JP3744005B2 - 露出したエッジの収縮の影響を補償する方法、露出したエッジの収縮の影響を補償したキャパシタ及び露出したエッジの収縮の影響を補償した抵抗器 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
固体(ソリッドステート)装置の分野に関するものであり、さらに詳しくは集積回路内のキャパシタ,抵抗器及びその他の回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
キャパシタは通常、絶縁体により隔てられた2枚の平行な導電板から構成されている。絶縁体は空気の場合もあるし、その他適当な誘電性物質の場合もある。MOS(金属酸化膜半導体)キャパシタなどのキャパシタは、(ドープしたシリコンなど)導電性基板上に形成された絶縁層(例えば二酸化シリコン)の表面に導電部(アルミニウムやその他の導電物質で作られた)を形成することにより、集積回路(IC)などの固体装置の形で形成される。アルミニウム導電基板は、誘電性の絶縁層により隔てられたキャパシタの電荷蓄積板として作用する。キャパシタは、ドープしたポリシリコン、窒化シリコン、または窒化シリコンと二酸化ケイ素のサンドイッチを絶縁層として用いて形成することができる。
【0003】
キャパシタのキャパシタンスは、導電部や導電板の表面面積と関係がある。IC製造工程に特有の変動性のため、形成される導電部の面積を正確に制御するのは難しい。図10は、側面の長さがXとYで、処理中に発生する可能性のあるサイズ変動がdXとdYであるキャパシタセル100を表したものである。このようなサイズ変動は、典型的には0からプラスマイナス1μmのオーダーで現れる。このようなサイズ変動があるため、完全に正確なキャパシタンス値とキャパシタンス比を有するキャパシタを備えたICを製造することは難しい。
【0004】
ある種の回路、たとえばスイッチドキャパシタフィルタ回路、の性能は回路内におけるキャパシタ比に対するほど大きくはキャパシタンスの絶対値に依存しない。製造工程中に起きるサイズ変動は、通常、製造されるICのすべての部分に影響するため、キャパシタ比は、実際のキャパシタの寸法や絶対キャパシタンスほどには変化しない。比をつけられたキャパシタの個々の導電面の外周・面積比が同じ場合、特にこのことが言える。
【0005】
所望のキャパシタ比にしたがって、互いに関連するキャパシタを設計するには、通常は、ユニットセルという考え方が用いられている。ユニットセルとは、標準の所定の大きさと形をした通常は正方形の導電層である。互いに所定のキャパシタ比でIC上に存在するすべてのキャパシタは電気的に相互接続された全体または部分ユニットセルのグループまたはアレーで構成されている。すべてのセルは名目的には大きさも形も同一であるため、理想的にはすべてのキャパシタの外周・面積比はほぼ同じである。図11は3個のキャパシタを示している。キャパシタ200は1個のユニットセルで構成されている。キャパシタ210は2個のユニットセルで、キャパシタ220は4個のユニットセルで構成されている。任意の2個のキャパシタ間のキャパシタンス比(または「キャパシタ比」)は、それぞれのユニットセル数の比に等しい。例えば、キャパシタ220とキャパシタ200のキャパシタンス比は4:1、すなわち4である(ユニットセル4個に対してユニットセル1個)。キャパシタ220とキャパシタ210のキャパシタ比は2:1、すなわち2である(ユニットセル4個に対してユニットセル2個)。
【0006】
IC製造中にサイズ変動が発生し、これはICのすべての面に対してほぼ均一に影響を与えると上述した(また、上述したように、キャパシタと比較してキャパシタ比はさらに正確にすることができる)が、キャパシタ比の変動の原因となる局所的影響がほかにもある。この影響の一つは、外周エッジ収縮で、これは、キャパシタを形成するユニットセルの無境界(または「露出した」)の外周エッジに影響を与える。図11のキャパシタ220を例にとると、この収縮は露出外周エッジ222aから222hに起こるが、内周エッジ224aから224hには起こらない。一辺の長さが約30ミクロンのユニットセルでは、通常0から0.1ミクロンの範囲で露出外周エッジ収縮が発生する。キャパシタ200のユニットセルには露出外周エッジしかない。したがって、4つすべてのエッジにエッジ収縮が起こる。
【0007】
図12では、キャパシタ200の単一ユニットセル内に発生するエッジ収縮と、キャパシタ220のユニットセルの一つ、すなわち右上のユニットセル220aに発生するエッジ収縮を比較したものである。図12では"L"はユニットセルの名目寸法を示し,"dL"はエッジで起こる収縮を表す。キャパシタ200では、単一ユニットセルの4つのエッジすべてに収縮が起こる。収縮後のユニットセルの面積は(L−2dL)2となる。キャパシタ220のユニットセル220aでは、エッジ収縮が起こるのは2個のエッジのみである。ユニットセル220aの収縮後の面積は(L−dL)2である。エッジ収縮の影響により、キャパシタ200のユニットセルとキャパシタ220のユニットセル220aの比は1には等しくならず、(L−2dL)2/(L−dL)2に等しい。実際の比は名目セルサイズLと収縮量dLにより異なる。
【0008】
ユニットセルのエッジ収縮の影響に対抗するため先行技術で取られていた対策を図13に示した。個々のキャパシタ、この例ではキャパシタ410(1ユニットセル)とキャパシタ430(4ユニットセル)の周囲に、受動「ダミー」ユニットセル400で構成される「保護リング」420と440が配置されている。ダミーユニットセルは、キャパシタのその他のユニットセルと電気的に接続されていない点を除けば、他のユニットセルとほぼ同じである。保護リングは、キャパシタのユニットセルの周囲に保護バリアや保護シールドを形成し、キャパシタの露出エッジにエッジ収縮が起こらないように効果的に保護するものである。
【0009】
先行技術で用いられている保護リングは、セルのエッジ収縮によりキャパシタ比が受ける影響を最小限に抑えるが、保護リングは、狭いIC表面でかなりの面積を取る。たとえば、図13の保護リング420は8個のダミーユニットセルで構成されているが、キャパシタ410自体はただ1個で構成されている。保護リング420はしたがって、キャパシタ410の8倍の面積を占めていることになる。同様に、保護リング440(12個のダミーユニットセルで構成されている)は、キャパシタ430(4個のユニットセルで構成されている)の3倍の面積を占めている。
【0010】
【発明の概要】
先行技術による保護リングを用いることにより、(また、その結果使用する面積が大きいことによる高いコストを払わずに)エッジ収縮を完全になくす代わりに、本発明ではキャパシタの個々のセルを配置しダミーセルを用いることにより、2個のキャパシタのセルの露出外周の長さの比をこの2個のキャパシタ間の所望のキャパシタ比に等しくした。こうすることにより両方のセルにかかるエッジ収縮効果を考慮に入れ、貴重な面積を無駄にすることなく正確なキャパシタ比が保たれる。本発明の一つの実施例では、さらにエッジ収縮補償を行うために、2個のキャパシタのセルの露出エッジ間の共通部分(交点)の数をキャパシタ比に一致するよう調整している。
その構成は「IC表面に形成された第1の導電部と第2の導電部の外周に沿って露出したエッジの収縮を補償する方法であって、第2の導電部の面積と第1の導電部の面積の比率が名目比率CRであり:露出したエッジの収縮が発生する第1の導電部の外周の長さを決定し;露出したエッジの収縮が発生する第2の導電部の外周の長さを決定し;露出したエッジの収縮が発生する第1の導電部の外周の長さ及び第2の導電部の外周の長さを、露出したエッジの収縮が発生する第2の導電部の外周の調節後の長さと露出したエッジの収縮が発生する第1の導電部の外周の調節後の長さが比率CRにほぼ等しくなるように調節することを特徴とする露出したエッジの収縮を補償する方法。」,「第1のキャパシタンスを有する第1のキャパシタ及び第2のキャパシタンスを有する第2のキャパシタの第2キャパシタンスと第1キャパシタンスの比が名目値CRであり:IC表面に第1のキャパシタのための第1の導電部が形成され;第1の導電部が第1の外周と第1の面積を有し、第1の導電部の部分に隣接する 第1全体長からなる第1の外周の第1の部分が第1外周の第1部分に沿う露出したエッジの収縮を禁止し;第2の全体長を構成する第1の外周の第2の部分が第1の導電部と電気的に接続していない少なくとも1つの受動部の部分に隣接して配置されて第1の外周の第2の部分の露出したエッジの収縮を禁止し;第3の全体長を構成する第1の外周の第3の部分が他の部分から離れて配置されて外周の第3の部分に発生する露出したエッジの収縮を他の部分が禁止せず;第1の全体長,第2の全体長,第3の全体長はゼロ以上であり;IC表面に第2のキャパシタのための第2の導電部が形成され、第2の導電部が第2の面積を有して第2の外周を有し、第1の全体長を構成する第2の外周の第1の部分が第2の導電部の部分に隣接して配置されて第2の外周の第1の部分の露出したエッジの収縮を禁止し;第2の全体長を構成する第2の外周の第2の部分が第2の導電部と電気的に接続していない少なくとも1つの受動部のの部分に隣接して配置されて第2の外周の第2の部分の露出したエッジの収縮を禁止し;第3の全体長を構成する第2の外周の第3の部分が他の部分から離れて配置され、外周の第3の部分に発生する露出したエッジの収縮を他の部分が禁止せず;第1の全体長,第2の全体長,第3の全体長はゼロ以上であり;第2の外周の第3の全体長と第1の外周の第3の全体長の比がCRにほぼ等しいことを特徴とする露出したエッジの収縮を補償したキャパシタ」及び「第1の抵抗値を有する第1の抵抗器及び第2の抵抗値を有する第2の抵抗器において、第2の抵抗値と第1の抵抗値の比が名目値CRであり:IC表面に形成された第1の抵抗器のための第1の導電部;第1の導電部は第1の面積と第1の外周を有し、第1の導電部が第1の外周と第1の面積を有し、第1の導電部の部分に隣接する第1全体長からなる第1の外周の第1の部分が第1外周の第1部分に沿う露出したエッジの収縮を禁止し;第1の導電部とは電気的に接続されていない少なくとも1個の受動部の部分に隣接させた第1の外周の第2の全体長を有する第2の部分が第2の外周の第2の部分に発生する露出したエッジの収縮を禁止し;他の部分が隔てて配置された第1の外周の第3の全体長を有する第3の部分が第1の外周の第3の部分に発生する露出したエッジの収縮を禁止せず;第1の全体長,第2の全体長,第3の全体長はゼロ以上であり;IC表面に形成された第2の抵抗器のための第2の導電部と、第2の導電部は第2の面積と第2の外周を有し、第2の外周の第1の全体長を有する第1の部分が第2の導電部の一部分に隣接させた第2の外周の第1の部分に発生する露出したエッジの収縮を禁止し;第2の導電部とは電気的に接続されていない少なくとも1個の受動部の部分に隣接させた第2の外周の第2の全体長を有する第2の部分が第2の外周の第2の部分に発生する露出したエッジの収縮を禁止し;第3の全体長を構成する第2の外周の第3の部分が他の部分から離れて配置され、外周の第3の部分に発生する露出したエッジの収縮を他の部分により禁止せず;第1の全体長,第2の全体長,第3の全体長はゼロ以上であり;第2の外周の第3の全体長と第1の外周の第3の全体長の比が比CRにほぼ等しいことを特徴とする第1の抵抗値及び第2の抵抗値を有する露出したエッジの収縮を補償した抵抗器」というものである。
【0011】
【実施例】
エッジ収縮補償キャパシタ及びその製造法について述べる。以下の説明では本発明を完全に説明するためにユニットセルのサイズ,形状,配置などについて多数の詳細事項を説明しているが、技術精通者には、これらの詳細事項を除いても本発明を実施できることが明らかである。その他の例については本発明をいたずらに曖昧にすることを避けるため、公知の特徴については述べない。
【0012】
図14は2個のキャパシタ510と520を示したものである。キャパシタ510は一つのユニットセル510aで構成されている。キャパシタ520は520aから520cの3個のユニットセルで構成されている。キャパシタ520とキャパシタ510の所望のキャパシタ比は3:1である。個々のユニットセルは、一辺の長さがLの正方形である。個々の外周エッジには、dLのエッジ収縮が発生する。ユニットセル510aの4辺にはすべてエッジ収縮が発生する。ユニットセル520aと520cには3辺にエッジ収縮が発生し、ユニットセル520bには対向する2辺にセル収縮が発生する。セル510aの最終的な面積は(L−2dL)2となる。セル520a,520b,520cの最終的な面積はそれぞれ、(L−2dL)×(L−dL),L(L−2dL),(L−2dL)×(L−dL)となる。キャパシタ520の面積とキャパシタ510の面積の比は、以下の通りである。
または
(3L2−8LdL+4dL2)/(L2−4LdL+4dL2) (1a)
【0013】
比(1a)は、dL=0(すなわちエッジ収縮がない場合)でない限り、所望の値である3と等しくはならない。上述したように先行技術では、キャパシタ510と520をそれぞれダミーセルの「保護リング」で囲うことによりエッジ収縮を防止した。このような保護リングを図15に示す。図15に示したように先行技術の保護リングを作るには20個のダミーセルが必要である。
【0014】
本発明ではエッジ収縮をすべてなくすのではなく、2個のキャパシタそれぞれの面積収縮が比例するようにユニットセルとダミーセルを配置する。エッジ収縮を完全になくすためにICの表面を利用するのではなく、本発明では、2個のキャパシタ間の相対的な収縮量が、所望のキャパシタ比と同じになるようにダミーセルとユニットセルを配置する。
【0015】
図1は、本発明にしたがって作成されたキャパシタの一例である。この例では、先行技術のように(貴重な表面面積を使って)それぞれのキャパシタアレイをダミーセルで囲むことはせず、所望のキャパシタ比にしたがって、一つのアレイの収縮ともう一つのアレイの収縮が相対的に対応するよう、本発明では限定数のダミーセルをキャパシタアレイに隣接させた。図1では、ダミーセル700と710は、キャパシタ510のユニットセル510aに向い合って配置されている。これにより、収縮が発生するユニットセル510aのエッジ数は4から2に減少する。キャパシタ520を構成するユニットセル520aから520cまでの直線状アレイの両側にはさらにダミーセル720と730が配置されている。ダミーセル720により収縮が起こるユニットセル520aのエッジ数は3から2に減少し、ダミーセル730により収縮が起こるユニットセル520cのエッジ数も3から2に減少する。その結果、ユニットセル510a,520a,520b,520cにはそれぞれ、2個の対向する辺においてエッジ収縮が発生する。キャパシタ520の3個のユニットセルのそれぞれに起こるエッジ収縮量は、キャパシタ510の一つのユニットセルに起こる収縮と同じで、所望のキャパシタ比である3:1が得られることになる。
【0016】
図1のダミーセルの配置を決定する方法の一つは図14の2個のキャパシタアレイ510と520のそれぞれの露出エッジ数を調べることである。露出エッジ数は発生する面積収縮にほぼ比例している。収縮は露出エッジの直交方向に発生する。したがって、収縮量は露出エッジの長さにdLを乗算したものにほぼ等しくなる。ユニットセルのエッジの長さは皆等しくLである。したがって、露出エッジに沿って起こる面積収縮の量はL×dLに等しくなる。すべての露出エッジに沿って発生する面積収縮の総量は、エッジ数(NEDGE)に1エッジあたりの収縮量(L×dL)を乗算したものである。この総量から露出エッジ間のそれぞれの共通部分について(dL)2を減算する。したがって、一辺の長さがLである任意の数のユニットセルから構成されるキャパシタアレイに発生するエッジ収縮の量は、以下の式で表せる。
ASHRINK=(NEDGE)(L×dL)−(NINT)(dL)2 (2)
ここで、
ASHRINK=エッジ収縮の総面積
L =名目エッジ長
dL =エッジに直交する収縮量
NEDGE =露出エッジの総数
NINT =露出エッジ共通部分数
【0017】
Lに比べて値の小さいdLについては、一次近似の場合は(dL)2の項は無視できる。したがって、個々の外側エッジに沿った収縮はほぼL×dLに等しくなり、キャパシタアレイの収縮総量は単純にアレイ内のセルの外側エッジ総数にL×dLを乗算したものになる。
【0018】
エッジ収縮が発生した後にも所望のキャパシタ比CRが確実に保たれるようにするため、それぞれのキャパシタの収縮の量の比も、所望のキャパシタ比に等しくなければならない。収縮の量はキャパシタアレイ内の露出エッジ数に比例するため、露出エッジの相対数が所望の比に等しければ、収縮の相対量は所望の比に等しくなる。露出エッジ数は、アレイの配列変更及び適当数のダミーセルを加えることにより増減が可能である。
【0019】
図14の2個のキャパシタアレイの所望のキャパシタ比は2:1である。この所望のキャパシタ比を達成するには、キャパシタアレイ510の露出エッジ数(NEDGE1)とキャパシタアレイ520の露出エッジ数(NEDGE2)の比を、所望のキャパシタ比3:1に等しくなければならない。図14を見ると、キャパシタアレイ510は、4個の露出辺を有する一つのユニットセル510aで構成されている。したがって、NEDGE1は4に等しい。一方、キャパシタアレイ520は、2個の露出辺を有するユニットセル1個(セル520b)と、それぞれ3個の露出辺を有するユニットセル2個(セル520a,520c)から構成されている。したがって、NEDGE2は8に等しい。したがって、露出エッジの比は8:4すなわち2:1である。しかし、所望の比は3:1である。
【0020】
所望の比を達成するための一つの方法は、可能であれば、NEDGE1の3倍に等しくなるようにNEDGE2を増やすことである。NEDGE1が4であるためNEDGE2は12まで増やさねばならない。キャパシタアレイ520にはユニットセルが3個しかないため、NEDGE2を12にするには、520aから520cまでの3個のユニットセルがそれぞれ4個の露出辺を備えることが必要で、これはすなわち、この3個のユニットセルそれぞれの4個の辺すべてに収縮が発生する必要があるということである。この状況は、3個のユニットセルを、隣接するセルのエッジの遮蔽効果をなくすほど充分な間隔で隔てることにより作り出すことができる。これは、ユニットセルと他のユニットセルとの間に、少なくともユニットセルの一辺の長さ(L)の間隔を置くことにより達成できることが分かっている。図2は、収縮の総数が12辺になるように、Lの間隔をあけて、ユニットセル520a,520b,520cを配列する例を示したものである。
【0021】
ユニットセル間の間隔を広げることにより収縮が発生するエッジの数を増やすことが一般的に実用的であるのは、ユニットセルの数が少ない場合のみである。アレイ内に使用されるセル数が多いと、露出エッジ数を減らすには露出エッジ数を増やすためにセル間隔を広げるより、ダミーのユニットセルを使った方が実用的である。2個のキャパシタ間の所望の比を達成するには一つまたは両方の露出辺数を減らす必要がある。上記の例ではNEDGE1=4,NEDGE2=8で、所望の比NEDGE2:NEDGE1は3:1であった。NEDGE2を増加させずに所望の比を達成するには(ユニットセル間を広く開けることが実用的でないと仮定して)、NEDGE1の値を少なくともNEDGE2の1/3まで減らす必要がある。NEDGE2の1/3はおよそ2.67である。図1のように、2個のダミーセル700と710をユニットセル510の2辺に隣接させると、NEDGE1は2に減り、これは最大許容可能値2.67より小さい。3:1の比を達成するには、NEDGE2はNEDGE1の3倍、すなわち6になる必要がある。したがって、NEDGE2は8から6に減らさねばならない。これは、図1で示したように2個のダミーセル720と730を配置することにより行うことができる。これを行うと結果的には、NEDGE1=2,NEDGE2=6となり、NEDGE1:NEDGE2は所望の比である3:1になる。
【0022】
共通部分の露出エッジの影響を考慮するため、2個のキャパシタの露出エッジ間の共通部分の数(以下「露出共通部分」と呼ぶ)の比も所望のキャパシタ比に等しくする必要がある。図1のキャパシタ520の露出共通部分の数はしたがって、キャパシタ510の露出共通部分数の3倍であることが望ましい。図1の配置では、それぞれのキャパシタアレイ内の共通部分数はゼロであり、この条件は満たされている。
【0023】
本発明のダミーセルとユニットセル510a,520a,520b,520cのもう一つの配列が図3及び図4に示されている。いずれの場合も、NEDGE2とNEDGE1の比及びNINT2とNINT1の比は所望の比CRである3に等しい。
【0024】
上記の説明では、キャパシタを形成するのに標準サイズのユニットセルとダミーセルを用いた場合を主に扱った。本発明は、キャパシタやダミーセルのサイズが任意であるさらに一般的なものにも利用できる。
【0025】
上で述べたように、本発明を用いて2個のキャパシとC 2 とC 1 の所望のキャパシタ比(CR)を(CR=C2/C1)達成するための基準は、
(A)C2及びC1の名目(変動やエッジ収縮の影響を受ける前の)面積A2とA1の比がCRに等しい。
(B)C2の外周・面積比がC1の外周・面積比に等しい。
(C)ユニットセルを使用するものとした場合、C2のセルアレイの露出外側エッジ数と、C1のセルアレイの露出外側エッジ数の比がCRに等しい。
(D)また、望ましくは、C2のセルアレイの露出外側エッジとC1のセルアレイの露出外側エッジの間の共通部分の数の比がCRに等しい。
【0026】
基準(A),(B),(D)は、標準ユニットセルを使う場合だけでなく、任意のサイズのセルを使う場合にも一般的にあてはまる。しかし、基準(C)は、いくらか異なる。一つのキャパシタアレイの露出エッジ数ともう一つのキャパシタアレイの露出エッジ数の比が所望のキャパシタ比CRに等しくなければならない、(C)をさらに一般的にすると、これはすなわち一つのキャパシタアレイの露出エッジの長さともう一つのキャパシタアレイの外側露出エッジの長さの比がCRに等しいということである。
【0027】
本発明の特長を発揮するには、特に上にあげた比など上記すべての基準を満たす必要はない。上記の比にほぼ等しい比であれば、キャパシタ比の正確さは先行技術より優れたものになる。
【0028】
本発明の一般的な応用を図5に示した。図5は2.5:1の比のキャパシタ1110と1120を示している。キャパシタ1110は、一辺の長さがLである一つのユニットセル1111で構成されている。その名目(エッジ収縮発生前)面積はL2 である。キャパシタ1120の総面積は、キャパシタ1110の面積の2.5倍である。キャパシタ1120は、キャパシタ1110のユニットセル1111及び、幅A、高さBの非ユニットセル1122と同じ大きさであるユニットセル1121で構成されている。一般的に、比をつけたキャパシタは、整数個のユニットセルと、キャパシタ1120のような、ユニットセルの面積の1〜2倍の面積を有する1個のオーバーサイズ非ユニットセルから形成される。
【0029】
非ユニットセル1122の面積が1.5L2に等しければ、キャパシタ1120は上記の基準(A)を満たす。この値とユニットセル1121の面積(ユニットセル1111の面積と同様、L2に等しい)を加えると、所望のキャパシタ比CR=2.5になる。セル1122の面積はA×Bに等しいため、以下の式が成り立つ。
A×B=2.5L2 (3)
【0030】
または、一般的に、ユニットセルの一辺の長さLと面積L2 が、所望のキャパシタ比CRである整数N個のユニットセルと1個のオーバーサイズの非ユニットセルで構成されたキャパシタの場合は、以下の式が成り立つ。
A×B=(CR−N)(L2) (3a)
【0031】
図5の例では、CRは2.5に等しくNは1に等しいため、式(3a)は式(3)と同じになる。式(3a)は、キャパシタ1120にユニットセルがなく、1個の非標準セルを用いた場合にも成り立つ。その場合。Nはゼロに等しくなる。
【0032】
基準(B)に関して言うと、キャパシタ1110の外周・面積比は(4L)/(L2)すなわち(4/L)である。キャパシタ1120を構成する個々のセルの外周・面積比が(4/L)に等しければ、キャパシタ1120の外周・面積比も(4/L)になる。セル1121は、セル1111と同様ユニットセルであるため、すでに外周・面積比は所望の比になっている。しかし、セル1122では、所望の比を得るためにはAとBの大きさを調節する必要がある。セル1122の外周は2A+2Bである。所望の外周・面積比は(4/L)である。したがって、Lに関するAとBの第2の式は以下の通りになる。
(2A+2B)/(A×B)=(4/L) (4)
【0033】
式(3a)と(4)を同時に解いてAとBの一般式を求めることができる。その結果のAとBの式は以下の通りである。
【0034】
キャパシタ1120では、(CR−N)は1.5であるため、式(5a)と(5b)は以下のようになる。
A=(3L−SQRT(3L2))/2=0.63L (6a)
B=(3L+SQRT(3L2))/2=2.37L (6b)
【0035】
上記の基準(C)を満たすためには、キャパシタ1120の露出外周の長さの総計は、キャパシタ1110の露出外周の長さの総計の2.5倍になる必要がある。図5に示した構成では、キャパシタ1110の露出外周の長さは4Lである。したがって、露出外周の望ましい長さは4Lの2.5倍の10Lである。図5に示したキャパシタ1120のセル1121と1122の構成においては、セル1121の露出外周の長さは3Lである。セル1122の露出外周の長さは、0.63L+2.37L+0.63L+1.37Lで5Lで、キャパシタ1120の露出外周長は3L+5Lで8Lとなる。これは所望の値10Lより小さい。露出外周の長さはしたがって、所望の比2.5:1に調節する必要がある。
【0036】
これを行う1つの方法は、すべてのエッジが露出するようにセル1121と1122を離すことである。これは、図6に示したように、セル1121と1122の間に間隔Lを置くことにより行うことができる。キャパシタの露出外周の全体長は、セル1121は4L,セル1122は(2.37L+0.63L+2.37L+0.63L)すなわち6Lになる。両方のセルを足すと4L+6Lで10Lになり、これは所望の値である。
【0037】
図6に示したように、セル1121と1122を隔てることにより、所望の露出外周長率が得られ、先行技術で得られたものよりもさらに正確なキャパシタ比が得られる。さらに精度を上げることによっても基準(D)を満たすことができる。すなわち、キャパシタ1110と1120のキャパシタの露出外側エッジ間の共通部分数の比は所望のキャパシタ比、この場合は2.5にすることができる。図6のキャパシタ1110のセル1111には、露出エッジ間に4個の共通部分がある。セル1121と1122もそれぞれ4個、合わせて8個の露出エッジがある。キャパシタ1110の4個の共通部分と所望のキャパシタ比2.5が与えられると、キャパシタ1120の露出エッジ間の所望の共通部分数は10になる。セル1121と1122には合わせても8個の角しかなく、また、それぞれ露出エッジ間に1個の共通部分が含まれるため、セル1121と1122の共通部分数を増やすことはできない。しかし、セル1111の共通部分数は減らすことができる。
【0038】
セル1111の共通部分の数を1つ減らして3個にすると、キャパシタ1120の共通部分は3×2.5で7.5が必要となる。図6のキャパシタ1120の露出エッジ間の共通部分の実際の数は所望値の7.5に近い8である。
【0039】
セル1111の露出エッジ(「露出共通部分」とも呼ぶ)の共通部分数を4個から3個に減らす一つの方法は、図7に示したように、長さL/2,幅Lのダミーセルをセル1111に隣接させることである。こうすることにより、露出共通部分露出共通部分を1つ減らして3個にすることができる。しかし、セル1111の露出外周長もL/2だけ減少する。セル1111の露出外周がL/2だけ減少すると、これに対応してキャパシタ1120の露出外周も1.25L(2.5×0.5)減少させる必要がある。これは、図7で示したように長さ1.25L,幅Lのダミーセル1123をセル1122に隣接させることにより達成できる。図で示したようにダミーセルを右の露出エッジ1124の中心に隣接させることにより、露出共通部分数は保ちながら露出外周長を減少させることができる。
【0040】
本発明のキャパシタ1110と1120のもう一つの配置を図8に示した。図8の配置では、ユニットダミーセル1115をユニットセル1111に隣接させて、セル1111の露出共通部分数を4から2に減少させ、露出外周長を4Lから3Lに減少させている。キャパシタ1120のセル1121と1122は図5に示したように互いに隣接している。この配置では図5について前に説明した通り、キャパシタ1120には1126aから1126cまでの5個の露出共通部分と、長さ8Lの露出外周がある。基準(D)によるとキャパシタ1120の露出共通部分の望ましい数は2.5×2すなわち5であり、これはこの例では露出共通部分の実際の数に対応している。したがって、基準(D)は満たされキャパシタ1120の露出共通部分数は調整する必要はない。基準(C)によるキャパシタ1120の外周の望ましい長さは2.5×3Lすなわち7.5Lで、これはキャパシタ1120の実際の露出外周より0.5L短い。図8に示したように長さ1/2Lのダミーセル1125をセル1122に隣接させると、キャパシタ1120の露出外周を0.5L減少させて所望の長さである7.5Lが達成できる。
【0041】
図9はそれぞれがただ一つのセルを有する2個のキャパシタ1510と1520に本発明を応用した例を示す。この例のキャパシタ1520と1510の所望のキャパシタ比CRは3.0:1と仮定するとセル1511は一辺の長さがLである正方形セルである。前記の式(5a)と(5b)によると、キャパシタ1520のセル1521の幅Aと長さBは、それぞれ約0.55Lと5.45Lになる。セル1511には長さ4Lの露出外周と露出共通部分が4個ある。セル1521には、露出共通部分が4個と長さ12Lの露出外周がある。
【0042】
現在の長方形の形では、セル1521は5個以上の露出共通部分を有することができない。前記の基準(D)を満たして、キャパシタ1520の露出共通部分とキャパシタ1510の露出共通部分の所望の比を得るため、2個のダミーユニットセル1512と1513をセル1511に隣接させることにより、図9に示されたキャパシタ1510の露出共通部分数は4から1に減少する。露出共通部分数の減少とともに、露出外周も4Lから2Lに減少する。所望のキャパシタ比3.0:1を使うと、キャパシタ1520の望ましい露出共通部分数は3.0×1すなわち3で、所望の露出外周長は3.0×2Lすなわち6Lである。遮蔽するダミーセルがなければ、キャパシタ1520のセル1521には4個の露出共通部分と、長さ12Lの露出外周が存在する。望ましい露出共通部分数と露出外周長を達成するには、ダミーセルにより1個の露出共通部分と6Lの長さの露出外周を遮蔽する必要がある。このような遮蔽は図9に示したような2個のダミーセル1522と1523で達成できる。ダミーセル1522はL字型をしたセルで、セル1521の共通部分1524を囲んで辺部分1525aに沿って4.75Lの長さで延びており、また辺部分1525cに沿って0.25Lの長さで延びている。セル1523は、辺部分1525bの中心部分に沿って配置された一辺の長さがLのユニットダミーセルである。ダミーセル1522と1523により遮蔽されるセル1521の露出外周の長さの総計は6Lで、残りの露出外周は所望の値である6Lになる。ダミーセル1522は共通部分1524も遮蔽するため、キャパシタ1520の3個の露出共通部分は所望の値になる。
【0043】
以上、比をつけたキャパシタのための新しい設計について述べた。本発明はエッジ収縮効果を補償することにより、先行技術で見られたキャパシタ比の変動を克服したものである。上記の例では本発明の特定の実施例について説明した。しかし、本発明はこれらの特定の実施例に限定されるものではない。たとえば、上記の例では長方形のキャパシタセルを用いて説明したが、本発明はその他の形状(たとえば、円形,三角形,多角形,その他の任意の形)も含んでいる。上記の説明では特定の数量,サイズ,キャパシタやダミーセルの配置を用いてキャパシタを説明したが、本発明はセルの数,サイズ,形及び配置が任意であるキャパシタに利用することができる。本発明はキャパシタだけでなく、正確な面積比が必要なその他の固体装置、たとえば比をつけた(イオン注入,薄膜,ポリシリコン,拡散などの)抵抗器に利用できる。また、本発明はキャパシタが不活性の取付け材料に配置されるPC回路板,セラミック基板などのハイブリッド集積回路を形成する基板上で使われるキャパシタにも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一つの実施例によりエッジ収縮を補償する方法を示す図。
【図2】本発明の第2の実施例によりエッジ収縮を補償する方法を示す図。
【図3】本発明の第3の実施例によりエッジ収縮を補償する方法を示す図。
【図4】本発明の第4の実施例によりエッジ収縮を補償する方法を示す図。
【図5】2個のキャパシタの図であり、そのうちの一つはオーバーサイズの非ユニットセル。
【図6】図11のキャパシタに応用した本発明の一つの実施例の図。
【図7】図11のキャパシタに応用した本発明の第2の実施例の図。
【図8】図11のキャパシタに応用した本発明の第3の実施例の図。
【図9】本発明のさらに他の実施例の図。
【図10】従来技術のキャパシタのユニットセルの図。
【図11】ユニットセルで構成される従来技術の3種類のキャパシタの図。
【図12】図2のキャパシタを形成する2個のユニットセルの詳細な図。
【図13】従来技術の保護リングの図。
【図14】2個のキャパシタに発生するエッジ収縮の図。
【図15】従来技術の保護リングによりエッジ収縮を防止する方法を示す図。
【符号の説明】
200,210,220,410,430,510,5820,1110,1120,,1510,1520 キャパシタ
220a,510a〜510c,520a〜520c,1111,1121,1511,1521,1523 ユニットセル
1122 非ユニットセル
400,700,710,720,730,1512,1513,1522,1523,1125 ダミーユニットセル
222a,222h 外周エッジ
224a,224h 内周エッジ
420,440 保護リング
1126a〜1126c 露出共通部分
1524 共通部分
1525a〜1525c 辺部分
Claims (33)
- IC表面に、第2の導電部の総面積と第1の導電部の総面積の比率が名目比率CRであるように形成された前記第1の導電部と前記第2の導電部における前記第1の導電部及び前記第2の導電部の外周に沿って他のパターンが近接して配置されない場合に発生する、前記第1の導電部及び前記第2の導電部の露出したエッジの収縮による前記比率CRの変動を補償する方法であって:
露出したエッジの収縮が発生する前記第1の導電部の外周の総延長を決定し;
露出したエッジの収縮が発生する前記第2の導電部の外周の総延長を決定し;
前記第1の導電部及び前記第2の導電部を含む領域のレイアウトを変更することにより、前記露出したエッジの収縮が発生する前記第1の導電部の外周の前記総延長及び/又は前記露出したエッジの収縮が発生する前記第2の導電部の外周の前記総延長を増加又は減少させるよう調節して、
露出したエッジの収縮が発生する前記第1の導電部の外周の長さ及び前記第2の導電部の外周の長さを、露出したエッジの収縮が発生する前記第2の導電部の外周の調節後の総延長と露出したエッジの収縮が発生する前記第1の導電部の外周の調節後の総延長が前記比率CRにほぼ等しくなるように調節することを特徴とする露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。 - 前記第1の導電部が電気的に接続された複数の導電部から構成されることを特徴とする請求項1記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記第2の導電部が電気的に接続された複数の導電部から構成されることを特徴とする請求項1記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記第1の導電部が1個のユニットセルを含む少なくとも一つの導電部から構成されることを特徴とする請求項1記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記第2の導電部が1個のユニットセルを含む少なくとも一つの導電部から構成されることを特徴とする請求項1記載の露出したエッジのエッジ収縮の影響を補償する方法。
- 露出したエッジの収縮が発生する前記第1の導電部の外周の部分の共通部分から構成されるコーナー数を決定し;
露出したエッジの収縮が発生する前記第2の導電部の外周の部分の共通部分から構成されるコーナー数を決定し;
前記第1の導電部及び前記第2の導電部を含む領域のレイアウトを変更する際には、前記第1の導電部の前記コーナー数及び/又は前記第2の導電部の前記コーナー数も増加又は減少させるように調節して、
前記第2の導電部の調節後の前記コーナー数と、前記第1の導電部の調節後の前記コーナー数の比が、前記比率CRにほぼ等しくなるように、前記第1の導電部及び前記第2の導電部の前記コーナー数を調整することを特徴とする請求項1記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。 - 前記コーナーの部分を含むように発生する露出したエッジの収縮が隣接する他の導電部により抑制されないように、前記コーナーが前記隣接する他の導電部のコーナーから隔てられるよう前記第1の導電部及び前記第2の導電部の少なくとも一つのコーナーを配置することにより、前記第1の導電部及び前記第2の導電部の少なくとも一つの前記コーナー数を調節することを特徴とする請求項6記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記第1の導電部及び前記第2の導電部の少なくともいずれか一方が導電物質で形成されていることを特徴とする請求項1記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記導電物質が金属であることを特徴とする請求項8記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記金属がアルミニウムであることを特徴とする請求項9記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記導電物質がポリシリコンであることを特徴とする請求項8記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記第1の導電部及び前記第2の導電部がキャパシタを構成することを特徴とする請求項1記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 前記第1の導電部及び前記第2の導電部が抵抗器を構成することを特徴とする請求項1記載の露出したエッジの収縮の影響を補償する方法。
- 第1のキャパシタンスを有する第1のキャパシタ及び第2のキャパシタンスを有する第2のキャパシタからなり、第2のキャパシタンスと第1のキャパシタンスの比が名目値CRであるキャパシタであって:
IC表面に前記第1のキャパシタのための第1の導電部が形成され;
前記第1の導電部が第1の外周の第1の総延長と第1の面積を有し;
前記第1の導電部の第1の外周は、以下に記載する(a)〜(c)の状態のうち、少なくとも(c)の状態を含み;
(a)前記第1の総延長のうちの第1の全体長を構成する前記第1の外周の第1の部分が前記第1の導電部を構成する他の部分と隣接して配置されることにより、前記第1の外周の前記第1の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(b)前記第1の総延長のうちの第2の全体長を構成する前記第1の外周の第2の部分が前記第1の導電部と電気的に接続していない少なくとも1つの受動部の部分に隣接して配置されることにより、前記第1の外周の前記第2の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(c)前記第1の総延長のうちの第3の全体長を構成する前記第1の外周の第3の部分が他の部分から離れて配置されることにより、前記第1の外周の前記第3の部分に露出したエッジの収縮が発生する状態;
前記IC表面に前記第2のキャパシタのための第2の導電部が形成され;
前記第2の導電部が第2の外周の第2の総延長と第2の面積を有し;
前記第2の導電部の第2の外周は、以下に記載する(d)〜(f)の状態のうち、少なくとも(f)の状態を含み;
(d)前記第2の総延長のうちの第1の全体長を構成する前記第2の外周の第1の部分が前記第2の導電部を構成する他の部分と隣接して配置されることにより、前記第2の外周の前記第1の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(e)前記第2の総延長のうちの第2の全体長を構成する前記第2の外周の第2の部分が前記第2の導電部と電気的に接続していない少なくとも1つの受動部の部分に隣接して配置されることにより、前記第2の外周の前記第2の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(f)前記第2の総延長のうちの第3の全体長を構成する前記第2の外周の第3の部分が他の部分から離れて配置されることにより、前記第2の外周の前記第3の部分に露出したエッジの収縮が発生する状態;
さらに、
前記第2の外周の前記第3の全体長と前記第1の外周の前記第3の全体長の比が前記比CRにほぼ等しく、
前記第1の外周の前記第3の部分の間の共通部分を構成するコーナー数を第1のコーナー数とし、
前記第2の外周の前記第3の部分の間の共通部分を構成するコーナー数を第2のコーナー数とし、
前記第2のコーナー数と前記第1のコーナー数の比が前記比CRにほぼ等しいことを特徴とする露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。 - 前記第1の導電部が複数の電気的に接続された導電部を含むことを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記第2の導電部が複数の電気的に接続された導電部を含むことを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記の第1導電部が1個のユニットセルから構成される少なくとも1個の導電部を含むことを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記第2の導電部が1個のユニットセルから構成される少なくとも1個の導電部を含むことを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記受動部が少なくとも1個の受動ユニットセルから構成されることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記第1の導電部及び前記第2の導電部がアルミニウムまたはポリシリコンであることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記第1の導電部及び前記第2の導電部が抵抗率の低い金属またはキャパシタ板形成に適した金属で構成されていることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記IC表面が二酸化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記IC表面が窒化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記IC表面が二酸化シリコンと窒化シリコンの層で構成されていることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記IC表面がキャパシタ誘電体を形成するのに適した絶縁性物質の層で構成されていることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記IC表面がPC回路板で構成されていることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 前記IC表面がセラミック基板で構成されていることを特徴とする請求項14記載の露出したエッジの収縮による影響を補償したキャパシタ。
- 第1の抵抗値を有する第1の抵抗器及び第2の抵抗値を有する第2の抵抗器からなり、第2の抵抗値と第1の抵抗値の比が名目値CRである抵抗器であって:
IC表面に前記第1の抵抗器のための第1の導電部が形成され;
前記第1の導電部が第1の外周の第1の総延長と第1の面積を有し;
前記第1の導電部の第1の外周は、以下に記載する(a)〜(c)の状態のうち、少なくとも(c)の状態を含み;
(a)前記第1の総延長のうちの第1の全体長を構成する前記第1の外周の第1の部分が前記第1の導電部を構成する他の部分と隣接して配置されることにより、前記第1の外周の前記第1の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(b)前記第1の総延長のうちの第2の全体長を構成する前記第1の外周の第2の部分が前記第1の導電部と電気的に接続していない少なくとも1つの受動部の部分に隣接して配置されることにより、前記第1の外周の前記第2の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(c)前記第1の総延長のうちの第3の全体長を構成する前記第1の外周の第3の部分が他の部分から離れて配置されることにより、前記第1の外周の前記第3の部分に露出したエッジの収縮が発生する状態;
前記IC表面に前記第2の抵抗器のための第2の導電部が形成され;
前記第2の導電部が第2の外周の第2の総延長と第2の面積を有し;
前記第2の導電部の第2の外周は、以下に記載する(d)〜(f)の状態のうち、少なくとも(f)の状態を含み;
(d)前記第2の総延長のうちの第1の全体長を構成する前記第2の外周の第1の部分が前記第2の導電部を構成する他の部分と隣接して配置されることにより、前記第2の外周の前記第1の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(e)前記第2の総延長のうちの第2の全体長を構成する前記第2の外周の第2の部分が前記第2の導電部と電気的に接続していない少なくとも1つの受動部の部分に隣接して配置されることにより、前記第2の外周の前記第2の部分の露出したエッジの収縮が禁止される状態;
(f)前記第2の総延長のうちの第3の全体長を構成する前記第2の外周の第3の部分が他の部分から離れて配置されることにより、前記第2の外周の前記第3の部分に露出したエッジの収縮が発生する状態;
さらに、
前記第2の外周の前記第3の全体長と前記第1の外周の前記第3の全体長の比が前記比CRにほぼ等しく、
前記第1の外周の前記第3の部分の間の共通部分を構成するコーナー数を第1のコーナー数とし、
前記第2の外周の前記第3の部分の間の共通部分を構成するコーナー数を第2のコーナー数とし、
前記第2のコーナー数と前記第1のコーナー数の比が前記比CRにほぼ等しいことを特徴とする露出したエッジの収縮による影響を補償した抵抗器。 - 前記第1導電部及び前記第2導電部の少なくとも一つが半導体で構成されていることを特徴とする請求項28記載の露出したエッジの収縮による影響を補償した抵抗器。
- 前記半導体が薄膜半導体であることを特徴とする請求項29記載の露出したエッジの収縮による影響を補償した抵抗器。
- 前記半導体がポリシリコン素材で構成されていることを特徴とする請求項29記載の露出したエッジの収縮による影響を補償した抵抗器。
- 前記半導体がイオン注入された半導体領域で構成されていることを特徴とする請求項29記載の露出したエッジの収縮による影響を補償した抵抗器。
- 前記半導体が拡散ドープされた半導体領域で構成されていることを特徴とする請求項29記載の露出したエッジの収縮による影響を補償した抵抗器。
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