JP3699293B2

JP3699293B2 - Peeling apparatus and peeling method

Info

Publication number: JP3699293B2
Application number: JP10493599A
Authority: JP
Inventors: 聡鈴木; 慎荻野
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-04-13
Filing date: 1999-04-13
Publication date: 2005-09-28
Anticipated expiration: 2019-04-13
Also published as: JP2000299268A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネルやプラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板などの基板の表面に形成された被膜を剥離するための剥離装置および剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばフォトリソグラフィのプロセスにおいては、処理すべき基板の表面にフォトレジストの被膜を形成し、露光、現像、エッチング等のプロセス処理を施して所望のパターニングを行なう。そしてしかる後、基板上に残っているフォトレジストの被膜を剥離除去する。かかる剥離処理を行なうための剥離装置としては、図３に示すものが考えられる。この装置９０は、第１処理室９１及び第２処理室９２の２つの処理室を設け、その２つの処理室を通過するようにローラコンベア９３を設けてある。ローラコンベア９３は基板Ｗを水平姿勢で図中の矢印方向に搬送する。第１処理室９１内にはローラコンベア９３によって搬送される基板Ｗに対して剥離液を低圧でスプレーする低圧ノズル９４が設けられている。第２処理室９２内にはローラコンベア９３によって搬送される基板Ｗに対して剥離液を高圧でスプレーする高圧ノズル９５が設けられている。
【０００３】
そしてかかる装置では、基板Ｗはまず第１処理室９１を通過するうちに低圧で供給される剥離液によってその表面が覆われ、その間にフォトレジストの被膜が剥離液で膨潤される。続いて基板Ｗは第２処理室９２へ入り、高圧でスプレーされる剥離液による物理的な衝撃力が基板Ｗ表面のフォトレジスト被膜に加えられて、フォトレジスト被膜が剥離除去される。そして、続いて基板Ｗは図中右側に設けられる洗浄処理室（図示せず）へ搬送されて純水で洗浄処理され、さらに乾燥処理室（図示せず）へ搬送されて乾燥処理される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図３の装置では、基板Ｗはローラコンベア９３によって一定速度で搬送されるため、剥離液を供給して処理する処理時間は、処理室の大きさと搬送速度によって決まってしまい、被膜の状態などに応じて処理時間を変更することは困難である。本発明は処理時間を容易に変更することができる剥離装置を提供することを目的とする。
【０００５】
また、図３の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間も決まっており、被膜の状態などに応じて時間を変更することが困難であった。本発明は低圧吐出による処理工程の時間、高圧吐出による処理工程の時間それぞれを自由に変更して設定することができる剥離装置を提供することを目的とする。
【０００６】
また、図３の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理を別の処理室で行なっており、２つの処理室が必要であり、装置が大きなものであった。本発明は装置を小型化することができる剥離装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、図３の装置では、低圧で供給した剥離液によって被膜を膨潤させ、その後高圧で供給される剥離液による物理的な衝撃力で被膜を剥離除去する。ここで、被膜の膨潤は剥離液と接している面から進行していくが、被膜の厚みが厚くなると、被膜の表面は容易に膨潤するが、被膜の厚み方向への膨潤が進行しにくくなり、被膜の除去が十分にできなかったり、処理にきわめて長時間を要するという欠点がある。本発明は厚い被膜であっても効率よく短時間で膨潤と剥離除去が行なえる剥離装置および剥離方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また本発明は、処理プロセスの選択自由度が高い剥離装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、その表面に被膜が付着している基板を処理する処理室を構成する室構成体と、前記処理室内に基板を支持する支持機構と、前記支持機構に支持された前記処理室内の基板に対して処理液を低圧及び高圧で供給可能な液供給機構と、前記液供給機構の動作を制御する制御手段と、前記液供給機構による前記基板への処理液供給位置が時間的に変化するよう該液供給機構に対して前記基板を相対的に往復移動させる相対移動機構とを備え、前記相対移動機構により前記基板を相対的に往復移動させつつ、前記被膜に前記液供給機構により低圧で処理液を供給して前記被膜を膨潤させた後に、当該膨潤した被膜に高圧で処理液を供給して前記被膜を剥離することを特徴とする剥離装置である。
【００１０】
この構成によれば、基板は処理室内で処理に必要な時間だけ往復移動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる。また、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して設定することができる。さらに、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの処理室で行なっており、装置が小型化できる。
【００１１】
請求項２の発明は、その表面に被膜が付着している基板を処理する処理室を構成する室構成体と、前記処理室内に基板を支持する支持機構と、前記支持機構に支持された前記処理室内の基板に対して処理液を低圧で供給する低圧供給機構及び高圧で供給する高圧供給機構とを有する液供給機構と、前記液供給機構の動作を制御する制御手段と、前記液供給機構による前記基板への処理液供給位置が時間的に変化するよう該液供給機構に対して前記基板を相対的に往復移動させる相対移動機構とを備え、前記低圧供給機構に備えられて前記基板に処理液を吐出する低圧ノズルと、前記高圧供給機構に備えられて前記基板に処理液を吐出する高圧ノズルとは、前記基板の表面上におけるそれぞれの液吐出領域が、前記相対移動機構による相対移動方向に沿って交互に位置するよう配置されており、
前記制御手段は、前記低圧供給機構と前記高圧供給機構とを同時に動作させるよう制御して、前記低圧ノズルの液吐出領域に移動した前記被膜に前記低圧ノズルにより低圧で処理液を供給して前記被膜を膨潤させた後に、当該膨潤した被膜を前記相対移動機構により前記高圧ノズルの液吐出領域に移動させ高圧ノズルから高圧で処理液を供給して前記被膜を剥離するべく制御するものであることを特徴とする剥離装置である。
【００１２】
この構成によれば、低圧供給機構と高圧供給機構とをそれぞれ別個に設けているので、それらを同時に動作させることができ、処理プロセスの選択自由度が高い。
【００１３】
また、基板の部分部分に対して低圧の処理液供給による膨潤と高圧の処理液供給による剥離を繰り返すことで、効率よく短時間で膨潤と剥離除去が行なえる。
【００１４】
この構成によれば、剥離すべき被膜に対して低圧の処理液供給による膨潤と高圧の処理液供給による剥離を繰り返すことで、効率よく短時間で膨潤と剥離除去が行なえる。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１記載の剥離装置において、前記液供給機構が、前記支持機構に支持された前記処理室内の基板に対して処理液を低圧又は高圧で供給可能なノズルと、前記ノズルに対して処理液を供給しかつその供給圧力を低圧と高圧とに切り替え可能な送液機構とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、ノズルや送液機構を高圧吐出と低圧吐出の両方に共用しており、装置を小型化、低コスト化できる。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項３記載の剥離装置において、前記制御手段が、前記ノズルに処理液を低圧で供給するよう前記送液機構を動作させた後に、前記ノズルに処理液を高圧で供給するよう前記送液機構を動作させるよう制御するものであることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、剥離すべき被膜を先に低圧で処理液を供給して膨潤させておき、その後に高圧で処理液を供給して良好に剥離除去できる。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項３又は４記載の剥離装置において、前記制御手段が、前記送液機構の動作を、前記ノズルへの処理液の供給圧力が低圧と高圧とを交互にくりかえすように制御するものであることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、剥離すべき被膜に対して低圧の処理液供給による膨潤と高圧の処理液供給による剥離を繰り返すことで、効率よく短時間で膨潤と剥離除去が行なえる。
【００２１】
請求項６記載の発明は、処理室内で支持機構に支持された、表面に被膜が付着している基板に対し液供給機構を介して処理液を低圧及び高圧で供給することにより基板から前記被膜を剥離する剥離方法であって、前記液供給機構による前記基板への処理液供給位置が時間的に変化するよう前記基板を相対的に往復移動させつつ、前記被膜に低圧で処理液を供給して前記被膜を膨潤させた後に、当該膨潤した被膜に高圧で処理液を供給して基板から被膜を剥離することを特徴とする剥離方法である。
【００２２】
この構成によれば、請求項１記載の発明と同様の作用効果が得られる。
【００２３】
請求項７記載の発明は、処理室内で支持機構に支持された、表面に被膜が付着している基板に対し低圧供給機構と高圧供給機構とを備えた液供給機構を介して処理液を低圧及び高圧で供給することにより基板から前記被膜を剥離する剥離方法であって、前記低圧供給機構に備えられて前記基板に処理液を吐出する低圧ノズルと、前記高圧供給機構に備えられて前記基板に処理液を吐出する高圧ノズルとを、前記基板の表面上におけるそれぞれの液吐出領域が、前記相対移動機構による相対移動方向に沿って交互に位置するよう配置し、前記制御手段によって前記低圧供給機構と前記高圧供給機構とを同時に動作させるよう制御することにより、前記低圧ノズルの液吐出領域に移動した前記被膜に前記低圧ノズルにより低圧で処理液を供給して前記被膜を膨潤させた後に、当該膨潤した被膜を前記相対移動機構により前記高圧ノズルの液吐出領域に移動させ高圧ノズルから高圧で処理液を供給して前記被膜を剥離することを特徴とする剥離方法である。
【００２４】
この構成によれば、請求項２記載の発明と同様の作用効果が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗと称する）を水平姿勢または若干の傾斜姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラコンベア１で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給して基板Ｗに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純水を供給して洗浄処理する剥離装置である。この基板Ｗは、フォトレジストの被膜形成、露光、現像、エッチング等のプロセス処理を経て、その表面に剥離すべきフォトレジストの被膜が付着しているものである。なお、図示は省略しているが、さらにその後に基板Ｗに乾燥空気を供給するかまたは基板Ｗを回転させるなどして乾燥処理する乾燥処理部が、図１の右方に設けられる。この基板処理装置は、剥離液により処理を施す剥離処理部と、洗浄処理を施す洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理部とからなるが、図１では剥離処理部Ｃと洗浄処理部Ｄのみを示す。
【００２６】
基板Ｗに対して剥離処理を施すための剥離処理室２および基板Ｗに対して洗浄処理を施すための洗浄処理室４は、室構成体３により区画形成される。また、室構成体３には、基板Ｗを剥離処理室２および洗浄処理室４へ搬入搬出するための開口５が形成され、その開口５を介して基板Ｗを剥離処理室２へ搬入し、さらに洗浄処理室４へ搬入し、洗浄処理室４から搬出するためのローラコンベア１が設けられている。基板Ｗは、剥離処理室２および洗浄処理室４内において、ローラコンベア１によって支持され、搬送される。
【００２７】
剥離処理室２には、ローラコンベア１によって支持された剥離処理室２内の基板Ｗに対して処理液を低圧又は高圧で供給可能な液供給機構１０が付設される。液供給機構１０において、剥離液タンク１８は剥離処理室２の下方の開口１５と配管接続され、開口１５から排出される剥離液は剥離液タンク１８に受け入れられて貯溜される。剥離液タンク１８には、貯溜している剥離液を所定温度に保つための温度調節機構１４が付設されている。また、剥離液タンク１８は、ポンプ１９、流量調整可能な開閉弁２２及びフィルタ２３を介してノズル１１に配管接続されている。ポンプ１９はインバータ２０の出力によって駆動され、インバータ２０の出力は制御装置２１によって制御される。ポンプ１９は、制御装置２１によってインバータ２０の周波数を制御することにより、ノズル１１側に向けた吐出圧力を低圧と高圧とに任意に切り替えて駆動制御可能となっている。これにより、ローラコンベア１の上方に設置されたノズル１１は、ローラコンベア１上に支持された基板Ｗに対して剥離液を低圧又は高圧で供給可能となっている。なお、ノズル１１は、図１の紙面奥行き方向に長いものを使用するか、あるいは紙面奥行き方向に複数の同じノズル１１を配列して配置することにより、紙面奥行き方向に等しい状態で処理液が供給されるようにして、処紙面奥行き方向に処理ムラが生じるのを防止している。
【００２８】
また、剥離処理室２内のローラコンベア１の両端近く、すなわち両方の開口５近くの位置にはローラコンベア１上の基板Ｗの有無を検出して信号を出力するセンサ１６、１７が設けられている。センサ１６、１７は制御装置２１に接続されており、基板Ｗがローラコンベア１上をセンサ１６、１７のところまで搬送されてくると、制御装置２１は当該センサ１６、１７からの出力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア１は後述のように制御装置２１によってその動作が制御されるが、ローラコンベア１のうち、特に剥離処理室２内に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として可逆転モータ（図示せず）が使用され、ローラコンベア１に乗せられて運ばれてきた基板Ｗを剥離処理室２内でセンサ１６とセンサ１７との間を周期的に往復移動させることができる。
【００２９】
なお、ノズル１１は、剥離液が高圧で供給されたときには基板Ｗに対しても高圧スプレー状で剥離液を供給する高圧スプレーノズルであるが、剥離液が低圧で供給されたときには、基板Ｗに対しても低圧スプレー状で供給する。また、各ノズル１１の周囲には、ノズル１１から高圧で吐出される剥離液がミストとなって周囲に飛散するのを抑制する覆い部材９が設けられている。
【００３０】
洗浄処理室４には、剥離処理室２からローラコンベア１により運ばれてきた基板Ｗの上下両面に対して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル２４が、ローラコンベア１の上下に設けられている。純水供給源２９からの純水はポンプ３０によって加圧され、流量調整可能な開閉弁３１及びフィルタ３２を介してノズル２４に配管接続されている。なお、洗浄処理室４の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取り入れるためのフィルタ３３が設けられている。また、洗浄処理室４の下部には、取り入れた下降気流を排出するとともに使用後の純水を排出するための開口３４が形成されている。
【００３１】
制御装置２１は、上述したインバータ２０のほか、ポンプ３０や開閉弁２２、３１、ローラコンベア１等にも接続（図示省略）され、それらを制御することによって剥離液や純水の供給や基板の搬送などこの剥離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処理室２内で剥離液を基板Ｗに供給する際において、制御装置２１は、基板Ｗが図中左から右方向に搬送されてセンサ１７の位置まで到達したことを検知するとその剥離処理室２内のローラコンベア１の駆動源を逆回転させ、こんどは基板Ｗを図中右から左方向に搬送する。そして、次に基板がセンサ１６の位置まで到達すると、今度は前記駆動源を正回転させることにより、基板Ｗを図中左から右方向に搬送する。制御装置２１はかかる制御動作を繰り返すことにより、基板Ｗを剥離処理室２内の所定の範囲で周期的に往復移動させることができる。そして、かかる往復移動によって基板Ｗへの剥離処理室２での処理が終了すると、ローラコンベア１の前記駆動源を正回転させて基板Ｗをセンサ１７の位置を越えて図中右方向へ搬送し、洗浄処理室４へ送り込むことができる。
【００３２】
つぎにこの第１の実施形態の剥離装置の動作を説明する。まず第１工程として、剥離処理すべき基板Ｗがローラコンベア１によって搬送されてきて剥離処理室２へ搬入されたことがセンサ１６により検出されると、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が低圧となるように駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル１１から剥離液を低圧でスプレー状に供給する。この第１工程においては、低圧で基板Ｗ上に供給された剥離液は、高圧で供給されたときのように基板Ｗ表面に衝突して跳ね返って周囲に飛散したりすることなく、基板Ｗの表面に液の膜を形成し、基板Ｗの表面に付着している剥離されるべき被膜、すなわちフォトレジストの被膜と十分に接触し、当該被膜を膨潤させる。この第１工程は、かかる膨潤が十分に進行する所定時間の間継続され、その間、剥離液の低圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００３３】
また、この第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中右側端部まで搬送されてしまったときには、センサ１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Ｗを図中右から左方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中左側端部まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ１６により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Ｗを図中左から右方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル１１から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第１工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第１工程を終了する。
【００３４】
剥離処理室２内で第１工程が終了すると、引き続いて第２工程が実行される。第２工程においては、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が高圧となるように駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル１１から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第２工程においては、基板Ｗ面上に剥離液が高圧で供給され、第１工程の間に十分に膨潤しているフォトレジストの被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去される。この第２工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００３５】
また、この第２工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２のどちらかの端部まで搬送されてしまったときには、第１工程と同様に、センサ１６、１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１がローラコンベア１の駆動源の回転方向を制御することにより基板Ｗを剥離処理室２内で周期的に往復移動させ、剥離処理室２内で第２工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル１１から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第２工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第２工程を終了する。第２工程が終了すると、制御装置２１はローラコンベア１を駆動して基板Ｗを洗浄処理室４へ送る。
【００３６】
洗浄処理室４内においては第３工程が実行される。第３工程においては、制御装置２１はポンプ３０を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル２４から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第３工程においては、基板Ｗの上面、下面に付着して残留している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破片などが純水スプレーにより洗い流される。この第３工程は、基板Ｗが洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出されるまで行われる。
【００３７】
第３工程が終了して洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出された基板Ｗは、図示しない搬送装置により前記乾燥装置へ搬送され、第４工程が実行される。この第４工程においては、基板Ｗは周知の乾燥装置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置によって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Ｗは直ちに次工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。
【００３８】
この第１実施形態の剥離装置では、基板Ｗは剥離処理室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる。特にこの実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して設定することができる。また、この実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの剥離処理室２で行なっており、装置が小型化できる。特にこの実施形態の装置では、ノズル１１やポンプ１９などの液供給機構１０を高圧吐出と低圧吐出の両方に共用しており、装置の小型化、低コスト化の効果が大きい。
【００３９】
次に、上述した第１実施形態の変形例について説明する。この変形例においては、制御装置２１をのぞいた構成は上記と同一であり、制御装置２１の制御動作のみが異なる。すなわち、上記実施形態では、制御装置２１は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程を順に１回ずつ実行したが、この変形例においては、制御装置２１は上述と同じ第１工程と第２工程とを組として、この組を複数回繰り返して行なった後に第３工程と第４工程とを行なう。すなわち例えば、第１工程、第２工程、第１工程、第２工程、第１工程、第２工程、第３工程、第４工程の順序で処理を行なう。この例では第１工程と第２工程との組を３回繰り返している。この場合、例えば上記実施形態において第１工程の時間が３０秒、第２工程の時間が６０秒であったとすると、この変形例においては各第１工程は１０秒、各第２工程は２０秒でよい。
【００４０】
かかる変形例でも各工程の合計時間は上記実施形態と同一であるが、この変形例の剥離装置及び剥離方法によれば、同一の処理時間であっても上記実施形態の装置および方法と比べてより被膜の剥離除去を十分に行なうことができる。すなわち、被膜の膨潤は剥離液と接している面から進行していくが、被膜の厚み方向への膨潤は進行しにくく、特にこれは被膜の厚みが厚いときに顕著であって、被膜の表面は容易に膨潤するが被膜の基板側は膨潤が不充分であるといったことが起こる。しかるに、この変形例であれば、短時間の第１工程で被膜の表面を膨潤させてその膨潤部分を次の第２工程で剥離除去できる。すると、次なる第１工程では薄くなった残りの被膜の表面から再度膨潤がはじまることになり、厚い被膜の表面から膨潤を徐々に進行させる場合と比べて膨潤がより円滑に行われる。これにより、同一の処理時間であっても被膜の剥離除去をより十分に行なうことができ、処理時間が短くてすみ、また厚い被膜であっても効率よく確実に短時間で膨潤と剥離除去が行なえる。
【００４１】
図２は本発明に係る基板処理装置の第２実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。この基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢または若干の傾斜姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラコンベア１で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給して基板Ｗに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純水を供給して洗浄処理する剥離装置である。この基板Ｗは、フォトレジストの被膜形成、露光、現像、エッチング等のプロセス処理を経て、その表面に剥離すべきフォトレジストの被膜が付着しているものである。なお、図示は省略しているが、さらにその後に基板Ｗに乾燥空気を供給するかまたは基板Ｗを回転させるなどして乾燥処理する乾燥処理部が、図２の右方に設けられる。この基板処理装置は、剥離液により処理を施す剥離処理部と、洗浄処理を施す洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理部とからなるが、図２では剥離処理部Ｃと洗浄処理部Ｄのみを示す。
【００４２】
基板Ｗに対して剥離処理を施すための剥離処理室２および基板Ｗに対して洗浄処理を施すための洗浄処理室４は、室構成体３により区画形成される。また、室構成体３には、基板Ｗを剥離処理室２および洗浄処理室４へ搬入搬出するための開口５が形成され、その開口５を介して基板Ｗを剥離処理室２へ搬入し、さらに洗浄処理室４へ搬入し、洗浄処理室４から搬出するためのローラコンベア１が設けられている。基板Ｗは、剥離処理室２および洗浄処理室４内において、ローラコンベア１によって支持され、搬送される。
【００４３】
剥離処理室２には、ローラコンベア１によって支持された剥離処理室２内の基板Ｗに対して処理液を低圧で供給可能な低圧供給機構４０と、ローラコンベア１によって支持された剥離処理室２内の基板Ｗに対して処理液を高圧で供給可能な高圧供給機構５０が付設される。
【００４４】
低圧供給機構４０において、剥離液タンク１８は剥離処理室２の下方の開口１５と配管接続され、開口１５から排出される剥離液は剥離液タンク１８に受け入れられて貯溜される。剥離液タンク１８には、貯溜している剥離液を所定温度に保つための温度調節機構１４が付設されている。また、剥離液タンク１８は、低圧で剥離液を吐出するポンプ４９、流量調整可能な開閉弁４２及びフィルタ４３を介してノズル４１に配管接続されている。ポンプ４９は制御装置２１によって駆動制御される。ノズル４１は、低圧で供給される剥離液を基板Ｗに対して低圧スプレー状で供給する低圧スプレーノズルである。
【００４５】
高圧供給機構５０において、剥離液タンク１８は低圧供給機構４０と共用される。剥離液タンク１８は、高圧で剥離液を吐出するポンプ５９、流量調整可能な開閉弁５２及びフィルタ５３を介してノズル５１に配管接続されている。ポンプ５９は制御装置２１によって駆動制御される。ノズル５１は、高圧で供給される剥離液を基板Ｗに対して高圧スプレー状で供給する高圧スプレーノズルである。ノズル５１の周囲には、ノズル５１から高圧で吐出される剥離液がミストとなって周囲に飛散するのを抑制する覆い部材９が設けられている。
【００４６】
低圧供給機構４０のノズル４１と、高圧供給機構５０のノズル５１とは、剥離処理室２内において、基板Ｗの搬送方向に沿って交互に配置され、かつそれらの配置の列の両端、すなわち両方の開口５に最も近い位置には、ノズル４１が配置されている。また、ノズル４１、５１のそれぞれは、図２の紙面奥行き方向に長いものを使用するか、あるいは紙面奥行き方向に複数の同じノズル４１、５１を配列して配置することにより、紙面奥行き方向に等しい状態で処理液が供給されるようにして、紙面奥行き方向に処理ムラが生じるのを防止している。
【００４７】
また、剥離処理室２内のローラコンベア１の両端近く、すなわち両方の開口５近くの位置にはローラコンベア１上の基板Ｗの有無を検出して信号を出力するセンサ１６、１７が設けられている。センサ１６、１７は制御装置２１に接続されており、基板Ｗがローラコンベア１上をセンサ１６、１７のところまで搬送されてくると、制御装置２１は当該センサ１６、１７からの出力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア１は後述のように制御装置２１によってその動作が制御されるが、ローラコンベア１のうち、特に剥離処理室２内に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として可逆転モータ（図示せず）が使用され、ローラコンベア１に乗せられて運ばれてきた基板Ｗを剥離処理室２内でセンサ１６とセンサ１７との間を周期的に往復移動させることができる。
【００４８】
なお、ノズル５１は、剥離液が高圧で供給されたときには基板Ｗに対しても高圧スプレー状で剥離液を供給する高圧スプレーノズルである。また、各ノズル５１の周囲には、ノズル５１から高圧で吐出される剥離液がミストとなって周囲に飛散するのを抑制する覆い部材９が設けられている。
【００４９】
洗浄処理室４には、剥離処理室２からローラコンベア１により運ばれてきた基板Ｗの上下両面に対して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル２４が、ローラコンベア１の上下に設けられている。純水供給源２９からの純水はポンプ３０によって加圧され、流量調整可能な開閉弁３１及びフィルタ３２を介してノズル２４に配管接続されている。なお、洗浄処理室４の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取り入れるためのフィルタ３３が設けられている。また、洗浄処理室４の下部には、取り入れた下降気流を排出するとともに使用後の純水を排出するための開口３４が形成されている。
【００５０】
制御装置２１は、ポンプ４９、５９のほか、開閉弁３１、４２、５２、ローラコンベア１等にも接続（図示省略）され、それらを制御することによって剥離液や純水の供給や基板の搬送などこの剥離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処理室２内で剥離液を基板Ｗに供給する際において、制御装置２１は、基板Ｗが図中左から右方向に搬送されてセンサ１７の位置まで到達したことを検知するとその剥離処理室２内のローラコンベア１の駆動源を逆回転させ、こんどは基板Ｗを図中右から左方向に搬送する。そして、次に基板がセンサ１６の位置まで到達すると、今度は前記駆動源を正回転させることにより、基板Ｗを図中左から右方向に搬送する。制御装置２１はかかる制御動作を繰り返すことにより、基板Ｗを剥離処理室２内の所定の範囲で周期的に往復移動させることができる。そして、かかる往復移動によって基板Ｗへの剥離処理室２での処理が終了すると、ローラコンベア１の前記駆動源を正回転させて基板Ｗをセンサ１７の位置を越えて図中右方向へ搬送し、洗浄処理室４へ送り込むことができる。
【００５１】
つぎにこの第２実施形態の剥離装置の動作を説明する。まず第１工程として、剥離処理すべき基板Ｗがローラコンベア１によって搬送されてきて剥離処理室２へ搬入されたことがセンサ１６により検出されると、制御装置２１はポンプ４９を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル４１から剥離液を低圧でスプレー状に供給する。この第１工程においては、低圧で基板Ｗ上に供給された剥離液は基板Ｗの表面に液の膜を形成し、基板Ｗの表面に付着している剥離されるべき被膜、すなわちフォトレジストの被膜と十分に接触し、当該被膜を膨潤させる。この第１工程は、かかる膨潤が十分に進行する所定時間の間継続され、その間、剥離液の低圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００５２】
また、この第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中右側端部まで搬送されてしまったときには、センサ１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Ｗを図中右から左方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中左側端部まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ１６により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Ｗを図中左から右方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル４１から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第１工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過するとポンプ４９の動作を停止させて第１工程を終了する。
【００５３】
剥離処理室２内で第１工程が終了すると、引き続いて第２工程が実行される。第２工程においては、制御装置２１はポンプ５９を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル５１から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第２工程においては、基板Ｗ面上に剥離液が高圧で供給され、第１工程の間に十分に膨潤しているフォトレジストの被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去される。この第２工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００５４】
また、この第２工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２のどちらかの端部まで搬送されてしまったときには、第１工程と同様に、センサ１６、１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１がローラコンベア１の駆動源の回転方向を制御することにより基板Ｗを剥離処理室２内で周期的に往復移動させ、剥離処理室２内で第２工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル５１から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第２工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第２工程を終了する。第２工程が終了すると、制御装置２１はローラコンベア１を駆動して基板Ｗを洗浄処理室４へ送る。
【００５５】
洗浄処理室４内においては第３工程が実行される。第３工程においては、制御装置２１はポンプ３０を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル２４から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第３工程においては、基板Ｗの上面、下面に付着して残留している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破片などが純水スプレーにより洗い流される。この第３工程は、基板Ｗが洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出されるまで行われる。
【００５６】
第３工程が終了して洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出された基板Ｗは、図示しない搬送装置により前記乾燥装置へ搬送され、第４工程が実行される。この第４工程においては、基板Ｗは周知の乾燥装置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置によって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Ｗは直ちに次工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。
【００５７】
なお、この第２実施形態の装置においても、制御装置２１の制御動作を上述した第１実施形態の変形例と同様にすることもできる。それにより、第１実施形態の変形例と同様の処理方法を実施することができる。
【００５８】
この第２実施形態の剥離装置では、基板Ｗは剥離処理室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる。特にこの実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して設定することができる。また、この実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの剥離処理室２で行なっており、装置が小型化できる。特にこの実施形態の装置では、低圧供給機構４０のノズル４１と、高圧供給機構５０のノズル５１とをそれぞれ別個に設けているので、制御装置の制御動作を変更するだけで、次に説明するような処理方法を実行することも可能である。
【００５９】
次に、上述した第２実施形態の変形例について説明する。この変形例においては、制御装置２１をのぞいた構成は上記第２実施形態と同一であり、制御装置２１の制御動作のみが異なる。すなわち、上記第２実施形態では、制御装置２１は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程を順に１回ずつ実行したが、この変形例においては、制御装置２１は低圧供給機構４０と高圧供給機構５０とを同時に動作させる。すなわちノズル４１から剥離液を低圧スプレーで、ノズル５１から剥離液を高圧スプレーで、同時に基板Ｗに向けて吐出する。この場合、基板Ｗが剥離処理室２に搬送されると、まず基板Ｗの前端部が最初のノズル４１の下方に到達し、基板Ｗの該当部分に剥離液が低圧で供給されて該当部分のフォトレジスト被膜が膨潤される。そして、基板Ｗが図１中の右方向に搬送されるにつれて、該当部分はノズル５１の下方に達し、該当部分に剥離液が高圧で供給されて該当部分のフォトレジスト被膜の特に膨潤された部分が除去される。基板Ｗがさらに搬送されると、基板Ｗの該当部分は次のノズル４１の下方に到達し、該当部分に剥離液が低圧で供給される。
【００６０】
このように、かかる変形例の剥離装置では、ノズル４１とノズル５１とが基板Ｗのローラコンベア１による搬送進行方向に対して交互に設けられており、この変形例の剥離方法では、基板Ｗ全体に対しては上述の第１工程と第２工程とを同時に行なっているように見えるが、基板Ｗの部分部分に対しては、上述した第１実施形態の変形例の剥離方法と同一の方法、すなわち第１工程と第２工程との組の工程を複数回繰り返して実行する方法を実施していることになる。これにより、全体として、同一の処理時間であっても被膜の剥離除去をより十分に行なうことができ、処理時間が短くてすみ、また厚い被膜であっても効率よく短時間で膨潤と剥離除去が行なえる。なお、剥離処理室２の端部まで基板Ｗが搬送された場合のローラコンベア１の逆回転動作や、第３工程の洗浄処理や、第４工程の乾燥処理は、この変形例においても上述と同様である。またこの変形例においては、低圧供給機構４０と高圧供給機構５０の動作を同時に開始したり、同時に終了することは必ずしも必要ではない。例えば、低圧供給機構４０を先行して動作開始させて被膜の膨潤を予め進行させておいたり、高圧供給機構５０の動作停止後も低圧供給機構４０の動作を所定時間だけ継続させて剥離されたフォトレジスト被膜の破片や汚れた剥離液等を予備的に洗い流すようにしてもよい。
【００６１】
なお、以上第１および第２実施形態の説明では、ローラコンベア１は、剥離処理室２や洗浄処理室４内で基板Ｗを水平姿勢または若干の傾斜姿勢として搬送するものと説明したが、若干の傾斜姿勢で搬送するものとすることが、以下の理由により望ましい。すなわち基板Ｗを例えば搬送方向にして対して左右いずれかに若干傾斜させて支持することにより、剥離されたフォトレジスト被膜の破片や汚れた剥離液、純水等がその傾斜にそって速やかに流れ落ちて基板Ｗ表面から除去されるので、基板Ｗをより清浄に保つことができる。
【００６２】
なお、上記第１および第２実施形態において、低圧での剥離液の供給とは、供給された剥離液が基板Ｗ上で被膜を膨潤させるのに十分な液膜を形成できる状態を実現できる程度であればよい。つまり、例えば供給された液のかなりの部分が基板Ｗへの衝突で跳ね返ってしまうような液の供給状態では、被膜を十分に膨潤させることはできないためである。また、高圧での剥離液の供給とは、膨潤している被膜を剥離除去させるのに十分な衝撃力を与えることができる程度であればよい。具体的な圧力は剥離しようとする被膜と基板Ｗとの密着の強さなどによって異なるが、例えば上記実施形態において、低圧供給の場合はノズルへの配管内の圧力で例えば１〜２ｋｇ／ｃｍ²程度の圧力、高圧供給の場合は同じく１０〜２０ｋｇ／ｃｍ²程度の圧力で行なっている。低圧供給の場合であれば、例えば基板Ｗの幅と同等以上の長さのスリット状の開口を有するノズルを用いて、基板Ｗ表面に沿うようなカーテン状の液流でほとんど基板Ｗに圧力を加えずに剥離液を供給するようなものでもよく、スプレー状に供給するものであれば、基板表面での打力を例えば２ｇ／ｃｍ²程度以下の圧力とすることが考えられる。また、高圧供給の場合は同じく基板表面での打力を５０ｇ／ｃｍ²程度以上の圧力とすることが考えられる。
【００６３】
また、上記各実施形態では、剥離液を低圧での供給と高圧での供給の両方に使用したが、例えば高圧での供給は、被膜に対して物理的な力を加えることを考えれば、剥離液以外の処理液、例えば高温の純水やオゾン水を用いることも考えられる。
【００６４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る剥離装置によれば、基板は処理室内で処理に必要な時間だけ往復移動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる。また、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して設定することができる。さらに、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの剥離処理室で行なっており、装置が小型化できる。
【００６５】
また本発明に係る剥離装置および剥離方法によれば、剥離すべき被膜に対して低圧の処理液供給と高圧の処理液供給とを繰り返すことで、効率よく確実に短時間で被膜の膨潤と剥離除去が行なえる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る剥離装置の第１実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明に係る剥離装置の第２実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。
【図３】従来の剥離装置の要部の概略構成を示す模式的断面図である。
【符号の税明】
Ｗ・・・基板
１・・・ローラコンベア
２・・・剥離処理室
３・・・室構成体
１０・・・液供給機構
１１、４１、５１・・・ノズル
１９、４９、５９・・・ポンプ
２１・・・制御装置
４０・・・低圧供給機構
５０・・・高圧供給機構[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a peeling apparatus and a peeling method for peeling a film formed on the surface of a substrate such as a glass substrate, a semiconductor wafer, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus used for manufacturing a liquid crystal display panel or a plasma display panel. .
[0002]
[Prior art]
  For example, in a photolithography process, a photoresist film is formed on the surface of a substrate to be processed, and a desired patterning is performed by performing process processes such as exposure, development, and etching. Thereafter, the photoresist film remaining on the substrate is peeled off. As a peeling apparatus for performing such a peeling process, the one shown in FIG. 3 can be considered. The apparatus 90 includes two processing chambers, a first processing chamber 91 and a second processing chamber 92, and a roller conveyor 93 is provided so as to pass through the two processing chambers. The roller conveyor 93 transports the substrate W in the horizontal direction in the direction of the arrow in the figure. A low pressure nozzle 94 is provided in the first processing chamber 91 for spraying the stripping liquid at a low pressure onto the substrate W conveyed by the roller conveyor 93. In the second processing chamber 92, a high-pressure nozzle 95 that sprays the stripping solution at a high pressure on the substrate W conveyed by the roller conveyor 93 is provided.
[0003]
  In such an apparatus, the surface of the substrate W is first covered with the stripping solution supplied at a low pressure while passing through the first processing chamber 91, and the photoresist film is swollen with the stripping solution. Subsequently, the substrate W enters the second processing chamber 92, and a physical impact force by the stripping solution sprayed at a high pressure is applied to the photoresist film on the surface of the substrate W, so that the photoresist film is stripped and removed. Subsequently, the substrate W is transported to a cleaning processing chamber (not shown) provided on the right side in the drawing, cleaned with pure water, and further transported to a drying processing chamber (not shown) for drying.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
  In the apparatus of FIG. 3, since the substrate W is transported at a constant speed by the roller conveyor 93, the processing time for supplying the stripping liquid and processing is determined by the size of the processing chamber and the transport speed, and it depends on the state of the film. It is difficult to change the processing time accordingly. An object of this invention is to provide the peeling apparatus which can change processing time easily.
[0005]
  Further, in the apparatus of FIG. 3, the time for the processing step for discharging the stripping solution at a low pressure and the time for the processing step for discharging the stripping solution at a high pressure are also determined, and the time can be changed according to the state of the film. It was difficult. It is an object of the present invention to provide a peeling apparatus that can freely change and set the time of a processing step by low pressure discharge and the time of a processing step by high pressure discharge.
[0006]
  Further, in the apparatus of FIG. 3, the process of discharging the stripping solution at a low pressure and the process of discharging at a high pressure are performed in separate processing chambers, and two processing chambers are necessary, and the apparatus is large. An object of this invention is to provide the peeling apparatus which can reduce an apparatus in size.
[0007]
  Further, in the apparatus of FIG. 3, the coating film is swollen by the stripping solution supplied at a low pressure, and then the coating film is stripped and removed by a physical impact force by the stripping solution supplied at a high pressure. Here, the swelling of the coating proceeds from the surface in contact with the stripping solution. However, as the thickness of the coating increases, the surface of the coating swells easily, but the swelling in the thickness direction of the coating does not proceed easily. However, there are drawbacks that the film cannot be removed sufficiently and that a very long time is required for the treatment. An object of the present invention is to provide a peeling apparatus and a peeling method which can efficiently swell and remove even a thick film in a short time.
[0008]
  Another object of the present invention is to provide a peeling apparatus having a high degree of freedom in selecting a treatment process.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
  The invention of claim 1There is a coating on the surfaceA chamber structure constituting a processing chamber for processing a substrate, a support mechanism for supporting the substrate in the processing chamber, and a processing liquid can be supplied to the substrate in the processing chamber supported by the support mechanism at a low pressure and a high pressure. A liquid supply mechanism, control means for controlling the operation of the liquid supply mechanism, and relative position of the substrate with respect to the liquid supply mechanism so that the processing liquid supply position to the substrate by the liquid supply mechanism changes over time. And a relative movement mechanism for reciprocal movementThen, the substrate is relatively reciprocated by the relative movement mechanism, the treatment liquid is supplied to the coating film at a low pressure by the liquid supply mechanism to swell the coating film, and then the treatment liquid is applied to the swollen coating film at a high pressure. And the coating is peeled offIt is a peeling device.
[0010]
  According to this configuration, since the substrate is reciprocated in the processing chamber for the time required for processing and the processing is performed during that time, the processing time is set according to the state of the film regardless of the size of the processing chamber and the conveyance speed. It can be easily changed. Moreover, each time of the process process which discharges stripping solution at low pressure, and the process process which discharges stripping solution at high pressure can be changed and set freely. Furthermore, the processing for discharging the stripping solution at a low pressure and the processing for discharging at a high pressure are performed in one processing chamber, and the apparatus can be miniaturized.
[0011]
  The invention of claim 2There is a coating on the surfaceA chamber structure that forms a processing chamber for processing a substrate; a support mechanism that supports the substrate in the processing chamber; and a processing liquid that is applied to the substrate in the processing chamber supported by the support mechanism.Low pressure supply mechanism for supplying at low pressureas well asHigh pressure supply mechanism for supplying at high pressureA liquid supply mechanism having control means for controlling the operation of the liquid supply mechanism, and the substrate to the liquid supply mechanism so that the processing liquid supply position to the substrate by the liquid supply mechanism changes with time. A relative movement mechanism for reciprocally moving theA low-pressure nozzle that is provided in the low-pressure supply mechanism and discharges the processing liquid to the substrate, and a high-pressure nozzle that is provided in the high-pressure supply mechanism and discharges the processing liquid to the substrate, respectively, on the surface of the substrate The liquid discharge areas are arranged alternately along the relative movement direction by the relative movement mechanism,
  The control means controls the low-pressure supply mechanism and the high-pressure supply mechanism to operate simultaneously, and supplies the processing liquid at a low pressure by the low-pressure nozzle to the coating moved to the liquid discharge region of the low-pressure nozzle. After the film is swollen, the swollen film is moved to the liquid discharge region of the high-pressure nozzle by the relative movement mechanism, and the processing liquid is supplied from the high-pressure nozzle at a high pressure to control the film to peel off.It is characterized byPeeling device.
[0012]
  According to this configuration, since the low-pressure supply mechanism and the high-pressure supply mechanism are separately provided, they can be operated at the same time, and the degree of freedom in selecting a processing process is high.
[0013]
  Also,By repeating the swelling by supplying the low-pressure processing liquid and the peeling by supplying the high-pressure processing liquid to the partial portion of the substrate, the swelling and peeling removal can be performed efficiently and in a short time.
[0014]
  According to this configuration, the swelling and peeling removal can be efficiently performed in a short time by repeating the swelling by supplying the low-pressure processing liquid and the peeling by supplying the high-pressure processing liquid to the film to be peeled.
[0015]
  Claim3In the peeling apparatus according to claim 1, in the peeling apparatus according to claim 1, the liquid supply mechanism can supply a processing liquid to the substrate in the processing chamber supported by the support mechanism at a low pressure or a high pressure, and the nozzle. On the other hand, it is provided with a liquid feeding mechanism capable of supplying a treatment liquid and switching the supply pressure between a low pressure and a high pressure.
[0016]
  According to this configuration, the nozzle and the liquid feeding mechanism are shared for both high-pressure discharge and low-pressure discharge, and the apparatus can be reduced in size and cost.
[0017]
  Claim4The invention of claim3In the peeling apparatus described above, the control unit operates the liquid feeding mechanism to supply the processing liquid to the nozzle at a high pressure after operating the liquid feeding mechanism to supply the processing liquid to the nozzle at a low pressure. It is characterized by being controlled.
[0018]
  According to this structure, the coating film to be peeled can be first swollen by supplying the treatment liquid at a low pressure, and thereafter, the treatment liquid can be supplied at a high pressure to be peeled and removed satisfactorily.
[0019]
  Claim5The invention of claim3 or 4 descriptionIn the peeling apparatus, the control means controls the operation of the liquid feeding mechanism so that the supply pressure of the processing liquid to the nozzle is alternately switched between a low pressure and a high pressure.
[0020]
  According to this configuration, the swelling and peeling removal can be efficiently performed in a short time by repeating the swelling by supplying the low-pressure processing liquid and the peeling by supplying the high-pressure processing liquid to the film to be peeled.
[0021]
  Claim6The described inventionA peeling method for peeling a coating film from a substrate by supplying a treatment liquid at a low pressure and a high pressure through a liquid supply mechanism to a substrate supported by a support mechanism in a processing chamber and having a coating film on the surface. After the substrate is relatively reciprocated so that the processing liquid supply position to the substrate by the liquid supply mechanism changes with time, the processing liquid is supplied to the coating at a low pressure to swell the coating. The peeling method is characterized in that a treatment liquid is supplied to the swollen coating film at a high pressure to peel the coating film from the substrate.
[0022]
  According to this configuration, the same effect as that of the first aspect of the invention can be obtained.
[0023]
  Claim7The described inventionThe substrate is supported by a support mechanism in the processing chamber, and the substrate is coated with a coating on the surface thereof, thereby supplying the processing liquid at a low pressure and a high pressure through a liquid supply mechanism having a low pressure supply mechanism and a high pressure supply mechanism. A low-pressure nozzle that is provided in the low-pressure supply mechanism and discharges the processing liquid to the substrate, and a high-pressure nozzle that is provided in the high-pressure supply mechanism and discharges the processing liquid to the substrate. Are arranged so that the respective liquid discharge regions on the surface of the substrate are alternately positioned along the relative movement direction by the relative movement mechanism, and the low pressure supply mechanism and the high pressure supply mechanism are After the coating is moved to the liquid discharge area of the low-pressure nozzle, the processing liquid is supplied at low pressure by the low-pressure nozzle to swell the coating by controlling to operate simultaneously. A peeling method characterized by the swollen film and by supplying the processing liquid at a high pressure from the high-pressure nozzle is moved to the liquid discharge region of the high-pressure nozzle by the relative movement mechanism for peeling the coating.
[0024]
  According to this structure, the same effect as that of the invention of claim 2 can be obtained.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. In this substrate processing apparatus, a rectangular glass substrate W (hereinafter simply referred to as a substrate W) is processed in a horizontal posture or slightly inclined posture while being conveyed by the roller conveyor 1 in the horizontal direction from left to right in the figure. This is a peeling apparatus that supplies a peeling liquid as a liquid to perform a peeling process on the substrate W and supplies pure water after the process to perform a cleaning process. The substrate W has a photoresist film to be peeled off on the surface thereof through a process such as formation of a photoresist film, exposure, development, etching, and the like. Although not shown in the drawing, a drying processing unit that performs drying processing by supplying dry air to the substrate W or rotating the substrate W is provided on the right side of FIG. The substrate processing apparatus includes a peeling processing unit that performs processing with a stripping solution, a cleaning processing unit that performs cleaning processing, and a drying processing unit that performs drying processing. In FIG. 1, the peeling processing unit C and the cleaning processing unit D are illustrated. Show only.
[0026]
  A separation processing chamber 2 for performing a separation process on the substrate W and a cleaning processing chamber 4 for performing a cleaning process on the substrate W are partitioned by the chamber structure 3. Further, the chamber structure 3 is formed with an opening 5 for carrying the substrate W into and out of the separation processing chamber 2 and the cleaning treatment chamber 4, and the substrate W is carried into the separation processing chamber 2 through the opening 5, Further, a roller conveyor 1 is provided for carrying in and out of the cleaning processing chamber 4. The substrate W is supported and transported by the roller conveyor 1 in the peeling processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4.
[0027]
  The peeling process chamber 2 is provided with a liquid supply mechanism 10 that can supply the processing liquid to the substrate W in the peeling process chamber 2 supported by the roller conveyor 1 at a low pressure or a high pressure. In the liquid supply mechanism 10, the stripping solution tank 18 is connected to the opening 15 below the stripping processing chamber 2 by piping, and the stripping solution discharged from the opening 15 is received by the stripping solution tank 18 and stored. The stripping solution tank 18 is provided with a temperature adjusting mechanism 14 for keeping the stored stripping solution at a predetermined temperature. The stripping solution tank 18 is connected to the nozzle 11 via a pump 19, an on-off valve 22 whose flow rate can be adjusted, and a filter 23. The pump 19 is driven by the output of the inverter 20, and the output of the inverter 20 is controlled by the control device 21. The pump 19 can be driven and controlled by controlling the frequency of the inverter 20 by the control device 21 to arbitrarily switch the discharge pressure directed toward the nozzle 11 between a low pressure and a high pressure. Thereby, the nozzle 11 installed above the roller conveyor 1 can supply the stripping solution to the substrate W supported on the roller conveyor 1 at a low pressure or a high pressure. The nozzles 11 are long in the paper surface depth direction in FIG. 1, or a plurality of the same nozzles 11 are arranged in the paper surface depth direction so that the processing liquid is supplied in the same state in the paper surface depth direction. In this way, processing unevenness is prevented from occurring in the depth direction of the paper processing surface.
[0028]
  Sensors 16 and 17 for detecting the presence or absence of the substrate W on the roller conveyor 1 and outputting signals are provided near both ends of the roller conveyor 1 in the peeling processing chamber 2, that is, near the openings 5. Yes. The sensors 16 and 17 are connected to the control device 21, and when the substrate W is transported to the sensor 16 and 17 on the roller conveyor 1, the control device 21 receives the output signal from the sensors 16 and 17. Is detected. The operation of the roller conveyor 1 is controlled by the control device 21 as will be described later, and the roller conveyor 1 is a drive source independent of other parts, particularly in the part located in the peeling processing chamber 2. A reversible motor (not shown) is used, and the substrate W carried on the roller conveyor 1 can be periodically reciprocated between the sensor 16 and the sensor 17 in the separation processing chamber 2. .
[0029]
  The nozzle 11 is a high-pressure spray nozzle that supplies the release liquid in a high-pressure spray form to the substrate W when the release liquid is supplied at a high pressure. However, when the release liquid is supplied at a low pressure, the nozzle 11 is applied to the substrate W. In contrast, it is supplied in the form of a low-pressure spray. In addition, a covering member 9 is provided around each nozzle 11 to prevent the peeling liquid discharged from the nozzle 11 from being discharged at high pressure from being scattered as a mist.
[0030]
  In the cleaning processing chamber 4, nozzles 24 for supplying pure water in a spray form to the upper and lower surfaces of the substrate W carried from the peeling processing chamber 2 by the roller conveyor 1 and cleaning them are provided on the upper and lower sides of the roller conveyor 1. Is provided. Pure water from the pure water supply source 29 is pressurized by a pump 30 and connected to the nozzle 24 via an on-off valve 31 and a filter 32 that can adjust the flow rate. Note that a filter 33 is provided in the upper portion of the cleaning processing chamber 4 to clean and take in the surrounding downward airflow. In addition, an opening 34 is formed in the lower portion of the cleaning treatment chamber 4 for discharging the taken down airflow and discharging the pure water after use.
[0031]
  The control device 21 is connected (not shown) to the pump 30, the on-off valves 22, 31 and the roller conveyor 1 in addition to the inverter 20 described above. Controls the entire operation of the peeling device such as transport. In particular, when supplying the stripping solution to the substrate W in the stripping chamber 2, the controller 21 strips the substrate W when it detects that the substrate W has been transported from the left to the right in the drawing and has reached the position of the sensor 17. The drive source of the roller conveyor 1 in the processing chamber 2 is reversely rotated, and this time, the substrate W is transported from the right to the left in the drawing. Then, when the substrate reaches the position of the sensor 16 next time, the substrate W is transported from the left to the right in the drawing by rotating the driving source forward. The control device 21 can reciprocate the substrate W periodically within a predetermined range in the separation processing chamber 2 by repeating such control operation. When the processing in the separation processing chamber 2 for the substrate W is completed by such reciprocating movement, the drive source of the roller conveyor 1 is rotated forward to convey the substrate W beyond the position of the sensor 17 in the right direction in the figure. , Can be sent to the cleaning treatment chamber 4.
[0032]
  Next, the operation of the peeling apparatus according to the first embodiment will be described. First, as a first step, when the sensor 16 detects that the substrate W to be peeled off has been transported by the roller conveyor 1 and carried into the peeling treatment chamber 2, the controller 21 causes the pump 19 to discharge pressure low. The peeling liquid is supplied from the nozzle 11 to the substrate W being conveyed at low pressure in a spray form. In this first step, the stripping solution supplied on the substrate W at a low pressure does not collide with the surface of the substrate W and bounce around and scatter around the substrate W as if it was supplied at a high pressure. A liquid film is formed on the surface, and is sufficiently brought into contact with the film to be peeled off, that is, the photoresist film attached to the surface of the substrate W, and the film is swollen. The first step is continued for a predetermined time during which the swelling sufficiently proceeds, and during that time, the supply of the stripping solution is continued in a low pressure state. During this time, since the temperature-adjusted stripping solution is continuously supplied to the substrate W, there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process is lowered.
[0033]
  Further, when the substrate W has been transported to the right end in the drawing of the peeling processing chamber 2 by the roller conveyor 1 before the first step is completed, the position of the substrate W is detected by the sensor 17 and the control device 21. Rotates the driving source of the roller conveyor 1 in reverse, this time, the substrate W is transported from the right to the left in the drawing, and the first process is continuously executed in the peeling processing chamber 2. Similarly, when the substrate W has been transported to the left end in the drawing of the separation processing chamber 2 by the roller conveyor 1 before the first step is completed, the position of the substrate W is detected by the sensor 16 and the control device 21 rotates the drive source of the roller conveyor 1 in the forward direction, this time transports the substrate W from the left to the right in the figure, and continues the first process in the peeling processing chamber 2. In this way, the substrate W periodically reciprocates in the peeling processing chamber 2, and the peeling liquid is sprayed during the movement, so that the supply position of the peeling liquid from the nozzle 11 to the substrate W changes with time. The stripping solution is supplied evenly over the entire surface of the substrate W. The control device 21 monitors the execution time of the first process using a built-in timer, and ends the first process when a predetermined time has elapsed.
[0034]
  When the first step is completed in the peeling treatment chamber 2, the second step is subsequently performed. In the second step, the control device 21 drives the pump 19 so that the discharge pressure becomes high, and supplies the stripping solution from the nozzle 11 to the substrate W being conveyed in a spray form at a high pressure. In this second step, a physical impact force is generated when the stripping solution is supplied onto the surface of the substrate W at a high pressure and the stripping solution collides with the photoresist film that is sufficiently swollen during the first step. As a result, the coating is effectively peeled off. This second step is continued for a predetermined time during which the film is sufficiently peeled and removed, while the supply of the stripping solution in a high pressure state is continued. During this time, since the temperature-adjusted stripping solution is continuously supplied to the substrate W, there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process is lowered.
[0035]
  Further, when the substrate W is transported to either end of the separation processing chamber 2 by the roller conveyor 1 before the second step is completed, the substrates 16 and 17 are used by the sensors 16 and 17 as in the first step. Is detected, and the control device 21 controls the rotation direction of the driving source of the roller conveyor 1 to periodically reciprocate the substrate W in the peeling processing chamber 2, and the second process is performed in the peeling processing chamber 2. Continue to run. As described above, since the peeling liquid is spray-supplied while the substrate W moves in the peeling processing chamber 2, the supply position of the peeling liquid from the nozzle 11 to the substrate W changes with time, and the entire surface of the substrate W is not evenly distributed. A stripping solution is supplied. The control device 21 monitors the execution time of the second process using a built-in timer, and ends the second process when a predetermined time has elapsed. When the second step is completed, the control device 21 drives the roller conveyor 1 to send the substrate W to the cleaning processing chamber 4.
[0036]
  A third step is performed in the cleaning processing chamber 4. In the third step, the control device 21 drives the pump 30 to supply the substrate W being transported from the nozzle 24 in the form of a pure water spray to perform a cleaning process. In the third step, the stripping solution remaining on the upper and lower surfaces of the substrate W and the fragments of the stripped photoresist film are washed away with pure water spray. This third step is performed until the substrate W is unloaded from the opening 5 on the right side of the cleaning processing chamber 4 in the drawing.
[0037]
  The substrate W carried out from the opening 5 on the right side of the cleaning process chamber 4 in the drawing after the third step is transferred to the drying device by a transfer device (not shown), and the fourth step is executed. In the fourth step, the substrate W is dried by a known drying device, for example, a rotary drying device by rotating the substrate or an air knife type drying device by blowing air. The substrate W after the drying process is immediately sent to the next process or stored in a predetermined container.
[0038]
  In the peeling apparatus of the first embodiment, the substrate W is periodically reciprocated within the peeling processing chamber for the time required for the processing, and the processing is performed during that time. It is possible to easily change the processing time according to the state or the like. In particular, in the apparatus of this embodiment, it is possible to freely change and set each time of the processing step for discharging the stripping solution at a low pressure and the processing step for discharging the stripping solution at a high pressure. Further, in the apparatus of this embodiment, the process for discharging the stripping solution at a low pressure and the process for discharging at a high pressure are performed in one stripping processing chamber 2, and the apparatus can be miniaturized. In particular, in the apparatus of this embodiment, the liquid supply mechanism 10 such as the nozzle 11 and the pump 19 is shared for both high-pressure discharge and low-pressure discharge, and the effect of reducing the size and cost of the apparatus is great.
[0039]
  Next, a modification of the first embodiment described above will be described. In this modification, the configuration excluding the control device 21 is the same as that described above, and only the control operation of the control device 21 is different. That is, in the above embodiment, the control device 21 executes the first step, the second step, the third step, and the fourth step one by one in order, but in this modification, the control device 21 has the same first as described above. The process and the second process are set as a set, and the set is repeated a plurality of times, and then the third process and the fourth process are performed. That is, for example, the processing is performed in the order of the first step, the second step, the first step, the second step, the first step, the second step, the third step, and the fourth step. In this example, the set of the first step and the second step is repeated three times. In this case, for example, in the above embodiment, if the time of the first step is 30 seconds and the time of the second step is 60 seconds, in this modified example, each first step is 10 seconds, and each second step is 20 seconds. It's okay.
[0040]
  Even in this modified example, the total time of each process is the same as that in the above embodiment, but according to the peeling apparatus and the peeling method of this modified example, compared with the apparatus and method in the above embodiment even in the same processing time. Further, the film can be sufficiently peeled and removed. In other words, the swelling of the coating proceeds from the surface in contact with the stripping solution, but the swelling in the thickness direction of the coating does not proceed easily, and this is particularly noticeable when the thickness of the coating is thick. Swells easily, but the substrate side of the coating does not swell sufficiently. However, in this modified example, the surface of the coating can be swollen in a short first step, and the swollen portion can be peeled and removed in the next second step. Then, in the next first step, the swelling starts again from the surface of the remaining thin film, and the swelling is performed more smoothly than when the swelling is gradually advanced from the surface of the thick film. As a result, the film can be peeled and removed more sufficiently even in the same processing time, and the processing time can be shortened, and even a thick film can be efficiently swelled and peeled off in a short time. Yes.
[0041]
  FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus supplies the peeling liquid as a processing liquid to the substrate W while conveying the substrate W in a horizontal posture or a slightly inclined posture from the left to the right in the figure by the roller conveyor 1 in the horizontal direction. It is a peeling apparatus that performs a peeling treatment and supplies a pure water after the treatment to perform a washing treatment. The substrate W has a photoresist film to be peeled off on the surface thereof through a process such as formation of a photoresist film, exposure, development, etching, and the like. Although not shown in the drawing, a drying processing unit that performs drying processing by supplying dry air to the substrate W or rotating the substrate W is provided on the right side of FIG. This substrate processing apparatus includes a peeling processing unit that performs processing with a stripping solution, a cleaning processing unit that performs cleaning processing, and a drying processing unit that performs drying processing. In FIG. Show only.
[0042]
  A separation processing chamber 2 for performing a separation process on the substrate W and a cleaning processing chamber 4 for performing a cleaning process on the substrate W are partitioned by the chamber structure 3. Further, the chamber structure 3 is formed with an opening 5 for carrying the substrate W into and out of the separation processing chamber 2 and the cleaning treatment chamber 4, and the substrate W is carried into the separation processing chamber 2 through the opening 5, Further, a roller conveyor 1 is provided for carrying in and out of the cleaning processing chamber 4. The substrate W is supported and transported by the roller conveyor 1 in the peeling processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4.
[0043]
  In the peeling process chamber 2, a low-pressure supply mechanism 40 capable of supplying a processing liquid to the substrate W in the peeling process chamber 2 supported by the roller conveyor 1 at a low pressure, and the peeling process chamber 2 supported by the roller conveyor 1. A high-pressure supply mechanism 50 capable of supplying the processing liquid to the inner substrate W at a high pressure is attached.
[0044]
  In the low-pressure supply mechanism 40, the stripping solution tank 18 is connected to the opening 15 below the stripping processing chamber 2, and the stripping solution discharged from the opening 15 is received by the stripping solution tank 18 and stored. The stripping solution tank 18 is provided with a temperature adjusting mechanism 14 for keeping the stored stripping solution at a predetermined temperature. The stripping solution tank 18 is connected to the nozzle 41 via a pump 49 that discharges stripping solution at a low pressure, an on-off valve 42 that can adjust the flow rate, and a filter 43. The pump 49 is driven and controlled by the control device 21. The nozzle 41 is a low-pressure spray nozzle that supplies a stripping solution supplied at a low pressure to the substrate W in a low-pressure spray form.
[0045]
  In the high pressure supply mechanism 50, the stripping solution tank 18 is shared with the low pressure supply mechanism 40. The stripping solution tank 18 is connected to the nozzle 51 via a pump 59 that discharges stripping solution at a high pressure, an on-off valve 52 that can adjust the flow rate, and a filter 53. The pump 59 is driven and controlled by the control device 21. The nozzle 51 is a high-pressure spray nozzle that supplies the stripping solution supplied at a high pressure to the substrate W in a high-pressure spray form. A covering member 9 is provided around the nozzle 51 to prevent the stripping liquid discharged from the nozzle 51 at high pressure from being scattered as a mist.
[0046]
  The nozzles 41 of the low-pressure supply mechanism 40 and the nozzles 51 of the high-pressure supply mechanism 50 are alternately arranged in the peeling process chamber 2 along the transport direction of the substrate W, and both ends of the arrangement row, that is, both A nozzle 41 is disposed at a position closest to the opening 5. Further, each of the nozzles 41 and 51 is equal to the depth direction of the paper by using one that is long in the depth direction of FIG. 2 or arranging a plurality of the same nozzles 41 and 51 in the depth direction of the paper. In this state, the processing liquid is supplied to prevent processing unevenness in the depth direction of the paper.
[0047]
  Sensors 16 and 17 for detecting the presence or absence of the substrate W on the roller conveyor 1 and outputting signals are provided near both ends of the roller conveyor 1 in the peeling processing chamber 2, that is, near the openings 5. Yes. The sensors 16 and 17 are connected to the control device 21, and when the substrate W is transported to the sensor 16 and 17 on the roller conveyor 1, the control device 21 receives the output signal from the sensors 16 and 17. Is detected. The operation of the roller conveyor 1 is controlled by the control device 21 as will be described later, and the roller conveyor 1 is a drive source independent of other parts, particularly in the part located in the peeling processing chamber 2. A reversible motor (not shown) is used, and the substrate W carried on the roller conveyor 1 can be periodically reciprocated between the sensor 16 and the sensor 17 in the separation processing chamber 2. .
[0048]
  The nozzle 51 is a high-pressure spray nozzle that supplies the stripping liquid in a high-pressure spray form to the substrate W when the stripping liquid is supplied at a high pressure. In addition, a covering member 9 is provided around each nozzle 51 to suppress the stripping liquid discharged from the nozzle 51 at high pressure from being scattered as a mist.
[0049]
  In the cleaning processing chamber 4, nozzles 24 for supplying pure water in a spray form to the upper and lower surfaces of the substrate W carried from the peeling processing chamber 2 by the roller conveyor 1 and cleaning them are provided on the upper and lower sides of the roller conveyor 1. Is provided. Pure water from the pure water supply source 29 is pressurized by a pump 30 and connected to the nozzle 24 via an on-off valve 31 and a filter 32 that can adjust the flow rate. Note that a filter 33 is provided in the upper portion of the cleaning processing chamber 4 to clean and take in the surrounding downward airflow. In addition, an opening 34 is formed in the lower portion of the cleaning treatment chamber 4 for discharging the taken down airflow and discharging the pure water after use.
[0050]
  The control device 21 is connected (not shown) to the on-off valves 31, 42 and 52, the roller conveyor 1 and the like in addition to the pumps 49 and 59. By controlling them, the supply of the stripping solution and pure water and the conveyance of the substrate are performed. Controls the entire operation of the peeling device. In particular, when supplying the stripping solution to the substrate W in the stripping chamber 2, the controller 21 strips the substrate W when it detects that the substrate W has been transported from the left to the right in the drawing and has reached the position of the sensor 17. The drive source of the roller conveyor 1 in the processing chamber 2 is reversely rotated, and this time, the substrate W is transported from the right to the left in the drawing. Then, when the substrate reaches the position of the sensor 16 next time, the substrate W is transported from the left to the right in the drawing by rotating the driving source forward. The control device 21 can reciprocate the substrate W periodically within a predetermined range in the separation processing chamber 2 by repeating such control operation. When the processing in the separation processing chamber 2 for the substrate W is completed by such reciprocating movement, the drive source of the roller conveyor 1 is rotated forward to convey the substrate W beyond the position of the sensor 17 in the right direction in the figure. , Can be sent to the cleaning treatment chamber 4.
[0051]
  Next, the operation of the peeling apparatus of the second embodiment will be described. First, as a first step, when the sensor 16 detects that the substrate W to be peeled off has been transported by the roller conveyor 1 and carried into the peeling treatment chamber 2, the control device 21 drives the pump 49 to carry it. The peeling liquid is supplied in a spray form from the nozzle 41 to the substrate W being processed at a low pressure. In this first step, the stripping solution supplied onto the substrate W at a low pressure forms a liquid film on the surface of the substrate W, and the coating film to be stripped attached to the surface of the substrate W, that is, a photoresist film. Fully contact with the coating and swell the coating. The first step is continued for a predetermined time during which the swelling sufficiently proceeds, and during that time, the supply of the stripping solution is continued in a low pressure state. During this time, since the temperature-adjusted stripping solution is continuously supplied to the substrate W, there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process is lowered.
[0052]
  Further, when the substrate W has been transported to the right end in the drawing of the peeling processing chamber 2 by the roller conveyor 1 before the first step is completed, the position of the substrate W is detected by the sensor 17 and the control device 21. Rotates the driving source of the roller conveyor 1 in reverse, this time, the substrate W is transported from the right to the left in the drawing, and the first process is continuously executed in the peeling processing chamber 2. Similarly, when the substrate W has been transported to the left end in the drawing of the separation processing chamber 2 by the roller conveyor 1 before the first step is completed, the position of the substrate W is detected by the sensor 16 and the control device 21 rotates the drive source of the roller conveyor 1 in the forward direction, this time transports the substrate W from the left to the right in the figure, and continues the first process in the peeling processing chamber 2. As described above, the substrate W periodically reciprocates in the peeling processing chamber 2, and the release liquid is spray-supplied during the movement, so that the supply position of the release liquid from the nozzle 41 to the substrate W changes with time. The stripping solution is supplied evenly over the entire surface of the substrate W. The control device 21 monitors the execution time of the first process with a built-in timer, stops the operation of the pump 49 when the set predetermined time has elapsed, and ends the first process.
[0053]
  When the first step is completed in the peeling treatment chamber 2, the second step is subsequently performed. In the second step, the control device 21 drives the pump 59 to supply the stripping solution from the nozzle 51 to the substrate W being conveyed in a spray form at a high pressure. In this second step, a physical impact force is generated when the stripping solution is supplied onto the surface of the substrate W at a high pressure and the stripping solution collides with the photoresist film that is sufficiently swollen during the first step. As a result, the coating is effectively peeled off. This second step is continued for a predetermined time during which the film is sufficiently peeled and removed, while the supply of the stripping solution in a high pressure state is continued. During this time, since the temperature-adjusted stripping solution is continuously supplied to the substrate W, there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process is lowered.
[0054]
  Further, when the substrate W is transported to either end of the separation processing chamber 2 by the roller conveyor 1 before the second step is completed, the substrates 16 and 17 are used by the sensors 16 and 17 as in the first step. Is detected, and the control device 21 controls the rotation direction of the driving source of the roller conveyor 1 to periodically reciprocate the substrate W in the peeling processing chamber 2, and the second process is performed in the peeling processing chamber 2. Continue to run. As described above, since the peeling liquid is spray-supplied while the substrate W is moving in the peeling processing chamber 2, the supply position of the peeling liquid from the nozzle 51 to the substrate W changes with time, and the entire surface of the substrate W is evenly distributed. A stripping solution is supplied. The control device 21 monitors the execution time of the second process using a built-in timer, and ends the second process when a predetermined time has elapsed. When the second step is completed, the control device 21 drives the roller conveyor 1 to send the substrate W to the cleaning processing chamber 4.
[0055]
  A third step is performed in the cleaning processing chamber 4. In the third step, the control device 21 drives the pump 30 to supply the substrate W being transported from the nozzle 24 in the form of a pure water spray to perform a cleaning process. In the third step, the stripping solution remaining on the upper and lower surfaces of the substrate W and the fragments of the stripped photoresist film are washed away with pure water spray. This third step is performed until the substrate W is unloaded from the opening 5 on the right side of the cleaning processing chamber 4 in the drawing.
[0056]
  The substrate W carried out from the opening 5 on the right side of the cleaning process chamber 4 in the drawing after the third step is transferred to the drying device by a transfer device (not shown), and the fourth step is executed. In the fourth step, the substrate W is dried by a known drying device, for example, a rotary drying device by rotating the substrate or an air knife type drying device by blowing air. The substrate W after the drying process is immediately sent to the next process or stored in a predetermined container.
[0057]
  In the apparatus according to the second embodiment, the control operation of the control device 21 can be the same as that of the modified example of the first embodiment described above. Thereby, the processing method similar to the modification of 1st Embodiment can be implemented.
[0058]
  In the peeling apparatus according to the second embodiment, the substrate W is periodically reciprocated within the peeling processing chamber for the time required for the processing, and the processing is performed during that period. The processing time can be easily changed in accordance with the state of the process. In particular, in the apparatus of this embodiment, it is possible to freely change and set each time of the processing step for discharging the stripping solution at a low pressure and the processing step for discharging the stripping solution at a high pressure. Further, in the apparatus of this embodiment, the process for discharging the stripping solution at a low pressure and the process for discharging at a high pressure are performed in one stripping processing chamber 2, and the apparatus can be miniaturized. In particular, in the apparatus of this embodiment, the nozzle 41 of the low pressure supply mechanism 40 and the nozzle 51 of the high pressure supply mechanism 50 are provided separately, so that only the control operation of the control device is changed and will be described next. It is also possible to execute various processing methods.
[0059]
  Next, a modification of the above-described second embodiment will be described. In this modification, the configuration excluding the control device 21 is the same as that of the second embodiment, and only the control operation of the control device 21 is different. That is, in the second embodiment, the control device 21 executes the first step, the second step, the third step, and the fourth step one by one in order, but in this modification, the control device 21 has a low-pressure supply mechanism. 40 and the high-pressure supply mechanism 50 are operated simultaneously. That is, the release liquid is discharged from the nozzle 41 to the substrate W at the same time by low pressure spraying, and the release liquid from the nozzle 51 by high pressure spraying. In this case, when the substrate W is transported to the peeling processing chamber 2, the front end portion of the substrate W first reaches below the first nozzle 41, and the peeling liquid is supplied to the corresponding portion of the substrate W at a low pressure. The photoresist film is swollen. Then, as the substrate W is transported in the right direction in FIG. 1, the corresponding portion reaches below the nozzle 51, and the stripping liquid is supplied to the corresponding portion at a high pressure, so that the portion of the photoresist film in the corresponding portion that is particularly swollen Is removed. When the substrate W is further transported, the corresponding portion of the substrate W reaches below the next nozzle 41, and the peeling liquid is supplied to the corresponding portion at a low pressure.
[0060]
  As described above, in the peeling apparatus according to the modified example, the nozzles 41 and the nozzles 51 are alternately provided in the direction in which the substrate W is transported by the roller conveyor 1. However, for the portion of the substrate W, the same method as the peeling method according to the modified example of the first embodiment is used. That is, the method of repeating the process of the set of a 1st process and a 2nd process in multiple times is implemented. As a result, the film can be peeled and removed more sufficiently even in the same processing time, and the processing time can be shortened, and even a thick film can be efficiently swollen and removed in a short time. Can be done. The reverse rotation operation of the roller conveyor 1 when the substrate W is transported to the end of the peeling process chamber 2, the cleaning process in the third process, and the drying process in the fourth process are also described above in this modification. It is the same. In this modification, it is not always necessary to start or end the operations of the low pressure supply mechanism 40 and the high pressure supply mechanism 50 at the same time. For example, the low-pressure supply mechanism 40 is started in advance to advance the swelling of the coating, or after the operation of the high-pressure supply mechanism 50 is stopped, the operation of the low-pressure supply mechanism 40 is continued for a predetermined time. It is also possible to preliminarily wash away fragments of the photoresist film, dirty stripping solution, and the like.
[0061]
  In the above description of the first and second embodiments, it has been described that the roller conveyor 1 transports the substrate W in the peeling processing chamber 2 or the cleaning processing chamber 4 in a horizontal posture or a slightly inclined posture. It is desirable to convey in the inclined posture for the following reason. That is, by supporting the substrate W while being inclined slightly to the left or right with respect to the transport direction, for example, the stripped photoresist film debris, dirty stripping solution, pure water, etc. quickly flow down along the tilt. Since the substrate W is removed from the surface, the substrate W can be kept clean.
[0062]
  In the first and second embodiments, the supply of the stripping solution at a low pressure is such that a state in which the supplied stripping solution can form a liquid film sufficient to swell the coating on the substrate W can be realized. If it is. That is, for example, in a liquid supply state in which a substantial part of the supplied liquid rebounds by collision with the substrate W, the coating cannot be sufficiently swollen. In addition, the supply of the stripping solution at a high pressure may be a level that can provide an impact force sufficient to peel and remove the swollen coating film. The specific pressure varies depending on the strength of adhesion between the coating film to be peeled off and the substrate W. For example, in the above embodiment, in the case of low pressure supply, the pressure in the pipe to the nozzle is, for example, 1 to 2 kg / cm.²10-20kg / cm for the same pressure and high pressure supply²This is done at a moderate pressure. In the case of low-pressure supply, for example, using a nozzle having a slit-like opening having a length equal to or greater than the width of the substrate W, the pressure is applied to the substrate W almost by a curtain-like liquid flow along the surface of the substrate W. A stripping solution may be supplied without adding, and if it is supplied in the form of a spray, the striking force on the substrate surface is, for example, 2 g / cm.²It is conceivable that the pressure is less than about. In the case of high pressure supply, the striking force on the substrate surface is also 50 g / cm.²It is conceivable that the pressure is higher than the degree.
[0063]
  Further, in each of the above embodiments, the stripping solution is used for both supply at a low pressure and supply at a high pressure. For example, the supply at a high pressure is a stripping when a physical force is applied to the film. It is also conceivable to use a treatment liquid other than the liquid, for example, high-temperature pure water or ozone water.
[0064]
【The invention's effect】
  As is clear from the above description, according to the peeling apparatus according to the present invention, the substrate is reciprocated for the time required for processing in the processing chamber, and the processing is performed during that time. Regardless, the processing time can be easily changed according to the state of the coating. Moreover, each time of the process process which discharges stripping solution at low pressure, and the process process which discharges stripping solution at high pressure can be changed and set freely. Furthermore, the process for discharging the stripping solution at a low pressure and the process for discharging at a high pressure are performed in one stripping processing chamber, and the apparatus can be miniaturized.
[0065]
  Moreover, according to the peeling apparatus and the peeling method which concern on this invention, the swelling and peeling of a film can be carried out efficiently and reliably in a short time by repeating supply of a low-pressure treatment liquid and supply of a high-pressure treatment liquid to a film to be peeled. Can be removed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of a first embodiment of a peeling apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of a second embodiment of a peeling apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of a conventional peeling apparatus.
[Tax of the sign]
W ... Board
1 ... Roller conveyor
2 ... Peeling treatment chamber
3 ... Room component
10 ... Liquid supply mechanism
11, 41, 51 ... Nozzle
19, 49, 59 ... pump
21 ... Control device
40 ... Low pressure supply mechanism
50 ... High pressure supply mechanism

Claims

A chamber structure that constitutes a processing chamber for processing a substrate having a film attached to its surface ;
A support mechanism for supporting the substrate in the processing chamber;
A liquid supply mechanism capable of supplying a processing liquid at a low pressure and a high pressure to the substrate in the processing chamber supported by the support mechanism;
Control means for controlling the operation of the liquid supply mechanism;
A relative movement mechanism that reciprocally moves the substrate relative to the liquid supply mechanism so that the processing liquid supply position to the substrate by the liquid supply mechanism changes with time .
While the substrate is relatively reciprocated by the relative movement mechanism,
A peeling apparatus characterized in that after the treatment liquid is supplied at low pressure by the liquid supply mechanism to swell the coating film, the treatment liquid is supplied to the swollen coating film at high pressure to peel off the coating film .

A chamber structure that constitutes a processing chamber for processing a substrate having a film attached to its surface ;
A support mechanism for supporting the substrate in the processing chamber;
A liquid supply mechanism having a low pressure supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate in the processing chamber supported by the support mechanism at a low pressure and a high pressure supply mechanism for supplying the substrate at a high pressure ;
Control means for controlling the operation of the liquid supply mechanism;
A relative movement mechanism that reciprocally moves the substrate relative to the liquid supply mechanism so that the processing liquid supply position to the substrate by the liquid supply mechanism changes with time .
The low-pressure nozzle provided in the low-pressure supply mechanism and discharging the processing liquid onto the substrate, and the high-pressure nozzle provided in the high-pressure supply mechanism and discharging the processing liquid onto the substrate are respectively liquids on the surface of the substrate. Discharge areas are arranged alternately along the relative movement direction by the relative movement mechanism,
The control means controls the low pressure supply mechanism and the high pressure supply mechanism to operate simultaneously,
After the processing liquid is supplied to the coating film moved to the liquid discharge area of the low-pressure nozzle by the low-pressure nozzle to swell the coating film, the swollen coating film is swollen by the relative movement mechanism. The peeling apparatus is characterized in that it is controlled so as to peel off the coating film by supplying the treatment liquid at a high pressure from a high pressure nozzle .

The liquid supply mechanism supplies a processing liquid to the substrate in the processing chamber supported by the support mechanism at a low pressure or a high pressure, supplies the processing liquid to the nozzle, and reduces the supply pressure to the nozzle. The peeling apparatus according to claim 1, further comprising a liquid feeding mechanism that can be switched between a high pressure and a high pressure.

The control means controls the liquid feeding mechanism to operate so as to supply the processing liquid to the nozzle at a high pressure after operating the liquid feeding mechanism to supply the processing liquid to the nozzle at a low pressure. The peeling apparatus according to claim 3 .

The control means according to claim 3 or 4, characterized in that the operation of the liquid sending mechanism, supply pressure of the processing liquid to the nozzles and controls so as to repeat a plurality of times alternately a low pressure and high pressure The peeling apparatus as described.

A peeling method for peeling a coating film from a substrate by supplying a treatment liquid at a low pressure and a high pressure via a liquid supply mechanism to a substrate supported by a support mechanism in a processing chamber and having a coating film on the surface. ,
After the substrate is relatively reciprocated so that the processing liquid supply position to the substrate by the liquid supply mechanism changes with time, the processing liquid is supplied to the coating at a low pressure to swell the coating, A peeling method comprising: supplying a treatment liquid to the swollen film at a high pressure to peel the film from the substrate.

For a substrate that is supported by a support mechanism in the processing chamber and has a coating on the surface. A peeling method for peeling the coating film from the substrate by supplying a treatment liquid at a low pressure and a high pressure via a liquid supply mechanism including a low pressure supply mechanism and a high pressure supply mechanism,
A low-pressure nozzle that is provided in the low-pressure supply mechanism and discharges the processing liquid to the substrate, and a high-pressure nozzle that is provided in the high-pressure supply mechanism and discharges the processing liquid to the substrate are respectively provided on the surface of the substrate. Disposing the discharge regions alternately along the relative movement direction by the relative movement mechanism,
By controlling the low-pressure supply mechanism and the high-pressure supply mechanism to operate simultaneously by the control means,
After the processing liquid is supplied to the coating film moved to the liquid discharge area of the low-pressure nozzle by the low-pressure nozzle to swell the coating film, the swollen coating film is swollen by the relative movement mechanism. The peeling method is characterized in that the coating film is peeled off by supplying the treatment liquid at a high pressure from a high pressure nozzle.