチング〔図3(d)〕、酸化膜からなる中間層33のエッチング〔図3(e)〕の順に処理を行うことを特徴とする。
【0012】
従来技術では、露光後のパターニングは第2のフォトレジスト層の現像、中間層のエッチング、第1のフォトレジスト層の現像の順に行っている(図4)。これに対し請求項1の方法においては、上記のように第2フォトレジスト層の現像、中間層のエッチング、第1フォトレジスト層の現像、さらに中間層のエッチングを行う。また、請求項2の方法では、上記のとおりポジ型フォトレジスト層の現像、中間層のエッチング、ネガ型フォトレジスト層のエッチング、さらに中間層のエッチングを行う。
【0013】
このため、図1(d)と図1(e)の比較、および図5(d)と図5(e)の比較で明らかなように、請求項1,2のいずれの方法によっても、グルーブに発生する段部、およびガラス原盤全面に広がった中間層の破片を最後のエッチング工程でなくすことができる。
【0014】
【実施例】
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
実施例1(請求項1に対応)
図1において、ガラス基板11上に第1のポジ型フォトレジストとして、TSMR−V3(東京応化製)をスピンコートにより層厚約1500Åに形成する(第1ポジ型フォトレジスト層12の形成)。その上に、酸化膜からなる中間層13として、ITO(In2 O3 −SnO2 )をDCスパッタにより層厚約50Åに形成する。さらにその上に、第2のポジ型フォトレジストとして、TSMR−8900(東京応化製)をスピンコートで層厚約1500Åに形成する(第2ポジ型フォトレジスト層14の形成)。
【0015】
このフォトレジスト盤に、波長457.8nmのArレーザを用い、線速1.2m/sで露光を行う。このとき、第1の記録光の強度を5.0mWにしてピットPを形成し、第2の記録光の強度を3.0mWにしてグルーブGを形成する〔図1(a)〕。
【0016】
露光後、現像液DE−3(東京応化製)で第2フォトレジスト層14の現像を行い〔図1(b)〕、硝酸あるいは塩酸で酸化膜(中間層)13のエッチングを行い〔図1(c)〕、ついで現像液DE−3(東京応化製)で第1フォトレジスト層12の現像を行う〔図1(d)〕。最後に硝酸あるいは塩酸で酸化膜13のエッチングを行う〔図1(e)〕。
【0017】
TSMR−V3はTSMR−8900よりも感度が低いため、ピット部分に酸化膜13による段部15〔図1(d)〕が発生する。このため、第1フォトレジスト層12(TSMR−V3)の現像時に酸化膜13の破片が発生することはない。ところが、グルーブ部分では第1フォトレジスト層12(TSMR−V3)の現像のとき、第1フォトレジスト層12は感光されていないので現像されないが、第2フォトレジスト層14(TSMR−8900)は現像されるため、グルーブ底部に酸化膜13による段部16〔図1(d)〕が発生する。このようなピット部分の段部15およびグルーブ部分の段部(いずれも酸化膜13の一部)は、最後の酸化膜エッチング工程〔図1(e)〕によりなくすことができる。
【0018】
実施例2(請求項1に対応)
図2において、ガラス基盤21上に第1のポジ型フォトレジストとして、TSMR−GP8000(東京応化製)をスピンコートで約1500Å形成する(第1ポジ型フォトレジスト層22の形成)。その上に、酸化膜からなる中間層23として、ITO(In2 O3 −SnO2 )をDCスパッタで約50Å形成する。さらにその上に、第2のポジ型フォトレジストとして、TSMR−8900(東京応化製)をスピンコートで約1500Å形成する(第2ポジ型フォトレジスト膜24の形成)。
【0019】
このフォトレジスト盤に、波長457.8nmのArレーザにより線速1.2m/sで露光を行う。このとき、第1の記録光の強度を5.0mWにしてピットPを形成し、第2の記録光の強度を3.0mWにしてグルーブGを形成する〔図2(a)〕。
【0020】
露光後、現像液DE−3(東京応化製)で第2フォトレジスト層24の現像を行い〔図2(b)〕、ついで硝酸あるいは塩酸で酸化膜(中間層)23のエッチングを行い〔図2(c)〕、さらに現像液DE−3(東京応化製)で第1フォトレジスト層22の現像を行い〔図2(d)〕、最後に硝酸あるいは塩酸で酸化膜23のエッチングを行う〔図2(e)〕。
【0021】
TSMR−GP8000はTSMR−8900よりも感度が高いため、第1フォトレジスト層22(TSMR−GP8000)の現像のとき、第2フォトレジスト層24(TSMR−8900)よりも現像速度が速くなる。そのため、酸化膜23の下の第1フォトレジスト層22(TSMR−8900)も現像され、酸化膜23が破片23aとして散乱する〔図2(d)〕。また、グルーブ部分でも第1フォトレジスト層22(TSMR−GP8000)の現像のとき、この第1フォトレジスト層22は感光されていないので現像されないが、第2フォトレジスト層24(TSMR−8900)は現像されるため、グルーブ底部に酸化膜23による段部25が発生する〔図2(d)〕。しかし、このような酸化膜23の破片23aや段部25は、最後の酸化膜エッチング工程〔図2(e)〕でなくすことができる。
【0022】
実施例3(請求項2に対応)
図3において、ガラス基板31上にネガ型フォトレジストとして、FHT−332S(富士フィルム オーリン製)をスピンコートで約1500Å形成する(ネガ型フォトレジスト層32の形成)。その上に、酸化膜からなる中間層33として、ITO(In2 O3 −SnO2 )をDCスパッタで約100Å形成する。さらにその上に、ポジ型フォトレジストとして、TSMR−8900(東京応化製)をスピンコートで約1500Å形成する(ポジ型フォトレジスト層34の形成)。
【0023】
このフォトレジスト盤に、波長457.8nmのArレーザにより線速1.2m/sで露光を行う。このとき、第1の記録光の強度を6.0mWにしてグルーブGを形成し、第2の記録光の強度を2.5mWにしてピットPを形成する〔図3(a)〕。
【0024】
露光後、現像液DE−3(東京応化製)でポジ型フォトレジスト層34の現像を行い〔図3(b)〕、ついで硝酸あるいは塩酸で酸化膜(中間層)33のエッチングを行い〔図3(c)〕、さらに現像液DE−3(東京応化製)でネガ型フォトレジスト層32のエッチングを行い〔図3(d)〕、最後に硝酸あるいは塩酸で酸化膜33のエッチングを行う〔図3(e)〕。
【0025】
FHT−332Sはネガ型フォトレジストのため、第1の記録光で感光されると現像液に不溶になるが、第2の記録光では感光されず現像液に容易に溶ける。従って、ネガ型フォトレジスト層32(FHT−332S)のエッチングのとき、ピットが露光された部分では、このネガ型フォトレジスト層32のエッチングがポジ型フォトレジスト層34の現像よりも早いため、酸化膜33の下層のネガ型フォトレジスト層32がエッチングされ、酸化膜33が破片33aとして散乱する〔図3(d)〕。また、グルーブが露光された部分では、ネガ型フォトレジスト層32のエッチングが起こらず、ポジ型フォトレジスト層34のみが現像され、グルーブ底部に酸化膜33の段部35が発生する〔図3(d)〕。このような破片33aや段部35は、最後の酸化膜エッチング工程〔図3(e)〕によりなくすことができる。
【0026】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、請求項1,2に係るガラス原盤作製方法によれば、グルーブに一時的に発生する酸化膜の段部、およびガラス原盤全面に一時的に散乱状態に発生する酸化膜の破片を、パターニングの最終工程である酸化膜エッチング工程で消失させることができる。このため、本発明で作製されたガラス原盤により、再生・記録時のノイズが小さい高性能の光ディスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の工程を示す説明図である。
【図2】本発明の実施例2の工程を示す説明図である。
【図3】本発明の実施例3の工程を示す説明図である。
【図4】従来のガラス原盤作製方法および、その問題点を示す説明図である。
【図5】図4の作製方法に伴う別の問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
11,21,31 ガラス基板
12,22 第1ポジ型フォトレジスト層
13,23,33 酸化膜(中間層)
14,24 第2ポジ型フォトレジスト層
15,16,25,35 段部
23a,33a 破片
32 ネガ型フォトレジスト層
34 ポジ型フォトレジスト層
51 ガラス基板
52 第1フォトレジスト層
53 中間層
53a 破片
54 第2フォトレジスト層
55 段部
G グルーブ
P ピット[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a mastering technique for a stamper for an optical disc, and more particularly to a method for producing a glass master for a hybrid CD-R and a hybrid CD-RW.
[0002]
[Prior art]
In an optical disk having pits and grooves, it is desirable that the respective depths are λ / 4n and λ / 8n (λ: reproduction wavelength n: refractive index of the substrate). In order to obtain such an optical disk, it is necessary that the pattern formation of the photoresist on the optical disk master is also different between the pits and the grooves.
[0003]
Conventionally, in order to change the depth of a photoresist pattern, the intensity of a laser to be exposed has been used. That is, a shallow groove is formed with weak laser power, and a deep pit is formed with strong laser power. The depth of the pit is determined by the thickness of the photoresist, but the depth of the groove depends on the laser power, and the depth of the group tends to fluctuate due to the fluctuation of the laser power during exposure, the fluctuation of the focus, and the like. It is also very difficult to control the width of the group.
[0004]
In order to solve such a problem, as shown in FIGS. 4 and 5, a first
[0005]
For example, in the method of manufacturing a glass master disc disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H7-161077, as shown in FIGS. 4 and 5, development of the second
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In the method described in the above publication, grooves G and pits P are formed by performing patterning in the order of development of the second
[0007]
However, in patterning the groove G, only the development of the second
[0008]
In the method described in the above publication, the sensitivity of the second
[0009]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to stack a first photoresist layer, an intermediate layer, and a second photoresist layer on a glass substrate in this order, and form an intermediate layer and a second photoresist layer. An optical disk that controls the groove depth by the thickness of the resist layer and controls the depth of the pits by the thickness of the first photoresist layer, the intermediate layer, and the second photoresist layer to form pits and grooves simultaneously It is an object of the present invention to provide a method for producing a glass master, which has no step at the bottom of the groove and in which no fragments of the intermediate layer remain.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The method of manufacturing a glass master for an optical disk according to claim 1 (see FIG. 1) includes a first positive
[0011]
In the method of manufacturing a glass master for an optical disk according to the second aspect (see FIG. 3), a negative
[0012]
In the prior art, patterning after exposure is performed in the order of development of the second photoresist layer, etching of the intermediate layer, and development of the first photoresist layer (FIG. 4). On the other hand, in the method of the first aspect, the development of the second photoresist layer, the etching of the intermediate layer, the development of the first photoresist layer, and the etching of the intermediate layer are performed as described above. Further, in the method of claim 2, as described above, the development of the positive photoresist layer, the etching of the intermediate layer, the etching of the negative photoresist layer, and the etching of the intermediate layer are performed.
[0013]
Therefore, as is clear from the comparison between FIG. 1D and FIG. 1E and the comparison between FIG. 5D and FIG. Steps generated in the intermediate layer and fragments of the intermediate layer spread over the entire surface of the glass master can be eliminated in the final etching step.
[0014]
【Example】
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
Example 1 (corresponding to claim 1)
In FIG. 1, TSMR-V3 (manufactured by Tokyo Ohka) is formed as a first positive type photoresist on a
[0015]
The photoresist disc is exposed at a linear velocity of 1.2 m / s using an Ar laser having a wavelength of 457.8 nm. At this time, pits P are formed with the intensity of the first recording light being 5.0 mW, and grooves G are formed with the intensity of the second recording light being 3.0 mW (FIG. 1A).
[0016]
After the exposure, the
[0017]
Since TSMR-V3 has lower sensitivity than TSMR-8900, a step 15 (FIG. 1D) due to the
[0018]
Example 2 (corresponding to claim 1)
In FIG. 2, TSMR-GP8000 (manufactured by Tokyo Ohka) is formed as a first positive photoresist on a
[0019]
The photoresist disk is exposed at a linear velocity of 1.2 m / s by an Ar laser having a wavelength of 457.8 nm. At this time, pits P are formed with the intensity of the first recording light being 5.0 mW, and grooves G are formed with the intensity of the second recording light being 3.0 mW (FIG. 2A).
[0020]
After the exposure, the
[0021]
Since the sensitivity of TSMR-GP8000 is higher than that of TSMR-8900, the development speed of the first photoresist layer 22 (TSMR-GP8000) is faster than that of the second photoresist layer 24 (TSMR-8900). Therefore, the first photoresist layer 22 (TSMR-8900) under the
[0022]
Example 3 (corresponding to claim 2)
In FIG. 3, FHT-332S (manufactured by Fuji Film Orin) is formed on a
[0023]
The photoresist disk is exposed at a linear velocity of 1.2 m / s by an Ar laser having a wavelength of 457.8 nm. At this time, a groove G is formed with the intensity of the first recording light being 6.0 mW, and a pit P is formed with the intensity of the second recording light being 2.5 mW (FIG. 3A).
[0024]
After the exposure, the
[0025]
Since FHT-332S is a negative photoresist, it becomes insoluble in the developing solution when exposed to the first recording light, but is not exposed to the second recording light and is easily dissolved in the developing solution. Accordingly, in the etching of the negative photoresist layer 32 (FHT-332S), since the etching of the
[0026]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the glass master manufacturing method according to the first and second aspects, the oxide film temporarily occurs in the groove and the entire surface of the glass master temporarily scatters. The oxide film fragments can be eliminated in the oxide film etching step which is the final step of patterning. Therefore, a high-performance optical disk with low noise during reproduction / recording can be manufactured using the glass master manufactured in the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing the steps of Example 1 of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory view showing the steps of Example 2 of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory view showing the steps of Example 3 of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory view showing a conventional method for producing a glass master and its problems.
FIG. 5 is an explanatory view showing another problem with the manufacturing method of FIG. 4;
[Explanation of symbols]
11, 21, 31
14, 24 Second
Claims (2)
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