JP3587622B2

JP3587622B2 - Etching gas

Info

Publication number: JP3587622B2
Application number: JP15965096A
Authority: JP
Inventors: 暁岩森; 福田　　伸; 正平野崎; 康甫中島
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1996-06-20
Filing date: 1996-06-20
Publication date: 2004-11-10
Anticipated expiration: 2016-06-20
Also published as: JPH1010549A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣｌ及び／またはＩＣｌ₃ガスを用いて、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の導電性酸化物を乾式エッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＴＯ薄膜は、液晶ディスプレイの透明電極として用いられている。透明電極を形成させる場合、ＩＴＯ薄膜をエッチングして作製するが、従来、このエッチングには湿式法を用いていた。しかしながら、湿式法によるエッチングでは、エッチング加工形状が等方的になり微細なパターンの加工が困難であるばかりか、大量の廃液も生じ、環境保護の面でも問題があった。近年、ＩＴＯ薄膜のエッチングも、ヨウ化水素（ＨＩ）ガスを用いる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、或いはメタン（ＣＨ₄）ガス及び水素（Ｈ₂）ガスを用いるＲＩＥが用いられるようになった。
【０００３】
特に、ＨＩを用いるＲＩＥ法は、ＣＨ₄及びＨ₂ガスを用いた場合よりもエッチング速度が速いという利点はあるものの、特開平０５−２５１４００号公報に記載されているように、ＩＴＯの膜質によってエッチング速度が大きく変動し、とりわけ、スズと酸素結合が偏析しているところではエッチング速度が低下するといった問題があった。特開平０５−２５１４００号公報によると、ＨＩガスに還元種としてＨ₂ガスを導入することでスズ−ヨウ素結合物質が被エッチング面を覆うのを防ぐと記載されている。しかしながら、ＨＩガスに還元種としてＨ₂ガスを導入する特開平０５−２５１４００号公報記載の方法においては、エッチング時の温度を８０〜２５０℃で行わなければならず、８０℃以下ではエッチングが殆ど進行しない為、室温でのエッチングは困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、湿式法で生じるアンダーエッチの防止と、ＨＩガスに還元性ガスを加えた系では不可能な室温での高速エッチング法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述の問題を解決すべく鋭意検討した結果、室温でも充分なエッチング速度を達成でき、しかもアンダーエッチのでないドライエッチング法を見いだし、本発明を完成するに至った。即ち、ＩＣｌ、或いはＩＣｌ₃を含むエッチングガスを用いることで、ＳｎＯ₂、ＩＴＯ、ＺｎＯ等の導電性酸化膜の室温における高速異方性エッチングを実現できることを見いだした。
【０００６】
本発明は、（１）成分にＩＣｌ及び／またはＩＣｌ₃を含み、更に還元性成分を含むことを特徴とするＳｎＯ₂、ＩＴＯまたはＺｎＯ用のエッチングガス、であり、また、（２）還元性ガスが水素であることを特徴とする（１）記載のエッチングガスであり、また、（３）成分にフッ素ガス及び／または３フッ化窒素ガスを含む（１）〜（２）のいずれかに記載のエッチングガスであり、また、（４）（１）〜（３）のいずれかに記載のエッチングガス存在下で、アルゴン及び／または酸素存在下で、導電性酸化物をエッチングする乾式エッチン方法であり、また、（５）少なくとも、真空排気手段、電力印加手段、被エッチング材料導入手段、被エッチング材料保持手段、被エッチング材料排出手段を具備した乾式エッチング装置に、被エッチング材料を保持し、成分にＩＣｌ及び／またはＩＣｌ₃を含み、更に還元性成分を含むエッチングガスを導入し、放電を生起して、エッチングを行うことを特徴とする乾式エッチング方法である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
ＩＣｌは塩化ヨウ素で、分子量１６２．３６、α型の融点２７．２℃、β型の融点１３．９℃であり、ＩＣｌ₃は三塩化ヨウ素で、分子量２３３．２６、融点０℃以下の物性値を有する。常温でＩＣｌは液体、ＩＣｌ₃は固体であるが、融点は常温に比べて特に高いと言うわけではないので、乾式エッチングを行う通常の条件（真空下）ではガス化が可能であり、エッチングに用いることができる。
【０００８】
ＩＣｌ、ＩＣｌ₃をエッチングガスとして銅薄膜層をアンダーカットなしに異方的にエッチングする技術が、特開平６−１６３４７７号公報に記載されている。しかし、かつてＩＣｌ、ＩＣｌ₃を用いてＩＴＯ等の導電性酸化物をドライエッチングする試みは全く報告されていない。
【０００９】
本発明者らはＩＣｌ、ＩＣｌ₃をエッチングガスとして、室温でプラズマ中にＩＴＯ等の導電性酸化物を曝すと、ＩＴＯ薄膜等の導電性酸化物薄膜層が異方的にエッチングされることを見いだした。
【００１０】
水素などの還元性ガスを加えない場合、エッチング初期の方がエッチング速度が速く、時間が経つにつれて徐々にエッチング速度が下がってくる。還元性ガスの添加はエッチング速度の時間依存性を減らす効果を有しており、従って、ＩＣｌ、ＩＣｌ₃ガスに水素などの還元性ガスを混合することにより、異方的にＩＴＯ薄膜をより高速でエッチングできることを見いだした。
【００１１】
更に、本発明者らは、フッ素ガス、或いは３フッ化窒素ガスを添加することにより、エッチング速度を更に上げることができることを見いだした。
【００１２】
以下、ＩＴＯ薄膜を用いた場合を例に、本発明を具体的に説明するが、本発明はＩＴＯ薄膜のみならず、ＳｎＯ₂薄膜、ＺｎＯ薄膜でも同様の効果が認められた。
【００１３】
実験としてはガラス基板上に２００ｎｍの厚みでＩＴＯをスパッタリング法により成膜したＩＴＯ薄膜を用いた。本発明でドライエッチングのターゲットとされるＩＴＯ薄膜の厚みは、特に限定されるわけではないが、例えば１０〜５００ｎｍ程度が、実際のＩＴＯ薄膜の用途がタッチパネル、液晶用カラーフィルター等と考えると、適当である。また、ＩＴＯ薄膜はシリコン基板に限らず、ガラス基板、セラミックス、或いは各種のプラスチック上に成膜したものを用いても良い。
【００１４】
上述のガラス基板上に２００ｎｍのＩＴＯを成膜し、インコネルでパターン化したものをレジストとして用いた。これを平行平板型のＲＦ電極を有するチャンバー内に保持し、ＩＣｌ、あるいはＩＣｌ₃ガスと水素ガス、アルゴンガスを同時に流し、プラズマ処理した。アルゴンガスの添加は、インジウム−酸素の解離を促進するため、エッチング効率を向上させることができる。アルゴンガスの他にも酸素ガスの添加もエッチング効率の向上に効果を有していることが分かった。
【００１５】
ＩＣｌ、ＩＣｌ₃ガスに添加する還元性のガスは、還元性ガスであればいずれを用いても良いが、好ましくは水素ガスが用いられる。還元性ガスを含むエッチングガス組成であれば、高いエッチング速度が得られるが、更に、フッ素ガス、３フッ化窒素、等を加えるとエッチング速度を更に上げることができる。
【００１６】
ここでは、ＩＣｌ、ＩＣｌ₃と共にチャンバー内へ導入される上述の水素ガス、アルゴンガス、酸素ガス、フッ素ガス、フッ化窒素ガスなどは、別々のラインで導入する方法のみを記すが、これらガスの２種以上の混合ガスを用いても良いことは言うまでもない。
【００１７】
ＩＣｌ、ＩＣｌ₃ガスと水素ガス、アルゴンガスの流量は、チャンバー内の圧力と密接な関係を有しており、特に限定されるものではなく、通常ＩＣｌ、ＩＣｌ₃ガスに対し、それぞれ１〜９９％の範囲で適宜選択することができる。しかし、フッ素ガス、３フッ化窒素ガスはあまり量が少ないと効果（エッチング速度を更に上げる効果）があまりなく、多すぎると場合によってはチャンバー等を腐食する場合もあるのでガス全体の０．５〜２５％程度が好ましい。また、これらの流量比は処理する導電性酸化物の材質、ホール形状と密接な関係にあり、特に限定はされない。また、ＲＦ電極のパワーは、高ければ高いほどエッチング速度は速くなる。更に、チャンバー内圧力は、エッチング加工形状に大きな影響を与える。チャンバー内圧力は０．１ｔｏｒｒを超えると、加工形状が等方的になりがちで、異方的形状を保つには０．１ｔｏｒｒ以下に保つ方が好ましい。
【００１８】
また、酸化物層を含む基板（以下、基材という）を処理する時の処理温度は、特に限定はされない。室温で処理した場合においても上述のエッチング条件を調節することにより、異方的で且つ数十ｎｍ／分以上のエッチング速度を得ることができる。
【００１９】
以上、本発明では、上述の平行平板型のＲＦプラズマエッチング装置以外にも種々のエッチング装置を用いることができ、少なくとも、真空排気手段、電力印加手段、被エッチング材料導入手段、被エッチング材料保持手段、被エッチング材料排出手段を具備した乾式エッチング装置なら、どのような装置を用いても良いのである。特に、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴エッチング）装置等は好適に用いることができる。なお、本発明ではＩＴＯの導電性酸化物のみならず、シリコン薄膜なども同様な方法で、室温での高速異方性エッチングが可能である。
【００２０】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、実験は図１、図２に従って行った。図において１は、マスク（インコネル製）、２は導電性酸化膜層、３は基板、ａは導電性酸化物層溝のトップ長、ｂは導電性酸化物層溝のボトム長である。
【００２１】
〔実施例１〕図１に示すようにガラス基板上に２００ｎｍの厚みでＩＴＯをスパッタリング法により成膜したＩＴＯ薄膜上にインコネルのパターンをレジストとして用いた基材をエッチングした。この基材を平行平板型ＲＦエッチング装置内へ保持し、以下の条件にてエッチングを行った。
【００２２】
エッチング条件：
電源高周波１３．５６ＭＨｚ６００Ｗ
チャンバー内圧力５０ｍＴｏｒｒ
ガス流量ＩＣｌ６０ｓｃｃｍＨ₂１５ｓｃｃｍＡｒ２５ｓｃｃｍ
基材温度２５℃（一定）
本実験で得られたエッチング速度と加工形状を表１にまとめた。エッチング速度は基材の断面を電子顕微鏡観察することにより調べた。表１で加工形状は図２に示すａ／ｂの比で表した。なお、ａは導電性酸化物の溝の表面側長さを表し、ｂは導電性酸化物の溝の基板側長さを表す。本結果から、室温でも充分なエッチング速度が得られ、なお且つ加工形状もほとんど完全な異方性を有していることが分かる。
【００２３】
〔実施例２〕図１に示すように、ガラス基板上に２００ｎｍの厚みでＳｎＯ₂をスパッタリング法により成膜したＳｎＯ₂薄膜上にインコネルのパターンをレジストとして用いた基材をエッチングした。この基材を平行平板型ＲＦエッチング装置内へ保持し、以下の条件にてエッチングを行った。
【００２４】
エッチング条件：
電源高周波１３．５６ＭＨｚ６００Ｗ
チャンバー内圧力５０ｍＴｏｒｒ
ガス流量ＩＣｌ₃５０ｓｃｃｍＦ₂５ｓｃｃｍＨ₂１５ｓｃｃｍＡｒ３０ｓｃｃｍ
基材温度２５℃（一定）
本実験で得られたエッチング速度と加工形状を表１にまとめた。エッチング速度、エッチング加工形状の評価は実施例１に準ずる。本結果から、室温でも充分なエッチング速度が得られ、なお且つ加工形状も異方的なものであることが分かる。
【００２５】
〔実施例３〕図１に示すように、ガラス基板上に２００ｎｍの厚みでＺｎＯをスパッタリング法により成膜したＺｎＯ薄膜上にインコネルのパターンをレジストとして用いた基材をエッチングした。この基材を平行平板型ＲＦエッチング装置内へ保持し、以下の条件にてエッチングを行った。
【００２６】
エッチング条件：
電源高周波１３．５６ＭＨｚ６００Ｗ
チャンバー内圧力５０ｍＴｏｒｒ
ガス流量ＩＣｌ₃６０ｓｃｃｍＮＦ₃５ｓｃｃｍＯ₂３５ｓｃｃｍＨ₂１０ｓｃｃｍ

基材温度２５℃（一定）
本実験で得られたエッチング速度と加工形状を表１にまとめた。エッチング速度、エッチング加工形状の評価は実施例１に準ずる。本結果から、室温でも充分なエッチング速度が得られ、なお且つ加工形状も異方的なものであることが分かる。
【００２７】
〔実施例４〕図１に示すように、ＰＥＴ基板上に２００ｎｍの厚みでＩＴＯをスパッタリング法により成膜したＩＴＯ薄膜上にインコネルのパターンをレジストとして用いた基材をエッチングした。この基材を平行平板型ＲＦエッチング装置内へ保持し、以下の条件にてエッチングを行った。
【００２８】
エッチング条件：
電源高周波１３．５６ＭＨｚ６００Ｗ
チャンバー内圧力５０ｍＴｏｒｒ
ガス流量ＩＣｌ₃５０ｓｃｃｍＨ₂１５ｓｃｃｍＮＦ₃１０ｓｃｃｍＡｒ２５ｓｃｃｍ
基材温度２５℃（一定）
本実験で得られたエッチング速度と加工形状を表１にまとめた。エッチング速度、エッチング加工形状の評価は実施例１に準ずる。本結果から、室温でも充分なエッチング速度が得られ、なお且つ加工形状も異方的なものであることが分かる。
【００２９】
【表１】

【００３０】
【発明の効果】
本発明によって、従来不可能であった導電性酸化物の、室温での高速異方性エッチング方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッチング処理基材の模式図
【図２】エッチング加工形状の評価法の模式図
【符号の説明】
１マスク（インコネル製）
２導電性酸化膜層
３基板
ａ導電性酸化物層溝のトップ長
ｂ導電性酸化物層溝のボトム長[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for dry-etching a conductive oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) using ICl and / or ICl ₃ gas.
[0002]
[Prior art]
The ITO thin film is used as a transparent electrode of a liquid crystal display. When a transparent electrode is formed, an ITO thin film is formed by etching. Conventionally, a wet method has been used for this etching. However, in the etching by the wet method, not only the etching processing shape is isotropic and processing of a fine pattern is difficult, but also a large amount of waste liquid is generated, and there is a problem in terms of environmental protection. In recent years, reactive ion etching (RIE) using a hydrogen iodide (HI) gas, or RIE using a methane (CH ₄ ) gas and a hydrogen (H ₂ ) gas has come to be used for etching an ITO thin film.
[0003]
In particular, the RIE method using HI has an advantage that the etching rate is faster than the case using CH ₄ and H ₂ gases, but as described in JP-A-05-251400, There has been a problem that the etching rate fluctuates greatly, and in particular, the etching rate decreases where tin and oxygen bonds are segregated. Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-251400 describes that introduction of H ₂ gas as a reducing species into HI gas prevents a tin-iodine binding substance from covering a surface to be etched. However, in the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-251400, in which H ₂ gas is introduced into the HI gas as a reducing species, the etching must be performed at a temperature of 80 to 250 ° C .; Since it does not proceed, etching at room temperature is difficult.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, the present invention is to provide a high-speed etching method at room temperature, which is impossible in a system in which a reducing gas is added to an HI gas, which prevents under-etching caused by a wet method.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found a dry etching method which can achieve a sufficient etching rate even at room temperature and has no under-etch, and have completed the present invention. That is, it has been found that high-speed anisotropic etching at room temperature of a conductive oxide film such as SnO ₂ , ITO, or ZnO can be realized by using an etching gas containing ICl or ICl ₃ .
[0006]
The present invention is, (1) component comprises ICl and / or ICl _3, an etching gas, a SnO _2, ITO or a ZnO characterized in that it further comprises a reducing component, and (2) reducing The etching gas according to ( 1 ), wherein the gas is hydrogen, and any of (1) to ( 2 ), wherein the component ( 3 ) contains a fluorine gas and / or a nitrogen trifluoride gas. ( 4 ) A dry etching method for etching a conductive oxide in the presence of an etching gas according to any one of (1) to ( 3 ) and in the presence of argon and / or oxygen. , and the addition, (5) at least, a vacuum evacuation means, power applying means, the material to be etched introduction means, the material to be etched holding means, the dry etching apparatus having the etched material discharge means To hold the material to be etched, viewed including the ICl and / or ICl ₃ into components, further an etching gas containing a reducing component is introduced, to generate discharge, a dry etching method and performing etching is there.
[0007]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
ICL is iodine chloride having a molecular weight of 162.36, α-type melting point of 27.2 ° C., β-type melting point of 13.9 ° C., and ICl ₃ is iodine trichloride having a molecular weight of 233.26 and a melting point of 0 ° C. or less. Has a value. At room temperature, ICl is a liquid and ICl ₃ is a solid. However, since the melting point is not particularly high as compared with room temperature, gasification is possible under normal conditions (under vacuum) where dry etching is performed. Can be used.
[0008]
A technique for anisotropically etching a copper thin film layer without undercut using ICl and ICl ₃ as an etching gas is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-163377. However, there has never been reported any attempt to dry-etch a conductive oxide such as ITO using ICl or ICl ₃ .
[0009]
The present inventors have found that when a conductive oxide such as ITO is exposed to plasma at room temperature using ICl and ICl ₃ as an etching gas, a conductive oxide thin film layer such as an ITO thin film is anisotropically etched. I found it.
[0010]
When a reducing gas such as hydrogen is not added, the etching rate is higher in the initial stage of the etching, and gradually decreases with time. The addition of a reducing gas has the effect of reducing the time dependency of the etching rate. Therefore, by mixing a reducing gas such as hydrogen with the ICl or ICl ₃ gas, the ITO thin film can be anisotropically formed at a higher speed. And found that it can be etched.
[0011]
Further, the present inventors have found that the etching rate can be further increased by adding a fluorine gas or a nitrogen trifluoride gas.
[0012]
Hereinafter, the present invention will be described in detail using an ITO thin film as an example. However, the present invention has not only been applied to the ITO thin film but also to a SnO ₂ thin film and a ZnO thin film.
[0013]
As an experiment, an ITO thin film in which ITO was formed with a thickness of 200 nm on a glass substrate by a sputtering method was used. The thickness of the ITO thin film that is the target of the dry etching in the present invention is not particularly limited, for example, about 10 to 500 nm, considering that the actual use of the ITO thin film is a touch panel, a color filter for liquid crystal, and the like. Appropriate. Further, the ITO thin film is not limited to a silicon substrate, but may be a film formed on a glass substrate, ceramics, or various plastics.
[0014]
A 200 nm ITO film was formed on the above-mentioned glass substrate and patterned with Inconel was used as a resist. This was held in a chamber having a parallel plate type RF electrode, and plasma treatment was performed by simultaneously flowing ICl or ICl ₃ gas and hydrogen gas and argon gas. The addition of argon gas promotes the dissociation of indium-oxygen, so that the etching efficiency can be improved. It was found that addition of oxygen gas in addition to argon gas also had an effect on improving the etching efficiency.
[0015]
Any reducing gas may be used as the reducing gas to be added to the ICl or ICl ₃ gas, but a hydrogen gas is preferably used. With an etching gas composition containing a reducing gas, a high etching rate can be obtained, but if a fluorine gas or nitrogen trifluoride is added, the etching rate can be further increased.
[0016]
Here, only the method of introducing the above-mentioned hydrogen gas, argon gas, oxygen gas, fluorine gas, nitrogen fluoride gas and the like introduced into the chamber together with ICl and ICl ₃ through separate lines will be described. It goes without saying that two or more kinds of mixed gases may be used.
[0017]
ICl, ICl ₃ gas and hydrogen gas, the flow rate of the argon gas has a close relationship with the pressure in the chamber, is not particularly limited with respect to the normal ICl, ICl ₃ gas, respectively 1-99 % Can be appropriately selected. However, if the amount of the fluorine gas or the amount of the nitrogen trifluoride gas is too small, the effect (effect of further increasing the etching rate) is not so large. About 25% is preferable. Further, these flow ratios are closely related to the material of the conductive oxide to be processed and the hole shape, and are not particularly limited. The higher the power of the RF electrode, the higher the etching rate. Further, the pressure in the chamber has a great influence on the etched shape. If the pressure in the chamber exceeds 0.1 torr, the processed shape tends to be isotropic. To maintain the anisotropic shape, it is preferable to keep the pressure at 0.1 torr or less.
[0018]
Further, the processing temperature when processing a substrate including an oxide layer (hereinafter, referred to as a base material) is not particularly limited. Even when the treatment is performed at room temperature, an anisotropic etching rate of several tens nm / min or more can be obtained by adjusting the above etching conditions.
[0019]
As described above, in the present invention, various etching apparatuses can be used in addition to the above-mentioned parallel plate type RF plasma etching apparatus, and at least vacuum evacuation means, power application means, material to be etched introduction means, material to be etched holding means Any device may be used as long as it is a dry etching device provided with a material-to-be-etched discharging means. In particular, an ECR (Electron Cyclotron Resonance Etching) apparatus or the like can be preferably used. In the present invention, not only a conductive oxide of ITO but also a silicon thin film can be subjected to high-speed anisotropic etching at room temperature by the same method.
[0020]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. The experiment was performed according to FIGS. In the figure, 1 is a mask (made of Inconel), 2 is a conductive oxide film layer, 3 is a substrate, a is a top length of the conductive oxide layer groove, and b is a bottom length of the conductive oxide layer groove.
[0021]
Example 1 As shown in FIG. 1, a substrate using an Inconel pattern as a resist was etched on an ITO thin film having a thickness of 200 nm formed on a glass substrate by sputtering. This substrate was held in a parallel plate RF etching apparatus, and was etched under the following conditions.
[0022]
Etching conditions:
Power supply High frequency 13.56MHz 600W
Chamber pressure 50mTorr
Gas flow rate ICl 60 sccm H ₂ 15 sccm Ar 25 sccm
Substrate temperature 25 ° C (constant)
Table 1 summarizes the etching rates and processed shapes obtained in this experiment. The etching rate was examined by observing the cross section of the substrate with an electron microscope. In Table 1, the processed shape is represented by the ratio of a / b shown in FIG. In addition, a represents the surface-side length of the groove of the conductive oxide, and b represents the length of the groove of the conductive oxide on the substrate side. From this result, it can be seen that a sufficient etching rate can be obtained even at room temperature, and that the processed shape has almost perfect anisotropy.
[0023]
Example 2 As shown in FIG. 1, to etch the substrate using the pattern of Inconel on SnO ₂ thin film formed as resist by sputtering SnO ₂ in a thickness of 200nm on a glass substrate. This substrate was held in a parallel plate RF etching apparatus, and was etched under the following conditions.
[0024]
Etching conditions:
Power supply High frequency 13.56MHz 600W
Chamber pressure 50mTorr
Gas flow rate ICl ₃ 50 sccm F ₂ 5 sccm H ₂ 15 sccm Ar 30 sccm
Substrate temperature 25 ° C (constant)
Table 1 summarizes the etching rates and processed shapes obtained in this experiment. The evaluation of the etching rate and the etching shape is in accordance with Example 1. From this result, it can be seen that a sufficient etching rate can be obtained even at room temperature, and that the processed shape is anisotropic.
[0025]
Example 3 As shown in FIG. 1, a substrate using an Inconel pattern as a resist was etched on a ZnO thin film having a thickness of 200 nm formed on a glass substrate by sputtering. This substrate was held in a parallel plate RF etching apparatus, and was etched under the following conditions.
[0026]
Etching conditions:
Power supply High frequency 13.56MHz 600W
Chamber pressure 50mTorr
Gas flow rate ICl ₃ 60 sccm NF ₃ 5 sccm O ₂ 35 sccm H _{2 10} sccm

Substrate temperature 25 ° C (constant)
Table 1 summarizes the etching rates and processed shapes obtained in this experiment. The evaluation of the etching rate and the etching shape is in accordance with Example 1. From this result, it can be seen that a sufficient etching rate can be obtained even at room temperature, and that the processed shape is anisotropic.
[0027]
Example 4 As shown in FIG. 1, a substrate using an Inconel pattern as a resist was etched on an ITO thin film having a thickness of 200 nm formed on a PET substrate by sputtering. This substrate was held in a parallel plate RF etching apparatus, and was etched under the following conditions.
[0028]
Etching conditions:
Power supply High frequency 13.56MHz 600W
Chamber pressure 50mTorr
Gas flow rate ICCl ₃ 50 sccm H ₂ 15 sccm NF _{3 10} sccm Ar 25 sccm
Substrate temperature 25 ° C (constant)
Table 1 summarizes the etching rates and processed shapes obtained in this experiment. The evaluation of the etching rate and the etching shape is in accordance with Example 1. From this result, it can be seen that a sufficient etching rate can be obtained even at room temperature, and that the processed shape is anisotropic.
[0029]
[Table 1]

[0030]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a method of etching a conductive oxide at high temperature at a room temperature, which has not been possible conventionally.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram of an etched substrate. FIG. 2 is a schematic diagram of a method for evaluating an etched shape.
1 Mask (made by Inconel)
2 Conductive oxide film layer 3 Substrate a Top length of conductive oxide layer groove b Bottom length of conductive oxide layer groove

Claims

Component ICl and / or ICl ₃ only contains further SnO _2, characterized in that it comprises a reducing component, ITO or etching gas for ZnO.

2. The etching gas according to claim 1 , wherein the reducing gas is hydrogen.

3. The etching gas according to claim 1 , wherein the component contains a fluorine gas and / or a nitrogen trifluoride gas.

A dry etching method for etching a conductive oxide in the presence of argon and / or oxygen in the presence of the etching gas according to claim 1.

At least, a vacuum evacuation means, power applying means, the material to be etched introduction means, the material to be etched holding means, in a dry etching apparatus provided with the etched material discharge means to hold the material to be etched, ICl and / or ICl ₃ in component only it contains further an etching gas containing a reducing component is introduced, to generate discharge, dry etching method according to claim 4, wherein the etching is performed.