JP3661571B2

JP3661571B2 - Wiring formation method

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Publication number: JP3661571B2
Application number: JP2000207388A
Authority: JP
Inventors: 達也下田; 悟宮下; 聡井上; 方哉石田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-07-07
Filing date: 2000-07-07
Publication date: 2005-06-15
Anticipated expiration: 2020-07-07
Also published as: JP2002026014A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特殊な構造体に配線を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子を画素として備える有機ＥＬ表示体は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆動が可能であること、応答性が高速であること、固体有機膜による発光であることから、表示性能に優れているとともに、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能であるため、将来的に液晶表示体に代わるものとして期待されている。
【０００３】
特に、駆動方式がアクティブマトリックス方式であるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体は、画素毎に駆動用のトランジスタを備えているため、高輝度での高精細化が可能であり、多階調化や表示体の大型化に対応できる。このトランジスタとしては、透明で大面積の基板上に有機ＥＬ表示体を形成するために、ガラス基板に形成可能な、低温多結晶シリコン膜を活性層とする薄膜トランジスタを使用することが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体では、各画素毎に薄膜トランジスタを形成する必要があるが、これを表示体基板に直接形成すると、画素数の増加に伴って、性能不良の薄膜トランジスタが形成される可能性が高くなる。
【０００５】
これに対して、各画素用の薄膜トランジスタを、表示用基板とは別の基板上に多数個並列に形成し、これを単位ブロックに分割して各単位ブロックのトランジスタ性能を検査し、良品のみを表示体用基板の各画素位置に配置すれば、表示体用基板上に性能不良の薄膜トランジスタが形成されないようにすることができる。この場合には、単位ブロックの表面にトランジスタの端子を形成しておき、表示用基板の各画素位置に単位ブロックを配置した後に、この端子を使用して各単位ブロックのトランジスタを配線で接続する必要がある。
【０００６】
本発明は、このような特殊な構造体の端子間に、配線を簡単に形成する方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、この構造体の表面に親液性（液体によって濡れ易い性質）の絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、配線形成材料として導電性材料または導電性材料の前駆体と溶剤とを含む液体を用い、この液体をインクジェット法により前記貫通孔を含む配線形成部に配置した後、この配置された液体から溶剤を蒸発させる処理と導電性材料の前駆体を使用した場合にはこの前駆体を導電性材料にする処理を行うことを特徴とする配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第１の方法と定義する。
【０００８】
この方法で使用可能な液体（配線形成材料）としては、導電性材料からなる微粒子が溶剤に分散されている液体や、導電性高分子または導電性高分子の前駆体が溶剤に溶けている溶液が挙げられる。導電性材料からなる微粒子としては、金、銀、または銅を含む微粒子が挙げられる。導電性高分子としてはポリチオフェン、ポリアニリン等が挙げられる。導電性高分子の前駆体としては、ポリチオフェンの前駆体、ポリアニリンの前駆体等が挙げられる。溶剤としては、水やアルコール等の極性溶剤が挙げられる。
【０００９】
本発明はまた、前記第１の方法において、前記絶縁膜上にこの絶縁膜とは異なる材料からなり表面が撥液性である被膜を形成し、この被膜の配線形成部に相当する部分を除去した後、この除去された部分に前記液体をインクジェット法により配置する配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第２の方法と定義する。
【００１０】
第２の方法では、前記被膜を自己組織化膜とすることが好ましい。
第２の方法では、前記絶縁膜をポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールとし、フルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形成することが好ましい。フルオロアルキルシランとしては、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００１１】
本発明において「自己組織化膜」とは、膜形成面の構成原子と結合可能な官能基が直鎖分子に結合されている化合物を、気体または液体の状態で膜形成面と共存させることにより、前記官能基が膜形成面に吸着して膜形成面の構成原子と結合し、直鎖分子を外側に向けて形成された緻密な単分子膜である。この単分子膜は、化合物の膜形成面に対する自発的な化学吸着によって形成されることから、自己組織化膜と称される。
【００１２】
なお、自己組織化膜については、Ａ．Ｕｌｍａｎ著の「ＡｎＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏＵｌｔｒａｔｈｉｎＯｒｇａｎｉｃＦｉｌｍｆｒｏｍＬａｎｇｍｕｉｒ−ＢｌｏｄｇｅｔｔｔｏＳｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ」（ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓＩｎｃ．Ｂｏｓｔｏｎ，１９９１）の第３章に詳細に記載されている。
【００１３】
親水性の膜形成面（ヒドロキシル基等の親水基が存在する膜形成面）に対してフルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形成すると、フルオロアルキルシランのシリル基と膜形成面のヒドロキシル基との間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子の末端にフルオロアルキル基（ＣＦ₃（ＣＦ₂）_n−）が配置されるため、得られる自己組織化膜の表面は撥液性（液体によって濡れ難い性質）となる。
【００１４】
したがって、第２の方法において、絶縁膜をポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコール（親水基を含む分子からなる物質）で構成することによって膜形成面を親水性とし、自己組織化膜の材料としてフルオロアルキルシランを用いれば、前記絶縁膜の上に形成された自己組織化膜の表面は撥液性となる。
本発明はまた、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、この構造体の表面に絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁膜上および前記貫通孔内にアミノ基またはチオール基を有する化合物からなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外に相当する部分を除去した後、無電解めっきを行うことにより、前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第３の方法と定義する。
【００１５】
第３の方法では、前記被膜をアミノ基またはチオール基が表面に配置された自己組織化膜とすることが好ましい。第３の方法では、前記絶縁膜はポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなり、アミノ基またはチオール基を有する、メトキシシラン類、エトキシシラン類、またはクロロシラン類を用いて自己組織化膜を形成することが好ましい。自己組織化膜の材料としては、アミノプロピルトリエトキシシランおよびメルカプトプロピルトリエトキシシランを用いることが特に好ましい。
【００１６】
第３の方法では、無電解めっきの前処理としてパラジウムを付着させる処理を行うことが好ましい。
ここで、第３の方法において、前記絶縁膜の表面を親水性の面（ヒドロキシル基等の親水基が存在する面）とし、自己組織化膜の材料として、例えば、アミノプロピルトリエトキシシランまたはメルカプトプロピルトリエトキシシランを用いれば、これらの化合物のシリル基と絶縁膜表面のヒドロキシル基との間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子の末端にアミノ基またはチオール基が配置される。これにより、この自己組織化膜の表面にアミノ基またはチオール基が存在する。
【００１７】
そして、アミノ基およびチオール基はパラジウムと配位結合すると考えられるため、この配位結合力により、この自己組織化膜の表面にパラジウム化合物が安定的に存在できると推測される。
したがって、この自己組織化膜の残存部分に無電解パラジウムめっきを行うか、パラジウムを付着させる処理を行った後に無電解めっきを行うことにより、この部分にのみ無電解めっき膜が付着するようになる。そして、この部分は配線形成部に相当するため、この第３の方法によって無電解めっき膜からなる配線が形成される。
【００１８】
本発明はまた、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、この構造体の表面に絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁膜上および前記貫通孔内にチオール基を有する化合物からなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外の部分を除去した後、有機金属化合物または金属錯体を含む液体をこの被膜上に供給して加熱処理することにより、前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第４の方法と定義する。
【００１９】
第４の方法では、金、銀、銅、イリジウム、ガリウム、または砒素からなる金属原子を構成原子として有する有機金属化合物または金属錯体を使用することが好ましい。
第４の方法では、前記被膜をチオール基が表面に配置された自己組織化膜とすることが好ましい。第４の方法では、前記絶縁膜はポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなり、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランまたは３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いて自己組織化膜を形成することが好ましい。
【００２０】
チオール基は、金、銀、銅、イリジウム、ガリウム、砒素等の金属と、共有結合に近い結合力で安定的に結合する。これらの金属原子は、有機金属化合物を構成する金属や、金属錯体の中心元素として存在する原子である。
ここで、第４の方法において、前記絶縁膜の表面を親水性の面（ヒドロキシル基等の親水基が存在する面）とし、自己組織化膜の材料として、例えば、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いれば、これらの化合物のシリル基と絶縁膜表面のヒドロキシル基との間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子の末端にチオール基が配置される。これにより、この自己組織化膜の表面にチオール基が存在する。
【００２１】
したがって、金、銀、銅、イリジウム、ガリウム、砒素等の金属原子を構成原子とする有機金属化合物または金属錯体を含む液体を、この自己組織化膜上に供給して加熱することにより、有機金属化合物または金属錯体の前記金属原子とチオール基に結合が生じてこの金属原子から配位子が外れ、自己組織化膜の残存部分にのみ前記金属原子からなる導電層が形成される。そして、この部分は配線形成部に相当するため、この第４の方法によって配線が形成される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
〔第１実施形態〕
図１〜４を用いて、本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明する。
先ず、図３に示すように、単位ブロック３９の微細構造（トランジスタ等の素子を含む回路）を、シリコンウエハ４１上に多数個並列に形成する。次に、このシリコンウエハ４１を分割線５１で分割することにより、多数の単位ブロック３９を得る。各単位ブロック３９の表面には素子の端子が形成されている。
【００２３】
一方、図１（ａ）に示すように、ガラス基板５２には、エッチング等の工程により、単位ブロック３９を配置する位置に窪み５４を設けておく。単位ブロック３９の端面はシリコン単結晶の劈開面に沿って斜めに切断されているため、ガラス基板５２の窪み５４の内壁面を、この単位ブロック３９の斜面に合わせた形状にしておく。また、ガラス基板５２の表面の所定位置に端子５２Ａ，５２Ｂを予め形成しておく。
【００２４】
そして、図４に示すように、このガラス基板５２と単位ブロック３９を液体５３中に入れ、単位ブロック３９をガラス基板５２の表面（窪み５４が形成されている面）に沿って流動させることにより、単位ブロック３９を窪み５４に嵌め入れる。その結果、単位ブロック３９がガラス基板５２の所定位置に配置された構造体Ｋが得られる。図１（ｂ）はこの状態を示す。この構造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，３９Ｂとガラス基板５２に直接形成された端子５２Ａ，５２Ｂが露出している。
【００２５】
次に、図１（ｃ）に示すように、この構造体Ｋの表面（各端子が露出している面）全体に対して、ポリビニルピロリドンからなる被膜１を形成する。この被膜１は、例えば、ポリビニルピロリドンをメタノール等の溶剤に溶かした溶液をスピンコート法で塗布した後、溶剤を蒸発させることにより形成できる。この被膜１は、この構造体Ｋの表面の保護膜且つ絶縁膜であるとともに、単位ブロック３９を窪み５４内に固定する固定化膜としても機能する。この被膜１の厚さは例えば２〜３μｍとする。
【００２６】
次に、図１（ｄ）に示すように、この被膜１の単位ブロック３９の端子３９Ａの部分に、インクジェット装置のヘッド２からメタノール３を吐出する。これにより、ポリビニルピロリドンはメタノールに溶解するため、被膜１の端子３９Ａの部分がメタノール３で破壊される。その結果、被膜１に貫通孔１０が形成されて端子３９Ａが露出する。単位ブロック３９の端子３９Ａと接続するガラス基板５２の端子５２Ａについても、これと同様にインクジェット法で貫通孔１０を形成する。インクジェット装置のヘッド２の吐出孔の直径は例えば３０μｍ程度とする。
【００２７】
次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所定の液体で洗浄すること等により、被膜１の表面および貫通孔１０内に残存するメタノールを除去する。この洗浄用の液体としては、ポリビニルピロリドン被膜１および端子３９Ａ，５２Ａを溶解させない液体を用いる。
次に、図２（ａ）に示すように、金属微粒子が溶剤中に分散された液体７を、インクジェット装置のヘッド２から、被覆１の端子５２Ａ上の貫通孔１０から端子３９Ａ上の貫通孔１０まで連続して吐出する。この液体７は、図２（ｂ）に示すように、両貫通孔１０には被膜１の上側までかかるような十分な量を充填し、貫通孔１０が両貫通孔１０間の被膜１上には配線幅に応じた所定幅で吐出する。次に、この構造体Ｋを加熱装置に入れて加熱するか、減圧装置に入れて減圧することによって、図２（ｂ）の状態の液体７から溶剤を蒸発させる。
【００２８】
これにより、図２（ｃ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７に含まれていた金属微粒子からなる。
〔第２実施形態〕
図５および６を用いて本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明する。
【００２９】
先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体Ｋの作製とこの構造体Ｋの表面に対するポリビニルアルコール被膜（絶縁膜）１Ａの形成を行う。ただし、ポリビニルアルコール被膜１Ａの形成は、例えばポリビニルアルコール水溶液を用いて行う。図５（ａ）はこの状態を示す。
次に、この構造体Ｋとヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシランを同一の密閉容器に入れて、５時間１２０℃で放置することにより、被膜１Ａの上に自己組織化膜４を形成する。図５（ｂ）はこの状態を示す。ここで、ポリビニルアルコール被膜１Ａの上にヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシランを用いて形成された自己組織化膜４の表面は撥液性となる。
【００３０】
次に、図５（ｃ）に示すように、自己組織化膜４の上に、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａの位置に紫外線透過部５Ａを有するフォトマスク５を置き、このフォトマスク５を介して自己組織化膜４に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。ここで、自己組織化膜４の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、図５（ｄ）に示すように、自己組織化膜４の端子３９Ａ，５２Ａの位置に貫通孔４Ａが形成される。
【００３１】
次に、図５（ｅ）に示すように、これらの貫通孔４Ａに、インクジェット装置のヘッド２から水３０を吐出する。ここで、前述のように、自己組織化膜４の表面は撥液性であるため、極性溶媒である水３０は、自己組織化膜４の表面に止まらずに貫通孔４Ａ内に積極的に入る。図５（ｆ）はこの状態を示す。これにより、貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコール被膜１Ａの部分が水３０で効率的に破壊される。その結果、ポリビニルアルコール被膜１Ａの端子３９Ａ，５２Ａに対応する部分に貫通孔１０が形成されて、端子３９Ａ，５２Ａが露出する。図５（ｅ）はこの状態を示す。
【００３２】
次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所定の液体で洗浄すること等により、被膜１Ａの貫通孔１０内に残存する水を除去する。この洗浄用の液体としては、ポリビニルアルコール被膜１Ａおよび端子３９Ａ，５２Ａを溶解させない液体を用いる。
次に、図６（ａ）に示すように、自己組織化膜４の上に、配線パターンに応じた紫外線透過部８Ａが形成されているフォトマスク８を置き、このフォトマスク８を介して自己組織化膜４に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。ここで、自己組織化膜４の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、自己組織化膜４の配線パターンに応じた部分が所定幅で除去される。図６（ｂ）はこの状態を示す。
【００３３】
この状態で、金属微粒子が溶剤中に分散された液体７を、インクジェット装置のヘッド２から、被膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている部分４５に吐出する。この液体７は、図６（ｃ）に示すように、両貫通孔１０には被膜１Ａの上側までかかるような十分な量を充填し、貫通孔１０が両貫通孔１０間の被膜１Ａ上には配線幅に応じた所定幅で吐出する。次に、この構造体Ｋを加熱装置に入れて加熱するか、減圧装置に入れて減圧することによって、図６（ｃ）の状態の液体７から溶剤を蒸発させる。
【００３４】
これにより、図６（ｄ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７に含まれていた金属微粒子からなる。ここで使用する液体７の溶剤は、極性溶媒であることが好ましい。溶剤が極性溶媒である液体７は、親水基を含む分子からなる被膜１Ａとの親和力が高いため、この被膜１Ａの貫通孔１０および被膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている部分４５内に安定的に配置される。
〔第３実施形態〕
図７を用いて本発明の第３の方法に相当する実施形態を説明する。
【００３５】
先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体Ｋの作製、この構造体Ｋの表面に対するポリビニルピロリドン被膜１の形成、被膜１に対する貫通孔１０の形成を行う。
次に、図７（ａ）に示すように、被膜１上および貫通孔１０内に、アミノプロピルトリエトキシシランを用いて自己組織化膜４０を形成する。次に、この自己組織化膜４０の上に、配線パターンに応じて配線形成部に紫外線遮蔽部８０Ａが形成されているフォトマスク８０を置き、このフォトマスク８０を介して自己組織化膜４０に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。
【００３６】
ここで、自己組織化膜４０の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、図７（ｂ）に示すように、自己組織化膜４０の配線形成部以外に相当する部分が除去されて、配線形成部に相当する部分のみが残る。
次に、この状態で、構造体Ｋを、以下のようにして調合されたパラジウム処理液に室温で２分間浸漬することにより、自己組織化膜４０の表面にパラジウムを付着させる。パラジウム処理液は以下のようにして調合する。先ず、パラジウム塩を濃度０．２重量％で、塩化水素を濃度４．０重量％で含有する水溶液を用意し、この水溶液３０ミリリットルを１リットルの水で希釈する。この液体に水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを５．２に調整する。
【００３７】
このパラジウム処理液への浸漬を行った後、この構造体Ｋを流水中で３分間洗浄する。次に、７０℃ｐＨ４．６の無電解ニッケルめっき浴に１分間浸漬することにより、無電解ニッケルめっきを行う。無電解ニッケルめっき浴としては、ニッケル塩化物を３０ｇ／リットルの濃度で、次亜燐酸ナトリウムを１０ｇ／リットルの濃度で含有するものを用いた。
【００３８】
ここで、自己組織化膜４０の表面にはアミノ基が存在するため、このアミノ基とパラジウムと配位結合によって、配線形成部に相当する部分のみに存在する自己組織化膜４０の表面にパラジウムが付着し、このパラジウム付着部分にニッケルめっき膜が形成される。これにより、図７（ｃ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが、ニッケルめっき膜からなる配線９で接続される。
〔第４実施形態〕
図８を用いて本発明の第４の方法に相当する実施形態を説明する。
【００３９】
先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体Ｋの作製、この構造体Ｋの表面に対するポリビニルピロリドン被膜１の形成、被膜１に対する貫通孔１０の形成を行う。
次に、図８（ａ）に示すように、被膜１上および貫通孔１０内に、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて自己組織化膜４８を形成する。次に、この自己組織化膜４８の上に、配線パターンに応じて配線形成部に紫外線遮蔽部８０Ａが形成されているフォトマスク８０を置き、このフォトマスク８０を介して自己組織化膜４８に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。
【００４０】
ここで、自己組織化膜４８の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、図８（ｂ）に示すように、自己組織化膜４８の配線形成部以外に相当する部分が除去されて、配線形成部に相当する部分のみが残る。
次に、この状態の構造体Ｋを、容器内に入れたクロロ（トリメチルフォスフィン）ゴールドのトルエン／キシレン溶液に浸漬し、この容器を密封状態にして８０℃で２時間放置した。ここで、自己組織化膜４８の表面にはチオール基が存在するため、このアミノ基とクロロ（トリメチルフォスフィン）ゴールドの金が結合して金原子から配位子が外れ、配線形成部に相当する部分のみに存在する自己組織化膜４８の表面に金薄膜が形成される。
【００４１】
これにより、図８（ｃ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが、金薄膜からなる配線１９で接続される。
以上のように、これらの実施形態の方法によれば、構造体Ｋの単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａを接続する配線が、容易に形成される。また、これらの実施形態の方法によれば、構造体Ｋの端子３９Ａ，５２Ａの部分に、配線間接続孔（貫通孔１０）を簡単に形成することができる。
【００４２】
特に、第２実施形態では、表面が撥液性となる自己組織化膜４を親水性のポリビニルアルコール被膜１Ａ上に形成し、極性溶媒である水３０を貫通孔４Ａ内に入れることにより、貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコール被膜１Ａの部分を水３０で効率的に破壊することができる。また、自己組織化膜４をパターニングすることにより、フォトマスク５の紫外線透過部５Ａが精度良く貫通孔４Ａに転写されるため、第１実施形態の方法よりも、配線間接続孔（貫通孔１０）の寸法精度を高くすることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の方法によれば、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体の端子間に、配線を簡単に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図２】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図３】単位ブロックの形成方法を説明する図である。
【図４】構造体の作製方法を説明する図である。
【図５】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図６】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図７】本発明の第３の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図８】本発明の第４の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【符号の説明】
１被膜（絶縁膜）
１Ａ被膜（絶縁膜）
１０被膜の貫通孔（配線間接続孔）
２インクジェット装置のヘッド
３メタノール
３０水
４自己組織化膜
４Ａ自己組織化膜の貫通孔
４０自己組織化膜
４８自己組織化膜
５フォトマスク
５Ａ紫外線透過部
６紫外線
７配線材料の液体
７０銅微粒子からなる配線
８フォトマスク
８Ａ紫外線透過部
８０フォトマスク
８０Ａ紫外線遮蔽部
９めっき膜からなる配線
１９金薄膜からなる配線
３９単位ブロック
３９Ａ単位ブロックの端子
４１シリコンウエハ
５１分割線
５２ガラス基板
５２Ａガラス基板の端子
５２Ｂガラス基板の端子
５４窪み
Ｋ構造体[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for forming a wiring in a special structure.
[0002]
[Prior art]
An organic EL display comprising an organic EL element as a pixel is self-luminous with high brightness, can be driven by a DC low voltage, has high responsiveness, and emits light from a solid organic film. In addition to excellent display performance, it is possible to reduce the thickness, weight, and power consumption, so that it is expected to replace the liquid crystal display in the future.
[0003]
In particular, an active matrix organic EL display that uses an active matrix method has a driving transistor for each pixel, so that high-definition and high-definition can be achieved. It can cope with the enlargement of the body. As this transistor, in order to form an organic EL display on a transparent and large-area substrate, it is proposed to use a thin film transistor having a low-temperature polycrystalline silicon film as an active layer that can be formed on a glass substrate. .
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in an active matrix organic EL display, it is necessary to form a thin film transistor for each pixel. However, if this is formed directly on the display substrate, a thin film transistor with poor performance is produced as the number of pixels increases. The possibility of being formed is increased.
[0005]
In contrast, a large number of thin film transistors for each pixel are formed in parallel on a substrate different from the display substrate, and this is divided into unit blocks to check the transistor performance of each unit block. If it is arranged at each pixel position of the display substrate, it is possible to prevent a thin film transistor having poor performance from being formed on the display substrate. In this case, a transistor terminal is formed on the surface of the unit block, and after the unit block is arranged at each pixel position of the display substrate, the transistor of each unit block is connected by wiring using this terminal. There is a need.
[0006]
An object of the present invention is to provide a method for easily forming a wiring between terminals of such a special structure.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, the present invention provides a structure in which a terminal is formed on a surface of the unit block and / or the substrate, and the terminals are formed by a substrate and a unit block arranged at a predetermined position thereof. A method of forming a wiring for connecting the electrodes, wherein a lyophilic insulating film is formed on the surface of the structure, and a through hole is formed in a portion corresponding to the terminal of the insulating film. After the liquid is formed, a liquid containing a conductive material or a precursor of a conductive material and a solvent is used as a wiring forming material, and the liquid is disposed in the wiring forming portion including the through hole by an inkjet method. And a process for evaporating the solvent from the liquid and, when a conductive material precursor is used, a process for forming the precursor into a conductive material is provided. This method is defined as the first method of the present invention.
[0008]
Examples of the liquid (wiring forming material) that can be used in this method include a liquid in which fine particles of a conductive material are dispersed in a solvent, and a solution in which a conductive polymer or a conductive polymer precursor is dissolved in a solvent. Is mentioned. Examples of the fine particles made of a conductive material include fine particles containing gold, silver, or copper. Examples of the conductive polymer include polythiophene and polyaniline. Examples of the conductive polymer precursor include a polythiophene precursor and a polyaniline precursor. Examples of the solvent include polar solvents such as water and alcohol.
[0009]
According to the present invention, in the first method, a film made of a material different from the insulating film and having a liquid repellency is formed on the insulating film, and a portion corresponding to the wiring forming portion of the film is removed. Then, a method of forming a wiring is provided in which the liquid is disposed on the removed portion by an ink jet method. This method is defined as the second method of the present invention.
[0010]
In the second method, the film is preferably a self-assembled film.
In the second method, it is preferable that the insulating film is polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol, and a self-assembled film is formed using fluoroalkylsilane. Examples of the fluoroalkylsilane include heptadecafluorotetrahydrodecyltriethoxysilane, heptadecafluorotetrahydrodecyltrichlorosilane, tridecafluorotetrahydrooctyltrichlorosilane, and trifluoropropyltrimethoxysilane.
[0011]
In the present invention, the term “self-assembled film” means that a compound in which a functional group capable of binding to a constituent atom on a film forming surface is bonded to a linear molecule is allowed to coexist with the film forming surface in a gas or liquid state. , A dense monomolecular film formed by adsorbing the functional group to the film-forming surface and bonding with the constituent atoms of the film-forming surface, with the linear molecules facing outward. This monomolecular film is referred to as a self-assembled film because it is formed by spontaneous chemical adsorption on the film forming surface of the compound.
[0012]
Regarding the self-assembled film, A.I. It is described in detail in the third chapter of "An Induction to Ultrathin Organic Film from Langmuir-Blodgett to Self-Assembly" by Ulman (Academic Press Inc. Boston, 1991).
[0013]
When a self-assembled film is formed using fluoroalkylsilane on a hydrophilic film forming surface (film forming surface where a hydrophilic group such as a hydroxyl group exists), the silyl group of fluoroalkylsilane and the hydroxyl group of the film forming surface Since a siloxane bond is generated by hydrolysis between them and a fluoroalkyl group (CF ₃ (CF ₂ ) _n- ) is placed at the end of the linear molecule, the surface of the resulting self-assembled film is liquid repellent ( It is difficult to get wet by liquid).
[0014]
Therefore, in the second method, the insulating film is made of polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol (a substance comprising a molecule containing a hydrophilic group) to make the film forming surface hydrophilic, and fluoroalkylsilane is used as a material for the self-assembled film. If used, the surface of the self-assembled film formed on the insulating film becomes liquid repellent.
The present invention also forms a wiring that connects between these terminals in a structure that includes a substrate and unit blocks that are arranged at predetermined positions and in which terminals are formed on the surface of the unit block and / or substrate. An insulating film is formed on the surface of the structure, a through hole is formed in a portion corresponding to the terminal of the insulating film, and then an amino group or an amino group is formed on the insulating film and in the through hole. A film made of a compound having a thiol group is formed, and after removing a portion corresponding to a portion other than the wiring forming portion of the coating, electroless plating is performed to form a wiring in the remaining portion of the coating. Provided is a method for forming a wiring. This method is defined as the third method of the present invention.
[0015]
In the third method, the film is preferably a self-assembled film having amino groups or thiol groups arranged on the surface. In the third method, it is preferable that the insulating film is made of polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol, and a self-assembled film is formed using methoxysilanes, ethoxysilanes, or chlorosilanes having an amino group or a thiol group. . As a material for the self-assembled film, it is particularly preferable to use aminopropyltriethoxysilane and mercaptopropyltriethoxysilane.
[0016]
In the third method, it is preferable to perform a treatment for attaching palladium as a pretreatment for electroless plating.
Here, in the third method, the surface of the insulating film is a hydrophilic surface (surface having a hydrophilic group such as a hydroxyl group), and the material of the self-assembled film is, for example, aminopropyltriethoxysilane or mercapto When propyltriethoxysilane is used, a siloxane bond is generated by hydrolysis between the silyl group of these compounds and the hydroxyl group on the surface of the insulating film, and an amino group or a thiol group is arranged at the end of the linear molecule. Thereby, an amino group or a thiol group exists on the surface of the self-assembled film.
[0017]
And since it is thought that an amino group and a thiol group coordinate with palladium, it is estimated that a palladium compound can exist stably on the surface of this self-assembled film by this coordination bond force.
Therefore, by performing electroless palladium plating on the remaining part of the self-assembled film, or by performing electroless plating after performing a treatment for attaching palladium, the electroless plated film is attached only to this part. . Since this portion corresponds to a wiring forming portion, a wiring made of an electroless plating film is formed by the third method.
[0018]
The present invention also forms a wiring that connects between these terminals in a structure that includes a substrate and unit blocks that are arranged at predetermined positions and in which terminals are formed on the surface of the unit block and / or substrate. An insulating film is formed on the surface of the structure, a through hole is formed in a portion corresponding to the terminal of the insulating film, and then a thiol group is formed on the insulating film and in the through hole. After forming a film composed of the compound having the film and removing portions other than the wiring forming portion of the film, a liquid containing an organometallic compound or a metal complex is supplied onto the film and subjected to heat treatment, whereby the film remains. Provided is a method for forming a wiring, wherein the wiring is formed in a portion. This method is defined as the fourth method of the present invention.
[0019]
In the fourth method, it is preferable to use an organometallic compound or metal complex having a metal atom composed of gold, silver, copper, iridium, gallium, or arsenic as a constituent atom.
In the fourth method, the film is preferably a self-assembled film having thiol groups arranged on the surface. In the fourth method, it is preferable that the insulating film is made of polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol, and a self-assembled film is formed using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane or 3-mercaptopropyltriethoxysilane.
[0020]
The thiol group is stably bonded to a metal such as gold, silver, copper, iridium, gallium, and arsenic with a bonding force close to a covalent bond. These metal atoms are atoms that exist as a central element of the metal constituting the organometallic compound or the metal complex.
Here, in the fourth method, the surface of the insulating film is a hydrophilic surface (surface having a hydrophilic group such as a hydroxyl group), and the material of the self-assembled film is, for example, 3-mercaptopropyltriethoxysilane. , A siloxane bond is generated by hydrolysis between the silyl group of these compounds and the hydroxyl group on the surface of the insulating film, and a thiol group is arranged at the end of the linear molecule. Thereby, a thiol group exists on the surface of the self-assembled film.
[0021]
Therefore, by supplying a liquid containing an organometallic compound or a metal complex having metal atoms such as gold, silver, copper, iridium, gallium, and arsenic as a constituent atom to the self-assembled film and heating it, Bonding occurs between the metal atom and the thiol group of the compound or metal complex, the ligand is removed from the metal atom, and a conductive layer composed of the metal atom is formed only in the remaining part of the self-assembled film. Since this portion corresponds to a wiring forming portion, wiring is formed by the fourth method.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
[First Embodiment]
1-4, an embodiment corresponding to the first method of the present invention will be described.
First, as shown in FIG. 3, a large number of fine structures (circuits including elements such as transistors) of the unit block 39 are formed on the silicon wafer 41 in parallel. Next, the silicon wafer 41 is divided by dividing lines 51 to obtain a large number of unit blocks 39. Element terminals are formed on the surface of each unit block 39.
[0023]
On the other hand, as shown in FIG. 1A, the glass substrate 52 is provided with a recess 54 at a position where the unit block 39 is disposed by a process such as etching. Since the end face of the unit block 39 is cut obliquely along the cleavage plane of the silicon single crystal, the inner wall surface of the depression 54 of the glass substrate 52 is shaped to match the slope of the unit block 39. Further, terminals 52A and 52B are formed in advance at predetermined positions on the surface of the glass substrate 52.
[0024]
Then, as shown in FIG. 4, the glass substrate 52 and the unit block 39 are placed in a liquid 53, and the unit block 39 is caused to flow along the surface of the glass substrate 52 (the surface on which the recess 54 is formed). The unit block 39 is inserted into the recess 54. As a result, a structure K in which the unit block 39 is disposed at a predetermined position on the glass substrate 52 is obtained. FIG. 1B shows this state. On the surface of the structure K, the terminals 39A and 39B of the unit block 39 and the terminals 52A and 52B formed directly on the glass substrate 52 are exposed.
[0025]
Next, as shown in FIG.1 (c), the film 1 which consists of polyvinylpyrrolidone is formed with respect to the whole surface (surface in which each terminal is exposed) of this structure K. As shown in FIG. The coating 1 can be formed, for example, by applying a solution obtained by dissolving polyvinyl pyrrolidone in a solvent such as methanol by spin coating and then evaporating the solvent. The coating 1 is a protective film and an insulating film on the surface of the structure K, and also functions as an immobilization film that fixes the unit block 39 in the recess 54. The thickness of the coating 1 is, for example, 2 to 3 μm.
[0026]
Next, as shown in FIG. 1D, methanol 3 is discharged from the head 2 of the ink jet apparatus to the portion of the terminal 39 A of the unit block 39 of the coating 1. Thereby, since polyvinylpyrrolidone is dissolved in methanol, the portion of the terminal 39A of the coating 1 is destroyed by the methanol 3. As a result, the through hole 10 is formed in the coating 1 and the terminal 39A is exposed. Similarly, the through hole 10 is formed on the terminal 52A of the glass substrate 52 connected to the terminal 39A of the unit block 39 by the ink jet method. The diameter of the ejection hole of the head 2 of the ink jet apparatus is, for example, about 30 μm.
[0027]
Next, methanol remaining on the surface of the coating 1 and the through-hole 10 is removed by washing the surface of the structure K with a predetermined liquid in this state. As the cleaning liquid, a liquid that does not dissolve the polyvinyl pyrrolidone coating 1 and the terminals 39A and 52A is used.
Next, as shown in FIG. 2 (a), the liquid 7 in which the metal fine particles are dispersed in the solvent is transferred from the head 2 of the ink jet apparatus to the through hole 10 on the terminal 39A from the through hole 10 on the terminal 52A of the coating 1. Discharge continuously up to 10. As shown in FIG. 2 (b), the liquid 7 fills both through holes 10 with a sufficient amount so as to reach the upper side of the coating 1, and the through holes 10 are formed on the coating 1 between the two through holes 10. Discharges at a predetermined width corresponding to the wiring width. Next, the solvent is evaporated from the liquid 7 in the state of FIG. 2B by putting the structure K in a heating device and heating it or by putting it in a decompression device and reducing the pressure.
[0028]
Thereby, as shown in FIG. 2C, the terminal 39 A of the unit block 39 and the terminal 52 A of the glass substrate 52 are connected by the wiring 70. The wiring 70 is made of fine metal particles contained in the liquid 7.
[Second Embodiment]
An embodiment corresponding to the second method of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0029]
First, the structure K is manufactured and the polyvinyl alcohol coating (insulating film) 1A is formed on the surface of the structure K by the same method as in the first embodiment. However, the formation of the polyvinyl alcohol film 1A is performed using, for example, an aqueous polyvinyl alcohol solution. FIG. 5A shows this state.
Next, the structure K and heptadecafluorotetrahydrodecyltriethoxysilane are placed in the same sealed container and left at 120 ° C. for 5 hours, thereby forming the self-assembled film 4 on the coating 1A. FIG. 5B shows this state. Here, the surface of the self-assembled film 4 formed using heptadecafluorotetrahydrodecyltriethoxysilane on the polyvinyl alcohol film 1A becomes liquid repellent.
[0030]
Next, as shown in FIG. 5C, a photomask 5 having an ultraviolet transmitting portion 5A is placed on the self-assembled film 4 at the position of the terminal 39A of the unit block 39 and the terminal 52A of the glass substrate 52, The self-assembled film 4 is irradiated with ultraviolet rays 6 having a wavelength of 172 nm through the photomask 5. Here, the portion of the self-assembled film 4 irradiated with the ultraviolet ray 6 is destroyed by the ultraviolet ray 6 (the molecules constituting the film are decomposed) and removed, so that as shown in FIG. A through-hole 4A is formed at the position of the terminals 39A and 52A of the organized film 4.
[0031]
Next, as shown in FIG. 5E, water 30 is discharged from the head 2 of the ink jet apparatus into these through holes 4A. Here, as described above, since the surface of the self-assembled film 4 is liquid repellent, the water 30 that is a polar solvent does not stop on the surface of the self-assembled film 4 and actively enters the through-hole 4A. enter. FIG. 5 (f) shows this state. Thereby, the portion of the polyvinyl alcohol coating 1 A corresponding to the through hole 4 A is efficiently destroyed with the water 30. As a result, the through hole 10 is formed in the portion corresponding to the terminals 39A and 52A of the polyvinyl alcohol coating 1A, and the terminals 39A and 52A are exposed. FIG. 5 (e) shows this state.
[0032]
Next, the water remaining in the through hole 10 of the coating 1A is removed by washing the surface of the structure K with a predetermined liquid in this state. As the cleaning liquid, a liquid that does not dissolve the polyvinyl alcohol coating 1A and the terminals 39A and 52A is used.
Next, as shown in FIG. 6 (a), a photomask 8 in which an ultraviolet transmission part 8 A corresponding to the wiring pattern is formed is placed on the self-assembled film 4. The structured film 4 is irradiated with ultraviolet rays 6 having a wavelength of 172 nm. Here, the portion of the self-assembled film 4 irradiated with the ultraviolet ray 6 is destroyed by the ultraviolet ray 6 (the molecules constituting the film are decomposed) and removed, so that it corresponds to the wiring pattern of the self-assembled film 4. The part is removed with a predetermined width. FIG. 6B shows this state.
[0033]
In this state, the liquid 7 in which the metal fine particles are dispersed in the solvent is discharged from the head 2 of the ink jet apparatus to the portion 45 where the self-assembled film 4 on the coating 1A is removed. As shown in FIG. 6 (c), the liquid 7 is filled with a sufficient amount so that both the through holes 10 reach the upper side of the coating 1 A. Discharges at a predetermined width corresponding to the wiring width. Next, the solvent is evaporated from the liquid 7 in the state of FIG. 6C by putting the structure K in a heating device and heating or by putting it in a decompression device and reducing the pressure.
[0034]
Thereby, as shown in FIG. 6D, the terminal 39 A of the unit block 39 and the terminal 52 A of the glass substrate 52 are connected by the wiring 70. The wiring 70 is made of fine metal particles contained in the liquid 7. The solvent of the liquid 7 used here is preferably a polar solvent. The liquid 7 in which the solvent is a polar solvent has a high affinity with the coating film 1A made of molecules containing a hydrophilic group, and therefore the portion 45 from which the through-hole 10 of the coating film 1A and the self-assembled film 4 on the coating film 1A have been removed. It is stably placed inside.
[Third Embodiment]
An embodiment corresponding to the third method of the present invention will be described with reference to FIG.
[0035]
First, the structure K, the formation of the polyvinyl pyrrolidone coating 1 on the surface of the structure K, and the formation of the through hole 10 in the coating 1 are performed by the same method as in the first embodiment.
Next, as shown in FIG. 7A, a self-assembled film 40 is formed on the coating 1 and in the through hole 10 using aminopropyltriethoxysilane. Next, a photomask 80 in which an ultraviolet shielding part 80A is formed in a wiring forming part according to a wiring pattern is placed on the self-assembled film 40, and the self-assembled film 40 is formed through the photomask 80. Irradiate ultraviolet rays 6 having a wavelength of 172 nm.
[0036]
Here, the part of the self-assembled film 40 irradiated with the ultraviolet ray 6 is destroyed by the ultraviolet ray 6 (the molecules constituting the film are decomposed) and removed, so as shown in FIG. A portion of the organized film 40 other than the wiring forming portion is removed, and only a portion corresponding to the wiring forming portion remains.
Next, in this state, the structure K is immersed in a palladium treatment solution prepared as follows at room temperature for 2 minutes, thereby attaching palladium to the surface of the self-assembled film 40. The palladium treatment solution is prepared as follows. First, an aqueous solution containing a palladium salt at a concentration of 0.2% by weight and hydrogen chloride at a concentration of 4.0% by weight is prepared, and 30 ml of this aqueous solution is diluted with 1 liter of water. A sodium hydroxide aqueous solution is added to this liquid to adjust the pH to 5.2.
[0037]
After immersing in this palladium treatment solution, this structure K is washed in running water for 3 minutes. Next, electroless nickel plating is performed by immersing in an electroless nickel plating bath at 70 ° C. and pH 4.6 for 1 minute. As the electroless nickel plating bath, a bath containing nickel chloride at a concentration of 30 g / liter and sodium hypophosphite at a concentration of 10 g / liter was used.
[0038]
Here, since an amino group is present on the surface of the self-assembled film 40, palladium is formed on the surface of the self-assembled film 40 existing only in a portion corresponding to the wiring forming portion by coordination bond between the amino group and palladium. The nickel plating film is formed on the palladium adhering portion. Thereby, as shown in FIG.7 (c), the terminal 39A of the unit block 39 and the terminal 52A of the glass substrate 52 are connected by the wiring 9 which consists of a nickel plating film.
[Fourth Embodiment]
An embodiment corresponding to the fourth method of the present invention will be described with reference to FIG.
[0039]
First, the structure K, the formation of the polyvinyl pyrrolidone coating 1 on the surface of the structure K, and the formation of the through hole 10 in the coating 1 are performed by the same method as in the first embodiment.
Next, as shown in FIG. 8A, a self-assembled film 48 is formed on the coating 1 and in the through hole 10 using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane. Next, on the self-assembled film 48, a photomask 80 in which an ultraviolet shielding part 80A is formed in a wiring forming part according to the wiring pattern is placed, and the self-assembled film 48 is formed via the photomask 80. Irradiate ultraviolet rays 6 having a wavelength of 172 nm.
[0040]
Here, the portion of the self-assembled film 48 irradiated with the ultraviolet ray 6 is destroyed by the ultraviolet ray 6 (the molecules constituting the film are decomposed) and removed, so that as shown in FIG. A portion of the organized film 48 other than the wiring forming portion is removed, and only a portion corresponding to the wiring forming portion remains.
Next, the structure K in this state was immersed in a toluene / xylene solution of chloro (trimethylphosphine) gold placed in a container, and the container was sealed and left at 80 ° C. for 2 hours. Here, since a thiol group exists on the surface of the self-assembled film 48, the amino group and gold of chloro (trimethylphosphine) gold are bonded to each other, and the ligand is detached from the gold atom, which corresponds to the wiring forming portion. A gold thin film is formed on the surface of the self-assembled film 48 that exists only in the portion to be formed.
[0041]
Thereby, as shown in FIG. 8C, the terminal 39A of the unit block 39 and the terminal 52A of the glass substrate 52 are connected by the wiring 19 made of a gold thin film.
As described above, according to the method of these embodiments, the wiring connecting the terminal 39A of the unit block 39 of the structural body K and the terminal 52A of the glass substrate 52 is easily formed. Further, according to the methods of these embodiments, the inter-wiring connection holes (through holes 10) can be easily formed in the portions of the terminals 39A and 52A of the structure K.
[0042]
In particular, in the second embodiment, the self-assembled film 4 having a liquid-repellent surface is formed on the hydrophilic polyvinyl alcohol coating 1A, and water 30 as a polar solvent is put into the through-hole 4A, thereby penetrating. The portion of the polyvinyl alcohol coating 1 A corresponding to the hole 4 A can be efficiently destroyed with water 30. Further, by patterning the self-assembled film 4, the ultraviolet transmitting portion 5A of the photomask 5 is transferred to the through-hole 4A with high accuracy, so that the inter-wiring connection holes (through-holes 10) than the method of the first embodiment. ) Can be improved in dimensional accuracy.
[0043]
【The invention's effect】
As described above, according to the method of the present invention, between the terminals of a structure that includes a substrate and a unit block arranged at a predetermined position thereof, and a terminal is formed on the surface of the unit block and / or the substrate. In addition, the wiring can be easily formed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to a first method of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to the first method of the present invention.
FIG. 3 is a diagram for explaining a unit block forming method;
FIGS. 4A to 4C are diagrams illustrating a method for manufacturing a structure. FIGS.
FIG. 5 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to the second method of the present invention.
FIG. 6 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to the second method of the present invention.
FIG. 7 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to a third method of the present invention.
FIG. 8 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to a fourth method of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Coating (insulating film)
1A Coating (insulating film)
10 Coating through-hole (interconnection hole)
2 Head 3 of inkjet device Methanol 30 Water 4 Self-assembled film 4A Self-assembled film through-hole 40 Self-assembled film 48 Self-assembled film 5 Photomask 5A Ultraviolet transmitting part 6 Ultraviolet 7 Wiring material liquid 70 From copper fine particles Wiring 8 Photomask 8A UV transmitting portion 80 Photomask 80A Ultraviolet shielding portion 9 Wiring made of plating film 19 Wiring made of gold thin film 39 Unit block 39A Unit block terminal 41 Silicon wafer 51 Dividing line 52 Glass substrate 52A Glass substrate terminal 52B Glass substrate terminal 54 Dimple K structure

Claims

A method of forming wiring for connecting between terminals in a structure comprising a substrate and unit blocks arranged at predetermined positions and having terminals formed on the surface of the unit block and / or substrate. ,
A lyophilic insulating film is formed on the surface of the structure, and a film made of a material different from the insulating film and having a liquid repellent surface is formed on the insulating film. After forming a through hole in a portion corresponding to the terminal and removing a portion corresponding to the wiring forming portion of the film, a liquid containing a conductive material or a precursor of a conductive material and a solvent is used as a wiring forming material, After this liquid is disposed in the wiring forming portion including the through hole by the ink jet method, when the treatment for evaporating the solvent from the disposed liquid and the precursor of the conductive material are used, this precursor is used as the conductive material. A method of forming a wiring, characterized by performing the process of.

The method of forming a wiring according to claim 1, wherein the coating is a self-assembled film.

The wiring forming method according to claim 2, wherein the insulating film is made of polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol, and a self-organized film is formed using fluoroalkylsilane.

A method of forming wiring for connecting between terminals in a structure comprising a substrate and unit blocks arranged at predetermined positions and having terminals formed on the surface of the unit block and / or substrate. ,
After forming an insulating film made of polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol on the surface of the structure and forming a through hole in a portion corresponding to the terminal of the insulating film, on the insulating film and in the through hole, Using methoxysilanes, ethoxysilanes, or chlorosilanes having an amino group or a thiol group, a film made of a self-assembled film having an amino group or a thiol group arranged on the surface is formed, and wiring formation of this film is made A method of forming a wiring, comprising: forming a wiring in a remaining portion of the coating by performing electroless plating after removing a portion other than the portion.

A method of forming wiring for connecting between terminals in a structure comprising a substrate and unit blocks arranged at predetermined positions and having terminals formed on the surface of the unit block and / or substrate. ,
After forming an insulating film made of polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol on the surface of the structure and forming a through hole in a portion corresponding to the terminal of the insulating film, on the insulating film and in the through hole, Using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane or 3-mercaptopropyltriethoxysilane, a film composed of a self-assembled film having a thiol group disposed on the surface was formed, and portions other than the wiring forming part of the film were removed. Thereafter, a liquid containing an organometallic compound or a metal complex is supplied onto the coating and subjected to heat treatment, whereby a wiring is formed in the remaining portion of the coating.

6. The method for forming a wiring according to claim 5, wherein an organometallic compound or metal complex having a metal atom composed of gold, silver, copper, iridium, gallium, or arsenic as a constituent atom is used.