JP3676451B2

JP3676451B2 - Solar cell module and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP3676451B2
Application number: JP28959795A
Authority: JP
Inventors: 敦夫石川; 淳竹中; 正隆近藤; 英雄山岸
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 1995-11-08
Filing date: 1995-11-08
Publication date: 2005-07-27
Anticipated expiration: 2015-11-08
Also published as: JPH09135035A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは太陽電池モジュール、特に非晶質シリコンを始めとする非晶質半導体層により光電変換を行う非晶質太陽電池モジュール、或いはＣｄＴｅなどに代表される化合物系太陽電池モジュールの製造方法に関するものである。さらに詳しくは上記太陽電池モジュールの両端に位置する取り出し電極部分に関するリード線の取り付け方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
非晶質太陽電池等の半導体装置は、絶縁基板として主にガラス基板を用い、そのガラス基板上に透明導電膜層、非晶質半導体層、裏面電極層が順次形成され、これら薄膜をその都度パターニングする事により複数のセルが作製される。この際にこれらのセルを集積化することにより、一般に用いられる太陽電池モジュールとしての電気的特性を示す構造となっている。かかる太陽電池モジュールにおいては集積されている各段のセルの最初の段と最終段の電極部分、すなわち集積化されたセルの最も電位差が大きくなる電極部分に於いては、通常半田メッキを施した銅線をリード線として、それを半田付けすることにより、そのリード線を太陽電池モジュールの端子ボックスまで導びいている。該ガラス基板上にこのリード線を全面にわたり半田付けする事は、ガラス基板と金属の熱膨張係数の違いから、リード線とガラス基板の間に剥離を生じ、信頼性を大きく損なう原因となる。このため通常このリード線の取り付け方法としては、点付けと呼ばれる所定の間隔でリード線と該ガラス基板を半田付けする方法が採用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半田と半田の間は、リード線と該ガラス基板の間で空隙が必然的に生じるが、空隙の高さに大小が生じるため、裏面封止を行った際に、裏面封止用樹脂がその空隙に進入できる場合と進入できない場合が生じていた。特に樹脂が入り込まなかった場合には、その空隙に外部から進入した水分が結露等により水滴となってたまり、裏面金属の腐食が促進される原因となる。その結果、太陽電池モジュールの信頼性に問題を生じていた。
【０００４】
そこで、本発明者らは上記問題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る太陽電池モジュールは、ガラス基板上に直接形成された太陽電池層からなる複数のセルが集積化されてなる太陽電池モジュールであって、該太陽電池モジュール内の最も電位差が大きくなる正負の電極部分に於いて、各々の該電極部分に対応する取り出し電極が、一つの該電極部分内の所定の間隔の位置にて該ガラス基板上に複数の該位置で半田付けされてなり、また、少なくとも該取り出し電極が封止樹脂により封止されてなり、さらに、該所定の間隔における該取り出し電極と該太陽電池層との間の空隙に該封止樹脂が充填されてなることを特徴とする太陽電池モジュールである。
ここで、前記取り出し電極は、請求項２のように、半田メッキ銅箔であることが好ましい。
また、ここで、前記太陽電池層は、請求項３のように、透明導電膜層、非晶質半導体層、及び裏面電極層からなる。
この様な本発明の太陽電池モジュールは、請求項４のように、前記所定の間隔で予備半田付を行った後にその位置に、前記取り出し電極を前記半田付けする太陽電池モジュールの製造方法により製造される。
また、この際、請求項５のように、前記半田付けを、前記取り出し電極と前記太陽電池層との間の空隙に所定の高さのスペーサー挿入して行うことが好ましい。このようにすることで、スペーサーを用いてそのリード線と該半導体基板との空隙を所定の高さに維持し半田付け作業を行うことであり、その後に該スペーサーを取り除くことにある。
【０００６】
また、熱可塑性樹脂シートでリード線を取り付けた該太陽電池を覆い、さらに該熱可塑性シートをフッ素系樹脂シートで代表される裏面カバーで覆った後、これらを加熱及び真空引き及び加圧により、熱可塑性樹脂シートと半導体基板の間、及び熱可塑性樹脂シートと該裏面カバーの間に気泡を残さない状態で熱可塑性樹脂を溶融、硬化させ、該半導体と裏面カバーフィルムとを接着させる真空ラミネート法により前記半導体を封止する半導体装置の製造方法である。
【０００７】
さらに、半田付けした該絶縁基板とリード線の空隙に毛管現象を利用して液状樹脂を浸透させる半導体装置の製造方法である。
このような半導体装置を作製する場合、リード線部分の信頼性を高めるためにリード線とガラス基板との空隙を一定高さ以上とし、しかも再現性良くその空隙の高さを形成することが可能であり、裏面封止樹脂が確実にそのリード線と絶縁基板の空隙に侵入することができる。その結果、半導体装置としての信頼性を大幅に高めることが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
前記、空隙を作る方法を具体的に述べる。リード線は絶縁基板上に連続的でない状態で超音波半田ゴテにより予備半田付けされる。等間隔、或いは所定の決められた間隔で予備半田付けがなされている。通常はこの予備半田された部分の形状は円形の点であるので以後この半田付けされた部分をスポットと呼ぶ事にする。この隣接する半田付けのスポット間隔より狭い幅のスペーサーで、しかも厚みが真空ラミネート法による裏面封止の場合には１０μｍ以上、常圧裏面封止法による場合にも１０μｍ以上の厚みを有するスペーサーを用いることにより、リード線とガラス基板間の距離がこのスペーサーの厚み以上に維持されることになる。
【０００９】
このときのスペーサー形状は櫛歯状の物型が好ましく、この形状であれば、そのリード線におけるスポットをすべて半田付けした後、まとめてスペーサーを取り除くことができるため、脱着が容易となる。上から見た図を、図３に示す。
また、スペーサーの厚みは、溶融樹脂や、室温で液状の樹脂がスペーサーによって設けられた空隙に、容易に進入できるようにするために、１０μｍ以上が好ましい。また裏面を封止する熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂の厚みが１ｍｍ以下であることを考慮すれば、スペーサー厚みも１ｍｍ以下が好ましい。
【００１０】
さらには、この絶縁基板とリード線の空隙は数十ミクロンから数百ミクロン程度の精度が要求されるため、錆或いは膨潤等による膜厚の増加、或いは作業の繰り返しの摩耗による膜厚の減少は好ましくない。このためスペーサーの材質としては硬質のプラスチックやステンレスが好ましいが、このような薄さのスペーサーをより均一な厚みで成形するためには、ステンレスがより好ましい。
【００１１】
また、スペーサーの取り出しは全てのスポットの半田付けが終了後に行うのが好ましい。
このように一定の高さ以上の空隙が維持されることによりリード線と絶縁基板の間の空隙に安定的に樹脂を充填させることが可能となる。
【００１２】
【実施例１】
本発明の半導体装置の製造方法を適用した非晶質太陽電池モジュールにおいて、以下に図面を用いてその構成を示す。絶縁基板として、基板サイズ３００ｍｍ×４００ｍｍ、厚み４ｔのガラス基板４上に熱ＣＶＤ法により透明導電膜層３を形成し、波長１．０６μｍＹＡＧレーザーの基本波を用いて、短冊状に電気的に分離した。その後純水で超音波洗浄を行ない、透明導電膜層３が被着された面側に基板温度２００℃、反応圧力０．５から１．０Ｔｏｒｒにてモノシラン、メタン、ジボランから成る混合ガス、モノシラン、水素から成る混合ガス、モノシラン、水素、ホスフィンから成る混合ガスをこの順序にて容量結合型グロー放電分解装置内で分解することにより、Ｐ型、Ｉ型、Ｎ型の非晶質半導体層２を形成した。この後先ほどのレーザーによるスクライブ線より僅かにずれた位置を、透明導電膜層にダメージがないように波長０．５３μｍのＹＡＧレーザーの第二高調波を用いて分離した。引き続いて裏面金属層１としてアルミニウムをスパッタリング法により、厚み３００ｎｍ形成して、これを波長０．５３μｍのＹＡＧレーザーの第二高調波を用いて更に分離し、集積型非晶質シリコン太陽電池を作製した。この太陽電池の断面図を図１に示す。この太陽電池の両端には正負の取り出し電極を設ける。該取り出し電極は半田メッキ銅箔６を用いており、ガラス基板４との接着は超音波半田付け法により、予備半田７によってガラス基板との接着を行っている。概略図を図２に示す。ここでは半田メッキ銅箔６とガラス基板４を半田付けする超音波半田の間隔は２０ｍｍと一定とした。但し超音波半田のスポット径は２ｍｍであるため、スポットの中心から中心までの距離は２０ｍｍであり、隣接するスポット間の最短距離は１８ｍｍとなる。取り出し電極部分に超音波半田付け法で上記のように一定間隔で半田付けした後、幅１６ｍｍ、ステンレス製の厚み１００μｍのスペーサー８を超音波半田の各スポットの間に挿入した状態で固定し、その後取り出し電極としてリード線６をはわせた。さらにこの際リード線の張力が一定となるように、約５００ｇのテンションを常時加えた状態で順次半田付けを行っていった。この時のリード付けを行う際のリード線と太陽電池の断面図と上側から見た図を図３に示す。
【００１３】
この後スペーサーを取り除き、熱可塑性樹脂であるＥＶＡ（エチレンとビニルアセテートとの共重合体）９とテドラーフィルム１０を全面に覆い、真空ラミネート法により１５０℃まで昇温しＥＶＡ９を加熱融着することにより裏面を封止した。封止後の太陽電池の断面図を図４に示す。
その空隙の大きさを調べるために、同様に基板サイズ３００ｍｍ×４００ｍｍの透明導電膜層や半導体層の蒸着されていない透明のガラス基板を用意し、上記と同様の方法で超音波半田付けを行い、さらにその後スペーサーを用いてリード線付けを行った。その際のガラス基板とリード線の空隙を隙間ゲージにより調べた。比較例として、スペーサーを用いないでリード線付けを行った場合の空隙も隙間ゲージによって調べた。双方の空隙の大きさの分布を表１に示す。
【００１４】
【表１】

【００１５】
更に双方ともＥＶＡ９とテドラーフィルム１０を真空ラミネート法により加熱融着させた後、ガラス面側からリード線６の下部に残る気泡を調べた。一枚の基板に残っている気泡の数を表２に示す。
【００１６】
【表２】

【００１７】
更にスペーサーを用いた場合と用いなかった場合での信頼性を調査するために、基板サイズ５インチ×５インチの太陽電池モジュールでスペーサーを用いてリード線付を行った太陽電池モジュールとスペーサーを用いずにリード線付をした太陽電池モジュールをそれぞれ５枚づつ作製した。このスペーサーを用いてリード線付を行った小型モジュールに於いても、予備半田付けの間隔を１０ｍｍとし、幅を７ｍｍ、厚み１００μｍのスペーサーを用いてリード線付けを行った。その後同様にＥＶＡとテドラーを用いて真空ラミネート法により加熱融着を行い、小型の太陽電池モジュールとした。本来ならばガラス基板の端面には、熱可塑性ブチルゴムなどにより封止した後、アルミフレームなどで保護するものである。しかしながら今回は、内部の空隙による性能低下を短時間で確かめる為に敢えて端面封止は行わなかった。これら合計１０個の太陽電池を８５℃／９０％ＲＨ．の高温高湿槽に１０００時間放置し、初期における電気特性と試験後の電気特性とを比較した。その結果を表３に示す。
【００１８】
【表３】

【００１９】
これらの表からも分かるようにスペーサーを用いた太陽電池モジュールは、５枚全てに於いて大きな特性低下は示さなかったが、スペーサーを用いなかった太陽電池モジュールの中には特性低下を示したものが見られた。
【００２０】
【実施例２】
実施例１と同様の方法で作製された基板サイズ３００ｍｍ×４００ｍｍのガラス基板上の太陽電池に、同様の方法でリード線６を超音波半田付け法により取り付けた。半田付け間隔は実施例１と同じ２０ｍｍ間隔である。ここではステンレス製で厚みが２００μｍのスペーサーを用いた。このガラス基板上にポリイソブチレンを主査骨格とした熱硬化型樹脂と、可塑剤、架橋剤、紫外線吸収剤、充填剤として酸化珪素、酸化チタンを加え撹拌脱泡を行い、粘度が１８０ポイズの液状樹脂をディスペンサーによりリード線の幅方向の一方の辺にかかるように連続的にリード線の長さ方向にわたって樹脂を塗布し、リード線とガラス基板の空隙に樹脂を注入した。この後ガラス基板上の太陽電池全面にポリイソブチレンを主鎖骨格とした熱硬化型樹脂と、可塑剤、架橋剤、紫外線吸収剤、充填剤として酸化珪素、酸化チタンを加え撹拌脱泡を行った粘度３５０ポイズの液状樹脂１１を太陽電池側に全面塗布し、その上からガラスクロス１２で覆い、ローラーを用いてエアーが入らないようにカバーした。この後この太陽電池を１５０℃のオーブンにて約１時間放置させ、樹脂を硬化させることにより太陽電池モジュールを作製した。この太陽電池モジュールの断面図を図５に示す。
【００２１】
この場合も実施例１と同様に、この太陽電池モジュールは、スペーサーを用いなかった太陽電池モジュールに比べ大きな特性低下は示さなかった。
【００２２】
【発明の効果】
以上のように本発明においては、太陽電池等の半導体の取り出し電極部分をスペーサーを用いてリード線付けすることにより、裏面封止樹脂が絶縁基板とリード線の間に未充填部分を残すことなく注入させることが可能となり、その結果半導体装置の信頼性を大幅に向上させることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の一例である太陽電池の断面図
【図２】リード線を予備半田付けした断面図
【図３】（Ａ）スペーサーを空隙部に挿入した取り付け部の上側から見た図（Ｂ）はその断面図
【図４】実施例１の太陽電池モジュールの断面図
【図５】実施例２の太陽電池モジュールの断面図
【符号の説明】
１裏面電極層
２非晶質半導体層
３透明導電膜層
４ガラス基板
５太陽電池層
６半田メッキ銅箔（リード線）
７予備半田
８スペーサー
９ＥＶＡ
１０テドラーフィルム
１１液状樹脂（ポリイソブチレン）
１２ガラスクロス[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more specifically, is represented by a solar cell module, particularly an amorphous solar cell module that performs photoelectric conversion using an amorphous semiconductor layer such as amorphous silicon, or CdTe. The present invention relates to a method for manufacturing a compound solar cell module. More specifically, the present invention relates to a method of attaching lead wires for extraction electrode portions located at both ends of the solar cell module.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor device such as an amorphous solar cell mainly uses a glass substrate as an insulating substrate, and a transparent conductive film layer, an amorphous semiconductor layer, and a back electrode layer are sequentially formed on the glass substrate. A plurality of cells are produced by patterning. At this time, by integrating these cells, it has a structure showing electric characteristics as a generally used solar battery module. In such a solar cell module, the first and last electrode portions of the cells of each integrated cell, that is, the electrode portion where the potential difference of the integrated cells is the largest is usually subjected to solder plating. By using a copper wire as a lead wire and soldering it, the lead wire is led to the terminal box of the solar cell module. Soldering the lead wire over the entire surface of the glass substrate causes peeling between the lead wire and the glass substrate due to the difference in thermal expansion coefficient between the glass substrate and the metal, which causes a significant loss of reliability. For this reason, as a method for attaching the lead wire, a method of soldering the lead wire and the glass substrate at a predetermined interval called spotting has been adopted.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, a gap is inevitably generated between the lead wire and the glass substrate between the solder and the height of the gap. However, when the back surface sealing is performed, the back surface sealing resin is generated. There are cases where can and cannot enter the gap. In particular, when the resin does not enter, the moisture that has entered from the outside into the gap becomes water droplets due to condensation or the like, which causes the corrosion of the back surface metal to be accelerated. As a result, there has been a problem in the reliability of the solar cell module.
[0004]
Therefore, the present inventors have intensively studied to solve the above problems, and as a result, have reached the present invention.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
A solar cell module according to claim 1 of the present invention is a solar cell module in which a plurality of cells composed of solar cell layers directly formed on a glass substrate are integrated, and the most potential difference in the solar cell module in the positive and negative electrode portions increases, extraction electrode corresponding to the electrode portions of each of which are soldered in multiple said position on the glass substrate at the position of one of the predetermined intervals of the electrodes in the portion And at least the take-out electrode is sealed with a sealing resin, and the gap between the take-out electrode and the solar cell layer at the predetermined interval is filled with the sealing resin. This is a solar cell module.
Here, the take-out electrode is preferably a solder-plated copper foil as described in claim 2.
Here, the solar cell layer is composed of a transparent conductive film layer, an amorphous semiconductor layer, and a back electrode layer, as in claim 3.
Such a solar cell module of the present invention is manufactured by a method for manufacturing a solar cell module in which the take-out electrode is soldered at the position after preliminary soldering at the predetermined interval, as in claim 4. Is done.
At this time, as in claim 5, the soldering is preferably performed by inserting a spacer having a predetermined height into the gap between the extraction electrode and the solar cell layer. By doing so, the gap between the lead wire and the semiconductor substrate is maintained at a predetermined height using a spacer, and soldering is performed, and then the spacer is removed.
[0006]
Further, after covering the solar cell to which the lead wire is attached with a thermoplastic resin sheet, and further covering the thermoplastic sheet with a back cover typified by a fluororesin sheet, these are heated, evacuated and pressurized, A vacuum laminating method in which the thermoplastic resin is melted and cured between the thermoplastic resin sheet and the semiconductor substrate and between the thermoplastic resin sheet and the back cover without leaving any bubbles, and the semiconductor and the back cover film are bonded. A method for manufacturing a semiconductor device for sealing the semiconductor.
[0007]
Further, the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device in which a liquid resin is infiltrated into the gap between the soldered insulating substrate and the lead wire by utilizing capillary action.
When manufacturing such a semiconductor device, it is possible to make the gap between the lead wire and the glass substrate above a certain height in order to increase the reliability of the lead wire portion, and to form the height of the gap with good reproducibility. Thus, the back surface sealing resin can surely enter the gap between the lead wire and the insulating substrate. As a result, the reliability as a semiconductor device can be significantly increased.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The method for creating the void will be specifically described. The lead wire is pre-soldered with an ultrasonic soldering iron in a non-continuous state on the insulating substrate. Pre-soldering is performed at equal intervals or at predetermined intervals. Usually, the shape of the pre-soldered portion is a circular point, and hence the soldered portion is hereinafter referred to as a spot. A spacer having a width narrower than the adjacent soldering spot interval and having a thickness of 10 μm or more in the case of back surface sealing by a vacuum laminating method and a thickness of 10 μm or more in the case of normal pressure back surface sealing method. By using it, the distance between the lead wire and the glass substrate is maintained to be more than the thickness of the spacer.
[0009]
The spacer shape at this time is preferably a comb-shaped object. With this shape, after all the spots on the lead wires are soldered, the spacers can be removed together, so that the attachment / detachment is easy. A view from above is shown in FIG.
Further, the thickness of the spacer is preferably 10 μm or more so that a molten resin or a liquid resin at room temperature can easily enter the space provided by the spacer. Considering that the thickness of the thermoplastic resin or thermosetting resin for sealing the back surface is 1 mm or less, the spacer thickness is preferably 1 mm or less.
[0010]
Furthermore, since the gap between the insulating substrate and the lead wire is required to have an accuracy of several tens of microns to several hundreds of microns, the increase in the film thickness due to rust or swelling, or the decrease in the film thickness due to repeated wear of work. It is not preferable. For this reason, a hard plastic or stainless steel is preferable as the material of the spacer, but stainless steel is more preferable in order to form such a thin spacer with a more uniform thickness.
[0011]
Further, it is preferable that the spacer is taken out after all the spots are soldered.
Thus, by maintaining the gap of a certain height or higher, the gap between the lead wire and the insulating substrate can be stably filled with resin.
[0012]
[Example 1]
The structure of an amorphous solar cell module to which the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is applied will be described below with reference to the drawings. A transparent conductive film layer 3 is formed by thermal CVD on a glass substrate 4 having a substrate size of 300 mm × 400 mm and a thickness of 4 t as an insulating substrate, and is electrically separated into strips using a fundamental wave of a wavelength of 1.06 μm YAG laser. did. Thereafter, ultrasonic cleaning is performed with pure water, and a mixed gas composed of monosilane, methane and diborane at a substrate temperature of 200 ° C. and a reaction pressure of 0.5 to 1.0 Torr on the surface on which the transparent conductive film layer 3 is deposited, monosilane P-type, I-type, and N-type amorphous semiconductor layers 2 are decomposed in a capacitively coupled glow discharge decomposition apparatus in this order in a mixed gas comprising hydrogen, monosilane, hydrogen, and phosphine. Formed. Thereafter, the position slightly shifted from the scribe line by the laser was separated using a second harmonic of a YAG laser having a wavelength of 0.53 μm so that the transparent conductive film layer was not damaged. Subsequently, aluminum is formed as the back metal layer 1 by sputtering to a thickness of 300 nm, and this is further separated by using a second harmonic of a YAG laser having a wavelength of 0.53 μm to produce an integrated amorphous silicon solar cell. did. A cross-sectional view of this solar cell is shown in FIG. Positive and negative extraction electrodes are provided at both ends of the solar cell. The take-out electrode uses a solder-plated copper foil 6, and the glass substrate 4 is bonded to the glass substrate by a pre-solder 7 by an ultrasonic soldering method. A schematic diagram is shown in FIG. Here, the interval between the ultrasonic solder for soldering the solder-plated copper foil 6 and the glass substrate 4 was fixed to 20 mm. However, since the spot diameter of the ultrasonic solder is 2 mm, the distance from the center of the spot to the center is 20 mm, and the shortest distance between adjacent spots is 18 mm. After soldering to the take-out electrode part at a regular interval as described above by ultrasonic soldering, the spacer 8 having a width of 16 mm and a thickness of 100 μm made of stainless steel is fixed in a state of being inserted between each spot of the ultrasonic solder, Thereafter, a lead wire 6 was fitted as an extraction electrode. At this time, soldering was sequentially performed in a state where a tension of about 500 g was constantly applied so that the tension of the lead wire was constant. FIG. 3 shows a cross-sectional view of the lead wire and the solar cell when performing lead attachment at this time, and a view seen from above.
[0013]
Thereafter, the spacer is removed, EVA (copolymer of ethylene and vinyl acetate) 9 as a thermoplastic resin and Tedlar film 10 are covered over the entire surface, and the temperature is raised to 150 ° C. by vacuum laminating to heat and fuse EVA 9. As a result, the back surface was sealed. A sectional view of the solar cell after sealing is shown in FIG.
In order to investigate the size of the gap, similarly, a transparent glass substrate having a substrate size of 300 mm × 400 mm or a transparent glass substrate on which no semiconductor layer is deposited is prepared, and ultrasonic soldering is performed in the same manner as described above. After that, lead wires were attached using a spacer. The gap between the glass substrate and the lead wire at that time was examined with a gap gauge. As a comparative example, the gap when the lead wire was attached without using a spacer was also examined with a gap gauge. The distribution of the size of both voids is shown in Table 1.
[0014]
[Table 1]

[0015]
Furthermore, after both EVA9 and the Tedlar film 10 were heat-fused by the vacuum laminating method, bubbles remaining under the lead wires 6 were examined from the glass surface side. Table 2 shows the number of bubbles remaining on one substrate.
[0016]
[Table 2]

[0017]
Furthermore, in order to investigate the reliability with and without the use of a spacer, a solar cell module with spacers and a solar cell module having a substrate size of 5 inches × 5 inches and a spacer are used. 5 solar cell modules each having a lead wire were prepared. Even in a small module to which lead wires were attached using this spacer, the lead wire was attached using a spacer having a pre-soldering interval of 10 mm, a width of 7 mm, and a thickness of 100 μm. Subsequently, similarly, heat fusion was performed by a vacuum laminating method using EVA and Tedlar to obtain a small solar cell module. Originally, the end surface of the glass substrate is sealed with thermoplastic butyl rubber or the like and then protected with an aluminum frame or the like. However, this time, in order to confirm the performance degradation due to the internal gap in a short time, no end face sealing was performed. These 10 solar cells were combined at 85 ° C./90% RH. The sample was left in a high-temperature and high-humidity tank for 1000 hours, and the electrical characteristics in the initial stage and the electrical characteristics after the test were compared. The results are shown in Table 3.
[0018]
[Table 3]

[0019]
As can be seen from these tables, the solar cell module using the spacer did not show a significant decrease in characteristics in all five sheets, but the solar cell module that did not use the spacer showed a decrease in characteristics. It was observed.
[0020]
[Example 2]
A lead wire 6 was attached to a solar cell on a glass substrate having a substrate size of 300 mm × 400 mm manufactured by the same method as in Example 1 by an ultrasonic soldering method. The soldering interval is the same 20 mm interval as in Example 1. Here, a spacer made of stainless steel and having a thickness of 200 μm was used. On this glass substrate, a thermosetting resin with polyisobutylene as the main skeleton, a plasticizer, a cross-linking agent, an ultraviolet absorber, silicon oxide and titanium oxide as a filler are added, and the mixture is defoamed with a viscosity of 180 poise. The resin was continuously applied over the length direction of the lead wire so that the resin was applied to one side in the width direction of the lead wire by a dispenser, and the resin was injected into the gap between the lead wire and the glass substrate. Thereafter, a thermosetting resin having polyisobutylene as the main chain skeleton, a plasticizer, a crosslinking agent, an ultraviolet absorber, and silicon oxide and titanium oxide as fillers were added to the entire surface of the solar cell on the glass substrate, followed by stirring and defoaming. A liquid resin 11 having a viscosity of 350 poise was applied on the entire surface of the solar cell, covered with a glass cloth 12 from above, and covered with a roller so as not to enter air. Thereafter, the solar cell was left in an oven at 150 ° C. for about 1 hour to cure the resin, thereby producing a solar cell module. A sectional view of this solar cell module is shown in FIG.
[0021]
Also in this case, as in Example 1, this solar cell module did not show a significant decrease in characteristics compared to the solar cell module that did not use the spacer.
[0022]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, the lead-out electrode portion of a semiconductor such as a solar cell is attached to a lead wire using a spacer, so that the back surface sealing resin does not leave an unfilled portion between the insulating substrate and the lead wire. As a result, the reliability of the semiconductor device can be greatly improved.
[Brief description of the drawings]
1 is a cross-sectional view of a solar cell as an example of a semiconductor device. FIG. 2 is a cross-sectional view in which lead wires are pre-soldered. FIG. 3 (A) is a view from above of a mounting portion in which a spacer is inserted into a gap. FIG. 4B is a cross-sectional view of the solar cell module of Example 1. FIG. 5 is a cross-sectional view of the solar cell module of Example 2. DESCRIPTION OF SYMBOLS
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Back electrode layer 2 Amorphous semiconductor layer 3 Transparent conductive film layer 4 Glass substrate 5 Solar cell layer 6 Solder plating copper foil (lead wire)
7 Preliminary solder 8 Spacer 9 EVA
10 Tedlar film 11 Liquid resin (polyisobutylene)
12 Glass cloth

Claims

A solar cell module in which a plurality of cells composed of solar cell layers directly formed on a glass substrate are integrated, and each of the positive and negative electrode portions having the largest potential difference in the solar cell module, extraction electrode corresponding to the electrode portion, it is soldered at a plurality of said positions on the glass substrate at the position of one of the predetermined intervals of the electrode portion, also, at least the take-out electrode sealing resin A solar cell module, wherein the sealing resin is filled in a gap between the extraction electrode and the solar cell layer at the predetermined interval .

The solar cell module according to claim 1, wherein the extraction electrode is a solder-plated copper foil.

The solar cell module according to claim 1 or 2, wherein the solar cell layer includes a transparent conductive film layer, an amorphous semiconductor layer, and a back electrode layer.

The method for manufacturing a solar cell module according to claim 1, wherein after the preliminary soldering is performed at the predetermined interval, the extraction electrode is soldered to the position.

5. The method for manufacturing a solar cell module according to claim 4, wherein the soldering is performed by inserting a spacer having a predetermined height into a gap between the extraction electrode and the solar cell layer.