JP3668845B2 - Discharge plasma deposition apparatus and method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空中でカソード物質をプラズマ化させて成膜する放電型プラズマ成膜装置とその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
部品の高機能化のために、DLC(Diamond−like carbonfilm)やTiN,CN等の薄膜を被処理材の表面に成膜する表面加工技術が産業界で強く要望されている。例えばDLCはカーボンを材料とする薄膜ダイヤモンドであり、(1)プラスチックレンズの表面にコーティングしてスクラッチ傷を防ぎ、(2)磁気ディスクの表面に成膜して読取りヘッドとの接触による磨耗を防ぎ、(3)環境問題化している湿式メッキの代替として優れた耐食性、耐磨耗性を発揮することができる。
【0003】
上述したDLC等の成膜手段として、(1)窒素、アルゴン等のガスプラズマを用いたガスプラズマ法、(2)炭素、チタンなどのプラズマを用いたプラズマ法、及び(3)この両方を組合わせたハイブリッド法が開発されている。
このうち、ガスプラズマ法は、メタン(CH4)やアセチレン(C2H2)を原料ガスとするため、成膜中に水素(H)が残存する基本的な問題があり、このため、DLC等の膜質の硬度が低下する。これに対して、プラズマ法では、原料(陰極材)として純粋なカーボンや金属材料を用いることができるため、硬度の高い優れた膜ができる特徴がある。本発明は、かかるプラズマ法に関するものである。
【0004】
プラズマ法による成膜手段として、従来、アーク放電型プラズマイオン源を用いてDLC,TiN,CN等の薄膜が生成されている。しかし従来の成膜手段では、溶けた原料(陰極材)が微細(直径1μm前後)の液滴(スプラッシュ、マクロパーティクル、ドロップレットと呼ぶ)となって生成膜に付着し、薄膜の品質(膜質)を悪化させる問題がある。
【0005】
この問題を解決する手段として、例えば、特表平6−508235号、PCT/FI95/00677、等が提案されている。特表平6−508235号の「アークソース用大粒子フィルター」は、図9に示すように、円形のカソード2、円筒形のアノード3、トロイド4及び非線形のプラズマダクト5を備え、トロイド状の磁場により荷電粒子を素材8に導き、荷電していない液滴を除去するものである。なお、この図で、6は管、7は標的部域、9は磁気走査コイルである。また、PCT/FI95/00677の“FOCUSING UNIT FORAN ARC DISCHAGE APPARATUS USED FOR PLATING"「メッキ用アーク放電装置のフォーカシングユニット」も、同様にブラズマビームを磁場により曲げ、同時に陰極表面に半径方向の磁場をかけることによって陰極点を陰極表面で回転させ液滴を除去するものである。
【0006】
しかし、上述した従来のプラズマ法による成膜手段では、磁場によりプラズマを曲げて素材8に導くために、大型のトロイド4(コイル)を複数用いる必要があり、その結果、成膜効率が低下し磁場発生設備(例えばコイル)が大型化し、装置設備が非常に高価になる問題点があった。
【0007】
この問題点を解決するために、本発明の発明者は先に、発生した金属アークプラズマを拡径する金属プラズマ拡径装置10を備えた「金属プラズマを用いた成膜装置及び方法」を創案し出願した(特願平11−354550号、未公開)。この発明により、高エネルギーで指向性の高い金属アークプラズマを用いて広い範囲に均一に高品質のDLC等を成膜することができ、かつ、膜質を低下させる液滴を効果的に除去することができるようになった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の放電型プラズマ成膜手段では、プラズマ源として使用する陰極(カソード)は、薄い円柱形又は円錐形のものが用いられていた。しかし、図5に例示したような薄い円柱形の陰極では、陰極容積が小さいため長時間の成膜ができない問題点があった。
【0009】
一方、円錐形の陰極を用いる場合には、アーク放電のスポットを円錐陰極の先端部に局所化させて直流アーク放電を安定維持することができる。そのため、薄い円柱形よりは長時間成膜が継続できるものの、経過時間とアーク放電の積で陰極先端部が消耗し、陰極が円錐形であるため放電時間により陰極が急激に消耗してしまう欠点があった。
【0010】
また、このような陰極の製作には、円柱材を旋盤等で加工するため加工時間がかかるばかりでなく、大量の切削くずが発生し、特に材料コストの陰極材料(例えば、ニッケル)では、成膜コストが上昇する問題点があった。
【0011】
本発明はかかる問題点を同時に解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、真空アーク放電を発生させてカソード物質のプラズマを長時間安定して成膜することができる放電型プラズマ成膜装置とその方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、真空中でカソード物質をプラズマ化させる放電型プラズマ成膜装置であって、内部を減圧可能な真空容器(12)と、該真空容器内に配置された円柱形状のカソード(14)と、該カソードの円形端面(14a)に対向する位置に設けられたアノード(16)と、カソードとアノードの間に直流電圧を印加する直流電源装置(18)と、カソードの円柱面(14b)とアノードの間に発生する真空アーク放電(19)を遮蔽するアーク遮蔽部材(20)とを備え、前記アーク遮蔽部材(20)は、カソードの円柱面(14b)がアノードと直接対向するのを阻止するようにカソードの円柱面を軸方向に関し一定間隔を隔てて囲む中空円筒形の導電材であり、かつカソード及びアノードから電気的に絶縁されており、前記カソードは、その円形端面(14a)とアノードとの距離を一定に保持するように軸方向に移動可能に構成されている、ことを特徴とする放電型プラズマ成膜装置が提供される。
【0014】
また、真空容器(12)内を真空に保持し、印加磁場中でアノードとカソードの間に真空アーク放電(19)を発生させてカソード物質のプラズマを形成する放電型プラズマ発生方法であって、カソード及びアノードから電気的に絶縁された中空円筒形のアーク遮蔽部材(20)でカソードの円柱面(14b)を軸方向に関し一定間隔を隔てて囲み、カソードの円柱面とアノードの間に発生する真空アーク放電(19)を遮蔽し、前記カソードを、その円形端面(14a)とアノードとの距離が一定に保持されるように軸方向に移動させる、ことを特徴とする放電型プラズマ発生方法が提供される。
【0015】
上記本発明の装置及び方法によれば、アーク遮蔽部材(20)がアノード及びカソードから電気的に絶縁されてその中間位置に位置するので、アーク遮蔽部材の電位はアノードとカソードの中間電位となり、真空アーク放電(19)を電位差の大きいカソードとアノードの間のみに発生させることができる。
【0016】
また、アーク遮蔽部材は、カソードの円柱面(14b)がアノードと直接対向するのを阻止するようにカソードの円柱面を軸方向に関し一定間隔を隔てて囲むので、カソードの円柱面(14b)とアノードの間に発生する真空アーク放電(19)を遮蔽することができる。
【0017】
従って、真空容器(12)内を真空に保持し、印加磁場中でアノードとカソードの円形端面(14a)との間のみに真空アーク放電(19)を発生させてカソード物質のプラズマを形成することができ、カソードは円柱形を保持したまま徐々に短くなるだけなので、放電状態の変化が少なくカソード物質のプラズマ化を長時間安定して行うことができる。
【0018】
また、前記カソード(14)は、一定の長さを有する着脱可能な円柱部材、又は連続的にアノードに向けて供給可能に構成された長尺円柱部材であるのがよい。
一定の長さを有する着脱可能な円柱部材でカソードを構成すれば、この長さ分のカソード物質のプラズマ化が安定してできる。また、連続的にアノードに向けて供給可能に構成された長尺円柱部材でカソードを構成すれば、カソードの円形端面(14a)の位置が一定に保持できるので、この面とアノードとの間に長時間安定して同一条件でプラズマを発生させることができる。
【0019】
本発明の好ましい別の実施形態によれば、前記真空容器(12)は、カソード(14)を保持するカソードホルダー(12a)と、アーク遮蔽部材(20)を間隔を隔てて囲むカウリング部(12b,12c,12d,12e)とからなり、カソードホルダー(12a)はカソード(14)と電気的に導通し、カウリング部(12b,12c,12d,12e)は、カソード及びアノードから電気的に絶縁されている。
また、前記真空容器(12)を、カソード(14)を保持するカソードホルダー(12a)と、アーク遮蔽部材(20)を間隔を隔てて囲むカウリング部(12b,12c,12d,12e)で構成し、カソードホルダー(12a)をカソード(14)と電気的に導通し、カウリング部(12b,12c,12d,12e)を、カソード及びアノードから電気的に絶縁する。
【0020】
この構成及び方法により、アーク遮蔽部材(20)を間隔を隔てて囲むカウリング部(12b,12c)がカソード及びアノードから電気的に絶縁されるので、アーク遮蔽部材(20)と共にそのまわりのカウリング部(12b,12c)も電位がアノードとカソードの中間電位となり、真空アーク放電(19)を電位差の大きいカソードとアノードの間のみに更に安定して発生させることができる。
【0021】
また、前記カウリング部(12b,12c)は、中空円筒形の可撓性ベローズ(33)を介して連結されたカウリング移動部(12b)とカウリング固定部(12c)とからなり、カウリング移動部(12b)はカウリング固定部(12c)に対してカソード(14)の軸方向に移動可能であり、カウリング移動部(12b)は、カソード絶縁部材(15c)を介してカソードホルダー(12a)に固定され、カウリング固定部(12c)は、アノード絶縁部材(31,32)を介してアノード側に固定されている。
【0022】
この構成により、カウリング部(12b,12c)をカソード及びアノードから電気的に絶縁したままで、カウリング移動部(12b)をカウリング固定部(12c)に対してカソード(14)の軸方向に移動させることで、カソードの円形端面(14a)の位置を一定に保持でき、この面とアノードとの間に長時間安定して同一条件でプラズマを発生させることができる。
【0023】
前記アーク遮蔽部材(20)は、絶縁碍子(35)を介して前記カウリング固定部(12c)の内側に固定されている。
この構成により、アーク遮蔽部材(20)をカウリング部(12b,12c)から絶縁して支持でき、アーク遮蔽部材(20)とカソード及びアノードとの電気的な絶縁性能を更に高めることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
図1は、本発明の放電型プラズマ成膜装置の第1実施形態の全体構成図である。本発明の放電型プラズマ成膜装置10は、真空容器12、カソード14、アノード16、直流電源装置18及びアーク遮蔽部材20を備え、真空中でカソード物質をプラズマ化させるようになっている。
【0025】
真空容器12は、互いに連通した第1チャンバー22と第2チャンバー23からなる。第1チャンバー22と第2チャンバー23は、中空の導管24で連通する。また、第2チャンバー23内は、図示しない真空装置により真空排気され、これにより、カソードが蒸発してプラズマが発生する第1チャンバー22よりも第2チャンバー23の圧力が低くなるように差動排気する。
【0026】
カソード14は、円柱形状の成膜材料(例えば、カーボン、Ti等)からなり、真空容器12のカソードホルダー12a内に配置され、かつ直流電源装置18により負に印加される。
アノード16は、導電性材料(例えば銅又は銅合金)からなり、カソード14に対向する位置(例えば導管24)に取付られ、その中央に第2チャンバー23に通じる貫通孔を有している。アノード16は、直流電源装置18により正に印加される。
直流電源装置18は、カソード14を負にアノード16を正に印加しその間に真空アーク放電19を起こさせるようになっている。
【0027】
図1において、本発明の成膜装置10は、更に被処理材1を負に印加して金属プラズマからイオンを蓄積させるバイアス電源29と、第1チャンバー22及び第2チャンバー23内に発生するプラズマを少なくとも一時的に封じ込める磁場を発生させる磁場発生装置30とを備えている。
成膜チャンバー27は、例えば、マルチカスプ磁場を形成するための複数の永久磁石と、ミラー磁場を形成するための空心コイルとからなり、これらの2つの磁場により、プラズマ閉じ込め空間を形成するようになっている(図示せず)。なお、磁場発生装置30は、かかる構成に限定されず、例えば、特開平5−101799号に開示したような種々の構成のものであってもよい。
【0028】
被処理材1は、成膜チャンバー27内に収容され、内部を真空(例えば10-5〜10-6Torr)に保持される。また、被処理材1を保持するホルダー28はバイアス電源29により−100V〜−1000V程度に印加され、プラスに帯電したプラズマ21中のイオンによる成膜効率を高めるようになっている。
【0029】
バイアス電源29は、好ましくは、直流パルス電源であるのがよい。この理由を以下に説明する。
プラズマ21中に配置された被処理材1に負の高圧パルスが印加された時、プラズマ中の電子は被処理材1から斥けられ、金属イオンが被処理材1に引き込まれる。電子とイオンの質量差から電子は被処理材1から急激に遠ざかり、金属イオンと被処理材1の間には取り残された金属イオンのみが存在するイオンシースが形成される。負の印加高圧パルスのほとんどはこのイオンシースに加わり、その高電界により金属イオンは被処理材1に向かって加速される。このことはイオンシースのシースエッジが被処理材1から離れていくことであり、それと同時にシース内に金属プラズマより金属イオンが引き込まれる。
【0030】
上述した構成により、放電型プラズマ成膜装置10により、真空容器12内を真空に保持し、印加磁場中でアノードとカソードの間に真空アーク放電19を発生させてカソード物質のプラズマ21を形成することができる。更に発生したプラズマ21から磁場発生装置30とバイアス電源29により、プラスイオン(金属イオン)を抽出し、被処理材1に照射し成膜することができる。
【0031】
また上述した装置は以下のように使用される。すなわち、真空チャンバー22、23内にガスを入れて真空(例えば10-2〜10-4Torr)に保持し、アノード16とカソード14との間に真空アーク放電19を発生させてカソード物質のプラズマを形成し、その後ガスを遮断して真空チャンバー22、23内の真空度を10-5〜10-6Torrに保ち、磁場発生装置30による磁場によりプラズマを一時的に封じ込め、バイアス電極29による電界によりプラズマ21から所望するイオンを基板上に蓄積させる。
【0032】
図2は、図1のA部の拡大図である。この図において、カソード14は、一定の長さを有する着脱可能な円柱部材、17はカソード14をネジ等で固定して保持するカソード保持電極、15a,15bはカソード絶縁部材である。アーク遮蔽部材20は、カソード14の円柱面14bがアノード16と直接対向するのを阻止するようにカソードの円柱面を間隔を隔てて囲む中空円筒形の導電材(例えば金属管)である。このアーク遮蔽部材20は、カソード絶縁部材15a,15bを介してカソード14及びアノード16から電気的に絶縁されている。
【0033】
従って、アーク遮蔽部材20の電位はアノードとカソードの中間電位となり、かつ電気的に絶縁されているので、真空アーク放電19を電位差の大きいカソード14とアノード16の間のみに発生させることができる。また、アーク遮蔽部材20は、カソード14の円柱面14bがアノード16と直接対向するのを阻止するように位置しているので、真空アーク放電19はカソードの端面14aとアノード16との間に限定され、カソードの円柱面14bとアノードの間に発生する真空アーク放電を実質的に遮蔽することができる。
【0034】
図3は、本発明の放電型プラズマ成膜装置の第2実施形態の構成図である。この図も、図1のA部に相当する部分を示している。この図において、カソード14は、図示しない供給装置により連続的にアノード16に向けて供給可能に構成された長尺円柱部材である。この場合、カソードの端面14aは、アノード16からの距離をほぼ一定に保持するようになっている。その他の構成は、図2と同様である。
【0035】
また、本発明の放電型プラズマ成膜方法によれば、上述したように、カソード14及びアノード16から電気的に絶縁されたアーク遮蔽部材20でカソード14の円柱面14bを間隔を隔てて囲み、カソード14の円柱面14bとアノード16の間に発生する真空アーク放電19を遮蔽して、真空アーク放電19をカソード14の端面14aとアノード16との間に制限する。
【0036】
上述した本発明の装置及び方法によれば、真空容器12内を真空に保持し、印加磁場中でアノードとカソードの円形端面14aとの間のみに真空アーク放電19を発生させてカソード物質のプラズマを形成することができる。この放電により、カソード14は円柱形を保持したまま徐々に短くなるだけなので、放電状態の変化が少なくカソード物質のプラズマ化を長時間安定して行うことができる。
【0037】
また、図1及び図2に示したように、一定の長さを有する着脱可能な円柱部材でカソード14を構成すれば、この長さ分のカソード物質のプラズマ化が安定してできる。
また、図3に示したように、連続的にアノード16に向けて供給可能に構成された長尺円柱部材でカソード14を構成すれば、カソードの円形端面14aの位置が一定に保持できるので、この面とアノードとの間に長時間安定して同一条件でプラズマを発生させることができる。
【0038】
図4は、本発明の放電型プラズマ成膜装置の第3実施形態の構成図である。この図も、図1のA部に相当する部分を示している。この図において、真空容器12は、カソード14を保持するカソードホルダー12aと、アーク遮蔽部材20を半径方向に間隔を隔てて囲むカウリング部12b,12cとからなる。
【0039】
カソード14は、その末端部に設けられた雄ネジ部でカソード保持電極17に固定される。カソード保持電極17は内部に中空部を有し、その中空部に冷却水を通して冷却し、カソード14を使用中の過熱から保護するようになっている。また、カソード保持電極17に設けられたフランジ部がカソードホルダー12aにボルト等で固定され、カソードホルダー12aとカソード14は電気的に導通している。この構成により、カソードホルダー12aを直流電源装置18の負極と電気的に接続することにより、カソード14を負に印加することができる。
【0040】
この例において、カウリング部12b,12cは、中空円筒形の可撓性ベローズ33を介して連結されたカウリング移動部12bとカウリング固定部12cとからなる。カウリング移動部12bとカウリング固定部12cは金属製であり、金属製のベローズ33の両端部が溶接等により気密に接合されている。また、カウリング移動部12bとカウリング固定部12cの間隔を調整する金属製のボルト34により、カウリング移動部12bをカウリング固定部12cに対してカソード14の軸方向に移動できるようになっている。この移動は、カウリング移動部12bと共に移動するカソード14の円形端面14aの位置を、カソード14の消耗に応じて一定に保持するように行うのがよい。なお、カウリング移動部12bの移動は、この例ではボルトとナットの螺合によるが、パルスシリンダやステッピングモータを用いて正確に移動できるようにしてもよい。
【0041】
カウリング移動部12bは、カソード絶縁部材15cを介してカソードホルダー12aに固定されている。カソード絶縁部材15cは、例えば円板状のテフロン(登録商標)であり、絶縁性ボルト13(例えばベーク材のボルト)でカウリング移動部12bとカソードホルダー12aの間に挟持される。また、カウリング移動部12bの内縁部とカソード保持電極17との間には、中空円筒形のカソード絶縁部材15aが嵌め込まれ、カソード保持電極17の先端(図で左端)とカソード14の末端部には中空円筒形のカソード絶縁部材15bが嵌まり、カソード14の末端部とカソード保持電極17の先端部が第1チャンバー22内に露出しないようになっている。カソード絶縁部材15aは例えば強度の高いアルミナ材であり、カソード絶縁部材15bは例えば耐熱性の高い窒化ボロン材(BN)であるのがよい。
【0042】
この構成により、カウリング部12b,12cをカソードから電気的に絶縁するとともに、カソード14の末端部とカソード保持電極17の先端部からの放電を本質的に防止することができる。
【0043】
また、カウリング固定部12cは、アノード絶縁部材31,32を介してアノード側に固定されている。アノード絶縁部材31は、この例では、中空円筒形のアルミナであり、アノード絶縁部材32はこの例では絶縁性ボルト(例えばベーク材のボルト)である。絶縁性ボルト32によりアノード絶縁部材31がカウリング固定部12cと導管24のフランジ部との間に挟持される。また、アノード絶縁部材31の両端面がOリング36により、カウリング固定部12cと導管24のフランジ部との間を気密にシールされている。
この構成により、カウリング部12b,12c及びベローズ33をアノード及びカソードから電気的に絶縁し、アーク遮蔽部材20と共にそのまわりのカウリング部12b,12cの電位もアノードとカソードの中間電位とすることができ、真空アーク放電19を電位差の大きいカソードとアノードの間のみに更に安定して発生させることができる。
【0044】
更に、この例では、アーク遮蔽部材20は、周方向に複数個(例えば4個)設けられた絶縁碍子35を介して、カウリング固定部12cの内側に固定されている。なお、その他の構成は、図2と同様である。
この構成により、前述のようにカウリング固定部12cは、アノード及びカソードから電気的に絶縁されており、更に絶縁碍子35を介してアーク遮蔽部材20が固定されているので、アーク遮蔽部材20とカソード14及びアノード16との電気的な絶縁性能を更に高めることができる。
【0045】
図5は、本発明の放電型プラズマ成膜装置の第4実施形態の構成図である。この図も、図1のA部に相当する部分を示している。
この図において、真空容器12は、カソード14を保持するカソードホルダー12aと、アーク遮蔽部材20を半径方向に間隔を隔てて囲む金属製のカウリング部12dとからなる。この例では、カウリング部12dは、カウリング固定部のみからなる。
【0046】
カウリング部12d(カウリング固定部)は、カソード絶縁部材15aを介してカソードホルダー12aに固定されている。カソード絶縁部材15aは、例えば円筒形のアルミナ材であり、絶縁ロッド15d(例えばベーク材製)とボルト25でカウリング部12dとカソードホルダー12aの間に挟持される。また、カソード絶縁部材15aの両端部はOリング36で気密にシールされる。
この例において、カソードホルダー12aは、第3実施形態(図4)におけるカソード保持電極17の役割も担っている。すなわち、カソード14は、その末端部に設けられた雄ネジ部でカソードホルダー12aに直接固定される。また、カソードホルダー12aは内部に中空部を有し、その中空部に冷却水を通して冷却し、カソード14を使用中の過熱から保護するようになっている。
この構成によりカソードホルダー12aがカソード14に電気的に導通し、カソードホルダー12aを直流電源装置18の負極と電気的に接続することにより、カソード14を負に印加することができる。
【0047】
また、カソードホルダー12aとカソード14の末端部の間には平板状のカソード絶縁部材15bが嵌まり、カソード絶縁部材15aの末端部とカソードホルダー12aとの間には、中空円筒形のカソード絶縁部材15cが嵌まり、カソードホルダー12aが第1チャンバー22内に露出しないようになっている。カソード絶縁部材15bは例えば耐熱性の高い窒化ボロン材(BN)であり、カソード絶縁部材15cは例えばテフロン材であるのがよい。
【0048】
この構成により、カウリング部12dをカソード14から電気的に絶縁するとともに、カソード14の末端部とカソードホルダー12aからの放電を本質的に防止することができる。
【0049】
また、カウリング部12dは、アノード絶縁部材31,32を介してアノード側の導管24に固定されている。アノード絶縁部材31は、この例では、中空円筒形のテフロン材であり、アノード絶縁部材32はこの例では絶縁性ボルト(例えばベーク材のボルト)である。絶縁性ボルト32によりアノード絶縁部材31がカウリング固定部12dと導管24のフランジ部との間に挟持される。また、アノード絶縁部材31の両端面がOリング36により、カウリング部12dと導管24のフランジ部との間を気密にシールされている。
この構成により、カウリング部12dをアノード及びカソードから電気的に絶縁し、アーク遮蔽部材20と共にそのまわりのカウリング部12dの電位もアノードとカソードの中間電位とすることができ、真空アーク放電19を電位差の大きいカソードとアノードの間のみに更に安定して発生させることができる。
【0050】
更に、この例では、アノード絶縁部材31は、2枚の金属板37a,37bの間に挟持され、かつその内側に金属製の遮熱リング38a,38bが二重に設けられ、過熱されたアノード16からの輻射熱を遮り、アノード絶縁部材31を保護するようになっている。また、アーク遮蔽部材20は、カソード絶縁部材15bと金属板37bの間に軸方向に挟持され、アノードとカソードの中間電位となるように固定されている。なお、その他の構成は、図2と同様である。
【0051】
図6は、本発明の放電型プラズマ成膜装置の第5実施形態の構成図であり、図7は、第6実施形態の構成図である。これらの図も、図1のA部に相当する部分を示している。
図6及び図7において、真空容器12は、カソード14を保持するカソードホルダー12aと、アーク遮蔽部材20を半径方向に間隔を隔てて囲む金属製のカウリング部12eとからなる。この例では、カウリング部12eは、カウリング固定部のみからなる。
【0052】
カウリング部12e(カウリング固定部)は、カソード絶縁部材15cを介してカソードホルダー12aに固定されている。すなわちこの例で、カソード絶縁部材15cは、円板状のテフロン材であり、ボルト25でカウリング部12eと連結され、カソードホルダー12aも図示しないボルトによりカソード絶縁部材15cに取り付けられる。カソード絶縁部材15cとカウリング部12e及びカソードホルダー12aの間は、Oリング36で気密にシールされる。
この例でも、カソードホルダー12aは、第3実施形態(図4)におけるカソード保持電極17の役割も担っている。すなわち、カソード14は、その末端部に設けられた雄ネジ部でカソードホルダー12aに直接固定される。また、カソードホルダー12aは内部に中空部を有し、その中空部に冷却水を通して冷却し、カソード14を使用中の過熱から保護するようになっている。また、カウリング部12eもこの例では中空部を有し、その中空部に冷却水を通して冷却し、使用中の過熱から保護するようになっている。
この構成によりカソードホルダー12aがカソード14に電気的に導通し、カソードホルダー12aを直流電源装置18の負極と電気的に接続することにより、カソード14を負に印加することができる。
【0053】
図6において、カソードホルダー12aとカソード14の末端部の間にはリング状のカソード絶縁部材15bが嵌まり、カウリング部12eの内側には軸方向に2分割された中空円筒形のカソード絶縁部材15aが嵌まり、その内側に中空円筒形のアーク遮蔽部材20が嵌まるようになっている。更にこの例では、アーク遮蔽部材20の先端部にフランジ部が設けられ、このフランジ部がボルト39によりカソード絶縁部材15aを軸方向に貫通してカソード絶縁部材15cに固定される。
【0054】
また、図7において、カソードホルダー12aとカソード14の末端部の間にはリング状のカソード絶縁部材15bが嵌まり、カウリング部12eの内側には中空円筒形のアーク遮蔽部材20が直接嵌まるようになっている。更にこの例では、アーク遮蔽部材20の末端部にフランジ部が設けられ、このフランジ部がボルト39によりカソード絶縁部材15cに固定される。
【0055】
図6及び図7において、カソード絶縁部材15bは例えば耐熱性の高い窒化ボロン材(BN)であり、カソード絶縁部材15aは例えばアルミナ材であるのがよい。
【0056】
これらの構成により、カウリング部12eをカソード14から電気的に絶縁するとともに、カソード14の末端部とカソードホルダー12aからの放電を本質的に防止することができる。
【0057】
また、図6及び図7において、カウリング部12eは、アノード絶縁部材31,32を介してアノード側の導管24に固定されている。この構成は、図5の第4実施形態と同様である。また、その他の構成は、図2と同様である。
この構成により、カウリング部12eをアノード及びカソードから電気的に絶縁し、アーク遮蔽部材20と共にそのまわりのカウリング部12eの電位もアノードとカソードの中間電位とすることができ、真空アーク放電19を電位差の大きいカソードとアノードの間のみに更に安定して発生させることができる。
【0058】
【実施例】
図8は、本発明の実施例におけるカソードの消耗状態を示す模式図である。この図において、(A)は従来の円錐形のカソードの場合の使用前aと使用後b、(B)は従来の装置における円柱形カソードの使用前aと使用後b1,b2、(C)は本発明における円柱形カソードの使用前aと使用後bを示している。
【0059】
図8(A)に示すように、従来の円錐形の陰極(カソード)では、先端部に局所化させて直流アーク放電を安定維持することができが、陰極が円錐形であるため放電時間により陰極が短時間に急激に消耗してしまう欠点があった。
また、図8(B)に示すように、従来の装置に円柱形カソードを適用した場合には、直流アーク放電を先端部に局所化させて安定維持することができず、円柱形カソードの側面との間でも放電がおきて消耗するため、円錐形の場合よりも短時間した成膜ができなかった。
【0060】
これに対して、図8(C)に示すように、本発明の装置及び方法では、アノード16とカソード14の円形端面14aとの間のみに真空アーク放電19を局所化させて発生させ、カソード物質のプラズマ形成を長時間継続させることができることが確認された。なおこの試験は、カーボン、銅、チタンで成功している。
【0061】
なお、本発明は上述した実施例及び実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【0062】
【発明の効果】
上述したように、本発明は、円柱状の丸棒をそのまま陰極として使用し、先端部の円形断面部にのみプラズマスポットを局所化させ円柱形状を保ったまま金属円柱をプラズマ化するものである。
従って、本発明の放電型プラズマ成膜装置とその方法は、真空アーク放電を発生させてカソード物質のプラズマを長時間安定して成膜することができる、等の優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放電型プラズマ成膜装置の第1実施形態の全体構成図である。
【図2】図1のA部の拡大図である。
【図3】本発明の放電型プラズマ成膜装置の第2実施形態の構成図である。
【図4】本発明の放電型プラズマ成膜装置の第3実施形態の構成図である。
【図5】本発明の放電型プラズマ成膜装置の第4実施形態の構成図である。
【図6】本発明の放電型プラズマ成膜装置の第5実施形態の構成図である。
【図7】本発明の放電型プラズマ成膜装置の第6実施形態の構成図である。
【図8】カソードの消耗状態を示す模式図である。
【図9】従来の成膜装置の構成図である。
【符号の説明】
1 被処理材、2 カソード、3 アノード、4 トロイド、
5 プラズマダクト、6 管、7 標的部域、8 素材、
9 磁気走査コイル、10 放電型プラズマ成膜装置、
12 真空容器、12a カソードホルダー、
12b,12c,12d,12e カウリング部、
13 絶縁性ボルト、14 カソード、
14a 円形端面、14b 円柱面、
15a,15b,15c カソード絶縁部材、
15d 絶縁ロッド、16 アノード、
17 カソード保持電極、18 電源装置、
19 真空アーク放電、20 アーク遮蔽部材、
21 プラズマ、22 第1チャンバー、23 第2チャンバー、
24 導管、27 成膜チャンバー、28 ホルダー、
29 バイアス電源(直流電源)、30 磁場発生装置
31,32 アノード絶縁部材、33 ベローズ、
34 ボルト、35 絶縁碍子、36 Oリング、
37a,37b 金属板、38a,38b 遮熱リング、
39 ボルト[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a discharge-type plasma film forming apparatus and method for forming a film by forming a cathode material into plasma in a vacuum.
[0002]
[Prior art]
In order to increase the functionality of parts, there is a strong demand in the industry for surface processing techniques for forming a thin film such as diamond-like carbon film (DLC), TiN, or CN on the surface of a material to be processed. For example, DLC is a thin film diamond made of carbon. (1) The surface of the plastic lens is coated to prevent scratches. (2) The film is formed on the surface of the magnetic disk to prevent wear due to contact with the read head. (3) It can exhibit excellent corrosion resistance and abrasion resistance as an alternative to wet plating, which has become an environmental problem.
[0003]
As the film forming means such as DLC described above, (1) a gas plasma method using a gas plasma such as nitrogen or argon, (2) a plasma method using a plasma such as carbon or titanium, and (3) both of these are combined. A combined hybrid method has been developed.
Of these, the gas plasma method uses methane (CH Four ) Or acetylene (C 2 H 2 ) As a source gas, there is a basic problem that hydrogen (H) remains during film formation, and the hardness of the film quality such as DLC decreases. On the other hand, the plasma method has a feature that an excellent film having high hardness can be obtained because pure carbon or a metal material can be used as a raw material (cathode material). The present invention relates to such a plasma method.
[0004]
Conventionally, thin films such as DLC, TiN, and CN have been generated using an arc discharge type plasma ion source as a film forming means by the plasma method. However, in the conventional film forming means, the melted raw material (cathode material) becomes fine (about 1 μm diameter) droplets (called splash, macroparticle, droplet) and adheres to the generated film, and the quality of the thin film (film quality) ).
[0005]
As means for solving this problem, for example, JP-T 6-508235, PCT / FI95 / 00677, etc. have been proposed. As shown in FIG. 9, the “large particle filter for arc source” of JP-T 6-508235 comprises a circular cathode 2, a cylindrical anode 3, a
[0006]
However, in the film forming means using the conventional plasma method described above, it is necessary to use a plurality of large toroids 4 (coils) in order to bend the plasma by the magnetic field and guide it to the material 8, and as a result, the film forming efficiency decreases. There has been a problem that the magnetic field generating equipment (for example, a coil) becomes large and the equipment becomes very expensive.
[0007]
In order to solve this problem, the inventors of the present invention previously invented a “film forming apparatus and method using metal plasma” equipped with a metal
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional discharge-type plasma film forming means described above, a cathode (cathode) used as a plasma source has a thin cylindrical shape or conical shape. However, the thin cylindrical cathode as illustrated in FIG. 5 has a problem that it cannot form a film for a long time because the cathode volume is small.
[0009]
On the other hand, when a conical cathode is used, the arc discharge spot can be localized at the tip of the conical cathode, so that the DC arc discharge can be stably maintained. Therefore, although the film formation can be continued for a longer time than the thin cylindrical shape, the cathode tip is consumed due to the product of elapsed time and arc discharge, and the cathode is conical, so the cathode is consumed rapidly due to the discharge time. was there.
[0010]
In addition, the manufacture of such a cathode not only takes processing time because a cylindrical material is processed with a lathe or the like, but also generates a large amount of cutting waste. There was a problem that the membrane cost increased.
[0011]
The present invention was devised to solve such problems at the same time. That is, an object of the present invention is to provide a discharge-type plasma film forming apparatus and method that can generate a vacuum arc discharge and stably form a cathode material plasma for a long time.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, there is provided a discharge-type plasma film forming apparatus for converting a cathode material into a plasma in a vacuum, wherein a vacuum vessel (12) capable of reducing the pressure inside, and a columnar cathode disposed in the vacuum vessel ( 14), an anode (16) provided at a position facing the circular end surface (14a) of the cathode, a DC power supply device (18) for applying a DC voltage between the cathode and the anode, and a cylindrical surface of the cathode ( 14b) and an arc shielding member (20) for shielding a vacuum arc discharge (19) generated between the anode and The arc shielding member (20) is a hollow cylindrical conductive material that surrounds the cathode cylindrical surface at a constant interval in the axial direction so as to prevent the cathode cylindrical surface (14b) from directly facing the anode. And the cathode is electrically insulated from the cathode and the anode, and the cathode is configured to be movable in the axial direction so as to maintain a constant distance between the circular end face (14a) and the anode. A discharge-type plasma film forming apparatus is provided.
[0014]
Also, a discharge type plasma generation method for forming a cathode material plasma by maintaining a vacuum in a vacuum vessel (12) and generating a vacuum arc discharge (19) between an anode and a cathode in an applied magnetic field, Electrically isolated from the cathode and anode Hollow cylindrical The cylindrical surface (14b) of the cathode is covered with the arc shielding member (20). Constant with respect to axial direction The vacuum arc discharge (19) generated between the cylindrical surface of the cathode and the anode is shielded at an interval, and Moving the cathode in the axial direction so that the distance between the circular end face (14a) and the anode is kept constant; A discharge-type plasma generation method is provided.
[0015]
According to the apparatus and method of the present invention, since the arc shielding member (20) is electrically insulated from the anode and the cathode and positioned at the intermediate position, the potential of the arc shielding member becomes an intermediate potential between the anode and the cathode, A vacuum arc discharge (19) can be generated only between the cathode and anode with a large potential difference.
[0016]
The arc shielding member also has a cylindrical surface of the cathode so as to prevent the cylindrical surface (14b) of the cathode from directly facing the anode. Constant with respect to axial direction Since it surrounds at intervals, the vacuum arc discharge (19) generated between the cylindrical surface (14b) of the cathode and the anode can be shielded.
[0017]
Therefore, the inside of the vacuum vessel (12) is kept in a vacuum, and a vacuum arc discharge (19) is generated only between the anode and the circular end face (14a) of the cathode in an applied magnetic field to form a cathode material plasma. In addition, since the cathode is only gradually shortened while maintaining the cylindrical shape, there is little change in the discharge state, and the cathode material can be converted into plasma stably for a long time.
[0018]
The cathode (14) may be a detachable cylindrical member having a certain length, or a long cylindrical member configured to be continuously supplied toward the anode.
If the cathode is composed of a detachable cylindrical member having a certain length, the cathode material for this length can be stably converted into plasma. In addition, if the cathode is constituted by a long cylindrical member configured to be continuously supplied toward the anode, the position of the circular end face (14a) of the cathode can be kept constant, so that the gap between this face and the anode can be maintained. Plasma can be generated under the same conditions stably for a long time.
[0019]
According to another preferred embodiment of the present invention, the vacuum vessel (12) includes a cathode holder (12a) for holding the cathode (14) and a cowling portion (12b) surrounding the arc shielding member (20) with a space therebetween. , 12c, 12d, 12e), the cathode holder (12a) is electrically connected to the cathode (14), and the cowling portions (12b, 12c, 12d, 12e) are electrically insulated from the cathode and the anode. ing.
The vacuum vessel (12) is composed of a cathode holder (12a) for holding the cathode (14) and a cowling part (12b, 12c, 12d, 12e) surrounding the arc shielding member (20) at a distance. The cathode holder (12a) is electrically connected to the cathode (14), and the cowling portions (12b, 12c, 12d, 12e) are electrically insulated from the cathode and the anode.
[0020]
With this configuration and method, the cowling portions (12b, 12c) surrounding the arc shielding member (20) at an interval are electrically insulated from the cathode and the anode. The potential of (12b, 12c) also becomes an intermediate potential between the anode and the cathode, and the vacuum arc discharge (19) can be generated more stably only between the cathode and the anode having a large potential difference.
[0021]
The cowling part (12b, 12c) includes a cowling moving part (12b) and a cowling fixing part (12c) connected via a hollow cylindrical flexible bellows (33). 12b) is movable in the axial direction of the cathode (14) with respect to the cowling fixing part (12c), and the cowling moving part (12b) is fixed to the cathode holder (12a) via the cathode insulating member (15c). The cowling fixing part (12c) is fixed to the anode side via the anode insulating members (31, 32).
[0022]
With this configuration, the cowling moving portion (12b) is moved in the axial direction of the cathode (14) with respect to the cowling fixing portion (12c) while the cowling portions (12b, 12c) are electrically insulated from the cathode and the anode. Thus, the position of the circular end face (14a) of the cathode can be kept constant, and plasma can be generated between this face and the anode stably for a long time under the same conditions.
[0023]
The arc shielding member (20) is fixed to the inside of the cowling fixing part (12c) via an insulator (35).
With this configuration, the arc shielding member (20) can be insulated and supported from the cowling portions (12b, 12c), and the electrical insulation performance between the arc shielding member (20) and the cathode and anode can be further enhanced.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the common part in each figure, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a first embodiment of a discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention. The discharge-type plasma
[0025]
The
[0026]
The
The
The DC
[0027]
In FIG. 1, the
The
[0028]
The
[0029]
The
When a negative high-pressure pulse is applied to the
[0030]
With the above-described configuration, the inside of the
[0031]
The apparatus described above is used as follows. That is, gas is put into the
[0032]
FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG. In this figure, a
[0033]
Therefore, since the potential of the
[0034]
FIG. 3 is a configuration diagram of a second embodiment of the discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention. This figure also shows a portion corresponding to part A of FIG. In this figure, the
[0035]
In addition, according to the discharge-type plasma film forming method of the present invention, as described above, the
[0036]
According to the apparatus and method of the present invention described above, the inside of the
[0037]
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, if the
Also, as shown in FIG. 3, if the
[0038]
FIG. 4 is a configuration diagram of a third embodiment of the discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention. This figure also shows a portion corresponding to part A of FIG. In this figure, the
[0039]
The
[0040]
In this example, the
[0041]
The
[0042]
With this configuration, the
[0043]
Further, the
With this configuration, the
[0044]
Furthermore, in this example, the
With this configuration, the
[0045]
FIG. 5 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention. This figure also shows a portion corresponding to part A of FIG.
In this figure, the
[0046]
The
In this example, the
With this configuration, the
[0047]
A flat
[0048]
With this configuration, the
[0049]
The
With this configuration, the
[0050]
Further, in this example, the
[0051]
FIG. 6 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention, and FIG. 7 is a configuration diagram of the sixth embodiment. These drawings also show a portion corresponding to the portion A in FIG.
6 and 7, the
[0052]
The
Also in this example, the
With this configuration, the
[0053]
In FIG. 6, a ring-shaped
[0054]
In FIG. 7, a ring-shaped
[0055]
6 and 7, the
[0056]
With these configurations, the
[0057]
6 and 7, the
With this configuration, the
[0058]
【Example】
FIG. 8 is a schematic diagram showing the exhausted state of the cathode in the embodiment of the present invention. In this figure, (A) shows a before and after use b in the case of a conventional conical cathode, and (B) shows a before and after use b1, b2, and (C) of a cylindrical cathode in a conventional apparatus. These show a before use and b after use of the cylindrical cathode in the present invention.
[0059]
As shown in FIG. 8 (A), in the conventional conical cathode (cathode), the DC arc discharge can be stably maintained by being localized at the tip portion. However, since the cathode is conical, it depends on the discharge time. There was a drawback that the cathode was consumed rapidly in a short time.
Further, as shown in FIG. 8B, when the cylindrical cathode is applied to the conventional apparatus, the DC arc discharge cannot be localized and maintained stably at the tip, and the side surface of the cylindrical cathode In this case, the film could not be formed in a shorter time than in the case of the conical shape.
[0060]
On the other hand, as shown in FIG. 8C, in the apparatus and method of the present invention, the
[0061]
In addition, this invention is not limited to the Example and embodiment mentioned above, Of course, it can change variously in the range which does not deviate from the summary of this invention.
[0062]
【The invention's effect】
As described above, the present invention uses a cylindrical round bar as a cathode as it is, and localizes the plasma spot only at the circular cross section at the tip, and converts the metal cylinder into plasma while maintaining the cylindrical shape. .
Therefore, the discharge-type plasma film forming apparatus and method of the present invention have excellent effects such as generating a vacuum arc discharge and forming a cathode material plasma stably for a long time.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a first embodiment of a discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of part A in FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram of a second embodiment of a discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention.
FIG. 4 is a configuration diagram of a third embodiment of the discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention.
FIG. 5 is a configuration diagram of a fourth embodiment of a discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention.
FIG. 6 is a configuration diagram of a fifth embodiment of a discharge plasma deposition apparatus of the present invention.
FIG. 7 is a configuration diagram of a sixth embodiment of a discharge-type plasma film forming apparatus of the present invention.
FIG. 8 is a schematic diagram showing a cathode consumption state.
FIG. 9 is a configuration diagram of a conventional film forming apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Material to be treated, 2 cathode, 3 anode, 4 toroid,
5 plasma ducts, 6 tubes, 7 target areas, 8 materials,
9 Magnetic scanning coil, 10 Discharge-type plasma film forming device,
12 vacuum vessel, 12a cathode holder,
12b, 12c, 12d, 12e cowling part,
13 Insulating bolt, 14 cathode,
14a circular end face, 14b cylindrical face,
15a, 15b, 15c cathode insulation member,
15d insulating rod, 16 anode,
17 cathode holding electrode, 18 power supply,
19 vacuum arc discharge, 20 arc shielding member,
21 plasma, 22 first chamber, 23 second chamber,
24 conduits, 27 deposition chambers, 28 holders,
29 Bias power supply (DC power supply), 30 Magnetic field generator
31, 32 Anode insulation member, 33 bellows,
34 bolts, 35 insulators, 36 O-rings,
37a, 37b metal plate, 38a, 38b heat shield ring,
39 volts
Claims (7)
前記アーク遮蔽部材(20)は、カソードの円柱面(14b)がアノードと直接対向するのを阻止するようにカソードの円柱面を軸方向に関し一定間隔を隔てて囲む中空円筒形の導電材であり、かつカソード及びアノードから電気的に絶縁されており、
前記カソードは、その円形端面(14a)とアノードとの距離を一定に保持するように軸方向に移動可能に構成されている、
ことを特徴とする放電型プラズマ成膜装置。A discharge-type plasma film forming apparatus for converting a cathode material into a plasma in a vacuum, a vacuum vessel (12) capable of reducing the pressure inside, a cylindrical cathode (14) disposed in the vacuum vessel, and the cathode An anode (16) provided at a position facing the circular end surface (14a) of the cathode, a DC power supply device (18) for applying a DC voltage between the cathode and the anode, and a cylindrical surface (14b) of the cathode and the anode An arc shielding member (20) for shielding vacuum arc discharge (19) generated in
The arc shielding member (20) is a hollow cylindrical conductive material that surrounds the cathode cylindrical surface at a constant interval in the axial direction so as to prevent the cathode cylindrical surface (14b) from directly facing the anode. And electrically insulated from the cathode and anode,
The cathode is configured to be movable in the axial direction so as to maintain a constant distance between the circular end face (14a) and the anode.
Discharge-type plasma film forming apparatus characterized by the above.
カソード及びアノードから電気的に絶縁された中空円筒形のアーク遮蔽部材(20)でカソードの円柱面(14b)を軸方向に関し一定間隔を隔てて囲み、カソードの円柱面とアノードの間に発生する真空アーク放電(19)を遮蔽し、
前記カソードを、その円形端面(14a)とアノードとの距離が一定に保持されるように軸方向に移動させる、
ことを特徴とする放電型プラズマ発生方法。A discharge-type plasma generation method in which the inside of a vacuum vessel (12) is kept in vacuum and a vacuum arc discharge (19) is generated between an anode and a cathode in an applied magnetic field to form a cathode material plasma,
A hollow cylindrical arc shielding member (20) that is electrically insulated from the cathode and anode surrounds the cylindrical surface (14b) of the cathode at a constant interval in the axial direction, and is generated between the cylindrical surface of the cathode and the anode. Shielding the vacuum arc discharge (19),
Moving the cathode in the axial direction so that the distance between the circular end face (14a) and the anode is kept constant;
A discharge-type plasma generation method characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376591A JP3668845B2 (en) | 2000-12-13 | 2001-12-11 | Discharge plasma deposition apparatus and method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-378422 | 2000-12-13 | ||
| JP2000378422 | 2000-12-13 | ||
| JP2001376591A JP3668845B2 (en) | 2000-12-13 | 2001-12-11 | Discharge plasma deposition apparatus and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002241928A JP2002241928A (en) | 2002-08-28 |
| JP3668845B2 true JP3668845B2 (en) | 2005-07-06 |
Family
ID=26605722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001376591A Expired - Fee Related JP3668845B2 (en) | 2000-12-13 | 2001-12-11 | Discharge plasma deposition apparatus and method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3668845B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4906448B2 (en) * | 2006-09-11 | 2012-03-28 | 新明和工業株式会社 | Intermediate electrode unit of plasma gun and plasma gun including the same |
| JP2008103141A (en) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Tohoku Univ | Plasma generating apparatus and plasma generating method |
| JP5214176B2 (en) * | 2007-06-08 | 2013-06-19 | 住友重機械工業株式会社 | Plasma gun |
| JP5006809B2 (en) * | 2008-01-25 | 2012-08-22 | 新明和工業株式会社 | Plasma gun |
| CN103731969A (en) * | 2013-12-24 | 2014-04-16 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | Hollow cathode spaying gun device |
| CN106704133B (en) * | 2017-03-09 | 2023-06-27 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 | Triggerless micro-vacuum arc propeller adopting gas storage electrode |
| CN109729633B (en) * | 2017-10-30 | 2024-02-09 | 核工业西南物理研究院 | Linear type magnetic confinement plasma device |
| CN116855885B (en) * | 2023-07-05 | 2023-12-08 | 哈尔滨工业大学 | Device and method for rapidly and uniformly depositing metal film on inner wall of slender tube piece through electric field auxiliary pulse enhanced columnar cathode arc |
-
2001
- 2001-12-11 JP JP2001376591A patent/JP3668845B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002241928A (en) | 2002-08-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050328 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |