JP3727040B2 - Probe card - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブカードに関し、更に詳しくはメンブレンタイプのプローブカードに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程は、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と称す。)に形成されたICチップをパッケージングする前にウエハ状態で各ICチップの電気的特性検査を行い、予め良品ICチップをスクリーニングする検査工程を有している。この検査工程では例えばプローブ装置が用いられる。プローブ装置は、一般に、ウエハを搬送するローダ部と、これに隣接し、ローダ部から搬送されて来たウエハの電気的特性検査を行うプローバ部とを備えている。プローバ部内にはX、Y、Z及びθ方向で移動可能なメインチャックが配設され、ローダ部の上面にはメインチャックと対向するプローブカードが固定されている。
【0003】
そして、プローブ装置を用いて検査する時には、ローダ部から移載されたウエハをメインチャック上で真空吸着した状態で、メインチャックがX、Y、Z及びθ方向に移動してウエハの各ICチップの電極パッド(例えば、アルミニウムによって形成されている)とプローブカードの接触子とを位置合わせした後、メインチャックがZ方向に上昇して各電極パッドと各接触子とが電気的に接触して各ICチップの電気的特性検査を行う。
【0004】
さて、最近、ウエハが大口径化すると共にICチップの集積度が急激に高まり、ICチップの配線構造が超微細化し、電極パッドの配列が益々狭ピッチ化している。これに伴ってプローブカードのプローブ針も狭ピッチ化する。そのため、電極パッドの狭ピッチ化に柔軟に対応できるプローブカードとしてメンブレンタイプのプローブカード(以下、「メンブレンカード」と称す。)ががある。
【0005】
メンブレンカードは、例えば図6に示すように、基材となる合成樹脂製のメンブレン1と、このメンブレン1に形成された銅等の良導性金属からなる配線パターン2と、この配線パターン2の端部に設けられた良導性金属(例えば、金、金合金)の突起状接触子3と、配線パターン2を保護する保護膜4とを備えたものである。このタイプのプローブカードは、ウエハの電極パッドが狭ピッチ化しても、電極パッドに即して突起状接触子3を作ることができ、しかも、電極パッドの凹凸が不揃いであってもメンブレンがその形状に追随して比較的安定した接触圧を確保することができる。
【0006】
ところが、ウエハの電極パッドは例えばアルミニウムによって形成されているため、電極パッドが極めて酸化され易く、ウエハの製造過程あるいは搬送過程等で電極パッドが酸化して絶縁性の酸化膜が形成される。この酸化膜は例えば900〜1200オングストロームの膜厚に達する。そのため、ウエハの検査を行う時には電極パッドの酸化膜を除去する必要がある。
【0007】
上述したメンブレンカードを用いて検査を行う時には、例えば図7に示すように、メインチャックをZ方向に上昇させてオーバードライブさせて突起状接触子3の接触圧を高めると共にXまたはY方向に移動させて突起状接触子3によって酸化膜Oを削り取り、突起状接触子3と電極パッドPとの導通を図るようにしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のメンブレンカードの場合には、図7に示すように突起状接触子3の先端が丸くなっているため、突起状接触子3が電極パッドPに食い込み難いため、食い込みに十分な接触圧を付与した後、ウエハWをXまたはY方向に移動させて電極パッドPの酸化膜Oを削り取って検査するが、突起状接触子3と電極パッドPとの接触面積が僅かで十分な接触抵抗を確保することが難しく、しかも突起状接触子3を擦り付けるため摩耗し易いという課題があった。また、十分な接触抵抗を確保しようとして突起状接触子3の接触圧を高めると、酸化膜Oを削り取る際に突起状接触子3が電極パッドP内に深く食い込み過ぎ、酸化アルミニウムがシリコンに達して混入し、ICチップの電気特性を損なう虞があった。
【0009】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、突起状接触子と被検査体の電極とを圧接させるだけという簡単な操作で突起状接触子と電極との接触抵抗を十分に確保することができ、信頼性の高い検査を行うことができ、しかも耐摩耗性に優れたメンブレンタイプのプローブカードを提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載のプローブカードは、基材と、この基材の表面に形成された突起状接触子とを備え、上記突起状接触子と被検査体の電極とが電気的に接触して上記被検査体の電気的特性検査を行うプローブカードにおいて、上記突起状接触子は基端部から先端部に渡って徐々に細く形成されていると共にその先端に平坦面を有し、且つ、上記接触子の周面にネジ刃を設けたことを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明の請求項2に記載のプローブカードは、請求項1に記載の発明において、上記接触子を上記検査用電極の硬度より高い硬度の材料により形成したことを特徴とするものである。
【0013】
また、本発明の請求項3に記載のプローブカードは、請求項1または請求項2に記載の発明において、上記接触子を円錐台または角錐台に形成したことを特徴とするものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図5に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態のプローブカード10は、例えば図1の(a)、(b)に示すように、ポリイミド系樹脂、シリコン系樹脂等の合成樹脂からなるメンブレン11と、このメンブレン11の表面に銅等の良導性金属によって形成された配線パターン12と、この配線パターン12の端部にウエハの1個または複数個のICチップの電極パッドの配列に合わせて形成された複数の突起状接触子13と、上記配線パターン12を保護するポリイミド系樹脂等の合成樹脂からなる保護膜14とを備え、1個または複数個のICチップの電気的検査を行うようにしてある。また、配線パターン12は、突起状接触子13の数が多くなれば複数層に渡って形成されている。そして、各層の配線パターン12と突起状接触子13とはスルーホール等を介して接続されている。尚、メンブレン11と保護膜14は同一材料によって形成しても良いし、異なる材料で形成しても良い。
【0015】
更に、図示してないが、このプローブカード10はプリント配線基板と支持部材とを備えている。そして、メンブレン11はプリント配線基板の中央開口部に張設され、配線パターン12がプリント配線基板の配線パターンと接続されている。この中央開口には支持部材が装着され、メンブレン11を裏面から支持すると共に、メンブレン11に接触圧を付与するようにしてある。
【0016】
上記突起状接触子13は、例えば図1の(b)に示すように、基端部から先端部に渡って徐々に細くなり、しかもその先端にほぼ正方形の平坦面13Aを有する、四角錐台状に形成されている。この突起状接触子13は、図2に示すように、電極パッドより硬度の高い材料、例えばダイヤモンド、サファイヤ、石英等の鉱石によって四角錐台状に形成された基体部131と、その外面に例えば金、ロジウムあるいはこれらの合金等の良導性金属によってコーティングされた導電膜132とからなっている。そして、導電膜132の基端部が配線パターン12と接続され、導電膜13Bを介して電極パッドとの導通を図っている。突起状接触子13は配線パターン12からの高さが例えば120〜250μmに形成され、その先端の平坦面13Aの辺長は例えば10〜15μmに形成されている。特に、平坦面13Aの辺長が30μm以上では突起状接触子13の電極パッドに対する食い込みが足りず、突起状接触子13の周面と電極パッドとの接触抵抗を十分確保することが難しく、40μmを超えると電極パッドに対する食い込みが難しくなる虞がある。また、平坦面13Aの辺長が8μm以下では突起状接触子13が電極パッドに食い込むものの、突起状接触子13の周面と電極パッドとの接触抵抗を十分確保することが難しくなる。
【0017】
次に、動作について図3を参照しながら説明する。図示しないメインチャック上にウエハを載置し、所定の位置合わせを行った後、メインチャックにオーバードライブを掛ける。すると、同図に示すようにウエハWがZ方向に上昇しプローブカード10の突起状接触子13と接触し、更にウエハWが上昇すると、突起状接触子13は電極パッドPよりも硬度が高いため、その先端の平坦面13A周囲のエッジから電極パッドPに対してせん断力が作用し、その表面をエッジで切断し、突起状接触子13が電極パッドPに食い込み始める。その後のウエハWの上昇で、突起状接触子13の周面で電極パッドPを周囲へ押し広げながら徐々に食い込み同図の実線で示す位置に到達する。この状態では突起状端子13の平坦面13Aは酸化膜Oと接触し電極パッドPとは絶縁されているが、その周面は電極パッドPに食い込んだ部分が電極パッドPの切断面である無垢のアルミニウムと完全に密着して十分の接触抵抗を確保し、電極パッドPとの良好な導通を確保する。この状態で検査を実施すれば、突起状接触13と電極パッドPとの間で確実に信号の授受を行うことができ信頼性の高い検査を行うことができる。
【0018】
以降説明したように本実施形態によれば、プローブカード10の突起状接触子13が電極パッドPより硬度の高いダイヤモンド、サファイヤ、石英等の鉱石により形成されており、しかも先端部に平坦面13Aが形成されているため、突起状接触子13が電極パッドPと圧接するだけという簡単な操作で、突起状接触子13の平坦面13Aのエッジから電極パッドPにせん断力が作用し、電極パッドPを切断して食い込み、突起状接触子13の周面が電極パッドPの無垢のアルミニウムと密着して信頼性の高い検査を行うことができる。また、本実施形態ではメインチャックにオーバドライブを掛けるだけの操作で済むため、メインチャックの動作が単純でその制御が簡単であり、しかも突起状接触子13が電極パッドPと摺擦しないため、耐摩耗性が格段に向上し、寿命が延びる。
【0019】
これと比較して図7に示す従来のプローブカードの場合には、突起状接触子3の先端が丸いため、単にメインチャックにオーバードライブを掛けただけでは、電極パッドPに対して十分に食い込まず、メインチャックをXまたはY方向に横移動させて食い込ませている。このように突起状接触子3が食い込んでもその先端が丸いため電極パッドPとの接触抵抗を十分に確保することができない。
【0020】
また、本発明のプローブカード10の接触子は図4の(a)、(b)〜図5の(a)、(b)に示すものであっても良い。図4の(a)、(b)に示す突起状接触子23は、円錐台状に形成されたものであり、図5の(a)、(b)に示す突起状接触子33は四角錐台状に形成され、更に周面にネジ刃が形成されたものである。特に、図5に示す突起状接触子33は、ネジ刃によって電極パッドPの内周面に切り溝を作りながら食い込み、接触面積が格段に大きくなり、より信頼性の高い検査を行うことができる。
【0021】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば、突起状接触子の形状は、基端部から先端部に渡って徐々に細く形成され、その先端に平坦面が形成されたものであれば良い。また、上記各実施形態では突起状接触子がダイヤモンド等の鉱石からなる基体部とその表面を被覆する導電膜とから構成されているものについて説明したが、基体部が電極パッドよりも硬度を高い導電性金属によって形成すれば、導電膜を設けなくても良い。
【0022】
【発明の効果】
本発明の請求項1〜請求項3に記載の発明によれば、突起状接触子と被検査体の電極とを圧接させるだけという簡単な操作で突起状接触子と電極との接触抵抗を十分に確保することができ、信頼性の高い検査を行うことができ、しかも耐摩耗性に優れたメンブレンタイプのプローブカードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブカードの一実施形態の一部を拡大して示す図で、(a)は要部を示す部分断面図、(b)は突起状接触子を中心に拡大して示す部分斜視図である。
【図2】図1に示す突起状接触子の構成を拡大して示す断面図である。
【図3】図1に示すプローブカードの突起状接触子の動作説明図である。
【図4】本発明のプローブカードの他の実施形態の突起状接触子を拡大して示す図で、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図5】本発明のプローブカードの更に他の実施形態の突起状接触子を拡大して示す図で、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図6】従来のメンブレンタイプのプローブカードを示す図1に相当する断面図である。
【図7】図6に示すプローブカードの突起状接触子の動作説明図である。
【符号の説明】
10 プローブカード
11 メンブレン(膜部材)
12 配線パターン
13、23、33 突起状接触子
13A 平坦面[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a probe card, and more particularly to a membrane type probe card.
[0002]
[Prior art]
In the semiconductor manufacturing process, before packaging IC chips formed on a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”), the electrical characteristics of each IC chip are inspected in the wafer state to screen non-defective IC chips in advance. Has an inspection process. In this inspection process, for example, a probe device is used. In general, the probe apparatus includes a loader unit that transfers a wafer and a prober unit that is adjacent to the loader unit and inspects the electrical characteristics of the wafer transferred from the loader unit. A main chuck that can move in the X, Y, Z, and θ directions is disposed in the prober section, and a probe card that faces the main chuck is fixed to the upper surface of the loader section.
[0003]
When inspecting using the probe device, the main chuck moves in the X, Y, Z, and θ directions while the wafer transferred from the loader portion is vacuum-sucked on the main chuck, and each IC chip of the wafer is moved. After aligning the electrode pad (for example, formed of aluminum) with the contact of the probe card, the main chuck is raised in the Z direction and the electrode pad and the contact are in electrical contact with each other. The electrical characteristics of each IC chip are inspected.
[0004]
Recently, as the diameter of a wafer increases, the integration density of IC chips increases rapidly, the wiring structure of the IC chips becomes ultrafine, and the arrangement of electrode pads becomes increasingly narrower. Along with this, the probe needles of the probe card are also narrowed. Therefore, there is a membrane-type probe card (hereinafter referred to as “membrane membrane”) as a probe card that can flexibly cope with a narrow pitch of electrode pads.
[0005]
For example, as shown in FIG. 6 , the membrane card includes a synthetic resin membrane 1 as a base material, a wiring pattern 2 made of a highly conductive metal such as copper formed on the membrane 1, and the wiring pattern 2. This is provided with a protruding contact 3 made of a highly conductive metal (for example, gold or gold alloy) provided at the end and a protective film 4 for protecting the wiring pattern 2. In this type of probe card, even if the electrode pad of the wafer is narrowed, the protruding contact 3 can be made according to the electrode pad, and even if the unevenness of the electrode pad is uneven, the membrane A relatively stable contact pressure can be ensured following the shape.
[0006]
However, since the electrode pad of the wafer is made of, for example, aluminum, the electrode pad is very easily oxidized, and the electrode pad is oxidized during the wafer manufacturing process or the transfer process to form an insulating oxide film. This oxide film reaches a film thickness of 900 to 1200 angstroms, for example. Therefore, it is necessary to remove the oxide film on the electrode pad when inspecting the wafer.
[0007]
When performing an inspection using the above-described membrane card, for example, as shown in FIG. 7 , the main chuck is raised in the Z direction and overdriven to increase the contact pressure of the protruding contact 3 and move in the X or Y direction. Then, the oxide film O is scraped off by the protruding contact 3 so that the protruding contact 3 and the electrode pad P are electrically connected.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of the conventional membrane card, since the tip of the protruding contact 3 is rounded as shown in FIG. 7 , the protruding contact 3 is difficult to bite into the electrode pad P. After the pressure is applied, the wafer W is moved in the X or Y direction and the oxide film O of the electrode pad P is scraped off and inspected, but the contact area between the protruding contact 3 and the electrode pad P is slight and sufficient contact There is a problem that it is difficult to ensure the resistance, and that the protruding contact 3 is rubbed, so that it is easily worn. Further, when the contact pressure of the protruding contact 3 is increased in order to ensure sufficient contact resistance, the protruding contact 3 bites too deeply into the electrode pad P when the oxide film O is scraped off, and the aluminum oxide reaches silicon. There is a risk that the electrical characteristics of the IC chip may be impaired.
[0009]
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and sufficiently secures the contact resistance between the protruding contact and the electrode by a simple operation of merely pressing the protruding contact and the electrode of the object to be inspected. An object of the present invention is to provide a membrane-type probe card that can perform a highly reliable inspection and has excellent wear resistance.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The probe card according to claim 1 of the present invention includes a base material and a protruding contact formed on the surface of the base material , and the protruding contact and the electrode of the object to be inspected are electrically connected. In the probe card that contacts and inspects the electrical characteristics of the object to be inspected, the protruding contact is formed gradually and gradually from the base end portion to the tip end portion and has a flat surface at the tip end . And the screw blade was provided in the surrounding surface of the said contactor, It is characterized by the above-mentioned .
[0011]
The probe card according to claim 2 of the present invention is characterized in that, in the invention according to claim 1, the contact is formed of a material having a hardness higher than the hardness of the inspection electrode. .
[0013]
A probe card according to claim 3 of the present invention is the probe card according to claim 1 or 2 , wherein the contact is formed in a truncated cone or a truncated pyramid.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described based on the embodiment shown in FIGS.
For example, as shown in FIGS. 1A and 1B, a
[0015]
Further, although not shown, the
[0016]
For example, as shown in FIG. 1B, the
[0017]
Next, the operation will be described with reference to FIG. After placing the wafer on a main chuck (not shown) and performing a predetermined alignment, the main chuck is overdriven. Then, as shown in the figure, the wafer W rises in the Z direction and comes into contact with the protruding
[0018]
As described below, according to the present embodiment, the protruding
[0019]
Compared with this, in the case of the conventional probe card shown in FIG. 7, the tip of the protruding contact 3 is round, so that it is sufficiently bite into the electrode pad P by simply overdriving the main chuck. First, the main chuck is moved laterally in the X or Y direction. Thus, even if the protruding contact 3 bites in, the tip thereof is round, so that sufficient contact resistance with the electrode pad P cannot be ensured.
[0020]
The contacts of the
[0021]
The present invention is not limited to the above embodiments. For example, the shape of the protrusion-like contactor may be any shape as long as it is gradually formed from the base end portion to the tip end portion and a flat surface is formed at the tip end. Moreover, although each said embodiment demonstrated what the protruding contact was comprised from the base | substrate part which consists of ores, such as diamond, and the electrically conductive film which coat | covers the surface, a base | substrate part has hardness higher than an electrode pad. If a conductive metal is used, the conductive film is not necessarily provided.
[0022]
【The invention's effect】
According to the first to third aspects of the present invention, sufficient contact resistance between the protruding contact and the electrode can be obtained by a simple operation of merely pressing the protruding contact and the electrode of the object to be inspected. Therefore, it is possible to provide a membrane type probe card that can perform a highly reliable inspection and is excellent in wear resistance.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an enlarged view of a part of an embodiment of a probe card according to the present invention. FIG. 1 (a) is a partial sectional view showing an essential part, and FIG. It is a fragmentary perspective view shown.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration of a protruding contact shown in FIG.
3 is an operation explanatory view of a protruding contact of the probe card shown in FIG. 1. FIG.
4A and 4B are enlarged views showing a protruding contact according to another embodiment of the probe card of the present invention, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a side view.
5A and 5B are enlarged views showing a protruding contact according to still another embodiment of the probe card of the present invention, where FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a side view.
FIG. 6 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 showing a conventional membrane type probe card.
7 is an operation explanatory view of a protruding contact of the probe card shown in FIG. 6. FIG.
[Explanation of symbols]
10 Probe card 11 Membrane (membrane member)
12
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10088097A JP3727040B2 (en) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | Probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10088097A JP3727040B2 (en) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | Probe card |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253662A JPH10253662A (en) | 1998-09-25 |
| JPH10253662A5 JPH10253662A5 (en) | 2004-07-15 |
| JP3727040B2 true JP3727040B2 (en) | 2005-12-14 |
Family
ID=14285652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10088097A Expired - Fee Related JP3727040B2 (en) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | Probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3727040B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1785482B1 (en) * | 2004-08-27 | 2017-10-04 | Daiichi Sankyo Company, Limited | A method of selecting a cardiomyocyte using intracellular mitochondria as an indicator |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP10088097A patent/JP3727040B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10253662A (en) | 1998-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050405 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050606 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050920 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050926 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111007 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |