JP3596166B2 - Humidity sensor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は高湿度用湿度センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
湿度は温度と同様に日常生活において極めて身近な物理量であるにもかかわらず、実際に湿度センサが機器の制御に使用されている例としては、コピー機のトナー制御、冷暖房器具の湿度制御、またはオーブンや電子レンジなどの自動調理のためのものしか挙げることができない。これらに使用されている湿度センサの検知範囲は概ね相対湿度が30%から90%であり、湿度センサ上で結露しないことが湿度センサを使用するには必要である。従って、従来の湿度センサはセンサ上で結露しないことが必要不可欠な条件となり、機器への応用展開が非常に狭いものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
一方で、衣類乾燥機や、ユニットバスにおける換気扇や床下換気扇などの運転制御をするためにこの分野において湿度センサへのニーズがあるが、この環境下では湿度センサ上で結露が発生してしまうために、長時間使用していると高分子電解質感湿剤が溶け出して、湿度センサの特性が著しく低下するため、湿度センサを使用できないという課題があった。
【0004】
そこで、本発明は、耐水性に優れた湿度センサを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明は、基体上に対向する電極、高分子感湿剤を含浸した多孔質セラミック上に、導電性を有する多孔質膜および撥水性のある膜を形成することにより耐水性に優れた湿度センサを提供するものである。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態における湿度センサについて図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の概要について説明すると、基板上に形成された電極と、電極上に形成されるとともに高分子電解質感湿剤が含浸された多孔質セラミック層と、多孔質セラミック層上に形成された導電性を有する多孔質層とを有し、湿度センサの表面に撥水性膜が形成されている構成となっている。なお、上記の撥水性膜としては、下記のように、化学吸着膜や撥水性ガラス膜等が挙げられる。
【0007】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態における湿度センサの製造工程断面図を示したものであり、図1において、1はアルミナ基板、2はアルミナ基板1上に形成された櫛形電極、3は櫛形電極を覆うように形成された多孔質セラミック層、4は多孔質セラミック層3上に形成された導電性多孔質層、5は湿度センサを覆うように含浸される高分子電解質感湿剤、6は化学吸着膜を示している。
【0008】
まず図1(a)に示すように、基体として用いるアルミナ基板1上にAgPdからなる櫛形電極2を印刷法により形成する。次に櫛形電極2上に多孔質セラミックとしてたとえばマグネシウムスピネル(MgCrO4)とルチル型(TiO2)、またはZrO2とMgOからなる多孔質セラミック層3およびRuO2からなる導電性多孔質層4を順次印刷法で形成する。この後、導電性多孔質層4上から、例えば、親水性樹脂4級アンモニウム塩からなる高分子電解質感湿剤5を含浸させて乾燥する。
【0009】
この後、図1(b)に示すように、導電性多孔質層4上に、フッ化アルキル基を有するクロロシラン系界面活性剤から構成される化学吸着膜6を形成する。上記のフッ化アルキル基を有するクロロシラン系界面活性剤としては、例えば、CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3やCF3CH2O(CH2)15SiCl3等のようなトリクロロシラン系界面活性剤が挙げられる。なお、この時化学吸着膜6は導電性多孔質層4の表面だけでなく内部にまで入り込んで形成される。
【0010】
(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態における湿度センサの製造工程断面図を示したものであり、図2において、1はアルミナ基板、2はアルミナ基板1上に形成された櫛形電極、3は櫛形電極を覆うように形成された多孔質セラミック層、4は多孔質セラミック層3上に形成された導電性多孔質層、5は湿度センサを覆うように含浸される高分子電解質感湿剤、7は撥水性ガラスを示している。
【0011】
まず図2(a)に示す工程は、上記した本発明実施の形態1における湿度センサの製造工程と同様であるため、その説明は省略する。
【0012】
図2(a)に示すように、導電性多孔質4上から例えば親水性樹脂4級アンモニウム塩からなる高分子電解質5を含浸させて乾燥した後、図2(b)に示すように、F(フッ素)を含む撥水膜7を形成する。湿度センサをCF3(CF2)7C2H4(OCH3)3、TEOS(テトラエトキシシラン)、エチルアルコール、水、塩酸からなる溶液に浸漬させて、直ちに取り出して、室内で乾燥した後、170℃で30分さらに乾燥して撥水性ガラス膜8を形成する。この場合も上記と同様に、撥水性ガラス膜7は、導電性多孔質層4の表面だけでなく内部にまで形成されている。
【0013】
(実施の形態3)
図3に示すように、基体として用いたアルミナ基板1上にAgPdからなる櫛形電極2を印刷法により形成する。櫛形電極2上に多孔質セラミックとしてたとえばマグネシウムスピネル(MgCrO4)とルチル型(TiO2)、またはZrO2とMgOからなる多孔質セラミック層3およびRuO2からなる導電性多孔質層4を順次印刷法で形成する。この後、SiO2を主成分とする低融点ガラスを湿度センサのエッジに近い表面およびエッジに塗布して(以下、シリカガード8と呼ぶ)、850℃の温度で乾燥した後、導電性多孔質層4上から、例えば、親水性樹脂4級アンモニウム塩からなる高分子電解質感湿剤5を含浸させて再び今度は170℃で乾燥する。すなわち、シリカガード8により湿度センサの表面の一部および側面を保護している。その後、上記の実施の形態1で示した化学吸着膜6あるいは実施の形態2で示した撥水性ガラス膜7を形成する。
【0014】
次に、以下では上記した本発明の湿度センサの特性について図面を参照しながら説明する。
【0015】
90%RH以下の環境下で使用する場合には、上記の導電性多孔質層4や撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成する必要はない。これに対して、100%RHまで測定したり、センサ上で結露したりする場合には、多孔質セラッミク層3上に直接撥水性を有する化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成するのではなく、導電性のある導電性多孔質層4を多孔質セラミック層3上に形成して、導電性多孔質層4上に撥水性を有する化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成した方が耐水性が飛躍的に向上する。
【0016】
そこで上記のように耐水性が飛躍的に向上する理由について、図4に示す等価回路を用いて説明する。図4(a)は、本発明のように導電性多孔質層4が形成されている場合の等価回路であり、図4(b)は導電性多孔質層4が形成されていない場合の等価回路である。
【0017】
櫛形電極2間に電圧を印加したときに流れる電流の向きは、図4(a)の場合、櫛形電極2から多孔質セラミック層3を介して導電性多孔質層4に向かって流れる電流(このときの抵抗r1)と櫛形電極2間で流れる電流(このときの抵抗R1)の和となる。一方、図4(b)の場合は導電性多孔質層4が存在しなため、櫛形電極2間で流れる電流(このときの抵抗R2)のみである。ここで、多孔質セラミック層3は図4(a)の場合も図4(b)も同じであるため、R1=R2である。例えば、多孔質セラミック層3の厚みを20μm、櫛形電極2間距離を200μmとすると、最も単純化して抵抗の関係はR2=10r1と考えられ、図4(a)の抵抗Rは
【0018】
【数1】
【0019】
と表される。従って、R2/R=10/(5/3)=6となる。ここで、多孔質セラミック層3が均一に劣化して抵抗が上昇した場合を想定すると、図4(b)に示す導電性多孔質層4がない場合には、図4(a)に示す導電性多孔質層4がある場合に比べて、6倍の速度で抵抗が上昇し急激な劣化を示すことになる。従って、導電性多孔質層4を形成することで、劣化速度を著しく抑えることができる。
【0020】
さらに図5を用いて、本発明のように導電性多孔質層4上に撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成する場合(図5(a))と多孔質セラミック3上に直接撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成する場合(図5(b))の違いについて更に説明する。
【0021】
湿度センサが100%RH雰囲気で蒸発源から離れていて壁等に接していない場合には、ほとんどセンサ上で結露することがないため、図5(a)のような湿度センサを用いた場合も図5(b)のような湿度センサを用いた場合もほとんど違いがないが、蒸発源がきわめて近くに存在したり、水中に浸漬したりまた壁に接して結露したりする場合には、大きな違いが生じる。
【0022】
そこで例えば、水中に浸漬した場合ついて述べる。化学吸着膜6の厚さは高々2nm程度であり、また、撥水性ガラス膜7も化学吸着膜6よりもかなり厚いとはいえ剥がれることなく形成するには、多孔質セラミック層3あるいは導電性多孔質層4との膨張係数の違いから厚さに制限が生じ、数100nmが限界でありそれ以上形成すると剥がれてしまう。
【0023】
多孔質セラミック層3上に導電性多孔質層4を形成する場合には、かなり厚くできるが厚くすると感度が悪くなるので、例えば50μm程度形成される。従って、図5(a)の場合には表面から50μm入った位置に高分子電解質感湿剤5を含む多孔質セラミック層3が存在するが、図5(b)の場合、表面からわずか数nm(化学吸着膜の場合)あるいは数100nm(撥水性ガラス膜の場合)の位置に多孔質セラミック層3が形成されている。感度や応答速度について考えてみると図5(b)の場合のほうが優れているが、高湿度雰囲気では図5(a)の方が優れている。
【0024】
図6に水中に浸漬した場合のそれぞれの特性を示す。図6には比較のために導電性多孔質層4上に撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成していない湿度センサの特性も示してある。
【0025】
導電性多孔質層4を形成しないで多孔質セラミック層3上に直接撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成した場合の特性は、撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成しない場合とほとんど変わらないほど急速に出力電圧が低下して劣化する。この理由は、多孔質セラミック層3上に直接撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7を形成した場合にも、センサ中に空気があるためには水はセンサ中には進入しないものの、水蒸気が通過し、センサの内部は飽和蒸気圧に達し、表面に近い位置で一部の水蒸気が結露するといった現象が生じていることに基づくものと考えられる。つまり、図5(b)の場合には、多孔質セラミック層3内で結露して感湿剤が溶出しやすく、結局、撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7が形成されていない場合と同じような特性を示し急激に劣化するが、図5(a)の場合には、多孔質セラミック層3が表面からかなり深い位置に存在するために、たとえ導電性多孔質層4の表面近傍で結露しても多孔質セラミック3に達するまでに時間がかかり劣化しない。
【0026】
従って、多孔質セラミック3上に形成された導電性多孔質層4および撥水性を示す化学吸着膜6や撥水性ガラス膜7によって、耐水性が飛躍的に向上すると言えるわけである。
【0027】
図7に水に浸漬した場合の出力電圧の変化を示す。温度40℃で10時間連続浸漬した場合(a)、40℃で浸漬1時間・乾燥20分を10回繰り返した場合(b)および40℃、100%RHの雰囲気で250時間放置した場合(c)を示す。図7から明かなように、本発明の湿度センサは耐水試験後でも初期値とほとんど変化がなかった。
【0028】
以上、シリカガード8のない場合について述べたが、シリカガード8のある場合との違いは、高分子電解質感湿剤5を含浸させた時、センサ内部に残る高分子電解質感湿剤5の量にある。シリカガード8がない場合は、高分子電解質感湿剤を含浸させたとき、一部が外に出てしまうが、シリカガード8がある場合には、含浸させた高分子電解質感湿剤がそのままセンサ内部に残る。従って、シリカガード8がある場合には、かなり低い抵抗を示す。センサ内部には高分子電解質感湿剤の量が多いために劣化は遅くなるが、浸漬したり、多湿雰囲気に長時間放置したりすると、シリカガード8近傍に水滴が溜まり、応答性が悪くなる。従って、あまり応答性を気にしない機器には十分使用できる。
【0029】
なお、これまでの実施の形態で示したセンサの電極の構造は、櫛形であったが、平行あるいは螺旋あるいは多角形をしていても同様な結果が得られることはいうまでもない。
【0030】
【発明の効果】
以上のように本発明の湿度センサは、高分子電解質感湿剤を含む多孔質セラミック上に導電性多孔質層を形成し、さらに導電性多孔質層上に撥水性を示す化学吸着膜や撥水性ガラス膜を形成しているため、従来の湿度センサに比べて、耐水性が飛躍的に向上した。その結果、結露や水に濡れる環境下で連続使用しても湿度センサとしての機能は失われない。このように本発明は工業的価値は非常に大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における湿度センサの製造工程断面図
【図2】本発明の実施の形態2における湿度センサの製造工程断面図
【図3】本発明の実施の形態3における湿度センサの製造工程断面図
【図4】本発明の実施の形態における湿度センサの等価回路を示す図
【図5】本発明の実施の形態における湿度センサの構造断面図
【図6】本発明の実施の形態における湿度センサの耐水性特性を示す図
【図7】本発明の実施の形態における湿度センサの耐水性特性を示す図
【符号の説明】
1 アルミナ基板
2 櫛形電極
3 多孔質セラミック層
4 導電性多孔質層
5 高分子電解質
6 化学吸着膜
7 撥水性ガラス
8 シリカガード[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a humidity sensor for high humidity.
[0002]
[Prior art]
Despite the fact that humidity is a very familiar physical quantity in daily life, like temperature, examples of the actual use of humidity sensors for controlling equipment include toner control for copiers, humidity control for cooling and heating appliances, or Only those for automatic cooking such as ovens and microwaves can be mentioned. The detection range of the humidity sensor used for these is approximately 30% to 90% relative humidity, and it is necessary to use the humidity sensor that no dew condensation occurs on the humidity sensor. Therefore, in the conventional humidity sensor, it is an essential condition that no dew condensation occurs on the sensor, and the application development to equipment has been very narrow.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
On the other hand, there is a need for humidity sensors in this field to control the operation of clothes dryers, ventilation fans and underfloor ventilation fans in unit baths, but in this environment dew condensation occurs on the humidity sensors. In addition, when used for a long time, the polymer electrolyte humectant dissolves out, and the characteristics of the humidity sensor are remarkably deteriorated, so that there is a problem that the humidity sensor cannot be used.
[0004]
Then, an object of the present invention is to provide a humidity sensor excellent in water resistance.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a water-resistant film by forming a conductive porous film and a water-repellent film on a facing electrode on a substrate and a porous ceramic impregnated with a polymeric moisture-sensitive agent. It is intended to provide a humidity sensor having excellent performance.
[0006]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a humidity sensor according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. To explain the outline of the present invention, an electrode formed on a substrate, a porous ceramic layer formed on the electrode and impregnated with a polymer electrolyte humectant, and a conductive layer formed on the porous ceramic layer And a water-repellent film formed on the surface of the humidity sensor. The water-repellent film includes a chemically adsorbed film and a water-repellent glass film as described below.
[0007]
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a sectional view showing a manufacturing process of a humidity sensor according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is an alumina substrate, 2 is a comb-shaped electrode formed on an
[0008]
First, as shown in FIG. 1A, a comb-
[0009]
Thereafter, as shown in FIG. 1B, a chemically
[0010]
(Embodiment 2)
FIG. 2 is a sectional view showing a manufacturing process of the humidity sensor according to the embodiment of the present invention. In FIG. 2, 1 is an alumina substrate, 2 is a comb-shaped electrode formed on the
[0011]
First, the step shown in FIG. 2A is the same as the above-described manufacturing step of the humidity sensor according to the first embodiment of the present invention, and therefore the description thereof is omitted.
[0012]
As shown in FIG. 2A, the conductive
[0013]
(Embodiment 3)
As shown in FIG. 3, a comb-
[0014]
Next, the characteristics of the above-described humidity sensor of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0015]
When used in an environment of 90% RH or less, it is not necessary to form the conductive
[0016]
The reason why the water resistance is dramatically improved as described above will be described with reference to an equivalent circuit shown in FIG. FIG. 4A is an equivalent circuit when the conductive
[0017]
In the case of FIG. 4A, the direction of the current flowing when a voltage is applied between the comb-shaped
(Equation 1)
[0019]
It is expressed as Therefore, R2 / R = 10 / (5/3) = 6. Here, assuming that the porous ceramic layer 3 is uniformly degraded and the resistance is increased, if there is no conductive
[0020]
Further, referring to FIG. 5, the case where a water-repellent
[0021]
When the humidity sensor is away from the evaporation source in a 100% RH atmosphere and is not in contact with a wall or the like, there is almost no condensation on the sensor. Therefore, even when the humidity sensor as shown in FIG. Although there is almost no difference when a humidity sensor as shown in FIG. 5B is used, when the evaporation source is very close, immersed in water, or forms dew on a wall, a large difference occurs. Make a difference.
[0022]
Thus, for example, the case of immersion in water will be described. The thickness of the chemically adsorbed
[0023]
When the conductive
[0024]
FIG. 6 shows the respective characteristics when immersed in water. FIG. 6 also shows, for comparison, the characteristics of a humidity sensor in which a water-repellent
[0025]
When the water-repellent
[0026]
Therefore, it can be said that the water resistance is remarkably improved by the conductive
[0027]
FIG. 7 shows a change in output voltage when immersed in water. When immersed continuously at a temperature of 40 ° C. for 10 hours (a), when immersed at 40 ° C. for 1 hour and dried for 20 minutes are repeated 10 times (b), and when left in an atmosphere of 40 ° C. and 100% RH for 250 hours (c) ). As is clear from FIG. 7, the humidity sensor of the present invention hardly changed from the initial value even after the water resistance test.
[0028]
The case without the silica guard 8 has been described above. The difference from the case with the silica guard 8 is that the amount of the
[0029]
Although the structure of the electrodes of the sensor described in the above embodiments is comb-shaped, it goes without saying that similar results can be obtained even if the electrodes are parallel, spiral, or polygonal.
[0030]
【The invention's effect】
As described above, the humidity sensor of the present invention forms a conductive porous layer on a porous ceramic containing a polyelectrolyte humectant, and further forms a water-repellent chemical adsorption film or water-repellent film on the conductive porous layer. Since the water-based glass film is formed, the water resistance is dramatically improved as compared with the conventional humidity sensor. As a result, the function as a humidity sensor is not lost even if the device is used continuously in an environment where dew or water gets wet. Thus, the present invention has a very great industrial value.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a manufacturing process of a humidity sensor according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a manufacturing process of a humidity sensor according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of a manufacturing process of the humidity sensor. FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of the humidity sensor in the embodiment of the present invention. FIG. 5 is a structural cross-sectional view of the humidity sensor in the embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a water resistance characteristic of the humidity sensor according to the embodiment. FIG. 7 shows a water resistance characteristic of the humidity sensor according to the embodiment of the present invention.
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