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JP3683370B2 - Electron beam exposure system - Google Patents
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JP3683370B2 - Electron beam exposure system - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子ビーム露光装置に係り、特に、電子ビームをスリット組立体を通して断面が矩形の形状に整形してウェハ上に投影するブロック露光又は可変矩形型電子ビーム露光装置に関する。
【0002】
現在、ブロック露光電子ビーム露光装置においては、LSIの回路パターンの微細化に対応すべく、回路パターンをより精度良く描画すること、及び、高生産性のために、LSIの回路パターンをより高速で描画することが求められている。
【0003】
【従来の技術】
図10(A),(B)及び図11は、従来のブロック露光型電子ビーム露光装置のうち電子銃の次の段の個所に配設してある第1のスリット10を示す。第1のスリット10は、ハウジング11内に、台座12が固定してあり、台座12にベアリング13を介してステージ14が垂直軸15に関して回動可能に支持してあり、ステージ14上にスリット組立体16が固定してあり、且つ、ステージ14に関してウォームギヤ機構17が設けてある構成である。スリット組立体16はスリット形成部材26が4つ井桁状に組み合わされた構造であり、中央に約200μm角のスリット25が形成してある。スリット形成部材26は、耐熱性に優れているモリブデン製である。ウォームギヤ機構17は、ステージ14と一体のウォームホイール18と、台座12に支持されているウォーム19とよりなる。ウォーム19は、ハウジング11の外側のモータ20によって回転される。ハウジング11内は、排気ポート21を介して真空吸引されている。スリット組立体16は、台座12に固定された十字形のカバー23によって覆われている。カバー23は、中央に孔22を有する。
【0004】
電子銃から放射された電子ビームは、孔22を通り、スリット組立体16の個所で、周囲部分をスリット組立体16によって遮蔽されてスリット25を通り、スリット25を通った電子ビームは、断面が矩形に整形される。第1のスリット10からは、断面が矩形に整形された電子ビームが出、この電子ビームがウェハ上に投影されて、LSIの回路パターンが描画される。
【0005】
なお、ステージ14を垂直軸15に関して回動させるのは、第1のスリット10によって断面が矩形に整形された電子ビームと後述する第2のスリットの位相が微妙に回転しているため、この回転に対応した調整をする必要があるためである。ステージ14を垂直軸15に関して回動させて行う調整は、露光前に、モータ20を適宜駆動して、ウォームギヤ機構17を介してステージ14を数度の範囲で回動させ、第2のスリットの辺との平行性、垂直性を所定の範囲におさめるように調整する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
電子銃から放射された電子ビームの周囲部分がスリット組立体16を照射し、これによってスリット組立体16が加熱される。スリット組立体16の熱は、ステージ14→台座12→ハウジング11と伝導されて放熱される。
【0007】
ここで、ステージ14から台座12への熱の伝導路は、符号30で示すように、ベアリング13の個所だけに限定されており、しかも、ベアリング13の個所の接触は、接触面積が狭く、且つ、不安定となり易い。よって、熱伝導路30の熱抵抗が大きく、スリット組立体16の熱の台座12への熱伝導がよくない。このため、スリット組立体16が高温になり易く、スリット組立体16が欠損等の物理的破損を起こし易い。スリット組立体16が物理的破損を起こすと、回路パターンの描画精度が低下してしまう。
【0008】
また、スリット組立体16が高温になり易いため、回路パターンの描画速度を増すべく、電子ビームの電流量を上げることは困難であった。
また、電子ビーム露光装置のコラム内のチャージアップを排除するためにコラム内にオゾンを流した場合には、スリット組立体16が高温になっているため、スリット組立体16がオゾンに触れて簡単に酸化してしまう。スリット組立体16が酸化すると、ナイフエッジが直線でなくなり、回路パターンの描画精度が低下してしまう。
【0009】
また、ウォームギヤ機構17が有するバックラッシュの影響がステージ14の回動方向の微少な位置変動として表れ易い。ステージ14の回動方向位置が変動すると、ウェハ上に投影されたスリット像が回動方向に振れて、回路パターンの描画精度が低下してしまう。
【0010】
そこで、本発明は上記課題を解決した電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、電子ビーム源よりの電子ビームを第1のスリットを通して所定の断面形状の電子ビームとして試料上に投影する電子ビーム露光装置において、上記スリット装置は、台座と、該台座にベアリングを介して回動可能に支持されたステージと、上記所定の断面形状とされた第2のスリット上の第1のスリットの像の回転誤差を補正すべく該ステージを回動させて調整するステージ回動調整機構と、該ステージに固定してあり、電子ビーム源よりの電子ビームを上記所定の断面形状の電子ビームとするスリット組立体と、上記ステージと上記台座との間に存在しており、該ステージ回動調整機構による該ステージの回動を可能とし、且つ該ステージの熱を伝導して該台座に逃がすための熱伝導路手段とよりなる構成としたものである。
【0012】
請求項2の発明は、電子ビーム源よりの電子ビームを第1のスリットを通して所定の断面形状の電子ビームとして試料上に投影する電子ビーム露光装置において、上記スリット装置は、台座と、該台座にベアリングを介して回動可能に支持されたステージと、上記所定の断面形状とされた第2のスリット上の第1のスリットの像の回転誤差を補正すべく該ステージを回動させて調整するステージ回動調整機構と、該ステージに固定してあり、電子ビーム源よりの電子ビームを上記所定の断面形状の電子ビームとするスリット組立体とよりなり、該ステージは、該スリット組立体が固定されるステージ本体と、該ステージ本体より外側のフランジ部と、該ステージ本体と該フランジ部との間に存在しており、弾性変形して該ステージ本体が該フランジ部に対して少しの角度の範囲内で回動可能とすると共に該ステージ本体の熱を該フランジ部に熱伝導させるばね部とよりなり、該フランジ部が上記台座に固定してある構成としたものである。
【0013】
請求項3の発明は、上記ばね部は、周方向上等分に配され、一端が上記ステージ本体に繋がっており、他端が上記フランジ部に繋がっている、複数の曲線状のばね片よりなる構成としたことものである。
請求項4の発明は、上記ばね部は、一周しており、一端が上記ステージ本体に繋がっており、他端が上記フランジ部に繋がっている、単一のつる巻きばね片よりなる構成としたものである。
【0014】
請求項5の発明は、上記曲線状のばね片は、板状である構成としたものである。
請求項6の発明は、上記単一のつる巻きばね片は、板状である構成としたものである。
【0015】
請求項7の発明は、上記スリット装置は、上記ばね部が弾性変形した状態で、電子ビーム露光が行われる構成としたものである。
請求項8の発明は、請求項1乃至請求項7のうちいづれか一項記載の電子ビーム露光装置を使用して、試料を露光する構成としたものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
図2は本発明の一実施例になるブロック露光型電子ビーム露光装置40を示す。電子ビーム露光装置40は、コラム(図示せず)の最上部に電子ビーム源としての電子銃41、最下部に電子レンズL5を有し、その間に、上部から順に、電子レンズL1a、第1のスリット42、電子レンズL1b、スリット偏向器43、第1の偏向器44、電子レンズL2a、第2の偏向器44、マスクステージ46により移動される第2のスリット47、電子レンズL2b、第3の偏向器48、ブランキング49、第4の偏向器50、倍率及び回転のための電子レンズL3、アパーチャ51、電子レンズL4、電磁式の主偏向器52、静電式の副偏向器53が配設された構成である。
【0017】
電子銃41より発射された電子ビーム55は、電子レンズL1aによって平行の電子ビームとされ、第1のスリット42を通過して断面が矩形に整形される。断面が矩形に整形された電子ビーム55aは、電子レンズL1b、スリット偏向器43、第1の偏向器44、電子レンズL2a、第2の偏向器44を経て適宜偏向され、第2のスリット47に形成してある複数の開口部のうち所定の開口部47aに向かい、その開口部47aを通過して、断面が開口部47aの形状と同じ形状に整形される。
【0018】
整形された電子ビーム55bは、電子レンズL2b、第3の偏向器48、ブランキング49、第4の偏向器50、電子レンズL3、アパーチャ51、電子レンズL4、電子レンズL5を通過して、ステージ60上に保持された試料としてのウェハ61の上面に集束される。電子ビーム55bは、主偏向器52と副偏向器53とによって偏向されて、ウェハ61上を走査し、ウェハ61の表面のレジスト膜が電子ビームによって露光される。
【0019】
次に、本発明の要部をなす第1のスリット42について、図1、図3、図4、及び図5を参照して説明する。
第1のスリット42は、ステージ70の構造以外は、図10及び図11の第1のスリット10と実質上同じであり、対応する部分には同じ符号を付す。図3(A),(B)に示すように、第1のスリット42は、ハウジング11を有する。ハウジング11内に、銅製の台座12が固定してあり、ハウジング11外にモータ20が取り付けてある。ハウジング11内は、排気ポート21を介して真空吸引されている。
【0020】
台座12に、ベアリング13を介して、ステージ70が垂直軸15に関して回動可能に支持してある。ステージ70上にスリット組立体16Aが固定してある。ステージ70に関してウォームギヤ機構17が設けてある。このウォームギヤ機構17及びモータ20が、ステージ回動調整機構を構成する。
【0021】
図4及び図5に示すように、ステージ70はベリリウム銅製であり、上面に凹部70bを有し、中心に貫通孔70cを有する円柱形状のステージ本体70aと、ステージ本体70aの上部側の環状のフランジ部70dと、ステージ本体70aとフランジ部70dとの間の環状部分のばね部70eとよりなる。ばね部70eは、周方向上均等に配された略S字状の8個のばね片70fよりなる。各ばね片70fは、一端がステージ本体70aと繋がっており、周方向上S字を描くように配され、他端がフランジ部70dの内周に繋がっている。各ばね片70fのステージ本体70a及びフランジ部70dと繋がっている部分は折れ曲がらないようになっており、且つ、ステージ本体70a及びフランジ部70cよりステージ70の直径方向に突き出すようになっている。このばね部70dは、ステージ本体70aより張り出した厚さt1が約5mmのフランジ部の内周側の部分を放電加工等でくり抜き、ばね片70Afに相当する部分を残すことによって形成される。
【0022】
ベアリング13は、複数の鋼球71と、ステージ70のステージ本体70aの外周のV溝70gよりなるインナーレース72と、台座12の穴12aの面取り部12bと台座12の下面にねじ止めされたリング73の面取り部73aとよりなるアウターレース74とよりなる。
【0023】
ステージ70は、ステージ本体70aが台座12の穴12aを貫通しベアリング13によって回動可能に支持されて、図4に示すように、フランジ部70dがねじ75によって台座12の上面に押しつけられて固定されて、台座12に取付けられている。
【0024】
各ばね片70fが、図6(A)に示すように、S字が引き延ばされるように弾性変形することによって、ステージ本体70aは、フランジ部70dに対して、図6(B)に示す位置から時計方向(C方向)に数度の範囲で回動可能である。また、各ばね片70fが、図6(C)に示すように、S字が偏平となるように押し縮められて弾性変形することによって、ステージ本体70aは、フランジ部70dに対して、図6(B)に示す位置から反時計方向(CC方向)に数度の範囲で回動可能である。
【0025】
ここで、各ばね片70fは均等に撓むため、ステージ本体70aが回動しても、ステージ本体70aの中心Oの位置は変化しない。よって、ステージ本体70aが回動しても、ベアリング13にラジアル方向の力が作用することがなく、片当たり等の状態とはならず、ベアリング13に悪影響を与えない。また、弾性変形しているばね片70fが図6(B)に示す自然の状態に戻ろうとするばね力によって、回動したステージ本体70aには図6(B)に示す位置に戻ろうとする回動復帰力Fが作用している。
【0026】
後述するように、ばね部70e(8個のばね片70f)は、熱の伝導路として機能する。
ステージ本体70aの下端に、ウォームホイール18が固定してある。ウォーム19が、台座12の下面に固定してある軸受76に支持されて、台座12の下面側に設けてある。ウォーム19がウォームホイール18と噛合している。ウォーム19は、ハウジング11の外側のモータ20によって回転される。ウォーム19とウォームホイール18とがウォームギヤ機構17を構成する。
【0027】
スリット組立体16Aは、ステージ本体70aの上面の凹部70b内に嵌合してねじ止めされて固定してある。スリット組立体16Aは、特に図5に示すように、中心孔を有するMo又はW製の円盤80上に、4つのスリット形成部材81を井桁状に組んで固定したものであり、各スリット形成部材81のナイフエッジ部81aが約200μm角のスリット25が形成してある。各スリット形成部材81は、例えば、W製である。スリット形成部材81の材質がW製で足りるのは、後述するようにスリット組立体16Aの放熱性が改善されたためである。
【0028】
なお、スリット組立体16Aは、台座12に固定された十字形のカバー23Aによって覆われている。カバー23Aは、中央に孔22Aを有する。
次に、上記構成の第1のスリット42の動作及び特性について説明する。
電子銃から放射された電子ビームは、孔22Aを通り、スリット組立体16Aの個所で、周囲部分をスリット形成部材81のナイフエッジ部81aによって遮蔽されてスリット25を通り、スリット25を通った電子ビームは、断面が矩形に整形される。第1のスリット42からは、断面が矩形に整形された電子ビームが出、この電子ビームがウェハ上に投影されて、LSIの回路パターンが描画される。
【0029】
従来の場合と同じく、例えば、露光前に、モータ20を適宜駆動して、ウォームギヤ機構17を介してステージ70のステージ本体70a(スリット組立体16A)を数度の範囲で回動させ、所定の断面形状とされた第2のスリット47上の第1のスリット42の像との回転誤差するように、換言すれば、第1のスリット42の像の辺と第2のスリット47の開口の辺との平行性、垂直性を所定の範囲におさめるように微調整する。ステージ70のステージ本体70aは、図6(A)、(B)に示すように、ばね部70e(8個のばね片70f)を厚さt1の方向に弾性変形させて回動される。
【0030】
電子銃から放射された電子ビームの周囲部分がスリット形成部材81のうちスリット25に臨む個所を照射し、これによってスリット形成部材81、特にスリット形成部材81のナイフエッジ部81aが加熱される。図1に示すように、スリット形成部材81の熱は、円盤80→ステージ70→台座12と伝導され、台座12内に拡がって放熱される。
【0031】
ここで、ステージ70から台座12への熱の伝導路についてみる。熱の伝導路は、ベアリング13の個所を経由する既存の熱伝導路30に加えて、ばね片70f及びフランジ部70dを経由する、熱伝導路手段としての新たな熱伝導路90が形成されている。
【0032】
よって、スリット形成部材81の熱は、上記の二つの熱伝導路30、90を並行に通って逃がされるため、熱の伝導路が熱伝導路30だけだった従来に比べて、良好に逃がされる。
また、新たな熱伝導路90は、ばね片70f及びフランジ部70dを経由する構成であり、且つばね片70fは、線状ではなく板状であり、図1中にa−a断面に示すように、高さ方向が幅であり、フランジ部70dの厚さt1に対応する幅wを有しており、断面積Sが比較的大きいため、熱伝導路90の熱抵抗は、鋼球71とインナーレース72及びアウターレース74との接触部分を含んでいる既存の熱伝導路30の熱抵抗に比べて格段に低い。このことによっても、スリット形成部材81の熱は、従来に比べて、良好に逃がされる。
【0033】
新たな熱伝導路90が形成され、しかも、この熱伝導路90の熱抵抗が低いことによって、スリット形成部材81の最高温度が、従来の場合の最高温度より低く抑えられ、よって、スリット形成部材81のナイフエッジ部81aが例えば欠損等の物理的破損を起こすことが抑制される。スリット形成部材81のナイフエッジ部81aが物理的破損を起こすことが抑制されるため、回路パターンの描画精度は高い状態に維持される。
【0034】
また、スリット形成部材81の最高温度が従来の場合より低く抑えられるため、スリット形成部材81を例えばモリブデン製とした場合には、電子銃41が発射する電子ビームの電流量を従来の場合より増やすことが出来、これによって、回路パターンを描画する速度を従来の場合より上げることが出来、よって、LSIのスループットを上げることが出来る。
【0035】
また、電子ビーム露光装置40のコラム(図示せず)内の塵埃を排除するためにコラム内にオゾンを流しているけれども、スリット形成部材81の温度が従来の場合より低く抑えられているため、スリット形成部材81は酸化しにくい。よって、回路パターンの描画精度が低下してしまうことがなく、回路パターンの描画精度は高い状態に維持される。
【0036】
また、第1のスリット42は、ステージ70のステージ本体70a(スリット組立体16A)を調整したときに、ばね部70eが図6(B)に示す自然の状態から少し変形して図6(A)又は図6(C)に示す状態となるように構成してある。この図6(A)又は図6(C)に示す状態では、ステージ本体70aには図6(B)に示す位置に戻ろうとする回動復帰力Fが作用している。このステージ本体70aの回動復帰力Fがウォームホイール18を一方向に寄せ、ウォームギヤ機構17が有するバックラッシュを吸収して、バックラッシュの影響がステージ14の回動方向の微少な位置変動として表れないようになっている。よって、ウェハ上に投影されたスリット像が回動方向に振れることなく、安定し、回路パターンの描画精度は良好に維持される。
【0037】
次に、ステージ70、特に、ばね部70eの変形例について説明する。
図7は第1の変形例になるステージ70Aを示す。本体70Aaとフランジ部70Adとの間の環状部分のばね部70Aeは、略逆L状の4個のばね片70Afが周方向上均等に配された構成である。ばね部70Aeは、フランジ部の内周側の部分を放電加工等でくり抜き、ばね片70Afに相当する部分を残すことによって形成したものである。
【0038】
図8は第2の変形例になるステージ70Bを示す。本体70Baとフランジ部70Bdとの間の環状部分のばね部70Beは、つる巻き形状の一つのばね片70Afが一周した構成である。ばね部70Beは、フランジ部の内周側の部分を放電加工等でくり抜き、ばね片70Bfに相当する部分を残すことによって形成したものである。
【0039】
図9は第3の変形例になるステージ70Cを示す。本体70Caとフランジ部70Cdとの間の環状部分のばね部70Ceは、ジグザグ状の8個のばね片70Cfが周方向上均等に配された構成である。ばね部70Ceは、フランジ部の内周側の部分を放電加工等でくり抜き、ばね片70Cfに相当する部分を残すことによって形成したものである。
【0040】
上記各ステージ70A,70B,70Cにおいて、ばね部70Ae,70Be,70Ceは、前記のステージ70のばね部70eと同じく作用する。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1の発明によれば、ステージと台座との間に、ステージの少しの回動を可能とし、且つステージの熱を伝導して台座に逃がすための熱伝導路手段を設けた構成であるため、電子ビーム源よりの電子ビームの周囲の部分を照射されて加熱されるスリット組立体の熱を速やかに台座に逃がすことが出来、よって、電子ビーム露光動作中のスリット組立体の温度を従来の場合の温度より低く抑えることが出来る。よって、スリット組立体の物理的損傷及び酸化を抑えることが出来、よって、回路パターンの描画精度が無用に低下することを防止出来る。
【0042】
また、スリット組立体の温度上昇を抑えることが出来るため、耐熱性の材料を使用する部分を減らすことが出来、その分、電子ビーム露光装置の製造コストを安価に出来る。
また、耐熱性に優れた材料で作ったスリット組立体を使用した場合には、スリット組立体の温度上昇を抑えることが出来るため、電子源が発射する電子ビームの電流量を増やすことが出来、これによって、回路パターンを描画する速度を上げることが出来、よって、LSIのスループットを上げることが出来る。
【0043】
請求項2の発明によれば、ステージが、ステージ本体とフランジ部との間に弾性変形してステージ本体がフランジ部に対して少しの角度の範囲内で回動可能とすると共にステージ本体の熱を該フランジ部に熱伝導させるばね部とよりなる構成であり、フランジ部が台座に固定してある構成であるため、電子ビーム源よりの電子ビームの周囲の部分を照射されて加熱されるスリット組立体の熱を上記のばね部を通して速やかに台座に逃がすことが出来、請求項1の発明による効果と同じ効果を有する。
【0044】
また、ばね部は、ステージの一部であるため、部品を追加せずに実現出来る。請求項3及び請求項4の発明によれば、各ばね片が均等に撓むため、ステージ本体が回動しても、ステージ本体の中心の位置は変化せず、よって、ベアリングの片当たり等は発生せず、ベアリングが悪影響を受けないようにすることが出来る。
【0045】
請求項5及び請求項6の発明によれば、各ばね片が板状であるため、一般の線状である場合に比べて断面積を大きく出来、よって、熱伝導に対する抵抗を小さく出来、よって、スリット組立体の熱をばね部を通して速やかに台座に逃がすことが出来る。
【0046】
請求項7の発明によれば、ばね部が弾性変形した状態で、電子ビーム露光が行われる構成としたため、ステージ本体は元の位置に戻ろうとする力が作用しておりこの力が作用する方向に寄せられた状態となり、よって、ステージ回動調整機構にバックラッシュ等の遊びがある場合でも、ステージ本体ががたつくことを防止出来、よって、回路パターンの描画精度を従来より高めることが出来る。
【0047】
請求項8の発明によれば、回路パターンを精度良く描画することが出来、また、より高速で描画することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図3(A)中、I−I線に沿う、ステージ周りを拡大して示す断面図である。
【図2】本発明の一実施例になるブロック露光型電子ビーム露光装置をしめす図である。
【図3】図2中の第1のスリットを示す図である。
【図4】図3中、ステージの部分の斜視図である。
【図5】図3中、ステージの部分の分解斜視図である。
【図6】ステージ本体の回動を説明する図である。
【図7】ステージの第1の変形例の平面図である。
【図8】ステージの第2の変形例の平面図である。
【図9】ステージの第3の変形例の平面図である。
【図10】従来の第1のスリットを示す図である。
【図11】図10(B)中、ステージ周りを拡大して示す図である。
【符号の説明】
12 台座
13 ベアリング
16A スリット組立体
17 ウォームギヤ機構
18 ウォームホイール
19 ウォーム
25 スリット
30 熱伝導路
40 ブロック露光型電子ビーム露光装置
41 電子銃
42 第1のスリット
47 第2のスリット
55 電子ビーム
70、70A,70B,70C ステージ
70a,70Aa,70Ba,70Ca ステージ本体
70d,70Ad,70Bd,70Cd フランジ部
70e,70Ae,70Be,70Ce ばね部
70f,70Af,70Bf,70Cf ばね片
75 ねじ
80 円盤
81 スリット形成部材
90 熱伝導路
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electron beam exposure apparatus, and more particularly to a block exposure or variable rectangular electron beam exposure apparatus that projects an electron beam on a wafer after shaping the electron beam into a rectangular shape through a slit assembly.
[0002]
At present, in block exposure electron beam exposure apparatuses, in order to cope with the miniaturization of LSI circuit patterns, the circuit patterns of LSIs can be drawn at higher speeds for higher accuracy and high productivity. There is a need to draw.
[0003]
[Prior art]
FIGS. 10A, 10B, and 11 show the first slit 10 disposed at the next stage of the electron gun in the conventional block exposure type electron beam exposure apparatus. The first slit 10 has a pedestal 12 fixed in a housing 11, and a stage 14 is supported on the pedestal 12 via a bearing 13 so as to be rotatable about a vertical axis 15. The solid 16 is fixed, and the worm gear mechanism 17 is provided for the stage 14. The slit assembly 16 has a structure in which four slit forming members 26 are combined in a four-column pattern, and a slit 25 of about 200 μm square is formed at the center. The slit forming member 26 is made of molybdenum having excellent heat resistance. The worm gear mechanism 17 includes a worm wheel 18 integrated with the stage 14 and a worm 19 supported on the pedestal 12. The worm 19 is rotated by a motor 20 outside the housing 11. The inside of the housing 11 is vacuumed through the exhaust port 21. The slit assembly 16 is covered with a cross-shaped cover 23 fixed to the base 12. The cover 23 has a hole 22 in the center.
[0004]
The electron beam radiated from the electron gun passes through the hole 22, and at the location of the slit assembly 16, the surrounding portion is shielded by the slit assembly 16 and passes through the slit 25, and the electron beam passing through the slit 25 has a cross section. It is shaped into a rectangle. The first slit 10 emits an electron beam whose cross section is shaped into a rectangle, and this electron beam is projected onto the wafer to draw an LSI circuit pattern.
[0005]
The stage 14 is rotated about the vertical axis 15 because the phase of the electron beam whose cross section is shaped into a rectangle by the first slit 10 and the second slit, which will be described later, are slightly rotated. This is because it is necessary to make adjustments corresponding to the above. The adjustment performed by rotating the stage 14 with respect to the vertical axis 15 is performed by appropriately driving the motor 20 and rotating the stage 14 within a range of several degrees via the worm gear mechanism 17 before exposure. Adjust so that the parallelism and perpendicularity to the side are within a predetermined range.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
A peripheral portion of the electron beam emitted from the electron gun irradiates the slit assembly 16, whereby the slit assembly 16 is heated. The heat of the slit assembly 16 is conducted from the stage 14 to the pedestal 12 to the housing 11 to be radiated.
[0007]
Here, the heat conduction path from the stage 14 to the pedestal 12 is limited to only the location of the bearing 13, as indicated by reference numeral 30, and the contact at the location of the bearing 13 has a narrow contact area, and , Easy to become unstable. Therefore, the heat resistance of the heat conduction path 30 is large, and the heat conduction of the heat of the slit assembly 16 to the pedestal 12 is not good. For this reason, the slit assembly 16 tends to become high temperature, and the slit assembly 16 tends to cause physical damage such as a defect. If the slit assembly 16 is physically damaged, the drawing accuracy of the circuit pattern is lowered.
[0008]
Further, since the slit assembly 16 is likely to become high temperature, it has been difficult to increase the current amount of the electron beam in order to increase the drawing speed of the circuit pattern.
In addition, when ozone is allowed to flow through the column in order to eliminate charge-up in the column of the electron beam exposure apparatus, the slit assembly 16 is hot, so that the slit assembly 16 can easily touch the ozone. It will oxidize. When the slit assembly 16 is oxidized, the knife edge becomes non-straight and the drawing accuracy of the circuit pattern is lowered.
[0009]
In addition, the influence of backlash that the worm gear mechanism 17 has is likely to appear as a slight positional fluctuation in the rotational direction of the stage 14. If the position of the stage 14 in the direction of rotation varies, the slit image projected on the wafer swings in the direction of rotation, and the circuit pattern drawing accuracy decreases.
[0010]
Therefore, an object of the present invention is to provide an electron beam exposure apparatus that solves the above-described problems.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electron beam exposure apparatus for projecting an electron beam from an electron beam source onto a sample as an electron beam having a predetermined cross-sectional shape through a first slit. The slit apparatus includes a pedestal and a pedestal. The stage is rotated and adjusted in order to correct the rotation error of the image of the first slit on the second slit having the predetermined cross-sectional shape and the stage that is rotatably supported through the bearing. A stage rotation adjustment mechanism, a slit assembly fixed to the stage and configured to convert the electron beam from the electron beam source into an electron beam having a predetermined cross-sectional shape; and between the stage and the pedestal. The stage rotation adjustment mechanism enables rotation of the stage, and includes a heat conduction path means for conducting the heat of the stage and releasing it to the pedestal. That.
[0012]
According to a second aspect of the present invention, there is provided an electron beam exposure apparatus for projecting an electron beam from an electron beam source onto a sample as an electron beam having a predetermined cross-sectional shape through a first slit. The slit apparatus includes a pedestal and a pedestal. The stage is rotated and adjusted in order to correct the rotation error of the image of the first slit on the second slit having the predetermined cross-sectional shape and the stage that is rotatably supported through the bearing. A stage rotation adjustment mechanism and a slit assembly fixed to the stage and using the electron beam from the electron beam source as the electron beam having the predetermined cross-sectional shape. The stage is fixed to the slit assembly. The stage main body, the flange portion outside the stage main body, and the stage main body and the flange portion exist between the stage main body and the stage main body. A structure that includes a spring portion that is rotatable within a range of a small angle with respect to the flange portion and that conducts heat of the stage body to the flange portion, and the flange portion is fixed to the pedestal. It is a thing.
[0013]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a plurality of curved spring pieces, wherein the spring portions are equally divided in the circumferential direction, one end is connected to the stage body, and the other end is connected to the flange portion. It is what became the composition which becomes.
According to a fourth aspect of the present invention, the spring portion is formed of a single helical spring piece that makes a round, has one end connected to the stage body, and the other end connected to the flange portion. Is.
[0014]
According to a fifth aspect of the present invention, the curved spring piece has a plate shape.
According to a sixth aspect of the present invention, the single helical spring piece has a plate shape.
[0015]
According to a seventh aspect of the present invention, the slit device is configured such that electron beam exposure is performed in a state where the spring portion is elastically deformed.
The invention of claim 8 is configured to expose a sample using the electron beam exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 2 shows a block exposure type electron beam exposure apparatus 40 according to an embodiment of the present invention. The electron beam exposure apparatus 40 has an electron gun 41 as an electron beam source at the top of a column (not shown), and an electron lens L5 at the bottom, and in the order from the top, the electron lens L1a and the first lens. Slit 42, electron lens L1b, slit deflector 43, first deflector 44, electron lens L2a, second deflector 44, second slit 47 moved by mask stage 46, electron lens L2b, third A deflector 48, a blanking 49, a fourth deflector 50, an electron lens L3 for magnification and rotation, an aperture 51, an electron lens L4, an electromagnetic main deflector 52, and an electrostatic sub deflector 53 are arranged. This is the configuration that was established.
[0017]
The electron beam 55 emitted from the electron gun 41 is made into a parallel electron beam by the electron lens L1a, passes through the first slit 42, and is shaped into a rectangular cross section. The electron beam 55 a having a rectangular cross-section is appropriately deflected through the electron lens L 1 b, the slit deflector 43, the first deflector 44, the electron lens L 2 a, and the second deflector 44, and then into the second slit 47. Of the plurality of formed openings, the section faces a predetermined opening 47a, passes through the opening 47a, and is shaped into the same shape as the opening 47a.
[0018]
The shaped electron beam 55b passes through the electron lens L2b, the third deflector 48, the blanking 49, the fourth deflector 50, the electron lens L3, the aperture 51, the electron lens L4, and the electron lens L5, and enters the stage. The sample is focused on the upper surface of a wafer 61 as a sample held on 60. The electron beam 55b is deflected by the main deflector 52 and the sub deflector 53, scans the wafer 61, and the resist film on the surface of the wafer 61 is exposed by the electron beam.
[0019]
Next, the 1st slit 42 which makes the principal part of this invention is demonstrated with reference to FIG.1, FIG.3, FIG.4 and FIG.
The first slit 42 is substantially the same as the first slit 10 in FIGS. 10 and 11 except for the structure of the stage 70, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals. As shown in FIGS. 3A and 3B, the first slit 42 has a housing 11. A copper base 12 is fixed in the housing 11, and a motor 20 is attached to the outside of the housing 11. The inside of the housing 11 is vacuumed through the exhaust port 21.
[0020]
A stage 70 is supported on the base 12 via a bearing 13 so as to be rotatable with respect to the vertical shaft 15. A slit assembly 16 </ b> A is fixed on the stage 70. A worm gear mechanism 17 is provided for the stage 70. The worm gear mechanism 17 and the motor 20 constitute a stage rotation adjusting mechanism.
[0021]
As shown in FIGS. 4 and 5, the stage 70 is made of beryllium copper and has a cylindrical stage body 70a having a recess 70b on the upper surface and a through hole 70c in the center, and an annular shape on the upper side of the stage body 70a. It consists of a flange part 70d and an annular spring part 70e between the stage main body 70a and the flange part 70d. The spring portion 70e is composed of eight substantially S-shaped spring pieces 70f that are equally arranged in the circumferential direction. One end of each spring piece 70f is connected to the stage main body 70a, is arranged so as to draw an S-shape in the circumferential direction, and the other end is connected to the inner periphery of the flange portion 70d. The portion of each spring piece 70f connected to the stage main body 70a and the flange portion 70d is not bent, and protrudes in the diameter direction of the stage 70 from the stage main body 70a and the flange portion 70c. The spring portion 70d is formed by cutting out the inner peripheral portion of the flange portion having a thickness t1 of about 5 mm protruding from the stage main body 70a by electric discharge machining or the like, and leaving a portion corresponding to the spring piece 70Af.
[0022]
The bearing 13 is a ring screwed to a plurality of steel balls 71, an inner race 72 composed of a V groove 70g on the outer periphery of the stage main body 70a of the stage 70, a chamfered portion 12b of the hole 12a of the pedestal 12, and a lower surface of the pedestal 12. The outer race 74 includes a chamfered portion 73 a of 73.
[0023]
In the stage 70, the stage body 70 a passes through the hole 12 a of the pedestal 12 and is rotatably supported by the bearing 13. As shown in FIG. 4, the flange portion 70 d is pressed against the upper surface of the pedestal 12 by a screw 75 and fixed. And attached to the base 12.
[0024]
As shown in FIG. 6A, each spring piece 70f is elastically deformed so that the S-shape is extended, so that the stage main body 70a is positioned relative to the flange portion 70d as shown in FIG. 6B. Can be rotated within a range of several degrees in the clockwise direction (C direction). Further, as shown in FIG. 6C, each spring piece 70f is compressed and elastically deformed so that the S-shape becomes flat, whereby the stage main body 70a is deformed relative to the flange portion 70d. It can be rotated in the range of several degrees counterclockwise (CC direction) from the position shown in (B).
[0025]
Here, since each spring piece 70f bends uniformly, even if the stage main body 70a rotates, the position of the center O of the stage main body 70a does not change. Therefore, even if the stage main body 70a rotates, the radial force does not act on the bearing 13, so that it does not come into contact with each other, and the bearing 13 is not adversely affected. Further, the spring piece 70f which is elastically deformed is rotated by the spring force to return to the natural state shown in FIG. 6B to the rotated stage body 70a to return to the position shown in FIG. 6B. The dynamic return force F is acting.
[0026]
As will be described later, the spring portion 70e (eight spring pieces 70f) functions as a heat conduction path.
The worm wheel 18 is fixed to the lower end of the stage main body 70a. The worm 19 is supported on a bearing 76 fixed to the lower surface of the pedestal 12 and provided on the lower surface side of the pedestal 12. The worm 19 is engaged with the worm wheel 18. The worm 19 is rotated by a motor 20 outside the housing 11. The worm 19 and the worm wheel 18 constitute a worm gear mechanism 17.
[0027]
The slit assembly 16A is fitted into a recess 70b on the upper surface of the stage main body 70a and fixed by screwing. As shown in FIG. 5, the slit assembly 16 </ b> A is obtained by fixing four slit forming members 81 in a cross pattern on a Mo or W disk 80 having a central hole. 81 knife edge portions 81a are formed with slits 25 of about 200 μm square. Each slit forming member 81 is made of W, for example. The reason why the material of the slit forming member 81 is W is sufficient because the heat dissipation of the slit assembly 16A is improved as will be described later.
[0028]
The slit assembly 16A is covered with a cross-shaped cover 23A fixed to the pedestal 12. The cover 23A has a hole 22A in the center.
Next, the operation and characteristics of the first slit 42 configured as described above will be described.
The electron beam radiated from the electron gun passes through the hole 22A, and at the location of the slit assembly 16A, the surrounding portion is shielded by the knife edge portion 81a of the slit forming member 81, passes through the slit 25, and passes through the slit 25. The beam is shaped into a rectangular cross section. From the first slit 42, an electron beam whose cross section is shaped into a rectangle is emitted, and this electron beam is projected onto the wafer to draw an LSI circuit pattern.
[0029]
As in the conventional case, for example, before exposure, the motor 20 is appropriately driven, and the stage main body 70a (slit assembly 16A) of the stage 70 is rotated within a range of several degrees via the worm gear mechanism 17 to obtain a predetermined value. In other words, the side of the image of the first slit 42 and the side of the opening of the second slit 47 so as to cause a rotation error with the image of the first slit 42 on the second slit 47 having a cross-sectional shape. Fine adjustments are made so that the parallelism and perpendicularity with each other fall within a predetermined range. As shown in FIGS. 6A and 6B, the stage main body 70a of the stage 70 is rotated by elastically deforming the spring portion 70e (eight spring pieces 70f) in the thickness t1 direction.
[0030]
The portion around the electron beam radiated from the electron gun irradiates the portion of the slit forming member 81 facing the slit 25, whereby the slit forming member 81, particularly the knife edge portion 81 a of the slit forming member 81 is heated. As shown in FIG. 1, the heat of the slit forming member 81 is conducted in the order of the disk 80 → the stage 70 → the pedestal 12, spreads in the pedestal 12, and is radiated.
[0031]
Here, the heat conduction path from the stage 70 to the pedestal 12 will be considered. As for the heat conduction path, in addition to the existing heat conduction path 30 passing through the location of the bearing 13, a new heat conduction path 90 as a heat conduction path means is formed via the spring piece 70f and the flange portion 70d. Yes.
[0032]
Therefore, since the heat of the slit forming member 81 is released through the two heat conduction paths 30 and 90 in parallel, the heat conduction path is released better than the conventional heat conduction path 30 alone. .
Further, the new heat conduction path 90 is configured to pass through the spring piece 70f and the flange portion 70d, and the spring piece 70f has a plate shape instead of a linear shape, as shown in the aa cross section in FIG. In addition, since the height direction is the width, the width w corresponds to the thickness t1 of the flange portion 70d, and the cross-sectional area S is relatively large, the thermal resistance of the heat conduction path 90 is the same as that of the steel ball 71. It is much lower than the thermal resistance of the existing heat conduction path 30 including the contact portion with the inner race 72 and the outer race 74. Also by this, the heat of the slit forming member 81 is released more favorably than in the past.
[0033]
Since a new heat conduction path 90 is formed and the thermal resistance of the heat conduction path 90 is low, the maximum temperature of the slit forming member 81 can be kept lower than the maximum temperature in the conventional case, and thus the slit forming member. It is suppressed that the 81 knife edge part 81a causes physical damage, such as a defect | deletion. Since the physical damage of the knife edge portion 81a of the slit forming member 81 is suppressed, the circuit pattern drawing accuracy is maintained at a high level.
[0034]
Further, since the maximum temperature of the slit forming member 81 can be suppressed lower than that in the conventional case, when the slit forming member 81 is made of, for example, molybdenum, the current amount of the electron beam emitted by the electron gun 41 is increased as compared with the conventional case. Thus, the circuit pattern drawing speed can be increased as compared with the conventional case, and thus the throughput of the LSI can be increased.
[0035]
Further, ozone is allowed to flow through the column in order to eliminate dust in the column (not shown) of the electron beam exposure apparatus 40, but the temperature of the slit forming member 81 is kept lower than in the conventional case. The slit forming member 81 is not easily oxidized. Therefore, the drawing accuracy of the circuit pattern is not lowered, and the drawing accuracy of the circuit pattern is maintained at a high level.
[0036]
Further, in the first slit 42, when the stage main body 70a (slit assembly 16A) of the stage 70 is adjusted, the spring portion 70e is slightly deformed from the natural state shown in FIG. ) Or the state shown in FIG. 6C. In the state shown in FIG. 6 (A) or 6 (C), a rotational return force F that attempts to return to the position shown in FIG. 6 (B) acts on the stage main body 70a. The rotational restoring force F of the stage main body 70a brings the worm wheel 18 in one direction and absorbs the backlash that the worm gear mechanism 17 has, and the influence of the backlash appears as a slight positional fluctuation in the rotational direction of the stage 14. There is no such thing. Therefore, the slit image projected on the wafer is stable without being shaken in the rotation direction, and the circuit pattern drawing accuracy is maintained well.
[0037]
Next, a modified example of the stage 70, in particular, the spring portion 70e will be described.
FIG. 7 shows a stage 70A according to a first modification. The spring portion 70Ae of the annular portion between the main body 70Aa and the flange portion 70Ad has a configuration in which four substantially inverted L-shaped spring pieces 70Af are equally arranged in the circumferential direction. The spring portion 70Ae is formed by cutting out the inner peripheral portion of the flange portion by electric discharge machining or the like and leaving the portion corresponding to the spring piece 70Af.
[0038]
FIG. 8 shows a stage 70B according to a second modification. The spring portion 70Be of the annular portion between the main body 70Ba and the flange portion 70Bd has a configuration in which one spiral spring piece 70Af makes one round. The spring portion 70Be is formed by cutting out the inner peripheral side portion of the flange portion by electric discharge machining or the like and leaving the portion corresponding to the spring piece 70Bf.
[0039]
FIG. 9 shows a stage 70C according to a third modification. The annular spring portion 70Ce between the main body 70Ca and the flange portion 70Cd has a configuration in which eight zigzag spring pieces 70Cf are evenly arranged in the circumferential direction. The spring portion 70Ce is formed by cutting out the inner peripheral portion of the flange portion by electric discharge machining or the like and leaving the portion corresponding to the spring piece 70Cf.
[0040]
In each of the stages 70A, 70B, and 70C, the spring portions 70Ae, 70Be, and 70Ce function in the same manner as the spring portion 70e of the stage 70 described above.
[0041]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the heat conduction path means for enabling a slight rotation of the stage between the stage and the pedestal and for conducting the heat of the stage to escape to the pedestal. Therefore, it is possible to quickly release the heat of the slit assembly irradiated and heated from the electron beam source from the electron beam source to the pedestal, and thus the slit during the electron beam exposure operation. The temperature of the assembly can be kept lower than the temperature in the conventional case. Therefore, physical damage and oxidation of the slit assembly can be suppressed, and thus it is possible to prevent the drawing accuracy of the circuit pattern from being unnecessarily lowered.
[0042]
In addition, since the temperature rise of the slit assembly can be suppressed, the portion using the heat resistant material can be reduced, and the manufacturing cost of the electron beam exposure apparatus can be reduced accordingly.
In addition, when using a slit assembly made of a material with excellent heat resistance, the temperature rise of the slit assembly can be suppressed, so the amount of current of the electron beam emitted by the electron source can be increased, As a result, the drawing speed of the circuit pattern can be increased, and thus the throughput of the LSI can be increased.
[0043]
According to the invention of claim 2, the stage is elastically deformed between the stage main body and the flange portion so that the stage main body can be rotated within a range of a slight angle with respect to the flange portion, and the heat of the stage main body. Since the flange portion is fixed to the pedestal, the slit is heated by being irradiated with the portion around the electron beam from the electron beam source. The heat of the assembly can be quickly released to the pedestal through the spring portion, and the same effect as the effect of the invention of claim 1 is obtained.
[0044]
Further, since the spring portion is a part of the stage, it can be realized without adding any parts. According to the third and fourth aspects of the present invention, since each spring piece is bent evenly, the position of the center of the stage main body does not change even if the stage main body is rotated. It is possible to prevent the bearing from being adversely affected.
[0045]
According to the invention of claim 5 and claim 6, since each spring piece is plate-shaped, the cross-sectional area can be increased as compared with a general linear shape, and thus the resistance to heat conduction can be reduced, The heat of the slit assembly can be quickly released to the base through the spring portion.
[0046]
According to the invention of claim 7, since the electron beam exposure is performed in a state where the spring portion is elastically deformed, the stage body is subjected to a force to return to the original position, and the direction in which this force acts. Therefore, even when there is play such as backlash in the stage rotation adjustment mechanism, it is possible to prevent the stage main body from rattling, and thus it is possible to improve the drawing accuracy of the circuit pattern as compared with the conventional art.
[0047]
According to the invention of claim 8, it is possible to draw a circuit pattern with high accuracy and to draw at a higher speed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view around a stage along the line II in FIG.
FIG. 2 is a diagram showing a block exposure type electron beam exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view showing a first slit in FIG. 2;
4 is a perspective view of a stage portion in FIG. 3. FIG.
FIG. 5 is an exploded perspective view of a stage portion in FIG. 3;
FIG. 6 is a diagram illustrating rotation of a stage body.
FIG. 7 is a plan view of a first modification of the stage.
FIG. 8 is a plan view of a second modification of the stage.
FIG. 9 is a plan view of a third modification of the stage.
FIG. 10 is a diagram showing a conventional first slit.
FIG. 11 is an enlarged view showing the periphery of the stage in FIG. 10 (B).
[Explanation of symbols]
12 Pedestal 13 Bearing 16A Slit assembly 17 Worm gear mechanism 18 Worm wheel 19 Worm 25 Slit 30 Heat conduction path 40 Block exposure type electron beam exposure apparatus 41 Electron gun 42 First slit 47 Second slit 55 Electron beams 70, 70A, 70B, 70C Stage 70a, 70Aa, 70Ba, 70Ca Stage body 70d, 70Ad, 70Bd, 70Cd Flange 70e, 70Ae, 70Be, 70Ce Spring 70f, 70Af, 70Bf, 70Cf Spring piece 75 Screw 80 Disc 81 Slit forming member 90 Heat Conduction path

Claims (8)

電子ビーム源よりの電子ビームを第1のスリットを通して所定の断面形状の電子ビームとして試料上に投影する電子ビーム露光装置において、
上記第1のスリットは、
台座と、
該台座にベアリングを介して回動可能に支持されたステージと、
上記所定の断面形状とされた第2のスリット上の第1のスリットの像の回転誤差を補正すべく該ステージを回動させて調整するステージ回動調整機構と、
該ステージに固定してあり、電子ビーム源よりの電子ビームを上記所定の断面形状の電子ビームとするスリット組立体と、
上記ステージと上記台座との間に存在しており、該ステージ回動調整機構による該ステージの回動を可能とし、且つ該ステージの熱を伝導して該台座に逃がすための熱伝導路手段とよりなる構成としたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
In an electron beam exposure apparatus that projects an electron beam from an electron beam source onto a sample as an electron beam having a predetermined cross-sectional shape through a first slit,
The first slit is
A pedestal,
A stage rotatably supported by the pedestal via a bearing;
A stage rotation adjustment mechanism that rotates and adjusts the stage to correct a rotation error of the image of the first slit on the second slit having the predetermined cross-sectional shape;
A slit assembly that is fixed to the stage and that converts the electron beam from the electron beam source into an electron beam having the predetermined cross-sectional shape;
A heat conduction path means that exists between the stage and the pedestal, allows the stage to be turned by the stage turning adjustment mechanism, and conducts heat of the stage to escape to the pedestal; An electron beam exposure apparatus characterized by comprising:
電子ビーム源よりの電子ビームを第1のスリットを通して所定の断面形状の電子ビームとして試料上に投影する電子ビーム露光装置において、
上記第1のスリットは、
台座と、
該台座にベアリングを介して回動可能に支持されたステージと、
上記所定の断面形状とされた第2のスリット上の第1のスリットの像の回転誤差を補正すべく該ステージを回動させて調整するステージ回動調整機構と、
該ステージに固定してあり、電子ビーム源よりの電子ビームを上記所定の断面形状の電子ビームとするスリット組立体とよりなり、
該ステージは、該スリット組立体が固定されるステージ本体と、該ステージ本体より外側のフランジ部と、該ステージ本体と該フランジ部との間に存在しており、弾性変形して該ステージ本体が該フランジ部に対して少しの角度の範囲内で回動可能とすると共に該ステージ本体の熱を該フランジ部に熱伝導させるばね部とよりなり、該フランジ部が上記台座に固定してある構成としたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
In an electron beam exposure apparatus that projects an electron beam from an electron beam source onto a sample as an electron beam having a predetermined cross-sectional shape through a first slit,
The first slit is
A pedestal,
A stage rotatably supported by the pedestal via a bearing;
A stage rotation adjustment mechanism that rotates and adjusts the stage to correct a rotation error of the image of the first slit on the second slit having the predetermined cross-sectional shape;
The slit assembly is fixed to the stage, and the electron beam from the electron beam source is an electron beam having a predetermined cross-sectional shape,
The stage exists between a stage main body to which the slit assembly is fixed, a flange portion outside the stage main body, and the stage main body and the flange portion. A structure that includes a spring part that is rotatable within a range of a small angle with respect to the flange part and that conducts heat of the stage body to the flange part, and the flange part is fixed to the pedestal. An electron beam exposure apparatus.
上記ばね部は、周方向上等分に配され、一端が上記ステージ本体に繋がっており、他端が上記フランジ部に繋がっている、複数の曲線状のばね片よりなる構成としたことを特徴とする請求項2記載の電子ビーム露光装置。The spring part is arranged in a circumferentially equal manner, and has one end connected to the stage main body and the other end connected to the flange part, and is composed of a plurality of curved spring pieces. The electron beam exposure apparatus according to claim 2. 上記ばね部は、一周しており、一端が上記ステージ本体に繋がっており、他端が上記フランジ部に繋がっている、単一のつる巻きばね片よりなる構成としたことを特徴とする請求項2記載の電子ビーム露光装置。The said spring part is made into the structure which consists of a single helical spring piece which is making a round, has one end connected with the said stage main body, and the other end connected with the said flange part. 3. The electron beam exposure apparatus according to 2. 上記曲線状のばね片は、板状である構成としたことを特徴とする請求項3記載の電子ビーム露光装置。4. The electron beam exposure apparatus according to claim 3, wherein the curved spring piece has a plate shape. 上記単一のつる巻きばね片は、板状である構成としたことを特徴とする請求項4記載の電子ビーム露光装置。5. The electron beam exposure apparatus according to claim 4, wherein the single helical spring piece has a plate shape. 上記スリット装置は、上記ばね部が弾性変形した状態で、電子ビーム露光が行われる構成としたことを特徴とする請求項2記載の電子ビーム露光装置。3. The electron beam exposure apparatus according to claim 2, wherein the slit device is configured to perform electron beam exposure in a state where the spring portion is elastically deformed. 請求項1乃至請求項7のうちいづれか一項記載の電子ビーム露光装置を使用して、試料を露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。An electron beam exposure method comprising exposing a sample using the electron beam exposure apparatus according to claim 1.
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EP0412756B1 (en) * 1989-08-07 1995-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
DE69206425T2 (en) * 1991-01-11 1996-05-02 Fujitsu Ltd Exposure device with beams of charged particles to improve the heating condition of a block mask.
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