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JP3685564B2 - Method for manufacturing printed circuit board for semiconductor package - Google Patents
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JP3685564B2
JP3685564B2 JP23445996A JP23445996A JP3685564B2 JP 3685564 B2 JP3685564 B2 JP 3685564B2 JP 23445996 A JP23445996 A JP 23445996A JP 23445996 A JP23445996 A JP 23445996A JP 3685564 B2 JP3685564 B2 JP 3685564B2
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は二つの導電体層よりなる半導体パッケージ用プリント配線基板の製造方法に係わり、特にレーザーによるビアホールを有する層と感光性樹脂を用いたフォトビアを有するビルドアップによるプリント配線基板の製造方法に関すものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子技術の進歩に伴い、パーソナルコンピュータ、携帯電話等をはじめとする電子機器に対する高密度実装化が進んでいる。このような状況の下で表面実装用として開発されてきたQFP、TSOPなどの小型パッケージでさえ多ピン化、狭ピッチ化の動向の中で限界に直面している。小サイズ化の究極の形としてはベアチップ実装が注目されているが、ベアチップではパッケージにかかるコストなども削減できる反面、KGD(known-good-die)の補償方法およびその検査コストやベアチップのリペア性(修復性)、ハンドリング性の面からなかなか加速されない。そこで、チップをチップとほぼ同じ大きさにパッケージ化するチップスケールパッケージ(以下、CSPと呼ぶ)の研究・開発が特に活発化し、注目を浴びている。
【0003】
CSPの実現にはフリップチップの電極からマザーボードの基板実装面までの配線をいかに短縮化して引き出し、かつ、マザーボードへ一括リフロー接続できる格子ピッチを確保する必要がある。すなわち、フリップチップで実現された極小サイズ化された格子ピッチをプリント配線板に実装できるまでに最も効率的な配線で拡大させるための技術が求められている。また、実装されるマザーボードとしてガラス基材エポキシ樹脂プリント配線板などを使用できることが一般民生機器への適用を考えれば必須条件である。
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
フリップチップの電極とパッケージ側電極とを接続する際に、従来QFPやTSOPなどで用いられてきた金細線をワイヤーボンディングする手法と異なり、前述したように配線長を短くするためにフリップチップ側電極から垂直配線でパッケージ側に配線することが必要である。そのためにはフリップチップの実装信頼性を考えねばならず、フリップチップの電極に対してパッケージ側電極が平行かつ同じ高さであること、すなわちコプラナリティーが必要である。しかしながら、これまでに提案されているような半田やインジウム合金、銀、金などのバンプを用いる方法では高歩留まりで均一なバンプを作るのは難しく、また、隣接電極とのショートや位置ずれ、コストアップなどの問題も多々ある。その他、この接合部はフリップチップとマザーボードの熱膨張係数の違いから温度や湿度の条件による熱応力を受け、歪みを発生、クラック、断線を引き起こすことがある。
【0005】
本発明ではこのパッケージ側電極を、銅箔等の金属箔をエッチングして作成するために、図1に示したようにエッチングファクターより起こるフィレット形状が熱的応力を吸収できる。また、銅箔等の金属箔そのものが電極となるために厚みが非常に均一でありコプラナリティーをも十分に満足できる。また、LSI電極との接続に異方導電フィルムまたは異方導電ペーストを用いることにより、従来のように金を使用した電極バンプ等を作成することなく一括接続でき、かつ、接続後に注入するアンダーフィル剤も必要なくなるため、低コスト化も実現できる。アンダーフィル剤とはチップと基板の接続における接着剤であり機械的強度を保持し信頼性を高める役割がある。本発明においては接続に用いた異方導電フィルムまたは異方導電ペーストに使用されているバインダー樹脂がこのアンダーフィルの役割をになっている。よって、使用する異方導電フィルムや異方導電ペーストは低温硬化型や光硬化型の低応力タイプのものが好ましい。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ビアホールが設けられた絶縁性樹脂層のビアホール内及びビアホール上に存在する金属体からなる第1の導電体層、前記絶縁樹脂層の金属体と反対面に形成された感光性絶縁性樹脂層に設けられたフォトビアに無電解めっきにより形成された第2の導電体層、及び前記絶縁性樹脂層及び第1の導電体層上に設けられた異方導電膜からなることを特徴とする半導体パッケージ用プリント回路基板の製造方法を提供するものである。
【0007】
本発明の半導体パッケージ用プリント回路基板を製造するための工程を以下に説明する。
まず、金属箔に厚さ10〜200μmになるようにレーザーによるビアホール成形可能な絶縁性樹脂を塗布し、レーザーによってビアホールを形成する。金属箔には電解銅箔をはじめ、アルミ箔等電気伝導性の良いものが使用でき、厚みは10〜100μm、好ましくは35〜70μmである。10μm未満であると、強度的に弱い他、絶縁性樹脂を成形する際にシワが入りやすいなどハンドリングに欠点がある。100μmを越えると薄小化ができない。また、ビアホール形成のためのレーザーとしてはエキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、プラズマなどが使用可能である。このように、レーザー方式を用いることにより、第一層の絶縁性樹脂材料はエポキシ樹脂をはじめとして耐熱性樹脂の材質選択肢が幅広くなる。
【0008】
次にめっきレジストを金属箔側に貼り付け、電解めっきによって先ほど作製したレーザーによるビアホールに銅を絶縁層厚まで成長させる。この場合も銅に限らず、金、半田合金、錫等可能ではあるが、コスト、電気的信頼性の面から電解銅めっきが好ましい。
【0009】
そして、この絶縁層上に第二の導電体層となる感光性樹脂層を形成する。この密着力を高めるために、前記絶縁性樹脂層の表面を研磨する。研磨する方法としてはバフロール研磨、ベルトサンダー等、機械的な方法あるいは化学薬品によるミクロ粗化のいずれでもよい。
【0010】
感光性樹脂の形成方法はスクリーン印刷、カーテンコーター、ロールコーター、ディップコーター等が使用可能である。または、フィルム状感光性樹脂をラミネート方式で形成することも可能である。但し、本発明に用いられる感光性樹脂はアルカリ水溶液で現像可能であり、無電解めっきのための過マンガン酸による粗化、さらには無電解めっき可能なものが好ましい。このような素材は特願平6−291729号明細書、特願平6−293517号明細書などに記載されている。
【0011】
次に、その感光性樹脂層にパターンフィルムを用いて感光し、現像することによってビアホールを形成する。次いで、表面を粗化後、無電解めっきによって第二の導電体層を形成し、これにより第一の導電体層と電気的接続が得られる。このめっきは無電解めっきのみに限らず、電解めっきを組み合わせることによって効率化を図ることが可能である。ここで、第一層の金属箔に貼り付けためっきレジストを剥離し、両面に回路パターンを形成すべくエッチングレジストを形成する。そして、エッチングにより回路を形成する。最後に、金属箔から形成された第一層の回路には異方導電膜を形成する。第二の回路層側にはソルダーレジストをスクリーン印刷し、所定の位置に半田ボールを形成する。このようにして得られた半導体パッケージ用基板は構造がシンプルであり各プロセスが単純である。また、第二の回路層をアディティブ方式で形成するため高多層化が可能である。
【0012】
図1は、本発明の半導体パッケージ用プリント回路基板の使用状態を示す概略断面図であり、11は異方導電膜、20はソルダーレジスト、21は金属箔のエッチングによる電極、22はその上に形成された絶縁性樹脂である。23はLSIチップの電極であり、25は電解めっき銅、26は感光性樹脂、28は無電解めっき銅である。
【0013】
図2の(1)〜(13)は上記半導体パッケージ用プリント回路基板の製造工程図である。本発明の一例について製造工程を順に追って説明する。(1)金属箔に35μm電解銅箔1を用い、その反光沢面に、絶縁性樹脂2としてエポキシ樹脂系ワニスをコンマコーターを用いて乾燥後の厚みが50μmとなるように塗布し乾燥、硬化した。(2)エキシマレーザーによって50μmのビアホール3を形成した。その後、電解銅箔の光沢面に電解めっき用の電極となる部分だけを残してドライフィルム状のめっきレジスト4を貼り付けた。(3)電解めっきにより絶縁性樹脂層の厚みと同じ厚みの銅5を付着させた。(4)表面を一度バフロールで研磨した後、感光性樹脂6をスクリーン印刷にて厚みが30μmとなるように印刷し、80℃、15分間加熱してタックフリー状態とした。
【0014】
(5)次にパターンフィルムを用いて1000mJのUV光を照射して露光した。次いで1%水酸化ナトリウム水溶液にて現像して直径75μmのビアホール7を形成した。(6)このようにビアホールが形成された感光性樹脂層6の表面を2.5%水酸化ナトリウムでアルカリ性に調整した5%過マンガン酸塩水溶液にディップして化学的粗化を行った。このときの液温は60℃とした。水洗後、パラジウム触媒を付着し、アクセラレーターで活性後、無電解銅めっきを行い3μm厚の回路を得、その上に電解銅めっきによって18μmの導電体を得た。(7)ここで、工程(2)で形成しためっきレジスト4を剥離した。(8)次に光硬化性の液状タイプのエッチングレジスト9を両面に形成し、パターンフィルムを用いて露光、現像した。(9)エッチングによって回路を作成した。第一層側電極1aは0.5mmピッチで、第二層側電極8aは1.0mmピッチで配線した。エッチングレジストを剥離し、水洗乾燥した。(10)その後スクリーン印刷によって片面ずつ熱硬化性のソルダーレジスト10を印刷、硬化して両面にレジスト層を形成した。(11)第一層側に得られた電極部を半導体チップと接続するためにエッチングにより形成した第一層の回路側に異方導電フィルム11を仮圧着した。異方導電フィルムの代わりに異方導電ペーストを塗布してもよい。(12)LSIの電極23と第一層回路の電極1aを異方導電膜11を介して電気的接続を行った。(13)反対面の第二層8aは所定の位置に既存の方法で半田ボール12(192個)のバンプを形成した。
【0015】
このようにして得られた半導体パッケージ用プリント回路基板は0.5mmピッチ、192ピンの電極を有する7mm角の半導体チップを14mm角のパッケージとして提供することが可能となった。
【0016】
【発明の効果】
QFP、TSOPなどの小型パッケージでさえ多ピン化、狭ピッチ化の動向の中で限界に直面している。小サイズ化の究極の形としてはベアチップ実装が注目されているが、ベアチップではパッケージにかかるコストなども削減できる反面、KGDの補償方法およびその検査コストやベアチップのリペア性、ハンドリング性の面からベアチップへの転換はなかなか進まない。本発明によれば、チップをチップとほぼ同じ大きさにパッケージ化するCSPが可能となる。本発明による半導体パッケージ用プリント回路基板およびその製造方法によれば、14mm角で192ピンの小サイズ化パッケージが可能となる。
【0017】
レーザービア方式とフォトビア方式を併用することにより、第一層の絶縁性樹脂材料はエポキシ樹脂をはじめとして耐熱性樹脂の材質選択肢が幅広くなる。また、本発明ではこのパッケージ側電極をコア材となる銅張積層板の銅箔をエッチングして作成するために、エッチングファクターより起こるフィレット形状が熱的応力を吸収できる。また、銅張積層板の銅箔そのものが電極となるために厚みが非常に均一であり、コプラナリティーをも十分に満足する。
【0018】
また、LSI電極との接続に異方導電フィルムまたは異方導電ペーストを用いることにより、従来のように金を使用した電極バンプ等を作成することなく一括接続でき、かつ、接続後に注入するアンダーフィル剤も必要なくなるため、低コスト化も実現できる。アンダーフィル剤とはチップと基板の接続における接着剤であり機械的強度を保持し信頼性を高める役割がある。本発明においては接続に用いた異方導電フィルムまたは異方導電ペーストに使用されているバインダー樹脂がこのアンダーフィルの役割をになっている。よって、使用する異方導電フィルムや異方導電ペーストは低温硬化型や光硬化型の低応力タイプのものが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 半導体パッケージ用プリント回路基板の使用状態を示す概略断面図
【図2】 上記半導体パッケージ用プリント回路基板の製造工程を示す概略断面図
【符号の説明】
1 銅箔
1a 第一の導体回路
2 絶縁性樹脂
3 レーザービア
4 めっきレジスト
5 電解めっき銅
6 感光性樹脂
7 フォトビア
8 無電解めっき銅
8a 第二の導体回路
9 エッチングレジスト
10 ソルダーレジスト
11 異方導電フィルムまたは異方導電ペースト
12 半田ボール
20 ソルダーレジスト
21 フィレット電極
22 絶縁性樹脂
23 LSIの電極
25 電解めっき銅
26 感光性樹脂
28 無電解めっき銅
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board for a semiconductor package comprising two conductor layers, and more particularly to a method for manufacturing a printed wiring board by build-up having a layer having a via hole by a laser and a photo via using a photosensitive resin. Is.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the advancement of electronic technology, high-density mounting is progressing for electronic devices such as personal computers and mobile phones. Even under such circumstances, even small packages such as QFP and TSOP that have been developed for surface mounting are facing limitations in the trend of increasing the number of pins and narrowing the pitch. Bare chip mounting is attracting attention as the ultimate form of downsizing, but bare chip can reduce package cost, but KGD (known-good-die) compensation method, inspection cost and bare chip repairability (Repairability) and handling are not accelerated. Therefore, research and development of a chip scale package (hereinafter referred to as CSP) that packages a chip to approximately the same size as the chip is particularly active and attracts attention.
[0003]
In order to realize the CSP, it is necessary to shorten the wiring from the flip chip electrode to the board mounting surface of the motherboard, and to secure a lattice pitch that can be connected to the motherboard by reflow connection. That is, there is a demand for a technique for expanding the minimum-sized lattice pitch realized by flip chip with the most efficient wiring until it can be mounted on a printed wiring board. In addition, it is an indispensable condition that a glass base epoxy resin printed wiring board can be used as a mother board to be mounted in consideration of application to general consumer equipment.
[Problems to be solved by the invention]
[0004]
Unlike the technique of wire bonding of the fine gold wires conventionally used in QFP and TSOP when connecting the flip chip electrode and the package side electrode, the flip chip side electrode is used to shorten the wiring length as described above. It is necessary to wire to the package side by vertical wiring. For this purpose, the mounting reliability of the flip chip must be considered, and the package side electrode must be parallel and at the same height with respect to the flip chip electrode, that is, coplanarity is required. However, it is difficult to make uniform bumps with high yield by using the solder, indium alloy, silver, and gold bumps that have been proposed so far. There are many problems such as up. In addition, this joint may be subjected to thermal stress due to temperature and humidity conditions due to the difference in thermal expansion coefficient between the flip chip and the mother board, which may cause distortion, cracking, and disconnection.
[0005]
In the present invention, since the package side electrode is formed by etching a metal foil such as a copper foil, the fillet shape caused by the etching factor as shown in FIG. 1 can absorb the thermal stress. Moreover, since metal foil itself, such as copper foil, becomes an electrode, the thickness is very uniform and coplanarity can be sufficiently satisfied. Also, by using an anisotropic conductive film or anisotropic conductive paste for connection to LSI electrodes, it is possible to connect together without creating electrode bumps using gold as in the past, and underfill injected after connection Since no agent is required, the cost can be reduced. The underfill agent is an adhesive for connecting the chip and the substrate, and has a role of maintaining mechanical strength and improving reliability. In the present invention, the binder resin used in the anisotropic conductive film or anisotropic conductive paste used for connection serves as the underfill. Therefore, the anisotropic conductive film or anisotropic conductive paste to be used is preferably a low-temperature curable or photo-curable low stress type.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a first conductive layer made of a metal body existing in and on a via hole of an insulating resin layer provided with a via hole, and a photosensitive insulating layer formed on the surface opposite to the metal body of the insulating resin layer. A second conductive layer formed by electroless plating on a photo via provided in the conductive resin layer, and an anisotropic conductive film provided on the insulating resin layer and the first conductive layer. A method for manufacturing a printed circuit board for a semiconductor package is provided.
[0007]
A process for manufacturing the printed circuit board for a semiconductor package of the present invention will be described below.
First, an insulating resin capable of forming via holes by laser is applied to the metal foil so as to have a thickness of 10 to 200 μm, and the via holes are formed by laser. As the metal foil, electrolytic copper foil, aluminum foil and the like having good electrical conductivity can be used, and the thickness is 10 to 100 μm, preferably 35 to 70 μm. If the thickness is less than 10 μm, the strength is weak, and there are drawbacks in handling such as the formation of wrinkles when forming an insulating resin. If it exceeds 100 μm, it cannot be thinned. An excimer laser, a carbon dioxide laser, plasma, or the like can be used as a laser for forming the via hole. As described above, by using the laser system, the first layer of the insulating resin material has a wide range of material choices for the heat resistant resin including the epoxy resin.
[0008]
Next, a plating resist is attached to the metal foil side, and copper is grown to the thickness of the insulating layer in the laser via hole prepared earlier by electrolytic plating. In this case, not only copper but also gold, solder alloy, tin, and the like are possible, but electrolytic copper plating is preferable from the viewpoint of cost and electrical reliability.
[0009]
And the photosensitive resin layer used as a 2nd conductor layer is formed on this insulating layer. In order to increase the adhesion, the surface of the insulating resin layer is polished. The polishing method may be any of mechanical methods such as buffling polishing and belt sander, or micro-roughening with chemicals.
[0010]
As a method for forming the photosensitive resin, screen printing, curtain coater, roll coater, dip coater or the like can be used. Alternatively, a film-like photosensitive resin can be formed by a laminate method. However, the photosensitive resin used in the present invention is preferably developable with an aqueous alkaline solution, and can be roughened with permanganic acid for electroless plating, and further electroless plated. Such materials are described in Japanese Patent Application No. 6-291729, Japanese Patent Application No. 6-293517, and the like.
[0011]
Next, the photosensitive resin layer is exposed to light using a pattern film and developed to form a via hole. Next, after roughening the surface, a second conductor layer is formed by electroless plating, thereby obtaining electrical connection with the first conductor layer. This plating is not limited to electroless plating, and efficiency can be improved by combining electrolytic plating. Here, the plating resist attached to the metal foil of the first layer is peeled off, and an etching resist is formed to form circuit patterns on both surfaces. Then, a circuit is formed by etching. Finally, an anisotropic conductive film is formed on the first layer circuit formed from the metal foil. Solder resist is screen-printed on the second circuit layer side, and solder balls are formed at predetermined positions. The semiconductor package substrate thus obtained has a simple structure and simple processes. Further, since the second circuit layer is formed by the additive method, a high number of layers can be achieved.
[0012]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a use state of a printed circuit board for a semiconductor package according to the present invention, wherein 11 is an anisotropic conductive film, 20 is a solder resist, 21 is an electrode formed by etching a metal foil, and 22 is formed thereon. It is the formed insulating resin. 23 is an electrode of the LSI chip, 25 is electrolytic plated copper, 26 is a photosensitive resin, and 28 is electroless plated copper.
[0013]
2 (1) to (13) are manufacturing process diagrams of the semiconductor package printed circuit board. An example of the present invention will be described in the order of the manufacturing process. (1) Using 35 μm electrolytic copper foil 1 as the metal foil, applying an epoxy resin varnish as insulating resin 2 to the anti-gloss surface using a comma coater so that the thickness after drying is 50 μm, and drying and curing did. (2) A 50 μm via hole 3 was formed by an excimer laser. Thereafter, a dry film-like plating resist 4 was pasted on the glossy surface of the electrolytic copper foil, leaving only a portion to be an electrode for electrolytic plating. (3) Copper 5 having the same thickness as the insulating resin layer was deposited by electrolytic plating. (4) After polishing the surface once with baffle, the photosensitive resin 6 was printed by screen printing to a thickness of 30 μm and heated at 80 ° C. for 15 minutes to make it tack free.
[0014]
(5) Next, it exposed by irradiating 1000mJ UV light using the pattern film. Next, development was performed with a 1% aqueous sodium hydroxide solution to form via holes 7 having a diameter of 75 μm. (6) The surface of the photosensitive resin layer 6 in which the via hole was formed in this way was dipped in a 5% permanganate aqueous solution adjusted to be alkaline with 2.5% sodium hydroxide and subjected to chemical roughening. The liquid temperature at this time was 60 degreeC. After washing with water, a palladium catalyst was attached, and after activation with an accelerator, electroless copper plating was performed to obtain a 3 μm-thick circuit, and an 18 μm conductor was obtained thereon by electrolytic copper plating. (7) Here, the plating resist 4 formed in the step (2) was peeled off. (8) Next, a photocurable liquid type etching resist 9 was formed on both surfaces, and exposed and developed using a pattern film. (9) A circuit was created by etching. The first layer side electrode 1a was wired at a pitch of 0.5 mm, and the second layer side electrode 8a was wired at a pitch of 1.0 mm. The etching resist was peeled off, washed with water and dried. (10) Thereafter, the thermosetting solder resist 10 was printed and cured on one side by screen printing to form a resist layer on both sides. (11) The anisotropic conductive film 11 was temporarily pressure-bonded to the circuit side of the first layer formed by etching in order to connect the electrode part obtained on the first layer side to the semiconductor chip. An anisotropic conductive paste may be applied instead of the anisotropic conductive film. (12) The LSI electrode 23 and the first layer circuit electrode 1a were electrically connected through the anisotropic conductive film 11. (13) The second layer 8a on the opposite surface was formed with bumps of solder balls 12 (192 pieces) at a predetermined position by an existing method.
[0015]
The printed circuit board for a semiconductor package thus obtained can provide a 7 mm square semiconductor chip having a 192 pin electrode with a pitch of 0.5 mm as a 14 mm square package.
[0016]
【The invention's effect】
Even small packages such as QFP and TSOP are facing limitations in the trend toward higher pin count and narrow pitch. Bare chip mounting is attracting attention as the ultimate form of miniaturization, but bare chip can reduce the cost of the package, but bare chip from the viewpoint of KGD compensation method and its inspection cost, bare chip repairability and handling The transition to is difficult. According to the present invention, it is possible to use a CSP that packages a chip in substantially the same size as the chip. According to the printed circuit board for a semiconductor package and the manufacturing method thereof according to the present invention, it is possible to reduce the size of a 192-pin package with a size of 14 mm square.
[0017]
By using both the laser via method and the photo via method, the insulating resin material of the first layer can be selected from a wide range of materials such as epoxy resin and heat resistant resin. In the present invention, since the package side electrode is formed by etching the copper foil of the copper clad laminate as the core material, the fillet shape caused by the etching factor can absorb the thermal stress. Further, since the copper foil itself of the copper clad laminate is an electrode, the thickness is very uniform, and the coplanarity is sufficiently satisfied.
[0018]
Also, by using an anisotropic conductive film or anisotropic conductive paste for connection to LSI electrodes, it is possible to connect together without creating electrode bumps using gold as in the past, and underfill injected after connection Since no agent is required, the cost can be reduced. The underfill agent is an adhesive for connecting the chip and the substrate, and has a role of maintaining mechanical strength and improving reliability. In the present invention, the binder resin used in the anisotropic conductive film or anisotropic conductive paste used for connection serves as the underfill. Therefore, the anisotropic conductive film or anisotropic conductive paste to be used is preferably a low-temperature curable or photo-curable low stress type.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a usage state of a printed circuit board for a semiconductor package. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing process of the printed circuit board for a semiconductor package.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Copper foil 1a 1st conductor circuit 2 Insulating resin 3 Laser via 4 Plating resist 5 Electrolytic plating copper 6 Photosensitive resin 7 Photo via 8 Electroless plating copper 8a Second conductive circuit 9 Etching resist 10 Solder resist 11 Anisotropic conductive Film or anisotropic conductive paste 12 Solder ball 20 Solder resist 21 Fillet electrode 22 Insulating resin 23 LSI electrode 25 Electrolytic plating copper 26 Photosensitive resin 28 Electroless plating copper

Claims (1)

(1)金属箔上に形成された絶縁樹脂層をレーザーによりビアを形成する工程、(2)金属箔の樹脂層が形成されていない面にめっきレジストを塗布する工程、(3)工程(1)で形成されたビア内にめっきによって導電体を形成する工程、(4)金属箔と前記工程により形成されためっきによる導電体からなる第1の導電体層上にフォトビア可能な感光性絶縁性樹脂を形成する工程、(5)前記感光性樹脂層にフォトビアを形成する工程、(6)前記感光性樹脂層を粗化する工程、(7)前記感光性樹脂層にめっきによる第2の導電体層を工程(3)で形成された第1の導電体層と接続して形成する工程、(8)工程()で形成されためっきレジスト層を剥離する工程、(9)このようにして形成された構成物の両面にエッチングレジストを形成する工程、(10)両面にエッチングにより回路を形成する工程、(11)エッチングにより回路形成した第2の導電体層にソルダーレジスト層を形成する工程、(12)エッチングにより形成した第1の導電体層に異方導電膜を形成する工程、(13)第1の導電体層の回路とLSIチップの電極とを異方導電膜を介して電気的接続を成し得るように接合する工程、及び(14)エッチングにより形成した第2の導電体層の回路に半田ボールを形成する工程、からなることを特徴とする半導体パッケージ用プリント回路基板の製造方法。(1) a step of forming a via in the insulating resin layer formed on the metal foil by laser; (2) a step of applying a plating resist on the surface of the metal foil where the resin layer is not formed; (3) step (1 (4) forming a conductor by plating in the via formed in (4), and (4) photosensitive insulating property capable of photovia on the first conductor layer made of the metal foil and the conductor formed by plating formed in the above step. A step of forming a resin, (5) a step of forming a photo via in the photosensitive resin layer, (6) a step of roughening the photosensitive resin layer, and (7) a second conductivity by plating on the photosensitive resin layer. A step of connecting and forming the body layer with the first conductor layer formed in step (3), (8) a step of peeling off the plating resist layer formed in step ( 2 ), and (9) in this way. Etching resist on both sides of the formed structure (10) a step of forming a circuit by etching on both surfaces, (11) a step of forming a solder resist layer on the second conductor layer formed by etching, (12) a second step of forming by etching Forming an anisotropic conductive film on one conductor layer; (13) joining the circuit of the first conductor layer and the electrode of the LSI chip so as to be electrically connected via the anisotropic conductive film; And (14) forming a solder ball on the circuit of the second conductor layer formed by etching, and a method of manufacturing a printed circuit board for a semiconductor package.
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