JP3730004B2 - Reset system - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はリセットシステムに関し、特に電源立ち上げまたは電源が低位レベルになった場合にリセットを行うリセットシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、集積回路の製造プロセスの微細化と、それに伴う低電源電圧化と、が進行している。ただし、この傾向はいずれの場合も、ディジタル集積回路がアナログ集積回路に対して先行する形で進んでいる。
【0003】
これはディジタル回路ではHとLの2値の識別ができれば十分であるのに対し、アナログ回路では線形性を損なうことなく広い入出力ダイナミックレンジを維持しなくてはならないためである。
【0004】
また、トランスを駆動するラインドライバ回路を含むようなアナログ集積回路では、駆動電流は電源電圧の2乗に反比例する。このため、低電源電圧化を狙うにしても、ドライバ回路へ供給する電源のレベルを低下させることができない。
【0005】
したがって、耐電圧性能の劣る微細化プロセスをアナログ集積回路に適用することは困難であるといったことも理由の1つにあげられる。
このため、アナログ、ディジタル混載回路では、アナログ回路の線形性やラインドライバ回路の消費電力に合わせて、電源電圧レベルと製造プロセスの決定を行っている。
【0006】
すなわち、従来のアナログ、ディジタル混載回路では、アナログ部、ディジタル部に対して、等しいレベルの電源電圧と同一の製造プロセスが用いられていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような従来のアナログ、ディジタル混載回路では、ディジタル回路に微細化プロセスを適用できないので、ディジタル回路ブロックのチップ上での面積を抑えることができなかった。
【0008】
したがって、ディジタル回路ブロックには高密度集積化のための微細化プロセスを、アナログ回路ブロック(全部もしくは一部)には高耐圧プロセスを、それぞれ適用することを考える。
【0009】
この場合、微細化プロセス用の低レベル電圧源と高耐圧プロセス用の高レベル電圧源の2種類の電圧源が必要となるが、通常は2つの電源回路が用意されることは少なく、1種類の電源回路とその出力を異なるレベルに変換するレギュレータ回路とから得るのが一般的である。
【0010】
このような電源構成の場合は、電源立ち上がり時に、レギュレータ回路が微細化プロセス回路を駆動するのに十分なレベルの出力を行う出力開始時点は、電源回路が高耐圧プロセスを駆動するのに十分なレベルを出力する時点からは遅れてしまう。
【0011】
一方、パワーオンリセット回路への試験・調整用論理信号を生成するモード設定回路は、高密度集積化を図るためには微細化プロセス(低レベル電圧源により駆動)を用いることが望ましい。
【0012】
ところが、低レベル電圧源であるレギュレータ回路の立ち上がりが上記のように遅れるために、その間のモード設定回路の出力が論理不確定となってしまい、パワーオンリセット回路には望ましい動作が期待できないといった問題があった。
【0013】
また、パワーオンリセット回路は、電源電圧にもとづいて、内部で生成した分圧信号と参照電圧信号を比較してリセット制御を行うが、電源立ち上げ時には分圧信号と参照電圧信号のレベルが逆転してしまい、正常なリセットを行えないといった問題があった。
【0014】
さらに、電源が混在した集積回路では、低電圧レベル時の論理不確定時に過剰電流が発生し、回路故障の原因になるといった問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、レギュレータ回路の出力レベルが不十分な状態でのリセット制御の論理不確定を解消したリセットシステムを提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、図1のような電源立ち上げまたは電源が低位レベルになった場合にリセットを行うリセットシステム100において、高レベル電圧VHを低レベル電圧VLに変換するレギュレータ10と、高レベル電圧VHで駆動し、リセットを行うためのリセット信号RSTを生成するリセット信号生成部20と、低レベル電圧VLで駆動し、リセット信号生成部20の制御を行うための制御信号CNTを生成する制御信号生成部30と、外部信号Exにもとづいて、制御信号CNTをリセット信号生成部20へ送信するか否かの選択を行う制御信号送信選択部40と、を有することを特徴とするリセットシステム100が提供される。
【0016】
ここで、レギュレータ10は、高レベル電圧VHを低レベル電圧VLに変換する。リセット信号生成部20は、高レベル電圧VHで駆動し、リセットを行うためのリセット信号RSTを生成する。制御信号生成部30は、低レベル電圧VLで駆動し、リセット信号生成部20の制御を行うための制御信号CNTを生成する。制御信号送信選択部40は、外部信号Exにもとづいて、制御信号CNTをリセット信号生成部20へ送信するか否かの選択を行う。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1はリセットシステムの原理図である。リセットシステム100は、電源立ち上げまたは電源が低位レベルになった場合にリセットを行う。
【0018】
レギュレータ10は、高レベル電圧VHを低レベル電圧VLに変換する。リセット信号生成部20は、高レベル電圧VHで駆動し、リセットを行うためのリセット信号RSTを生成する。
【0019】
制御信号生成部30は、低レベル電圧VLで駆動し、リセット信号生成部20の制御を行うための制御信号CNTを生成する。制御信号送信選択部40は、外部信号Exにもとづいて、制御信号CNTをリセット信号生成部20へ送信するか否かの選択を行う。
【0020】
次にリセットシステム100を集積回路上に構築した場合の構成及び動作について説明する。図2はリセットシステム100を集積回路上に構築した場合の構成を示す図である。
【0021】
集積回路100aはアナログ回路ブロック110と、ディジタル回路ブロック120と、から構成される。電源回路130は、高レベル電圧VHとして+5Vをアナログ回路ブロック110の複数の電源端子VDD1〜VDD3に供給する。
【0022】
アナログ回路ブロック110内の各回路は高レベル電圧VHである+5Vで、ディジタル回路ブロック120内の各回路は低レベル電圧VLである+3Vで動作する。
【0023】
レギュレータ10は、+5Vを+3Vに変換する。パワーオンリセット部20は、リセット信号生成部20に該当し、各内部ブロックのリセットを行うためのリセット信号RSTを生成する。
【0024】
モード設定部30は、制御信号生成部30に該当し、パワーオンリセット部20の制御を行うための制御信号CNTを生成して、パワーオンリセット部20のモードを設定する。すなわち、電源立ち上げ時等のパワーオンリセット部20の試験・調整モードを制御信号CNTで設定する。
【0025】
セレクタ部40は、制御信号送信選択部40に該当し、外部信号Exにもとづいて、制御信号CNTをパワーオンリセット部20へ送信するか否かの選択を行う。選択制御については後述する。
【0026】
ディジタル信号処理部121は、ディジタル回路ブロック120内のディジタル信号の処理を行う。
ラインドライバ/レシーバ111は、ディジタル信号処理部121で処理された論理信号の情報を線路(図に示さず)上に伝送するための送信処理、または伝送された信号の受信処理を行う。
【0027】
A/D部112は、ラインドライバ/レシーバ111で受信処理した信号のアナログ/ディジタル変換を行い、ディジタル信号処理部121へ送信する。
次に外部信号Exで制御信号CNTをパワーオンリセット部20へ送信するか否かの選択をするための選択制御について説明する。
【0028】
電源端子VDDaに対しては、図のようなスライドスイッチ140が集積回路100a外部に設けられる。集積回路100aの通常動作時にはスライドスイッチ140を電源側に接続する。この場合、セレクタ部40のSW1は図ではGNDに切り替わり、モード設定部30からの制御信号CNTはパワーオンリセット部20へ送信されなくなる。
【0029】
また、パワーオンリセット部20の試験・調整モード時には、スライドスイッチ140をGND側に接続する。この場合、セレクタ部40のSW1はモード設定部30の出力端子側に切り替わり、モード設定部30からの制御信号CNTはパワーオンリセット部20へ送信される。
【0030】
次にセレクタ部40の構成について説明する。図3はセレクタ部40の構成を示す図である。制御信号CNTが2種ある場合の構成例を示す。
ORゲートIC1の入力端子に、モード設定部30からの制御信号CNT1INとVDDaとが接続する。インバータIC2の入力端子にはVDDaが接続する。ANDゲートIC3の入力端子には、モード設定部30からの制御信号CNT2INとインバータIC2の出力とが接続する。
【0031】
ORゲートIC1の出力であるCNT1OUTは、VDDaがLの場合CNT1INと等しい論理を、VDDaがHの場合はH固定となる。
ANDゲートIC3の出力であるCNT2OUTは、VDDaがLの場合CNT2INと等しい論理を、VDDaがHの場合はL固定となる。
【0032】
以上説明したように、リセットシステム100は、パワーオンリセット部20のモード設定を行う際に、外部信号Exにもとづいてモード設定部30からの制御信号CNTを送信するか否かの選択を行う構成とした。
【0033】
モード設定部30は、電源立ち上げ時等にレギュレータ10から+3Vが供給されるため、パワーオンリセット部20の駆動時より遅れて駆動する。
従来の場合、モード設定部30が完全に立ち上がるまでの間の論理不確定の制御信号CNTがパワーオンリセット部20に送信され、パワーオンリセット部20は不安定な動作を行っていた。
【0034】
ところが、リセットシステム100では、通常モードに設定されていれば、論理不確定状態にあると思われる低レベル論理信号によってリセット回路(パワーオンリセット部20)が制御されることはない。
【0035】
したがって、電源立ち上げ時等に安定した動作が保証される。なお、リセット回路の試験調整作業は、電源レベルが十分に安定してから行われるので、論理不確定の影響を受けない。
【0036】
次にリセット装置について説明する。図4はリセット装置の原理図である。リセット装置20aは、電源立ち上げまたは電源が一時的な低位レベルから回復する場合にリセットを行う。また、リセット装置20aは図2で説明したパワーオンリセット部20に該当する。
【0037】
電源分圧生成部21は、電源電圧Vから分圧された電源分圧Vdを生成する。参照電圧生成部22は、電源電圧Vから参照電圧Vfを生成する。
電源レベル検出部23は、電源分圧Vdと参照電圧Vfとを比較して、リセット解除を開始すべき電源レベルLの検出を行う。定電流生成部24は、電源電圧Vが電源レベルLに到達した際に、参照電圧信号VfをもとにコンデンサCを充電させるための一定電流Iを生成する。
【0038】
リセット部25は、一定電流Iによって充電されるコンデンサCの端子電圧Vcが参照電圧Vfを下回る場合はリセットを行い、コンデンサCの端子電圧Vcが参照電圧Vfを上回る場合はリセット解除を行う。
【0039】
マスク処理部26は、電源立ち上げまたは電源が一時的な低位レベルから回復した際に、参照電圧Vfが電源分圧Vdを下回る逆転状態が生じた場合は、逆転状態をマスクし、逆転状態が解消した場合はマスク解除を行うためのマスク信号MSKを生成する。放電制御部27は、マスク信号MSKによってコンデンサCを強制放電する。
【0040】
次にリセット装置20aの基本リセット動作について説明する。図5はリセット装置20aの基本リセット動作を示す図である。横軸に時間、縦軸に電圧をとる。
〔S1〕電源電圧Vが検出レベルLに達するまで、外部容量であるコンデンサCへの充電は開始されない。また、ここではリセット中である。
〔S2〕電源電圧Vが検出レベルLに達すると、定電流生成部24から一定電流Iが流れ、コンデンサCへの充電が始まる。
〔S3〕コンデンサCへの充電が進行し、容量端子レベルは上昇する。
〔S4〕コンデンサCの容量端子レベルが参照電圧信号Vfのレベルに達したところでリセット解除が行われる。
【0041】
次に電源分圧Vdと参照電圧Vfの逆転状態について説明する、図6は逆転状態を示す図である。横軸に時間、縦軸に電圧をとる。
リセット装置20aは電源レベル検出部23によって、電源分圧Vdと参照電圧Vfとを比較して、電源分圧Vd>参照電圧Vfとなった検出レベルをリセット解除を開始すべき電源レベルLとする。
【0042】
ところが、電源立ち上げ時には図の状態Aのように、参照電圧Vfは理想とは異なり、十分なレベルを得られない。このため、電源分圧Vdと参照電圧Vfとが逆転している状態になってしまう。
【0043】
理想では時刻t2で電源レベルLを検出すべきところが、状態Aで逆転状態が生じているため、電源がまだ十分に立ち上がっていない時刻t1を電源レベルLとして検出してしまうため、リセットの誤動作を生じさせていた。
【0044】
次に上記の逆転状態の不都合を解消したリセット装置20aの詳細構成及び動作について説明する。図7はリセット装置20aの詳細構成を示す図である。
電源分圧生成部21は、抵抗R1、R2で電源Vを分圧した電源分圧VdをコンパレータComp1(電源レベル検出部23に該当)の+端子へ入力する。
【0045】
参照電圧生成部22は、電源電圧Vから生成した参照電圧信号VfをコンパレータComp1の−端子、コンパレータComp2の−端子、コンパレータComp3の−端子及び定電流生成部24へ入力する。
【0046】
定電流生成部24の出力は、コンパレータComp2の+端子、コンパレータComp3の+端子、コンデンサC及び放電制御部27内のSW2に接続する。
コンパレータComp1の出力は、SRフリップフロップIC4のS(セット)端子と接続し、コンパレータComp2の出力は、SRフリップフロップIC4のXR(リセット)端子と接続する。
【0047】
SRフリップフロップIC4の出力端子Qは、放電制御部27内のORゲート27aの一方の入力端子、マスク処理部26のMSK出力は、放電制御部27内のORゲート27aの他方の入力端子に接続する。
【0048】
マスク処理部26のXMSK出力とコンパレータComp3の出力とは、NANDゲートIC5の入力端子に接続する。
ここで、参照電圧生成部22は、電源、温度変動の影響が小さく、安定レベルのBGR(バンドギャップ参照電圧)を生成し出力する。
【0049】
コンパレータComp1は、電源分圧Vdと、参照電圧Vfとの比較により、電源電圧が検出レベルL(=電源レベルL)に達したことを検出する。また、ヒステリシス特性を持たせることで雑音耐力を強化している。
【0050】
定電流生成部24は、参照電圧Vfをもとに一定電流Iを得て、これを外部容量(コンデンサC)への充電に用いる。
SRフリップフロップIC4は、セット入力と反転リセット入力を備える。セットがリセットに対し優先され、禁止状態はない。セット状態でコンデンサCは放電状態となる。
【0051】
コンパレータComp2は、コンデンサCの端子電圧Vcが参照電圧Vfを下回る場合にSRフリップフロップIC4をリセットする。
コンパレータComp3は、コンデンサCの端子電圧Vcが参照電圧Vfを上回るとNANDゲートIC5の出力をHからLにさせ、リセット状態から通常状態になる。
【0052】
次に動作について説明する。まず、電源投入直後(状態A)では、図6で説明したような逆転状態があり、電源分圧Vd>参照電圧Vfとなるので、マスク処理部26のMSKはHとする必要がある。マスク処理部26については後述する。
【0053】
したがって、放電制御部27のORゲート27aからはHが出力されてSW2が閉じ、コンデンサCが強制放電される。
コンパレータComp3の入力ではVf>Vcなので出力はLとなる。マスク処理部26のXMSKはLを出力するので、NANDゲートIC5からはHイネーブルのリセット信号RSTが出力する。
【0054】
状態Bでは、状態Cに移行するまでのある時点に対し、マスク処理部26のMSKはL、XMSKはHとなる。また、電源分圧Vd<参照電圧Vfとなり、コンパレータComp1はHを出力する。
【0055】
コンパレータComp2の入力ではVf>VcなのでコンパレータComp2の出力はLとなる。
SRフリップフロップIC4は、S端子がH、XR端子がLとなり、Q端子からはHが出力する。
【0056】
したがって、放電制御部27のORゲート27aからはHが出力されてSW2が閉じ、コンデンサCが強制放電された状態が状態Aから継続される。
コンパレータComp3の入力ではVf>Vcなので出力はLとなる。したがって、NANDゲートIC5からはHイネーブルのリセット信号RSTが出力する。
【0057】
状態Cでは、マスク処理部26のMSKはL、XMSKはHとなる。また、電源分圧Vd≧参照電圧VfでコンパレータComp1は、電源レベルLを検出し、Lを出力する。
【0058】
SRフリップフロップIC4は、S端子がL、XR端子がHとなり、Q端子からはLが出力する。
したがって、放電制御部27のORゲート27aからはLが出力されてSW2が開き、コンデンサCの放電制御は行われない。
【0059】
定電流生成部24からの一定電流IはSW2が開くとコンデンサCに流れ込み、コンデンサCへの充電が開始される。
コンデンサCの端子電圧VcがVf≦Vcとなると、コンパレータComp2、Comp3の出力はHとなる。したがって、NANDゲートIC5からはLが出力され通常状態になる。
【0060】
次にマスク処理部26について説明する。図8は第1の実施の形態であるマスク処理部26aを示す図である。マスク処理部26aは、トランジスタのスレッショルド電圧Vthを利用する。
【0061】
nチャネルのFET1のゲートG1とドレインD1は、+5Vに接続し、ソースS1を抵抗R3の一方に接続する。抵抗R3の他方はGNDに接続する。
nチャネルのFET2のゲートG2は、FET2のソースS1と接続する。ドレインD2は抵抗R4の一方と接続し、抵抗R4の他方は+5Vに接続する。ソースS2はGNDに接続する。
【0062】
このようなトランジスタの接続構成をとることにより、+5V>2・Vth では参照電圧Vfが十分なレベルに達していないとみなし、MSKはH(XMSKはL)となり、マスク処理を行う。
【0063】
+5V<2・Vth の場合は、参照電圧Vfが十分なレベルに達したとみなし、MSKはL(XMSKはH)となり、マスクの解除を行う。
以上説明したように、第1の実施の形態のマスク処理部26aは、複数のトランジスタで構成され、トランジスタが1つでもオフの場合(+5V>2・Vth)には逆転状態と認識してマスクを行い、トランジスタがすべてオンした場合(+5V<2・Vth)には逆転状態が解消したと認識してマスク解除を行う。
【0064】
図9は第2の実施の形態であるマスク処理部26bを示す図である。マスク処理部26bは、参照電圧生成部22の一部22aを利用する。なお、図のVBはオペアンプ部22bの駆動バイアス電圧である。
【0065】
図の回路に対し、まず電源立ち上げ直後、電圧IMA<電圧IPAであるからトランジスタMP1Aからの電流はトランジスタMP2Aに流れず、すべて抵抗R1A及び抵抗R3Aの方へ流れる。
【0066】
したがって、マスク処理部26bでもこれと同量の電流が流れるので、電圧IMA=電圧IMB<電圧IPB=電圧IPAとなってMSKはHとなり、マスク処理を行う。
【0067】
電源レベルが上昇していくと、電圧IMA=電圧IPAで安定し、参照電圧Vfも一定レベルで安定する。これはトランジスタMP1Aからの電流のうち、電圧IMA=電圧IPAを保つため余剰分がトランジスタMP2Aに流れるためである。
【0068】
マスク処理部26bでは同様に動作するので、電圧IMB>電圧IPBとなってMSK=Lとなり、マスク解除を行う。すなわち、Vfが安定したということは、すでに状態Bにあるということであり、逆転現象は終了している。
【0069】
図10は参照電圧Vfとマスク処理部26bを動作させる電圧との関係を示す図である。横軸に時間、縦軸に電圧をとる。
逆転状態が生じているA状態では必ず、電圧IMAと電圧IMB、電圧IPAと電圧IPBは、電圧IPA>電圧IMA及び電圧IPB>電圧IMBである。
【0070】
逆転状態が終了して参照電圧Vfが十分立ち上がった状態では、電圧IMA=電圧IPA 電圧IMB>電圧IPBである。
以上説明したように、第2の実施の形態のマスク処理部26bは、確実に逆転状態が終了しVfが安定していることを検出できる2つの電圧信号(IMB、IPB)を用いて、電圧信号のレベル比較を行って、逆転状態のマスク及びマスク解除を行う構成とした。
【0071】
以上説明したように、リセット装置20aは、電源が低いにもかかわらず、参照電圧Vfが電源分圧Vdを下回る逆転状態が生じた場合は逆転状態をマスクし、逆転状態が解消した場合はマスク解除を行う構成とした。
【0072】
これにより、電源立ち上げまたは電源が低位レベルになった場合にも確実にリセットを行えるので、信頼性の向上を図ることが可能になる。
次に過剰電流供給防止装置について説明する。図11、図12は過剰電流供給防止装置の原理図である。
【0073】
図11の過剰電流供給防止装置130− 1は、低レベル電圧論理信号生成部121−1と、固定信号出力部113と、から構成される。
低レベル電圧論理信号生成部121−1は、低レベル電圧論理信号を生成する。固定信号出力部113は、低レベル電圧論理信号の電圧監視を行い、電圧監視から低レベル電圧論理信号の不確定を検出した場合は、一定レベルの固定信号を出力して、過剰電流の供給を固定信号により防止する。
【0074】
また、図12の過剰電流供給防止装置130aは、リセット信号生成制御部20bと、過剰電流供給防止部114と、から構成される。
リセット信号生成制御部20bは、リセット信号RSTを生成する。過剰電流供給防止部114は、低レベル電圧論理信号の不確定時に発生する過剰電流の供給をリセット信号RSTにより防止する。
【0075】
なお、上記の過剰電流供給防止装置130−1、130aは、いずれか1つを用いることにより、過剰電流供給を防止することができる。
次に過剰電流供給防止装置130−1、130aを集積回路上に構築した場合の構成及び動作について説明する。図13は過剰電流供給防止装置130−1を集積回路上に構築した場合の構成を示す図である。なお、過剰電流供給防止装置130−1は図2で説明した集積回路100a上に構築される。
【0076】
モード設定部30は、パワーオンリセット部20の制御を行うための制御信号CNTLを生成して、パワーオンリセット部20のモードを設定する。
レベルコンバータ113は、固定信号出力部113であり、+3Vの制御信号CNTLを+5Vの制御信号CNTHに変換する。また、低レベル電圧論理信号の電圧監視を行い、電圧監視から低レベル電圧論理信号の不確定を検出した場合は、一定レベルの固定信号を出力する。
【0077】
パワーオンリセット部20は、各内部ブロックのリセットを行うためのリセット信号RSTを生成する。また、レベルコンバータ113からの固定信号を受信した場合は、強制的にリセットモードとなってリセット信号RSTを生成する。
【0078】
ディジタル信号処理部121は、ディジタル回路ブロック120内のディジタル信号の処理を行う。ラインドライバ111aは、ディジタル信号処理部121で処理された論理信号の情報を線路(図に示さず)上に伝送する。
【0079】
過剰電流供給防止部114は、ディジタル信号処理部121が生成する低レベル電圧論理信号の不確定時に発生する過剰電流の供給をリセット信号RSTにより防止する。
【0080】
次に過剰電流対策について説明する。図13の集積回路100aでは、電源立ち上がり時にディジタル回路ブロック120からの信号が論理不確定となるために、ラインドライバ111aに過剰電流が流れるおそれがある。
【0081】
これはラインドライバ111aのトランジスタのサイズは通常の回路のものにくらべて極めて大きく、このため論理不確定によりPチャネル及びNチャネルが同時にオンになった場合に流れる電流も極めて大きくなるためである。
【0082】
図14はレベルコンバータ113の構成を示す図である。過剰電流供給防止装置130−1が含む固定信号出力部113に該当する。
電圧監視部113aは、ディジタル信号処理部121が生成する低レベル電圧論理信号の電圧監視を行う。
【0083】
低レベル論理信号受信部113bは、モード設定部30からの制御信号CNTL(XIN、IN)を受信する。レベル変換部113cは、制御信号CNTLの論理を高レベル電圧(+5V)論理信号CNTHに変換する。
【0084】
ここで、電圧監視部113aで低レベル電圧論理信号の不確定時を検出した場合は、モード設定部30が出力する制御信号CNTLの論理に拘らず一定レベルの高レベル電圧論理信号である固定信号を出力する。
【0085】
すなわち、図で低レベル電圧源VDLが不十分の場合はVDL<(Ra+Rb)Vth/Rbあるから、入力IN、XINの論理に拘らずノードn1とノードn3はHとなり、したがって、ノードn2とOUT信号はLに固定される。
【0086】
図15はレベルコンバータ113とラインドライバ111aとの構成を示す図である。ディジタル信号処理部121からの信号が端子a〜端子dと接続される。
【0087】
そして、この端子a〜dとラインドライバ111aとの間にレベルコンバータ113a−1〜113d−1が配置される。このような構成をとることにより、端子a〜dの論理不確定に信号により生じる過剰電流の供給を防止することができる。
【0088】
次に過剰電流供給防止装置130aを使用した場合について説明する。図16は過剰電流供給防止部114とラインドライバ111aとの構成を示す図である。
【0089】
ディジタル信号処理部121からの信号が過剰電流供給防止部114の端子a〜端子dと接続される。
そして、パワーオンリセット部20からのリセット信号RSTにより、NORゲートIC6、IC7の出力はL固定となり、トランジスタMN1,MN2は共にオフになるので、過剰電流供給の防止を行うことができる。
【0090】
以上説明したように、過剰電流供給防止装置130−1は、低レベル電圧論理信号の不確定時に発生する過剰電流の供給をリセット信号RSTにより防止する構成とした。
【0091】
これにより、電源立ち上げまたは電源が低位レベルになった場合に用いるリセット信号RSTを使って、同時期に発生する過剰電流を防止するので過剰電流供給を効率的に防止することが可能になる。
【0092】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のリセットシステムは、リセット信号生成部の制御を行うための制御信号を外部信号にもとづいて送信するか否かの選択を行う構成とこれにより、制御信号を生成する制御信号生成部の駆動電圧レベルが安定した後に外部から操作できるので、リセットの試験・調整を確実に行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 リセットシステムの原理図である。
【図2】 リセットシステムを集積回路上に構築した場合の構成を示す図である。
【図3】 セレクタ部の構成を示す図である。
【図4】 リセット装置の原理図である。
【図5】 リセット装置の基本リセット動作を示す図である。
【図6】 逆転状態を示す図である。
【図7】 リセット装置の詳細構成を示す図である。
【図8】 第1の実施の形態であるマスク処理部を示す図である。
【図9】 第2の実施の形態であるマスク処理部を示す図である。
【図10】 参照電圧とマスク処理部を動作させる電圧との関係を示す図である。
【図11】 過剰電流供給防止装置の原理図である。
【図12】 過剰電流供給防止装置の原理図である。
【図13】 過剰電流供給防止装置を集積回路上に構築した場合の構成を示す図である。
【図14】 レベルコンバータの構成を示す図である。
【図15】 レベルコンバータとラインドライバとの構成を示す図である。
【図16】 過剰電流供給防止部とラインドライバとの構成を示す図である。
【符号の説明】
100 リセットシステム
10 レギュレータ
20 リセット信号生成部
30 制御信号生成部
40 制御信号送信選択部
CNT 制御信号
Ex 外部信号
RST リセット信号
VH 高レベル電圧
VL 低レベル電圧[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a reset system.ToIn particular, a reset system that resets when the power is turned on or when the power level is low.ToRelated.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the miniaturization of the manufacturing process of integrated circuits and the accompanying reduction in power supply voltage have progressed. However, this trend has advanced in all cases in which digital integrated circuits are ahead of analog integrated circuits.
[0003]
This is because it is sufficient for digital circuits to be able to distinguish between binary values of H and L, whereas analog circuits must maintain a wide input / output dynamic range without losing linearity.
[0004]
In an analog integrated circuit including a line driver circuit for driving a transformer, the drive current is inversely proportional to the square of the power supply voltage. For this reason, even if it aims at a low power supply voltage, the level of the power supplied to a driver circuit cannot be reduced.
[0005]
Therefore, one reason is that it is difficult to apply a miniaturization process having inferior withstand voltage performance to an analog integrated circuit.
For this reason, in an analog / digital mixed circuit, the power supply voltage level and the manufacturing process are determined in accordance with the linearity of the analog circuit and the power consumption of the line driver circuit.
[0006]
That is, in the conventional analog / digital mixed circuit, the same manufacturing process with the same level of the power supply voltage is used for the analog portion and the digital portion.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional analog / digital mixed circuit as described above, since the miniaturization process cannot be applied to the digital circuit, the area of the digital circuit block on the chip cannot be suppressed.
[0008]
Therefore, it is considered that a miniaturization process for high-density integration is applied to the digital circuit block and a high withstand voltage process is applied to the analog circuit block (all or a part).
[0009]
In this case, two types of voltage sources, ie, a low level voltage source for a miniaturization process and a high level voltage source for a high withstand voltage process are required. Is generally obtained from a power supply circuit and a regulator circuit for converting the output of the power supply circuit to a different level.
[0010]
In the case of such a power supply configuration, when the power supply rises, the output start point at which the regulator circuit outputs a level sufficient to drive the miniaturization process circuit is sufficient for the power supply circuit to drive the high voltage process. It will be delayed from the time when the level is output.
[0011]
On the other hand, a mode setting circuit that generates a test / adjustment logic signal for the power-on reset circuit preferably uses a miniaturization process (driven by a low-level voltage source) in order to achieve high-density integration.
[0012]
However, since the rise of the regulator circuit, which is a low-level voltage source, is delayed as described above, the output of the mode setting circuit during that time becomes uncertain, and the power-on reset circuit cannot expect a desired operation. was there.
[0013]
The power-on reset circuit performs reset control by comparing the internally generated divided signal with the reference voltage signal based on the power supply voltage, but the level of the divided signal and reference voltage signal is reversed when the power is turned on. As a result, there was a problem that normal reset could not be performed.
[0014]
Further, in an integrated circuit in which power supplies are mixed, there is a problem that an excessive current is generated when a logic is uncertain at a low voltage level, causing a circuit failure.
The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a reset system that eliminates the logic uncertainty of reset control in a state where the output level of the regulator circuit is insufficient.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention provides a regulator for converting a high level voltage VH to a low level voltage VL in a
[0016]
Here, the
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.IsIt is a principle diagram of a set system. The
[0018]
The
[0019]
The control
[0020]
NextToA configuration and operation when the
[0021]
The
[0022]
Each circuit in the
[0023]
The
[0024]
The
[0025]
The
[0026]
The digital
The line driver /
[0027]
The A /
Next, selection control for selecting whether or not to transmit the control signal CNT to the power-on
[0028]
For the power supply terminal VDDa, a
[0029]
In the test / adjustment mode of the power-on
[0030]
Next, the configuration of the
The control signal CNT1IN and VDDa from the
[0031]
CNT1OUT, which is the output of the OR gate IC1, has the same logic as CNT1IN when VDDa is L, and is fixed to H when VDDa is H.
The CNT2OUT that is the output of the AND gate IC3 has the same logic as the CNT2IN when VDDa is L, and is fixed to L when VDDa is H.
[0032]
As explained above,The
[0033]
The
In the conventional case, the control signal CNT having a logic indefinite period until the
[0034]
However,In the
[0035]
Therefore, stable operation is guaranteed when the power is turned on. Note that the test adjustment work of the reset circuit is performed after the power supply level is sufficiently stabilized, and thus is not affected by the logic uncertainty.
[0036]
NextToThe setting device will be described. FIG.IsIt is a principle diagram of a set device. The
[0037]
The power supply
The power
[0038]
The
[0039]
The
[0040]
Next, the basic reset operation of the
[S1] Until the power supply voltage V reaches the detection level L, charging of the capacitor C, which is an external capacitor, is not started. In addition, resetting is in progress here.
[S2] When the power supply voltage V reaches the detection level L, a constant current I flows from the constant
[S3] Charging of the capacitor C proceeds and the capacitance terminal level rises.
[S4] The reset is released when the capacitance terminal level of the capacitor C reaches the level of the reference voltage signal Vf.
[0041]
Next, the reverse state of the power source voltage divider Vd and the reference voltage Vf will be described. FIG. 6 is a diagram showing the reverse state. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents voltage.
The
[0042]
However, when the power supply is turned on, the reference voltage Vf is different from the ideal as shown in the state A in the figure, and a sufficient level cannot be obtained. For this reason, the power supply voltage division Vd and the reference voltage Vf are reversed.
[0043]
Ideally, the power supply level L should be detected at time t2, but since a reverse state has occurred in the state A, the power supply level L is detected at time t1 when the power supply has not yet risen sufficiently. It was generated.
[0044]
Next, the detailed configuration and operation of the
The power
[0045]
The
[0046]
The output of the constant
The output of the comparator Comp1 is connected to the S (set) terminal of the SR flip-flop IC4, and the output of the comparator Comp2 is connected to the XR (reset) terminal of the SR flip-flop IC4.
[0047]
The output terminal Q of the SR flip-flop IC4 is connected to one input terminal of the OR gate 27a in the
[0048]
The XMSK output of the
Here, the reference
[0049]
The comparator Comp1 detects that the power supply voltage has reached the detection level L (= power supply level L) by comparing the power supply divided voltage Vd with the reference voltage Vf. In addition, the noise resistance is enhanced by providing hysteresis characteristics.
[0050]
The constant
The SR flip-flop IC4 has a set input and an inverting reset input. Set has priority over reset and there is no prohibition. In the set state, the capacitor C is discharged.
[0051]
The comparator Comp2 resets the SR flip-flop IC4 when the terminal voltage Vc of the capacitor C is lower than the reference voltage Vf.
When the terminal voltage Vc of the capacitor C exceeds the reference voltage Vf, the comparator Comp3 changes the output of the NAND gate IC5 from H to L and changes from the reset state to the normal state.
[0052]
Next, the operation will be described. First, immediately after the power is turned on (state A), the reverse state as described with reference to FIG. 6 is present, and the power supply divided voltage Vd> the reference voltage Vf. Therefore, the MSK of the
[0053]
Therefore, H is output from the OR gate 27a of the
At the input of the comparator Comp3, Vf>VcTherefore, the output is L. Since the XMSK of the
[0054]
In the state B, the MSK of the
[0055]
At the input of the comparator Comp2, Vf>VcTherefore, the output of the comparator Comp2 becomes L.
In the SR flip-flop IC4, the S terminal is H, the XR terminal is L, and H is output from the Q terminal.
[0056]
Therefore, H is output from the OR gate 27a of the
At the input of the comparator Comp3, Vf>VcTherefore, the output is L. Therefore, H enable reset from NAND gate IC5.signalRST outputs.
[0057]
In the state C, MSK of the
[0058]
In the SR flip-flop IC4, the S terminal is L, the XR terminal is H, and L is output from the Q terminal.
Therefore, L is output from the OR gate 27a of the
[0059]
The constant current I from the constant
When the terminal voltage Vc of the capacitor C becomes Vf ≦ Vc, the outputs of the comparators Comp2 and Comp3 become H. Accordingly, L is output from the NAND gate IC5 to enter the normal state.
[0060]
Next, the
[0061]
The gate G1 and drain D1 of the n-
The gate G2 of the n-
[0062]
By adopting such a transistor connection configuration, it is considered that the reference voltage Vf has not reached a sufficient level when + 5V> 2 · Vth, MSK becomes H (XMSK is L), and mask processing is performed.
[0063]
When + 5V <2 · Vth, it is considered that the reference voltage Vf has reached a sufficient level, MSK becomes L (XMSK is H), and the mask is released.
As described above, the
[0064]
FIG. 9 is a diagram showing a mask processing unit 26b according to the second embodiment. The mask processing unit 26 b uses a
[0065]
In the circuit shown in the figure, immediately after the power is turned on, the voltage IMA <the voltage IPA, so that the current from the transistor MP1A does not flow to the transistor MP2A but all flows to the resistors R1A and R3A.
[0066]
Therefore, since the same amount of current flows in the mask processing unit 26b, the voltage IMA = voltage IMB <voltage IPB = voltage IPA and MSK becomes H, and mask processing is performed.
[0067]
As the power supply level rises, the voltage IMA = the voltage IPA is stabilized, and the reference voltage Vf is also stabilized at a constant level. This is because a surplus portion of the current from the transistor MP1A flows to the transistor MP2A in order to maintain the voltage IMA = the voltage IPA.
[0068]
Since the mask processing unit 26b operates in the same manner, the voltage IMB> the voltage IPB and MSK = L and the mask is released. That is, the fact that Vf has stabilized means that the state is already in the state B, and the reverse phenomenon has ended.
[0069]
FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the reference voltage Vf and the voltage for operating the mask processing unit 26b. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents voltage.
In the A state where the reverse rotation state occurs, the voltage IMA and the voltage IMB, and the voltage IPA and the voltage IPB are such that the voltage IPA> the voltage IMA and the voltage IPB> the voltage IMB.
[0070]
In the state where the reverse rotation state ends and the reference voltage Vf sufficiently rises, voltage IMA = voltage IPA voltage IMB> voltage IPB.
As described above, the mask processing unit 26b according to the second embodiment uses the two voltage signals (IMB and IPB) that can reliably detect that the reverse rotation state is finished and Vf is stable. The signal level is compared, and the reverse masking and unmasking are performed.
[0071]
As explained above,The
[0072]
Thereby, even when the power supply is turned on or the power supply becomes a low level, the reset can be surely performed, so that the reliability can be improved.
NextToo muchThe surplus current supply preventing device will be described. 11 and 12Is overIt is a principle diagram of a surplus current supply preventing apparatus.
[0073]
The excessive current
Low level voltage logic signal generator 121-1Generates a low level voltage logic signal. The fixed
[0074]
12 includes a reset signal generation control unit 20b and an excessive current
The reset signal generation control unit 20b generates a reset signal RST. The excess current
[0075]
The excessive current
NextToo muchSurplus current supply prevention device 130-1, 130a will be described on the configuration and operation when built on an integrated circuit. FIG. 13 shows an excessive current supply preventing device 130.-1It is a figure which shows the structure at the time of constructing | stacking on an integrated circuit. The excessive current supply preventing device 130-1Is constructed on the
[0076]
The
[0077]
Power-on
[0078]
The digital
[0079]
The excessive current
[0080]
Next, the countermeasure against excess current will be described. In the
[0081]
This is because the size of the transistor of the
[0082]
FIG. 14 is a diagram showing the configuration of the
The
[0083]
The low level logic
[0084]
Here, when the
[0085]
That is, in the figure, when the low-level voltage source VDL is insufficient, VDL <(Ra + Rb) Vth / Rb, so that the nodes n1 and n3 are H regardless of the logic of the inputs IN and XIN, and therefore the nodes n2 and OUT The signal is fixed at L.
[0086]
FIG. 15 is a diagram showing the configuration of the
[0087]
A
[0088]
Next, a case where the excessive current supply preventing device 130a is used will be described. FIG. 16 is a diagram showing a configuration of the excess current
[0089]
A signal from the digital
And power on reset part 20Due to the reset signal RST, the outputs of the NOR gates IC6 and IC7 are fixed to L, and the transistors MN1 and MN2 are both turned off, so that excessive current supply can be prevented.
[0090]
As explained aboveOverSurplus current supply prevention device 130-1Is configured to prevent the supply of excess current generated when the low-level voltage logic signal is indeterminate by the reset signal RST.
[0091]
As a result, the excessive current generated at the same time is prevented by using the reset signal RST used when the power is turned on or when the power is at a low level, so that it is possible to efficiently prevent the excessive current supply.
[0092]
【The invention's effect】
As described above, the reset system of the present invention is configured to select whether or not to transmit a control signal for controlling the reset signal generation unit based on an external signal, and thereby generate a control signal Since it can be operated from the outside after the drive voltage level of the control signal generation unit is stabilized, it is possible to reliably perform reset testing and adjustment.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1]ReIt is a principle diagram of a set system.
[Figure 2] ResetsystemIt is a figure which shows the structure at the time of constructing | stacking on an integrated circuit.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a selector unit.
[Fig. 4]ReIt is a principle diagram of a set device.
FIG. 5 is a diagram showing a basic reset operation of the reset device.
FIG. 6 is a diagram showing a reverse rotation state.
FIG. 7 is a diagram showing a detailed configuration of a reset device.
FIG. 8 is a diagram illustrating a mask processing unit according to the first embodiment.
FIG. 9 is a diagram illustrating a mask processing unit according to a second embodiment.
FIG. 10 is a diagram illustrating a relationship between a reference voltage and a voltage for operating a mask processing unit.
FIG. 11ExcessiveIt is a principle diagram of a surplus current supply preventing apparatus.
FIG.ExcessiveIt is a principle diagram of a surplus current supply preventing apparatus.
FIG. 13 is a diagram showing a configuration when an excessive current supply preventing apparatus is constructed on an integrated circuit.
FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a level converter.
FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration of a level converter and a line driver.
FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of an excess current supply preventing unit and a line driver.
[Explanation of symbols]
100 reset system
10 Regulator
20 Reset signal generator
30 Control signal generator
40 Control signal transmission selection section
CNT control signal
Ex External signal
RST reset signal
VH high level voltage
VL low level voltage
Claims (3)
高レベル電圧を低レベル電圧に変換するレギュレータと、
前記高レベル電圧で駆動し、前記リセットを行うためのリセット信号を生成するリセット信号生成部と、
前記低レベル電圧で駆動し、前記リセット信号生成部の制御を行うための制御信号を生成する制御信号生成部と、
外部信号にもとづいて、前記制御信号を前記リセット信号生成部へ送信するか否かの選択を行う制御信号送信選択部と、
を有することを特徴とするリセットシステム。In a reset system that resets when the power is turned on or when the power is at a low level,
A regulator that converts a high level voltage to a low level voltage;
A reset signal generator that is driven by the high-level voltage and generates a reset signal for performing the reset;
A control signal generator that drives with the low level voltage and generates a control signal for controlling the reset signal generator;
A control signal transmission selection unit for selecting whether to transmit the control signal to the reset signal generation unit based on an external signal;
A reset system comprising:
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