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JP3711291B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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JP3711291B2 - Heat treatment equipment - Google Patents

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、縦型プロセスチューブ内で被処理体を熱処理する熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体ウェハ、LCD基板などの製造においては、酸化、拡散、アニール、CVDなどの処理を行なうために、各種の熱処理装置が使用される。これらの熱処理装置においては、例えばプロセスの高精度化を達成すること、被処理体の面内の温度分布の均一性を向上させること、また熱処理の効率を高めることなどが大きな技術課題となっている。
【0003】
ところで、近年、半導体プロセスはより微細化が進み、これとともに、ウェハの口径も8インチ〜12インチへと、より大口径化が進んでおり、またLCD基板などの大型の基板を均一に効率良く処理する熱処理装置も必要となってきている。このような状況に応じてプロセスの微細化が進み、被処理体が大口径化するのに応じて処理のさらなる高精度化、被処理体の面内での温度分布のさらなる均一化、熱処理効率のさらなる向上が必要とされる。しかもこのような大口径化にある被処理体を製造する場合のスループットの向上も要望される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような被処理体の大口径化に伴い、実際の処理を行なう場合には、次のような問題があった。
【0005】
つまり、被処理体の大口径化に伴い、被処理体に生じるスリップ、歪みを効果的に防止し、また、被処理体の面内での温度分布の均一性の向上を図る必要がある。したがって、このような要求に対しては、被処理体にいかにして均一に温度を加えるか、また、中心部より周辺部のほうが放熱量が大きいために生じる中央部と周辺部との温度差をいかにして少なくするか等が、大きな技術課題となる。また、プロセスの微細化に伴い、被処理体に対する処理の高精度化、被処理体に対する汚染度の低減化が必要になる。したがって、被処理体の面内での膜質、膜厚の均一化を図るために、いかにして短時間で効率良く熱処理を行なうかなども大きな技術課題となる。
【0006】
そこで、本発明の目的とするところは、上記従来の熱処理装置における問題に鑑み、被処理体での面内均一性を確保しながら効率良く熱処理することができる熱処理装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を輻射加熱する一次加熱源を上方に備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記一次加熱源により加熱されることで、上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて二次輻射熱線を放射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する二次加熱源と、
を有することを特徴とする。
【0008】
請求項2記載の発明は、請求項1において、
上記二次加熱源は、上記処理位置よりも下方領域であって、上記ホルダーの昇降経路と干渉しない領域に、水平に配置されていることを特徴とする。
【0009】
請求項3記載の発明は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を加熱する熱源を上方に備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記熱源からの輻射熱線を直接又は間接にて入射し、この入射熱線を上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて反射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する反射部材と、
を有することを特徴とする。
【0010】
請求項4記載の発明は、請求項3において、
上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーの上記被処理体支持位置よりも下方の位置に、上記被処理体用ホルダーに水平に取り付けられていることを特徴とする。
【0011】
請求項5記載の発明は、請求項4において、
上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーに対して昇降移動可能に支持され、上記被処理体との対向間距離を可変としたことを特徴とする。
【0012】
請求項6記載の発明は、請求項4において、
上記反射部材は、上記被処理体ホルダーの縦軸方向の異なる位置に少なくとも2枚配置され、各反射板は、熱線の反射率が異なる領域が周方向に形成され、各反射板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効率の異なる領域の相対位置関係が変化することを特徴とする。
【0013】
【作用】
請求項1及び3記載の発明では、特に放熱が多い被処理体の周縁部を、被処理体の裏面側より加熱することで、被処理体の処理温度の面内均一性を確保することができる。請求項1の発明では、被処理体周縁部の加熱を、一次加熱源により加熱されて二次輻射熱を放射する二次加熱源により行い、請求項3の発明では、面状加熱源からの直接的または間接的に入射する熱線を、被処理体周縁部にその裏面側より反射させることで行っている。
【0014】
請求項2の発明では、二次加熱源を被処理体の下方にて、かつ、被処理体の昇降経路と干渉しない位置に水平に配置することで、二次加熱源の加熱ひいては被処理体周縁部の加熱を効率良く行うことができる。
【0015】
請求項4の発明では、被処理体用ホルダーの被処理体支持位置よりも下方の位置に、反射部材を被処理体用ホルダーに水平に取り付けるこで、被処理体周縁部への熱線の反射を効率良く行うことができる。しかも、反射部材は被処理体用ホルダーと共に被処理体の出し入れ位置に移動したとしても、反射部材の温度はさほど高まらないので、被処理体の出し入り口雰囲気の温度が上昇することはない。
【0016】
請求項5の発明では、反射部材と被処理体との対向間距離を可変とすることで、被処理体周縁部に反射される熱線強度を可変される。これにより被処理体の処理温度の面内均一性を調整できる。
【0017】
請求項6の発明では、少なくとも2枚の反射板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効率の異なる領域の相対位置関係が変化して、被処理体周縁部に反射される熱線強度を可変される。
【0018】
【実施例】
以下、図1〜図19に示す実施例によって本発明の詳細を説明する。
【0019】
図1は、本発明実施例による熱処理装置の全体構成を示し、特に、被処理体Wの表裏両面を加熱する構造の一例を示す断面図である。
【0020】
本実施例における熱処理装置には熱処理部10、被処理体搬入出部50およびシャッター駆動部60が設けられている。
【0021】
熱処理部10は、例えば半導体ウエハやLCD等の被処理体Wに対して各種の熱処理を行なうための部分であり、縦型プロセスチューブ12を備えている。プロセスチューブ12は、下端開口を有する円筒状部材であり、本実施例の場合、高純度透明石英によって形成されている。
【0022】
そして、プロセスチューブ12の内部には、外部からプロセスガスを供給するための給気パイプ14が配置されている。この給気パイプ14は、プロセスチューブ12の内部空間で上端部に開口を有し、その開口に至る途中、つまり、被処理体Wの熱処理位置よりも下方には、図2に示すように、ガス通路を有する予熱部14Aが形成されている。予熱部14Aは、被処理体Wの熱処理位置の下方の雰囲気熱を吸熱することにより、外部から供給されおいて一旦に貯溜されるプロセスガスを加熱したうえで、処理部上方の空間に噴出させるようになっている。従って、プロセスガスは、噴出されるまでの間に処理温度に近い状態を設定されているので、反応処理のための温度に達するまでの時間が短縮されることになる。
【0023】
また、被処理体Wの処理面の裏側に相当する位置は、予熱部14Aによって雰囲気熱を吸収されることにで、被処理体Wの処理面とその裏側空間との間で被処理体Wの面内均一性を設定するための温度勾配が得られる温度に設定される。なお、この給気パイプ14の予熱部14A内の構造としては、周方向に沿って複数配置された放熱フィン(図示されず)を設けてもよい。これによって、熱処理部10からの熱をプロセスガスに対して効率良く伝達することができる。
【0024】
また、プロセスチューブ12の下端開口近傍には、図1に示すように、給気パイプ14から供給されたプロセスガスを排気するための排気パイプ26が設けられ、これらパイプの組合せにより、プロセスチューブ12内に導入されたプロセスガスに適当な流れを生じさせて、被処理体Wの表面に形成される薄膜の均一化等が行なえるようになっている。なお、プロセスガスと接触する給気および排気パイプ14、28は、例えば石英等で覆われ、重金属汚染対策が施されている。
【0025】
一方、プロセスチューブ12の周囲には、例えば、アルミナセラミックス等で構成された断熱材16が設けられている。この断熱材16は、例えば、その外周に配置されているセラミックスウール成形品からなる断熱材17の内部に設けられている。
【0026】
断熱材17の外壁面には、インナーシェル18Aとアウタシェル18Bとで形成された水冷ジャケットからなる水冷機構18が設けられ、熱処理部10と外部との間での熱隔離が行なわれている。これによって、熱処理部10内で高温熱処理を行なっている場合に、外部での操作の安全を確保することができる。
【0027】
さらに、プロセスチューブ12の上方には、一次加熱源である面状発熱源20が設けられている。この面状発熱源20は、例えば、二硅化モリブデン(MoSi2 )、または、鉄(Fe)とクロム(Cr)とアルミニューム(Al)との合金線であるカンタル(商品名)線等の抵抗発熱体を、断熱材16の上部内壁面に配置することで構成されている。二硅化モリブデンは、1800℃の高温にも充分耐えることができる。このような面状発熱源20は、例えば、二硅化モリブデンの単線からなる抵抗発熱線を螺旋状に配置して構成することも可能である。さらに、この面状発熱源20の発熱面は、被処理体Wの外径の2倍以上であることが、熱効率の点から有効である。
【0028】
ところで、プロセスチューブ12と面状発熱源20との間には、面状発熱源20からの熱により加熱されて、被処理体Wの面内に対して均一に二次輻射熱を放射するための均熱部材22が配置されている。この均熱部材22は、例えば、炭化硅素(SiC)等の汚染度が比較的低く、耐熱性が良好な材質が選択され、本実施例の場合、均熱部材22は、図1に示すように、処理位置に設定された被処理体Wの上方及び側方を覆うと共に、被処理体Wの処理位置よりも下方領域には、被処理体Wと平行に水平状態で設置された均熱部材22Aを含んでいる。この均熱部材22Aは、少なくとも、被処理体Wの周縁部に対して、被処理体Wの裏面側より二次輻射熱線を放射できるようになっている。従って、比較的放熱量が多い被処理体Wの周縁部に対しては、裏面に位置する均熱部材22Aからの二次輻射熱によって加熱されるので、放熱量の増加を抑えられて被処理体Wの面内での温度分布が変化するのが防止される。
【0029】
上記した均熱部材22の配置構成の別な例としては、図3に示すように被処理体Wの表面側と裏面側とに均熱部材を分割して配置することも可能である。この場合、特に、裏面の場合には図1に示した場合と同様に、被処理体Wの周縁部に対して輻射熱を与えることができる状態に配置されることが必要である。裏面側に位置する均熱部材22Aは、二次輻射熱を放射するものに限らず、例えば、表面に研磨層からなる鏡面を備えた炭化ケイ素(SiC)で構成することができる。従って、表面側に位置する均熱部材22からの輻射熱線は、直接被処理体Wの表面に達するとともに、裏面側に位置する均熱部材22Aに達した一部がこの鏡面で反射されて被処理体Wの周縁部に達する。
【0030】
また、このような分割配置の他の例としては、図4に示す構造もある。すなわち、被処理体Wの表面側に位置する均熱部材22は、上端位置から被処理体Wが位置する範囲まで垂下させてある。従って、この場合には、被処理体Wの周縁部での加熱が表面と裏面との両方で促進されることになり、周縁部からの放熱による温度の低下が防止される。
【0031】
さらに、被処理体Wの裏面側に位置する均熱部材22の配置構成には、図5に示す構成がある。すなわち、図5に示す配置構成は、プロセスチューブ12の内部において、被処理体Wの昇降経路と干渉しない領域にて、被処理体Wの裏面両側方に均熱部材22がそれぞれ配置してある。なお、裏面に配置された均熱部材22は、被処理体Wの搬入前に予め面状発熱源20により加熱されているので、裏面側から被処理体Wの周縁部に向けた加熱を行なうことが可能になる。あるいは、図6に示すように、一部の均熱部材22を、被処理体用ホルダー30に一体化することもできる。このように、被処理体Wの表面はもとより、裏面、特に、被処理体Wの周縁部に向けた加熱を行なうことで、被処理体Wの放熱が大きい箇所である周縁部での温度を低下させることなく、面内での温度分布を均一化することができる。しかも、炭化硅素等の耐熱性が良好でかつ、汚染度が低い材質を用いることによって、プロセスチューブ12の処理空間を発熱源から熱的に隔離することができるので、発熱源が汚染の原因となる重金属を含む材料により構成されている場合であっても、重金属による汚染を有効に防止することができる。
【0032】
一方、プロセスチューブ12の内部には、処理部10に対して被処理体Wを熱処理部10に移送するための被処理体用ホルダー30が設けられている。
【0033】
被処理体用ホルダー30は、例えば、図1に示す処理位置と被処理体Wの搬出入位置との間で上下動可能なロッド部材で構成され、その上端部には、被処理体Wの載置部30Aが形成されている。載置部30Aは、本実施例の場合、一例として、図7に示すように、リング状に形成された受け台30A1の上面に周方向に沿って複数、図では4箇所に、載置用支柱30A2が設けられている。この受け台30A1は、被処理体Wの裏面側に位置する均熱部材22又は22Aからの輻射熱線行を妨げない骨組み構造に設定されている。
【0034】
遮蔽部材30Bは、処理部内部からの輻射熱の遮断および熱処理部内でのプロセスガスの密封、さらには被処理体Wが移動する場合の気流の整流を行なうために設けられていて、被処理体用ホルダー30の軸方向他端に至る途中に設けられた蓋体で構成されている。
【0035】
そして、遮蔽部材30Bは、被処理体Wの裏面に位置する均熱部材22からの加熱によって蓄熱することになるので、載置された被処理体Wを予熱する機能をもたせることができる。また、遮蔽部材30Bは、被処理体Wの移動時での気流の整流を行なう機能を果すための構成を備えている。すなわち、図1において、遮蔽部材30Bの外径(A)は、上記載置部30Aが処理位置から搬入出のために移動したとき、給気パイプ14の予熱部14Aの内壁面との間に存在するガスに急激な流速が生じない程度の隙間が得られる大きさに設定されており、本実施例では、予熱部14Aの内壁面の内径(B)よりも5mm〜30mm程度小さくなるように設定されている。
【0036】
これは、例えば、熱処理後に被処理体用ホルダー30が熱処理部10から移動した場合に被処理体Wに面内温度差が生じるのを防止するためである。つまり、予熱部14Aと遮蔽部材30Bとの関係のように、接近した部材同士が相対的に移動した場合、その間に存在している気体、特に遮蔽部材30Bの周縁近傍に存在する気体には巻き込みによる流速が発生する。そして、この気流の速度は両者間の隙間の大きさに影響され、この隙間が小さ過ぎると流速が急激に増加し、遮蔽部材30Bを境にして一方の空間である処理位置内に対流が起こることになる。このため、被処理体Wの周縁部からの放熱が促進されてしまう。そこで、遮蔽部材30Bの外径寸法を決めることにより、熱処理時には被処理位置内での温度勾配を変化させないようにする。さらにこれに加えて、被処理体Wがアンロードされるために処理位置に対して移動する場合には、気流速度の増大を抑えて被処理体Wの面内温度差が生じるのを防止する。従って、被処理体Wがロード,アンロードのために移動する時には、遮蔽部材30Bの周辺で気流にある程度の速度が生じた場合であってもこの速度を処理位置内に作用させないようにして、いわゆる、処理位置での対流を防止し、被処理体Wの面内温度差を発生させないようにすることができる。
【0037】
本実施例では、この遮蔽部材30Bにおける外径寸法の特定に加えて、遮蔽部材30Bには、図7に示すように周方向に沿って気体の逃げ孔30B1が上方に貫通して複数形成されている。この気体の逃げ孔30B1を形成することで被処理体Wの周縁近傍での気体の巻き込みを少なくするようにしてもよい。
【0038】
なお、遮蔽部材30Bの形状は、上記した蓋状に限らず、被処理体用ホルダー30が移動するときの気流の乱れや速度の発生を抑える形状が設定されることは勿論であり、例えば、上下に円錐形を組み合わせた形状にしても良く、また、複数枚を連続的に設けても良い。
【0039】
図8には、複数の遮蔽部材を設けた場合の例が示されている。この場合には、縦軸方向に沿って複数の遮蔽部材、図8では4段の遮蔽部材30B10、3012、30B14、30B16が設けられ、下段に向かうに従い、順次、外径が拡大される関係を設定されている。そして、これら各遮蔽部材の周面近傍には、プロセスチューブ12の内壁に固定され、縦方向に沿って上段側から順に縮径された仕切り板30B20、30B22、30B24が配置されている。この仕切り板30B20、30B22、30B24は、熱処理部10での熱を遮断することで熱処理部とこの下方との間での温度勾配を防いで気流の発生を防止するために設けられている。また、各段の遮蔽部材には、図7の遮蔽部材30Bに形成されているのと同様に、複数の気体の逃げ孔が形成されている。この場合の気体の逃げ孔は、各段の遮蔽部材同士で異なる位置に形成されている。各仕切り板にも、同様に気体の逃げ孔を形成することができる。さらに、上記各仕切り板に対する2段目以降の遮蔽部材30B10、3012、30B14、30B16は、被処理体用ホルダー30の受け台30Aが処理位置にあるとき、仕切り板30B20、30B22C、30B24の下方に位置する関係を設定されて被処理体用ホルダー30のロッド部に固定されている。なお、図8に示した遮蔽部材の構造は、プロセスチューブ12内に図1で示した吸気パイプ14の予熱部14Aがない場合を対象としたが、図1の場合と同様に、吸気パイプ14の余熱部14Aを設けた場合を対象とすることも可能であり、図9には、この場合の構造が示されている。図9に示した場合には、吸気パイプ14の予熱部14Aが下方側に設置されている方が、順次、縮径させて構成されている。
【0040】
また、被処理体用ホルダー30の軸方向他端には、上記した遮蔽部材30B10、30B12、30B14、30B16に加えて、さらに一つの遮熱部材30Cが設けられている。この遮熱部材30Cはフランジによって構成され、この端部の下方に位置する冷却ロッド32に連結されている。遮熱部材30Cは、被処理体用ホルダー30の載置部30Aが熱処理部10内での被処理体Wの処理位置に設定されているとき、プロセスチューブ12の下端開口近傍を覆って後述する被処理体搬入出部50に対する輻射熱の通過を遮断するためのものである。なお、前述した遮蔽部材のうち、図8,図9に示すように最上段に位置する遮蔽部材30B10は、被処理体Wの裏面加熱のために用いることも可能であり、さらに、裏面側に位置する均熱部材の中央部と周縁部とで材質等を変えて、温度を異ならせることも可能である。特に、後者の場合には、周縁部の方を温度が高く設定することは勿論である。
【0041】
一方、冷却ロッド32は、被処理体用ホルダー30を冷却するためのものである。このため、冷却ロッド32は金属製であり、内部には、図10に示すように、水冷ジャケット32Aが形成されている。
【0042】
さらに、被処理体用ホルダー30および冷却ロッド32の中央部には、図10に示すように、載置部30Aに至る貫通孔34が形成されている。この貫通孔34には、熱処理部10での処理温度を近似的に測定するための温度計36のリード線36Aが挿通されている。温度計36は、被処理体Wの載置部30Aの裏面に配置されて被処理体Wの表面温度を検知するようになっている。また、この貫通孔34は、温度計に代えて、例えば、被処理体Wの表面色から温度を検知する光学式温度センサへの光路として用いることも可能である。また、この貫通孔34の一部には、例えば、N2 ガスなどのパージガスの供給パイプ38が連通させてあり、貫通孔34内をパージするようになっている。
【0043】
なお、上記被処理体用ホルダー30における載置部30Aは、被処理体Wの面内での放熱による温度分布の不均一化を防止するために接触面積を小さくすることが必要である。そこで、本実施例においては、上記載置部30Aに設けられている図7の載置支柱30A2に代えて、図11に示す載置支持構造とすることも可能である。つまり、図11(A)に示す構造は、略直角に交差する勾配面30A10、30A12を形成したものであり、一方の勾配面30A10の頂点に被処理体Wを載置し、他方の勾配面30A12をセンタリングのためのガイド面として用いている。また、図11(B)に示す構造は、図11(A)に示した交差する勾配面を形成する際の切削工具の逃げ部30A20を交差位置に形成したものであり、これにより加工性を向上させている。さらに図11(C)に示す構造は、上記交差する面が形成されたロッド部材30A30を用いたものである。
【0044】
一方、図1において、被処理体搬入出部50は、プロセスチューブ12の下端開口の下方に位置する気密室で構成され、主に、大気に対して気密状態を保ちながら被処理体用ホルダー30との間で被処理体Wを搬入出する箇所である。
【0045】
このため、被処理体搬入出部50は、図12に示すように、第1、第2のロードロック室52、54と、これらロードロック室52、54からの被処理体Wをプロセスチューブ12に受渡すための受渡し室56が直角な位置にそれぞれ配置されている。そして、第1、第2のロードロック室52、54は、ともに同じ構成とされ、第1のロードロック室52に関して説明すると、第1、第2のゲートバルブ52A、52B、伸縮・昇降および回転可能な搬送アーム52C、ガス導入孔52D、ガス排出孔52Eを備えている。
【0046】
また、第2のロードロック室54は、第1、第2のゲートバルブ54A、54B、伸縮・昇降および回転可能な搬送アーム54C、ガス導入孔54D、ガス排出孔54Eをそれぞれ備えている。ゲートバルブ52A、52B、54A、54Bは、装置外部とロードロック室52、54との間であるいはロードロック室52、54と受渡し室56との間で被処理体Wを搬入出する際に開き、気密状態を維持する場合に閉じるという開閉機能を備えている。搬送アーム52C、54Cは、例えば多関節を有するアームにより構成され、装置外部からロードロック室52、54へ、あるいは、ロードロック室52、54から受渡し室56へと被処理体Wを搬入出する機能を備えている。ガス導入孔52D、54Dは、ロードロック室52および54を、例えばN2 ガスによりパージするためのものであり、また、ガス排出孔52E、54Eは、ロードロック室52、54を真空引きするためのものである。
【0047】
そして、図1において、この被処理体搬入出部50の近傍には、シャッター駆動部60が設けられている。
【0048】
すなわち、シャッター駆動部60は、プロセスチューブ12の下端開口の下方で縦軸方向に沿って複数設けられた遮熱用の第1のシャッター62、第2のシャッター64を備えている。この遮熱用の第1、第2のシャッター62、64は、被処理体搬入出部50をはさんで縦軸方向両側に配置され、シリンダ等の駆動部材66により相反する方向に移動することで開閉可能なシャッター板62A、62Bおよび64A、64Bを備えている。
【0049】
上記各シャッター板は、共に、水冷ジャケットが内部に形成された断熱構造のものである。これらシャッター板のうち、プロセスチューブ12の下端開口側に位置する第1のシャッター62におけるシャッター板62A、62Bは、図13に示すように、対向面がL字状に形成されて重なり合うように構成されている。これは、対向面同士が密着した際に、プロセスチューブ12からの輻射熱線の通過を遮断して、気密室の下方の温度が上昇するのを防止するためである。もちろん、各シャッター板62A,62Bには、冷却ロッド32を挿通させる孔が形成されている。また、シャッター板62A、62Bは、図14(A)に示すように、先端に被処理体用ホルダー30をはさみ込むことのできる凹部が形成されている。そして、この先端は、図14(B)に示すように、互いにオーバーラップすることができるようになっており、オーバーラップした状態で上方からの熱線の通過を遮断するようになっている。なお、第2のシャッター64も、図13,図14と同様に構成することができる。
【0050】
また、この第1、第2のシャッター62、64が位置する気密室には、被処理体Wの雰囲気気体の切り換え構造が設けられている。
【0051】
すなわち、第1、第2のシャッター62、64の進退部には、図15に示すように、例えば、周方向で等分された位置にプロセスガスとは異なる不活性気体、一例として、ヘリュウムガス(He)を吹き出させるための噴射ノズル70が配置されている。この噴射気体は、熱処理部10から搬出された被処理体Wをプロセスガスの雰囲気下から即座に雰囲気ガスを切り換えてプロセスガスの接触を断ち、被処理体Wの移動途中に望まれない生成膜が形成されるのを防止するようになっている。また、このような雰囲気ガスを即座に切り換え、かつ、熱処理部からの温度の影響を受けていない不活性気体との接触下におかれることで、被処理体Wのサーマルバジェット、いわゆる、被処理体Wが受ける熱収支を安定させて面内での温度分布の変化を抑えて面内均一性を確保するようになっている。そして、この噴射ノズル70の数に合わせて周方向で噴射ノズル70と干渉しない等分位置には排気口(図示せず)が設けられている。この噴射ノズル70は、水平方向に冷却気体を噴射する噴射口を縦軸方向の複数箇所に有し、図15に示すように、退避した位置にある被処理体Wの面と平行に冷却気体を噴射することができる。なお、この噴出気体を第1、第2のシャッターの冷却用としても良く、さらには、この気体を用いて熱処理部10から搬出された被処理体Wの冷却を行なうようにしても良い。
【0052】
ところで、図15において、上記した被処理体用ホルダー30および冷却ロッド32の駆動機構40は、次のような構成となっている。
【0053】
すなわち、駆動機構40は、被処理体用ホルダー30と一体にされている冷却ロッドの軸方向端部に連結された昇降アーム42を備えており、この昇降アーム42は、例えば、ボールネジとナットとを組み合わせた昇降機構44によって上下動させることができる。そして、昇降アーム42内には、例えば、歯車を介した回転機構が設けられており、この回転機構は、被処理体用ホルダー30が熱処理部10に対して搬入出されるときに少なくとも1回転以上の回転を、そして、被処理体用ホルダー30が熱処理部10から退避して被処理体Wを第1のシャッター62の下方に位置する噴射ノズル70に対向させたときには、例えば、60rpm程度の回転を行なわせるようになっている。なお、被処理体用ホルダー30の昇降動作の際の気密性を確保するために、気密室と被処理体用ホルダー30との間には、磁性流体を用いたシール構造46(図1参照)あるいは図示しないベローズ構造が設けられている。なお、被処理体用ホルダー30の昇降駆動に関しては、上述した昇降機構44とは別に独立して上下動させるようにしてもよい。
【0054】
そして、被処理体30は、熱処理時に必要な回転数を以って回転するようになっているが、熱処理部10への搬入時および搬出時においても、少なくとも1回転以上の回転を行ないながら移動する駆動制御が行なわれる。このような搬入出時での回転は、面状発熱源24からの輻射熱の供給およびプロセスガスとの接触を均一化することにより、熱処理前後での被処理体Wの面内均一性を確保するために実行される。
【0055】
次に作用について説明する。
【0056】
被処理体Wの熱処理を行なう場合には、被処理体Wが被処理体搬入出部50に搬入される。すなわち、この場合を第2のロードロック室54を対象として説明すると次のとおりである。
【0057】
まず、被処理体Wを搬入する場合、第2のロードロック室54内をガス導入孔54DによるN2 パージすることにより、予め、大気圧と同圧に設定しておく。外気とロードロック室54内とを同圧にすれば、ゲートバルブ54Bが開いたときに、気体の急激な流れ込みによる塵や埃等の浸入飛散を防ぐことができる。次にゲートバルブ54Bを開いて被処理体Wが受渡し室56内に搬入される。その後、ゲートバルブ54Bが閉じられ、ガス排気孔54Eによって真空引きが実行される。この場合には、受渡し室56も同様に、予め真空引き、N2 パージが行なわれていることが望ましい。さらに、プロセスチューブ12、第1、第2のシャッター62、64の間の空間も真空引きし、ロードロック室54と同圧にしておくことが望ましい。
【0058】
一方、ロードロック室54内の搬送アーム54Cにより、ゲートバルブ54Aを介して被処理体Wが受渡し室56に搬送されると、予め、被処理体用ホルダー30の載置部30Aが搬送アーム54Cの搬送経路上に位置されているので、被処理体Wの受渡しが行なわれる。このときには、第1のシャッター62が閉じられ、そして、第2のシャッター64が開かれている。そして、被処理体Wの受渡しが完了すると、被処理体用ホルダー30が駆動機構40により回転し始める。被処理体用ホルダー30は、熱処理部10の所定の処理位置に到達するまでの間、例えば、2〜3回転等のような1回転以上の回転を行ない、所定の処理位置に達した時点で回転を停止する。このときには、第1、第2のシャッター62、64がともに開いている。
【0059】
被処理体用ホルダー30が上昇する過程で、被処理体Wは、気体切り換え構造におけるヘリュウムガスによる雰囲気下から熱処理部10に移動した途端にプロセスガスの雰囲気下に置かれることになる。そして、処理位置に達した被処理体用ホルダー30は、給気パイプ14の予熱部14Aの内周面近傍に接近した位置に位置決めされて熱処理時での回転数に切り換えられる。そして、熱処理部10では、給気パイプ14から予熱されたプロセスガスが供給される。
【0060】
プロセスガスの供給により熱処理が開始されると、第1のシャッター62は開いたままであり、そして第2のシャッター64は閉じた状態に維持される。従って、被処理体用ホルダー30の遮蔽部材30Bが熱処理部10の下方を覆う状態に配置されることになるので、熱処理部10から漏洩する輻射熱の熱線を遮断する。しかも、熱処理部10内では、プロセスガスが密封されて熱処理環境が設定されるとともに、均熱部材22を介して被処理体Wの表面および裏面、特に、裏面の場合には、周縁部に対して輻射熱線を与えることができるので、被処理体Wの面内での温度分布の均一化が促進されることになる。
【0061】
一方、熱処理終了時点では、被処理体用ホルダー30が、その載置部30Aを第1のシャッター62の下方に位置決めされる。このとき、被処理体用ホルダー30の遮蔽部材30Bは、気体の逃げ孔および給気パイプ14の予熱部14Aに対する外径寸法の設定によって周縁部での気体の巻き込みが少なくされることで被処理体Wの周縁部からの放熱を抑えられ、面内での温度分布の不均一化を防止されることになる。
【0062】
また、第1のシャッター62の下方に位置決めされた被処理体用ホルダー30は、載置部30A上の被処理体Wが、例えば、60rpm程度の回転数に切り換えられて回転するとともに、シャッターの進退部から供給されるヘリュウムガスにより、被処理体W搬入出部50との間の熱遮断を行なうとともに、雰囲気ガスの環境下を切り換え、さらには被処理体Wを冷却する。また、この時、被処理体Wは、上方に位置する第1のシャッター62からの冷気により冷却を促進されることになる。
【0063】
このようにして、熱処理後の冷却が行なわれた被処理体Wは、搬入時と同じ状態を設定される。そして、この状態で噴射ノズル70との対向位置から受渡し室56に移動させられ、搬入時と逆の手順によって被処理体Wを搬出させることができる。
【0064】
本実施例によれば、プロセスチャンバーの下端開口の下方に位置する気密室に設けられているシャッターを被処理体の冷却構造として用いることができるので、特別な構造を要することなく、冷却時間を短縮することができる。
【0065】
さらに本実施例によれば、均熱部材とプロセスチューブとの間で処理位置下方を囲繞する断熱材を設けることにより、熱処理位置内での被処理体の表面と裏面との間の温度勾配を適正化することができ、温度勾配の急変による気流の発生を防止して被処理体周縁部での放熱を抑えることができる。
【0066】
なお、本発明は、上記実施例に限られるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々変形実施することが可能である。
【0067】
例えば、本発明が対象とする被処理体は、少なくとも面状形状の被処理体であれば良く、半導体ウエハ以外にも例えば、LCD等であっても良い。さらに、本発明が適用される熱処理装置としては、CVD装置以外にも、例えば、酸化、拡散、アニールに適用される装置を対象とすることも可能である。
【0068】
次に、図16以降により本発明による熱処理装置のときに被処理体の裏面を有効的に加熱するための実施例を説明する。
【0069】
図16以降に示された実施例は、被処理体ホルダー30と同軸上に、前記した遮蔽部材に代えて、対構成からなる反射部材を設けたことを特徴としている。なお、図16以降の図において、図15までに用いられた構成部品と同じものは同符合とし、その詳細な説明を省く。
【0070】
すなわち、被処理体ホルダー30における載置部30Aの下方には、被処理体用ホルダー30と同軸上にて第1の反射部材100および第2の反射部材110がそれぞれ設けられている。
【0071】
第1の反射部材100は、被処理体用ホルダー30に対して独立して回転および上下動が可能な状態に支持され、また、第2の反射部材110は、ホルダー30に固定としてもよいが、好ましくは第1の反射部材100と一体で上下動させることもできる。なお、上記構成では第1の反射部材100のみを回転可能としたが、第1,第2の反射部材100,110が相対的に回転されるものであればよい。
【0072】
第1、第2の反射部材100、110は、図1に示した実施例における遮蔽部材30Bを取り除いて設けられたものであり、載置部30Aに対向する面が例えば研磨によって鏡面仕上げされた炭化ケイ素(SiC)が用いられている。
【0073】
第1、第2の反射部材100、110の盤面には、周方向に沿って反射効率が異なる領域が複数箇所に等分されて設けられている。この反射効率を異ならせた領域は、輻射熱線の透過率を異ならせることによって得られるようになっている。このため、本実施例では、図17に示す一例のように、第1の反射部材100側においては、周方向に沿って等分して形成された透過部100Aが設けられ、また第2の反射部材110側では、反射面内に透過部100Aの形状に合せた熱線吸収部110Aが形成されている。また、このような透過率を異ならせる構造としては、透明部と不透明部とを交互に設けることによっても得られる。この場合の透過部としては、透明石英が選択され、この透明石英の周方向に沿って不透明化することで透過率を異ならせる。なお、不透明部を構成する場合には、灰色体である炭化ケイ素(SiC)を分配配置させてもよい。炭化ケイ素(SiC)を用いる場合には、輻射熱を反射させることなく吸収することができるので、この部分からの二次エネルギとして輻射熱を出射するようにすることもできる。
【0074】
このような熱線の透過率を異ならせる構造を備えた第1、第2の反射部材100、110は、両者の相対的な回転により、その熱線の透過部の位相を異ならせて、いわゆる、重なり具合を調整することにより、被処理体Wへの反射熱量を調整することができる。
【0075】
すなわち、図17において、二点鎖線で示すように、第2の反射部材の熱線吸収部110Aに対して第1の反射部材100側の透過部100Aの重なり具合を変えることにより、第2の反射部材110からの反射熱量が変化する。
【0076】
本実施例では、このような重なり具合を調整するために、被処理体Wの少なくとも周縁部と中心近傍との温度を検出する温度センサ(図示せず)を配置し、この温度センサからの検出温度に応じて、透過部100Aと熱線吸収部110Aとの重なりを調整することにより、被処理体Wへの反射熱量を変化させることができる。
【0077】
また、第1、第2の反射部材100、110のうち、被処理体Wの裏面に対向する位置にある第1の反射部材100の上面は、図18に示すように、横断面形状において中央部が周縁部よりも薄くなる凹状に形成することもできる。この場合、凹状をなす角度θは、被処理体Wの裏面に向け反射した熱線が進行できる角度に設定される。
【0078】
さらに、第1の反射部材100の内部には、図16,図18に示すように、空胴部100Bが形成されており、この空胴部100B内には、加熱媒体および冷却媒体のいずれかが導入されるようになっている。
【0079】
第1の反射部材100の内部に媒体を供給するための構造としては、図16に示すように、第2の反射部材110を利用する。つまり、第2の反射部材110の内部において、遮蔽部材30Cの内部で第1の反射部材100の空胴部100Bと連通する循環路110Bを形成し、この循環路110Bの一部に外部から媒体を供給および回収できる通路110C、110D、110Eをそれぞれ配管する。これにより、循環路110B内に充填された媒体は、第1の反射部材100の空胴部100B内を循環し、循環路110Bを介して排出される。なお、図16中、黒丸は、連結部でのシール部材を示している。
【0080】
このような加熱媒体あるいは冷却媒体の供給時期は、加熱媒体に関しては、処理位置に向けて被処理体用ホルダー30が移動する過程で後述する予熱部140に被処理体用ホルダー30の載置部30Aが位置したときであり、また、冷却媒体に関しては、被処理体搬入出部50に向け被処理体用ホルダー30が移動を開始した時点である。これにより、加熱した場合には、予熱効果を向上させることができるとともに、冷却した場合には、常温に近い温度での被処理体Wの搬入出が行える。また、搬出のために移動する被処理体Wは、処理位置から離れる際に処理温度以下に設定されるので、不要な自然酸化膜などが成膜される虞がない。
【0081】
一方、図19において、プロセスチューブ12の開口下方の位置で第1、第2のロードロック室52、54の上部位置には、被処理体Wを予熱するための空間からなる予熱部140が設けられている。この予熱部140は、上下方向での長さが被処理体用ホルダー30の載置部30Aおよび第1、第2の反射部材100、110が位置することができる長さに設定されている。これにより、被処理体搬入出部50において被処理体Wが載置された被処理体用ホルダー30は、第1のシャッタ62が開放された時に予熱部140に移動することができる。そして、予熱部140に被処理体用ホルダー30が移動すると、第1のシャッター62が閉じられ、被処理体用ホルダー30は一旦停止し、均熱部材22からの輻射熱を受けて表面温度が高めらる。この温度としては、熱線をなす赤外線の吸収効率が良好になる温度である400℃以上600℃以下の温度が設定される。このように被処理体搬入出部50から処理位置に向け移動する間に被処理体が予熱されることになり、処理位置に達した時点で急激な温度上昇を来すことがないので、スリップ等の弊害を抑制することができる。しかも、処理位置に達した場合に処理温度に上昇するまでの時間が短縮できる。
【0082】
次に本実施例の作用について説明する。
【0083】
被処理体Wの熱処理を行なう場合には、被処理体Wが被処理体搬入出部50に搬入される。すなわち、この場合を第2のロードロック室54を対象として説明すると次のとおりである。
【0084】
まず、被処理体Wを搬入する場合、第2のロードロック室54内をガス導入孔54D(図12参照)によるN2 パージすることにより、予め、大気圧と同圧に設定しておく。外気とロードロック室54内とを同圧にすれば、ゲートバルブ54Bが開いたときに、気体の急激な流れ込みによる塵や埃等の浸入飛散を防ぐことができる。次にゲートバルブ54Bを開いて被処理体Wが第2のロードロック室54内に搬入される。その後、ゲートバルブ54Bが閉じられ、ガス排気孔54Eによって真空引きが実行される。この場合には、受渡し室56も同様に、予め真空引きが行なわれていることが望ましい。さらに、プロセスチューブ12、第1、第2のシャッター62、64の間の空間も真空引きすることによりロードロック室54と同圧にしておくことが望ましい。
【0085】
一方、ロードロック室54内の搬送アーム54Cにより、被処理体Wがゲートバルブ54Aを介して受渡し室56に搬送されると、予め、被処理体用ホルダー30の載置部30Aが搬送アーム54Cの搬送経路上(図19において符号S1で示す位置)に位置されているので、被処理体Wの受渡しが行なわれる。このときには、第1のシャッター62及び第2のシャッター64が閉じられている。そして、被処理体Wの受渡しが完了すると、被処理体用ホルダー30が駆動機構40により回転し始める。被処理体用ホルダー30は、熱処理部10の所定の処理位置に到達するまでの間、例えば、2〜3回転等のような1回転以上の回転を行ない、所定の処理位置に達した時点で回転を停止する。第1、第2のシャッター62、64は、ホルダー30等が上方に移動して各シャッターと干渉しない位置に到達した直後に閉じられる。
【0086】
被処理体用ホルダー30が上昇する過程において、被処理体搬入出部50の上方に移動した被処理体用ホルダー30は、図19において符号S1で示すように、予熱部140に達すると一旦停止する。そして、この状態が維持されると、第1の反射部材100の空胴部100B内に加熱媒体が供給されるとともに、均熱部材22からの輻射熱によって被処理体Wの温度が上昇し、いわゆる、予熱が行われる。この予熱温度に関しては、温度計36によって検出される。
【0087】
そして、予熱部140での被処理体Wの温度が所定温度に達した時点で被処理体用ホルダー30が処理位置へ上昇すると、均熱部材22に接近したことにより被処理体Wの表面の温度が輻射熱を受けることで上昇する。また、被処理体Wの裏面は、第1の反射部材の反射面からの反射光によって加熱される。
【0088】
このとき、図示しない温度センサにより検出された温度に基づき、被処理体Wの面内温度が不均一の場合には、第1の反射部材100における透過部100Aと第2の反射部材110における反射面をなす不透明部110Aとの相対位置を変化させる。
【0089】
さらに、この温度調整に関しては、前記した反射効率の変更だけでなく、被処理体ホルダー30とは独立して第1の反射部材100と載置部30Aとの間の距離を変化さることにより、被処理体Wの面内均一性を確保しながら温度調整を実行することができる。
【0090】
また、第1の反射部材の表面形状によっても被処理体の裏面の温度上昇を促進することができる。
【0091】
一方、処理位置での成膜処理が終了した場合には、被処理体用ホルダー30が下降する。下降途中において被処理体搬入出部50に達する前には、第1の反射部材100の空胴部100Bに冷却媒体が加熱媒体と入れ替えられ、第1の反射部材100の温度を下げる。冷却媒体により第1の反射部材100の温度が下げられるのにあわせて、被処理体用ホルダー30に保持されている被処理体Wの温度が常温近傍に達すると、図19において符号S1で示すように、被処理体用ホルダー30の載置部30Aが被処理体搬入出部50内に位置し、前記した受け渡し作業が行われる。以後、再度被処理体用ホルダー30の載置部30Aに被処理体Wが移し変えられた場合には、前記と同様な手順を繰り返す。
【0092】
【発明の効果】
請求項1及び3記載の発明では、特に放熱が多い被処理体の周縁部を、被処理体の裏面側より加熱することで、被処理体の処理温度の面内均一性を確保することができる。
【0093】
請求項2の発明では、二次加熱源の加熱ひいては被処理体周縁部の加熱を効率良く行うことができる。
【0094】
請求項4の発明では、被処理体周縁部への熱線の反射を効率良く行うことができる。しかも、反射部材は被処理体用ホルダーと共に被処理体の出し入れ位置に移動したとしても、反射部材の温度はさほど高まらないので、被処理体の出し入り口雰囲気の温度が上昇することはない。
【0095】
請求項5及び6の発明では、被処理体周縁部に反射される熱線強度を可変し、被処理体の処理温度の面内均一性を調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す熱処理装置の全体構成を説明するための断面図である。
【図2】図1に示した熱処理装置に用いられる給気パイプの構造を示す斜視図である。
【図3】図1に示した熱処理装置での加熱構造の他の例を示す部分的な断面図である。
【図4】図1に示した熱処理装置に用いられる加熱構造の別の例を示す断面図である。
【図5】図1に示した熱処理装置に用いられる加熱構造のさらに他の例を示す断面図である。
【図6】図1に示した熱処理装置に用いられる加熱構造のさらに別の例を示す断面図である。
【図7】図1に示した熱処理装置に用いられる被処理体用ホルダーの一例を示す部分的な斜視図である。
【図8】図7に示した被処理体用ホルダーの他の構造を示す部分的な断面図である。
【図9】図7に示した被処理体用ホルダーの別の例を示す断面図である。
【図10】図7に示した被処理体用ホルダーの内部構造を説明するための断面図である。
【図11】(A)〜(C)はそれぞれ、図7に示した被処理体用ホルダーの載置部の構造を示す部分断面図である。
【図12】図1に示した熱処理装置に用いられる被処理体搬入出部の構成を説明するための平面視的な模式図である。
【図13】図1に示した熱処理装置に用いられるシャッターの断面図である。
【図14】図13に示したシャッターの一例を示す模式図であり、(A)は開いた状態を、(B)は閉じた状態をそれぞれ示している。
【図15】図1に示した熱処理装置における気体切り換えおよび冷却構造を示す断面図である。
【図16】本発明による熱処理装置の別実施例を説明するための断面図である。
【図17】本発明による熱処理装置の用部構造を説明するための斜視図である。
【図18】本発明による熱処理装置に用いられる反射部材の構造を説明するための部分的な拡大断面図である。
【図19】本発明による熱処理装置の別実施例の全体構成を説明するための断面図である。
【符号の説明】
10 処理位置
12 プロセスチューブ
14 給気パイプ
14A 予熱部
30 被処理体用ホルダー
30A 載置部
30B 遮蔽部材
30B10〜30B16 遮蔽部材
30C 遮熱部材
50 被処理体搬入出部
60 シャッター駆動部
62 第1のシャッター
64 第2のシャッター
66 噴射ノズル
100 第1の反射部材
100A 透明部
100B 熱媒体を循環させるための空胴部
110 第2の反射部材
110A 不透明部
[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat-treating an object to be processed in a vertical process tube.
[0002]
[Prior art]
For example, in the manufacture of semiconductor wafers, LCD substrates, and the like, various heat treatment apparatuses are used to perform processes such as oxidation, diffusion, annealing, and CVD. In these heat treatment apparatuses, for example, achieving high process accuracy, improving the uniformity of the temperature distribution in the surface of the object to be processed, and increasing the efficiency of heat treatment are major technical issues. Yes.
[0003]
By the way, in recent years, the semiconductor process has been further miniaturized, and along with this, the diameter of the wafer has been increased to 8 inches to 12 inches, and a large substrate such as an LCD substrate has been uniformly and efficiently produced. A heat treatment apparatus for processing is also required. Process miniaturization progresses in response to this situation, processing becomes more precise as workpieces become larger in diameter, more uniform temperature distribution in the surface of the workpiece, heat treatment efficiency Further improvement is required. In addition, there is a demand for improvement in throughput when manufacturing an object to be processed having such a large diameter.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
With the increase in the diameter of the object to be processed, there are the following problems when actual processing is performed.
[0005]
That is, it is necessary to effectively prevent slip and distortion generated in the object to be processed as the diameter of the object is increased, and to improve the uniformity of the temperature distribution in the surface of the object. Therefore, in order to meet such demands, how to uniformly apply temperature to the object to be processed, and the temperature difference between the central part and the peripheral part, which is caused by the amount of heat radiation in the peripheral part is larger than that in the central part. How to reduce the amount of technology is a major technical issue. Further, along with the miniaturization of the process, it is necessary to increase the accuracy of processing on the object to be processed and reduce the degree of contamination on the object to be processed. Therefore, how to efficiently perform heat treatment in a short time in order to achieve uniform film quality and film thickness within the surface of the object to be processed is a major technical issue.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of efficiently performing heat treatment while ensuring in-plane uniformity on the object to be processed in view of the problems in the conventional heat treatment apparatus.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 is a vertical process tube having a lower end opening for loading and unloading the object to be processed, and provided with a primary heating source on the upper side for radiatively heating the object to be processed disposed at the processing position;
The object to be processed in a horizontally supported state is carried into the process tube from the opening, and a holder for the object to be processed that can be moved up and down to be set at the processing position;
Gas supply means for supplying a reaction gas toward a processing position in the process tube;
A secondary heating source that radiates a secondary radiant heat ray toward the back surface of the target object set at the processing position and heats at least a peripheral portion of the target object by being heated by the primary heating source. When,
It is characterized by having.
[0008]
The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1,
The secondary heating source is horizontally disposed in a region below the processing position and not interfering with the lifting path of the holder.
[0009]
The invention according to claim 3 is a vertical process tube having a lower end opening for loading and unloading the object to be processed, and provided with a heat source for heating the object to be processed arranged at the processing position,
The object to be processed in a horizontally supported state is carried into the process tube from the opening, and a holder for the object to be processed that can be moved up and down to be set at the processing position;
Gas supply means for supplying a reaction gas toward a processing position in the process tube;
Reflection that directly or indirectly enters radiant heat rays from the heat source, reflects the incident heat rays toward the back surface of the target object set at the processing position, and heats at least the peripheral portion of the target object. Members,
It is characterized by having.
[0010]
The invention according to claim 4 is the invention according to claim 3,
The reflecting member is horizontally attached to the workpiece holder at a position below the workpiece support position of the workpiece holder.
[0011]
The invention according to claim 5 is the invention according to claim 4,
The reflection member is supported so as to be movable up and down relative to the holder for the object to be processed, and the distance between the object and the object to be processed is variable.
[0012]
The invention according to claim 6 is the invention according to claim 4,
At least two reflection members are arranged at different positions in the vertical axis direction of the object holder, and each reflection plate is formed with regions having different heat ray reflectivities in the circumferential direction. By rotating, the relative positional relationship of the regions having different reflection efficiencies of the reflecting plates changes.
[0013]
[Action]
In the first and third aspects of the invention, in-plane uniformity of the processing temperature of the object to be processed can be ensured by heating the peripheral edge of the object to be processed that is particularly radiated from the back surface side of the object to be processed. it can. In the invention of claim 1, the peripheral edge of the object to be processed is heated by the secondary heating source that is heated by the primary heating source and radiates the secondary radiant heat. In the invention of claim 3, the direct heating from the planar heating source is performed. This is performed by reflecting the heat ray incident on the object or the indirect side from the back surface side to the peripheral edge of the object to be processed.
[0014]
According to the second aspect of the present invention, the secondary heating source is disposed horizontally below the object to be processed and at a position that does not interfere with the lifting path of the object to be processed, so that the heating of the secondary heating source and the object to be processed can be achieved. The peripheral edge can be efficiently heated.
[0015]
According to the fourth aspect of the present invention, the reflection member is horizontally attached to the workpiece holder at a position lower than the workpiece support position of the workpiece holder, thereby reflecting the heat rays to the peripheral edge of the workpiece. Can be performed efficiently. Moreover, even if the reflecting member moves to the processing object insertion / removal position together with the processing object holder, the temperature of the reflecting member does not increase so much, so that the temperature of the inlet / outlet atmosphere of the processing object does not rise.
[0016]
In the invention of claim 5, the intensity of heat rays reflected by the peripheral edge of the object to be processed can be varied by making the distance between the reflecting member and the object to be processed variable. Thereby, the in-plane uniformity of the processing temperature of a to-be-processed object can be adjusted.
[0017]
According to the invention of claim 6, when at least two reflectors rotate relatively, the relative positional relationship of the regions having different reflection efficiencies of the reflectors changes, and the heat rays reflected on the periphery of the object to be processed The intensity is variable.
[0018]
【Example】
The details of the present invention will be described below with reference to the embodiments shown in FIGS.
[0019]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and in particular, an example of a structure for heating both front and back surfaces of a workpiece W.
[0020]
The heat treatment apparatus in the present embodiment is provided with a heat treatment unit 10, an object carrying-in / out unit 50, and a shutter driving unit 60.
[0021]
The heat treatment unit 10 is a part for performing various heat treatments on the workpiece W such as a semiconductor wafer or an LCD, and includes a vertical process tube 12. The process tube 12 is a cylindrical member having a lower end opening. In the present embodiment, the process tube 12 is made of high-purity transparent quartz.
[0022]
An air supply pipe 14 for supplying process gas from the outside is arranged inside the process tube 12. This air supply pipe 14 has an opening at the upper end in the internal space of the process tube 12, and on the way to the opening, that is, below the heat treatment position of the workpiece W, as shown in FIG. A preheating portion 14A having a gas passage is formed. The preheating unit 14A absorbs the heat of the atmosphere below the heat treatment position of the workpiece W, thereby heating the process gas supplied from the outside and stored at once, and then ejects it into the space above the processing unit. It is like that. Therefore, since the process gas is set in a state close to the processing temperature until it is ejected, the time until the temperature reaches the temperature for the reaction processing is shortened.
[0023]
Further, the position corresponding to the back side of the processing surface of the object to be processed W is absorbed by the preheating unit 14A, so that the object to be processed W is disposed between the processing surface of the object to be processed W and its back space. Is set to a temperature at which a temperature gradient for setting the in-plane uniformity is obtained. In addition, as a structure in the preheating part 14A of this air supply pipe 14, you may provide the radiation fin (not shown) arranged in multiple numbers along the circumferential direction. Thereby, the heat from the heat treatment part 10 can be efficiently transmitted to the process gas.
[0024]
Further, as shown in FIG. 1, an exhaust pipe 26 for exhausting the process gas supplied from the air supply pipe 14 is provided in the vicinity of the lower end opening of the process tube 12. By combining these pipes, the process tube 12 is provided. An appropriate flow is generated in the process gas introduced into the inside of the processing object W so that the thin film formed on the surface of the workpiece W can be made uniform. Note that the air supply and exhaust pipes 14 and 28 that come into contact with the process gas are covered with, for example, quartz or the like, and measures against heavy metal contamination are taken.
[0025]
On the other hand, a heat insulating material 16 made of, for example, alumina ceramics is provided around the process tube 12. For example, the heat insulating material 16 is provided inside a heat insulating material 17 made of a ceramic wool molded product arranged on the outer periphery thereof.
[0026]
A water cooling mechanism 18 including a water cooling jacket formed of an inner shell 18A and an outer shell 18B is provided on the outer wall surface of the heat insulating material 17, and heat isolation is performed between the heat treatment unit 10 and the outside. Thereby, when high-temperature heat treatment is performed in the heat treatment section 10, it is possible to ensure the safety of external operation.
[0027]
Further, a planar heat source 20 as a primary heating source is provided above the process tube 12. This planar heat source 20 is, for example, resistance heat generation such as molybdenum disilicide (MoSi2) or Kanthal (trade name) wire which is an alloy wire of iron (Fe), chromium (Cr) and aluminum (Al). The body is arranged on the upper inner wall surface of the heat insulating material 16. Molybdenum disilicide can sufficiently withstand the high temperature of 1800 ° C. Such a planar heat source 20 can also be configured, for example, by arranging resistance heating wires made of a single wire of molybdenum disilicide in a spiral shape. Further, it is effective from the viewpoint of thermal efficiency that the heat generation surface of the planar heat source 20 is at least twice the outer diameter of the workpiece W.
[0028]
By the way, between the process tube 12 and the planar heat source 20, it is heated by the heat from the planar heat source 20 to uniformly radiate secondary radiant heat to the surface of the workpiece W. A soaking member 22 is arranged. For this heat equalizing member 22, for example, a material having a relatively low contamination degree such as silicon carbide (SiC) and having good heat resistance is selected. In the present embodiment, the heat equalizing member 22 is as shown in FIG. In addition, the heat treatment is provided so as to cover the upper side and the side of the workpiece W set at the processing position, and in a region below the processing position of the workpiece W in a horizontal state in parallel with the workpiece W. The member 22A is included. The heat equalizing member 22A can emit secondary radiant heat rays from the back side of the object to be processed W at least to the peripheral portion of the object to be processed W. Therefore, the peripheral portion of the object W to be processed with a relatively large amount of heat dissipation is heated by the secondary radiant heat from the heat equalizing member 22A located on the back surface, so that the increase in the amount of heat dissipation can be suppressed and the object to be processed. The temperature distribution in the plane of W is prevented from changing.
[0029]
As another example of the arrangement configuration of the above-described heat equalizing member 22, the heat equalizing member may be divided and arranged on the front surface side and the back surface side of the workpiece W as shown in FIG. In this case, in particular, in the case of the back surface, as in the case shown in FIG. 1, it is necessary to arrange in a state in which radiant heat can be applied to the peripheral portion of the workpiece W. The heat equalizing member 22A located on the back side is not limited to the member that radiates secondary radiant heat, and can be made of, for example, silicon carbide (SiC) having a mirror surface formed of a polishing layer on the surface. Accordingly, the radiant heat rays from the heat equalizing member 22 located on the front surface side directly reach the surface of the object to be processed W, and a part of the heat radiation member 22A located on the rear surface side is reflected by this mirror surface. It reaches the peripheral edge of the processing body W.
[0030]
Another example of such a divided arrangement is the structure shown in FIG. That is, the heat equalizing member 22 located on the surface side of the workpiece W is suspended from the upper end position to the range where the workpiece W is located. Therefore, in this case, heating at the peripheral edge of the workpiece W is promoted on both the front surface and the back surface, and a decrease in temperature due to heat radiation from the peripheral edge is prevented.
[0031]
Furthermore, the arrangement configuration of the heat equalizing member 22 located on the back side of the workpiece W includes the configuration shown in FIG. That is, in the arrangement configuration shown in FIG. 5, the heat equalizing members 22 are respectively arranged on both sides of the back surface of the object to be processed W in an area where the process tube 12 does not interfere with the lifting path of the object to be processed W. . In addition, since the soaking | uniform-heating member 22 arrange | positioned at the back surface is heated by the planar heat source 20 before carrying in the to-be-processed body W, it heats toward the peripheral part of the to-be-processed body W from a back surface side. It becomes possible. Alternatively, as shown in FIG. 6, a part of the heat equalizing member 22 can be integrated with the holder 30 to be processed. In this way, by heating the surface of the object to be processed W as well as the back surface, particularly the periphery of the object to be processed W, the temperature at the periphery of the object to be processed W is increased. The temperature distribution in the surface can be made uniform without being lowered. In addition, by using a material having good heat resistance such as silicon carbide and a low degree of contamination, the processing space of the process tube 12 can be thermally isolated from the heat generation source. Even if it is comprised by the material containing the heavy metal which becomes, the contamination by a heavy metal can be prevented effectively.
[0032]
On the other hand, inside the process tube 12, there is provided an object holder 30 for transferring the object W to the heat treatment part 10 with respect to the treatment part 10.
[0033]
The workpiece holder 30 is composed of, for example, a rod member that can move up and down between the processing position shown in FIG. 1 and the loading / unloading position of the workpiece W. A mounting portion 30A is formed. In the case of the present embodiment, as shown in FIG. 7, for example, the mounting portions 30 </ b> A are provided on the upper surface of the cradle 30 </ b> A <b> 1 formed in a ring shape along the circumferential direction, in four locations in the figure. A support column 30A2 is provided. The cradle 30A1 is set to a skeleton structure that does not hinder the radiant heat line from the heat equalizing member 22 or 22A located on the back side of the workpiece W.
[0034]
The shielding member 30B is provided for shielding the radiant heat from the inside of the processing section, sealing the process gas in the heat treatment section, and further rectifying the air flow when the body to be processed W moves. It is comprised with the cover body provided in the middle to the axial direction other end of the holder 30. FIG.
[0035]
And since the shielding member 30B will heat-store by the heating from the heat equalization member 22 located in the back surface of the to-be-processed object W, the function to preheat the to-be-processed object W mounted can be given. Further, the shielding member 30B has a configuration for performing the function of rectifying the airflow when the workpiece W is moved. That is, in FIG. 1, the outer diameter (A) of the shielding member 30B is between the inner wall surface of the preheating portion 14A of the air supply pipe 14 when the placement portion 30A moves from the processing position for loading and unloading. The gap is set so as to obtain a gap that does not cause a rapid flow rate in the existing gas. In this embodiment, the gap is smaller by about 5 mm to 30 mm than the inner diameter (B) of the inner wall surface of the preheating portion 14A. Is set.
[0036]
This is to prevent, for example, an in-plane temperature difference from occurring in the object W when the object holder 30 is moved from the heat treatment part 10 after the heat treatment. That is, when the approaching members relatively move as in the relationship between the preheating portion 14A and the shielding member 30B, the gas existing between them, particularly the gas existing near the periphery of the shielding member 30B is entrained. A flow rate due to. The velocity of the airflow is influenced by the size of the gap between the two, and if the gap is too small, the flow velocity increases rapidly, and convection occurs in the processing position, which is one space, with the shielding member 30B as a boundary. It will be. For this reason, the heat dissipation from the peripheral part of the to-be-processed object W will be accelerated | stimulated. Therefore, by determining the outer diameter of the shielding member 30B, the temperature gradient in the processing position is not changed during the heat treatment. In addition to this, when the workpiece W moves to the processing position because it is unloaded, an increase in the air velocity is suppressed to prevent an in-plane temperature difference of the workpiece W from occurring. . Therefore, when the workpiece W moves for loading and unloading, even if a certain speed is generated in the airflow around the shielding member 30B, this speed is not allowed to act on the processing position. So-called convection at the processing position can be prevented and an in-plane temperature difference of the workpiece W can be prevented from being generated.
[0037]
In this embodiment, in addition to specifying the outer diameter of the shielding member 30B, the shielding member 30B is formed with a plurality of gas escape holes 30B1 penetrating upward along the circumferential direction as shown in FIG. ing. By forming this gas escape hole 30B1, the entrainment of gas in the vicinity of the periphery of the workpiece W may be reduced.
[0038]
Note that the shape of the shielding member 30B is not limited to the above-described lid shape, and it is of course possible to set a shape that suppresses the turbulence of airflow and the generation of speed when the workpiece holder 30 moves. You may make it the shape which combined the cone shape up and down, and you may provide a plurality of sheets continuously.
[0039]
FIG. 8 shows an example in which a plurality of shielding members are provided. In this case, a plurality of shielding members are provided along the vertical axis direction, in FIG. 8, four stages of shielding members 30B10, 3012, 30B14, and 30B16 are provided, and the outer diameter is sequentially increased toward the lower stage. Is set. In addition, partition plates 30B20, 30B22, and 30B24 that are fixed to the inner wall of the process tube 12 and have a diameter reduced in order from the upper side along the vertical direction are disposed in the vicinity of the peripheral surface of each shielding member. The partition plates 30B20, 30B22, and 30B24 are provided to block the heat in the heat treatment unit 10 to prevent a temperature gradient between the heat treatment unit and the lower side, thereby preventing the generation of airflow. Further, a plurality of gas escape holes are formed in the shield members at each stage, similarly to the shield member 30B of FIG. In this case, the gas escape holes are formed at different positions between the shielding members at the respective stages. Similarly, a gas escape hole can be formed in each partition plate. Further, the second and subsequent shielding members 30B10, 3012, 30B14, and 30B16 for the partition plates are located below the partition plates 30B20, 30B22C, and 30B24 when the cradle 30A of the workpiece holder 30 is in the processing position. The positional relationship is set and fixed to the rod portion of the workpiece holder 30. Note that the structure of the shielding member shown in FIG. 8 is for the case where the process tube 12 does not have the preheating portion 14A of the intake pipe 14 shown in FIG. 1, but the intake pipe 14 is the same as in FIG. It is also possible to target the case where the remaining heat portion 14A is provided, and FIG. 9 shows the structure in this case. In the case shown in FIG. 9, the preheating portion 14 </ b> A of the intake pipe 14 is arranged on the lower side, and the diameter is sequentially reduced.
[0040]
In addition to the above-described shielding members 30B10, 30B12, 30B14, and 30B16, another one heat shielding member 30C is provided at the other axial end of the workpiece holder 30. The heat shield member 30C is constituted by a flange, and is connected to a cooling rod 32 located below the end. The heat shield member 30 </ b> C covers the vicinity of the lower end opening of the process tube 12 and will be described later when the placement portion 30 </ b> A of the workpiece holder 30 is set at the treatment position of the workpiece W in the heat treatment unit 10. This is to block the passage of radiant heat to the workpiece carrying-in / out unit 50. Of the above-described shielding members, the shielding member 30B10 located at the uppermost stage as shown in FIGS. 8 and 9 can be used for heating the back surface of the workpiece W, and further on the back surface side. It is also possible to change the temperature by changing the material or the like between the central portion and the peripheral portion of the soaking member. In particular, in the latter case, it is a matter of course that the temperature of the peripheral portion is set higher.
[0041]
On the other hand, the cooling rod 32 is for cooling the workpiece holder 30. For this reason, the cooling rod 32 is made of metal, and a water cooling jacket 32A is formed therein as shown in FIG.
[0042]
Further, as shown in FIG. 10, a through hole 34 reaching the mounting portion 30 </ b> A is formed in the central portion of the workpiece holder 30 and the cooling rod 32. A lead wire 36 </ b> A of a thermometer 36 for approximately measuring the processing temperature in the heat treatment unit 10 is inserted into the through hole 34. The thermometer 36 is arranged on the back surface of the mounting portion 30 </ b> A of the workpiece W so as to detect the surface temperature of the workpiece W. Further, the through hole 34 can be used as an optical path to an optical temperature sensor that detects the temperature from the surface color of the workpiece W, for example, instead of the thermometer. A part of the through hole 34 is connected to a supply pipe 38 for a purge gas such as N2 gas, for example, so that the inside of the through hole 34 is purged.
[0043]
In addition, it is necessary to reduce the contact area of the mounting portion 30 </ b> A in the workpiece holder 30 in order to prevent uneven temperature distribution due to heat radiation in the surface of the workpiece W. Therefore, in this embodiment, instead of the mounting column 30A2 of FIG. 7 provided in the mounting portion 30A, the mounting support structure shown in FIG. 11 can be used. That is, the structure shown in FIG. 11 (A) is formed with gradient surfaces 30A10 and 30A12 that intersect at substantially right angles, and the workpiece W is placed on the apex of one gradient surface 30A10, and the other gradient surface. 30A12 is used as a guide surface for centering. Further, the structure shown in FIG. 11B is formed by forming the cutting tool relief 30A20 at the intersecting position when forming the intersecting sloped surfaces shown in FIG. 11A. It is improving. Further, the structure shown in FIG. 11C uses the rod member 30A30 on which the intersecting surfaces are formed.
[0044]
On the other hand, in FIG. 1, the processing object carry-in / out unit 50 is constituted by an airtight chamber located below the lower end opening of the process tube 12, and mainly a processing object holder 30 while maintaining an airtight state with respect to the atmosphere. It is a location where the to-be-processed object W is carried in / out.
[0045]
For this reason, as shown in FIG. 12, the workpiece loading / unloading unit 50 transfers the first and second load lock chambers 52 and 54 and the workpiece W from the load lock chambers 52 and 54 to the process tube 12. The delivery chambers 56 for delivery to each other are arranged at right angles. The first and second load lock chambers 52 and 54 have the same configuration, and the first load lock chamber 52 will be described. First and second gate valves 52A and 52B, expansion and contraction / lifting and rotation A possible transfer arm 52C, a gas introduction hole 52D, and a gas discharge hole 52E are provided.
[0046]
The second load lock chamber 54 includes first and second gate valves 54A and 54B, a transfer arm 54C that can be extended, retracted, and rotated, a gas introduction hole 54D, and a gas discharge hole 54E. The gate valves 52A, 52B, 54A, 54B are opened when the workpiece W is carried in / out between the outside of the apparatus and the load lock chambers 52, 54 or between the load lock chambers 52, 54 and the delivery chamber 56. It has an open / close function that closes when maintaining an airtight state. The transfer arms 52C and 54C are configured by, for example, arms having multiple joints, and carry the workpiece W into and out of the load lock chambers 52 and 54 from the outside of the apparatus or from the load lock chambers 52 and 54 to the delivery chamber 56. It has a function. The gas introduction holes 52D and 54D are for purging the load lock chambers 52 and 54 with, for example, N2 gas, and the gas discharge holes 52E and 54E are for evacuating the load lock chambers 52 and 54, respectively. Is.
[0047]
In FIG. 1, a shutter drive unit 60 is provided in the vicinity of the object carrying-in / out unit 50.
[0048]
That is, the shutter driving unit 60 includes a first shutter 62 and a second shutter 64 for heat shielding, which are provided in a plurality along the vertical axis direction below the lower end opening of the process tube 12. The first and second shutters 62 and 64 for heat insulation are arranged on both sides of the workpiece carry-in / out section 50 in the vertical axis direction, and are moved in opposite directions by a driving member 66 such as a cylinder. The shutter plates 62A and 62B and 64A and 64B that can be opened and closed are provided.
[0049]
Each of the shutter plates has a heat insulating structure in which a water cooling jacket is formed. Among these shutter plates, the shutter plates 62A and 62B in the first shutter 62 located on the lower end opening side of the process tube 12 are configured so that the opposing surfaces are formed in an L shape and overlap as shown in FIG. Has been. This is to prevent the temperature below the hermetic chamber from rising by blocking the passage of radiant heat rays from the process tube 12 when the opposing surfaces are in close contact with each other. Of course, each shutter plate 62A, 62B has a hole through which the cooling rod 32 is inserted. In addition, as shown in FIG. 14A, the shutter plates 62A and 62B are provided with a recess at the tip end where the object holder 30 can be inserted. And this front-end | tip can be mutually overlapped as shown in FIG.14 (B), and the passage of the heat ray from upper direction is interrupted | blocked in the overlapped state. The second shutter 64 can also be configured in the same manner as in FIGS.
[0050]
The airtight chamber in which the first and second shutters 62 and 64 are located is provided with a structure for switching the atmospheric gas of the workpiece W.
[0051]
That is, as shown in FIG. 15, for example, an inert gas different from the process gas, for example, a helium gas, is provided at the positions equally divided in the circumferential direction at the advancing and retreating portions of the first and second shutters 62 and 64. An injection nozzle 70 for blowing (He) is disposed. This jet gas is an undesired product film in the course of movement of the object to be processed W by switching the atmosphere gas immediately from the atmosphere of the process gas to the object to be processed W carried out from the heat treatment section 10 and cutting off the contact of the process gas. Is prevented from forming. In addition, such an atmospheric gas is immediately switched and placed in contact with an inert gas that is not affected by the temperature from the heat treatment section, so that the thermal budget of the workpiece W, so-called treatment The heat balance received by the body W is stabilized to suppress the change of the temperature distribution in the surface, and the in-plane uniformity is ensured. And according to the number of the injection nozzles 70, exhaust ports (not shown) are provided at equal positions where they do not interfere with the injection nozzles 70 in the circumferential direction. This injection nozzle 70 has injection ports for injecting cooling gas in the horizontal direction at a plurality of locations in the vertical axis direction, and as shown in FIG. 15, the cooling gas is parallel to the surface of the workpiece W in the retracted position. Can be injected. Note that this jet gas may be used for cooling the first and second shutters, and further, the workpiece W carried out of the heat treatment unit 10 may be cooled using this gas.
[0052]
By the way, in FIG. 15, the drive mechanism 40 of the to-be-processed object holder 30 and the cooling rod 32 is configured as follows.
[0053]
That is, the drive mechanism 40 includes an elevating arm 42 connected to an axial end of a cooling rod integrated with the workpiece holder 30. The elevating arm 42 includes, for example, a ball screw and a nut. Can be moved up and down by a lifting mechanism 44 combined. In the elevating arm 42, for example, a rotation mechanism via a gear is provided, and this rotation mechanism is at least one or more rotations when the workpiece holder 30 is carried into and out of the heat treatment section 10. When the workpiece holder 30 is retracted from the heat treatment section 10 and the workpiece W is opposed to the spray nozzle 70 positioned below the first shutter 62, the rotation is, for example, about 60 rpm. Is supposed to be performed. In order to secure airtightness when the workpiece holder 30 is moved up and down, a seal structure 46 using a magnetic fluid is provided between the hermetic chamber and the workpiece holder 30 (see FIG. 1). Alternatively, a bellows structure (not shown) is provided. In addition, regarding the raising / lowering drive of the to-be-processed object holder 30, you may make it move up and down independently from the raising / lowering mechanism 44 mentioned above.
[0054]
The object 30 is rotated at a necessary number of rotations during the heat treatment, but is moved while rotating at least one rotation at the time of carrying in and out of the heat treatment unit 10. The drive control is performed. Such rotation during loading and unloading ensures uniform in-plane uniformity of the workpiece W before and after heat treatment by uniformizing the supply of radiant heat from the planar heat source 24 and the contact with the process gas. To be executed.
[0055]
Next, the operation will be described.
[0056]
When the heat treatment of the workpiece W is performed, the workpiece W is carried into the workpiece carry-in / out section 50. That is, this case will be described below with the second load lock chamber 54 as an object.
[0057]
First, when the workpiece W is carried in, the inside of the second load lock chamber 54 is set to the same pressure as the atmospheric pressure in advance by purging N2 through the gas introduction hole 54D. If the outside air and the load lock chamber 54 have the same pressure, when the gate valve 54B is opened, it is possible to prevent intrusion and scattering of dust and dirt due to a rapid flow of gas. Next, the gate valve 54 </ b> B is opened and the workpiece W is carried into the delivery chamber 56. Thereafter, the gate valve 54B is closed, and evacuation is performed by the gas exhaust hole 54E. In this case, it is desirable that the delivery chamber 56 is similarly evacuated and purged with N2 in advance. Furthermore, it is desirable that the space between the process tube 12 and the first and second shutters 62 and 64 is also evacuated to have the same pressure as the load lock chamber 54.
[0058]
On the other hand, when the object to be processed W is transferred to the delivery chamber 56 via the gate valve 54A by the transfer arm 54C in the load lock chamber 54, the placement portion 30A of the holder 30 for the object to be processed is previously transferred to the transfer arm 54C. Therefore, the object to be processed W is delivered. At this time, the first shutter 62 is closed and the second shutter 64 is opened. When the delivery of the workpiece W is completed, the workpiece holder 30 starts to rotate by the drive mechanism 40. For example, the workpiece holder 30 rotates one or more times such as 2 to 3 rotations until reaching the predetermined processing position of the heat treatment unit 10 and reaches the predetermined processing position. Stop rotation. At this time, both the first and second shutters 62 and 64 are open.
[0059]
As the workpiece holder 30 moves up, the workpiece W is placed in an atmosphere of process gas as soon as it moves from the atmosphere of helium gas in the gas switching structure to the heat treatment section 10. The workpiece holder 30 that has reached the processing position is positioned at a position close to the vicinity of the inner peripheral surface of the preheating portion 14A of the air supply pipe 14, and is switched to the number of rotations during the heat treatment. In the heat treatment unit 10, the preheated process gas is supplied from the air supply pipe 14.
[0060]
When the heat treatment is started by supplying the process gas, the first shutter 62 remains open, and the second shutter 64 is kept closed. Accordingly, since the shielding member 30B of the workpiece holder 30 is disposed so as to cover the lower part of the heat treatment unit 10, the heat rays of radiant heat leaking from the heat treatment unit 10 are blocked. In addition, in the heat treatment unit 10, the process gas is sealed to set the heat treatment environment, and the surface and the back surface of the workpiece W via the heat equalizing member 22, particularly in the case of the back surface, with respect to the peripheral portion. Since radiant heat rays can be applied, the uniformization of the temperature distribution in the surface of the workpiece W is promoted.
[0061]
On the other hand, at the end of the heat treatment, the object holder 30 is positioned below the first shutter 62 with the placement portion 30A. At this time, the shielding member 30B of the holder 30 for the object to be processed is processed by reducing gas entrainment at the peripheral edge by setting the outer diameter dimension of the gas escape hole and the preheating portion 14A of the air supply pipe 14. Heat dissipation from the peripheral edge of the body W can be suppressed, and uneven temperature distribution in the surface can be prevented.
[0062]
In addition, the workpiece holder 30 positioned below the first shutter 62 rotates while the workpiece W on the mounting portion 30A is switched to a rotation speed of, for example, about 60 rpm. The helium gas supplied from the advancing / retreating section cuts off heat from the workpiece W loading / unloading section 50, switches the ambient gas environment, and further cools the workpiece W. At this time, the object to be processed W is promoted to be cooled by the cold air from the first shutter 62 located above.
[0063]
Thus, the to-be-processed object W by which the cooling after heat processing was performed is set the same state as the time of carrying in. Then, in this state, the workpiece W is moved from the position facing the injection nozzle 70 to the delivery chamber 56, and the workpiece W can be carried out by a procedure reverse to that during loading.
[0064]
According to this embodiment, since the shutter provided in the hermetic chamber located below the lower end opening of the process chamber can be used as the cooling structure of the object to be processed, the cooling time can be reduced without requiring a special structure. It can be shortened.
[0065]
Furthermore, according to the present embodiment, by providing a heat insulating material that surrounds the lower part of the processing position between the heat equalizing member and the process tube, the temperature gradient between the front surface and the rear surface of the object to be processed in the heat treatment position is increased. It is possible to optimize the temperature, and it is possible to prevent the generation of an air flow due to a sudden change in the temperature gradient and suppress the heat radiation at the peripheral edge of the object to be processed.
[0066]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.
[0067]
For example, the object to be processed according to the present invention may be an object to be processed having at least a planar shape, and may be an LCD or the like other than a semiconductor wafer. Furthermore, as a heat treatment apparatus to which the present invention is applied, other than a CVD apparatus, for example, an apparatus applied to oxidation, diffusion, and annealing can be targeted.
[0068]
Next, an embodiment for effectively heating the back surface of the object to be processed in the heat treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.
[0069]
The embodiment shown in FIG. 16 and subsequent figures is characterized in that a reflecting member having a pair structure is provided on the same axis as the workpiece holder 30 in place of the above-described shielding member. In FIG. 16 and subsequent figures, the same components as those used up to FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0070]
In other words, the first reflecting member 100 and the second reflecting member 110 are provided below the placement portion 30 </ b> A in the object holder 30 so as to be coaxial with the object holder 30.
[0071]
The first reflecting member 100 is supported so as to be able to rotate and move up and down independently with respect to the workpiece holder 30, and the second reflecting member 110 may be fixed to the holder 30. Preferably, it can be moved up and down integrally with the first reflecting member 100. In the above configuration, only the first reflecting member 100 is rotatable, but it is sufficient that the first and second reflecting members 100 and 110 are relatively rotated.
[0072]
The first and second reflecting members 100 and 110 are provided by removing the shielding member 30B in the embodiment shown in FIG. 1, and the surface facing the mounting portion 30A is mirror-finished by polishing, for example. Silicon carbide (SiC) is used.
[0073]
On the board surfaces of the first and second reflecting members 100 and 110, regions having different reflection efficiencies along the circumferential direction are equally divided into a plurality of locations. The regions with different reflection efficiencies can be obtained by changing the transmittance of radiant heat rays. For this reason, in this embodiment, as in the example shown in FIG. 17, the first reflecting member 100 side is provided with a transmissive portion 100A that is equally divided along the circumferential direction. On the reflecting member 110 side, a heat ray absorbing portion 110A matching the shape of the transmitting portion 100A is formed in the reflecting surface. Moreover, as a structure which makes such a transmittance | permeability different, it can obtain also by providing a transparent part and an opaque part alternately. In this case, transparent quartz is selected as the transmission portion, and the transmittance is varied by making the transparent quartz opaque along the circumferential direction of the transparent quartz. In the case where the opaque portion is configured, gray carbide silicon carbide (SiC) may be distributed. When silicon carbide (SiC) is used, the radiant heat can be absorbed without being reflected, so that the radiant heat can be emitted as secondary energy from this portion.
[0074]
The first and second reflecting members 100 and 110 having such a structure in which the transmittance of heat rays is different cause the phase of the transmission portion of the heat rays to differ by the relative rotation of the two, so-called overlapping. By adjusting the condition, the amount of reflected heat to the workpiece W can be adjusted.
[0075]
That is, in FIG. 17, as indicated by a two-dot chain line, the second reflection is obtained by changing the overlapping state of the transmission part 100A on the first reflection member 100 side with respect to the heat ray absorption part 110A of the second reflection member. The amount of reflected heat from the member 110 changes.
[0076]
In the present embodiment, in order to adjust such an overlapping state, a temperature sensor (not shown) for detecting the temperature of at least the peripheral portion of the workpiece W and the vicinity of the center is arranged, and detection from this temperature sensor is performed. The amount of reflected heat to the workpiece W can be changed by adjusting the overlap between the transmission part 100A and the heat ray absorption part 110A according to the temperature.
[0077]
In addition, among the first and second reflecting members 100 and 110, the upper surface of the first reflecting member 100 at the position facing the back surface of the workpiece W is centered in the cross-sectional shape as shown in FIG. It can also be formed in a concave shape in which the part is thinner than the peripheral part. In this case, the concave angle θ is set to an angle at which the heat rays reflected toward the back surface of the workpiece W can travel.
[0078]
Further, as shown in FIGS. 16 and 18, a cavity 100B is formed inside the first reflecting member 100, and either the heating medium or the cooling medium is formed in the cavity 100B. Has been introduced.
[0079]
As a structure for supplying a medium to the inside of the first reflecting member 100, a second reflecting member 110 is used as shown in FIG. That is, inside the second reflecting member 110, a circulation path 110B communicating with the cavity 100B of the first reflecting member 100 is formed inside the shielding member 30C, and a medium is externally provided in a part of the circulation path 110B. 110C, 110D, and 110E that can supply and collect the water are respectively piped. Thereby, the medium filled in the circulation path 110B circulates in the cavity 100B of the first reflecting member 100 and is discharged via the circulation path 110B. In FIG. 16, black circles indicate the seal member at the connecting portion.
[0080]
With respect to the heating medium or the cooling medium supply timing, with respect to the heating medium, the mounting portion of the processing object holder 30 is placed on the preheating unit 140 described later in the process of moving the processing object holder 30 toward the processing position. This is the time when 30A is located, and the cooling medium is the time when the workpiece holder 30 starts moving toward the workpiece loading / unloading section 50. Thereby, when heated, the preheating effect can be improved, and when cooled, the workpiece W can be carried in and out at a temperature close to room temperature. In addition, the workpiece W that is moved for unloading is set to a processing temperature or lower when leaving the processing position, so there is no possibility that an unnecessary natural oxide film or the like is formed.
[0081]
On the other hand, in FIG. 19, a preheating unit 140 including a space for preheating the workpiece W is provided at a position below the opening of the process tube 12 and at an upper position of the first and second load lock chambers 52 and 54. It has been. The preheating unit 140 is set to have a length in the vertical direction that allows the placement unit 30 </ b> A of the workpiece holder 30 and the first and second reflecting members 100 and 110 to be positioned. Thereby, the object holder 30 on which the object W is placed in the object carry-in / out part 50 can move to the preheating part 140 when the first shutter 62 is opened. Then, when the workpiece holder 30 moves to the preheating unit 140, the first shutter 62 is closed, the workpiece holder 30 is temporarily stopped, and the surface temperature is increased by receiving the radiant heat from the heat equalizing member 22. Raru. As this temperature, the temperature of 400 degreeC or more and 600 degrees C or less which is the temperature from which the absorption efficiency of the infrared rays which make a heat ray becomes favorable is set. Thus, the object to be processed is preheated while moving from the object to be processed loading / unloading section 50 toward the processing position, and when the temperature reaches the processing position, the temperature does not increase rapidly. It is possible to suppress adverse effects such as. Moreover, the time until the temperature rises to the processing temperature when the processing position is reached can be shortened.
[0082]
Next, the operation of this embodiment will be described.
[0083]
When the heat treatment of the workpiece W is performed, the workpiece W is carried into the workpiece carry-in / out section 50. That is, this case will be described below with the second load lock chamber 54 as an object.
[0084]
First, when the workpiece W is carried in, the same pressure as the atmospheric pressure is set in advance by purging the inside of the second load lock chamber 54 with N2 through the gas introduction hole 54D (see FIG. 12). If the outside air and the load lock chamber 54 have the same pressure, when the gate valve 54B is opened, it is possible to prevent intrusion and scattering of dust and dirt due to a rapid flow of gas. Next, the gate valve 54B is opened, and the workpiece W is carried into the second load lock chamber 54. Thereafter, the gate valve 54B is closed, and evacuation is performed by the gas exhaust hole 54E. In this case, it is desirable that the delivery chamber 56 is also evacuated in advance. Furthermore, it is desirable that the space between the process tube 12 and the first and second shutters 62 and 64 is evacuated to the same pressure as the load lock chamber 54.
[0085]
On the other hand, when the workpiece W is transferred to the delivery chamber 56 via the gate valve 54A by the transfer arm 54C in the load lock chamber 54, the placement portion 30A of the holder 30 for the workpiece is previously transferred to the transfer arm 54C. Since the workpiece W is positioned on the transfer path (position indicated by reference numeral S1 in FIG. 19), the workpiece W is delivered. At this time, the first shutter 62 and the second shutter 64 are closed. When the delivery of the workpiece W is completed, the workpiece holder 30 starts to rotate by the drive mechanism 40. For example, the workpiece holder 30 rotates one or more times such as 2 to 3 rotations until reaching the predetermined processing position of the heat treatment unit 10 and reaches the predetermined processing position. Stop rotation. The first and second shutters 62 and 64 are closed immediately after the holder 30 or the like moves upward and reaches a position where it does not interfere with each shutter.
[0086]
As the workpiece holder 30 moves up, the workpiece holder 30 that has moved above the workpiece loading / unloading section 50 temporarily stops when it reaches the preheating section 140, as indicated by S1 in FIG. To do. And if this state is maintained, while a heating medium will be supplied in the cavity part 100B of the 1st reflection member 100, the temperature of the to-be-processed object W will rise by the radiant heat from the soaking | uniform-heating member 22, and what is called Preheating is performed. The preheating temperature is detected by the thermometer 36.
[0087]
And when the to-be-processed object holder 30 raises to a process position when the temperature of the to-be-processed object W in the preheating part 140 reaches predetermined temperature, it has approached the soaking | uniform-heating member 22, and the surface of the to-be-processed object W is approached. The temperature rises by receiving radiant heat. Moreover, the back surface of the to-be-processed object W is heated with the reflected light from the reflective surface of a 1st reflective member.
[0088]
At this time, when the in-plane temperature of the workpiece W is not uniform based on the temperature detected by a temperature sensor (not shown), the reflection part 100A in the first reflecting member 100 and the reflection in the second reflecting member 110 are reflected. The relative position with the opaque portion 110A forming the surface is changed.
[0089]
Furthermore, regarding this temperature adjustment, not only the above-described change in reflection efficiency, but also by changing the distance between the first reflecting member 100 and the mounting portion 30A independently of the object holder 30. The temperature adjustment can be executed while ensuring the in-plane uniformity of the workpiece W.
[0090]
Moreover, the temperature rise of the back surface of a to-be-processed object can be accelerated | stimulated also by the surface shape of a 1st reflective member.
[0091]
On the other hand, when the film forming process at the processing position is completed, the workpiece holder 30 is lowered. Before reaching the workpiece loading / unloading section 50 during the lowering, the cooling medium is replaced with the heating medium in the cavity 100B of the first reflecting member 100, and the temperature of the first reflecting member 100 is lowered. When the temperature of the object to be processed W held by the object holder 30 reaches near room temperature as the temperature of the first reflecting member 100 is lowered by the cooling medium, it is denoted by reference numeral S1 in FIG. As described above, the placement portion 30A of the workpiece holder 30 is located in the workpiece carry-in / out portion 50, and the above-described delivery operation is performed. Thereafter, when the object to be processed W is transferred again to the mounting portion 30A of the object holder 30, the same procedure as described above is repeated.
[0092]
【The invention's effect】
In the first and third aspects of the invention, in-plane uniformity of the processing temperature of the object to be processed can be ensured by heating the peripheral edge of the object to be processed that is particularly radiated from the back surface side of the object to be processed. it can.
[0093]
According to the second aspect of the present invention, it is possible to efficiently heat the secondary heat source, and thus the peripheral edge of the object to be processed.
[0094]
In invention of Claim 4, reflection of a heat ray to a to-be-processed object peripheral part can be performed efficiently. Moreover, even if the reflecting member moves to the processing object insertion / removal position together with the processing object holder, the temperature of the reflecting member does not increase so much, so that the temperature of the inlet / outlet atmosphere of the processing object does not rise.
[0095]
According to the fifth and sixth aspects of the present invention, the in-plane uniformity of the processing temperature of the object to be processed can be adjusted by changing the intensity of heat rays reflected on the peripheral edge of the object to be processed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining an overall configuration of a heat treatment apparatus showing an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a structure of an air supply pipe used in the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
3 is a partial cross-sectional view showing another example of a heating structure in the heat treatment apparatus shown in FIG.
4 is a cross-sectional view showing another example of a heating structure used in the heat treatment apparatus shown in FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing still another example of a heating structure used in the heat treatment apparatus shown in FIG.
6 is a cross-sectional view showing still another example of a heating structure used in the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
7 is a partial perspective view showing an example of a holder for an object to be used used in the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
8 is a partial cross-sectional view showing another structure of the workpiece holder shown in FIG. 7. FIG.
9 is a cross-sectional view showing another example of the workpiece holder shown in FIG. 7. FIG.
10 is a cross-sectional view for explaining the internal structure of the workpiece holder shown in FIG. 7. FIG.
11A to 11C are partial cross-sectional views showing the structure of the mounting portion of the workpiece holder shown in FIG.
12 is a schematic plan view for explaining the configuration of an object loading / unloading unit used in the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
13 is a sectional view of a shutter used in the heat treatment apparatus shown in FIG.
14A and 14B are schematic diagrams illustrating an example of the shutter illustrated in FIG. 13, in which FIG. 14A illustrates an opened state and FIG. 14B illustrates a closed state.
15 is a cross-sectional view showing a gas switching and cooling structure in the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 16 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.
FIG. 17 is a perspective view for explaining a part structure of a heat treatment apparatus according to the present invention.
FIG. 18 is a partial enlarged cross-sectional view for explaining the structure of a reflecting member used in the heat treatment apparatus according to the present invention.
FIG. 19 is a cross-sectional view for explaining the overall configuration of another embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
10 Processing position
12 Process tube
14 Air supply pipe
14A Preheating part
30 Holder for workpiece
30A placement section
30B shielding member
30B10-30B16 shielding member
30C Heat shield member
50 Object loading / unloading section
60 Shutter drive
62 First shutter
64 Second shutter
66 Injection nozzle
100 first reflecting member
100A transparent part
100B Cavity for circulating heat medium
110 Second reflecting member
110A opaque part

Claims (4)

被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を輻射加熱する一次加熱源を、上記処理位置の上方にのみ備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記一次加熱源により加熱されることで、上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて二次輻射熱線を放射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する二次加熱源と、
を有し、
上記二次加熱源は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、上記プロセスチューブを取り囲むように形成され、かつ、上記処理位置よりも下方領域にて上記プロセスチューブに向けて水平に突出された部分を有することを特徴とする熱処理装置。
Has a lower end opening for loading and unloading of the specimen, the primary heating source for radiant heating the object to be processed placed in the processing position, and a vertical process tube that is provided only above the processing position,
The object to be processed in a horizontally supported state is carried into the process tube from the opening, and a holder for the object to be processed that can be moved up and down to be set at the processing position;
Gas supply means for supplying a reaction gas toward a processing position in the process tube;
A secondary heating source that radiates a secondary radiant heat ray toward the back surface of the target object set at the processing position and heats at least a peripheral portion of the target object by being heated by the primary heating source. When,
Have
The secondary heating source has a lower end opening for loading and unloading an object to be processed, is formed so as to surround the process tube, and horizontally toward the process tube in a region below the processing position. heat treatment apparatus characterized by have a protruding portion.
被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を加熱する熱源を、上記処理位置の上方にのみ備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記熱源からの輻射熱線を直接又は間接にて入射し、この入射熱線を上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて反射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する反射部材と、
を有し、
上記反射部材は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、上記プロセスチューブを取り囲むように形成され、かつ、上記処理位置よりも下方領域にて上記プロセスチューブに向けて水平に突出された部分を有することを特徴とする熱処理装置。
A vertical process tube having a lower end opening for loading and unloading the object to be processed and having a heat source for heating the object to be processed disposed at the processing position , only above the processing position ;
The object to be processed in a horizontally supported state is carried into the process tube from the opening, and a holder for the object to be processed that can be moved up and down to be set at the processing position;
Gas supply means for supplying a reaction gas toward a processing position in the process tube;
Reflection that directly or indirectly enters radiant heat rays from the heat source, reflects the incident heat rays toward the back surface of the target object set at the processing position, and heats at least the peripheral portion of the target object. Members,
Have
The reflection member has a lower end opening for loading and unloading the object to be processed, is formed so as to surround the process tube, and projects horizontally toward the process tube in a region below the processing position. The heat processing apparatus characterized by having a part .
請求項において、
上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーに対して昇降移動可能に支持され、上記被処理体との対向間距離を可変としたことを特徴とする熱処理装置。
In claim 2 ,
The heat treatment apparatus, wherein the reflection member is supported so as to be movable up and down with respect to the holder for the object to be processed, and a distance between the object and the object to be processed is variable.
請求項において、
上記反射部材は、上記被処理体ホルダーの縦軸方向の異なる位置に少なくとも2枚配置され、各反射板は、熱線の反射率が異なる領域が周方向に形成され、各反射板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効率の異なる領域の相対位置関係が変化することを特徴とする熱処理装置。
In claim 2 ,
At least two reflection members are arranged at different positions in the vertical axis direction of the object holder, and each reflection plate is formed with regions having different heat ray reflectivities in the circumferential direction. A heat treatment apparatus characterized in that, by rotating, the relative positional relationship between regions having different reflection efficiencies of the reflecting plates changes.
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