JP3736001B2 - Electronic component mounting method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の実装方法に関するもので、特に、回路基板上の導体に対して直接ワイヤボンデイングを行い、半導体チップ等の電子部品の接続を行う実装方法において、ワイヤボンデイングの接合性を向上させるための方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、回路基板上に半導体チップや個別電子部品を搭載し、例えば、図27に示すようにリード100を介して外部へ端子をとり出す場合、回路基板101上の電極102とリード100間を、ワイヤ103によるワイヤボンディングによって、電気的接続を行なっていた。
【0003】
この基板101上の電極102としては、一般的に、回路基板101上の導体104に、半田105にて接合された金属製パッド106を用いていた。この金属製パッド106の具体的材質としては、42アロイ、50アロイなどにNiめっきしたものや、ボンディング側にAlクラッドされたものが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の金属製パッド106は、一般に、金属の打ち抜き加工上の制約から、径1mm×板厚1mm程度の小さなものは加工できないので、この金属製パッド106の設置に伴って、どうしても、回路基板101が大きくなってしまうという問題があった。
【0005】
また、金属製パッド106の形成のために、打ち抜き加工した後にNiめっき加工などが必要となり、製造工程が煩雑であるので、製造コストが高くなってしまうという問題もあった。
これに対して、この金属製パッド106を廃止し、回路基板101上の導体104に直接、ワイヤボンディングする技術が特開平5−326805号公報等にて提案されている。
【0006】
ここで、本発明者らの試作、検討によれば、ワイヤボンディング用の導体104として、Auめっきしたもの、Au厚膜、Niめっきしたものを用いた場合には、導体104に直接、ワイヤボンディングすることに伴う接合性について、特に問題がないことを確認できた。
しかしながら、AuめっきやAu厚膜の場合は、その材料費および加工工程により、基板製造コストが高くなるという問題がある。また、AuとAlワイヤとの組合せでは、その接合界面に腐食が生じて、ワイヤボンディング部の耐湿性が劣るといった問題があった。
【0007】
また、Niめっきを採用するものでは、基板の表面にまずNiめっき層を形成し、このNiめっき層の上に厚膜導体、例えば、Cu厚膜を形成することになるが、この場合には、Niめっき上のCu厚膜部の半田ぬれ性が低下して、はんだ接合不良が発生しやすいという問題があった。
そこで、本発明者らは、このような問題を解決するために、回路基板上のワイヤボンディング用導体として、Cu厚膜、CuめっきのようなCu系導体を採用することを試みた。
【0008】
ところが、Cu厚膜、Cuめっき等のCu系導体を回路基板のワイヤボンディング用の導体材料として用いた混成集積回路の実装方法では、半田リフロー工程の後に、洗浄工程を実施しても、ワイヤボンディング用の導体上に汚れが残っており、ワイヤボンドの接合性が劣下するという不具合が生じることを見い出した。以下、この不具合の発生理由について、図28に示す従来工程のフローチャートを参照して、詳細に説明する。
【0009】
図28の実装方法では、まず、配線パターンが形成された回路基板を用意する。次に、この回路基板上の配線パターンの実装部品搭載部に半田ペーストを印刷する。この後に、実装部品を配線パターンの所定部位にマウント(組付)する。次に、リフロー工程により半田を溶かして実装部品を固着し、この後に、フラックス等による汚染物を洗浄工程にて洗浄し、最後に、回路基板のワイヤボンディング用導体に対してワイヤボンディングする。
【0010】
しかし、このような実装方法によると、半田リフロー時に、半田フラックス中の活性剤であるBrやClが溶剤やフラックス中の樹脂成分と共に溶出または飛散し、ボンディングパッドである導体(Cu厚膜、Cuめっき)または導体表面に形成された導体の酸化物と反応し、この導体の表面に粒状、あるいは均一に反応生成物が形成され、この反応生成物による導体表面の汚染により、その後のワイヤボンディングの接合性を低下させることがわかった。
【0011】
このような導体表面の汚染による不具合は、導体としてAlパッドやAu導体を用いたときには発生せず、Cu系導体を用いた場合に特に発生する固有の問題であることがわかった。
さらに、Cu厚膜、Cuめっきの場合は、半田リフロー以外にも、接着剤硬化時の加熱工程や回路基板・ケースの接着等を行うパッケージ工程において、樹脂や接着剤を加熱硬化させることにより、Cu厚膜、Cuめっきの表面が酸化し、ワイヤボンドの接合性が低下するという不具合が生じることもわかった。
【0012】
このような不具合の対策法として、酸化膜や汚染物の除去を機械的に行うようにしたものが既に特開昭58−111329号公報、特開平6−260520号公報にて提案されている。
しかし、これらの従来技術は、1パッドずつ、除去処理を行うため、ボンディングパッドが多数設けられている場合は、この除去処理のために多大な時間がかかり、コスト高になるという不具合がある。また、せっかく酸化膜や汚染物を機械的に除去しても、その除去に伴うパウダーが基板表面に付着したまま残り、ワイヤボンドの接合性が安定しない等の不具合があった。
【0013】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、回路基板上のCu系導体に対して直接ワイヤボンデイングする実装方法において、ワイヤボンデイングの接合性を向上させるとともに、ワイヤボンデイングによる実装を低コストで実施できるようにすることを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、以下の技術的手段を採用する。
【0019】
請求項1に記載の発明では、電子部品の実装方法であり、前記コーティング樹脂層(31)を形成するためのペースト状の樹脂(33)を、底部に樹脂塗布パターン(32a)を形成した容器(32)内に収納し、この容器(32)の樹脂塗布パターン(32a)と、前記回路基板(1)のワイヤボンデイング用のCu系導体(11、13)とを位置決めし、この後に、前記容器(32)の底部の樹脂塗布パターン(32a)を通して、前記ペースト状の樹脂(33)を吐出して、前記ワイヤボンデイング用のCu系導体(11、13)に樹脂層(31)をコーティングすることを特徴とする。また、請求項2に記載の発明では、電子部品(41)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(11)を樹脂層(31)にてコーティングした後に、電子部品(41、42)を半田付け又は接着剤で固着し、この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離し、この後に、この樹脂層(31)を剥離したCu系導体(11)と電子部品(41)とをワイヤボンデイングすることを特徴としている。電子部品の実装方法であり、バキュームが加えられるバキュームノズル(91)にて前記コーティング樹脂層(31)を吸引するとともに、このバキュームノズル(91)の先端部を前記コーティング樹脂層(31)に係止することより、前記コーティング樹脂層(31)に前記回路基板(1)から離れる方向の外力を作用させて、前記コーティング樹脂層(31)の剥離を行うことを特徴とする。請求項1、2記載の発明によれば、電子部品を回路基板にマウントしリフローする際に起こるワイヤボンディングパッド用導体(11)の汚染を、樹脂層(31)で被覆することにより防止できる。また、接着剤の固着の場合には、硬化のための加熱によりワイヤボンディングパッド用導体(11)の酸化を防止できる。それ故、この導体(11)を清浄に維持したまま、ワイヤボンディングすることができ、ワイヤボンデイングの接合性を向上できる。また、
請求項1記載の発明では、スタンプ法を用いてコーティング樹脂層(31)を形成することができ、請求項2記載の発明では、バキュームを用いてコーディング樹脂層(31)の剥離を容易に行うことができる。
【0022】
請求項3記載の発明では、電子部品(41)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(11)を樹脂層(31)にてコーティングした後に、電子部品(41、42)を半田付けで固着し、この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離し、この後に、この樹脂層(31)を剥離したCu系導体(11)と電子部品(41)とをワイヤボンデイングする電子部品の実装方法であり、前記半田付け後に前記回路基板(1)を洗浄する際に用いる洗浄液からコーティング樹脂層(31)を保護する保護層(37)を前記コーティング樹脂層(31)の表面に形成することを特徴としている。
【0023】
従って、洗浄液からコーティング樹脂層(31)を保護し、ひいてはコーティング樹脂層(31)の下のCu系導体(11、13)の酸化などを防ぐことができるため、Cu系導体(11、13)に対するワイヤボンディングの接合性を良好にすることができる。また、請求項4、5記載の発明では、ワイヤボンドする直前にプラズマクリーニング法により、ボンディングパッド用導体(11、13)上の汚染物・酸化物を除去することによって、Cu系導体に対して、直接、ワイヤボンディングしても安定した接合性を確保することができる。
【0024】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1〜図13は第1実施形態を示すもので、図1は、本発明の樹脂塗布工程を導入した場合の実装方法の全体工程の流れを示すフローチャートであり、図2、3、4、6、7、8、13はこの実装方法の各工程を具体的に示す図である。まず、図2に示すようなCu厚膜、Cuめっき等のCu系の導体からなる配線パターンを形成した回路基板1を用意する。この回路基板1はセラミック系の絶縁材料を成形したものである。
【0026】
ここで、回路基板1上の配線パターンとは、半導体チップと基板電極とをワイヤボンディングするためのパッドとしての導体11、外部接続用ワイヤボンディングパッドとしての導体13、半導体チップを搭載するためのダイパット用導体12および電子部品接続用の端子パターン20を含むものとする。
次に、図3に示すように、この回路基板1の配線パターンのうち、電子部品接続用の端子パターン20および半導体チップ用ダイパッド用導体12の上に、半田ペースト21をスクリーン印刷法により印刷する。
【0027】
この後に、図4に示すようにワイヤボンディングを行うためのボンディングパッド用導体11及13を覆うようにビニール系樹脂などからなるコーティング樹脂層31を形成する。
このコーティング樹脂層31の材質としては、後述の半田リフロー工程にて回路基板1に焼きつかないようにするため、耐熱性に優れたもの、具体的には、230°Cの温度で10分間、加熱されても、基板1に焼きつかない程度の耐熱性を有するものが好ましい。また、コーティング樹脂層31は、後述の半田リフロー工程の加熱条件、具体的には、130°C〜240°Cの温度にて硬化可能なものを選定する。
【0028】
このような特性を満足する樹脂としては、例えば、ビニール系樹脂が好適であり、このビニール系樹脂の具体例としては、ストリップマスク#448T、#503B−SHV(大阪アサヒ化学(株))がある。
この樹脂層31の形成方法としては、スクリーンマスク上に置かれたペースト状の樹脂をマスクの開口部を通して押し出して樹脂層31を形成するスクリーン印刷法(半田ペーストの印刷と同様)や、シリンダ内に充填したペースト状の樹脂をシリンダ内から空気圧により押し出して樹脂層31を形成するディスペンス法、スタンプ法等を用いることができる。
【0029】
これらの方法の中で、スタンプ法を図5を参照して具体的に説明すると、図5(a)、(b)に示すように、容器32の底部に樹脂の塗布パターン32aを形成しておき、この容器32内に、ペースト状のコーティング樹脂33を充填する。
次に、この容器32の樹脂塗布パータン32aを、回路基板1のワイヤボンディングパッド用導体11、13上に位置決めをする。次いで、コーティング樹脂33を回路基板1にスタンプすることにより、前述のコーティング樹脂層31を形成するのであるが、このスタンプする際には、充填した樹脂33の上部から押圧板35にて圧力をかけて、塗布パータン32aからの樹脂33の抜けをよくする。
【0030】
また、面積の広い塗布パターンにおいては、スタンプする際、塗布パターンの前後に樹脂33がだれるという不具合が発生しやすいので、図5(b)に示すように、塗布パターン32aのうち、面積の広い部位には、メッシュ34を設けることにより、この樹脂33のだれを解消できる。
次いで、図6に示すように、半導体チップ41、コンデンサ等の電子部品42をパターン12、20の上の半田ペースト21の上に位置決めしてマウント(組付)する。
【0031】
次に、図7に示すように、半田リフロー工程における加熱(例えば、温度:130°C〜240°C、加熱時間:3分〜5分)によって配線パターン上の半田21を溶融して半導体チップ41および電子部品42を基板1に対して固着するとともに、このリフロー工程の加熱によりコーティング樹脂層31を加熱硬化させる。
【0032】
また、このリフロー工程の際に、半田フラックス中の活性剤であるBrやClが、溶剤やフラックス中の樹脂成分とともに溶出、または飛散するが、ワイヤボンディングパッド用導体11、13上にはコーティング樹脂層31を形成してあるので、この導体11、13が上記溶出、または飛散成分により汚染されたり、半田中のSn、Pbがワイヤボンディングパッド用の導体11、13に付着するのを防ぐことができる。
【0033】
次いで、洗浄工程を実施して、回路基板1に付着したフラックスなどの汚染物を洗浄し、除去する。
この後に、図8に示すように、外部接続用ワイヤボンディングパッド用導体13上を除く、半導体チップ41接続用のワイヤボンディングパッド用導体11上のコーティング樹脂層31を剥離する。
【0034】
この樹脂層31の剥離方法としては、図9に示すような吸着剥離法が好適である。この剥離法は、バキュームによりコーディング樹脂層31を吸着して剥離する方法である。剥離動作は、バキュームポンプ(図示せず)に連結されたバキュームノズル91の先端がコーディング樹脂層31に触れると同時に、樹脂層31を吸引しながら、バキュームノズル91の先端に形成した爪片92で、コーティング樹脂層31を引っかけて上方に引き上げ剥離するものである。
【0035】
ここで、バキュームノズル91の先端は矢印93のごとく屈折した動作軌跡でもって移動する。また、コーディング樹脂層31の材質として、前述のごとく、半田リフロー工程時の加熱条件では、基板1に焼きつかない程度の耐熱性を有するものを選択してあるので、樹脂層31の剥離を容易に行うことができる。
樹脂層31の剥離方法のその他の例としては、図10に示すようなコーティング樹脂層31にフック94を設けて、それをつまんで引き剥がす方法がある。このフック94は樹脂製または金属製であり、実装部品と同時に基板1上のコーティング樹脂層31上にマウントし、樹脂硬化時(半田リフロー時)において、フック94をコーティング樹脂層31に固着する。
【0036】
また、別部品としてのフック94を設ける代わりに、コーティング樹脂層31の材質として、粘度の高いものを使用して、図11のようにコーティング樹脂層31の一部に凸部95を形成すれば、この凸部95にてフック94と同じ役割を果たすことができる。
また、図12のように基板1のうち、コーティング樹脂層31の塗布部位の1〜数カ所に予め貫通口86を設けておき、樹脂層剥離時に基板1の裏面から樹脂層31を突いて樹脂層31を基板1から浮かせ、樹脂層31を剥離し易くする方法もある。
【0037】
このようにして、清浄に保たれたワイヤボンディングパッド用導体11上に図13のようにワイヤボンディングを行う。すなわち、半導体チップ41と、半導体チップボンディングパッド用導体11との間をAl(アルミニュウム)製ワイヤ43を用いて、熱圧着と超音波圧着併用の圧着方法等で結合(ワイヤボンディング)する。
【0038】
第1実施形態の実装方法によると、電子部品41、42の半田リフロー工程の前に、ワイヤボンディングパッド用導体11、13をコーティング樹脂層31によって被覆することにより、この導体11、13が半田リフロー時に汚染されるのを回避できる。従って、導体11を清浄なままの状態にて、ワイヤ43とのボンディングを良好に行うことができる。
【0039】
しかも、それのみならず、外部接続用のワイヤボンディングパッド用導体13には実装工程後(導体11のワイヤボンディング後)もコーティング樹脂層31を形成したままにしておくことにより、半導体装置をケース(図示せず)内に固着(固定)し、樹脂封止するパッケージ工程における接着剤、樹脂などの硬化時に導体13が酸化することも防ぐことができる。
【0040】
ここで、パッケージ工程において、外部接続用のワイヤボンディングパッド用導体13部分は、ケース内に樹脂封止せず、外部へ露出したままとする。
そして、パッケージ工程終了後に外部接続用導体13部分のコーティング樹脂層31を剥離し、その後に外部接続用導体13と外部回路接続用リード(図27のリード100を参照)とをワイヤボンデイングすることにより、外部接続用導体13のワイヤボンディング接合性も良好に確保できる。
【0041】
なお、図1に示した工程フローでは、コーティング樹脂層31の塗布を、半田付部品(半導体チップ41、電子部品42)のマウント工程の前に行っているが、この半田付部品のマウント工程の後にコーティング樹脂層31の塗布を行うようにしてもよい。
図14は、コーティング樹脂層31の塗布工程を行ってワイヤボンディングした場合と従来の樹脂層塗布工程なしでワイヤボンディングした場合の接合性を比較した実験結果を示す。この実験において使用したワイヤは、Φ250μmのAlワイヤであり、ボンディングパッドの導体はCuめっきである。実験数nは15である。
【0042】
ワイヤボンディングの接合性の評価方法は引っ張り強度試験であり、試験方法は図15に示す。形成したボンディングワイヤ150のループ中央(図15(a)参照)で切断して、図15(b)のようにワイヤ150を立てる。次に、図15(c)のように立てたワイヤ150の上端部をつまんで、引っ張り強度測定器152により上方にワイヤ150が破断するまで引っ張る。グラフはその時の破断強度を測定し、プロットしたものである。
【0043】
破断モードは、不良モードである「はがれ」と良品モードである「ネック切れ」とに分類した。ここで、「はがれ」とは、図15(d)に示すようにボンディングパッドである導体とワイヤとの界面ではがれたものであり、ネック切れとは、図15(e)に示すように、この「はがれ」が発生せず、ボンディングワイヤのネック部151で破断が生じたものである。
【0044】
この評価結果から、本発明によるコーティング樹脂層31を塗布したものは、低破断強度域における「はがれ」が0となり、樹脂層塗布をしないものに比べ、安定したワイヤボンディング性を得ることができることを確認できた。
なお、上記評価に用いたコーティング樹脂層31の材質としては、ビニール系樹脂である、大阪アサヒ化学(株)製のストリップマスクを用いたが、これに限定されることなく、半田リフロー条件で硬化可能で、接着剤、樹脂などの硬化条件に耐えるだけの耐熱性を有し、さらにその後の剥離が容易に行えるものなら他の樹脂や膜を用いてもよい。
【0045】
また、硬化後、樹脂中に気泡(ボイド)の少ない、ボーラスでない樹脂や、酸素透過性の低い樹脂を用いたり、前述の大阪アサヒ化学(株)のストリップマスクの上にボイドの少ない樹脂や、酸素透過性の低い樹脂を被覆し、樹脂層31を2層にすることにより、樹脂層31下の導体の酸化防止効果を一層高めることができる。
【0046】
本発明者らの実験検討によると、実際に、Cu厚膜をワイヤボンディングパッド用導体に使用した回路基板を樹脂層の塗布なしに、150℃の空気中で10時間放置した場合、導体表面の酸化が著しく、その導体上にワイヤボンディングしたものは、前述の引っ張り強度試験を行うと、低強度ではがれるものが多発することがわかった。
【0047】
しかし、樹脂(具体的には、前述の大阪アサヒ化学(株)のストリップマスク)をワイヤボンディングパッド用導体に塗布して、同様の試験を行った場合は、導体表面の酸化が抑制され、高強度でも「はがれモード」が発生することなく安定したワイヤボンディング性を確保できることを確認できた。
本発明者らは、さらにコーティング樹脂層31の膜厚(回路基板1の表面からの厚さ)について検討を行った。図16に、コーティング樹脂層31の膜厚に対する引っ張り強度の実験結果を示す。その試験方法は図15に示すものと同じであり、その試験に用いたコーティング樹脂層31もその時のものと同じである。なお、図16中の各膜厚に対し右側は最適条件でボンディングを行った場合を示し、左側は超音波ボンディングする場合のパワーを少し小さくした場合を示す。
【0048】
この評価結果から、最適条件でボンディングを行った場合には、コーティング樹脂層31の膜厚が0.1mmから2.0mmの範囲ではどの膜厚でも接合性は良好であるが、パワーを少し小さくしてボンディングを行った場合には、0.3mm以上の膜厚では「はがれ」が発生した。従って、0.3mm以上では接合性に余裕がないことが分かる。
【0049】
さらに、最適条件でボンディングを行った場合について、膜厚を0.05mmから0.3mmの範囲にして、耐湿性試験を行った結果を図17に示す。この耐湿性試験は、121℃、1.7気圧、湿度85%の環境下で96時間放置するPCT試験である。図17から、コーティング樹脂層31の膜厚を0.05mmと0.3mmにした場合に「はがれ」が発生した。これは、それらの膜厚のときにCu系導体の表面に酸化膜が厚く形成され、その酸化膜により接合性に余裕がなかったためであると思われる。
【0050】
従って、上述した試験により、コーティング樹脂層31の膜厚は、0.07mmから0.2mmの範囲にあるのが望ましいことが分かる。
以上説明した実施形態では、半導体チップ41、電子部品42を半田によって固着する場合の混成集積回路装置について、コーティング樹脂層31の作用効果を述べてきたが、半田に代え接着剤を用いて半導体チップ41、電子部品42を固着した場合でもコーティング樹脂層31によってワイヤボンディング用パッド11、13が接着剤硬化時に酸化するのを防止することができる。
(第2実施形態)
上記第1実施形態の実装方法では、電子部品41、42の半田リフロー工程の前に、ワイヤボンディングパッド用導体11、13をコーティング樹脂層31によって被覆することにより、この導体11、13が半田リフロー時に汚染されるのを回避でき、また外部接続用のワイヤボンディングパッド用導体13には実装工程後(導体11のワイヤボンディング後)もコーティング樹脂層31を形成したままにしておくことにより、パッケージ工程における接着剤、樹脂などの硬化時に導体13が酸化するのを防ぐようにしている。
【0051】
しかしながら、本発明者らがさらに検討を進めたところ、コーティング樹脂層31の下のワイヤボンディングパッド用導体13が酸化し、ワイヤボンディングの接合性が低下するという問題があることが判明した。
これは、パッケージ工程において、図18に示すように、回路基板1を樹脂ケース52に接着剤51で接着し、さらに樹脂で封止する際の加熱硬化時に、その加熱作用によって導体13の表面が酸化するものと考えられる。この点についてさらに検討を進めたところ、半田リフロー工程の際に流れ出す半田フラックスが問題であることが分かった。
【0052】
つまり、半田フラックスは回路基板1に対して濡れ性が良好であるため、図19(a)の平面図に示すように、半田リフロー時に半田付部品(半導体チップ41、電子部品42)の周囲に半田フラックス22が流れ出す。この半田フラックス22はコーティング樹脂層31を溶かし、コーティング樹脂層31と回路基板1との界面に侵入し、コーティング樹脂層31と回路基板1との間の密着力を低下させる。そして、洗浄工程にて、半田フラックス22を除去したときに、コーティング樹脂層31が浮いた状態になる。この後、パッケージ工程において上記した加熱を行うと、導体13の表面が酸化されることになる。
【0053】
そこで、この第2実施形態では、図19(b)に示すように、半田フラックス22がコーティング樹脂層31まで広がってこないように、半田付部品(半導体チップ41、電子部品42)とコーティング樹脂層31との間にダムを形成する樹脂層36を形成している。
従って、ダム用の樹脂層36により半田フラックス22がせき止められるため、半田フラックス22によるコーティング樹脂層31への影響をなくすことができ、導体13の酸化が防止されて、導体13上へのボンディングを接合性よく行うことができる。
【0054】
本実施形態では、このダム用の樹脂層36を、コーティング樹脂層31と同じ材料でそれと同時に形成するようにしている。すなわち、樹脂塗布工程において、図20に示すように、導体11と半導体チップを搭載するためのダイパット用導体12のそれぞれの間、導体11と電子部品接続用の端子パターン20の間、および端子パターン20と外部接続用ワイヤボンディングパッドとしての導体13の間に、ダム用の樹脂層36をそれぞれ形成している。このダム用の樹脂層36を形成する以外は、第1実施形態と同じ工程を実施している。なお、上記したダム用の樹脂層36は、除去せずにそのまま残していても、コーティング樹脂層31の除去とともに順次除去していってもよい。
【0055】
また、上記したように導体13の酸化を防止するという観点からすれば、端子パターン20と導体13の間のみダム用の樹脂層36を設けるようにすることもできる。しかし、図13に示すように、導体11に非常に細いワイヤ43がボンディングされる場合は、導体11のちょっとした酸化でも、その接合性に問題が生じる。従って、導体11とダイパット用導体12の間、および導体11と端子パターン20の間にもダム用の樹脂層36を形成するのが好ましい。
【0056】
また、ダム用の樹脂層36は、コーティング樹脂層31の形成と同時である必要はなく、コーティング樹脂層31の形成の前後いずれかであってもよい。要は、半田リフロー工程の前にダム用の樹脂層36が形成されていればよい。また、ダム用の樹脂層36は、コーティング樹脂層31と同じ材料である必要はなく、別の材料であってもよい。但し、上記したように同じ材料で同時に両者を形成した方が製造工程が簡単になる。
(第3実施形態)
上記第2実施形態では、半田リフロー時に流れ出す半田フラックスがコーティング樹脂層31に届かないようにして、導体13の酸化を防止するものを示したが、半田付け後に回路基板1を洗浄する際に用いる洗浄液(有機溶剤系の洗浄液)によってもコーティング樹脂層31がわずかに溶けて、その後のパッケージ工程の加熱時に、コーティング樹脂層31が硬くなって変色し、導体13に対する保護効果が低下し、導体13が酸化される可能性がある。
【0057】
そこで、本実施形態では、半田フラックスおよび洗浄液からコーティング樹脂層31を保護するようにしている。具体的には、図21に示すように、コーティング樹脂層31を形成した後、コーティング樹脂層31の上にディスペンサを用いて保護用の樹脂層37を形成している。
この保護用の樹脂層37としては、半田フラックスや洗浄液などの耐薬品性、耐溶剤性に優れた樹脂を用いる。例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂を用いることができる。この場合、樹脂層37は回路基板1に強固に固着されるため、コーティング樹脂層31を剥離する場合には、樹脂層37と回路基板1の固着部を残したまま、樹脂層37およびコーティング樹脂層31を剥離する。
【0058】
この第3実施形態においては、コーティング樹脂層31の上に保護用の樹脂層37を形成する以外は、第1実施形態と同じ工程を実施している。
従って、この第3実施形態によれば、コーティング樹脂層31の上に保護用の樹脂層37を設ける二重構造としているから、半田フラックスおよび洗浄液の影響を受けることがなく、導体11、13上に接合性よくボンディングを行うことができる。
【0059】
なお、第2実施形態で示したように、半田フラックスによるコーティング樹脂層31への影響をなくすように構成した場合には、樹脂層37の材料として、洗浄液のみを対象としてコーティング樹脂層31を保護する材料を選定することもできる。
また、本実施形態においても、導体13の酸化を防止するという観点からすれば、導体13上のコーティング樹脂層31に対してのみ樹脂層37を設けるようにすることもできる。しかし、第2実施形態と同様、導体11の酸化を極力なくすためには、導体11上のコーティング樹脂層31にも樹脂層37を形成するのが好ましい。
(第4実施形態)
上述した第1ないし第3実施形態では、樹脂塗布工程にてコーティング樹脂層31を塗布し、リフロー工程の加熱によりコーティング樹脂層31を加熱硬化するようにしているが、コーティング樹脂層31は1回の加熱より2回の加熱を行った方が回路基板1との密着力が増すため、図22に示すように、樹脂塗布工程を行った後、コーティング樹脂層31を加熱硬化させ、その後、はんだ印刷工程を経てマウント工程を実施するようにしてもよい。
【0060】
なお、加熱硬化工程では、半田リフロー工程における加熱と同じ条件で加熱を行う。
(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態について説明する。第5実施形態は、ワイヤボンディングパッド用導体を清浄にする方法としてプラズマクリーニング法を実装工程の中に組み入れたものであり、図23はこのプラズマクリーニング法を導入した場合の実装工程を示すフローチャートである。
【0061】
第1実施形態における樹脂層塗布工程は、ボンディングパッド用導体を汚染、酸化させないように保護するものであるのに対し、第5実施形態のプラズマクリーニング工程は半田リフローや樹脂・接着剤硬化時に付着する汚染物(Br、Cl、Sn等)、酸化物を除去することにより、ワイヤボンディングパッド用導体に清浄な表面を確保して、安定なワイヤボンディング性を確保するものである。
【0062】
具体的には、図23に示すように、半田リフロー、洗浄工程後に、半導体チップ41接続用のワイヤボンディングパッド用導体11に対してプラズマクリーニング法を実施して、半田リフロー時に付着する汚染物(Br、Cl、Sn等)や、酸化物を除去してから、導体11へのワイヤボンディングを行う。
次に、基板1およびこの基板1を収納、固着するケース(図示せず)等の接着、樹脂硬化を行うパッケージ工程を行い、その後に、外部接続用のワイヤボンディングパッド用導体13に対するプラズマクリーニング法を実施して、半田リフロー時およびパッケージ工程の接着、硬化時に付着する汚染物、酸化物等を除去してから、導体13へのワイヤボンディングを行う。
【0063】
第5実施形態におけるプラズマクリーニング法は、例えば、放電ガスとして10%−H2 /Arを用いて、導体11、13上に反応ガスプラズマを発生して導体11、13上の汚染物や酸化物を除去するものである。
また、図24に示すように、プラズマクリーニング工程の実施中は実装部品(半導体チップ41等)をマスク170でカバーして、半導体チップ41等への悪影響を回避して、ボンディングパッド用の導体11、13のみをクリーニングすることが望ましい。
【0064】
なぜならば、プラズマクリーニング工程を実施する際には、実装部品(半導体チップ41等)が基板1に搭載されているので、プラズマクリーニングによる実装部品の特性変動が懸念される。そこで、マスク170により実装部品をカバーして半導体チップ41等の実装部品への悪影響を回避することが望ましい。
このマスク170の材料としては、Al,ステンレス等のプラズマクリーニングをしても支障のない金属材料を選定する。また、このマスク170には基板1との接触部に、柔らかい樹脂(シリコーン系樹脂等)からなる緩衝部材172が配設されている。この緩衝部材172の配設により、基板1の反り等による隙間がマスク170と基板1との間に発生することを防止できるとともに、マスク170によって基板1を傷つけることを防ぐことができる。
【0065】
図25、26は、半田リフロー時に導体11、13に付着する汚染物(Br、Sn)の除去効果の具体例を示すものであり、半田リフローをしたがプラズマクリーニングをしてないCu導体上には、図25の上部に示すように、BrやSnが表面分析により確認されたが、第5実施形態によるプラズマクリーニングをした後はこれらのBrやSnが完全に除去されることを確認できた。
【0066】
従って、ワイヤボンディング性も図26に示すように、プラズマクリーニングをしたものは「はがれモード」がなくなり、良好となることを確認できた。この汚染物は従来のクリーニング時間(30〜180sec)では除去できず、10〜15minという長い時間クリーニングすることにより汚染物の除去が可能となる。
【0067】
なお、この第5実施形態において、半導体チップ41等を基板1に接着剤を用いて固着した場合は、当該接着剤の硬化の際にワイヤボンディング用導体11、13の表面は酸化されるが、これらの酸化物もプラズマスクリーニング法によって好適に除去できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の実装方法を示すフローチャートである。
【図2】第1実施形態に用いる、配線パターンを形成した回路基板を示す断面図である。
【図3】図2の回路基板に半田ペーストを印刷した状態を示す断面図である。
【図4】図3の回路基板にコーティング樹脂層を塗布した状態を示す断面図である。
【図5】(a)は図4のコーティング樹脂層塗布工程に用いる容器の断面図で、(b)は同容器の底部の平面図である。
【図6】図4の回路基板に電子部品をマウントした状態を示す断面図である。
【図7】図6の回路基板に半田リフロー工程を実施した後の状態を示す断面図である。
【図8】図7の回路基板から、半導体チップ接続用導体上のコーティング樹脂層を剥離した後の状態を示す断面図である。
【図9】図8のコーティング樹脂層の剥離方法を示す断面図である。
【図10】コーティング樹脂層の剥離方法の他の例を示す断面図である。
【図11】コーティング樹脂層の剥離方法の他の例を示す断面図である。
【図12】コーティング樹脂層の剥離方法の他の例を示す断面図である。
【図13】図8の回路基板において、半導体チップ接続用導体にワイヤボンディングした後の状態を示す断面図である。
【図14】コーティング樹脂層の有無によるワイヤボンディング性の評価結果を示す図表である。
【図15】ワイヤボンディング性評価のための引っ張り強度試験の方法を示す説明図である。
【図16】コーティング樹脂層の膜厚に対する引っ張り強度の試験結果を示す図である。
【図17】コーティング樹脂層の膜厚に対する引っ張り強度のPCT試験後の結果を示す図である。
【図18】パッケージ工程において、回路基板をケースに接着剤で接着を行う状態を示す図である。
【図19】(a)は半田フラックスがコーティング樹脂層にまで広がる状態を示す図、(b)は半田フラックスがダム用の樹脂層により積止められる状態を示す図である。
【図20】本発明の第2実施形態において、ダム用の樹脂層を、コーティング樹脂層と半田付部品の間に設けた状態を示す図である。
【図21】本発明の第3実施形態において、コーティング樹脂層の上に保護用の樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図22】本発明の第4実施形態の実装方法を示すフローチャートである。
【図23】本発明の第5実施形態の実装方法を示すフローチャートである。
【図24】第5実施形態のプラズマクリーニング法を実施する際に用いるマスクを示す断面図である。
【図25】プラズマクリーニング法の実施前後における導体表面の分析結果を示す図表である。
【図26】プラズマクリーニング法の実施有無によるワイヤボンディング性の評価結果を示す図表である。
【図27】従来のワイヤボンディングを用いた実装構造を示す断面図である。
【図28】従来のワイヤボンディングを用いた実装方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1…回路基板、11、12、13、20…Cu系導体、21…半田ペースト、
22…半田フラックス、31…コーティング樹脂層、36…ダム用の樹脂層、
37…保護用の樹脂層、41…半導体チップ、42…電子部品、
52…ケース、100…外部回路接続用リード。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic component mounting method, and more particularly, to improve wire bondability in a mounting method in which wire bonding is performed directly on a conductor on a circuit board and an electronic component such as a semiconductor chip is connected. Related to the method.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, when a semiconductor chip or individual electronic component is mounted on a circuit board and a terminal is taken out via a
[0003]
As the
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In general, the
[0005]
Further, in order to form the
On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 5-326805 proposes a technique for eliminating the
[0006]
Here, according to the trial production and examination by the present inventors, when a wire-bonded
However, in the case of Au plating or Au thick film, there is a problem that the substrate manufacturing cost becomes high due to the material cost and processing steps. In addition, the combination of Au and Al wire has a problem that corrosion occurs at the bonding interface and the moisture resistance of the wire bonding portion is inferior.
[0007]
In the case of employing Ni plating, a Ni plating layer is first formed on the surface of the substrate, and a thick film conductor, for example, a Cu thick film is formed on the Ni plating layer. There is a problem that the solder wettability of the Cu thick film portion on the Ni plating is lowered and solder joint failure is likely to occur.
Therefore, the present inventors tried to adopt a Cu-based conductor such as a Cu thick film or Cu plating as a wire bonding conductor on the circuit board in order to solve such a problem.
[0008]
However, in the method of mounting a hybrid integrated circuit using a Cu-based conductor such as a Cu thick film or Cu plating as a conductor material for wire bonding of a circuit board, even if a cleaning process is performed after the solder reflow process, the wire bonding It has been found that there is a problem that dirt remains on the conductor for use and the bondability of the wire bond is deteriorated. Hereinafter, the reason for the occurrence of this problem will be described in detail with reference to the flowchart of the conventional process shown in FIG.
[0009]
In the mounting method of FIG. 28, first, a circuit board on which a wiring pattern is formed is prepared. Next, a solder paste is printed on the mounting component mounting portion of the wiring pattern on the circuit board. Thereafter, the mounted component is mounted (assembled) on a predetermined portion of the wiring pattern. Next, the solder is melted by the reflow process to fix the mounting component, and thereafter, the contaminants due to the flux and the like are cleaned by the cleaning process, and finally the wire bonding is performed on the wire bonding conductor of the circuit board.
[0010]
However, according to such a mounting method, during solder reflow, the activator Br or Cl in the solder flux is eluted or scattered together with the solvent or the resin component in the flux, and the conductor (Cu thick film, Cu Reaction) with the oxide of the conductor formed on the surface of the conductor or the surface of the conductor, and a reaction product is formed on the surface of the conductor in a granular or uniform manner. Contamination of the conductor surface with this reaction product causes subsequent wire bonding. It was found that the bondability was lowered.
[0011]
It has been found that such trouble due to contamination of the conductor surface does not occur when an Al pad or Au conductor is used as a conductor, but is an inherent problem particularly generated when a Cu-based conductor is used.
Furthermore, in the case of Cu thick film and Cu plating, in addition to solder reflow, by heating and curing the resin and adhesive in the heating process at the time of curing the adhesive and the packaging process for bonding the circuit board and case, It has also been found that the surface of the Cu thick film and Cu plating is oxidized, and the problem that the bondability of the wire bond is lowered occurs.
[0012]
As countermeasures against such problems, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 58-111329 and 6-260520 have already been proposed in which oxide films and contaminants are removed mechanically.
However, since these conventional techniques perform the removal process for each pad, when a large number of bonding pads are provided, there is a problem that this removal process takes a lot of time and increases the cost. Moreover, even if the oxide film and contaminants are mechanically removed, there is a problem that the powder accompanying the removal remains on the substrate surface and the bondability of the wire bond is not stable.
[0013]
The present invention has been made in view of the above-described circumstances. In a mounting method in which wire bonding is performed directly on a Cu-based conductor on a circuit board, the bonding property of wire bonding is improved, and mounting by wire bonding is low cost. It is intended to be able to be implemented in.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The present invention employs the following technical means to achieve the above object.To do.
[0019]
Claim 1In the invention described in the above, the electronic component mounting method is a container (32) in which a paste-like resin (33) for forming the coating resin layer (31) is formed and a resin coating pattern (32a) is formed on the bottom. The resin coating pattern (32a) of the container (32) and the Cu-based conductors (11, 13) for wire bonding of the circuit board (1) are positioned, and then the container (32 The resin layer (31) is coated on the Cu-based conductors (11, 13) for wire bonding by discharging the paste-like resin (33) through the resin coating pattern (32a) at the bottom of). And Also,Claim 2In the invention described in, after the Cu-based conductor (11) to be wire bonded to the electronic component (41) is coated with the resin layer (31), the electronic component (41, 42) is soldered or bonded with an adhesive. After fixing, the coating resin layer (31) is peeled off, and thereafter, the Cu-based conductor (11) from which the resin layer (31) is peeled and the electronic component (41) are wire bonded. Yes. In this electronic component mounting method, the coating resin layer (31) is sucked by a vacuum nozzle (91) to which a vacuum is applied, and the tip of the vacuum nozzle (91) is engaged with the coating resin layer (31). By stopping, the coating resin layer (31) is peeled off by applying an external force in a direction away from the circuit board (1) to the coating resin layer (31).
Claim 1In the present invention, the coating resin layer (31) can be formed using a stamp method,Claim 2In this invention, the coating resin layer (31) can be easily peeled off using a vacuum.
[0022]
Claim 3In this invention, after coating the Cu-based conductor (11) to be wire bonded to the electronic component (41) with the resin layer (31), the electronic components (41, 42) are fixed by soldering, and thereafter The electronic component mounting method is a method of peeling the coating resin layer (31), and thereafter wire bonding the Cu-based conductor (11) and the electronic component (41) from which the resin layer (31) has been peeled off. A protective layer (37) for protecting the coating resin layer (31) from a cleaning solution used for cleaning the circuit board (1) after soldering is formed on the surface of the coating resin layer (31).
[0023]
Accordingly, the coating resin layer (31) can be protected from the cleaning liquid, and the Cu-based conductor (11, 13) under the coating resin layer (31) can be prevented from being oxidized. Therefore, the Cu-based conductor (11, 13) can be prevented. The bondability of wire bonding to can be improved. Also,
[0024]
In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows a corresponding relationship with the specific means of embodiment description later mentioned.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIGS. 1-13 shows 1st Embodiment, FIG. 1 is a flowchart which shows the flow of the whole process of the mounting method at the time of introduce | transducing the resin application | coating process of this invention, FIG. 6, 7, 8, and 13 are diagrams specifically showing each process of the mounting method. First, a
[0026]
Here, the wiring pattern on the
Next, as shown in FIG. 3, a
[0027]
Thereafter, as shown in FIG. 4, a
The material of the
[0028]
As a resin satisfying such characteristics, for example, a vinyl resin is suitable, and specific examples of this vinyl resin include strip masks # 448T and # 503B-SHV (Osaka Asahi Chemical Co., Ltd.). .
The
[0029]
Among these methods, the stamping method will be described in detail with reference to FIG. 5. As shown in FIGS. 5A and 5B, a
Next, the
[0030]
In addition, in the application pattern with a large area, when stamping, the problem that the
Next, as shown in FIG. 6, an
[0031]
Next, as shown in FIG. 7, heating in the solder reflow process (for example, temperature: 130 ° C. to 240 ° C., heating time: 3 minutes to 5 minutes)InTherefore, the
[0032]
In this reflow process, Br and Cl, which are activators in the solder flux, are eluted or scattered together with the solvent and the resin component in the flux. However, the coating resin is applied on the wire
[0033]
Next, a cleaning process is performed to clean and remove contaminants such as flux attached to the
Thereafter, as shown in FIG. 8, the
[0034]
As the peeling method of the
[0035]
Here, the tip of the
As another example of the peeling method of the
[0036]
Further, instead of providing the
Further, as shown in FIG. 12, through-
[0037]
In this manner, wire bonding is performed on the wire
[0038]
According to the mounting method of the first embodiment, the wire
[0039]
Moreover, the
[0040]
Here, in the packaging process, the wire
Then, after the packaging process is finished, the
[0041]
In the process flow shown in FIG. 1, the
FIG. 14 shows the experimental results comparing the bondability when wire bonding is performed by applying the
[0042]
The evaluation method of wire bondability is a tensile strength test, and the test method is shown in FIG. The formed
[0043]
The breaking mode was classified into “peeling” which is a failure mode and “neck break” which is a non-defective mode. Here, “peeling” means peeling at the interface between the conductor as a bonding pad and the wire as shown in FIG. 15 (d), and neck breakage is as shown in FIG. 15 (e). This “peeling” does not occur, and the
[0044]
From this evaluation result, the
In addition, as a material of the
[0045]
In addition, after curing, a resin with less air bubbles (voids), a non-bolus resin, a resin with low oxygen permeability, a resin with less voids on the above-mentioned strip mask of Osaka Asahi Chemical Co., Ltd., By covering the resin with low oxygen permeability and forming the
[0046]
According to the experimental study by the present inventors, when a circuit board using a Cu thick film as a conductor for a wire bonding pad was actually left in air at 150 ° C. for 10 hours without applying a resin layer, Oxidation was remarkable, and it was found that what was wire-bonded on the conductor often peeled off at low strength when the tensile strength test was conducted.
[0047]
However, when resin (specifically, the strip mask of Osaka Asahi Chemical Co., Ltd.) is applied to the wire bonding pad conductor and the same test is performed, oxidation of the conductor surface is suppressed and high It was confirmed that stable wire bonding could be secured without causing "peeling mode" even in strength.
The inventors further examined the film thickness of the coating resin layer 31 (thickness from the surface of the circuit board 1). In FIG. 16, the experimental result of the tensile strength with respect to the film thickness of the
[0048]
From this evaluation result, when bonding is performed under the optimum conditions, the bonding property is good at any film thickness in the range of 0.1 mm to 2.0 mm of the
[0049]
Further, FIG. 17 shows the result of the moisture resistance test performed when bonding is performed under the optimum conditions and the film thickness is in the range of 0.05 mm to 0.3 mm. This moisture resistance test is a PCT test that is allowed to stand for 96 hours in an environment of 121 ° C., 1.7 atm and humidity of 85%. From FIG. 17, “peeling” occurred when the thickness of the
[0050]
Therefore, it can be seen from the above-described test that the thickness of the
In the embodiment described above, the function and effect of the
(Second Embodiment)
In the mounting method of the first embodiment, the wire
[0051]
However, further investigation by the present inventors has revealed that there is a problem that the wire
In the packaging process, as shown in FIG. 18, the surface of the
[0052]
That is, since the solder flux has good wettability with respect to the
[0053]
Therefore, in the second embodiment, as shown in FIG. 19B, the soldered component (
Therefore, since the
[0054]
In the present embodiment, the
[0055]
From the viewpoint of preventing the
[0056]
Further, the
(Third embodiment)
In the second embodiment, the solder flux that flows out during the solder reflow is prevented from reaching the
[0057]
Therefore, in this embodiment, the
As the
[0058]
In the third embodiment, the same steps as those in the first embodiment are performed except that a
Therefore, according to the third embodiment, since the
[0059]
As shown in the second embodiment, when the configuration is made so as to eliminate the influence of the solder flux on the
In the present embodiment, the
(Fourth embodiment)
In the first to third embodiments described above, the
[0060]
In the heat curing step, heating is performed under the same conditions as in the solder reflow step.
(Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. In the fifth embodiment, a plasma cleaning method is incorporated into the mounting process as a method for cleaning the wire bonding pad conductor, and FIG. 23 is a flowchart showing the mounting process when this plasma cleaning method is introduced. is there.
[0061]
The resin layer coating process in the first embodiment protects the bonding pad conductor from contamination and oxidation, whereas the plasma cleaning process in the fifth embodiment adheres during solder reflow and resin / adhesive curing. By removing contaminants (Br, Cl, Sn, etc.) and oxides to be cleaned, a clean surface is secured on the wire bonding pad conductor to ensure stable wire bonding.
[0062]
Specifically, as shown in FIG. 23, after the solder reflow and cleaning process, a plasma cleaning method is performed on the wire
Next, a packaging process is performed for bonding the
[0063]
The plasma cleaning method in the fifth embodiment is, for example, 10% -H as the discharge gas.2/ Ar is used to generate reactive gas plasma on the
Also, as shown in FIG. 24, during the plasma cleaning process, the mounting component (
[0064]
This is because when the plasma cleaning process is performed, the mounting component (
As a material for the
[0065]
25 and 26 show specific examples of the effect of removing contaminants (Br, Sn) adhering to the
[0066]
Therefore, as shown in FIG. 26, the wire bonding property was confirmed to be good because the plasma-cleaned product did not have the “peeling mode”. This contaminant cannot be removed in the conventional cleaning time (30 to 180 sec), and the contaminant can be removed by cleaning for a long time of 10 to 15 minutes.
[0067]
In the fifth embodiment, when the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart showing a mounting method according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a circuit board having a wiring pattern used in the first embodiment.
3 is a cross-sectional view showing a state in which a solder paste is printed on the circuit board of FIG. 2;
4 is a cross-sectional view showing a state in which a coating resin layer is applied to the circuit board of FIG. 3;
5A is a cross-sectional view of a container used in the coating resin layer application step of FIG. 4, and FIG. 5B is a plan view of the bottom of the container.
6 is a cross-sectional view showing a state in which an electronic component is mounted on the circuit board of FIG.
7 is a cross-sectional view showing a state after performing a solder reflow process on the circuit board of FIG. 6;
8 is a cross-sectional view showing a state after a coating resin layer on a semiconductor chip connecting conductor is peeled from the circuit board of FIG.
9 is a cross-sectional view showing a method for peeling the coating resin layer in FIG. 8. FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing another example of a method for peeling a coating resin layer.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing another example of a method for peeling a coating resin layer.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing another example of a method for peeling a coating resin layer.
13 is a cross-sectional view showing a state after wire bonding to a semiconductor chip connecting conductor in the circuit board of FIG. 8;
FIG. 14 is a chart showing evaluation results of wire bonding properties with and without a coating resin layer.
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a tensile strength test method for evaluating wire bonding properties.
FIG. 16 is a diagram showing a test result of a tensile strength with respect to a film thickness of a coating resin layer.
FIG. 17 is a diagram showing the results after a PCT test of the tensile strength with respect to the film thickness of the coating resin layer.
FIG. 18 is a diagram showing a state in which a circuit board is bonded to a case with an adhesive in a packaging process.
19A is a view showing a state where the solder flux spreads to the coating resin layer, and FIG. 19B is a view showing a state where the solder flux is stopped by the dam resin layer.
FIG. 20 is a view showing a state in which a dam resin layer is provided between a coating resin layer and a soldered part in the second embodiment of the present invention.
FIG. 21 is a view showing a state in which a protective resin layer is formed on a coating resin layer in the third embodiment of the present invention.
FIG. 22 is a flowchart showing a mounting method according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 23 is a flowchart showing a mounting method according to the fifth embodiment of the present invention.
FIG. 24 is a cross-sectional view showing a mask used when performing the plasma cleaning method of the fifth embodiment.
FIG. 25 is a chart showing the analysis results of the conductor surface before and after performing the plasma cleaning method.
FIG. 26 is a chart showing evaluation results of wire bonding properties depending on whether or not a plasma cleaning method is performed.
FIG. 27 is a cross-sectional view showing a mounting structure using conventional wire bonding.
FIG. 28 is a flowchart showing a mounting method using conventional wire bonding.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
22 ... solder flux, 31 ... coating resin layer, 36 ... resin layer for dam,
37 ... Protective resin layer, 41 ... Semiconductor chip, 42 ... Electronic component,
52 ... Case, 100 ... Lead for external circuit connection.
Claims (5)
前記電子部品(41)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(11)を樹脂層(31)にてコーティングした後に、前記電子部品(41、42)を半田付け又は接着剤で固着し、
この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離し、
この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離したCu系導体(11)と前記電子部品(41)とをワイヤボンデイングする電子部品の実装方法であり、
前記コーティング樹脂層(31)を形成するためのペースト状の樹脂(33)を、底部に樹脂塗布パターン(32a)を形成した容器(32)内に収納し、
この容器(32)の樹脂塗布パターン(32a)と、前記回路基板(1)のワイヤボンデイング用のCu系導体(11、13)とを位置決めし、
この後に、前記容器(32)の底部の樹脂塗布パターン(32a)を通して、前記ペースト状の樹脂(33)を吐出して、前記ワイヤボンデイング用のCu系導体(11、13)に樹脂層(31)をコーティングすることを特徴とする電子部品の実装方法。The electronic components (41, 42) are fixed to the Cu-based conductors (12, 20) constituting the wiring pattern on the circuit board (1) by soldering or adhesive, and other Cu constituting the wiring pattern. A mounting method in which wire bonding is performed directly on the system conductor (11) to connect the Cu system conductor (11) and the electronic component (41).
After coating the Cu-based conductor (11) to be wire bonded to the electronic component (41) with the resin layer (31), the electronic component (41, 42) is fixed by soldering or an adhesive,
Thereafter, the coating resin layer (31) is peeled off,
After this, the mounting method of the electronic component wire bonding the Cu-based conductor (11) and the electronic component (41) from which the coating resin layer (31) has been peeled off,
A paste-like resin (33) for forming the coating resin layer (31) is stored in a container (32) having a resin coating pattern (32a) formed on the bottom,
Positioning the resin coating pattern (32a) of the container (32) and the Cu-based conductors (11, 13) for wire bonding of the circuit board (1),
Thereafter, the resin (33) in the form of paste is discharged through the resin coating pattern (32a) at the bottom of the container (32), and the resin layer (31) is formed on the Cu-based conductors (11, 13) for wire bonding. ) Coating method for electronic parts.
前記電子部品(41)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(11)を樹脂層(31)にてコーティングした後に、前記電子部品(41、42)を半田付け又は接着剤で固着し、
この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離し、
この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離したCu系導体(11)と前記電子部品(41)とをワイヤボンデイングする電子部品の実装方法であり、
バキュームが加えられるバキュームノズル(91)にて前記コーティング樹脂層(31)を吸引するとともに、このバキュームノズル(91)の先端部を前記コーティング樹脂層(31)に係止することより、前記コーティング樹脂層(31)に前記回路基板(1)から離れる方向の外力を作用させて、前記コーティング樹脂層(31)の剥離を行うことを特徴とする電子部品の実装方法。The electronic components (41, 42) are fixed to the Cu-based conductors (12, 20) constituting the wiring pattern on the circuit board (1) by soldering or adhesive, and other Cu constituting the wiring pattern. A mounting method in which wire bonding is performed directly on the system conductor (11) to connect the Cu system conductor (11) and the electronic component (41).
After coating the Cu-based conductor (11) to be wire bonded to the electronic component (41) with the resin layer (31), the electronic component (41, 42) is fixed by soldering or an adhesive,
Thereafter, the coating resin layer (31) is peeled off,
After this, the mounting method of the electronic component wire bonding the Cu-based conductor (11) and the electronic component (41) from which the coating resin layer (31) has been peeled off,
The coating resin layer (31) is sucked by a vacuum nozzle (91) to which a vacuum is applied, and the tip of the vacuum nozzle (91) is locked to the coating resin layer (31), whereby the coating resin A method for mounting an electronic component, wherein an external force in a direction away from the circuit board (1) is applied to the layer (31) to peel off the coating resin layer (31).
前記電子部品(41)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(11)を樹脂層(31)にてコーティングした後に、前記電子部品(41、42)を半田付けで固着し、
この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離し、
この後に、前記コーティング樹脂層(31)を剥離したCu系導体(11)と前記電子部品(41)とをワイヤボンデイングする電子部品の実装方法であり、
前記半田付け後に前記回路基板(1)を洗浄する際に用いる洗浄液から前記コーティング樹脂層(31)を保護する保護層(37)を、前記半田付けを行う前に、前記コーティング樹脂層(31)の表面に形成することを特徴とする電子部品の実装方法。The electronic components (41, 42) are fixed by soldering to the Cu-based conductors (12, 20) constituting the wiring pattern on the circuit board (1), and other Cu-based conductors ( 11) a mounting method in which wire bonding is performed directly on the Cu-based conductor (11) and the electronic component (41).
After coating the Cu-based conductor (11) to be wire bonded to the electronic component (41) with the resin layer (31), the electronic component (41, 42) is fixed by soldering,
Thereafter, the coating resin layer (31) is peeled off,
After this, the mounting method of the electronic component wire bonding the Cu-based conductor (11) and the electronic component (41) from which the coating resin layer (31) has been peeled off,
A protective layer (37) for protecting the coating resin layer (31) from a cleaning solution used for cleaning the circuit board (1) after the soldering is applied to the coating resin layer (31) before the soldering. A method for mounting an electronic component, comprising:
前記電子部品(41、42)の半田付け又は接着剤にて固着を行った後に、前記電子部品(41)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(11)に対してプラズマクリーニング工程を実施して、このCu系導体(11)の表面を清浄化し、
この後に、このプラズマクリーニングをしたCu系導体(11)と前記電子部品(41)とをワイヤボンデイングすることを特徴とする電子部品の実装方法。The electronic components (41, 42) are fixed to the Cu-based conductors (12, 20) constituting the wiring pattern on the circuit board (1) by soldering or an adhesive, and other components constituting the wiring pattern are configured. A mounting method in which wire bonding is performed directly on a Cu-based conductor (11) to connect the Cu-based conductor (11) and the electronic component (41).
After the electronic components (41, 42) are fixed by soldering or adhesive, a plasma cleaning process is performed on the Cu-based conductor (11) in which wire bonding with the electronic components (41) is performed. The surface of the Cu-based conductor (11) is cleaned,
Thereafter, the plasma-cleaned Cu-based conductor (11) and the electronic component (41) are wire-bonded.
前記電子部品(41、42)の半田付け又は接着剤にて固着を行った後に、前記Cu系導体(11、12、13、20)のうち、前記電子部品(41)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(11)に対してプラズマクリーニング工程を実施して、このCu系導体(11)の表面を清浄化し、
この後に、このプラズマクリーニングをしたCu系導体(11)と前記電子部品(41)とをワイヤボンデイングし、
この後に、前記回路基板(1)をケース内に封止するパッケージ工程を行い、
この後に、前記Cu系導体(11、12、13、20)のうち、前記外部回路接続用リード(100)とのワイヤボンデイングが行われるCu系導体(13)に対してプラズマクリーニング工程を実施して、このCu系導体(13)の表面を清浄化し、
この後に、このプラズマクリーニングをしたCu系導体(13)と前記外部回路接続用リード(100)とをワイヤボンデイングすることを特徴とする電子部品の実装方法。The electronic components (41, 42) are fixed to the Cu-based conductors (12, 20) constituting the wiring pattern on the circuit board (1) by soldering or an adhesive, and other components constituting the wiring pattern are configured. In a mounting method in which wire bonding is performed directly on the Cu-based conductors (11, 13), and the Cu-based conductors (11, 13) are connected to the electronic component (41) and the external circuit connecting lead (100). There,
After the electronic parts (41, 42) are fixed by soldering or using an adhesive, wire bonding with the electronic parts (41) of the Cu-based conductors (11, 12, 13, 20) is performed. A plasma cleaning process is performed on the Cu-based conductor (11) to clean the surface of the Cu-based conductor (11),
Thereafter, wire bonding of the Cu-based conductor (11) and the electronic component (41) that have been subjected to the plasma cleaning,
Thereafter, a packaging process for sealing the circuit board (1) in a case is performed.
Thereafter, a plasma cleaning step is performed on the Cu-based conductor (13), which is wire-bonded to the external circuit connecting lead (100), among the Cu-based conductors (11, 12, 13, 20). The surface of this Cu-based conductor (13) is cleaned,
Thereafter, the plasma-cleaned Cu-based conductor (13) and the external circuit connecting lead (100) are wire-bonded.
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