JP3702998B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、より詳細には素子搭載部が一方の面に形成された複数個の回路基板が隣接して一体に形成されて成る基板の各素子搭載部に半導体素子を搭載し、基板の半導体素子を搭載した面側を樹脂封止した後、樹脂封止された基板を個片に分離して半導体装置を得る半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体パッケージの小型化とともに半導体装置を効率的に量産する方法として、多数個取り用の基板に半導体素子あるいは回路部品等を搭載し、半導体素子等を搭載した基板の一方の面を樹脂封止した後、樹脂封止された基板を個片に切断して半導体装置を得る方法がある。
図5は複数の回路基板が隣接して一体に形成された樹脂基板10の各々の回路基板に半導体素子12を搭載し、半導体素子12を搭載した一方の面を封止樹脂14によって樹脂封止した状態を示す。半導体素子12を樹脂封止する方法としては、樹脂封止金型を用いた樹脂成形による方法、ポッティング法等がある。樹脂封止した後、樹脂基板10及び封止樹脂14を所定位置で切断することにより個片の半導体装置が得られる。図の矢印が切断位置を示す。
このように、樹脂基板10に半導体素子12を搭載し、樹脂基板10の面全体を樹脂封止した後、個片に切断して半導体装置を得る方法は、効率的に半導体装置を製造できるという利点がある。
【0003】
半導体素子12を多数個搭載できる樹脂基板10を用いた半導体装置の製造方法で樹脂封止した樹脂基板10を切断する場合は図6、7に示す方法による。図6に示す方法は、樹脂基板10の下面にあらかじめ粘着テープ16を粘着しておき、粘着テープ16まで若干切り込むようにして樹脂基板10を切断する方法である。18が切断刃の刃先が移動した切断部である。図7に示す方法は、固定治具20に樹脂封止後の樹脂基板10を配置して切断する方法である。この場合は、固定治具20の樹脂基板10を支持する面に、切断刃の移動位置に合わせて溝部22を設け、溝部22の内側を切断刃の刃先が移動するようにして樹脂基板10を切断する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図6に示すように、樹脂基板10に粘着テープ16を粘着して樹脂基板10を切断する場合は、樹脂基板10とは異質の粘着テープ16まで切断するため切断刃の寿命が短くなり、また、切断に時間がかかったり、切断精度が低下するという問題がある。
また、図7に示すように、固定治具20を用いて樹脂基板10を切断する場合は、樹脂基板10を切断する位置に合わせて溝部22を形成した固定治具20を用意する必要があるから、樹脂基板10の切断位置が異なる場合には別個に固定治具20を用意しなければならない。
【0005】
なお、樹脂基板10を完全に切断しない方法であれば、粘着テープ16を使用したり、溝部22を設けた固定治具20を使用したりする必要はない。しかし、この場合は樹脂基板10をハーフカット(樹脂基板の中途部まで切り込みを設ける)した状態で折って分離するから樹脂基板10の端面にばりが生じ、ばりを除去するため樹脂基板10の端面を面取りする加工が別途必要になる。
本発明はこのような多数個取り用の基板に半導体素子を搭載し、基板の半導体素子を搭載した面全体を樹脂封止した後、個片に切断して半導体装置を製造する方法に関し、樹脂ばりを生じさせずに基板を確実にかつ効率的に個片に切断することができ、半導体装置の良品を効率的に製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、半導体素子を搭載する素子搭載部が一方の面に形成された複数個の回路基板が一体に形成されると共に、他方の面側に各々の回路基板を区分する位置に合わせて溝部が形成された基板の各素子搭載部に半導体素子を搭載し、該基板の半導体素子が搭載された一方の面側を封止樹脂により樹脂封止した後、該樹脂封止された基板の他方の面を支持体に当接させて基板を支持し、前記基板の樹脂封止された面側から、切断刃の刃先を、前記溝部に沿って支持体と前記溝部とにより囲まれた空隙内を該支持体から離間させて移動させ、前記封止樹脂及び基板を切断して個片の半導体装置を得ることを特徴とする。
【0007】
また、半導体素子を搭載する素子搭載部が一方の面に形成された複数個の回路基板が一体に形成された基板の各素子搭載部に半導体素子を搭載し、 該基板の半導体素子が搭載された一方の面側を封止樹脂により樹脂封止した後、該樹脂封止された基板の他方の面側に、各々の回路基板を区分する位置に沿って溝部を形成し、該溝部が形成された基板の他方の面を支持体に当接させて基板を支持し、前記基板の樹脂封止された面側から、切断刃の刃先を、前記溝部に沿って支持体と前記溝部とにより囲まれた空隙内を該支持体から離間させて移動させ、前記封止樹脂及び基板を切断して個片の半導体装置を得ることを特徴とする。なお、溝部の断面形状をV字形に形成すると、回路基板の端面が面取りされた状態で得られるという利点がある。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は本発明に係る半導体装置の製造方法の第1の実施形態を示す。図1(a)は、まず、樹脂基板10に半導体素子12を搭載した状態を示す。なお、樹脂基板10は多数個の半導体素子12が搭載可能な一枚の板体状に形成したものである。図のA部分が半導体素子を搭載する単位となる回路基板10aであり、樹脂基板10はこの回路基板10aが一体に連設されたものである。各々の回路基板10aの一方の面には半導体素子12を搭載するための素子搭載部と半導体素子12と電気的に接続する配線パターン11が形成されている。
【0009】
実施形態では半導体素子12と配線パターン11とはワイヤボンディングによって電気的に接続される。13がボンディングワイヤである。回路基板10aの一方の面は樹脂封止される面であり、他方の面は半導体装置を実装する際の実装面となる。BGA基板の場合には、回路基板10aの他方の面にはボール状の外部接続端子を接合するためのランドが配置され、回路基板10aの一方の面に設けた配線パターン11とランドとは回路基板10aに形成したスルーホールを介して電気的に接続される。なお、図では、回路基板10aの他方の面に形成するランド等は省略している。
【0010】
本実施形態の樹脂基板10で特徴とする点は、半導体素子12を搭載する樹脂基板10の他方の面に、各々の回路基板10aを区分する位置(境界位置)に沿って回路基板10aの他方の面に溝部30を形成したことにある。樹脂基板10に縦横に回路基板10aを配列した場合は、溝部30は隣接する回路基板10aを区分する位置に沿って格子状に形成されることになる。この溝部30は樹脂基板10を切断刃で切断する際に、切断刃の刃先が樹脂基板10を支持する支持体に当接しないようにするために形成したものである。本実施形態では溝部30を断面形状でU字形に形成した。溝部30を形成する場合は、回路基板10aに形成した配線パターン11あるいは樹脂基板10に形成したスルーホールを基準位置として形成すればよい。
【0011】
図1(b)は、半導体素子12を搭載した樹脂基板10の一方の面を全面にわたって封止樹脂14によって樹脂封止した状態を示す。樹脂封止する際には、半導体素子12及びボンディングワイヤ13が封止樹脂14内に埋没するようにする。封止樹脂14により樹脂基板10の片面を樹脂封止する方法としては、樹脂封止金型で樹脂基板10をクランプして樹脂成形する方法、樹脂基板10の外周囲をダムで流れ止めして樹脂をポッティングする方法等がある。
【0012】
図1(c)は、一方の面を樹脂封止した樹脂基板10を、樹脂基板10の支持体である吸着テーブル32にエア吸着して支持し、切断刃40を用いて封止樹脂14及び樹脂基板10を切断して個片の半導体装置を得る工程を示す。
封止樹脂14及び樹脂基板10を切断刃40によって切断する工程では、切断刃40の刃先を、樹脂基板10に形成した溝部30の位置に沿って、吸着テーブル32の支持面と溝部30とで囲まれた空隙内を移動するように設定する。吸着テーブル32の支持面は平面に形成されているから、溝部30を形成した部位で断面矩形状の空隙が形成される。
【0013】
図2は、樹脂基板10及び封止樹脂14を切断する切断刃40の刃先位置と溝部30との位置関係を拡大して示す断面図である。
図のように、切断刃40が移動した切断部18は、溝部30を形成した部分で、吸着テーブル32の支持面と溝部30とで囲まれた空隙内を切断刃40の刃先が移動するようにする。このように切断するために、溝部30の幅寸法を切断部18の幅寸法よりも広く設定し、切断刃40による切断部18の深さ寸法を溝部30内へ切断刃40の刃先が突出する寸法に設定する。
切断刃による切断幅は通常0.1mm〜0.2mm程度である。したがって、溝部30の幅寸法は0.4mm〜0.5mm程度あればよい。また、溝部30の深さ寸法は50μm程度以上にすることで、十分に切断刃の刃先を吸着テーブル32の支持面から離間させて切断することが可能である。
【0014】
上述した方法にしたがい、切断刃40により溝部30に沿って樹脂基板10及び封止樹脂14を切断することにより、個片の半導体装置が得られる。図1(d)は個片に切断された半導体装置50を示す。回路基板10aの一方の面に半導体素子12が搭載され、回路基板10aの一方の面で半導体素子12が樹脂封止されている。切断刃40により樹脂基板10及び封止樹脂14を切断したことにより封止樹脂14の側面と樹脂基板10の側面とが同一平面になる。30aは溝部30で切断したことによって形成された切り欠き部である。
【0015】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体素子12を搭載する面とは反対側の面に、あらかじめ溝部30を形成した樹脂基板10を使用することを特徴とし、溝部30と支持体の支持面とで囲まれた空隙内を切断刃40の刃先が移動するように設定して切断することによって、支持体である吸着テーブル32から切断刃40の刃先を離間させて樹脂基板10を切断可能にしたものである。
【0016】
本実施形態の方法によれば、樹脂基板10を支持する支持体を切断刃40が切断することはないから、支持体の支持面は単なる平坦面に形成するだけでよい。したがって、製品によって樹脂基板10の切断位置が異なる場合でも吸着テーブル32等の支持体を交換する必要がなく、共通に支持体を使用することが可能になる。
【0017】
また、樹脂基板10を支持する支持体として、吸着テーブル32等の支持体の表面に粘着テープを粘着したものを使用することも可能である。この場合も、切断刃40が粘着テープまで切り込むことがないから、従来のように粘着テープ16を切断刃40が切断することによて切断刃40が摩耗したり、加工速度が低下したりするといった問題を回避することができる。また、支持体に粘着テープを粘着するかわりに、樹脂基板10の他方の面に粘着テープ16を粘着した状態で、吸着テーブル32等で樹脂基板10を支持して樹脂基板10を切断することもできる。樹脂基板10の他方の面に粘着テープ16を粘着して樹脂基板10を切断した場合は、切断後の半導体装置が個々に分離されないよう保持できるという利点がある。
【0018】
また、本実施形態の方法は樹脂基板10及び封止樹脂14を完全に切断して個片の半導体装置を得るから、個片に切断された回路基板10aの端面にばりが生じるといった問題がまったく生じない。樹脂基板10としてガラス繊維入りの基板を使用する場合でも、切断部にばりのない半導体装置を得ることができる。
また、樹脂基板10として複数個の半導体素子を搭載できる樹脂基板10を使用することによって、半導体装置を効率的に生産することが可能である。
【0019】
なお、本実施形態では回路基板10aに半導体素子12のみを搭載したが、回路基板10aに半導体素子12以外のチップ抵抗等の回路部品を搭載することも可能である。これら素子搭載部品を回路基板10aの一方の面に搭載し、樹脂基板10の一方の面を樹脂封止した後、上記方法によって樹脂封止した樹脂基板10を切断することにより、個片のモジュール化された半導体装置が得られる。
【0020】
図3は半導体装置の製造方法の第2の実施形態を示す。この実施形態では回路基板10aの他方の面に断面形状でV字形の溝部30を形成した樹脂基板10を使用し、溝部30の位置に沿って樹脂基板10を切断することを特徴とする。V字形の溝部30は上記実施形態と同様に、一体に連設した回路基板10aを個片に区分する位置に一致して形成されており、切断刃40の刃先が溝部30に沿って溝部30内を移動して樹脂基板10を切断するように設定する。これによって樹脂基板10が切断刃で完全に切断される。
【0021】
本実施形態のように樹脂基板10の他方の面に断面形状でV字形の溝部30を形成し、溝部30に沿って切断刃40により樹脂基板10を切断する方法による場合も、樹脂基板10が完全に切断されることによって個片に切断された回路基板10aの端面にばりが生じることを防止することができる。また、溝部30をV字形に形成したことによって、切断後の回路基板10aの端面が面取りされた状態で得られるという利点がある。また、本実施形態の場合も、吸着テーブル32は樹脂基板10を支持する面を平坦面に形成したものでよく、切断位置が異なる製品を切断する場合でも共通の吸着テーブル32を使用することができる。また、樹脂基板10を支持する吸着テーブル32や樹脂基板10に粘着した粘着テープ16を切断刃で切り込むことがなく、上記実施形態と同様に切断刃の摩耗を防止し、切断加工の作業性を向上させることができる。
【0022】
なお、上記実施形態では、半導体素子12を搭載する面と反対側の面にあらかじめ溝部30を形成した樹脂基板10を使用したが、図4に示すように、溝部30を設けていない樹脂基板10に半導体素子12を搭載した後、樹脂基板10に溝部30を設け、切断刃40によって樹脂基板10を切断して個片の半導体装置を得ることも可能である。
図4(a)は、樹脂基板10の一方の面に半導体素子12を搭載した状態で、樹脂基板10の他方の面には溝部30を形成していない。図4(b)は、樹脂基板10の一方の面を封止樹脂14によって樹脂封止した状態である。
【0023】
本実施形態では、樹脂基板10の一方の面を樹脂封止した後、図4(c)に示すように、樹脂基板10の他方の面に溝部30を形成する。もちろん、溝部30は樹脂基板10を個片に分離する位置に沿って形成する。溝部30はルーター加工等によって形成する。
図4(d)は、溝部30を形成した樹脂基板10を吸着テーブル32によって支持し、切断刃40により、溝部30の位置に沿って樹脂基板10を個片に切断している状態である。切断刃40によって樹脂基板10を切断する際に、切断刃40の刃先が、溝部30と吸着テーブル32の支持面で囲まれた空隙内を移動するようにすることは上述した実施形態と同様である。
【0024】
半導体装置の製造工程によっては、樹脂基板10に溝部30を形成する加工を樹脂封止工程の後に行う方が加工工程上、効率的である場合がある。たとえば、溝部30を加工するルーター加工と、封止樹脂14及び樹脂基板10を切断する加工は同一の加工場で作業でき、搬送等の作業を考慮すると、効率的であるといった場合がある。そのような場合には、本実施形態の方法が適用できる。また、本実施形態では樹脂基板10に断面U字状の溝部30を形成したが、溝部30を断面V字状に形成することももちろん可能である。
【0025】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、上述したように、基板に溝部を設けて樹脂封止した基板を切断することにより、切断刃によって基板を個片に切断する際に支持体を切り込むことなく封止樹脂及び樹脂基板を切断することができ、切断刃の摩耗を抑え、加工効率を向上させて高精度の加工が可能になる。また、切断部にばりを生じさせずに良品の半導体装置を得ることができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 半導体装置の製造方法の第1の実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図2】 第1の実施形態において樹脂基板を切断する方法を拡大して示す説明図である。
【図3】 第2の実施形態における半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【図4】 樹脂基板を樹脂封止した後、溝部を形成する方法による半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【図5】 多数個取り用の基板を用いて半導体装置を製造する方法を示す説明図である。
【図6】 基板に粘着テープを粘着して半導体装置を製造する方法を示す説明図である。
【図7】 基板を固定治具に支持して半導体装置を製造する方法を示す説明図である。
【符号の説明】
10 樹脂基板
10a 回路基板
12 半導体素子
14 封止樹脂
16 粘着テープ
18 切断部
20 固定治具
22 溝部
30 溝部
32 吸着テーブル
40 切断刃
50 半導体装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more specifically, a semiconductor element is formed on each element mounting portion of a substrate in which a plurality of circuit boards each having an element mounting portion formed on one surface are integrally formed adjacent to each other. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor device is obtained by mounting and sealing a surface side of a substrate on which a semiconductor element is mounted, and then separating the resin-sealed substrate into individual pieces.
[0002]
[Prior art]
As a method for efficiently mass-producing semiconductor devices along with miniaturization of semiconductor packages, semiconductor elements or circuit components are mounted on a multi-chip substrate, and one side of the substrate on which the semiconductor elements are mounted is resin-sealed. Thereafter, there is a method of obtaining a semiconductor device by cutting a resin-sealed substrate into individual pieces.
In FIG. 5 , the
As described above, the method of obtaining the semiconductor device by mounting the
[0003]
By the method shown in FIG. 6, 7 when cutting the
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, as shown in FIG. 6 , when the
Further, as shown in FIG. 7 , when the
[0005]
In addition, if it is a method which does not cut | disconnect the
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device by mounting a semiconductor element on such a multi-piece substrate, sealing the entire surface of the substrate on which the semiconductor element is mounted, and then cutting it into individual pieces. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can reliably and efficiently cut a substrate into pieces without causing a flash and can efficiently manufacture a non-defective semiconductor device.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention comprises the following arrangement.
That is, a plurality of circuit boards each having an element mounting portion for mounting a semiconductor element formed on one surface are integrally formed, and a groove portion is formed on the other surface side in accordance with a position for dividing each circuit board. A semiconductor element is mounted on each element mounting portion of the substrate, and one surface side of the substrate on which the semiconductor element is mounted is sealed with a sealing resin, and then the other surface of the resin-sealed substrate the abut a support supporting a substrate, a resin sealed surface side of the substrate, the cutting edge of the cutting blade, the inside surrounded voids by a support along the groove and the groove It is characterized in that it is moved away from the support and the sealing resin and the substrate are cut to obtain individual semiconductor devices.
[0007]
In addition, a semiconductor element is mounted on each element mounting portion of a substrate on which a plurality of circuit boards each having an element mounting portion for mounting a semiconductor element formed on one surface are integrally formed, and the semiconductor element on the substrate is mounted After sealing one surface side with a sealing resin, a groove portion is formed on the other surface side of the resin-sealed substrate along a position where each circuit board is separated, and the groove portion is formed. has been the other surface of the substrate is brought into contact to support the substrate on a support, a resin sealed surface side of the substrate, the cutting edge of the cutting blade, the support and the groove along the groove It is characterized in that it is moved away from the support within the enclosed space, and the sealing resin and the substrate are cut to obtain individual semiconductor devices. In addition, when the cross-sectional shape of a groove part is formed in V shape, there exists an advantage that it can obtain in the state by which the end surface of the circuit board was chamfered .
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Below, it will be described in detail with reference to the accompanying drawings preferred embodiments of the present invention.
FIG. 1 shows a first embodiment of a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention. FIG. 1A shows a state where a
[0009]
In the embodiment, the
[0010]
A feature of the
[0011]
FIG. 1B shows a state where one surface of the
[0012]
In FIG. 1C, the
In the process of cutting the sealing
[0013]
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the positional relationship between the cutting edge position of the
As shown in the figure, the cutting
The cutting width by the cutting blade is usually about 0.1 mm to 0.2 mm. Therefore, the width dimension of the
[0014]
In accordance with the above-described method, the semiconductor substrate is obtained by cutting the
[0015]
The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment is characterized in that the
[0016]
According to the method of the present embodiment, since the
[0017]
In addition, as a support for supporting the
[0018]
In addition, since the method of this embodiment completely cuts the
Further, by using the
[0019]
In the present embodiment, only the
[0020]
FIG. 3 shows a second embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device. In this embodiment, the
[0021]
The
[0022]
In the above embodiment, the
FIG. 4A shows a state in which the
[0023]
In the present embodiment, after sealing one surface of the
FIG. 4D shows a state in which the
[0024]
Depending on the manufacturing process of the semiconductor device, it may be more efficient in terms of the processing process to perform the process of forming the
[0025]
【The invention's effect】
According to the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as described above, the substrate is provided with a groove portion on the substrate and cut with the resin seal. The sealing resin and the resin substrate can be cut without cutting, and the wear of the cutting blade can be suppressed, the processing efficiency can be improved, and high-precision processing becomes possible. Furthermore, it exhibits remarkable effects, such as can be obtained good semiconductor device without causing burrs to disconnect unit.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating manufacturing steps of a first embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device.
FIG. 2 is an explanatory view showing, in an enlarged manner, a method for cutting a resin substrate in the first embodiment.
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment.
FIG. 4 is an explanatory view showing a method of manufacturing a semiconductor device by a method of forming a groove after resin sealing a resin substrate.
FIG. 5 is an explanatory view showing a method for manufacturing a semiconductor device using a substrate for multi-piece fabrication.
FIG. 6 is an explanatory view showing a method for manufacturing a semiconductor device by adhering an adhesive tape to a substrate.
FIG. 7 is an explanatory view showing a method for manufacturing a semiconductor device by supporting a substrate on a fixing jig;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
2 0
40
Claims (3)
該基板の半導体素子が搭載された一方の面側を封止樹脂により樹脂封止した後、
該樹脂封止された基板の他方の面を支持体に当接させて基板を支持し、
前記基板の樹脂封止された面側から、切断刃の刃先を、前記溝部に沿って支持体と前記溝部とにより囲まれた空隙内を該支持体から離間させて移動させ、前記封止樹脂及び基板を切断して個片の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。A plurality of circuit boards each having an element mounting portion for mounting a semiconductor element formed on one surface are integrally formed, and a groove is formed on the other surface side in accordance with a position for dividing each circuit board. A semiconductor element is mounted on each element mounting portion of the substrate,
After sealing one surface of the substrate on which the semiconductor element is mounted with a sealing resin,
Support the substrate by bringing the other surface of the resin-sealed substrate into contact with the support,
A resin sealed surface side of the substrate, the cutting edge of the cutting blade, the air gap enclosed by said a support groove along the groove is moved is separated from the support, the sealing resin And a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is obtained by cutting a substrate.
該基板の半導体素子が搭載された一方の面側を封止樹脂により樹脂封止した後、
該樹脂封止された基板の他方の面側に、各々の回路基板を区分する位置に沿って溝部を形成し、
該溝部が形成された基板の他方の面を支持体に当接させて基板を支持し、
前記基板の樹脂封止された面側から、切断刃の刃先を、前記溝部に沿って支持体と前記溝部とにより囲まれた空隙内を該支持体から離間させて移動させ、前記封止樹脂及び基板を切断して個片の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。A semiconductor element is mounted on each element mounting portion of a substrate in which a plurality of circuit boards in which a device mounting portion for mounting a semiconductor element is formed on one surface is integrally formed,
After sealing one surface of the substrate on which the semiconductor element is mounted with a sealing resin,
On the other surface side of the resin-sealed substrate, a groove is formed along the position where each circuit board is separated,
Supporting the substrate by bringing the other surface of the substrate on which the groove is formed into contact with the support,
A resin sealed surface side of the substrate, the cutting edge of the cutting blade, the air gap enclosed by said a support groove along the groove is moved is separated from the support, the sealing resin And a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is obtained by cutting a substrate.
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