JP3710973B2 - Rotation detection sensor - Google Patents
Rotation detection sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP3710973B2 JP3710973B2 JP31240199A JP31240199A JP3710973B2 JP 3710973 B2 JP3710973 B2 JP 3710973B2 JP 31240199 A JP31240199 A JP 31240199A JP 31240199 A JP31240199 A JP 31240199A JP 3710973 B2 JP3710973 B2 JP 3710973B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic path
- path changing
- rotating
- changing pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 83
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 41
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転検出センサ及に係り、詳しくはマグネットを用いた回転検出センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
本出願人は、回転体の回転を検出するための回転検出センサとして、図10及び図11に示すものを提案している。同図に示す回転検出センサ1はモータのモータ軸の回転角度を検出するものであって、鉄板よりなる回転部材としての回転板2と磁気検知部材3とから構成されている。回転板2は、モータ軸4の回転とともに、その軸心Oを回転中心に回転する。図11に示すように、前記回転板2の回転面内の最外周部において、前記軸心Oを中心とする円弧状の3個の磁路変更片6a〜6cが同回転板2から延出形成されている。各磁路変更片6a〜6cが互いになす間隔は、前記軸心Oからみて60度の角度に設定されている。従って、回転板2の回転面内の最外周部において、軸心Oからみて60度の角度毎にこれらの磁路変更片6a〜6cと、これら磁路変更片6a〜6cが形成されていない空間7a〜7cが交互に存在している。
【0003】
又、回転板2の中心部には磁路変更片としての円柱状の磁路形成凸部8が前記磁路変更片6a〜6cと同じ方向に同回転板2から延出形成されている。
従って、磁路変更片6a〜6cから軸心Oに向かって回転板2を切断した場合の断面形状は、磁路変更片6a〜6c、回転板2及び磁路形成凸部8とでコの字状となる。
【0004】
又、磁路形成凸部8には貫通孔9が形成され、前記モータ軸4が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材3は、検知部本体10と支持アーム11とから構成されている。図11に示すように、検知部本体10は、回転板2に形成した磁路変更片6a〜6cの内側であって、その磁路変更片6a〜6cと磁路形成凸部8との間に位置する空間内に配設される。検知部本体10は複数の磁気検知体13〜15を樹脂モールド材12にて封止することにより構成されている。各磁気検知体13〜15は、回転板2に対して対向して配置されるとともに所定の向きに配設されたバイアスマグネット13b〜15bと該バイアスマグネット13b〜15bの磁束を検出する磁気抵抗素子13a〜15aとを備えている。そして、この回転検出センサ1は、回転中の回転板2とともに一体に移動する磁路変更片6a〜6cが各磁気検知体13と対応する位置を通過する際にバイアスマグネット13bの磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子13a〜15aにて検出するようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、回転検出センサ1は検出ポイントにてバイアスマグネット13b〜15bの磁束の向きが大きく変化するように、検知部本体10の内外両側に磁路変更片6a〜6c及び磁路形成凸部8を設けている。そのため、回転板2の質量が大きいものとなる。従って、例えばモータ軸の回転を検出するためにこの回転検出センサ1を使用する場合、回転板2の質量が大きいためモータに負荷がかかり、しかも、高速回転させると磁路変更片6a〜6cの空気抵抗が大きくなるため、電流消費が増大するという問題がある。
【0006】
本発明は、上記問題を解消するためになされたものであって、その目的は、回転部材の軽量化を図り、回転体の負荷を低減することができる回転検出センサを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、回転部材と、該回転部材の回転中心に取着された回転体と、前記回転部材における回転面の回転中心の回りに所定の間隔で、前記回転体の軸方向に立設されている複数個の磁路変更片と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とからなる回転検出センサにおいて、前記磁路変更片を、前記磁気検知素子に対して、回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片の前記回転体側の面を該回転体に当接させた回転検出センサを要旨とするものである。
【0008】
請求項2の発明は、回転面の回転中心の回りに所定の間隔に複数個の磁路変更片を立設した回転部材と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と該磁石を検出する磁気検知素子とからなる回転検出センサにおいて、前記磁路変更片を前記磁気検知素子に対して回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片は前記回転部材の回転中心に取着された回転体に対してその周囲に配置したボスを兼用するものであって、前記磁路変更片の前記回転体側の面を該回転体に当接させたものである。
【0010】
(作用)
請求項1に記載の発明によれば、回転部材の磁路変更片を、磁気検知素子よりも回転面の径方向内側にのみ配置した場合には、従来の図10及び図11の構成とは異なり、回転板を大きくする必要がなく、従って、回転部材がコンパクト化される。
【0012】
このように、回転部材そのものがコンパクト化されると、軽量化が可能となり、回転部材を高速回転させても、磁路変更片の空気抵抗が大きくなることがない。
【0013】
請求項2に記載の発明によれば、前記磁路変更片は、回転部材の回転中心に取着された回転軸に対してその周囲に配置したボスとして兼用されるため、ボスを別途に設ける必要がない。従って、回転部材の軽量化を図ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
(第1の参考例)
以下、本発明を回転位置センサに具体化した一参考例を図1〜図4に従って説明する。なお、前記従来の形態に相当する構成については同一符号を付す。
【0016】
図1は、回転位置センサの要部分解斜視図である。回転検出センサとしての回転位置センサ100は、鉄板よりなる回転部材としての回転板2と磁気検知部材3とから構成されている。
【0017】
前記回転板2はそのボス部17にてモータのモータ軸4に対して貫通取着され、モータ軸4の回転とともに、その軸心Oを回転中心に回転する。なお、前記ボス部17には前記モータ軸4を貫挿固着するための貫通孔9が形成されている。前記回転板2の最外周部には、3個の磁路変更片18a,18b,18cが設けられている。
【0018】
すなわち、図2に示すように、磁路変更片18a,18b,18cは前記回転板2の回転面に対して、前記ボス部17とは軸心Oから若干離間した位置において、前記軸心Oを中心とした断面円弧状に、延出形成されている。磁路変更片18a,18b,18cは、一端から他端までが前記軸心Oからみて60度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片18a,18b,18cが互いになす間隔は、前記軸心Oからみて60度の角度をなすように形成されている。
【0019】
従って、回転板2の面内の最外周部において、軸心Oからみて60度の角度毎にこれらの磁路変更片18a,18b,18cと、これら磁路変更片18a,18b,18cが形成されていない空間19a,19b,19cが交互に存在することになる。
【0020】
前記磁気検知部材3の検知部本体10は、回転板2に形成した磁路変更片18、18b、18cの外側に配設されている。
前記検知部本体10は、3個の第1〜第3の磁気検知体13、14、15が樹脂モールド材12にて封止され、前記支持アーム11の先端部に固設されている。支持アーム11の基端部は図示しない固定部材に固定されている。第1の磁気検知体13は、磁気検知素子としての第1磁気抵抗素子13aと磁石としての第1バイアスマグネット13bとから構成されている。第1バイアスマグネット13bは軸心O側がN極で外側がS極となるように配設されるとともに、第1磁気抵抗素子13aに対して軸心O側で、且つ図2において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【0021】
第1磁気抵抗素子13aは、第1バイアスマグネット13bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図4に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する4個の抵抗体R1,R2,R3,R4を備えている。2個の抵抗体R1,R4のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、2個の抵抗体R2,R3のグループは前記抵抗体R1,R4の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置されている。
【0022】
本参考例での磁束の向きの変化範囲は、磁束の向きが軸心Oから略半径方向に対し反時計回り方向に所定角度の向きになるときから、前記略半径方向に対して時計回り方向に所定角度の向きになるときの範囲までである。
【0023】
なお、各抵抗体R1〜R4はNi−CO薄膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成膜されている。抵抗体R1〜R4は、同温度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定されている。なお、抵抗体R1〜R4は雰囲気温度が上昇すると、感度が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
【0024】
そして、磁束の向きが前記軸心Oから略半径方向に対し反時計回り方向へ所定角度をなす向きになるときは、抵抗R1,R4は抵抗値が大きくなる第1の状態になるとともに、抵抗R2,R3は抵抗値が小さくなる第2の状態になるように配置され、磁束の向きが前記略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度のをなす向きになるとき、抵抗R1,R4は抵抗値が小さくなる第2の状態になるとともに、抵抗R2,R3は抵抗値が大きくなる第1の状態となるように配置されている。従って、これらの状態は、磁束の変化に応じて交互に生ずる。
【0025】
前記各抵抗R1〜R4は図4に示すようにブリッジ回路としての4端子ブリッジ回路Bを構成するように接続されている。
前記抵抗Rと抵抗R2との接続点(中点)aは、基板に設けられたコンパレータCPの非反転入力端子に接続され、抵抗R3と抵抗R4との接続点(中点)bは、同コンパレータCPの反転入力端子に接続されている。
【0026】
前記コンパレータCP、4端子ブリッジ回路Bとにより検出回路DCが構成されている。
前記検出回路DCのブリッジ回路Bを構成する抵抗R1,R4は、磁束の向きが前記軸心Oから略半径方向に対し反時計周り方向へ所定角度をなす向きになる場合、中点aの電位は、中点bの基準電圧よりも小さいLレベルとなる。
【0027】
又、磁束の向きが前記略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度をなす向きになる場合、中点aの電位は中点bの基準電圧よりもHレベルとなる。
なお、本参考例での検出ポイントPは移動(回転)中の磁路変更片18a,18b,18cの回転方向のエッジ部分である。
【0028】
第2の磁気検知体14は、磁気検知素子としての第2磁気抵抗素子14aと磁石としての第2バイアスマグネット14bとから構成されている。第2磁気抵抗素子14aと第2バイアスマグネット14bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子13aと第1バイアスマグネット13bとの間の配置関係と同じである。そして、第2磁気抵抗素子14aと第2バイアスマグネット14bは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子13aと第1バイアスマグネット13bに対して、図2において、前記軸心Oを中心に時計回り方向に40度の位置に配設される。
【0029】
第2磁気抵抗素子14aは、前記第1磁気抵抗素子13aと同様に第2バイアスマグネット14bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図4に示すような4個の抵抗R1〜R4を備えており、前記第1磁気抵抗素子13aと同様に作用する。
【0030】
又、第2磁気抵抗素子14aの抵抗R1〜R4は、第1磁気抵抗素子13aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第2磁気抵抗素子14aの抵抗R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC及びブリッジ回路Bの作用は前記第1磁気抵抗素子13aの場合の検出回路DCと同様に機能(作用)する。
【0031】
第3の磁気検知体15は、磁気検知素子としての第3磁気抵抗素子15aと磁石としての第3バイアスマグネット15bとから構成されている。第3磁気抵抗素子15aと第3バイアスマグネット15bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子13aと第1バイアスマグネット13bとの間の配置関係と同じである。そして、第3磁気抵抗素子15aと第3バイアスマグネット15bは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子13aと第1バイアスマグネット13bに対して、図2において、前記軸心Oを中心に反時計回り方向に40度の位置に配設される。
【0032】
第3磁気抵抗素子15aは、前記第1磁気抵抗素子13aと同様に第3バイアスマグネット15bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図4に示すような4個の抵抗R1〜R4を備えており、前記第1磁気抵抗素子13aと同様に作用する。
【0033】
又、第3磁気抵抗素子15aの抵抗R1〜R4は、第1磁気抵抗素子13aの場合と同様に4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第3磁気抵抗素子15aの抵抗R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC作用は前記第1磁気抵抗素子13aの場合の検出回路20と同様に機能(作用)する。
【0034】
さて、上記のように構成された回転位置センサ100の作用を説明する。
第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bと磁路変更片18a〜18cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bの各々が、図2に示す第3バイアスマグネット15bの位置に位置するとき、即ち、軸心OからN極を通る放射線上(以下、内側方という)に磁路変更片18a〜18cのいずれかが位置する場合には、それらの磁束は略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。
【0035】
これは、磁路変更片18a〜18c、及び回転板2を通過する磁路が形成され、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bのN極から磁束が磁路変更片18a〜18cに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片18a〜18c側、即ち略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向となる。つまり、磁路変更片18a〜18cは磁路形成片となる。
【0036】
従って、この場合には4端子ブリッジ回路Bの中点a電圧はLレベルとなる。又、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bと磁路変更片18a〜18cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bの各々が、図2に示す第2バイアスマグネット14bの位置に位置したとき、即ち、N極の内側方に磁路変更片18a〜18cが位置しない場合には、それら磁束は略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片18a〜18cがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きとなる。
【0037】
従って、この場合には4端子ブリッジ回路Bの中点a電圧はHレベルとなる。さらに、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bと磁路変更片18a〜18cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bの各々が、図2に示す第1バイアスマグネット13bの位置に位置し、磁路変更片18a〜18cがない位置から磁路変更片18a〜18cの端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して反時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【0038】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aはHレベルからLレベルに立ち下がる電圧を出力する。
さらに、磁路変更片18a〜18cがある位置からその端を通過する時には、それら磁束の向きは略略半径方向に対して反時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【0039】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aはLレベルからHレベルに立ち4上がる電圧を出力する。
このようにして、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電位は、Hレベル、Lレベルとなり、検出回路DCのコンパレータCPによって基準電圧(閾値電圧)となる側の中点bに基づいて立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【0040】
次に、上記のように構成した回転位置センサ100の特徴について説明する。
(1)本参考例では、第1〜第3磁気抵抗素子13a〜15aと第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bからなる検知部本体10を回転板2の回転面の径方向外側に配設し、すなわち、磁路変更片18a〜18cの外側方にのみ配設した。
【0041】
この結果、磁路変更片18a〜18cは、磁気検知部材3よりも径方向内側に配置されるため、回転板2の中心側に位置する。従って、回転板2(回転部材)そのものがコンパクト化されるとともに、回転板2の磁路変更片18a,18b,18cを磁気検知部材3よりも径方向外側に配置した場合よりも軽量化が可能となる。又、回転板2を高速回転させても、回転板2の磁路変更片18a,18b,18cを磁気検知部材3よりも径方向外側に配置した場合よりも磁路変更片18a,18b,18cの空気抵抗が大きくなることがない。
【0042】
このため、回転板2をモータ軸4に取着した場合、モータの回転負荷を小さくでき、大きくなることがない。
(2) 本参考例では検知部本体10を回転板2の回転面の径方向外側に配設したので、回転位置センサが大型化することはない。
【0043】
(3) 本参考例では磁路変更片18a〜18cは、回転板2と一体に形成されているため、部品点数の増加はなく、組み付け工数も増加することはない。
(実施形態)
次に、本発明の一実施形態を図4〜図7に従って説明する。
【0044】
尚、説明の便宜上、第1参考例と共通の部材について符号を同じにしてその詳細な説明は省略する。
図5及び図6に示すように、この回転位置センサ40では、前記第1参考例の構成中、磁路変更片18a〜18cが省略され、回転板2上には前記モータ軸4から最外周部にいたる断面扇形状の磁路変更片36a,36b,36cが形成されている。磁路変更片36a,36b,36cは、一端から他端までが、前記軸心からみて60度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片36a,36b,36cが互いになす間隔は、前記軸心からみて60度の角度をなすように形成されている。
【0045】
従って、回転板2の面内の内周部において、軸心からみて60度の角度毎にこれらの磁路変更片36a,36b,36cと、これら磁路変更片36a,36b,36cが形成されていない空間37a,37b,37cとが交互に存在することになる。又、前記磁路変更片36a,36b,36cの内周面は、モータ軸4に当接されており、従って、前記磁路変更片36a,36b,36cは回転板22のボスを兼用している。
【0046】
磁気検知部材43は、検知部本体44と支持アーム11とから構成されている。検知部本体44は、回転板2に形成した磁路変更片36a,36b,36cの外側に位置するように配設される。
【0047】
検知部本体44は、3個の第1〜第3の磁気検知体45,46,47が樹脂モールド材12にて封止され、前記支持アーム11の先端部に固設されている。
第1の磁気検知体45は、磁気検知素子としての第1磁気抵抗素子45aと磁石としての第1バイアスマグネット45bとから構成されている。第1バイアスマグネット45bは軸心O側がN極で外側がS極となるように配設されるとともに、第1磁気抵抗素子45aよりも外側で、且つ図6において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【0048】
第1磁気抵抗素子45aは、第1バイアスマグネット45bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図4に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する4個の抵抗R1,R2,R3,R4を備えている。2個の抵抗R1,R4のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、抵抗R2,R3のグループは前記抵抗R1,R4の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置されている。
【0049】
本実施形態での磁束の向きの変化範囲は、第1参考例と同様に磁束の向きが軸心Oから略半径方向に対し反時計回り方向に所定角度の向きになるときから、前記略半径方向に対して時計回り方向に所定角度の向きになるときの範囲までである。又、各抵抗R1〜R4の構成及び配置についても前記第1参考例と同様に設けられている。前記各抵抗R1〜R4は図4に示すようにブリッジ回路としての4端子ブリッジ回路Bを構成するとともに抵抗R1と抵抗R2との接続点(中点)aは、第1参考例と同様にコンパレータCPの非反転入力端子に接続され、抵抗R3と抵抗R4との接続点(中点)bは、同コンパレータCPの反転入力端子に接続されている。
【0050】
なお、本実施形態での検出ポイントPは移動(回転)中の磁路変更片36a,36b,36cの回転方向のエッジ部分である。
第2の磁気検知体46は、磁気検知素子としての第2磁気抵抗素子46aと、磁石としての第2バイアスマグネット46bとから構成されている。第2磁気抵抗素子46aと第2バイアスマグネット46bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子45aと第1バイアスマグネット45bとの間の配置関係と同じである。そして、第2磁気抵抗素子46aと第2バイアスマグネット46bとは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子45aと第1バイアスマグネット45bとに対して、図6において、前記軸心Oを中心に時計回り方向に40度の位置に配設される。
【0051】
第2磁気抵抗素子46aは、前記第1磁気抵抗素子45aと同様に第2バイアスマグネット46bの磁束の向きによって検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図4に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する4個の抵抗R1〜R4を備えており、前記第1磁気抵抗体45aと同様に構成配置され、同作用を行う。
【0052】
又、第2磁気抵抗素子46aの抵抗R1〜R4は、第1磁気抵抗素子45aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第2磁気抵抗素子46aの抵抗R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC及びブリッジ回路Bの作用は前記第1磁気抵抗素子45aの場合の検出回路DCと同様に機能(作用)する。
【0053】
第3の磁気検知体47は、磁気検知素子としての第3磁気抵抗素子47aと磁石としての第3バイアスマグネット47bとから構成されている。第3磁気抵抗素子47aと第3バイアスマグネット47bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子45aと第1バイアスマグネット45bとの間の配置関係と同じである。そして、第3磁気抵抗素子47aと第3バイアスマグネット47bとは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子45aと第1バイアスマグネット45bとに対して、図6において、前記軸心Oを中心に反時計回り方向に40度の位置に配設される。
【0054】
第3気抵抗素子47aは、前記第1磁気抵抗素子45aと同様に第3バイアスマグネット47bの磁束の向きによって検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図4に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する4個の抵抗R1〜R4を備えており、前記第1磁気抵抗体45aと同様に構成配置され、同作用を行う。
【0055】
又、第3磁気抵抗素子47aの抵抗R1〜R4は、第1磁気抵抗素子45aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第3磁気抵抗素子47aの抵抗R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC及びブリッジ回路Bの作用は前記第1磁気抵抗素子45aの場合の検出回路DCと同様に機能(作用)する。
【0056】
さて、上記のように構成された回転位置センサ40の作用を説明する。
第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bが、図6に示す第3バイアスマグネット47bの位置に位置するとき、即ち、N極の前方に磁路変更片36a〜36cのいずれかが位置する場合には、それら第1〜第3バイアスマグネット47b〜47bの磁束の向きは磁束は略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。これは、第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bのN極から磁束が磁路変更片36a〜36cに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片36a〜36c側、即ち略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。
【0057】
従って、この場合には4端子ブリッジ回路Bの中点a電圧はLレベルとなる。又、第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bと磁路変更片36a〜36cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bが、図6に示す第2バイアスマグネット46bの位置に位置するとき、即ち、N極の前方に磁路変更片36a〜36cが位置しない場合には、それら第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bの磁束は半径方向に対して時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片36a〜36cがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きとなる。
【0058】
従って、この場合には4端子ブリッジ回路Bの中点a電圧はHレベルとなる。さらに、第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bと磁路変更片36a〜36cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bの各々が、図6に示す第1バイアスマグネット45bの位置にあって、N極の前方に磁路変更片36a〜36cがない位置から磁路変更片36a〜36cの端部が通過する時には、それら第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bの磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して反時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【0059】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aはHレベルからLレベルに立ち下がる電圧を出力する。
さらに、第1〜第3磁気抵抗素子45a〜47aの前方に磁路変更片36a〜36cがある位置から磁路変更片36a〜36cの端部が通過する時には、それら第1〜第3バイアスマグネット45b〜47bの磁束の向きは略略半径方向に対して反時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【0060】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aはLレベルからHレベルに立ち上がる電圧を出力する。
このようにして、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電位は、Hレベル、Lレベルとなり、検出回路DCのコンパレータCPによって基準電圧(閾値電圧)となる側の中点bに基づいて立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【0061】
次に、上記のように構成した回転位置センサ40の特徴について説明する。
(1)本実施形態では、小径の回転板2を使用し、この回転板2上にはモータ軸4から最外周部にいたる磁路変更片36a,36b,36cを形成し、回転板2の外周部に磁気検知部材43を配置した。
【0062】
従って、本実施形態の回転板2は従来の回転板2と比較して質量を小さくすることができる。よって、例えばモータ軸4の回転を検出するためにこの回転位置センサ40を使用する場合、モータにかかる負荷を低減して電流消費の増大を抑制することができる。
【0063】
(第2参考例)
次に回転検出センサとしての回転位置センサ200に係る第2参考例を図8及び図9を参照して説明する。なお、本参考例では、図10及び図11に示す従来の形態を変更したものであり、従来と同一の構成については、同一符号を付して、異なるところのみを省略する。
【0064】
本参考例では、図8及び図9に示すように、磁路形成凸部8が省略されて、回転板2がモータ軸4に一体に固定されている。従って、本参考例では、磁路変更片6a〜6cから軸心Oに向かって回転板2を切断した場合の断面形状は、磁路変更片6a〜6c、回転板2とにてL形状をなす。
【0065】
すなわち、本参考例では、回転面の回転中心の回りに所定の間隔に複数個の磁路変更片6a〜6cを立設した回転板2と、回転板2に対して所定の向きに配設されたバイアスマグネット13b〜15bと同バイアスマグネット13b〜15bを検出する磁気抵抗素子13a〜15aとからなる回転位置センサを構成した。そして、磁路変更片6a〜6cを、磁気抵抗素子13a〜15aに対して、回転面の径方向の外側にのみ配設した。
【0066】
この結果、本参考例では、磁路形成凸部8が省略された分だけ、回転板2を小径とすることができ、この結果、コンパクト化、及び軽量化ができる。
なお、実施形態及び参考例は上記実施形態及び参考例に限定されるものではなく、次のように変更してもよい。
【0067】
○ 前記実施形態及び参考例では、磁路変更片18a〜18c、36a〜36cは、一端から他端までが軸心Oからみて60度の角度をなすようにし、すなわち、60度間隔とし、各磁気検知体13,14,15を軸心Oからみて40度間隔とした。この代わりに、磁路変更片18a〜18c、36a〜36cを30度間隔とし、各磁気検知体13,14,15の間隔を20度間隔としてもよい。こうすると、各実施形態及び参考例よりも細かい角度が検出できる。
【0068】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項1に記載の発明によれば、回転部材が軽量化でき、回転体の負荷を低減することができる。
【0069】
請求項2に記載の発明によれば、磁路変更片を、回転部材の回転中心に取着された回転軸に対してその周囲に配置したボスとして兼用されるため、ボスを別途に設ける必要がなく、回転部材の軽量化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1参考例の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図2】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図3】同じく回転位置センサの要部断面図。
【図4】磁気抵抗素子の等価回路図。
【図5】実施形態を説明するための回転位置センサの要部分解斜視図。
【図6】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図7】同じく回転位置センサの要部断面図。
【図8】第2参考例を説明するための回転位置センサの要部分解斜視図。
【図9】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図10】出願人が提案している従来の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図11】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【符号の説明】
40,100,200…回転検出センサとしての回転位置センサ、2…回転板
3…磁気検知部材、4…回転体としてのモータ軸、
6a〜6c、18a〜18c、36a〜36c…磁路変更片、
19a〜19c…空間、9…貫通孔、10…検知部本体、11…支持アーム、
12…樹脂モールド材、13,45…第1の磁気検知体,
14,46…第2の磁気検知体,15,47…第3の磁気検知体、
13a,45a…第1磁気抵抗素子、
13b,45b…第1バイアスマグネット、
14a,46a…第2磁気抵抗素子、
14b,46b…第2バイアスマグネット、
15a,47a…第3磁気抵抗素子、
15b,47b…第3バイアスマグネット、
Vout…検出電圧、R1〜R4…抵抗体。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a rotation detection sensor and, more particularly, to a rotation detection sensor using a magnet.
[0002]
[Prior art]
The present applicant has proposed a rotation detection sensor shown in FIGS. 10 and 11 for detecting the rotation of the rotating body. A
[0003]
Further, a cylindrical magnetic path forming
Therefore, the cross-sectional shape when the
[0004]
A through
The
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the
[0006]
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a rotation detection sensor capable of reducing the weight of the rotating member and reducing the load on the rotating body.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The invention described in claim 1 A rotating member, a rotating body attached to the rotation center of the rotating member, and the rotating member Predetermined spacing around the center of rotation of the rotating surface In the axial direction of the rotating body Multiple magnetic path change pieces When A magnet disposed in a predetermined direction with respect to the rotating member; , The magnet Magnetic flux In the rotation detection sensor comprising a magnetic sensing element for detecting the magnetic sensing element, the magnetic path changing piece is located within the radial direction of the rotating surface with respect to the magnetic sensing element. On the side Only arranged And the surface of the magnetic path changing piece on the rotating body side is brought into contact with the rotating body. The gist is a rotation detection sensor.
[0008]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a rotating member in which a plurality of magnetic path changing pieces are erected at predetermined intervals around the rotation center of the rotating surface, and a magnet arranged in a predetermined direction with respect to the rotating member. In a rotation detection sensor comprising a magnetic sensing element for detecting the magnet, the magnetic path changing piece is disposed only inside the radial direction of the rotating surface with respect to the magnetic sensing element, and the magnetic path changing piece is Rotation attached to the rotation center of the rotating member body Against which the bosses placed around the Thus, the surface on the rotating body side of the magnetic path changing piece was brought into contact with the rotating body Is.
[0010]
(Function)
According to the first aspect of the present invention, when the magnetic path changing piece of the rotating member is disposed only on the radially inner side of the rotating surface with respect to the magnetic sensing element, the conventional configuration of FIGS. In contrast, there is no need to increase the size of the rotating plate, and thus the rotating member is made compact.
[0012]
Thus, when the rotating member itself is made compact, the weight can be reduced, and even if the rotating member is rotated at a high speed, the air resistance of the magnetic path changing piece does not increase.
[0013]
According to the second aspect of the present invention, the magnetic path changing piece is also used as a boss arranged around the rotating shaft attached to the rotation center of the rotating member, so that the boss is provided separately. There is no need. Therefore, the weight of the rotating member can be reduced.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First Reference example )
Hereinafter, the present invention is embodied in a rotational position sensor. Reference example Will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the structure corresponded to the said conventional form.
[0016]
FIG. 1 is an exploded perspective view of a main part of the rotational position sensor. A
[0017]
The rotating
[0018]
That is, as shown in FIG. 2, the magnetic
[0019]
Therefore, these magnetic
[0020]
The detection unit
In the detection unit
[0021]
The first
[0022]
Book Reference example The change range of the direction of the magnetic flux in the direction from the time when the direction of the magnetic flux becomes a predetermined angle in the counterclockwise direction with respect to the substantially radial direction from the axis O to a predetermined angle in the clockwise direction with respect to the substantially radial direction. It is up to the range when it becomes the direction.
[0023]
Each of the resistors R1 to R4 is formed by forming a Ni—CO thin film in a zigzag manner on the substrate, that is, in a polygonal line shape. The resistors R1 to R4 are set to have the same resistance value under the same temperature atmosphere. The resistors R1 to R4 have sensitivity temperature characteristics that change in sensitivity when the ambient temperature rises. In this sensitivity temperature characteristic, it is preferable that the sensitivity temperature change rate and the resistance temperature change rate coincide with each other.
[0024]
When the direction of the magnetic flux is a direction that forms a predetermined angle in the counterclockwise direction with respect to the substantially radial direction from the axis O, the resistors R1 and R4 are in the first state in which the resistance value is increased, and the resistors R2 and R3 are arranged so as to be in a second state in which the resistance value becomes small. When the direction of the magnetic flux is a direction that forms a predetermined angle in the clockwise direction with respect to the substantially radial direction, the resistors R1 and R4 are The resistors R2 and R3 are arranged so as to be in the first state in which the resistance value is increased while the resistance value is in the second state in which the resistance value is decreased. Therefore, these states occur alternately according to the change in magnetic flux.
[0025]
The resistors R1 to R4 are connected to form a four-terminal bridge circuit B as a bridge circuit as shown in FIG.
A connection point (middle point) a between the resistors R and R2 is connected to a non-inverting input terminal of a comparator CP provided on the substrate, and a connection point (middle point) b between the resistors R3 and R4 is the same. It is connected to the inverting input terminal of the comparator CP.
[0026]
The comparator CP and the four-terminal bridge circuit B constitute a detection circuit DC.
The resistors R1 and R4 constituting the bridge circuit B of the detection circuit DC have a potential at the midpoint a when the direction of the magnetic flux is a predetermined angle in the counterclockwise direction with respect to the substantially radial direction from the axis O. Becomes an L level smaller than the reference voltage at the middle point b.
[0027]
When the direction of the magnetic flux is a direction that forms a predetermined angle in the clockwise direction with respect to the substantially radial direction, the potential at the midpoint a is higher than the reference voltage at the midpoint b.
Book Reference example The detection point P at is the edge portion in the rotation direction of the magnetic
[0028]
The second
[0029]
Similarly to the first
[0030]
Further, the resistors R1 to R4 of the second magnetoresistive element 14a constitute a 4-terminal bridge circuit similar to the case of the first
[0031]
The third
[0032]
Similarly to the first
[0033]
The resistors R1 to R4 of the third
[0034]
Now, the operation of the
In the relative positional relationship between the first to
[0035]
The magnetic
[0036]
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B is L level. Further, in the relative positional relationship between the first to
[0037]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is H level. Furthermore, in the relative positional relationship between the first to
[0038]
Therefore, in this case, the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs a voltage that falls from the H level to the L level.
Further, when the magnetic
[0039]
Therefore, in this case, the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs a voltage that rises from L level to H level.
In this way, the potential at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B becomes H level and L level, and falls based on the midpoint b on the side that becomes the reference voltage (threshold voltage) by the comparator CP of the detection circuit DC. Is shaped into a detection signal that becomes steep.
[0040]
Next, features of the
(1) Book Reference example Then, the detector
[0041]
As a result, the magnetic
[0042]
For this reason, when the
(2) Books Reference example Then, since the detection part
[0043]
(3) Books Reference example Then, since the magnetic
(Actual Embodiment)
Next, the present invention one The embodiment will be described with reference to FIGS.
[0044]
For convenience of explanation, the first Reference example The same reference numerals are used for members that are the same as those in FIG.
As shown in FIGS. 5 and 6, the
[0045]
Accordingly, the magnetic
[0046]
The
[0047]
In the detection unit
The first magnetic detection body 45 includes a first
[0048]
The first
[0049]
The change range of the direction of the magnetic flux in this embodiment is the first. Reference example Similarly, the range from when the direction of the magnetic flux is a predetermined angle in the counterclockwise direction with respect to the substantially radial direction from the axis O to the direction of the predetermined angle in the clockwise direction with respect to the substantially radial direction. Up to. The first resistor R1 to R4 are also configured and arranged in the first manner. Reference example It is provided in the same way. Each of the resistors R1 to R4 constitutes a four-terminal bridge circuit B as a bridge circuit as shown in FIG. 4, and a connection point (middle point) a between the resistors R1 and R2 is the first. Reference example Similarly, a connection point (middle point) b between the resistor R3 and the resistor R4 is connected to an inverting input terminal of the comparator CP.
[0050]
In the present embodiment, the detection point P is an edge portion in the rotational direction of the magnetic
The second magnetic detection body 46 includes a second magnetoresistive element 46a as a magnetic detection element and a second bias magnet 46b as a magnet. The positional relationship between the second magnetoresistive element 46a and the second bias magnet 46b is the same as the positional relationship between the first
[0051]
Similar to the first
[0052]
Further, the resistors R1 to R4 of the second magnetoresistive element 46a constitute a 4-terminal bridge circuit similar to the case of the first
[0053]
The third magnetic detector 47 includes a third magnetoresistive element 47a as a magnetic detection element and a third bias magnet 47b as a magnet. The positional relationship between the third magnetoresistive element 47a and the third bias magnet 47b is the same as the positional relationship between the first
[0054]
The third air resistance element 47a is a magnetoresistive element whose detection voltage changes depending on the direction of the magnetic flux of the third bias magnet 47b, similar to the
[0055]
Further, the resistors R1 to R4 of the third magnetoresistive element 47a constitute a 4-terminal bridge circuit similar to the case of the first
[0056]
Now, the operation of the
When the first to
[0057]
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B is L level. Further, in the relative positional relationship between the first to
[0058]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is H level. Furthermore, in the relative positional relationship between the first to
[0059]
Therefore, in this case, the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs a voltage that falls from the H level to the L level.
Further, when the ends of the magnetic
[0060]
Therefore, in this case, the midpoint a of the 4-terminal bridge circuit B outputs a voltage that rises from the L level to the H level.
In this way, the potential at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B becomes H level and L level, and falls based on the midpoint b on the side that becomes the reference voltage (threshold voltage) by the comparator CP of the detection circuit DC. Is shaped into a detection signal that becomes steep.
[0061]
Next, the features of the
(1) In this embodiment, a small-
[0062]
Therefore, the
[0063]
(No. 2 Reference examples )
Next, a
[0064]
Book Reference example Then, as shown in FIGS. 8 and 9, the magnetic path forming
[0065]
Ie book Reference example Then, the
[0066]
As a result, the book Reference example Then, the
Embodiment And reference examples Is the above Embodiments and reference examples However, the present invention is not limited to the above and may be changed as follows.
[0067]
○ The embodiment And reference examples Then, the magnetic
[0068]
【The invention's effect】
As detailed above, the
[0069]
According to the invention described in
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 Reference example The principal part disassembled perspective view of this rotational position sensor.
FIG. 2 is a plan view showing the positional relationship between the rotating plate and the magnetic detection member.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the main part of the rotational position sensor.
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a magnetoresistive element.
[Figure 5] Fruit The principal part disassembled perspective view of the rotation position sensor for demonstrating embodiment.
FIG. 6 is a plan view showing the positional relationship between the rotating plate and the magnetic detection member.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the main part of the rotational position sensor.
FIG. 8 2 Reference examples The principal part disassembled perspective view of the rotation position sensor for demonstrating.
FIG. 9 is a plan view showing the positional relationship between the rotating plate and the magnetic detection member.
FIG. 10 is an exploded perspective view of a main part of a conventional rotational position sensor proposed by the applicant.
FIG. 11 is a plan view showing the positional relationship between the rotary plate and the magnetic detection member.
[Explanation of symbols]
40, 100, 200 ... rotation position sensor as rotation detection sensor, 2 ... rotation plate
3 ... magnetic detection member, 4 ... motor shaft as rotating body,
6a-6c, 18a-18c, 36a-36c ... Magnetic path changing piece,
19a to 19c ... space, 9 ... through hole, 10 ... detector body, 11 ... support arm,
12 ... Resin mold material, 13, 45 ... First magnetic detector,
14, 46 ... second magnetic detector, 15, 47 ... third magnetic detector,
13a, 45a ... 1st magnetoresistive element,
13b, 45b ... 1st bias magnet,
14a, 46a ... 2nd magnetoresistive element,
14b, 46b ... second bias magnet,
15a, 47a ... 3rd magnetoresistive element,
15b, 47b ... third bias magnet,
Vout: detection voltage, R1 to R4: resistor.
Claims (2)
前記磁路変更片(36a〜36c)を、前記磁気検知素子(45a〜47a)に対して、回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片(36a〜36c)の前記回転体(4)側の面を該回転体(4)に当接させた回転検出センサ。The rotating member (2), the rotating body (4) attached to the rotating center of the rotating member (2), and the rotating member at a predetermined interval around the rotating center of the rotating surface of the rotating member (2). A plurality of magnetic path changing pieces (36a to 36c) erected in the axial direction of the body (4) and magnets (45b to 47b) arranged in a predetermined direction with respect to the rotating member (2) And a rotation detection sensor comprising magnetic detection elements (45a to 47a) for detecting magnetic flux of the magnets (45b to 47b),
The magnetic path changing pieces (36a to 36c) are disposed only on the inner side in the radial direction of the rotation surface with respect to the magnetic sensing elements (45a to 47a), and the magnetic path changing pieces (36a to 36c) are arranged. A rotation detection sensor having a surface on the rotating body (4) side in contact with the rotating body (4).
前記磁路変更片(36a〜36c)を前記磁気検知素子(45a〜47a)に対して回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片(36a〜36c)は前記回転部材(2)の回転中心に取着された回転体(4)に対してその周囲に配置したボスを兼用するものであって、前記磁路変更片(36a〜36c)の前記回転体(4)側の面を該回転体(4)に当接させた回転検出センサ。A rotating member (2) in which a plurality of magnetic path changing pieces (36a to 36c) are erected at predetermined intervals around the rotation center of the rotating surface, and disposed in a predetermined direction with respect to the rotating member (2). It has been a magnet (45b~47b), in the rotation detecting sensor consisting of a magnetic sensing element (45a~47a) for detecting a magnet (45b~47b),
The magnetic path changing pieces (36a to 36c) are arranged only on the inner side in the radial direction of the rotation surface with respect to the magnetic sensing elements (45a to 47a), and the magnetic path changing pieces (36a to 36c) are rotated. the rotating body of the member I der which also serves as a boss which is disposed around respect attached to the rotating body to the rotational center of (2) (4), the magnetic path changing pieces (36 a - 36 c) ( 4) A rotation detection sensor in which the surface on the side is in contact with the rotating body (4) .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31240199A JP3710973B2 (en) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | Rotation detection sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31240199A JP3710973B2 (en) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | Rotation detection sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001133286A JP2001133286A (en) | 2001-05-18 |
| JP3710973B2 true JP3710973B2 (en) | 2005-10-26 |
Family
ID=18028806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31240199A Expired - Fee Related JP3710973B2 (en) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | Rotation detection sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3710973B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5070593B2 (en) * | 2007-07-26 | 2012-11-14 | 株式会社大一商会 | Pachinko machine |
| US12066454B2 (en) | 2018-03-28 | 2024-08-20 | Nikon Corporation | Encoder device and manufacturing method thereof, drive device, stage device, and robot device |
-
1999
- 1999-11-02 JP JP31240199A patent/JP3710973B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001133286A (en) | 2001-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1134540B1 (en) | Magnetic rotation detector | |
| US6326780B1 (en) | Magnetic field concentrator array for rotary position sensors | |
| JP4132835B2 (en) | Rotation speed detector | |
| JP2000353051A (en) | Method for pointing information and pointing device | |
| JP4319153B2 (en) | Magnetic sensor | |
| JP4117175B2 (en) | Rotation angle detector | |
| EP2450670A1 (en) | Rotation angle detecting device | |
| JP2001304805A (en) | Detecting device for rotational angle | |
| JP4979487B2 (en) | Angle sensor | |
| JP3609645B2 (en) | Rotation detection sensor | |
| JP3532778B2 (en) | Rotation detection sensor | |
| JP2005265539A (en) | Torque sensor | |
| JP3710973B2 (en) | Rotation detection sensor | |
| JP4603612B2 (en) | Rotational position sensor | |
| JP3605526B2 (en) | Detection circuit of rotation detection sensor | |
| JP3616284B2 (en) | Rotation detection sensor | |
| JPH042914A (en) | Angle sensor | |
| JP3616287B2 (en) | Rotation detection sensor | |
| JP2003149000A (en) | Rotation angle sensor | |
| JP3619399B2 (en) | Rotation detection sensor | |
| JP2000180113A (en) | Steering angle detection device | |
| JP2005308443A (en) | Non-contact torque sensor | |
| JP4878746B2 (en) | Torque sensor | |
| JP2001249029A (en) | Rotation detection sensor | |
| JP2003004412A (en) | Rotary angle detector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050314 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050426 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050624 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050711 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050802 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050811 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080819 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090819 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100819 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110819 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120819 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120819 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130819 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |