JP3716680B2

JP3716680B2 - Plasma processing equipment

Info

Publication number: JP3716680B2
Application number: JP23212999A
Authority: JP
Inventors: 和幸池永; 良司西尾; 健吉岡; 慎一鈴木; 啓二黒木; 三郎金井
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-08-19
Filing date: 1999-08-19
Publication date: 2005-11-16
Anticipated expiration: 2019-08-19
Also published as: JP2001057360A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘導結合によりプラズマを生成する高周波放電装置、特にそのプラズマを利用して被処理物を処理するプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の誘導放電型プラズマ装置の断面を図２に示す。従来の誘導放電型プラズマ装置は、プラズマを点火させる放電部と、成膜又はエッチングを行う処理室７から構成され、真空容器１には処理室７内に反応ガスを供給するための反応ガス導入口２と、処理室７内を真空排気する真空ポンプ３が設けられてある。処理室７内には、プラズマ処理中に処理対象基板５を載置するための基板ステージ４が配置されている。基板ステージ４は可動式（上下方向）になっており、処理対象基板５導入後、所定の高さにセットすることができる。基板ステージ４には、高周波電源１２からインピーダンスマッチング回路１３を介して高周波電圧が印加される。
【０００３】
絶縁性反応容器６の外側にコイル状の誘導アンテナ９を配置する。誘導アンテナ９には、高周波電源１０からインピーダンスマッチング回路１１を介して、高周波電流が供給される。処理ガス導入口２から反応ガスを導入し、高周波電流を誘導アンテナ９に流すと、高周波磁場が絶縁性反応容器６内に発生し、磁場の変動によって高周波電界が誘導される。この誘導電界により電子を加速させ、処理ガスを電離させることで絶縁性反応容器６内にプラズマ８を生成する高周波放電装置が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような高周波放電装置においては、誘導結合による放電のほかに、誘導アンテナに高周波電流が流れると、半径方向に静電界が誘起されるので、誘導アンテナとプラズマの間に容量結合的な放電も生成される。その結果、イオンが加速されて、誘導アンテナ近傍の絶縁性反応容器の内壁に衝突し、内壁がスパッタされる。また、絶縁性反応容器内に処理ガスを導入すると、内壁がエッチングされ、処理室内に不純物が発生しエッチングプロセスに悪影響を与える。これらの現象が生じることにより、絶縁性反応容器の寿命が低下してしまう。また処理方法によっては絶縁性反応容器の内壁に堆積物が付着するため、クリーニング回数が増加し、スループットが低下するという課題がある。
【０００５】
このような課題を解決するため、特開平９−５５２９９号公報、特開平８−３０６６３３号公報、特開平７−２５４４９８号公報、特開平８−１６２４４０号公報、特開平７−１８３２８３号公報に記載されているように、絶縁性反応容器を加熱又は冷却することで、プラズマ点火中、プロセス処理中に絶縁性反応容器内壁で起こる堆積物の付着、またはスパッタもしくはエッチングを抑制し、不純物の発生を抑え、絶縁性真空容器の寿命を伸ばすことで半導体チップの歩留まり向上及びエッチング性能の向上を図ることができるという提案がなされている。
【０００６】
ところが、特開平９−５５２９９号公報、特開平８−１６２４４０号公報、特開平７−２５４４９８号公報に記載されている流動性の加熱媒体（冷却媒体）で絶縁性反応容器を加熱（冷却）する方法等、加熱、冷却に液体を用いる場合では、装置のメンテナンス時に、絶縁性反応容器に設置されている流路から加熱媒体（冷却媒体）を取り除かなければいけないため作業に時間がかかり、装置構造も大きく複雑となる。
【０００７】
また、特開平８−３０６６３３号公報に記載されている温風で加熱する方法では、温風が絶縁性反応容器以外に当たることを防がなければいけない、絶縁性反応容器の天板と下部での温度差が大きい等の課題がある。特開平７−１８３２８３号公報では、加熱機構に電熱線、冷却機構に冷媒液を利用する方法が記載されている。電熱線で絶縁性反応容器の加熱は可能だが、冷却機構においては、前記に記載したような課題がある。
【０００８】
本発明は上記不具合点に鑑みてなされたものであり、絶縁性反応容器の温度を一定に制御する加熱機構及び冷却機構を有し、加熱効率を上げるため、絶縁性反応容器周辺に密閉空間を構成した。これにより、絶縁性反応容器内面で発生するスパッタおよびエッチングを抑制することができ、処理室内で発生する不純物の量を減少させ、絶縁性反応容器の寿命を伸ばし、精度の良いエッチングプロセスとスループットの向上を目的とした高性能な高周波放電装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、少なくとも部分的に絶縁性の部分を有する反応容器と、該反応容器の外側の側面に巻き付けられた誘導アンテナと、該誘導アンテナに接続されたインピーダンス調整機能を持つ高周波回路と、前記誘導アンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、前記反応容器の周辺に密閉空間を構成したプラズマ処理装置であって、前記密閉空間内に、前記誘導アンテナよりも下部の前記反応容器側面を加熱するように備えられた第１の光照射手段と、前記反応容器天板の周辺部を加熱するように備えられた第２の光照射手段とを備え、更に、前記誘導アンテナに向かって送風するための吹き出し口を有する第１の送風機と、前記反応容器天板外側の中心部に吹き出し口を有する第２の送風機とを備えたことである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の図面を参照して説明する。
【００１１】
（実施例１）
本一実施例によるプラズマ処理装置の断面を図１に示す。このプラズマ処理装置は、プラズマを点火させる放電部と、成膜又はエッチングを行う処理室７から構成され、真空容器１には処理室７内に反応ガスを供給するための反応ガス導入口２と、処理室７内を真空排気する真空ポンプ３が設けられてある。処理室７内には、処理対象基板５を載置するための基板ステージ４が備えられている。基板ステージ４は可動式（上下方向）になっており、処理対象基板５導入後、所定の高さにセットすることができる。放電部内部には、絶縁性反応容器６、誘導アンテナ９、絶縁性反応容器６を加熱する加熱機構が備えられており、これらを覆うようにカバー２０が取付けられ、絶縁性反応容器６との間に密閉空間２１を構成している。密閉空間２１内は高温になるため、密閉空間２１を構成するカバー２０の外周に水冷管２２を通して断熱している。誘導アンテナ９は、絶縁性反応容器６の周辺に巻き付けられ、絶縁体の支持部材により固定されている。誘導アンテナ９には、高周波電源１０からインピーダンスマッチング回路１１を介して、高周波電流が供給される。これにより高周波磁場が絶縁性反応容器６内に発生し、磁場の変動によって高周波電界が誘導される。この誘導電界により絶縁性反応容器６内にプラズマ８が生成される。
【００１２】
次に、加熱機構と冷却機構について説明する。
【００１３】
加熱機構は２系統あり、光照射手段３０、３１により構成されている。光照射手段３０は、絶縁性反応容器６天板を狙って加熱するように、絶縁性反応容器６天板の上部に円周状に配置されており、光照射手段３１は、絶縁性反応容器６の下部と側面を狙って加熱するように、絶縁性反応容器６側面付近に円周方向に沿って配置されている。このように光照射手段３０、３１を円周状に配置したことにより、絶縁性反応容器６をほぼ均一に加熱できる。絶縁性反応容器６周辺にカバー２０を取付け、密閉空間２１を構成することで、光照射手段３０、３１より加熱された空気（温空気）を閉じ込めることができ、熱エネルギを外部に放出しないようにできる。これら密閉空間２１と光照射手段３０、３１を利用することで、絶縁性反応容器６天板付近は光照射手段３０、３１の輻射熱と温空気の対流により加熱でき、加熱効率を上げることができる。このような構造を組み込むことにより、絶縁性反応容器６を短時間で均一に加熱することができる。
【００１４】
冷却機構は２系統あり、装置外部に備えられた送風機４０と送風機４５により構成されている。送風機４０は、絶縁性反応容器６の天板を狙って冷却するためのものであり、送風機４５は絶縁性反応容器の側面を冷却するためのものである。絶縁性反応容器６の天板を狙って冷却する理由は、天板は熱伝導による熱の逃げがないため、温度が下がりにくいからである。また、側面を狙って冷却する理由は、プラズマ８は高周波電力を給電すると、誘導アンテナ近傍で強く生成するため、誘導アンテナ付近の側面温度が高くなるからである。
【００１５】
送風機４０から吹出される風は、送風経路４１を通りカバー２０天板に設けられた送風口４２まで導かれる。送風口４２に導かれた風は、ここから絶縁性反応容器６天板に向かって吹出し、絶縁性反応容器６天板を冷却できるようになっている。送風機４５から吹出された風は、送風経路４６を通り放電部内部のカバー２０側面の外側に設けられたエアダム４７に流入する。カバー２０側面には周方向に送風口４８が設けられており、エアダム４７に流入した風は、ここから絶縁性反応容器６側面に向かって吹出し、側面を全周から冷却できるようになっている。これにより誘導アンテナ９付近の絶縁性反応容器６側面を均一に冷却することができる。送風機４０と４５により密閉空間２１内に吹出された風は、密閉空間２１の下部に設置された排気口５０に導かれ、そこから排気ダクトにより外部に排出されるようになっている。風が排気口５０に導かれるときに絶縁性反応容器下部も冷却されるため、絶縁性反応容器６を均一に冷却することができる。
【００１６】
絶縁性反応容器６の温度を一定に制御する一連の動作について説明する。絶縁性反応容器６の温度を制御するため、絶縁性反応容器６の天板と側面に温度センサ６１、６６が取付けられている。絶縁性反応容器６の温度を設定すると、光照射手段３０、３１による天板と側面の加熱が始まる。光照射手段３０、３１は設定温度に到達するまで最大出力で運転する。この温調機構の特徴は、加熱・冷却機構ともに２系統にしたため、絶縁性反応容器６天板と側面で独立した温度制御が可能なことである。
【００１７】
つまり、絶縁性反応容器６天板が設定温度に達すると、まずカバー２０上部に取付けられた開閉式シャッター４３が開き、送風機４０からの風を送り込めるようになり、温度センサ６１の出力に応じて光照射手段３０と送風機４０による天板の温度制御が行われる。また絶縁性反応容器６側面が設定温度に達すると、温度センサ６６の出力に応じて光照射手段３１と送風機４５による側面の温度制御が行われる。このように独立した温度制御が可能なため絶縁性反応容器６の温度を均一に保つことが容易である。この温度を一定に保つ一連の動作は、PID制御されており、温度センサ６１、６６の出力を加熱・冷却機構の動作に反映させている。PIDパラメータは当業者により、容易に設定できる。
【００１８】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁性反応容器を短時間でほぼ均一に加熱することができ、さらにプラズマ点火中でも絶縁性反応容器の温度を一定に制御できるため、絶縁性反応容器内壁で起こるスパッタもしくは化学反応による壁削れと不純物の発生を抑制することができる。これにより、精度の良いエッチングプロセスとスループットの向上を図ることができ、絶縁性反応容器の寿命を伸ばし、高性能なプラズマ処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】従来例によるプラズマ処理装置の断面図である。
【符号の説明】
１…真空容器、２…反応ガス導入口、３…真空ポンプ、４…基板ステージ、５…処理対象基板、６…絶縁性反応容器、７…処理室、８…プラズマ、９…誘導アンテナ、１０、１２…高周波電源、１１、１３…インピーダンスマッチング回路、２０…カバー、２１…密閉空間、２２…水冷管、３０、３１…光照射手段、４０、４５…送風機、４１、４６…送風経路、４２、４８…送風口、４３…シャッター、４７…エアダム、５０…排気口、６０、６５…温度計、６１、６６…温度センサ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency discharge apparatus that generates plasma by inductive coupling, and more particularly to a plasma processing apparatus that processes an object to be processed using the plasma.
[0002]
[Prior art]
A cross section of a conventional induction discharge plasma apparatus is shown in FIG. The conventional induction discharge type plasma apparatus is composed of a discharge part for igniting plasma and a processing chamber 7 for film formation or etching. A reactive gas is introduced into the vacuum chamber 1 for supplying a reactive gas into the processing chamber 7. A port 2 and a vacuum pump 3 for evacuating the inside of the processing chamber 7 are provided. In the processing chamber 7, a substrate stage 4 for placing the processing target substrate 5 during the plasma processing is disposed. The substrate stage 4 is movable (vertical direction) and can be set to a predetermined height after the processing target substrate 5 is introduced. A high frequency voltage is applied to the substrate stage 4 from the high frequency power source 12 via the impedance matching circuit 13.
[0003]
A coiled induction antenna 9 is arranged outside the insulating reaction vessel 6. A high frequency current is supplied to the induction antenna 9 from the high frequency power supply 10 via the impedance matching circuit 11. When a reaction gas is introduced from the processing gas inlet 2 and a high-frequency current is passed through the induction antenna 9, a high-frequency magnetic field is generated in the insulating reaction vessel 6, and a high-frequency electric field is induced by the fluctuation of the magnetic field. There is known a high-frequency discharge device that generates plasma 8 in an insulating reaction vessel 6 by accelerating electrons by this induction electric field and ionizing a processing gas.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In such a high frequency discharge device, in addition to the discharge due to inductive coupling, when a high frequency current flows through the induction antenna, an electrostatic field is induced in the radial direction, so that capacitively coupled discharge is also generated between the induction antenna and the plasma. Generated. As a result, the ions are accelerated, collide with the inner wall of the insulating reaction container near the induction antenna, and the inner wall is sputtered. In addition, when the processing gas is introduced into the insulating reaction vessel, the inner wall is etched and impurities are generated in the processing chamber, which adversely affects the etching process. When these phenomena occur, the life of the insulating reaction container is reduced. In addition, depending on the processing method, deposits adhere to the inner wall of the insulating reaction vessel, which increases the number of cleanings and lowers the throughput.
[0005]
In order to solve such problems, it is described in JP-A-9-55299, JP-A-8-306633, JP-A-7-254498, JP-A-8-162440, and JP-A-7-183283. As described above, heating or cooling the insulating reaction vessel suppresses the adhesion of deposits, spattering or etching that occurs on the inner wall of the insulating reaction vessel during plasma ignition or process processing, thereby preventing the generation of impurities. It has been proposed that the yield of the semiconductor chip and the etching performance can be improved by suppressing and extending the life of the insulating vacuum container.
[0006]
However, the insulating reaction vessel is heated (cooled) with a fluid heating medium (cooling medium) described in JP-A-9-55299, JP-A-8-162440, and JP-A-7-254498. When using liquids for heating and cooling, such as methods, the heating medium (cooling medium) must be removed from the flow path installed in the insulating reaction vessel during the maintenance of the apparatus. Is also large and complex.
[0007]
In the method of heating with warm air described in JP-A-8-306633, it is necessary to prevent the warm air from hitting other than the insulating reaction vessel. There are problems such as a large temperature difference. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-183283 describes a method of using a heating wire as a heating mechanism and a refrigerant liquid as a cooling mechanism. Although the insulating reaction vessel can be heated with a heating wire, the cooling mechanism has the problems described above.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and has a heating mechanism and a cooling mechanism for controlling the temperature of the insulating reaction vessel to be constant, and in order to increase heating efficiency, a sealed space is formed around the insulating reaction vessel. Configured. As a result, sputtering and etching generated on the inner surface of the insulating reaction vessel can be suppressed, the amount of impurities generated in the processing chamber is reduced, the life of the insulating reaction vessel is extended, and an accurate etching process and throughput are improved. An object of the present invention is to provide a high-performance high-frequency discharge device aimed at improvement.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
A feature of the present invention is that a reaction vessel having at least a partially insulating portion, an induction antenna wound around an outer side surface of the reaction vessel, and a high-frequency circuit having an impedance adjustment function connected to the induction antenna A high-frequency power source for supplying high-frequency power to the induction antenna, and a plasma processing apparatus having a sealed space around the reaction vessel , wherein the side surface of the reaction vessel below the induction antenna is disposed in the sealed space. 1st light irradiation means provided so that it may heat, and 2nd light irradiation means provided so that the peripheral part of the said reaction vessel top plate may be heated, and also it blows toward the said induction antenna a first fan having the outlet for, is to have a second blower having the outlet in the center of the reaction vessel top plate outer.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0011]
(Example 1)
A cross section of the plasma processing apparatus according to this embodiment is shown in FIG. This plasma processing apparatus is composed of a discharge section for igniting plasma and a processing chamber 7 for film formation or etching, and a reactive gas inlet 2 for supplying a reactive gas into the processing chamber 7 into the vacuum chamber 1. A vacuum pump 3 for evacuating the inside of the processing chamber 7 is provided. In the processing chamber 7, a substrate stage 4 for mounting the processing target substrate 5 is provided. The substrate stage 4 is movable (vertical direction) and can be set to a predetermined height after the processing target substrate 5 is introduced. A heating mechanism for heating the insulating reaction vessel 6, the induction antenna 9, and the insulating reaction vessel 6 is provided inside the discharge part, and a cover 20 is attached so as to cover them. A sealed space 21 is formed between them. Since the inside of the sealed space 21 becomes high temperature, the outer periphery of the cover 20 constituting the sealed space 21 is insulated through the water cooling pipe 22. The induction antenna 9 is wound around the insulating reaction vessel 6 and fixed by an insulating support member. A high frequency current is supplied to the induction antenna 9 from the high frequency power supply 10 via the impedance matching circuit 11. As a result, a high-frequency magnetic field is generated in the insulating reaction vessel 6, and a high-frequency electric field is induced by the fluctuation of the magnetic field. Plasma 8 is generated in the insulating reaction vessel 6 by this induction electric field.
[0012]
Next, the heating mechanism and the cooling mechanism will be described.
[0013]
There are two heating mechanisms, which are composed of light irradiation means 30 and 31. The light irradiating means 30 is circumferentially arranged on the top of the insulating reaction container 6 top plate so as to heat the insulating reaction container 6 top plate, and the light irradiating means 31 includes the insulating reaction container 6. It arrange | positions along the circumferential direction in the vicinity of the insulating reaction container 6 side surface so that it heats aiming at the lower part and side surface of 6. Thus, by arrange | positioning the light irradiation means 30 and 31 circumferentially, the insulating reaction container 6 can be heated substantially uniformly. By attaching the cover 20 around the insulating reaction vessel 6 and forming the sealed space 21, the air (warm air) heated by the light irradiation means 30 and 31 can be confined, and heat energy is not released to the outside. Can be. By using these sealed spaces 21 and the light irradiation means 30, 31, the vicinity of the top of the insulating reaction vessel 6 can be heated by the radiant heat of the light irradiation means 30, 31 and the convection of warm air, and the heating efficiency can be increased. . By incorporating such a structure, the insulating reaction vessel 6 can be uniformly heated in a short time.
[0014]
There are two cooling mechanisms, which are constituted by a blower 40 and a blower 45 provided outside the apparatus. The blower 40 is for cooling aiming at the top plate of the insulating reaction vessel 6, and the blower 45 is for cooling the side surface of the insulating reaction vessel. The reason why the insulating reaction vessel 6 is cooled by aiming at the top plate is that the top plate has no heat escape due to heat conduction, and therefore the temperature is unlikely to decrease. The reason for cooling toward the side surface is that the plasma 8 is strongly generated in the vicinity of the induction antenna when high-frequency power is supplied, so that the side surface temperature in the vicinity of the induction antenna becomes high.
[0015]
The wind blown from the blower 40 is guided to the blower opening 42 provided in the cover 20 top plate through the blower path 41. The wind guided to the air blowing port 42 is blown out from here toward the top plate of the insulating reaction vessel 6 so that the top plate of the insulating reaction vessel 6 can be cooled. The wind blown from the blower 45 flows into the air dam 47 provided outside the side surface of the cover 20 inside the discharge portion through the blower path 46. A blower port 48 is provided in the circumferential direction on the side surface of the cover 20, and the wind that has flowed into the air dam 47 is blown out from here toward the side surface of the insulating reaction vessel 6 so that the side surface can be cooled from the entire circumference. . Thereby, the side surface of the insulating reaction container 6 near the induction antenna 9 can be cooled uniformly. The wind blown into the sealed space 21 by the blowers 40 and 45 is guided to the exhaust port 50 installed in the lower part of the sealed space 21 and is discharged to the outside through the exhaust duct. Since the lower part of the insulating reaction vessel is also cooled when the wind is guided to the exhaust port 50, the insulating reaction vessel 6 can be cooled uniformly.
[0016]
A series of operations for controlling the temperature of the insulating reaction vessel 6 to be constant will be described. In order to control the temperature of the insulating reaction vessel 6, temperature sensors 61 and 66 are attached to the top plate and the side surface of the insulating reaction vessel 6. When the temperature of the insulating reaction vessel 6 is set, heating of the top plate and side surfaces by the light irradiation means 30 and 31 starts. The light irradiation means 30 and 31 are operated at the maximum output until the set temperature is reached. A feature of this temperature control mechanism is that both the heating and cooling mechanisms have two systems, so that independent temperature control is possible on the top surface of the insulating reaction vessel 6 and the side surface.
[0017]
That is, when the insulating reaction vessel 6 top plate reaches the set temperature, the openable shutter 43 attached to the upper portion of the cover 20 is first opened, and the wind from the blower 40 can be sent. Thus, the temperature control of the top plate is performed by the light irradiation means 30 and the blower 40. When the side surface of the insulating reaction container 6 reaches the set temperature, the temperature control of the side surface is performed by the light irradiation means 31 and the blower 45 according to the output of the temperature sensor 66. Thus, since independent temperature control is possible, it is easy to keep the temperature of the insulating reaction vessel 6 uniform. A series of operations for keeping the temperature constant is PID controlled, and the outputs of the temperature sensors 61 and 66 are reflected in the operation of the heating / cooling mechanism. PID parameters can be easily set by those skilled in the art.
[0018]
【The invention's effect】
According to the present invention, the insulating reaction vessel can be heated almost uniformly in a short time, and the temperature of the insulating reaction vessel can be controlled to be constant even during plasma ignition. Wall scraping due to the reaction and generation of impurities can be suppressed. Thereby, an accurate etching process and throughput can be improved, the life of the insulating reaction vessel can be extended, and a high-performance plasma processing apparatus can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional plasma processing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum vessel, 2 ... Reaction gas inlet, 3 ... Vacuum pump, 4 ... Substrate stage, 5 ... Substrate to be processed, 6 ... Insulating reaction vessel, 7 ... Processing chamber, 8 ... Plasma, 9 ... Induction antenna, 10 , 12 ... high frequency power supply, 11, 13 ... impedance matching circuit, 20 ... cover, 21 ... sealed space, 22 ... water-cooled pipe, 30, 31 ... light irradiation means, 40, 45 ... blower, 41, 46 ... blower path, 42 48 ... Air outlet, 43 ... Shutter, 47 ... Air dam, 50 ... Exhaust port, 60, 65 ... Thermometer, 61, 66 ... Temperature sensor.

Claims

A reaction vessel having at least a partially insulating portion; an induction antenna wound around an outer side surface of the reaction vessel; a high-frequency circuit having an impedance adjustment function connected to the induction antenna; A high-frequency power source for supplying electric power, and a plasma processing apparatus having a sealed space around the reaction vessel ,
First light irradiation means provided to heat the reaction container side surface below the induction antenna in the sealed space, and a first light irradiation means provided to heat the periphery of the reaction container top plate. 2 light irradiation means,
The plasma further comprises: a first blower having a blowout port for blowing air toward the induction antenna; and a second blower having a blowout port at a central portion outside the reaction vessel top plate. Processing equipment.

In claim 1 ,
The plasma processing apparatus, wherein the first and second light irradiation means are arranged in a circumferential shape .