JP3680227B2 - Hot platen - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被加熱物を加熱する熱盤に属し、特に、半導体もしくは液晶ディスプレイなどを製造するための熱処理工程で用いられる熱盤に属する。
【0002】
【従来の技術】
熱盤の従来技術としては、たとえば、液晶ディスプレイの製造工程に用いられるものが知られている。近年、薄型、低消費電力の液晶ディスプレイ装置(LCD:Liquid Crystal Display)が注目されるようになったが、現在、市場に出ているLCDは、単純マトリクス駆動のSTN(Super Twisted Transistor)、TFTの改良であるMIM(Metal Insuiator Metal)方式などがある。これらの中で一つ一つの画素にトランジスターが埋め込まれているTFT方式は、液晶パネル全体の6割を占めている。
【0003】
このTFT型ディスプレイは、構造材であるガラス基盤やスペーサーとか液晶のほかはすべてが非常に薄い膜によって構成されている。特に画素の開閉を行うスイッチとなるTFT部分の構造は、半導体集積回路に良く見られるメタル、シリコン、及び絶縁膜の組み合わせである。これらはやはり半導体と同じように、薄膜形成、露光、エッチング処理によるリソグラフィーの繰り返しによる製造工程によって作り込まれる。このときに200℃前後の昇温や降温が必要となり、その加熱及び冷却のために熱盤が使用されている。
【0004】
熱盤がどのように用いられるかを図4に示すプリベーク工程でその一例を説明する。
【0005】
液晶ディスプレイの製造装置は、大きさ5×2×2m3 程度の直方体の箱体171によって外装構造が作られている。箱体171の内部には複数の仕切板を設けて複数の小部屋172a,172b,172c,172dが設けられている。小部屋172a,172b,172c,172dの下部には、熱盤173a,173b,173c,173dが一つずつ設置されている。
【0006】
箱体171の両側面には窓174a,174bが形成されている。一方の窓174aには,各小部屋172a,172b,172c,172dに加工途中の液晶ガラス基板180を入れる。そして一例として順に110℃、140℃、160℃、110℃に温度調節された熱盤173a,173b,173c,173dが設けてある4つの小部屋172a,172b,172c,172dを通過させて他方の窓174bへ送出させる。このような平面インライン加熱方式がプリベーク工程である。
【0007】
なお、平面のインライン式を例にして記述したが、枚葉式という液晶ガラス基盤を複数段に積み重ねたり、塗布装置として一緒に組み込まれている場合もある。また、成膜、加熱処理する拡散、CVD装置、熱処理装置等の半導体製造装置にも組み込まれている。
【0008】
このような従来の液晶ディスプレイの製造装置用の熱盤、あるいは半導体製造装置用の熱盤としては、液晶もしくは半導体と接する面に液晶ディスプレイあるいは半導体に接し、又は近接してその液晶ディスプレイあるいは半導体を乾燥・熱処理させるための一面が平らで一面に不純物の露出の生じない平面板(トッププレート)と、そのトッププレートを加熱するための加熱源が合体したものがある。これらの熱盤については、出願人が先に出願した、特願平8−116788号の明細書に述べられている。
【0009】
図5に示した熱盤は、液晶ディスプレイの製造装置用の熱盤、あるいは半導体製造装置用の熱盤として用いられる構成とした従来技術を示している。
【0010】
この熱盤には、トッププレート200の裏面に一条の溝部201が形成されており、この溝部201に温水もしくは冷却水を流通して加熱や冷却等に用いるように構成されている。トッププレート200の裏面には、この溝部201を水密に封止するために封止板203が設けられる。また、トッププレート200の裏面には、トッププレート200の溝部201と同じ向きに封止パッキン部材(図示せず)を嵌め込むためのパッキン溝208が形成されている。トッププレート200と封止板203とは、パッキン溝208に封止パッキン部材が嵌め込まれて、ネジ204によって一体に固定される。封止板203には、液体を溝部201へ流入するための流入パイプ206と、液体を溝部201から流出するための流出パイプ207とが接続されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図5に示した従来技術の構成でなる熱盤は、溝部201を水密に封止するための構造が複雑になってしまうという問題がある。
【0012】
また、従来例の構成でなる熱盤は、溝部201と封止板203との間を流通する冷却水として水の溶存物の金属への攻撃を回避するため、工業用の純水を用いることから、トッププレート200の溝部201の内面に残存する金属材の攻撃や金属からの金属イオンの溶出によって腐食が生じるという問題がある。特に、トッププレート200がアルミニウム等の柔らかい金属材料であると、溝部201の切削による金属粉の残存などによっても腐食が生じる。
【0013】
さらに、トッププレート200の溝部201に代えて、パイプをトッププレート200に固定するものにあっては、トッププレート200とパイプ200とをアルミニウム材とすると、トッププレート200とパイプ200を流通する工業用の純水とによって同様の腐食を生じる恐れがあり、長時間の使用状態によって水漏れする危険性がある。
【0014】
それ故、本発明の課題は、トッププレートにパイプを固定して用い、このパイプの腐食を防止することで長時間にわたって温度分布を良好にでき、かつトッププレートに液晶あるいは半導体を載置したときの熱盤の主面の温度ひずみの改良を図った熱盤を提供することにある。
【0015】
【発明を解決するための手段】
本発明によれば、被加熱物を乗せて加熱、冷却する主面を有する熱板と、前記主面に対向するよう該熱板に設けた熱源パイプとを含む熱盤において、前記熱源パイプは、第1のパイプ部材と、該第1のパイプ部材に挿入された第2のパイプ部材とを有し、前記主面とは反対側の前記熱板の一面に予め設けられている溝部内に加締め圧入することにより前記第1及び第2のパイプ部材と熱板とのそれぞれが密着・嵌合していることを特徴とする熱盤が得られる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図1及び図2を参照して本発明の熱盤の一実施の形態例を説明する。図1及び図2を参照して、熱盤は、液晶ガラス基板のような被加熱物を乗せて被加熱物を加熱する主面1aを有する熱板(以下、フェースプレートと呼ぶ)1と、主面1aに対向するようフェースプレート1に設けた熱源パイプ3とを含む。
【0017】
フェースプレート1には、主面1aとは反対側の一面1bに熱源パイプ3を装着するために一条の溝部5が形成されている。そして、熱源パイプ3の外周面が溝部5の内壁に接合されている。熱源パイプ3の外周面の一部は、溝部5の開口側で露出している。溝部5に熱源パイプ3を装着するには、プレス機等によって溝部5に熱源パイプ3を圧入し、溝部5の開口縁を加締めなど、周知な手段によって可能である。
【0018】
この実施の形態例の熱盤では,約240〜340mmの円盤状からなるフェースプレート1の一面1bに溝部5をループ状に設け、その溝部5に熱源パイプ3を挿入して溝部5の縁部分を加締めによって固定している。この際、熱源パイプ3の両端部は、主面1aとは反対側の一面1b上で曲げられて、ほぼ立設した状態に形成されて熱源パイプ3の一方端を加熱もしくは冷却のための液体の流入部とし、他方端を液体の流出部としている。
【0019】
図3にも示すように、熱源パイプ3は、第1のパイプ部材3aと、この第1のパイプ部材3aの内側に設けられている第2のパイプ部材3bとを有している。第1のパイプ部材3aの内周面には、第2のパイプ部材3bを密着加工することなく挿入し、溝部5に合わせる成形加工を行った後、溝部5に第1のパイプ部材3aを含む第2のパイプ部材3bをプレス圧入し全体を加締めることによって完全に密着させ、第2のパイプ部材3bの外周面が第1のパイプ部材3aに密着している。熱源パイプ3は、加締め圧入後のフェースプレート1の一面1bが第1のパイプ部材3aを露出させた状態で第2のパイプ3bを残して第1のパイプ部材3aとともに平面加工されている。
【0020】
なお、第2のパイプ部材3bは、この第2のパイプ部材3bを流通する工業用の純水などの流体に対して耐腐食性を有し、第1のパイプ部材3aよりも高硬度の材料によって作られている。そして、フェースプレート1と第1のパイプ部材3aとは、フェースプレート1の表面処理が自由に設定できるようにこれらが同一の金属材料によって作られている。第2のパイプ部材3bはフェースプレート1及び第1のパイプ部材3aとは異なる金属材料によって作られている。
【0021】
第1のパイプ部材3aは、例えば、アルミニウム材であり、第2のパイプ部材3bはステンレス材のように第1のパイプ部材3aより第2のパイプ部材3bが高硬度に作られることによって、フェースプレート1の溝部5への圧入、嵌合工程において第1及び第2のパイプ部材3a,3b間及び第1のパイプ部材3aとフェースプレート1に設けられた溝部5との間における密着度を向上させている。例えば、第2のパイプ部材3bを流通する純水に対して耐腐食性及び高硬度を有するものとなる。また、第2のパイプ部材3bの端部は、第1のパイプ部材3aの端部よりも突出しており、導入パイプもしくは導出パイプに接続に際して機械的な強度を十分に得られるように高硬度な材料を用いている。
【0022】
さらに、熱源パイプ3の端部10は、第2のパイプ部材3bを第1のパイプ部材3aよりも突出することによって段差形状になっており、前述した導入パイプもしくは導出パイプに第2のパイプ部材3bの端部を接続することで第1及び第2のパイプ部材3a,3bの隙間に流体が染み込むことによって発生する電気腐食を防止することができる。
【0023】
なお、熱源として純水とは異なる流体を用いる場合には、第2のパイプ部材3bを流通する流体の種類に応じて、第2のパイプ部材3bの材料を選択し、第1のパイプ部材3a及びフェースプレート1を組み合わせればよい。この場合、第1のパイプ部材3a及びフェースプレート1は、これらが同一の材料であればよい。また、第2のパイプ部材3b内に無機電気絶縁物を介して、発熱線を充填しシーズヒータのような加熱源とすることも可能である。
【0024】
なお、第1のパイプ部材3aと第2のパイプ部材3bとは、これらの板厚寸法を互いに異なる板厚寸法とすることによって曲げ加工による変形を防止することもできる。また、第2のパイプ部材3bは、金属材料にかぎらす、耐腐食性に優れている樹脂材を用いてもよい。
【0025】
【発明の効果】
上述のように本発明の熱盤によれば、第1及び第2のパイプ材料とで2重管状の熱源パイプを熱板に接合し、耐腐食性に優れた第2のパイプ材を用いていることから、流体による耐腐食性が向上するため、長時間の使用に耐えるばかりか、流体との熱抵抗を小さくすることができる。
【0026】
また、第1のパイプ部材よりも第2のパイプ部材を高硬度としたので、パイプ相互及び熱板間が密着し熱抵抗の極少化により、主面の温度歪みを改良することができ、外部の導入パイプもしくは導出パイプと第2のパイプ部材との接続を簡単な構造で完全なものとすることができる。
【0027】
さらに、第1のパイプ部材の内周面に第2のパイプ部材が密着しかつ第1のパイプ部材が溝部に接合されて一面が形成されるので、その一面を切削加工しても第1のパイプ部材の内周面に第2のパイプ部材が位置していることから、切削加工により第2のパイプ部材を露出することなく一面に平行な平面度が得られ、両面を平面加工できるので直接平面機械加工が可能な面とすることができる。即ち、第1のパイプ部材と熱板は、同じ材質とすると最適な加工条件も同じになり、パイプ部材の厚みの範囲内であれば、流路となるパイプ部材の耐食性、耐圧性を損なうことなく熱板の一面の平面加工が容易できる。したがって、平面加工後の主面とは反対側の一面を基準面として、被加熱物を載せて加熱、冷却する主面に平行な一面の平面加工をも容易な加工とすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の熱盤の第1の実施の形態例を示す断面図である。
【図2】 図1に示した熱盤を裏面側から見た状態を示す平面図である。
【図3】 図1に示した熱盤の一部を拡大して示した断面図である。
【図4】 従来のプリベーク工程を説明するの概略図である。
【図5】 従来の熱盤を分解した状態で示した断面図である。
【符号の説明】
1、200 熱板(フェースプレート)
1a 主面
1b 一面
3 熱源パイプ
3a 第1のパイプ部材
3b 第2のパイプ部材
5、201 溝部
203 封止板
204 ネジ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to a hot platen for heating an object to be heated, and particularly to a hot platen used in a heat treatment process for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal display.
[0002]
[Prior art]
As a conventional technology of a hot platen, for example, one used in a manufacturing process of a liquid crystal display is known. In recent years, thin, low-power liquid crystal display device: The (LCD Liquid Crystal Display) has become to attract attention, now, the LCD on the market, a simple matrix drive STN (Super Twisted Transistor), TFT There is a MIM (Metal Insulator Metal) method that is an improvement of the above. Among these, the TFT method in which a transistor is embedded in each pixel occupies 60% of the entire liquid crystal panel.
[0003]
This TFT type display is composed of a very thin film except for the glass substrate, spacers, and liquid crystal which are structural materials. In particular, the structure of the TFT portion that serves as a switch for opening and closing the pixel is a combination of metal, silicon, and an insulating film often found in semiconductor integrated circuits. As in the case of semiconductors, these are formed by a manufacturing process by repeated lithography using thin film formation, exposure, and etching. At this time, it is necessary to raise or lower the temperature around 200 ° C., and a heating plate is used for heating and cooling.
[0004]
An example of how the hot platen is used will be described in the pre-bake process shown in FIG.
[0005]
The liquid crystal display manufacturing apparatus has an exterior structure made of a rectangular
[0006]
Windows 174 a and 174 b are formed on both side surfaces of the
[0007]
In addition, although the plane inline type was described as an example, there are cases where a single-wafer type liquid crystal glass substrate is stacked in a plurality of stages or incorporated together as a coating apparatus. Further, it is also incorporated in semiconductor manufacturing equipment such as film formation, diffusion for heat treatment, CVD equipment, and heat treatment equipment.
[0008]
Such a hot platen for a liquid crystal display manufacturing device or a hot platen for a semiconductor manufacturing device has a liquid crystal display or semiconductor in contact with or close to a surface in contact with the liquid crystal or semiconductor. There is a combination of a flat plate (top plate) on which one surface for drying and heat treatment is flat and impurities are not exposed on one surface, and a heating source for heating the top plate. These hot plates are described in the specification of Japanese Patent Application No. 8-116788 filed earlier by the applicant.
[0009]
The hot platen shown in FIG. 5 shows a conventional technique configured to be used as a hot platen for a liquid crystal display manufacturing device or a hot platen for a semiconductor manufacturing device.
[0010]
This hot platen is formed with a
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, the hot platen having the configuration of the prior art shown in FIG. 5 has a problem that the structure for sealing the
[0012]
In addition, the heating plate having the configuration of the conventional example uses industrial pure water as a cooling water flowing between the
[0013]
Furthermore, in place of the
[0014]
Therefore, the problem of the present invention is that when a pipe is fixed to the top plate, the temperature distribution can be improved over a long period of time by preventing corrosion of the pipe, and a liquid crystal or a semiconductor is placed on the top plate. An object of the present invention is to provide a hot plate in which the temperature distortion of the main surface of the hot plate is improved.
[0015]
[Means for Solving the Invention]
According to the present invention, heat is put an object to be heated, a heating plate having a cooling major surfaces, the heating plate comprising a heat source pipe provided on the hot plate so as to face the main surface, the heat source pipe And a first pipe member and a second pipe member inserted into the first pipe member, in a groove portion provided in advance on one surface of the hot plate opposite to the main surface. A hot platen characterized in that the first and second pipe members and the hot plate are brought into close contact with each other by press-fitting with caulking .
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the hot platen according to the present invention will be described with reference to FIGS. Referring to FIGS. 1 and 2, the hot platen is a hot plate (hereinafter referred to as a face plate) 1 having a main surface 1a for heating the heated object such as a liquid crystal glass substrate. And a
[0017]
The
[0018]
In the heating plate of this embodiment, the
[0019]
As shown in FIG. 3, the
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
Further, the
[0023]
When a fluid different from pure water is used as a heat source, the material of the
[0024]
In addition, the
[0025]
【The invention's effect】
As described above, according to the heating plate of the present invention, the double tubular heat source pipe is joined to the hot plate with the first and second pipe materials, and the second pipe material having excellent corrosion resistance is used. Therefore, the corrosion resistance by the fluid is improved, so that not only can it be used for a long time, but also the thermal resistance with the fluid can be reduced.
[0026]
In addition, since the second pipe member has a higher hardness than the first pipe member, the pipes and the heat plate are in close contact with each other, and the thermal resistance is minimized, so that the temperature distortion of the main surface can be improved. The connection between the inlet pipe or the outlet pipe and the second pipe member can be completed with a simple structure.
[0027]
Furthermore, since the second pipe member is in close contact with the inner peripheral surface of the first pipe member and the first pipe member is joined to the groove portion to form one surface, the first surface can be cut even if the one surface is cut. Since the second pipe member is located on the inner peripheral surface of the pipe member, the flatness parallel to one surface can be obtained without exposing the second pipe member by cutting, and both surfaces can be flattened directly. It can be a surface capable of plane machining. That is, if the first pipe member and the hot plate are made of the same material, the optimum processing conditions are the same. If the thickness is within the thickness range of the pipe member, the corrosion resistance and pressure resistance of the pipe member serving as the flow path are impaired. In addition, flat processing of one surface of the hot plate can be facilitated. Accordingly, it is possible to easily perform planar processing of one surface parallel to the main surface to be heated and cooled by placing an object to be heated on the surface opposite to the main surface after the planar processing as a reference surface. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a hot platen according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a state in which the heating plate shown in FIG. 1 is viewed from the back side.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a part of the hot platen shown in FIG.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a conventional pre-baking process.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional hot plate in an exploded state.
[Explanation of symbols]
1,200 Heat plate (face plate)
1a Main surface
1b one
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