JP3698151B2 - Battery control device - Google Patents
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Description
本発明は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の制御装置に関する。 The present invention relates to an assembled battery control device configured by connecting a plurality of cells in series.
複数のセルを直列に接続して構成される組電池の過充電状態や過放電状態などの異常を検出する装置が知られている(特許文献1参照)。セルの過充電状態や過放電状態を検出するために、3〜4セル用の電池保護ICを用いる場合には、組電池を構成するセル数が多ければ、複数の電池保護ICが用いられる。複数の電池保護ICから出力される異常検出信号は、電圧レベルが異なるために、電圧レベル変換回路にて電圧のレベル合わせが行われる。 An apparatus that detects an abnormality such as an overcharge state or an overdischarge state of an assembled battery configured by connecting a plurality of cells in series is known (see Patent Document 1). When a battery protection IC for 3-4 cells is used to detect an overcharged state or an overdischarged state of a cell, a plurality of battery protection ICs are used if the number of cells constituting the assembled battery is large. Since the abnormality detection signals output from the plurality of battery protection ICs have different voltage levels, the voltage level is adjusted by the voltage level conversion circuit.
しかしながら、電圧レベル変換回路に用いられる電源は、組電池を構成する一部のセルから供給されるので、電圧レベル変換回路に電流が供給される時には、各セル間の端子電圧(容量)のバラツキが増大するという問題があった。 However, since the power used for the voltage level conversion circuit is supplied from some cells constituting the assembled battery, when a current is supplied to the voltage level conversion circuit, the terminal voltage (capacity) varies between the cells. There was a problem that increased.
本発明による組電池の制御装置は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の制御装置であって、所定数のセルの充放電を制御する複数の充放電制御回路と、複数の充放電制御回路ごとに設けられて対応する充放電制御回路に入力する信号の電圧レベルを変換する複数の電圧レベル変換回路と、複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する制御手段とを備える。制御手段が複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、組電池から複数の電圧レベル変換回路に電力が供給されることを特徴とする。 An assembled battery control apparatus according to the present invention is an assembled battery control apparatus configured by connecting a plurality of cells in series, and includes a plurality of charge / discharge control circuits that control charge / discharge of a predetermined number of cells, A plurality of voltage level conversion circuits provided for each of the charge / discharge control circuits for converting the voltage levels of signals input to the corresponding charge / discharge control circuits, and control means for simultaneously controlling the plurality of voltage level conversion circuits. When the control means controls a plurality of voltage level conversion circuits simultaneously, power is supplied from the assembled battery to the plurality of voltage level conversion circuits.
本発明による組電池の制御装置によれば、制御手段が複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合において、組電池から複数の電圧レベル変換回路に電力が供給されるので、電圧レベル変換回路作動時に各セル間の電圧バラツキが生じるのを抑制することができる。 According to the battery pack control apparatus of the present invention, when the control means controls a plurality of voltage level conversion circuits simultaneously, power is supplied from the battery pack to the plurality of voltage level conversion circuits. Occasionally voltage variations between cells can be suppressed.
−第1の実施の形態−
図1は、本発明による組電池の制御装置の第1の実施の形態の構成を示す図である。組電池1は、充電および放電可能な複数のセルs1〜s4を直列に接続して構成される。異常検出回路a1〜a4、バイパス電圧検出回路b1〜b4、オア回路OR11〜OR41、N型MOSトランジスタQ11〜Q41、第1の抵抗R11〜R41、第2の抵抗R12〜R42、第3の抵抗R13〜R43、第4の抵抗R14〜R44、第5の抵抗R15〜R45、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42、および、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43は、各セルS1〜s4ごとに設けられている。
-First embodiment-
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment of a control apparatus for an assembled battery according to the present invention. The assembled
異常検出回路a1〜a4は、対応するセルS1〜s4の端子電圧が第1の所定電圧V1より上昇して過充電になったことを検出するとともに、第2の所定電圧V2より下降して過放電になったことを検出する。セルs1〜s4の過充電または過放電が検出されると、対応する異常検出回路a1〜a4からはH(ハイ)レベルの信号が出力され、過充電および過放電のいずれも検出されないときは、L(ロー)レベルの信号が出力される。なお、ここでは、電流が流れている状態をHレベルの信号が出力されている状態とし、電流が流れていない状態をLレベルの信号が出力されている状態とする。 The abnormality detection circuits a1 to a4 detect that the terminal voltages of the corresponding cells S1 to s4 have risen from the first predetermined voltage V1 to be overcharged, and have fallen from the second predetermined voltage V2 to be excessive. Detect that a discharge has occurred. When overcharge or overdischarge of the cells s1 to s4 is detected, the corresponding abnormality detection circuits a1 to a4 output H (high) level signals, and when neither overcharge nor overdischarge is detected, An L (low) level signal is output. Here, a state in which a current is flowing is a state in which an H level signal is being output, and a state in which a current is not flowing is a state in which an L level signal is being output.
各異常検出回路a1〜a4の検出結果は、オア回路OR1に入力される。オア回路OR1は、各異常検出回路a1〜a4から入力される異常検出結果に対して論理和演算を行い、演算結果をアイソレータc1を介して充放電制御回路2に入力する。
The detection results of the abnormality detection circuits a1 to a4 are input to the OR circuit OR1. The OR circuit OR1 performs a logical OR operation on the abnormality detection results input from the abnormality detection circuits a1 to a4, and inputs the operation results to the charge /
充放電制御回路2は、アイソレータc1を介して入力されたオア回路OR1の論理演算結果の信号に基づいて、組電池1の充電および放電を制御する。また、充放電制御回路2は、後述する電流バイパス機能を強制的に作動(オン)させるための制御信号を出力する。
The charge /
バイパス電圧検出回路b1〜b4は、対応するs1〜s4の端子電圧が第3の所定電圧V3より上昇して満充電に近い状態になったことを検出して、対応するセルs1〜s4に流れる電流の一部をバイパスする。すなわち、対応するs1〜s4に並列に接続されているN型MOSトランジスタQ11〜Q41をオア回路OR11〜OR41を介してオンさせる。N型MOSトランジスタQ11〜Q41は、第1の抵抗R11〜R41と直列に接続されているので、N型MOSトランジスタQ11〜Q41がオンすることにより、対応するセルs1〜s4に流れる電流の一部がN型MOSトランジスタQ11〜Q41と第1の抵抗R11〜R41との直列接続にて構成される電流バイパス回路にバイパスされる。 The bypass voltage detection circuits b1 to b4 detect that the terminal voltages of the corresponding s1 to s4 are higher than the third predetermined voltage V3 and are close to full charge, and flow to the corresponding cells s1 to s4. Bypass part of the current. That is, the N-type MOS transistors Q11 to Q41 connected in parallel to the corresponding s1 to s4 are turned on via the OR circuits OR11 to OR41. Since the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are connected in series with the first resistors R11 to R41, when the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are turned on, a part of the current flowing in the corresponding cells s1 to s4 Is bypassed to a current bypass circuit configured by series connection of N-type MOS transistors Q11 to Q41 and first resistors R11 to R41.
すなわち、各セルによりDOD(放電深度)が異なるので、満充電に近い状態まで充電されたセルに接続された電流バイパス回路の電流バイパス機能を作動させて、セルに流れる充電電流を低下させるとともに、他のセルの充電を継続させて行うことにより、各セル間の容量バラツキを抑制することができる。 That is, since the DOD (depth of discharge) is different for each cell, the current bypass function of the current bypass circuit connected to the cell charged to near full charge is activated, and the charging current flowing through the cell is reduced. By continuing to charge other cells, capacity variation between cells can be suppressed.
オア回路OR11〜OR41は、バイパス電圧検出回路b1〜b4から入力される信号と、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42と第2の抵抗R12〜R42との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して入力される信号との論理和を算出し、N型MOSトランジスタQ11〜Q41のオン/オフを制御する。すなわち、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のコレクタ端子は、第2の抵抗R12〜R42と直列に接続されており、この接続部分とオア回路OR11〜OR41の一方の入力端子とが接続されている。 The OR circuits OR11 to OR41 are connected via a signal input from the bypass voltage detection circuits b1 to b4, and an inverter circuit constituted by a series connection of PNP type bipolar transistors Q12 to Q42 and second resistors R12 to R42. A logical sum with the input signal is calculated, and ON / OFF of the N-type MOS transistors Q11 to Q41 is controlled. That is, the collector terminals of the PNP-type bipolar transistors Q12 to Q42 are connected in series with the second resistors R12 to R42, and this connection portion is connected to one input terminal of the OR circuits OR11 to OR41.
この場合、オア回路OR11〜OR41に入力される2信号のうちの少なくとも1信号がHレベルの信号の時には、オア回路OR11〜OR41からはHレベルの信号が出力される。これにより、N型MOSトランジスタQ11〜Q41のゲートには正電圧が印加されるので、N型MOSトランジスタQ11〜Q41はオンする。一方、オア回路OR11〜OR41に入力される2信号がともにLレベルの信号の時には、オア回路OR11〜OR41からはLレベルの信号が出力されるので、N型MOSトランジスタQ11〜Q41はオフとなる。 In this case, when at least one of the two signals input to the OR circuits OR11 to OR41 is an H level signal, the OR circuits OR11 to OR41 output an H level signal. As a result, a positive voltage is applied to the gates of the N-type MOS transistors Q11 to Q41, so that the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are turned on. On the other hand, when the two signals input to the OR circuits OR11 to OR41 are both L level signals, the L level signals are output from the OR circuits OR11 to OR41, so that the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are turned off. .
ここで、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42と第2の抵抗R12〜R42との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して、オア回路OR11〜OR41に入力される信号が全てHレベルの場合には、バイパス電圧検出回路b1〜b4から出力される信号のレベルに関わらず、N型MOSトランジスタQ11〜Q41は全て同時にオンする。すなわち、全セルの電流バイパス機能を作動させることができる。 Here, when all the signals input to the OR circuits OR11 to OR41 through the inverter circuit constituted by the serial connection of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 and the second resistors R12 to R42 are at the H level. Regardless of the level of the signal output from the bypass voltage detection circuits b1 to b4, all the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are turned on simultaneously. That is, the current bypass function of all cells can be activated.
PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42、および、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43の動作について説明する。NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43のベース端子は、対応するs1〜s4の端子間に直列に接続されている第4の抵抗R14〜R44と第5の抵抗R15〜R45との接続部分に接続されている。また、コレクタ端子は、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子に接続されるとともに、第3の抵抗R13〜R43を介して、1つ上位のNPN型バイポーラトランジスタのエミッタ端子に接続されている。 The operation of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 and the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 will be described. The base terminals of the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 are connected to a connection portion between the fourth resistors R14 to R44 and the fifth resistors R15 to R45 connected in series between the corresponding terminals s1 to s4. Yes. The collector terminal is connected to the base terminals of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42, and is connected to the emitter terminal of the upper NPN bipolar transistor via the third resistors R13 to R43.
例えば、NPN型バイポーラトランジスタQ13のコレクタ端子は、抵抗R13を介して、NPN型バイポーラトランジスタQ23のエミッタ端子と接続されている。ただし、最上位のNPN型バイポーラトランジスタQ43のコレクタ端子は、第3の抵抗R43を介して、セルs4の正極端子、すなわち、組電池1の正極端子に接続されている。また、最下位のNPN型バイポーラトランジスタQ13のエミッタ端子は、抵抗R1を介してNPN型バイポーラトランジスタQ1のコレクタ端子に接続されている。
For example, the collector terminal of the NPN bipolar transistor Q13 is connected to the emitter terminal of the NPN bipolar transistor Q23 via the resistor R13. However, the collector terminal of the uppermost NPN-type bipolar transistor Q43 is connected to the positive terminal of the cell s4, that is, the positive terminal of the assembled
NPN型バイポーラトランジスタQ1のエミッタ端子は、セルs1の負極端子、すなわち、組電池1の負極端子に接続されている。また、ベース端子には、充放電制御回路2から出力された制御信号がアイソレータc2を介して入力される。なお、アイソレータc1,c2は、組電池1に接続されている回路と、充放電制御回路2との間を電気的に絶縁する役割を果たしている。
The emitter terminal of the NPN bipolar transistor Q1 is connected to the negative terminal of the cell s1, that is, the negative terminal of the
ここで、充放電制御回路2から出力される制御信号がLレベルの場合について考察する。充放電制御回路2から出力されるLレベルの信号は、アイソレータc2にて、セルs1の負極端子電圧を基準としたLレベルの信号に変換されて、NPN型バイポーラトランジスタQ1のベース端子に入力される。この時、NPN型バイポーラトランジスタQ1のベース端子とエミッタ端子は同電位となるので、NPN型バイポーラトランジスタQ1はオフとなる。従って、NPN型バイポーラトランジスタQ1のコレクタ端子とエミッタ端子との間には電流が流れない。
Here, a case where the control signal output from the charge /
この結果、NPN型バイポーラトランジスタQ1と直列に接続されているNPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43もそれぞれオフとなる。この場合、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42をオンさせるための電圧をPNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子に印加することができないので、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42もオフとなる。 As a result, the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 connected in series with the NPN bipolar transistor Q1 are also turned off. In this case, since the voltage for turning on the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 cannot be applied to the base terminals of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42, the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 are also turned off.
PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42がオフとなることにより、第2の抵抗R12〜R42には電流が流れないので、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のコレクタ端子の電圧は、対応するセルs1〜s4の負極電圧とそれぞれ等しくなる。従って、オア回路OR11〜OR41の一方の入力端子には、対応するセルs1〜s4の負極電圧と等しい電圧、すなわち、オア回路OR11〜OR41にとってはLレベルの信号が入力される。 Since the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 are turned off, no current flows through the second resistors R12 to R42. Therefore, the voltages at the collector terminals of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 are applied to the corresponding cells s1 to s4. Each becomes equal to the negative voltage. Therefore, a voltage equal to the negative voltage of the corresponding cells s1 to s4, that is, an L level signal is input to the OR circuits OR11 to OR41, at one input terminal of the OR circuits OR11 to OR41.
次に、充放電制御回路2から出力される制御信号がHレベルの場合について考察する。充放電制御回路2から出力されるHレベルの信号は、アイソレータc2にて、セルs1の負極端子電圧を基準としたHレベル信号に変換されて、NPN型バイポーラトランジスタQ1のベース端子に入力される。これにより、NPN型バイポーラトランジスタQ1はオンし、コレクタ端子とエミッタ端子との間に電流が流れる。この結果、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43もオンするので、第3の抵抗R13〜R43に電流が流れ、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42をオンさせるに足る電圧がベース端子に印加される。これにより、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42もオンする。
Next, consider the case where the control signal output from the charge /
PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42がオンすることにより、第2の抵抗R12〜R42に電流が流れるので、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のコレクタ端子の電圧は、対応するセルs1〜s4の正極電圧とほぼ等しくなる。従って、オア回路OR11〜OR41の一方の入力端子には、対応するセルs1〜s4の正極電圧とほぼ等しい電圧、すなわち、オア回路OR11〜OR41にとってはHレベルの信号が入力される。 Since the current flows through the second resistors R12 to R42 when the PNP type bipolar transistors Q12 to Q42 are turned on, the voltage at the collector terminal of the PNP type bipolar transistors Q12 to Q42 is the positive voltage of the corresponding cells s1 to s4. Almost equal. Accordingly, a voltage substantially equal to the positive voltage of the corresponding cells s1 to s4, that is, an H level signal is input to the OR circuits OR11 to OR41, at one input terminal of the OR circuits OR11 to OR41.
これにより、全てのN型MOSトランジスタQ11〜Q41が同時にオンし、全てのセルs1〜s4の電流バイパス機能が作動する。 As a result, all the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are simultaneously turned on, and the current bypass function of all the cells s1 to s4 is activated.
このように、第1の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路2から電流バイパス機能を作動させるための制御信号(Hレベル)が出力されることにより、全ての電流バイパス機能が作動する。この時に、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子に入力する電圧、すなわち、オア回路OR11〜OR41に入力する信号の電圧レベルを、各セルs1〜s4に見合った電圧レベルに変換することができる。
Thus, according to the battery pack control apparatus in the first embodiment, the charge /
図3は、第1の実施の形態における組電池の制御装置が備えているNPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43等を備えていない組電池の制御装置の構成を示す図である。図3において、図1に示す組電池の制御装置を構成する要素と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an assembled battery control device that does not include the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 and the like included in the assembled battery control device according to the first embodiment. In FIG. 3, the same components as those constituting the battery pack control device shown in FIG.
ダイオードD1と抵抗R10、ダイオードD2と抵抗R20、ダイオードD3と抵抗R30、ダイオードD4と抵抗R40は、それぞれ電圧レベル変換回路として機能している。すなわち、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子に入力する制御信号の電圧レベルのレベル合わせを行っている。例えば、充放電制御回路2から出力される信号がHレベルの信号である場合、NPN型バイポーラトランジスタQ1がオンするので、コレクタ端子とエミッタ端子との間に電流が流れる。これにより、ダイオードD1〜D4を介して、各抵抗R10〜R40に電流が流れ、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42をオンするに足る電圧がPNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子に印加される。
The diode D1 and the resistor R10, the diode D2 and the resistor R20, the diode D3 and the resistor R30, and the diode D4 and the resistor R40 each function as a voltage level conversion circuit. That is, the level of the voltage level of the control signal input to the base terminals of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 is adjusted. For example, when the signal output from the charge /
この時、ダイオードD1および抵抗R10に流れる電流は、セルs1の正極端子からセルs1の負極端子へと流れ、ダイオードD2および抵抗R20に流れる電流は、セルs2の正極端子からセルs1の負極端子へと流れる。また、ダイオードD3および抵抗R30に流れる電流は、セルs3の正極端子からセルs1の負極端子へと流れ、ダイオードD4および抵抗R40流れる電流は、セルs4の正極端子からセルs1の負極端子へと流れる。すなわち、それぞれの電圧レベル変換回路の電源が異なるので、セルs1〜s4から流出する電流がそれぞれ異なり、セルs1〜s4の間において電圧差が生じることになる。 At this time, the current flowing through the diode D1 and the resistor R10 flows from the positive terminal of the cell s1 to the negative terminal of the cell s1, and the current flowing through the diode D2 and the resistor R20 from the positive terminal of the cell s2 to the negative terminal of the cell s1. And flow. The current flowing through the diode D3 and the resistor R30 flows from the positive terminal of the cell s3 to the negative terminal of the cell s1, and the current flowing through the diode D4 and the resistor R40 flows from the positive terminal of the cell s4 to the negative terminal of the cell s1. . That is, since the power sources of the respective voltage level conversion circuits are different, the currents flowing out from the cells s1 to s4 are different, and a voltage difference is generated between the cells s1 to s4.
これに対して、第1の実施の形態における組電池の制御装置によれば、上述した構成により各セルs1〜s4の間で電圧差が生じることはない。すなわち、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子に入力する制御信号の電圧レベルのレベル合わせを行う電圧レベル変換回路を構成するNPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43のコレクタ端子あるいはエミッタ端子を、第3の抵抗R13〜R43、および、抵抗R1、NPN型バイポーラトランジスタQ1を介して、セルs4の正極端子(組電池1の正極端子)とセルs1の負極端子(組電池1の負極端子)との間に直列に接続している。また、第4の抵抗R14〜R44を全て同一の抵抗値とし、第5の抵抗R15〜R45を全て同一の抵抗値とすることにより、第4の抵抗R14〜R44と第5の抵抗R15〜R45との直列接続部に流れる電流をセルs1〜s4間で等しくすることができる。 On the other hand, according to the battery pack control apparatus in the first embodiment, the above-described configuration does not cause a voltage difference between the cells s1 to s4. That is, the collector terminals or emitter terminals of the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 constituting the voltage level conversion circuit for adjusting the voltage level of the control signal input to the base terminals of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 are connected to the third terminals. Via the resistors R13 to R43, the resistor R1, and the NPN bipolar transistor Q1, between the positive terminal of the cell s4 (the positive terminal of the assembled battery 1) and the negative terminal of the cell s1 (the negative terminal of the assembled battery 1) Connected in series. Further, the fourth resistors R14 to R44 and the fifth resistors R15 to R44 and the fifth resistors R15 to R45 are all set to have the same resistance value and the fifth resistors R15 to R45 are all set to the same resistance value. The current flowing through the series connection portion can be made equal between the cells s1 to s4.
このように、第1の実施の形態における組電池の制御装置によれば、組電池1を構成する全てのセルs1〜s4が電圧レベル変換回路の電源として用いられるので、各セルs1〜s4の間で電圧差が生じるのを防ぐことができる。
Thus, according to the assembled battery control device in the first embodiment, all the cells s1 to s4 constituting the assembled
なお、抵抗R1、第2の抵抗R12〜R42、第3の抵抗R13〜R43、第4の抵抗R14〜R44、第5の抵抗R15〜R45の各抵抗値を大きい値に設定することにより、セルs1〜s4から供給する電流を少なくすることができる。 Note that by setting the resistance values of the resistor R1, the second resistors R12 to R42, the third resistors R13 to R43, the fourth resistors R14 to R44, and the fifth resistors R15 to R45 to a large value, the cell The current supplied from s1 to s4 can be reduced.
−第2の実施の形態−
図2は、第2の実施の形態における組電池の制御装置の構成を示す図である。図2において、図1に示す第1の実施の形態における組電池の制御装置と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。第1の実施の形態における組電池の制御装置では、電圧レベル変換回路として、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43を用いたが、第2の実施の形態における組電池の制御装置では、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45を用いる。なお、アンド回路AND11〜AND41、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44、第6の抵抗R16〜R46は、各セルs1〜s4ごとに設けられている。
-Second Embodiment-
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the control device for the assembled battery according to the second embodiment. In FIG. 2, the same components as those in the battery pack control apparatus in the first embodiment shown in FIG. In the battery pack control apparatus according to the first embodiment, the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 are used as the voltage level conversion circuit. However, in the battery pack control apparatus according to the second embodiment, the PNP bipolar transistor is used. Q15 to Q45 are used. The AND circuits AND11 to AND41, the NPN bipolar transistors Q14 to Q44, and the sixth resistors R16 to R46 are provided for the respective cells s1 to s4.
異常検出回路a1〜a4による異常検出結果は、オア回路OR1で論理和演算が行われた後、アイソレータc1を介して充放電制御回路2aに入力される。充放電制御回路2aは、オア回路OR1の論理和演算結果の信号に基づいて、組電池1の充電および放電を制御する。また、充放電制御回路2aは、電流バイパス機能を強制的に非作動(オフ)させるための制御信号(Lレベル)を出力する。
The abnormality detection results by the abnormality detection circuits a1 to a4 are input to the charge / discharge control circuit 2a via the isolator c1 after the OR operation is performed by the OR circuit OR1. The charge / discharge control circuit 2a controls charging and discharging of the assembled
バイパス電圧検出回路b1〜b4の機能は、第1の実施の形態におけるバイパス電圧検出回路b1〜b4と同じである。ただし、バイパス電圧検出回路b1〜b4の出力信号は、対応するアンド回路AND11〜AND41に入力される。アンド回路AND11〜AND41のもう一方の入力端子には、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44と第6の抵抗R16〜R46との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して、制御信号が入力される。 The functions of the bypass voltage detection circuits b1 to b4 are the same as those of the bypass voltage detection circuits b1 to b4 in the first embodiment. However, the output signals of the bypass voltage detection circuits b1 to b4 are input to the corresponding AND circuits AND11 to AND41. A control signal is input to the other input terminals of the AND circuits AND11 to AND41 via an inverter circuit configured by serial connection of NPN bipolar transistors Q14 to Q44 and sixth resistors R16 to R46. .
アンド回路AND11〜AND41に入力される2信号のうちの少なくとも1信号がLレベルの信号の時には、アンド回路AND11〜AND41の出力信号はLレベルとなる。この場合、N型MOSトランジスタQ11〜Q41はオフとなるので、電流バイパス機能は非作動となる。一方、アンド回路AND11〜AND41に入力される2信号が共にHレベルの信号の時には、Hレベルの信号が出力されるので、N型MOSトランジスタQ11〜Q41はオンとなり、電流バイパス機能が作動する。 When at least one of the two signals input to the AND circuits AND11 to AND41 is an L level signal, the output signals of the AND circuits AND11 to AND41 are at an L level. In this case, since the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are turned off, the current bypass function is deactivated. On the other hand, when the two signals input to the AND circuits AND11 to AND41 are both H level signals, the H level signals are output, so that the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are turned on and the current bypass function is activated.
すなわち、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44と第6の抵抗R16〜R46との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して、アンド回路AND11〜AND41に入力する信号を全てLレベルにすると、バイパス電圧検出回路b1〜b4の出力信号のレベルに関わらず、N型MOSトランジスタQ11〜Q41を全て同時にオフさせることができる。これにより、全セルの電流バイパス機能を非作動とすることができる。 That is, if all the signals input to the AND circuits AND11 to AND41 are set to L level via an inverter circuit constituted by serial connection of NPN bipolar transistors Q14 to Q44 and sixth resistors R16 to R46, the bypass voltage Regardless of the level of the output signals of the detection circuits b1 to b4, all the N-type MOS transistors Q11 to Q41 can be turned off simultaneously. Thereby, the current bypass function of all the cells can be deactivated.
NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44、および、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45の動作について説明する。なお、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45、第7の抵抗R17〜R47、第8の抵抗R18〜R48、第9の抵抗R19〜R49は、各セルごとに設けられている。 Operations of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 and the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 will be described. The PNP bipolar transistors Q15 to Q45, the seventh resistors R17 to R47, the eighth resistors R18 to R48, and the ninth resistors R19 to R49 are provided for each cell.
PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45のベース端子は、対応するセルs1〜s4の端子間に直列に接続されている第8の抵抗R18〜R48と第9の抵抗R19〜R49との接続部分に接続されている。また、コレクタ端子は、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のベース端子に接続されるとともに、第7の抵抗R17〜R47を介して、1つ下位のPNP型バイポーラトランジスタのエミッタ端子に接続されている。例えば、PNP型バイポーラトランジスタQ25のコレクタ端子は、抵抗R27を介して、PNP型バイポーラトランジスタQ15のエミッタ端子と接続されている。ただし、最下位のPNP型バイポーラトランジスタQ15のコレクタ端子は、第7の抵抗R17を介して、セルs1の負極端子、すなわち、組電池1の負極端子に接続されている。また、最上位のPNP型バイポーラトランジスタQ45のエミッタ端子は、抵抗R2を介してPNP型バイポーラトランジスタQ2のコレクタ端子に接続されている。
The base terminals of the PNP-type bipolar transistors Q15 to Q45 are connected to the connection portion between the eighth resistors R18 to R48 and the ninth resistors R19 to R49 connected in series between the terminals of the corresponding cells s1 to s4. ing. The collector terminal is connected to the base terminals of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44, and is connected to the emitter terminal of the next lower PNP bipolar transistor via the seventh resistors R17 to R47. For example, the collector terminal of the PNP bipolar transistor Q25 is connected to the emitter terminal of the PNP bipolar transistor Q15 via the resistor R27. However, the collector terminal of the lowest PNP-type bipolar transistor Q15 is connected to the negative terminal of the cell s1, that is, the negative terminal of the assembled
PNP型バイポーラトランジスタQ2のエミッタ端子は、セルs1の正極端子、すなわち、組電池1の正極端子に接続されている。また、ベース端子には、充放電制御回路2aから出力された制御信号がアイソレータc2を介して入力される。
The emitter terminal of the PNP-type bipolar transistor Q2 is connected to the positive terminal of the cell s1, that is, the positive terminal of the assembled
ここで、充放電制御回路2aから出力される制御信号がHレベルの場合について考察する。充放電制御回路2aから出力されるHレベルの信号は、アイソレータc2にて、セルs4の正極端子電圧を基準としたHレベル信号に変換されて、PNP型バイポーラトランジスタQ2のベース端子に入力される。この時、PNP型バイポーラトランジスタQ2のベース端子とエミッタ端子は同電位となるので、PNP型バイポーラトランジスタQ2はオフとなる。従って、PNP型バイポーラトランジスタQ2のコレクタ端子とエミッタ端子との間には電流が流れない。 Here, a case where the control signal output from the charge / discharge control circuit 2a is at the H level will be considered. The H level signal output from the charge / discharge control circuit 2a is converted into an H level signal based on the positive terminal voltage of the cell s4 by the isolator c2, and input to the base terminal of the PNP bipolar transistor Q2. . At this time, since the base terminal and the emitter terminal of the PNP bipolar transistor Q2 are at the same potential, the PNP bipolar transistor Q2 is turned off. Accordingly, no current flows between the collector terminal and the emitter terminal of the PNP bipolar transistor Q2.
この結果、PNP型バイポーラトランジスタQ2と直列に接続されているPNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45もオフとなるので、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44をオンさせるための電圧をベース端子に印加することができず、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44もオフとなる。 As a result, the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 connected in series with the PNP bipolar transistor Q2 are also turned off, so that a voltage for turning on the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 can be applied to the base terminal. NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are also turned off.
NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44がオフとなることにより、第6の抵抗R16〜R46には電流が流れないので、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のコレクタ端子の電圧は、対応するセルs1〜s4の正極電圧とそれぞれ等しくなる。従って、アンド回路AND11〜AND41の一方の入力端子には、対応するセルs1〜s4の正極電圧と等しい電圧、すなわち、アンド回路AND11〜AND41にとってはHレベルの信号が入力される。 Since the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are turned off, no current flows through the sixth resistors R16 to R46. Therefore, the voltages at the collector terminals of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are applied to the corresponding cells s1 to s4. Each becomes equal to the positive electrode voltage. Accordingly, a voltage equal to the positive voltage of the corresponding cells s1 to s4, that is, an H level signal is input to the AND circuits AND11 to AND41, at one input terminal of the AND circuits AND11 to AND41.
次に、充放電制御回路2aから出力される制御信号がLレベルの場合について考察する。充放電制御回路2aから出力されるLレベルの信号は、アイソレータc2にて、セルs4の正極端子電圧を基準としたLレベル信号に変換されて、PNP型バイポーラトランジスタQ2のベース端子に入力される。これにより、PNP型バイポーラトランジスタQ2はオンし、コレクタ端子とエミッタ端子との間に電流が流れる。この結果、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45もオンするので、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45のコレクタ端子電圧が上昇する。従って、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44をオンさせるに足る電圧がNPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のベース端子に印加されるので、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44もオンする。 Next, consider the case where the control signal output from the charge / discharge control circuit 2a is at the L level. The L level signal output from the charge / discharge control circuit 2a is converted into an L level signal based on the positive terminal voltage of the cell s4 by the isolator c2, and input to the base terminal of the PNP bipolar transistor Q2. . As a result, the PNP bipolar transistor Q2 is turned on, and a current flows between the collector terminal and the emitter terminal. As a result, the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 are also turned on, so that the collector terminal voltages of the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 rise. Accordingly, since a voltage sufficient to turn on the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 is applied to the base terminals of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44, the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are also turned on.
NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44がオンすることにより、第6の抵抗R16〜R46に電流が流れるので、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のコレクタ端子の電圧は、対応するセルs1〜s4の負極電圧とほぼ等しくなる。従って、アンド回路AND11〜AND41の一方の入力端子には、対応するセルs1〜s4の負極電圧とほぼ等しい電圧、すなわち、アンド回路AND11〜AND41にとってはLレベルの信号が入力される。 Since the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are turned on, a current flows through the sixth resistors R16 to R46. Therefore, the voltages at the collector terminals of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are the negative voltages of the corresponding cells s1 to s4. Almost equal. Accordingly, a voltage substantially equal to the negative voltage of the corresponding cells s1 to s4, that is, an L level signal is input to the AND circuits AND11 to AND41, at one input terminal of the AND circuits AND11 to AND41.
これにより、全てのN型MOSトランジスタQ11〜Q41が同時にオフし、全てのセルs1〜s4の電流バイパス機能を非作動とさせることができる。 Thereby, all the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are simultaneously turned off, and the current bypass function of all the cells s1 to s4 can be deactivated.
第2の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路2aから、電流バイパス機能を強制的に非作動させるための制御信号(Lレベル)が出力される場合でも、各セルs1〜s4間で電圧差が生じることを抑制することができる。すなわち、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のベース端子に入力する制御信号の電圧レベルのレベル合わせを行う電圧レベル変換回路を構成するPNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45のコレクタ端子あるいはエミッタ端子を、第7の抵抗R17〜R47、および、抵抗R2、PNP型バイポーラトランジスタQ2を介して、セルs4の正極端子(組電池1の正極端子)とセルs1の負極端子(組電池1の負極端子)との間に直列に接続している。また、第8の抵抗R18〜R48を全て同一の抵抗値とし、第9の抵抗R19〜R49を全て同一の抵抗値とすることにより、第8の抵抗R18〜R48と第9の抵抗R19〜R49との直列接続部に流れる電流をセルs1〜s4間で等しくすることができる。 According to the battery pack control apparatus in the second embodiment, each cell is supplied even when a control signal (L level) for forcibly deactivating the current bypass function is output from the charge / discharge control circuit 2a. It can suppress that a voltage difference arises between s1-s4. That is, the collector terminals or emitter terminals of the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 constituting the voltage level conversion circuit for adjusting the voltage level of the control signal input to the base terminals of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are connected to the seventh terminal. Via the resistors R17 to R47, the resistor R2, and the PNP bipolar transistor Q2, between the positive terminal of the cell s4 (the positive terminal of the assembled battery 1) and the negative terminal of the cell s1 (the negative terminal of the assembled battery 1). Connected in series. Further, the eighth resistors R18 to R48 and the ninth resistors R19 to R49 are all set to the same resistance value and the ninth resistors R19 to R49 are set to the same resistance value. The current flowing through the series connection portion can be made equal between the cells s1 to s4.
このように、第2の実施の形態における組電池の制御装置においても、組電池1を構成する全てのセルs1〜s4が電圧レベル変換回路の電源として用いられるので、各セルs1〜s4の間で電圧差が生じるのを防ぐことができる。
As described above, also in the battery pack control apparatus according to the second embodiment, since all the cells s1 to s4 constituting the
なお、抵抗R2、第6の抵抗R16〜R46、第7の抵抗R17〜R47、第8の抵抗R18〜R48、第9の抵抗R19〜R49の各抵抗値を大きい値に設定することにより、セルs1〜s4から供給する電流を少なくすることができる。 It is to be noted that by setting the resistance values of the resistor R2, the sixth resistors R16 to R46, the seventh resistors R17 to R47, the eighth resistors R18 to R48, and the ninth resistors R19 to R49 to a large value, the cell The current supplied from s1 to s4 can be reduced.
−第3の実施の形態−
図4は、第3の実施の形態における組電池の制御装置の構成を示す図である。図4において、図1に示す第1の実施の形態における組電池の制御装置と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
-Third embodiment-
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the battery pack control device according to the third embodiment. In FIG. 4, the same components as those of the battery pack control apparatus in the first embodiment shown in FIG.
第3の実施の形態における組電池の制御装置では、図1に示す第1の実施の形態における組電池の制御装置の構成に、抵抗R1aが追加されている。具体的には、NPN型バイポーラトランジスタQ13のエミッタ端子と抵抗R1との接続点に抵抗R1aの一端が接続され、セルs1の負極端子に抵抗R1aの他端が接続されている。すなわち、抵抗R1aは、抵抗R1とNPN型バイポーラトランジスタQ1とが直列に接続されている回路と並列に接続されている。 In the battery pack control apparatus according to the third embodiment, a resistor R1a is added to the configuration of the battery pack control apparatus according to the first embodiment shown in FIG. Specifically, one end of the resistor R1a is connected to the connection point between the emitter terminal of the NPN bipolar transistor Q13 and the resistor R1, and the other end of the resistor R1a is connected to the negative terminal of the cell s1. That is, the resistor R1a is connected in parallel with a circuit in which the resistor R1 and the NPN bipolar transistor Q1 are connected in series.
充放電制御回路2から出力される制御信号がLレベルの場合の動作について説明する。この場合、第1の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、NPN型バイポーラトランジスタQ1はオフとなる。この場合、抵抗R1aが設けられていることにより、NPN型バイポーラトランジスタQ13には、NPN型バイポーラトランジスタQ13のベース電圧、NPN型バイポーラトランジスタQ13のベース−エミッタ間電圧、および、抵抗R1aの抵抗値によって決定される電流が流れる。これにより、他のNPN型バイポーラトランジスタQ23〜Q43にも電流が流れる。なお、NPN型バイポーラトランジスタQ13のベース電圧は、セルs1の電圧と抵抗R14およびR15の抵抗比とによって定まる。
An operation when the control signal output from the charge /
この時に、抵抗R1aの抵抗値を大きい値に設定しておくことにより、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43に流れる電流値を小さくする。これにより、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子には、トランジスタをオンさせるために十分な電圧が印加されない。換言すれば、充放電制御回路2から出力される制御信号がLレベルの場合に、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42がオフとなるように、抵抗R1aの抵抗値を定めておく。
At this time, by setting the resistance value of the resistor R1a to a large value, the value of the current flowing through the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 is reduced. As a result, a voltage sufficient to turn on the transistors is not applied to the base terminals of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42. In other words, the resistance value of the resistor R1a is determined so that the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 are turned off when the control signal output from the charge /
次に、充放電制御回路2から出力される制御信号がHレベルの場合の動作について説明する。この場合、第1の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、NPN型バイポーラトランジスタQ1はオンとなる。この結果、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43には、抵抗R1aに流れる電流と、NPN型バイポーラトランジスタQ1および抵抗R1を介して流れる電流とを加算した電流が流れる。
Next, the operation when the control signal output from the charge /
この時に、抵抗R1の抵抗値を小さい値に設定しておけば、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43に流れる電流は大きくなるので、第3の抵抗R13〜R43間に発生する電圧も大きくなる。従って、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のベース端子には、トランジスタをオンさせるに足る電圧が印加されて、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42はオンする。これにより、全てのオア回路OR11〜OR41の出力信号はHレベルとなるので、全てのN型MOSトランジスタQ11〜Q41が同時にオンし、全てのセルs1〜s4の電流バイパス機能が作動する。 At this time, if the resistance value of the resistor R1 is set to a small value, the current flowing through the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 increases, so that the voltage generated between the third resistors R13 to R43 also increases. Accordingly, a voltage sufficient to turn on the transistors is applied to the base terminals of the PNP bipolar transistors Q12 to Q42, and the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 are turned on. As a result, since the output signals of all the OR circuits OR11 to OR41 become H level, all the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are simultaneously turned on, and the current bypass function of all the cells s1 to s4 is activated.
なお、上述した動作を達成するために、充放電制御回路2から出力される制御信号がHレベルの場合に、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42がオンとなるように、抵抗R1の抵抗値を定めておく。ただし、第1の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、抵抗R1,R1a、第2の抵抗R12〜R42、第3の抵抗R13〜R43、第4の抵抗R14〜R44、第5の抵抗R15〜R45の各抵抗値を設定可能な範囲内で大きい値に設定することにより、セルs1〜s4から供給される電流を少なくすることができる。
In order to achieve the above-described operation, the resistance value of the resistor R1 is determined so that the PNP bipolar transistors Q12 to Q42 are turned on when the control signal output from the charge /
このように、第3の実施の形態における組電池の制御装置では、充放電制御回路2からLレベルの制御信号が出力されている場合にも、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43に電流が流れている。すなわち、NPN型バイポーラトランジスタQ1のオン/オフにより、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43に流す電流値を変化させて、PNP型バイポーラトランジスタQ12〜Q42のオン/オフを制御し、電流バイパス機能の作動/非作動を制御する。これは、充放電制御回路2、NPN型バイポーラトランジスタQ1、および、抵抗R1,R1aによって電流源が構成され、全ての電流バイパス機能を作動させる場合には、電流源の電流値を変化させているとも言える。
As described above, in the battery pack control apparatus according to the third embodiment, even when an L level control signal is output from the charge /
以上、第3の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路2から出力される信号レベルの状態に関わらず、電圧レベル変換回路を構成するNPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43に常に電流を流すことができる。これにより、第1の実施の形態における組電池の制御装置による効果に加えて、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43のコレクタ端子またはエミッタ端子の電圧が不定状態になることを防いで、安定した信号を伝達することができる。
As described above, according to the control apparatus for the assembled battery in the third embodiment, the NPN bipolar transistors Q13 to Q43 constituting the voltage level conversion circuit are connected regardless of the state of the signal level output from the charge /
例えば、第1の実施の形態における組電池の制御装置では、NPN型バイポーラトランジスタQ13のエミッタ端子、すなわち、NPN型バイポーラトランジスタQ1のコレクタ端子が不定状態となることにより、回路にノイズが混入した際に、トランジスタQ1のコレクタ電位が低下する可能性がある。この場合、充放電制御回路2からLレベルの信号が出力されているにも関わらず、トランジスタQ1がオンして、N型MOSトランジスタQ11がオンしてしまい、意図しない強制放電が行われる可能性がある。しかし、第3の実施の形態における組電池の制御装置によれば、電圧レベル変換回路に常に電流を流すことにより、電圧レベル変換回路が不安定な状態となることを回避して、意図しない強制放電を防ぐことができる。
For example, in the battery pack control apparatus according to the first embodiment, when the emitter terminal of the NPN bipolar transistor Q13, that is, the collector terminal of the NPN bipolar transistor Q1 is in an indefinite state, noise is mixed in the circuit. In addition, the collector potential of the transistor Q1 may decrease. In this case, although the L-level signal is output from the charge /
−第4の実施の形態−
図5は、第4の実施の形態における組電池の制御装置の構成を示す図である。図5において、図2に示す第2の実施の形態における組電池の制御装置と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
-Fourth embodiment-
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a control apparatus for an assembled battery according to the fourth embodiment. In FIG. 5, the same components as those in the battery pack control device in the second embodiment shown in FIG.
第4の実施の形態における組電池の制御装置では、図2に示す第2の実施の形態における組電池の制御装置の構成に、抵抗R2aが追加されている。具体的には、PNP型バイポーラトランジスタQ45のエミッタ端子と抵抗R2との接続点に抵抗R2aの一端が接続され、最上位のセルs4の正極端子に抵抗R2aの他端が接続されている。すなわち、抵抗R2aは、抵抗R2とPNP型バイポーラトランジスタQ2とが直列に接続されている回路と並列に接続されている。 In the battery pack control apparatus according to the fourth embodiment, a resistor R2a is added to the configuration of the battery pack control apparatus according to the second embodiment shown in FIG. Specifically, one end of the resistor R2a is connected to the connection point between the emitter terminal of the PNP bipolar transistor Q45 and the resistor R2, and the other end of the resistor R2a is connected to the positive terminal of the uppermost cell s4. That is, the resistor R2a is connected in parallel with a circuit in which the resistor R2 and the PNP bipolar transistor Q2 are connected in series.
まず、充放電制御回路2aから出力される制御信号がHレベルの場合の動作について説明する。この場合、第2の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、PNP型バイポーラトランジスタQ2はオフとなる。この場合、抵抗R2aが設けられていることにより、PNP型バイポーラトランジスタQ45には、PNP型バイポーラトランジスタQ45のベース電圧、PNP型バイポーラトランジスタQ45のベース−エミッタ間電圧、および、抵抗R2aの抵抗値によって決定される電流が流れる。これにより、他のPNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q35にも電流が流れる。なお、PNP型バイポーラトランジスタQ45のベース電圧は、セルs4の電圧と抵抗R48およびR49の抵抗比とによって定まる。 First, the operation when the control signal output from the charge / discharge control circuit 2a is at the H level will be described. In this case, the PNP-type bipolar transistor Q2 is turned off as in the battery pack control device in the second embodiment. In this case, since the resistor R2a is provided, the PNP bipolar transistor Q45 has a base voltage of the PNP bipolar transistor Q45, a base-emitter voltage of the PNP bipolar transistor Q45, and a resistance value of the resistor R2a. The determined current flows. As a result, current also flows through the other PNP-type bipolar transistors Q15 to Q35. The base voltage of the PNP bipolar transistor Q45 is determined by the voltage of the cell s4 and the resistance ratio of the resistors R48 and R49.
この時に、抵抗R2aの抵抗値を大きい値に設定しておくことにより、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45に流れる電流値は小さくなる。従って、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のベース端子には、トランジスタをオンさせるために十分な電圧が印加されない。換言すれば、充放電制御回路2aから出力される制御信号がHレベルの場合に、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44がオフとなるように、抵抗R2aの抵抗値を定めておく。 At this time, by setting the resistance value of the resistor R2a to a large value, the current value flowing through the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 becomes small. Therefore, a voltage sufficient to turn on the transistors is not applied to the base terminals of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44. In other words, the resistance value of the resistor R2a is determined so that the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are turned off when the control signal output from the charge / discharge control circuit 2a is at the H level.
次に、充放電制御回路2aから出力される制御信号がLレベルの場合の動作について説明する。この場合、第2の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、PNP型バイポーラトランジスタQ2はオンとなる。この結果、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45には、抵抗R2aに流れる電流と、PNP型バイポーラトランジスタQ2および抵抗R2を介して流れる電流とを加算した電流が流れる。 Next, the operation when the control signal output from the charge / discharge control circuit 2a is at the L level will be described. In this case, the PNP-type bipolar transistor Q2 is turned on as in the battery pack control apparatus according to the second embodiment. As a result, a current obtained by adding the current flowing through the resistor R2a and the current flowing through the PNP bipolar transistor Q2 and the resistor R2 flows through the PNP bipolar transistors Q15 to Q45.
この時に、抵抗R2の抵抗値を小さい値に設定しておけば、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45に流れる電流は大きくなるので、第7の抵抗R17〜R47間に発生する電圧も大きくなる。従って、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のベース端子には、トランジスタをオンさせるに足る電圧が印加されて、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44はオンする。これにより、全てのアンド回路AND11〜AND41の出力信号はLレベルとなるので、全てのN型MOSトランジスタQ11〜Q41が同時にオフし、全てのセルs1〜s4の電流バイパス機能が非作動となる。 At this time, if the resistance value of the resistor R2 is set to a small value, the current flowing through the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 increases, so that the voltage generated between the seventh resistors R17 to R47 also increases. Therefore, a voltage sufficient to turn on the transistors is applied to the base terminals of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44, and the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are turned on. As a result, since the output signals of all the AND circuits AND11 to AND41 are at the L level, all the N-type MOS transistors Q11 to Q41 are simultaneously turned off, and the current bypass functions of all the cells s1 to s4 are deactivated.
なお、上述した動作を達成するために、充放電制御回路2aから出力される制御信号がLレベルの場合に、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44がオンとなるように、抵抗R2の抵抗値を定めておく。ただし、第2の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、抵抗R2,R2a、第6の抵抗R16〜R46、第7の抵抗R17〜R47、第8の抵抗R18〜R48、第9の抵抗R19〜R49の各抵抗値を設定可能な範囲内で大きい値に設定することにより、セルs1〜s4から供給する電流を少なくすることができる。 In order to achieve the above-described operation, the resistance value of the resistor R2 is determined so that the NPN bipolar transistors Q14 to Q44 are turned on when the control signal output from the charge / discharge control circuit 2a is at the L level. Keep it. However, in the same manner as in the battery pack control apparatus of the second embodiment, the resistors R2 and R2a, the sixth resistors R16 to R46, the seventh resistors R17 to R47, the eighth resistors R18 to R48, and the ninth resistor By setting each resistance value of the resistors R19 to R49 to a large value within a settable range, the current supplied from the cells s1 to s4 can be reduced.
このように、第4の実施の形態における組電池の制御装置では、充放電制御回路2aからHレベルの制御信号が出力されている場合にも、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45に電流が流れている。すなわち、PNP型バイポーラトランジスタQ2のオン/オフにより、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45に流す電流値を変化させて、NPN型バイポーラトランジスタQ14〜Q44のオン/オフを制御し、電流バイパス機能の作動/非作動を制御する。これは、充放電制御回路2a、PNP型バイポーラトランジスタQ2、および、抵抗R2,R2aによって電流源が構成され、全ての電流バイパス機能を非作動とする場合には、電流源の電流値を変化させているとも言える。 Thus, in the battery pack control apparatus according to the fourth embodiment, even when an H level control signal is output from the charge / discharge control circuit 2a, a current flows through the PNP bipolar transistors Q15 to Q45. Yes. That is, by turning on / off the PNP bipolar transistor Q2, the value of the current flowing through the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 is changed to control the on / off of the NPN bipolar transistors Q14 to Q44, and the current bypass function is activated / Control inactivity. This is because the current source is constituted by the charge / discharge control circuit 2a, the PNP-type bipolar transistor Q2, and the resistors R2 and R2a, and when all the current bypass functions are deactivated, the current value of the current source is changed. It can be said that it is.
第4の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路2aから出力される信号レベルの状態に関わらず、電圧レベル変換回路を構成するPNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45に常に電流を流す。これにより、第2の実施の形態における組電池の制御装置による効果に加えて、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45のコレクタ端子またはエミッタ端子の電圧が不定状態になることを防いで、安定した信号を伝達することができる。すなわち、第3の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、電圧レベル変換回路が不安定な状態となることを回避して、意図しない強制放電を防ぐことができる。 According to the battery pack control apparatus of the fourth embodiment, the PNP-type bipolar transistors Q15 to Q45 constituting the voltage level conversion circuit are always supplied with current regardless of the signal level output from the charge / discharge control circuit 2a. Shed. As a result, in addition to the effect of the battery pack control device according to the second embodiment, the voltage at the collector terminal or emitter terminal of the PNP bipolar transistors Q15 to Q45 is prevented from becoming indefinite, and a stable signal is generated. Can communicate. That is, similarly to the battery pack control apparatus according to the third embodiment, it is possible to prevent the voltage level conversion circuit from being in an unstable state and prevent unintentional forced discharge.
本発明は、上述した各実施の形態に限定されることはない。例えば、電圧レベル変換回路には、第1および第3の実施の形態ではNPN型バイポーラトランジスタを用い、第2および第4の実施の形態では、PNP型バイポーラトランジスタを用いたが、N型またはP型のMOSトランジスタを用いることもできる。 The present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the voltage level conversion circuit uses an NPN bipolar transistor in the first and third embodiments, and uses a PNP bipolar transistor in the second and fourth embodiments. A type MOS transistor can also be used.
特許請求の範囲の構成要素と第1の実施の形態の構成要素との対応関係は次の通りである。すなわち、N型MOSトランジスタQ11〜Q41,抵抗R11〜R41が充放電制御回路を、NPN型バイポーラトランジスタQ13〜Q43,抵抗R13〜R43、抵抗R14〜R44、および、抵抗R15〜R45が電圧レベル変換回路を、NPN型バイポーラトランジスタQ1および充放電制御回路2が制御手段をそれぞれ構成する。また、第2の実施の形態の構成要素との対応関係では、PNP型バイポーラトランジスタQ15〜Q45、抵抗R17〜R47、抵抗R18〜R48、および、抵抗R19〜R49が電圧レベル変換回路を、PNP型バイポーラトランジスタQ2および充放電制御回路2aが制御手段をそれぞれ構成する。
The correspondence between the constituent elements of the claims and the constituent elements of the first embodiment is as follows. That is, N-type MOS transistors Q11 to Q41 and resistors R11 to R41 are charge / discharge control circuits, and NPN bipolar transistors Q13 to Q43, resistors R13 to R43, resistors R14 to R44, and resistors R15 to R45 are voltage level conversion circuits. The NPN bipolar transistor Q1 and the charge /
さらに、第3の実施の形態の構成要素との対応関係では、抵抗R1,R1a、NPN型バイポーラトランジスタQ1および充放電制御回路2が制御手段を構成し、第4の実施の形態の構成要素との対応関係では、抵抗R2,R2a、PNP型バイポーラトランジスタQ2および充放電制御回路2aが制御手段を構成する。なお、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、各構成要素は上記構成に限定されるものではない。
Further, in correspondence with the components of the third embodiment, the resistors R1, R1a, the NPN bipolar transistor Q1 and the charge /
1…組電池、2,2a…充放電制御回路、c1,c2…アイソレータ、s1〜s4…セル、a1〜a4…異常検出回路、b1〜b4…バイパス電圧検出回路、OR11〜OR41,OR1…オア回路、AND11〜AND41…アンド回路、Q11〜Q41…N型MOSトランジスタ、R1,R1a,R2,R2a,R11〜R41,R12〜R42,R13〜R43,R14〜R44,R15〜R45,R16〜R46,R17〜R47,R18〜R48,R19〜R49,R10〜R40…抵抗、Q2,Q12〜Q42,Q15〜Q45…PNP型バイポーラトランジスタ、Q1,Q13〜Q43,Q14〜Q44…NPN型バイポーラトランジスタ、D1〜D4…ダイオード
DESCRIPTION OF
Claims (13)
所定数のセルの充放電を制御する複数の充放電制御回路と、
前記複数の充放電制御回路ごとに設けられ、対応する充放電制御回路に入力する信号の電圧レベルを変換する複数の電圧レベル変換回路と、
前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する制御手段とを備え、
前記電圧レベル変換回路の各々は、隣接する電圧レベル変換回路と直列に接続されており、最上位の電圧レベル変換回路は前記組電池を構成するセルのうちの最上位のセルの正極端子と接続され、最下位の電圧レベル変換回路は前記組電池を構成するセルのうちの最下位のセルの負極端子と接続されており、
前記制御手段が前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、前記組電池から前記複数の電圧レベル変換回路に電力が供給されることを特徴とする組電池の制御装置。 In a control apparatus for an assembled battery configured by connecting a plurality of cells in series,
A plurality of charge / discharge control circuits for controlling charge / discharge of a predetermined number of cells;
A plurality of voltage level conversion circuits which are provided for each of the plurality of charge / discharge control circuits and convert voltage levels of signals input to the corresponding charge / discharge control circuits;
Control means for simultaneously controlling the plurality of voltage level conversion circuits,
Each of the voltage level conversion circuits is connected in series with an adjacent voltage level conversion circuit, and the uppermost voltage level conversion circuit is connected to the positive terminal of the uppermost cell among the cells constituting the assembled battery. The lowest voltage level conversion circuit is connected to the negative electrode terminal of the lowest cell among the cells constituting the assembled battery,
When the control means controls the plurality of voltage level conversion circuits at the same time, electric power is supplied from the assembled battery to the plurality of voltage level conversion circuits.
前記電圧レベル変換回路の各々は、3つの端子を有するトランジスタを少なくとも備え、前記トランジスタの第1の端子が電圧レベル変換回路の出力端子として前記充放電制御回路の入力端子と接続され、第2の端子は、隣接する電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第1の端子と第1の抵抗を介して接続され、第3の端子には前記充放電制御回路に対応する所定数のセルのうちの最上位のセルの正極端子と最下位のセルの負極端子との間の電圧を分圧した電圧が印加され、
前記制御手段は、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、全ての前記トランジスタをオンさせることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery of Claim 1,
Each of the voltage level conversion circuits includes at least a transistor having three terminals, and a first terminal of the transistor is connected to an input terminal of the charge / discharge control circuit as an output terminal of the voltage level conversion circuit, and a second The terminal is connected to a first terminal of a transistor included in the adjacent voltage level conversion circuit via a first resistor, and the third terminal is connected to the outermost of the predetermined number of cells corresponding to the charge / discharge control circuit. A voltage obtained by dividing the voltage between the positive terminal of the upper cell and the negative terminal of the lowermost cell is applied,
The control device for an assembled battery, wherein the control means turns on all the transistors when simultaneously controlling the plurality of voltage level conversion circuits.
前記制御手段は、前記直列に接続された複数の電圧レベル変換回路と前記組電池との間に設けられる半導体スイッチであり、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御するときには、両端を短絡することにより、前記組電池から前記複数の電圧レベル変換回路に電力を供給することを特徴とする組電池の制御装置。 The control apparatus for an assembled battery according to claim 1 or 2,
The control means is a semiconductor switch provided between the plurality of voltage level conversion circuits connected in series and the assembled battery, and short-circuits both ends when simultaneously controlling the plurality of voltage level conversion circuits. Thus, the battery pack control device supplies power from the battery pack to the plurality of voltage level conversion circuits.
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第1の端子が第2の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第2の端子が前記第1の抵抗および前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery in any one of Claims 1-3,
A first terminal of a transistor included in the uppermost voltage level conversion circuit is connected to a positive electrode terminal of the uppermost cell among the cells constituting the assembled battery via a second resistor,
The second terminal of the transistor included in the lowest voltage level conversion circuit is connected to the negative terminal of the lowest cell among the cells constituting the assembled battery via the first resistor and the control means. A battery pack control device.
前記電圧レベル変換回路の各々は、3つの端子を有するトランジスタを少なくとも備え、前記トランジスタの第1の端子が電圧レベル変換回路の出力端子として前記充放電制御回路の入力端子と接続され、第2の端子は、隣接する電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第1の端子と第1の抵抗を介して接続され、第3の端子には前記充放電制御回路に対応する所定数のセルのうちの最上位のセルの正極端子と最下位のセルの負極端子との間の電圧を分圧した電圧が印加され、
前記制御手段は、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、全ての前記トランジスタに流れる電流値を変化させることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery of Claim 1,
Each of the voltage level conversion circuits includes at least a transistor having three terminals, and a first terminal of the transistor is connected to an input terminal of the charge / discharge control circuit as an output terminal of the voltage level conversion circuit, The terminal is connected to a first terminal of a transistor included in the adjacent voltage level conversion circuit via a first resistor, and the third terminal is connected to the outermost of the predetermined number of cells corresponding to the charge / discharge control circuit. A voltage obtained by dividing the voltage between the positive terminal of the upper cell and the negative terminal of the lowermost cell is applied,
When the plurality of voltage level conversion circuits are controlled at the same time, the control means changes the value of the current flowing through all the transistors.
前記制御手段は、前記直列に接続された複数の電圧レベル変換回路と前記組電池との間に設けられる電流源であり、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御するときには、前記電流源の電流値を変化させることにより、前記組電池から前記複数の電圧レベル変換回路に電力を供給することを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery of Claim 1 or 5,
The control means is a current source provided between the plurality of voltage level conversion circuits connected in series and the assembled battery. When controlling the plurality of voltage level conversion circuits simultaneously, the current of the current source An assembled battery control device, wherein power is supplied from the assembled battery to the plurality of voltage level conversion circuits by changing a value.
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第1の端子が第2の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第2の端子が前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery in any one of Claim 5 or 6,
A first terminal of a transistor included in the uppermost voltage level conversion circuit is connected to a positive electrode terminal of the uppermost cell among the cells constituting the assembled battery via a second resistor,
The assembled battery, wherein a second terminal of a transistor included in the lowest voltage level conversion circuit is connected to the negative electrode terminal of the lowest cell among the cells constituting the assembled battery via the control means. Control device.
前記トランジスタはNPN型バイポーラトランジスタであり、前記第1の端子はコレクタ端子、前記第2の端子はエミッタ端子、前記第3の端子はベース端子であることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery of Claim 4 or 7,
The assembled battery control device, wherein the transistor is an NPN bipolar transistor, the first terminal is a collector terminal, the second terminal is an emitter terminal, and the third terminal is a base terminal.
前記トランジスタはN型MOSトランジスタであり、前記第1の端子はドレイン端子、前記第2の端子はソース端子、前記第3の端子はゲート端子であることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery of Claim 4 or 7,
The assembled battery control device, wherein the transistor is an N-type MOS transistor, the first terminal is a drain terminal, the second terminal is a source terminal, and the third terminal is a gate terminal.
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第1の端子が第2の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第2の端子が前記第1の抵抗および前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery in any one of Claims 1-3,
A first terminal of a transistor included in the lowest voltage level conversion circuit is connected to a negative electrode terminal of the lowest cell among the cells constituting the assembled battery via a second resistor,
The second terminal of the transistor included in the highest voltage level conversion circuit is connected to the positive terminal of the highest cell among the cells constituting the assembled battery via the first resistor and the control means. A battery pack control device.
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第1の端子が第2の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第2の端子が前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。 In the control apparatus of the assembled battery in any one of Claim 5 or 6,
A first terminal of a transistor included in the lowest voltage level conversion circuit is connected to a negative electrode terminal of the lowest cell among the cells constituting the assembled battery via a second resistor,
The assembled battery, wherein a second terminal of a transistor included in the highest voltage level conversion circuit is connected to the positive terminal of the highest cell among the cells constituting the assembled battery via the control means. Control device.
前記トランジスタはPNP型バイポーラトランジスタであり、前記第1の端子はコレクタ端子、前記第2の端子はエミッタ端子、前記第3の端子はベース端子であることを特徴とする組電池の制御装置。 The control apparatus for an assembled battery according to claim 10 or 11,
The assembled battery control device, wherein the transistor is a PNP bipolar transistor, the first terminal is a collector terminal, the second terminal is an emitter terminal, and the third terminal is a base terminal.
前記トランジスタはP型MOSトランジスタであり、前記第1の端子はドレイン端子、前記第2の端子はソース端子、前記第3の端子はゲート端子であることを特徴とする組電池の制御装置。
The control apparatus for an assembled battery according to claim 10 or 11,
The assembled battery control device, wherein the transistor is a P-type MOS transistor, the first terminal is a drain terminal, the second terminal is a source terminal, and the third terminal is a gate terminal.
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