JP3618201B2

JP3618201B2 - Method for manufacturing solid-state imaging device

Info

Publication number: JP3618201B2
Application number: JP22838197A
Authority: JP
Inventors: 美千代市川; 智子大田垣
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-08-25
Filing date: 1997-08-25
Publication date: 2005-02-09
Anticipated expiration: 2017-08-25
Also published as: JPH1168075A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、固体撮像装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、固体撮像装置の小型化および多画素化が進められている。
小型化に伴って、固体撮像装置の製造方法における画素以外の周辺部を含めた部分の加工精度の向上が必要になる。
また、多画素化に伴って、固体撮像装置の受光部の面積の縮小に起因する感度低下に対する対策が必要となり、その一つとして固体撮像装置に入射する光を選択的に受光部に集める機能を持つマイクロレンズが用いられている。
【０００３】
まず、従来の固体撮像装置およびその製造方法について、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
図３において、１は半導体基板、２は半導体基板１の上に形成された固体撮像素子の受光部、３はボンディングパッド部、４はスクライブレーン、５は透明平坦膜、６は受光部２上に対峙して形成されたマイクロレンズ、８はマスク、９は遠紫外光を表している。
【０００４】
はじめに、半導体基板１の表面に形成された受光部２、ボンディングパッド部３およびスクライブレーン４などの凹凸を平滑化するために、波長４００〜７００ｎｍの可視光に透明性を持ち、かつ、遠紫外光に感光性を持つ材料を用いて透明平坦膜５を形成する。この時の断面図を図３（ａ）に示す。
次に透明平坦膜５の上に熱可塑性および熱硬化性を持つ材料を滴下し、半導体基板１を回転させることによりマイクロレンズ６の材料を塗布した後、加熱して塗布膜中の溶剤を蒸発させる。所望のパターンを持つマスクを介して露光した後、露光部分を未露光部分の溶解度の差を利用して現像することにより、マイクロレンズパターンを形成する。熱可塑性および熱硬化性を持つマイクロレンズパターンを加熱し、液状化と同時に熱硬化させることにより、半球状のマイクロレンズ６を形成する。この時の断面図を図３（ｂ）に示す。
【０００５】
次にマイクロレンズ６上に所望のパターンを持つマスク８を介して遠紫外光９で透明平坦膜５を選択的に露光する。この時の断面図を図３（ｃ）に示す。
次に透明平坦膜５の露光部分と未露光部分との溶解度の差を利用して現像した後、乾燥させるために加熱することにより、透明平坦膜５を加工する。この時の断面図を図３（ｄ）に示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術では、透明平坦膜５は可視光に透明性を持ち、かつ、遠紫外光９に感光性を持つという２つの特性を１つの機能性材料に持たせているために、パターニングの点において加工精度が低く解像力が不充分であるという欠点がある。
【０００７】
したがって、この発明の目的は、上記課題について鑑み、高精度で透明平坦膜を加工することのできる固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上にアクリル系樹脂を用いて透明平坦膜を形成する工程と、前記半導体基板上の固体撮像素子の受光部に対応するように前記透明平坦膜上にノボラック系樹脂を用いてマイクロレンズパターンを形成する工程と、前記マイクロレンズパターンを加熱する工程と、ノボラック系樹脂を用いてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記透明平坦膜をドライエッチングする工程と、ケトン基を有する有機溶剤を用いて前記レジストパターンを洗浄により除去する工程とを有し、レジストパターンは、透明平坦膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度よりも低温で形成する。
【００１３】
このように、透明平坦膜をドライエッチングにより加工するので、透明平坦膜の機能性材料としては感光性を有しないアクリル系樹脂を用いることができる。また、ドライエッチングにより透明平坦膜を加工する際のレジストパターンを高解像力のノボラック系樹脂を用いるので、高い精度で透明平坦膜を加工することができる。また、マイクロレンズパターンを加熱して熱硬化させ、ケトン基を有する有機溶剤を用いてレジストパターンを洗浄により除去するので、アクリル系樹脂からなる透明平坦膜およびノボラック系樹脂からなるマイクロレンズの耐溶剤性が充分あるので、マイクロレンズ表面に表面荒れをきたすことなく、レジストパターンを除去することができ、マイクロレンズの集光率を低下させることはない。
ここで、レジストパターンを、透明平坦膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度よりも低温で形成することにより、透明平坦膜とマイクロレンズとに比べてレジストパターンの剥離液への溶解速度が速くなり、レジストパターン除去時のマイクロレンズの膨潤および収縮、または剥離液への溶出によるマイクロレンズの表面荒れを低減させることができる。
【００１４】
請求項２記載の固体撮像装置の製造方法は、請求項１において、有機溶剤がアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノンから選ばれる。このようにケトン基を有する有機溶剤として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノンから選択して用いることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態の固体撮像装置およびその製造方法を図１および図２に基づいて説明する。
図１はこの発明の実施の形態の固体撮像装置の断面図を示す。
図１において、２１は半導体基板、２２は半導体基板２１の上に形成された固体撮像素子の受光部、２３はボンディングパッド部、２４はスクライブレーン、２５は透明平坦膜、２６は受光部２２上に対峙して形成されたマイクロレンズである。透明平坦膜２５は、透明性、平坦化性およびドライエッチング性の優れたアクリル系樹脂材料を用いて半導体基板２１の上に形成されている。マイクロレンズ２６は、熱可塑性および熱硬化性を持つ感光性ノボラック系樹脂材料を用いて透明平坦膜２５の上に形成されている。
【００１７】
つぎに、この固体撮像装置の製造方法について図２を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｄ）はこの発明の実施の形態の固体撮像装置の製造方法における工程順断面図を示す。
はじめに、図２（ａ）に示すように、半導体基板２１の表面に形成された受光部２２、ボンディングパッド部２３およびスクライブレーン２４などの凹凸を平滑化するために、波長４００〜７００ｎｍの可視光に透明性を持ち、かつドライエッチング性を有するアクリル系樹脂材料を用いて透明平坦膜２５を形成する。
【００１８】
次に図２（ｂ）に示すように、透明平坦膜２５の上に熱可塑性および熱硬化性を持つ感光性ノボラック系樹脂材料を滴下し、半導体基板２１を回転させることによりマイクロレンズ２６の材料を塗布した後、加熱して塗布膜中の溶剤を蒸発させる。所望のパターンを持つマスクを介して露光した後、露光部分を未露光部分の溶解度の差を利用して現像することにより、マイクロレンズパターンを形成する。熱可塑性および熱硬化性を持つマイクロレンズパターンを加熱し、液状化と同時に熱硬化させることにより、半球状のマイクロレンズ２６を形成する。
【００１９】
次に図２（ｃ）に示すように、マイクロレンズ２６上に感光性ノボラック系樹脂材料を滴下し半導体基板２１を回転させることによりレジストパターン２７の材料を塗布した後、マイクロレンズ形成工程の加熱温度よりも低い温度で加熱して塗布膜中の溶剤を蒸発させる。そして、所望のパターンを持つマスクを介して露光し、露光部分を未露光部分の溶解度の差を利用して現像した後、膜硬度を高めるためにマイクロレンズ形成工程の加熱温度よりも低い温度で加熱することにより、レジストパターン２７を形成する。レジストパターン２７は、ワイヤボンディングやダイシング等の後工程で露呈していることが必要となるボンディングパッド部２３やスクライブレーン２４などの上には形成しない。
【００２０】
この後、図２（ｄ）に示すように、レジストパターン２７をマスクとして、ＣＦ_４やＯ_２などのガスを用いて透明平坦膜２５をドライエッチングし、ボンディングパッド部２３やスクライブレーン２４などを露呈させる。
最後に、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノンを主成分とする溶剤を剥離液として用いてディップ式洗浄またはスプレー式洗浄によりレジストパターン２７を溶解し、除去する。この時の断面図を図１に示す。その後にイソプロピルアルコールにより剥離液を置換し、洗浄する。
【００２１】
以上のように、この実施の形態によれば、透明平坦膜２５をドライエッチングにより加工するので、透明平坦膜２５の機能性材料としては感光性を有する必要はない。従来の技術においては可視光透明性と遠紫外感光性という相反する２つの機能を１つの材料に持たせる必要があるために解像力の点で透明平坦膜の加工精度が不充分であったが、この実施の形態では透明平坦膜２５をドライエッチングにより加工することで前述の２つの機能を合わせ持つ必要はなくなり、また加工精度の点においても従来のように透明平坦膜の解像力で律速されることはない。つまり、半導体製造工程において繁用されている高解像力のノボラック系樹脂からなるレジスト材料などを用いてドライエッチングにより加工することで、高い精度で透明平坦膜２５を加工することができる。
【００２２】
また、レジストパターン２７を除去する工程において、レジスト剥離液として繁用されている有機アミン系溶剤と用いると、ノボラック系樹脂を用いて形成されたマイクロレンズ２６の耐溶剤性が充分ではないために、マイクロレンズ２６の膨潤および収縮、または、剥離液へのマイクロレンズ２６の溶出などにより、レジストパターン２７を除去する時にマイクロレンズ２６表面に表面荒れをきたし、マイクロレンズ２６の集光力を低下させてしまう。
【００２３】
そのため、ケトン基を有する有機溶媒、好ましくはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノンから選ばれる有機溶媒を剥離液として用いると、アクリル系樹脂からなる透明平坦膜２５およびノボラック系樹脂からなるマイクロレンズ２６の耐溶剤性が充分あるので、マイクロレンズ２６表面に表面荒れをきたすことなく、レジストパターン２７を除去することができ、マイクロレンズ２６の集光率を低下させることはない。
【００２４】
また、同じノボラック系樹脂を用いてマイクロレンズ２６とレジストパターン２７とを形成しても、透明平坦膜２５およびマイクロレンズ２６の形成時の加熱最高温度よりも充分低い温度でレジストパターン２７を形成することにより、透明平坦膜２５とマイクロレンズ２６とに比べてレジストパターン２７の剥離液への溶解速度を速くする。これにより、レジストパターン２７の除去時のマイクロレンズ２６の膨潤および収縮、または、剥離液への溶出によるマイクロレンズ２６の表面荒れを低減させることができる。
【００２５】
また、この固体撮像装置の製造方法によると、マイクロレンズ２６を形成する工程の後に透明平坦膜２５を加工するので、マイクロレンズ２６を形成するときの透明平坦膜２５はボンディングパッド部２３およびスクライブレーン２４などを平坦に覆っており、透明平坦膜２５の加工後に比べて平坦性の優れた状態にある。透明平坦膜２５を加工した後にマイクロレンズ２６を形成する場合に比べて、より平坦性の高い状態でマイクロレンズ２６を形成することができるので、マイクロレンズ材料の塗布膜厚均一性および露光・現像によるパターン寸法均一性が向上し、より形状均一性の高いマイクロレンズ２６を得ることができる。
【００２６】
なお、この実施の形態では、半導体基板２１上に透明平坦膜２５およびマイクロレンズ２６を形成する白黒の固体撮像装置の製造方法について示したが、受光部２２の上に対峙してマイクロレンズ２６の下にカラーフィルタを形成するカラーの固体撮像装置を製造する場合にも同様の効果が得られる。また、この発明は特許請求の範囲に示されているとおりであり、上記実施の形態に限られるものではない。
【００２９】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の固体撮像装置の製造方法によれば、透明平坦膜をドライエッチングにより加工するので、透明平坦膜の機能性材料としては感光性を有しないアクリル系樹脂を用いることができる。また、ドライエッチングにより透明平坦膜を加工する際のレジストパターンを高解像力のノボラック系樹脂を用いるので、高い精度で透明平坦膜を加工することができる。また、マイクロレンズパターンを加熱して熱硬化させ、ケトン基を有する有機溶剤を用いてレジストパターンを洗浄により除去するので、アクリル系樹脂からなる透明平坦膜およびノボラック系樹脂からなるマイクロレンズの耐溶剤性が充分あるので、マイクロレンズ表面に表面荒れをきたすことなく、レジストパターンを除去することができ、マイクロレンズの集光率を低下させることはない。
ここで、レジストパターンを、透明平坦膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度よりも低温で形成することにより、透明平坦膜とマイクロレンズとに比べてレジストパターンの剥離液への溶解速度が速くなり、レジストパターン除去時のマイクロレンズの膨潤および収縮、または剥離液への溶出によるマイクロレンズの表面荒れを低減させることができる。
【００３０】
請求項２では、ケトン基を有する有機溶剤として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノンから選択して用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態の固体撮像装置の断面図である。
【図２】この発明の実施の形態の固体撮像装置の製造方法における工程順断面図である。
【図３】従来の固体撮像装置の製造方法における工程順断面図である。
【符号の説明】
２１半導体基板
２２受光部
２３ボンディングパッド部
２４スクライブレーン
２５透明平坦膜
２６マイクロレンズ
２７レジストパターン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
This invention relates to a manufacturing method of a solid-state imaging equipment.
[0002]
[Prior art]
In recent years, solid-state imaging devices have been reduced in size and increased in number of pixels.
Along with the miniaturization, it is necessary to improve the processing accuracy of the part including the peripheral part other than the pixel in the method for manufacturing the solid-state imaging device.
In addition, with the increase in the number of pixels, it is necessary to take measures against a decrease in sensitivity due to the reduction in the area of the light receiving unit of the solid-state imaging device. A microlens with is used.
[0003]
First, a conventional solid-state imaging device and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS.
In FIG. 3, 1 is a semiconductor substrate, 2 is a light receiving portion of a solid-state imaging device formed on the semiconductor substrate 1, 3 is a bonding pad portion, 4 is a scribe lane, 5 is a transparent flat film, and 6 is on the light receiving portion 2. , 8 is a mask, and 9 is far ultraviolet light.
[0004]
First, in order to smooth the irregularities such as the light receiving portion 2, the bonding pad portion 3, and the scribe lane 4 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, the visible light having a wavelength of 400 to 700 nm is transparent, and far ultraviolet The transparent flat film 5 is formed using a material that is sensitive to light. A cross-sectional view at this time is shown in FIG.
Next, a material having thermoplasticity and thermosetting property is dropped on the transparent flat film 5, the material of the microlens 6 is applied by rotating the semiconductor substrate 1, and then the solvent in the coating film is evaporated by heating. Let After exposure through a mask having a desired pattern, a microlens pattern is formed by developing the exposed portion using the difference in solubility of the unexposed portion. A hemispherical microlens 6 is formed by heating a microlens pattern having thermoplasticity and thermosetting property and thermally curing simultaneously with liquefaction. A cross-sectional view at this time is shown in FIG.
[0005]
Next, the transparent flat film 5 is selectively exposed on the microlens 6 with far ultraviolet light 9 through a mask 8 having a desired pattern. A cross-sectional view at this time is shown in FIG.
Next, after developing using the difference in solubility between the exposed portion and the unexposed portion of the transparent flat film 5, the transparent flat film 5 is processed by heating for drying. A cross-sectional view at this time is shown in FIG.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional technique, the transparent flat film 5 has transparency in visible light and sensitivity in the far ultraviolet light 9 in one functional material. There is a drawback that the processing accuracy is low and the resolving power is insufficient in terms of patterning.
[0007]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a solid-state imaging equipment that can view the above problems, processing the transparent flat film with high accuracy.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention includes a step of forming a transparent flat film using an acrylic resin on a semiconductor substrate, and A step of forming a microlens pattern on the transparent flat film using a novolac resin, a step of heating the microlens pattern, a step of forming a resist pattern using a novolac resin, A step of dry-etching the transparent flat film using a resist pattern as a mask; and a step of removing the resist pattern by washing with an organic solvent having a ketone group . The resist pattern comprises a transparent flat film and a microlens. It is formed at a temperature lower than the temperature of the forming process .
[0013]
Thus, since the transparent flat film is processed by dry etching, an acrylic resin having no photosensitivity can be used as the functional material of the transparent flat film. Further, since the novolac resin having a high resolution is used for the resist pattern when the transparent flat film is processed by dry etching, the transparent flat film can be processed with high accuracy. In addition, the microlens pattern is heated and thermally cured, and the resist pattern is removed by washing with an organic solvent having a ketone group. Therefore, the transparent flat film made of an acrylic resin and the solvent resistance of a microlens made of a novolac resin Therefore, the resist pattern can be removed without causing surface roughness on the surface of the microlens, and the light collection rate of the microlens is not reduced.
Here, by forming the resist pattern at a temperature lower than the temperature of the process of forming the transparent flat film and the microlens, the dissolution rate of the resist pattern in the stripping solution becomes faster than the transparent flat film and the microlens. Further, it is possible to reduce the surface roughness of the microlens due to swelling and shrinkage of the microlens during removal of the resist pattern or elution into the stripping solution.
[0014]
The process according to claim 2 solid-state imaging device described in claim 1, the organic solvent is acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl n-butyl ketone or 3-methyl-4-pentanone Chosen from. As such an organic solvent having a ketone group, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl normal propyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl normal butyl ketone or 3-methyl-4-pentanone can be used.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A solid-state imaging device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a sectional view of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
In FIG. 1, 21 is a semiconductor substrate, 22 is a light-receiving portion of a solid-state imaging device formed on the semiconductor substrate 21, 23 is a bonding pad portion, 24 is a scribe lane, 25 is a transparent flat film, and 26 is on the light-receiving portion 22. It is a microlens formed to face. The transparent flat film 25 is formed on the semiconductor substrate 21 using an acrylic resin material that is excellent in transparency, flatness, and dry etching. The microlens 26 is formed on the transparent flat film 25 using a photosensitive novolac resin material having thermoplasticity and thermosetting property.
[0017]
Next, a method for manufacturing the solid-state imaging device will be described with reference to FIG. 2A to 2D are sectional views in order of steps in the method for manufacturing a solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
First, as shown in FIG. 2A, visible light having a wavelength of 400 to 700 nm is used to smooth unevenness such as the light receiving portion 22, the bonding pad portion 23, and the scribe lane 24 formed on the surface of the semiconductor substrate 21. The transparent flat film 25 is formed using an acrylic resin material having transparency and dry etching properties.
[0018]
Next, as shown in FIG. 2B, a photosensitive novolac resin material having thermoplasticity and thermosetting property is dropped on the transparent flat film 25, and the semiconductor substrate 21 is rotated to rotate the material of the microlens 26. After coating, the solvent in the coating film is evaporated by heating. After exposure through a mask having a desired pattern, a microlens pattern is formed by developing the exposed portion using the difference in solubility of the unexposed portion. A hemispherical microlens 26 is formed by heating a microlens pattern having thermoplasticity and thermosetting property and thermosetting simultaneously with liquefaction.
[0019]
Next, as shown in FIG. 2C, after a photosensitive novolac resin material is dropped on the microlens 26 and the semiconductor substrate 21 is rotated to apply a resist pattern 27 material, heating in the microlens formation step is performed. The solvent in the coating film is evaporated by heating at a temperature lower than the temperature. Then, after exposing through a mask having a desired pattern and developing the exposed part using the difference in solubility of the unexposed part, the temperature is lower than the heating temperature in the microlens forming process in order to increase the film hardness. A resist pattern 27 is formed by heating. The resist pattern 27 is not formed on the bonding pad portion 23 or the scribe lane 24 that needs to be exposed in a subsequent process such as wire bonding or dicing.
[0020]
Thereafter, as shown in FIG. 2D, the transparent flat film 25 is dry-etched using a gas such as CF ₄ or O ₂ using the resist pattern 27 as a mask, and the bonding pad portion 23, the scribe lane 24, and the like are formed. Expose.
Finally, dip cleaning or spraying using a solvent mainly composed of acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl normal propyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl normal butyl ketone or 3-methyl-4-pentanone as a stripping solution The resist pattern 27 is dissolved and removed by washing. A cross-sectional view at this time is shown in FIG. Thereafter, the stripping solution is replaced with isopropyl alcohol and washed.
[0021]
As described above, according to this embodiment, since the transparent flat film 25 is processed by dry etching, the functional material of the transparent flat film 25 does not need to have photosensitivity. In the prior art, since it is necessary to give two materials contradictory functions of visible light transparency and far ultraviolet sensitivity to one material, the processing accuracy of the transparent flat film was insufficient in terms of resolving power. In this embodiment, by processing the transparent flat film 25 by dry etching, it is not necessary to have the two functions described above, and the processing accuracy is limited by the resolution of the transparent flat film as in the past. There is no. That is, the transparent flat film 25 can be processed with high accuracy by processing by dry etching using a resist material made of a high-resolution novolak resin that is frequently used in the semiconductor manufacturing process.
[0022]
Further, in the step of removing the resist pattern 27, if an organic amine solvent that is frequently used as a resist stripping solution is used, the solvent resistance of the microlens 26 formed using the novolak resin is not sufficient. When the resist pattern 27 is removed due to swelling and contraction of the microlens 26 or elution of the microlens 26 in a stripping solution, the surface of the microlens 26 is roughened, and the light collecting power of the microlens 26 is reduced. End up.
[0023]
Therefore, an organic solvent having a ketone group, preferably an organic solvent selected from acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl normal propyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl normal butyl ketone or 3-methyl-4-pentanone is used as the stripping solution. Since the transparent flat film 25 made of acrylic resin and the microlens 26 made of novolac resin have sufficient solvent resistance, the resist pattern 27 can be removed without causing surface roughness on the surface of the microlens 26. The condensing rate of the microlens 26 is not reduced.
[0024]
Even if the microlens 26 and the resist pattern 27 are formed using the same novolac resin, the resist pattern 27 is formed at a temperature sufficiently lower than the maximum heating temperature when the transparent flat film 25 and the microlens 26 are formed. As a result, the dissolution rate of the resist pattern 27 in the stripping solution is increased as compared with the transparent flat film 25 and the microlens 26. Thereby, the surface roughness of the microlens 26 due to the swelling and contraction of the microlens 26 at the time of removing the resist pattern 27 or the elution into the stripping solution can be reduced.
[0025]
Further, according to the method for manufacturing the solid-state imaging device, the transparent flat film 25 is processed after the step of forming the microlens 26. Therefore, the transparent flat film 25 when the microlens 26 is formed is formed of the bonding pad portion 23 and the scribe lane. 24 and the like are covered flat, and the flatness is superior to that after the transparent flat film 25 is processed. Compared with the case where the microlens 26 is formed after the transparent flat film 25 is processed, the microlens 26 can be formed with higher flatness, so that the coating film thickness uniformity and exposure / development of the microlens material can be improved. Thus, the pattern dimension uniformity is improved, and the microlens 26 with higher shape uniformity can be obtained.
[0026]
In this embodiment, a method for manufacturing a black and white solid-state imaging device in which the transparent flat film 25 and the microlens 26 are formed on the semiconductor substrate 21 has been described. However, the microlens 26 is opposed to the light receiving unit 22. The same effect can be obtained when manufacturing a color solid-state imaging device in which a color filter is formed below. Further, the present invention is as shown in the claims, and is not limited to the above embodiment.
[0029]
【The invention's effect】
According to the manufacturing method of the solid-state imaging device according to claim 1, wherein the present invention, since the machining by dry etching a transparent flat film, as the functional material of the transparent flat film be used an acrylic resin having no photosensitive it can. Further, since the novolac resin having a high resolution is used for the resist pattern when the transparent flat film is processed by dry etching, the transparent flat film can be processed with high accuracy. In addition, the microlens pattern is heated and thermally cured, and the resist pattern is removed by washing with an organic solvent having a ketone group. Therefore, the transparent flat film made of an acrylic resin and the solvent resistance of a microlens made of a novolac resin Therefore, the resist pattern can be removed without causing surface roughness on the surface of the microlens, and the light collection rate of the microlens is not reduced.
Here, by forming the resist pattern at a temperature lower than the temperature of the process of forming the transparent flat film and the microlens, the dissolution rate of the resist pattern in the stripping solution becomes faster than the transparent flat film and the microlens. Further, it is possible to reduce the surface roughness of the microlens due to swelling and shrinkage of the microlens during removal of the resist pattern or elution into the stripping solution.
[0030]
In claim 2 , the organic solvent having a ketone group can be selected from acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl normal propyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl normal butyl ketone or 3-methyl-4-pentanone. The
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view in order of steps in the method of manufacturing a solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view in order of steps in a conventional method for manufacturing a solid-state imaging device.
[Explanation of symbols]
21 Semiconductor substrate 22 Light receiving part 23 Bonding pad part 24 Scribe lane 25 Transparent flat film 26 Micro lens 27 Resist pattern

Claims

Forming a transparent flat film using an acrylic resin on a semiconductor substrate; and a microlens pattern using a novolac resin on the transparent flat film so as to correspond to a light receiving portion of a solid-state imaging device on the semiconductor substrate. A step of heating the microlens pattern, a step of forming a resist pattern using a novolac resin, a step of dry etching the transparent flat film using the resist pattern as a mask, and a ketone group And a step of removing the resist pattern by washing using an organic solvent having the resist pattern, wherein the resist pattern is formed at a temperature lower than the temperature of the step of forming the transparent flat film and the microlens. Manufacturing method.

2. The method of manufacturing a solid-state imaging device according to claim 1 , wherein the organic solvent is selected from acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl normal propyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl normal butyl ketone, or 3-methyl-4-pentanone .