JP3598243B2 - Piezoelectric single crystal composition and piezoelectric single crystal wafer thereof - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超音波プローブ、ソナー、インクジェット式プリンタヘッド、ブザー、アクチュエータ、センサーおよびレゾネータ等の分野で用いられる新規の圧電単結晶組成物および単結晶ウェハーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
圧電材料は、外部から電界を印加されることによって歪みを発生する(電気エネルギーの機械エネルギーへの変換)効果と、外部から応力を受けることによって表面に電荷が発生する(機械エネルギーの電気エネルギーへの変換)効果を有する(圧電性を有する)材料であり、超音波プローブ、インクジェット式プリンタヘッド、ブザー、アクチュエータおよびセンサー、レゾネータ等の分野で幅広く利用されている。
【0003】
例えば、超音波画像装置の分野においては対象物の内部状態を画像化するために、ある周波数の超音波を発生させ対象物内に送信し、対象物内において反射した超音波を受信することで画像化を可能にしている。この送信・受信を可能にするつまりは電気的エネルギーから機械的エネルギーへの変換かつ機械的エネルギーから電気的エネルギーへの変換が可能な振動子として圧電体が用いられている。また、このような超音波プローブが採用された超音波画像装置としては、人体内部を検査するための医用診断装置、および金属溶接内部の探傷を目的とする検査装置などが挙げられる。
【0004】
現在実用化されている圧電材料の大部分は、PbZrO3(PZ)−PbTiO3(PT)からなる固溶体系(PZT系)である。その理由は、三方晶系のPZと正方晶系のPTの組成的な相境界(M.P.B.)の付近の組成を用いることで、優れた圧電特性をもつ材料が得られるからである。PZTはこのM.P.B.の組成に対し様々な副成分、添加成分を加えることにより、多種多様なニーズに答えるための幅広い組成ラインナップが開発されている。それらは、機械的品質係数(Qm)が小さい代わりに圧電定数(dij)が大きく、位置出し用アクチュエータのような用途に向いているものから、圧電定数(dij)が小さい代わりに機械的品質係数(Qm)が大きく、超音波モータ等の超音波発生素子のような使い方をする用途に向いているものまで様々なものが開発されている。ところが、これらの鉛系圧電材料は、主成分として低温でも揮発性の極めて高い酸化鉛(PbO)を多量に含んでいる。例えば、PZTやマグネシウムニオブ酸鉛PMNでは重量比で約3分の2が酸化鉛である。これらの圧電材料は、セラミックスあるいは単結晶として製造する際に、焼成、溶融等の熱処理が不可避なプロセスであり、工業レベルで考えた場合、揮発性成分である酸化鉛の大気中への揮発、拡散量は極めて多量である。従って、今後圧電セラミックス及び単結晶の応用分野が広がり、使用量が増大するこで、低公害化つまり無鉛化の問題が生じることは必然的と言える。そのため、生態学的な見地及び公害防止の面からも、無鉛あるいは低鉛で優れた圧電特性を示す材料が求められている。これらの背景より無鉛圧電材料の研究も徐々に始まっているが、現在多くの応用で使用されているPZTセラミックスを置き換えるには誘電率が大きく、キュリー点が高くさらに無鉛である必要がある。このような条件を満たす材料としてBi系の圧電材料に注目が集まっている(表1を参照)。
【表1】
特にBi圧電単結晶においては{(Bi1/2,Na1/2)1−xBax}TiO3で表される材料系に関して1〜10mm程度の比較的小さな結晶が得られており、その圧電定数はd33=300〜650pC/Nと現行のPZTセラミックスに迫る勢いである。これらの情報はYet−Ming Chiang,APPlIED PHYSICS LETTERS VOLUME73,NUMBER25,P.P.3683(1998)に示されている。室温での誘電率がεr≧700、キュリー点がTc≧200℃、さらに圧電定数はd33=300〜650pC/Nの非鉛系材料が容易に得られるようになれば幾つかの分野で鉛系圧電材料を置きかえることが可能であると考えられる。発明者はこれらの結晶を試作し、15〜40mmφ×10〜50mm程度の比較的大きな結晶が得られるようになったが得られた結晶内には内包物、気泡およびクラックが多数存在し、振動子を得る上で非常に大きな問題となっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
{(Bi1/2,Na1/2)1−xA1x}TiO3等で表される固溶系単結晶は、その内部に内包物や気泡、あるいはクラックが存在しやすく、各種応用に用いる振動子として作製する際には、これらの欠陥領域を避けなければならない。例えば超音波診断装置用の心臓プローブ用振動子に要求される標準的なサイズは、15mm×25mm×0.4mmであるものの、結晶内部の異物等の領域を避けて切り出すために、この形状の振動子の作製歩留まりが極めて悪いのが現状であった。
【0006】
そこで、本発明の目的は、上記の問題点を解決すべく、{(Bi1/2,Na1/2)1−xA1x}TiO3等 で表わされる単結晶を作製した時に、特性の低下を招くことなく単結晶の内部に内包物、気泡およびクラックが取り込まれにくい新規の酸化物単結晶組成物及びそのウェハーを提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意研究した結果、{(Bi1/2,Na1/2)1−xA1x}TiO3等 で表わされる単結晶組成が少なくとも1種類の5価の元素D(D=Nb,Ta)を含有することで前記課題であった単結晶内部の内包物や気泡およびクラック等の発生を誘電・圧電特性の劣化を招くことなく飛躍的に減少できることを見出した。
【0008】
本発明は{(Bi1/2,Na1/2)1−xA1x}TiO3(式中、xは0≦x<1の値であり、A1はBa,Ca,およびSrから選択された少なくとも1種類である)および{(Bi1/2,Na1/2)1−x(Bi1/2,A21/2)x}TiO3(式中のxは0≦x<1の値であり、A2はLi,K,およびRbから選択された少なくとも1種類である)で表される複合ペロブスカイト酸化物から構成される圧電単結晶組成物において、組成物100mol%に対して5価の元素D(D=Nb 5+ ,Ta 5+ )を含む化合物を0<D<5mol%すなわちD元素換算で0mol%を越え5mol%未満の範囲で添加することを特徴とする酸化物単結晶組成物を提供することである。なお、Nb5+やTa5+を含む際に(Zn1/3Nb2/3)O2や(Sc1/2Nb1/2)O2、(Mg1/3Ta2/3)O2の複合構造の形態で含むことも可能であり、これらも本発明の範囲内である。また本発明の複合ペロブスカイト酸化物から構成される圧電単結晶において、その結晶の方位が菱面体構造の場合には{001}方向で分極し、正方晶相の場合には{111}方向に分極することでその優れた特性をより有効に出すことが出来る。以下の実施形態をNb 5+ で説明するが、Ta 5+ も同族でかつNb 5+ と同じイオン半径を持ち、Tiのそれに近いので、同様の効果を得ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を実施例を基に説明する。
(実施例1)
本実施例においては、{(Na1/2,Bi1/2 )0.94Ba0.06}TiO3+yNb2O5(以下NBBT94/6 +ymol%Nb 2 O 5 と略す)で表されるNb2O5を添加した固溶系圧電単結晶をブリッジマン法にて作製した(ここで、y=0.1、0.5、1.0、2.0mol%とした)。今回用いたブリッジマン法について単結晶の育成装置の図面を参照して説明する。図1は、単結晶の育成装置を示す概略図である。図中の1は、上下方向にヒータ2が埋設された縦型管状電気炉である。図中の3は、前記電気炉1内に上下動自在に配置される有底筒状容器である。まず、前記有底筒状容器3内に単結晶原料を収容する。次にこの有底筒状容器3をヒータ2により中央部が最も高温度で、上方および下方に向かうにしたがって温度が低くなるように設定した、つまり温度勾配を持たせた電気炉1内に下から支える。つづいて、前記電気炉1内で有底筒状容器3内の単結晶原料を溶融した後、前記容器3を徐々に下降させることにより溶液あるいは融液4が収容された前記容器3の底部が局所的に低温になり、前記底部位置に単結晶の核が発生し、この単結晶の核から単結晶が成長するといった方法である。
【0010】
出発原料として、化学的に高純度なNa2CO3、Bi2O3、BaCO3、TiO2およびNb2O5の粉末を使用し、これらを上述の式で示した組成となるように調合し、乾式混合機械で十分に混合した。得られた混合粉をアルミナ坩堝に充填し、大気中にて850℃、2時間の仮焼を行った。その後この仮焼粉にアセトンを加え、ジルコニアボールを用いてボールミルで24時間混合・粉砕した。この粉体を乾燥しバインダーとしてのPVA5%水溶液を5wt%加えて乳鉢で混合し、48#の篩を通過させて造粒を行なった。得られた粒子を、15mmφの金型内で5MPaの圧力を加えて10mmの円柱状に仮成型した。この成型体を大気中にて1000℃〜1200℃2時間の焼成を行って焼結体を得た。この焼結体を前述した図1内の15mmφ×200mmの有底筒状白金容器3内に入れた。つづいて、中央部の温度が1250℃〜1350℃、上下方向に2分割されたヒータ2により上下方向の平均温度勾配が0.5℃/mmから3℃/mmとした内径50mm、長さ1000mmの縦型電気炉1に前記白金容器3を下支えにし、1350℃の温度まで7時間で昇温した後、12時間保持して前記容器3内の結晶原料を溶融させた。ついで、前記白金容器3を電気炉1の中央により下部の温度勾配部分に向かって0.5mm/h〜2mm/hの速度で約500mm下降させ、その後室温まで放冷した。前記白金容器をそれぞれ破り、4組成の単結晶を取り出した。得られた4つ単結晶はどれも15mmφ×40mmのやや淡黄色をした透明結晶であった。懸念された内包物、気泡およびクラックは前記形状内に気泡およびクラックが一部で確認できる組成もみられたがその数は明らかに減少していることが外観上から確認された。前記単結晶の結晶構造をX線回折法より調べたところ、室温で菱面体のぺロブスカイト構造であることが分かった。また、前記単結晶の粉末のICPによる化学分析から得られた結晶組成はそれぞれがほぼ仕込み組成{(Na1/2,Bi1/2 )0.94Ba0.06}TiO3+yNb2O5(y=0.1、0.5、1.0、2.0mol%)となっていることを確認した。
【0011】
ついで前記単結晶のそれぞれについてX線ラウエカメラを用いて<100>方位軸を出し、この軸に垂直にカッターで厚さが1mmの{100}面単結晶版を切り出した。その後特性評価のために前記単結晶版を10mm×10mm×0.4mmに仕上げたものを30枚ずつ用意した。これらの板状単結晶の内部を観察し内包物、気泡およびクラックの数を観測した。NBBT94/6 +0.1mol%Nb2O5では気泡あるいはクラックの入った単結晶板が1枚、NBBT94/6 +0.5mol%Nb2O5では内包物、気泡およびクラックは皆無、NBBT94/6 +1.0mol%Nb2O5およびNBBT94/6 +2.0mol%Nb 2 O 5 ではクラックのみ含んだ単結晶板が2枚ずつ存在した。これらの結果を比較例の結果と比較検討したものが図3である。図3からも明らかな通りNbを含まないNBBT94/6 の組成においては30枚の単結晶板内に内包物、気泡およびクラックの少なくとも1つ以上を含むものが9枚存在したのに対しNbを含む組成においては最大2枚、また組成によっては皆無のものも存在した。
【0012】
また、前記単結晶板にTi/Au電極をスパッタ法にて形成し電気的測定を行ったところ室温での誘電率はεr=700〜1800、キュリー点はTc=250℃〜320℃、また圧電特性としてはd33=300〜650pC/Nが得られた。
(実施例2)
本実施例においては、前記単結晶育成法にて40mmφの有底筒状白金容器3を用いて{(Na1/2,Bi1/2 )0.94Ba0.06}TiO3 +yNb2O5(以下NBBT94/6 +ymol%Nb 2 O 5 と略す)で表されるNb2O5を添加した大型圧電単結晶を作製した(ここで、y=0.1、0.5、1.0、2.0mol%とした)。
【0013】
出発原料として、化学的に高純度なNa2CO3、Bi2O3、BaCO3、TiO2およびNb2O5の粉末を使用し、これらを上述の式で示した組成となるように調合し、乾式混合機械で十分に混合した。得られた混合粉をアルミナ坩堝に充填し、大気中にて850℃、2時間の仮焼を行った。その後この仮焼粉にアセトンを加え、ジルコニアボールを用いてボールミルで24時間混合・粉砕した。この粉体を乾燥しバインダーとしてのPVA5%水溶液を5wt%加えて乳鉢で混合し、48#の篩を通過させて造粒を行なった。得られた粒子を、37mmφの金型内で5MPaの圧力を加えて15mmの円柱状に仮成型した。この成型体を大気中にて1000℃〜1200℃2時間の焼成を行って焼結体を得た。この焼結体を前述した図1内の40mmφ×200mmの有底筒状白金容器3内に入れた。つづいて、中央部の温度が1250℃〜1350℃、上下方向に2分割されたヒータ2により上下方向の平均温度勾配が0.5℃/mmから3℃/mmとした内径50mm、長さ1000mmの縦型電気炉1に前記白金容器3を下支えにし、1350℃の温度まで7時間で昇温した後、12時間保持して前記容器3内の結晶原料を溶融させた。ついで、前記白金容器3を電気炉1の中央により下部の温度勾配部分に向かって0.5mm/h〜2mm/hの速度で約500mm下降させ、その後室温まで放冷した。前記白金容器をそれぞれ破り、4組成の単結晶を取り出した。得られた4つ単結晶はどれも40mmφ×40mmのやや淡黄色をした透明結晶であった。また、懸念された内包物、気泡およびクラックは前記形状内に気泡およびクラックが一部で確認できる組成もみられたがその数は実施例1と同様に明らかに減少していることが外観上から確認された。前記単結晶の結晶構造をX線回折法より調べたところ、室温で菱面体のぺロブスカイト構造であることが分かった。また、前記単結晶の粉末のICPによる化学分析から得られた結晶組成はそれぞれがほぼ仕込み組成{(Na1/2,Bi1/2)0.94Ba0.06}TiO3+yNb2O5(y=0.1、0.5、1.0、2.0mol%)となっていることを確認した。
【0014】
ついで前記単結晶のそれぞれについてx線ラウエカメラを用いて<100>方位軸を出し、この軸に垂直にカッターで厚さが1mmの{100}面単結晶版を切り出した。その後特性評価のために前記単結晶版を20mm×20mm×0.4mmに仕上げたものを30枚ずつ用意した。これらの板状単結晶の内部を観察し内包物、気泡およびクラックの数を観測した。NBBT94/6+0.1mol%Nb2O5では気泡あるいはクラックの入った単結晶板が2枚、NBBT94/6+0.5mol%Nb2O5ではクラックの入った単結晶板が1枚、NBBT94/6+1.0mol%Nb2O5およびNBBT94/6+2.0mol%Nb2O5ではクラックのみ含んだ単結晶板が3枚ずつ存在した。これらの結果を比較例の結果と比較検討したものが図3である。図3からも明らかな通りNbを含まないNBBT94/6の組成においては30枚の単結晶板内に内包物、気泡およびクラックの少なくとも1つ以上を含むものが14枚存在したのに対しNbを0.1mol%含む組成において2枚、0.5mol%含む組成において1枚、1.0および2.0mol%含む組成において3枚とその枚数は減少していることが分かる。
【0015】
また、前記単結晶板にTi/Au電極をスパッタ法にて形成し電気的測定を行ったところ室温での誘電率はεr=700〜1800、キュリー点はTc=250℃〜320℃、また圧電特性としてはd33=300〜650pC/Nと実施例1とほぼ同等の値が得られた。
(実施例3)
本実施例においては、前記単結晶育成法にて40mmφの有底筒状白金容器3を用いて0.95{(Na1/2,Bi1/2 )0.94Ba0.06}TiO3 +0.05{(Na1/2,Bi1/2 )0.94Ba0.06}(Zn 1/3 Nb 2/3 )O3で表される大型圧電単結晶を作製した。
【0016】
出発原料として、化学的に高純度なNa2CO3、Bi2O3、BaCO3、TiO2、Nb2O5およびZnOの粉末を使用し、これらを上述の式で示した組成となるように調合し、乾式混合機械で十分に混合した。その他の方法は前述と同様である。。得られた単結晶は40mmφ×40mmのやや淡黄色をした透明結晶であった。また、懸念された内包物、気泡およびクラックは見られず実施例1と同様に明らかに減少していることが外観上から確認された。前記単結晶の結晶構造をX線回折法より調べたところ、室温で菱面体のぺロブスカイト構造であることが分かった。また、前記単結晶の粉末のICPによる化学分析から得られた結晶組成はそれぞれがほぼ仕込み組成となっていることを確認した。
【0017】
また、前記単結晶板にTi/Au電極をスパッタ法にて形成し電気的測定を行ったところ室温での誘電率はεr=1500、キュリー点はTc=300℃、また圧電特性としてはd33=600pC/Nと実施例1とほぼ同等の値が得られた。
【0018】
(比較例1)
本比較例においては、前記単結晶育成法にて15mmφおよび40mmφの有底筒状白金容器3を用いて{(Na1/2,Bi1/2 )0.94Ba0.06}TiO3で表されるNb2O5を添加していない固溶系圧電単結晶を作製し、その特性を比較した。
【0019】
出発原料として、化学的に高純度なNa2CO3、Bi2O3、BaCO3、およびTiO2の粉末を使用し、これらを上述の式で示した組成となるように調合し、乾式混合機械で十分に混合した。得られた混合粉をアルミナ坩堝に充填し、大気中にて850℃、2時間の仮焼を行った。その後この仮焼粉にアセトンを加え、ジルコニアボールを用いてボールミルで24時間混合・粉砕した。この粉体を乾燥しバインダーとしてのPVA5%水溶液を5wt%加えて乳鉢で混合し、48#の篩を通過させて造粒を行なった。得られた粒子を、15mmφあるいは37mmφの金型内で5MPaの圧力を加えて10mm〜15mmの円柱状に仮成型した。この成型体を大気中にて1000℃〜1200℃2時間の焼成を行って焼結体を得た。この焼結体を前述した図1内の15mmφ×200mmあるいは40mmφ×200mmの有底筒状白金容器3内に入れた。つづいて、中央部の温度が1250℃〜1350℃、上下方向に2分割されたヒータ2により上下方向の平均温度勾配が0.5℃/mmから3℃/mmとした内径50mm、長さ1000mmの縦型電気炉1に前記白金容器3を下支えにし、1350℃の温度まで7時間で昇温した後、12時間保持して前記容器3内の結晶原料を溶融させた。ついで、前記白金容器3を電気炉1の中央により下部の温度勾配部分に向かって0.5mm/h〜2mm/hの速度で約500mm下降させ、その後室温まで放冷した。前記白金容器をそれぞれ破り単結晶を取り出した。得られた2つの単結晶は15mmφ×40mmあるいは40mmφ×40mmのやや淡黄色をした透明結晶であった。また、内包物、気泡およびクラックは前記形状内に無数に存在することが外観上から確認された。前記単結晶の結晶構造をX線回折法より調べたところ、室温で菱面体のぺロブスカイト構造であることが分かった。また、前記単結晶の粉末のICPによる化学分析から得られた結晶組成はそれぞれがほぼ仕込み組成{(Na1/2,Bi1/2 )0.94Ba0.06}TiO3となっていることを確認した。
【0020】
ついで前記単結晶のそれぞれについてx線ラウエカメラを用いて<100>方位軸を出し、この軸に垂直にカッターで厚さが1mmの{100}面単結晶版を切り出した。その後特性評価のために前記単結晶版を10mm×10mm×0.4mmあるいは20mm×20mm×0.4mmに仕上げたものを30枚ずつ用意した。これらの板状単結晶の内部を観察し内包物、気泡およびクラックの数を観測した。その結果15mmφの場合には気泡あるいはクラックの入った単結晶板が9枚、40mmφの場合には14枚存在した。これらの結果を前記実施例と比較検討したものが図3である。図3からも明らかな通り、NBBT94/6単結晶はNb5+を僅かに含むことで育成時の内包物、気泡およびクラックの発生が抑制されることが明らかになった。
【0021】
また、前記単結晶板にTi/Au電極をスパッタ法にて形成し電気的測定を行ったところ室温での誘電率はεr=700〜1800、キュリー点はTc=250℃〜320℃、また圧電特性としてはd33=300〜650pC/Nと実施例1およびとほぼ同等の値が得られた。
【0022】
なお、本発明では出発原料としてBaCO3などの炭酸塩を用いたがこれ以外の例えばBaTiO3やCaTiO3などの形態の化合物を用いても良い。さらにこれらの特性を劣化させない範囲内で少量の遷移金属であるMn、Co、Feなどを含むこともこの発明の範囲内である。これらの遷移金属の量は多くても1mol%以下である。
【0023】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、内包物や気泡およびクラックが少ない大型な単結晶が容易に得ることが可能で優れた誘電・圧電特性を持った非鉛系圧電単結晶材料が安価に安定に実用レベルで提供することが出来る。特に実用レベルの誘電率(≧1000)とキュリー温度(Tc≧200℃)および大型サイズ(≧25mm)の非鉛系圧電材料を提供できる。本発明の圧電単結晶は、超音波プローブの振動子として特に有効であるが、これ以外にも、圧電ブザー等の電気音響変換器の用途にて効果を発揮することが期待される。なお、本発明の圧電単結晶は鉛を全く使用していない。そのため現在多くの圧電体応用の分野で使用されているPZTやPMN等の鉛系圧電材料では避けることのできなかった、焼成、溶融等の熱処理プロセスでの酸化鉛の大気中への多量の揮発、拡散を完全に無くすことが可能となった。これは、今後必然的に生じるであろう鉛問題に対する根本的な解決策であり、生態学的な見地及び公害防止の面からも、極めて大きな効果を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に関わる酸化物圧電単結晶を製造するための育成装置を示す概略図。
【図2】本発明によって得られた圧電単結晶ウェハーの概略図。
【図3】本発明において得られた圧電単結晶の育成時の内包物、気泡あるいはクラックの発生とNb2O5添加量の関係を示す図。
【符号の説明】
1...電気炉
2...ヒータ
3...白金坩堝
4...単結晶原料
5...単結晶
6...単結晶から{100}あるいは{111}に切り出したウェハー[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a novel piezoelectric single crystal composition and a single crystal wafer used in the fields of an ultrasonic probe, a sonar, an ink jet printer head, a buzzer, an actuator, a sensor and a resonator.
[0002]
[Prior art]
Piezoelectric materials generate distortion (conversion of electrical energy to mechanical energy) when an electric field is applied from the outside, and generate electric charge on the surface when subjected to external stress (to convert electrical energy to mechanical energy). Is a material having a piezoelectric effect, and is widely used in fields such as an ultrasonic probe, an ink jet printer head, a buzzer, an actuator and a sensor, and a resonator.
[0003]
For example, in the field of ultrasonic imaging devices, in order to image the internal state of an object, an ultrasonic wave of a certain frequency is generated and transmitted into the object, and the ultrasonic wave reflected in the object is received. Enables imaging. A piezoelectric body is used as a vibrator that enables transmission / reception, that is, conversion from electrical energy to mechanical energy and conversion from mechanical energy to electrical energy. In addition, examples of an ultrasonic imaging apparatus employing such an ultrasonic probe include a medical diagnostic apparatus for inspecting the inside of a human body and an inspection apparatus for detecting a flaw inside metal welding.
[0004]
Most of piezoelectric materials currently put to practical use is a PbZrO 3 (PZ) -PbTiO 3 solid solution system consisting of (PT) (PZT system). The reason is that a material having excellent piezoelectric properties can be obtained by using a composition near the compositional phase boundary (MPB) of trigonal PZ and tetragonal PT. is there. PZT uses this M.P. P. B. A wide variety of composition lineups have been developed to meet a wide variety of needs by adding various subcomponents and additive components to the composition. They have a large mechanical constant (Qm) but a large piezoelectric constant (dij), and are suitable for applications such as positioning actuators. Various types have been developed, including those having a large (Qm) and suitable for applications such as ultrasonic generating elements such as ultrasonic motors. However, these lead-based piezoelectric materials contain a large amount of lead oxide (PbO), which is highly volatile even at low temperatures, as a main component. For example, in PZT and lead magnesium niobate PMN, about two thirds by weight is lead oxide. When these piezoelectric materials are manufactured as ceramics or single crystals, heat treatment such as sintering and melting is an inevitable process, and when considered at the industrial level, the volatility of lead oxide, a volatile component, to the atmosphere, The amount of diffusion is extremely large. Therefore, it can be said that the application of piezoelectric ceramics and single crystals will expand in the future and the amount of piezoelectric crystals and single crystals will increase. Therefore, from the viewpoint of ecological point of view and pollution prevention, there is a need for a lead-free or low-lead material that exhibits excellent piezoelectric properties. From these backgrounds, research on lead-free piezoelectric materials has gradually started, but in order to replace PZT ceramics currently used in many applications, it is necessary to have a large dielectric constant, a high Curie point, and further lead-free. Attention has been focused on Bi-based piezoelectric materials as materials satisfying such conditions (see Table 1).
[Table 1]
Particularly, in the case of a Bi piezoelectric single crystal, a relatively small crystal of about 1 to 10 mm is obtained for a material system represented by {(Bi 1/2 , Na 1/2 ) 1-x Ba x } TiO 3. The piezoelectric constant is d33 = 300 to 650 pC / N, which is close to current PZT ceramics. These information are disclosed in Yet-Ming Chiang, APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 73, NUMBER 25, P.S. P. 3683 (1998). If lead-free materials having a dielectric constant at room temperature of εr ≧ 700, a Curie point of Tc ≧ 200 ° C., and a piezoelectric constant of d33 = 300 to 650 pC / N can be easily obtained, lead-based materials will be used in some fields. It is considered possible to replace the piezoelectric material. The inventor prototyped these crystals and obtained relatively large crystals of about 15 to 40 mmφ × 10 to 50 mm. However, many crystals, inclusions, bubbles and cracks were present in the obtained crystals, It is a very big problem in getting a child.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
{(Bi 1/2 , Na 1/2 ) 1-x A1 x固 A solid solution single crystal represented by TiO 3 or the like easily contains inclusions, bubbles, or cracks therein, and is used for various applications. When manufacturing as a vibrator, these defective regions must be avoided. For example, the standard size required for a transducer for a heart probe for an ultrasonic diagnostic apparatus is 15 mm × 25 mm × 0.4 mm. At present, the production yield of the vibrator is extremely poor.
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems by producing a single crystal represented by {(Bi 1/2 , Na 1/2 ) 1-x A1 x } TiO 3, etc. An object of the present invention is to provide a novel oxide single crystal composition in which inclusions, bubbles, and cracks are less likely to be taken into the single crystal without lowering, and a wafer thereof.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies and found that the single crystal composition represented by {(Bi 1/2 , Na 1/2 ) 1-x A1 x } TiO 3 or the like has at least one pentavalent element D (D = Nb, Ta), the generation of inclusions, bubbles and cracks inside the single crystal, which was the above problem, can be drastically reduced without deteriorating the dielectric and piezoelectric characteristics.
[0008]
The present invention provides {(Bi 1/2 , Na 1/2 ) 1-x A1 x } TiO 3 (where x is a value of 0 ≦ x <1, and A1 is selected from Ba, Ca, and Sr. (Bi 1/2 , Na 1/2 ) 1 -x (Bi 1/2 , A2 1/2 ) x } TiO 3 (where x is 0 ≦ x <1) A2 is at least one selected from Li, K, and Rb) in a piezoelectric single crystal composition composed of a composite perovskite oxide represented by the following formula: An oxide single crystal composition characterized by adding a compound containing the element D (D = Nb 5+ , Ta 5+ ) in an amount of 0 <D <5 mol%, that is, more than 0 mol% and less than 5 mol% in terms of D element . It is to provide. When Nb 5+ or Ta 5+ is contained, (Zn 1/3 Nb 2/3 ) O 2 , (Sc 1/2 Nb 1/2 ) O 2 , (Mg 1/3 Ta 2/3 ) O 2 It can also be included in the form of a composite structure, which is also within the scope of the present invention. In the piezoelectric single crystal composed of the composite perovskite oxide of the present invention, the crystal is polarized in the {001} direction when the crystal orientation is a rhombohedral structure, and is polarized in the {111} direction when the crystal is in a tetragonal phase. By doing so, the excellent characteristics can be more effectively obtained. The following embodiment will be described using Nb 5+ , but Ta 5+ is also homologous, has the same ionic radius as Nb 5+, and is close to that of Ti, so that a similar effect can be obtained.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on examples.
(Example 1)
In this embodiment, {(Na 1/2 , Bi 1/2 ) 0.94 Ba 0.06 } TiO 3 + yNb 2 O 5 (hereinafter abbreviated as NBBT94 / 6 + ymol% Nb 2 O 5 ) A solid solution piezoelectric single crystal to which Nb 2 O 5 was added was produced by the Bridgman method (here, y = 0.1, 0.5, 1.0, 2.0 mol%). The Bridgman method used this time will be described with reference to the drawing of a single crystal growing apparatus. FIG. 1 is a schematic view showing a single crystal growing apparatus.
[0010]
As a starting material, powders of chemically pure Na 2 CO 3 , Bi 2 O 3 , BaCO 3 , TiO 2 and Nb 2 O 5 are used, and these are prepared so as to have a composition represented by the above formula. And thoroughly mixed with a dry mixing machine. The obtained mixed powder was filled in an alumina crucible and calcined at 850 ° C. for 2 hours in the atmosphere. Thereafter, acetone was added to the calcined powder, and the mixture was mixed and pulverized with a ball mill using zirconia balls for 24 hours. The powder was dried, 5% by weight of a 5% aqueous solution of PVA as a binder was added, mixed in a mortar, and granulated by passing through a 48 # sieve. The obtained particles were provisionally molded into a 10 mm cylindrical shape by applying a pressure of 5 MPa in a 15 mmφ mold. This molded body was fired in the atmosphere at 1000 ° C. to 1200 ° C. for 2 hours to obtain a sintered body. This sintered body was placed in the above-mentioned cylindrical bottomed
[0011]
Then, an <100> azimuthal axis was set for each of the single crystals using an X-ray Laue camera, and a {100} plane single crystal plate having a thickness of 1 mm was cut out with a cutter perpendicular to this axis. After that, 30 sheets of the single crystal plate finished to 10 mm × 10 mm × 0.4 mm were prepared for characteristic evaluation. The inside of these plate-like single crystals was observed, and the number of inclusions, bubbles and cracks was observed. NBBT94 / 6 + 0.1 mol% Nb 2 O 5 has one single crystal plate containing bubbles or cracks, NBBT 94/6 + 0.5 mol% Nb 2 O 5 has no inclusions, bubbles and cracks, and NBBT 94/6 +1 single crystal plate which contains only cracks were present by two in .
[0012]
Further, a Ti / Au electrode was formed on the single crystal plate by a sputtering method, and an electrical measurement was performed. As a result, the dielectric constant at room temperature was εr = 700 to 1800, the Curie point was Tc = 250 ° C. to 320 ° C. As the characteristics, d33 = 300 to 650 pC / N was obtained.
(Example 2)
In this embodiment, {(Na 1/2 , Bi 1/2 ) 0.94 Ba 0.06 } TiO 3 + yNb 2 O is used in the single crystal growing method by using a
[0013]
As a starting material, powders of chemically pure Na 2 CO 3 , Bi 2 O 3 , BaCO 3 , TiO 2 and Nb 2 O 5 are used, and these are prepared so as to have a composition represented by the above formula. And thoroughly mixed with a dry mixing machine. The obtained mixed powder was filled in an alumina crucible and calcined at 850 ° C. for 2 hours in the atmosphere. Thereafter, acetone was added to the calcined powder, and the mixture was mixed and pulverized with a ball mill using zirconia balls for 24 hours. The powder was dried, 5% by weight of a 5% aqueous solution of PVA as a binder was added, mixed in a mortar, and granulated by passing through a 48 # sieve. The obtained particles were temporarily molded into a 15 mm cylindrical shape by applying a pressure of 5 MPa in a 37 mmφ mold. This molded body was fired in the atmosphere at 1000 ° C. to 1200 ° C. for 2 hours to obtain a sintered body. The sintered body was placed in the above-described 40 mmφ × 200 mm bottomed
[0014]
Then, an <100> azimuthal axis was determined for each of the single crystals using an x-ray Laue camera, and a {100} plane single crystal plate having a thickness of 1 mm was cut out perpendicularly to this axis with a cutter. After that, for the purpose of evaluating the characteristics, 30 single crystal plates each having a size of 20 mm × 20 mm × 0.4 mm were prepared. The inside of these plate-like single crystals was observed, and the number of inclusions, bubbles and cracks was observed. NBBT94 / 6 + 0.1mol% Nb 2
[0015]
Further, a Ti / Au electrode was formed on the single crystal plate by a sputtering method, and an electrical measurement was performed. As a result, the dielectric constant at room temperature was εr = 700 to 1800, the Curie point was Tc = 250 ° C. to 320 ° C. As the characteristics, d33 = 300 to 650 pC / N, which is almost the same value as in Example 1.
(Example 3)
In the present example, 0.95 {(Na 1/2 , Bi 1/2 ) 0.94 Ba 0.06 } TiO 3 was used in the single crystal growing method by using a
[0016]
As a starting material, powders of chemically high-purity Na 2 CO 3 , Bi 2 O 3 , BaCO 3 , TiO 2, Nb 2 O 5 and ZnO are used so that they have the composition shown by the above formula. And thoroughly mixed with a dry mixing machine. Other methods are the same as described above. . The obtained single crystal was a slightly pale yellow transparent crystal of 40 mmφ × 40 mm. In addition, it was confirmed from the appearance that the inclusions, bubbles, and cracks that were concerned were clearly reduced as in Example 1. When the crystal structure of the single crystal was examined by an X-ray diffraction method, it was found that the single crystal had a rhombohedral perovskite structure at room temperature. In addition, it was confirmed that each of the single crystal powders obtained by chemical analysis by ICP had almost the same crystal composition as the charged composition.
[0017]
Further, a Ti / Au electrode was formed on the single crystal plate by a sputtering method, and an electrical measurement was performed. As a result, the dielectric constant at room temperature was εr = 1500, the Curie point was Tc = 300 ° C., and the piezoelectric characteristic was d33 = A value almost equal to 600 pC / N as in Example 1 was obtained.
[0018]
(Comparative Example 1)
In this comparative example, {(Na 1/2 , Bi 1/2 ) 0.94 Ba 0.06 } TiO 3 was used in the single crystal growing method using the bottomed
[0019]
As a starting material, chemically high-purity powders of Na 2 CO 3 , Bi 2 O 3 , BaCO 3 , and TiO 2 are used, and these are blended so as to have a composition represented by the above formula, and dry-mixed. Mix well by machine. The obtained mixed powder was filled in an alumina crucible and calcined at 850 ° C. for 2 hours in the atmosphere. Thereafter, acetone was added to the calcined powder, and the mixture was mixed and pulverized with a ball mill using zirconia balls for 24 hours. The powder was dried, 5% by weight of a 5% aqueous solution of PVA as a binder was added, mixed in a mortar, and granulated by passing through a 48 # sieve. The obtained particles were provisionally molded into a cylindrical shape of 10 mm to 15 mm by applying a pressure of 5 MPa in a mold of 15 mmφ or 37 mmφ. This molded body was fired in the atmosphere at 1000 ° C. to 1200 ° C. for 2 hours to obtain a sintered body. The sintered body was placed in the above-mentioned
[0020]
Then, an <100> azimuthal axis was determined for each of the single crystals using an x-ray Laue camera, and a {100} plane single crystal plate having a thickness of 1 mm was cut out perpendicularly to this axis with a cutter. Thereafter, for the purpose of evaluating the characteristics, 30 single crystal plates each having a size of 10 mm × 10 mm × 0.4 mm or 20 mm × 20 mm × 0.4 mm were prepared. The inside of these plate-like single crystals was observed, and the number of inclusions, bubbles and cracks was observed. As a result, in the case of 15 mmφ, there were 9 single crystal plates containing bubbles or cracks, and in the case of 40 mmφ, there were 14 single crystal plates. FIG. 3 shows a comparison of these results with the above embodiment. As is clear from FIG. 3, it was revealed that the NBBT94 / 6 single crystal contained a small amount of Nb 5+ to suppress the generation of inclusions, bubbles and cracks during growth.
[0021]
Further, a Ti / Au electrode was formed on the single crystal plate by a sputtering method, and an electrical measurement was performed. As a result, the dielectric constant at room temperature was εr = 700 to 1800, the Curie point was Tc = 250 ° C. to 320 ° C. As the characteristics, d33 = 300 to 650 pC / N, which was almost the same value as in Example 1.
[0022]
In the present invention, a carbonate such as BaCO 3 is used as a starting material, but other compounds such as BaTiO 3 and CaTiO 3 may be used. Further, it is within the scope of the present invention to include a small amount of transition metal such as Mn, Co, Fe, etc. as long as these characteristics are not deteriorated. The content of these transition metals is at most 1 mol%.
[0023]
【The invention's effect】
As described in detail above, according to the present invention, a lead-free piezoelectric single crystal material having excellent dielectric / piezoelectric properties, in which a large single crystal having few inclusions, bubbles and cracks can be easily obtained, is provided. It can be stably provided at a practical level at low cost. In particular, it is possible to provide a lead-free piezoelectric material having a practical permittivity (≧ 1000), a Curie temperature (Tc ≧ 200 ° C.), and a large size (≧ 25 mm). The piezoelectric single crystal of the present invention is particularly effective as a vibrator of an ultrasonic probe, but is expected to exhibit an effect in electroacoustic transducers such as a piezoelectric buzzer. Note that the piezoelectric single crystal of the present invention does not use lead at all. For this reason, a large amount of lead oxide is volatilized into the atmosphere during heat treatment processes such as firing and melting, which cannot be avoided with lead-based piezoelectric materials such as PZT and PMN that are currently used in many piezoelectric application fields. , The diffusion can be completely eliminated. This is a fundamental solution to the lead problem that will inevitably arise in the future, and has a great effect in terms of ecological aspects and pollution control.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view showing a growth apparatus for producing an oxide piezoelectric single crystal according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of a piezoelectric single crystal wafer obtained according to the present invention.
FIG. 3 is a graph showing the relationship between inclusions, bubbles or cracks and the amount of Nb 2 O 5 added when growing a piezoelectric single crystal obtained in the present invention.
[Explanation of symbols]
1. . .
Claims (6)
{(Bi1/2,Na1/2)1−xA1x}TiO3 (1)
(上記一般式(1)中、xは0≦x<1の値であり、A1はBa,Ca,およびSrから選択された少なくとも1種類である)。 A single-crystal composition that is a composite perovskite oxide , wherein an element D (D = Nb, Ta) compound ( where D is pentavalent , based on 100 mol% of a compound represented by the following general formula (1)) elements) oxide single crystal composition having the composition in a proportion of less than 5 mol% exceed 0 mol% at D in terms of element {(Bi 1/2, Na 1/2) 1-x A1 x} TiO 3 ( 1)
(In the above general formula (1), x is a value of 0 ≦ x <1, and A1 is at least one selected from Ba, Ca, and Sr).
{(Bi1/2,Na1/2)1−x(Bi1/2,A21/2)x}TiO3 (2)
(上記一般式(2)中のxは0≦x<1の値であり、A2はLi,K,およびRbから選択された少なくとも1種類である)。 A single crystal composition which is a composite perovskite oxide, wherein 100 mol% of a compound represented by the following general formula (2) is compounded with an element D (D = Nb, Ta) compound ( where D is a pentavalent compound ). elements) oxide single crystal composition having the composition in a proportion of less than 5 mol% exceed 0 mol% at D in terms of element {(Bi 1/2, Na 1/2) 1-x (Bi 1/2, A2 1/2) x} TiO 3 ( 2)
(X in the general formula (2) is a value of 0 ≦ x <1, and A2 is at least one selected from Li, K, and Rb).
{(Bi {(Bi 1/21/2 ,Na, Na 1/21/2 )) 1−x1-x A1A1 xx }TiO} TiO 33 (1) (1)
(上記一般式(1)中、xは0≦x<1の値であり、AlはBa,Ca,およびSrから選択された少なくとも1種類である)。(In the general formula (1), x is a value of 0 ≦ x <1, and Al is at least one selected from Ba, Ca, and Sr).
{(Bi {(Bi 1/21/2 ,Na, Na 1/21/2 )) 1−x1-x (Bi(Bi 1/21/2 ,A2, A2 1/21/2 )) xx }TiO} TiO 33 (2)(2)
(上記一般式(The above general formula (( 22 )) 中のxは0≦x<1の値であり、A2はLi,K,およびRbから選択された少なくとも1種類である)。X in the above is a value of 0 ≦ x <1, and A2 is at least one selected from Li, K, and Rb).
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