JP3753841B2

JP3753841B2 - Electron beam exposure system

Info

Publication number: JP3753841B2
Application number: JP23196597A
Authority: JP
Inventors: 公俊高橋
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1997-08-28
Filing date: 1997-08-28
Publication date: 2006-03-08
Anticipated expiration: 2017-08-28
Also published as: JPH1173904A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム露光装置に関し、特に、リフォーカシングによってビームの“ぼけ”を補正する電子ビーム露光装置の改良技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビーム露光（以下ＥＢ露光）は、光露光に比べて極めて微細な加工が可能で、０．２μｍ以下の微細パターン加工技術の有力候補となっているが、不安定要因も多く、実用化へのネックとなっている。かかる不安定要因の一つにクーロン相互作用と呼ばれるものがある。これは、電子の静電反発力によってビームが“ぼける”というものである。電子の総量に比例して解像度が劣化する。なお、クーロン相互作用によるぼけは、ＥＢ露光だけでなくイオンビーム露光でも発生する。何れも荷電粒子を用いる点で共通する。
【０００３】
一般に、超微細化パターンルールでは低感度のレジストを使用せざるを得ないが、こうしたレジストで単位時間あたりの高スループット描画を実現するには、全電流量を大きくしなければならない。例えば、０．１５μｍルールの場合、２〜４μＣ／ｃｍ² のレジストで１秒あたり１ｃｍ² 以上のスループットを得るには、全電流量が２〜４μＡにもなる。次式▲１▼は、ビームのぼけ、いわゆるビーム軸上でのビームの収差δを表わす式である。この式の第３項がクーロン相互作用の項（第１項は球面収差項、第２項は軸上色収差項）であり、全電流量（Ｉ）を大きくとるほど、電流量に比例してビームのぼけ（δ）が大きくなることが理解される。
【０００４】

但しＩ：全電流量
Ｃs：球面収差
Ｃc：色収差
Ｖ：加速電圧
δＶ：エネルギー分散
α：ビーム集束半角
Ｃcl：クーロン相互作用係数
Ｌ：
図６はクーロン相互作用の説明図であり、図ではＬとαを異ならせた二つの例を示している。ぼけは左側の図で大きい。これは左側の図でＬが大きくαが小さいからである（式▲１▼の第３項参照）。ぼけが大きい場合、試料上のビームプロファイルはなだらかになるので、試料表面からの２次電子を検出し、その検出プロファイルの立ち上がりや立ち下がりの傾斜（図７参照）を測定することにより、ぼけの程度を定量的に把握できる。
【０００５】
クーロン相互作用によるぼけの補正技術としては、従来より、リフォーカシングと呼ばれるものが知られている。図８はその概念図である。電子鏡筒内のフォーカスコイルの内側にリフォーカスコイルを装着し、このリフォーカスコイルの磁束を制御することにより、フォーカス位置を前後に高速移動する。ΔＦは移動量である。ビームの電流量（式▲１▼のＩ）に応じてリフォーカスコイルの磁束量を加減する。
【０００６】
図９はリフォーカス前とリフォーカス後の特性比較図である。横軸はビーム電流、縦軸はコントラスト（注１）である。実線で示す特性線がリフォーカス前、破線で示す特性線がリフォーカス後である。
注１：コントラストは、試料表面の走査波形（微分波形）の最大値をＩ_max、最小値をＩ_minとすると、｛（Ｉ_max＋Ｉ_min）／（Ｉ_max−Ｉ_min）｝×１００〔％〕で与えられる。
【０００７】
図９から理解されるように、最低のコントラストに着目すれば、リフォーカス前に２０％程度であったものがリフォーカス後には４０％程度へと改善されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来の技術にあっては、確かにリフォーカス後のコントラストの改善効果を認めるが、その効果も完璧ではなく、依然としてコントラストのビーム電流に対する依存性（図９のリフォーカス後の特性線の傾き）が残っており、実用化の観点で未だ不十分であり、この点において解決すべき課題がある。
【０００９】
上記依存性の残る原因は、ビーム内の個々の電子の散乱によるぼけ（以下、便宜的に“散乱ぼけ”と言う）によるものである。クーロン相互作用によるぼけは空間電荷によるぼけと上記散乱ぼけがあり、前者はリフォーカシングで補正できるが、後者の散乱ぼけはリフォーカシングだけでは補正しきれないからである。図１０は散乱ぼけの影響を説明する図であり、いくつかのショットサイズを例にした特性図である。第１のショットサイズは４．５μｍ×４．５μｍ、第２のショットサイズは３．０μｍ×４．５μｍ、第３のショットサイズは１．５μｍ×４．５μｍである。すべてのショットサイズのライン／スペースは０．０９μｍ／０．２１μｍである。ここで、第１のショットサイズのビーム電流は０．９９μＡ、第２のショットサイズのビーム電流は０．６６μＡ、第３のショットサイズのビーム電流は０．３３μＡである。この特性図によれば、便宜的にレジスト感度の“２０”に着目すると、それぞれのショットサイズのパターンサイズが約０．１０μｍ〜約０．１３μｍ（黒丸参照）とばらついている。この特性図はリフォーカス後のものであるので、ばらつきの原因は主に散乱ぼけによるものである。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、ぼけ量のばらつきを補正する技術を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、電子ビームのぼけ量を測定する測定手段と、前記電子ビームのショットサイズを所定サイズにしたときの該電子ビームのぼけ量が最小となるように該電子ビームのフォーカス位置を制御する第１制御手段と、前記第１制御手段における最小のぼけ量に対応するフォーカス位置の制御量を保持する保持手段と、前記電子ビームのショットサイズを前記所定サイズ以下の任意サイズにしたときの該電子ビームのぼけ量が前記最小のぼけ量と等しくなるように該電子ビームのフォーカス位置を制御する第２制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明では、電子ビームのショットサイズを所定サイズ以下の任意サイズにしたときの該電子ビームのぼけ量が、電子ビームのショットサイズを所定サイズにしたときの該電子ビームのぼけ量（または線形補間値）と等しくなるように該電子ビームのフォーカス位置が制御されるため、ショットサイズの相違にかかわらずぼけ量が一定になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１〜図５は本発明に係る電子ビーム露光装置の一実施例を示す図である。
まず、構成を説明する。図１において、１は鏡筒であり、鏡筒１の内部には、図面の上から順に、例えば、２：電子銃、３：コイル、４：第１成形アパーチャ、５：電磁レンズ、６：コイル、７：スリットデフレクタ、８：第２成形アパーチャ、９：電磁レンズ、１０：コイル、１１：ブランキングゲート、１２：電磁レンズ、１３：コイル、１４：リミッティングアパーチャ、１５：フォーカスコイル、１６：リフォーカスコイル、１７：電磁レンズ（主偏向器）、１８〜２１：メジャーデフレクタ（主偏向器）、２２：マイナーデフレクタ（副偏向器）、２３：２次電子検出器、２４：テーブル、２５：ＸＹステージ、２６：試料、が配置されている。これら各部は、図外の制御部からの制御を受けるが、特に、フォーカスコイル１５とリフォーカスコイル１６は、図２に示すフォーカス制御部３０によって、その励磁電流の大きさが制御されるようになっている。
【００１５】
図２において、フォーカス制御部３０は、フォーカスコイル１５の励磁電流値（固定値）を決定するフォーカス出力値決定ユニット３１と、最大ショットサイズ露光時のリフォーカスコイル１６の励磁電流値（Ｉｒｅｆ_max ）を決定する（詳細構成後述）第１リフォーカス値決定ユニット３２と、最大ショットサイズ以下の任意ショットサイズ露光時におけるリフォーカスコイル１６の励磁電流値（Ｉｒｅｆ₁ 、Ｉｒｅｆ₂ 、………、Ｉｒｅｆ_n ）を決定する（詳細構成後述）第２リフォーカス値決定ユニット３３₁ 、３３₂ 、………、３３_n と、前記第１リフォーカス値決定ユニット３２で決定された励磁電流値（Ｉｒｅｆ_max ）及び前記第２リフォーカス値決定ユニット３３₁ 、３３₂ 、………、３３_n で決定された励磁電流値（Ｉｒｅｆ₁ 、Ｉｒｅｆ₂ 、………、Ｉｒｅｆ_n ）を保持すると共に実際の露光時に露光シーケンスから参照されるテーブル３４と、を備えている。
【００１６】
図３は第１リフォーカス値決定ユニット３２の機能概念図である。第１リフォーカス値決定ユニット３２では、リフォーカスコイル１６の励磁電流（Ｉｒｅｆ）を０から段階的に増やしながら、それぞれの励磁電流ごとの電子ビームのぼけ量を測定する。図中のＩｒｅｆ＝０とδ＝δ₍₀₎ はスタート時の励磁電流とぼけ量を表わし、Ｉｒｅｆ＝ｊとδ＝δ_(j) は測定途中の励磁電流とぼけ量を表わしている。ｊは０以上の任意の数値である。ｊが最大値に達したら、Ｉｒｅｆとδの交点を２次元グラフ上にプロットし、その極小値を求めれば、最大ショットサイズ露光時において最小のぼけ量（δ_max ）となるリフォーカス出力値（Ｉｒｅｆ_max ）が得られる。
【００１７】
図４は第２リフォーカス値決定ユニット３３₁ 、３３₂ 、………、３３_n （代表として３３_i ）の機能概念図である。第２リフォーカス値決定ユニット３３_i では、まず、最大ショットサイズ以下のショットサイズｉを露光するときのリフォーカス値Ｉｒｅｆ_i に初期値（０）をセットして、そのときのぼけ量δを測定する。そして、測定されたぼけ量δと最大ショットサイズ露光時のときのぼけ量（δ_max ）とを比較して不一致であれば、Ｉｒｅｆ_i の値を変更して再びぼけ量δを測定するという動作を繰返し、δとδ_max が一致したときのＩｒｅｆ_i の値を、最大ショットサイズ以下のショットサイズｉを露光するときのリフォーカス値として決定する。
【００１８】
すなわち、第２リフォーカス値決定ユニット３３₁、３３₂、………、３３_nでは、〔最大ショットサイズ以下の任意ショットサイズ露光時のぼけ量δ〕が〔最大ショットサイズ露光時のぼけ量δ_max〕と一致するように、その任意ショットサイズ露光時のリフォーカス出力値Ｉｒｅｆ₁、Ｉｒｅｆ₂、………、Ｉｒｅｆ_nを決定するから、ショットサイズの相違にかかわらず常に一定のぼけ量（δ＝δ_max）とすることができ、従来のリフォーカシングの補正効果（空間電荷によるぼけの補正）に加えて散乱ぼけ量のばらつきを補正することができる。
【００１９】
したがって、本実施例によれば、図５に示すように、コントラスト−ビーム電流特性をほぼフラットにして、コントラストのビーム電流に対する依存性をなくすことができ、ショットサイズの相違に伴うパターンサイズのばらつき（図１０参照）を抑制できる。
なお、実施例では、可変矩形などのショットサイズを例にしたがこれに限らない。例えば、ブロックショットであってもよく、この場合、サイズを開口率と読み替えればよい。
【００２０】
また、実施例では、〔最大ショットサイズ以下の任意ショットサイズ露光時のぼけ量δ〕が〔最大ショットサイズ露光時のぼけ量δ_max 〕と一致するように、その任意ショットサイズ露光時のリフォーカス出力値Ｉｒｅｆ₁ 、Ｉｒｅｆ₂ 、………、Ｉｒｅｆ_n を決定しているが、例えば、最大ショットサイズ露光時のぼけ量δ_max と、最小ショットサイズ露光時のぼけ量δ_min とを求めて記憶しておき、最大ショットサイズ以下且つ最小ショットサイズ以上の任意ショットサイズ露光時のぼけ量δを、δ_max とδ_min の線形補間で求めてもよい。
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、ショットサイズの相違にかかわらずぼけ量を一定にすることができ、電子ビームによる超微細パターンの露光精度を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施例の鏡筒部の構造図である。
【図２】一実施例のフォーカス制御部の概略構成図である。
【図３】一実施例の第１リフォーカス値決定ユニットの機能ブロック図である。
【図４】一実施例の第２リフォーカス値決定ユニットの機能ブロック図である。
【図５】一実施例のコントラスト−ビーム電流特性図である。
【図６】クーロン相互作用の説明図である。
【図７】電子ビームのプロファイル図である。
【図８】リフォーカスの説明図である。
【図９】従来例のコントラスト−ビーム電流特性図である。
【図１０】従来例の不都合説明図である。
【符号の説明】
３２：第１リフォーカス値決定ユニット（測定手段、第１制御手段）
３３_i ：第２リフォーカス値決定ユニット（測定手段、第２制御手段）
３４：テーブル（保持手段）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electron beam exposure apparatus, and more particularly to an improved technique of an electron beam exposure apparatus that corrects beam “blurring” by refocusing.
[0002]
[Prior art]
Electron beam exposure (hereinafter referred to as EB exposure) is capable of extremely fine processing compared to optical exposure, and is a promising candidate for fine pattern processing technology of 0.2 μm or less. Has become a bottleneck. One such instability factor is called Coulomb interaction. This is because the beam is “blurred” by the electrostatic repulsion of electrons. Resolution degrades in proportion to the total amount of electrons. Note that blur due to Coulomb interaction occurs not only in EB exposure but also in ion beam exposure. Both are common in that charged particles are used .
[0003]
In general, a resist with low sensitivity must be used in the ultra-fine pattern rule, but in order to realize high-throughput drawing per unit time with such a resist, the total amount of current must be increased. For example, in the case of the 0.15 μm rule, to obtain a throughput of 1 cm ² or more per ^{second with} a resist of ^{2 to 4} μC / cm ² , the total current amount is 2 to 4 μA. The following equation (1) is an equation representing beam blur, so-called beam aberration δ on the beam axis. The third term of this equation is the Coulomb interaction term (the first term is the spherical aberration term and the second term is the axial chromatic aberration term). The larger the total current amount (I), the more proportional to the current amount. It is understood that the beam blur (δ) increases.
[0004]

Where I: total current Cs: spherical aberration Cc: chromatic aberration V: acceleration voltage δV: energy dispersion α: beam focusing half angle Ccl: Coulomb interaction coefficient L:
FIG. 6 is an explanatory diagram of the Coulomb interaction, and shows two examples in which L and α are different. The blur is large in the figure on the left. This is because L is large and α is small in the figure on the left side (see the third term of equation (1)). When the blur is large, the beam profile on the sample becomes gentle. By detecting secondary electrons from the sample surface and measuring the rising and falling slopes (see FIG. 7) of the detection profile, The degree can be grasped quantitatively.
[0005]
As a blur correction technique using Coulomb interaction, a technique called refocusing has been conventionally known. FIG. 8 is a conceptual diagram thereof. A refocusing coil is mounted inside the focusing coil in the electronic lens barrel, and the focus position is moved back and forth at high speed by controlling the magnetic flux of the refocusing coil. ΔF is a movement amount. The amount of magnetic flux of the refocusing coil is adjusted according to the amount of beam current (I in equation (1)).
[0006]
FIG. 9 is a characteristic comparison diagram before and after refocusing. The horizontal axis is the beam current, and the vertical axis is the contrast (Note 1). A characteristic line indicated by a solid line is before refocusing, and a characteristic line indicated by a broken line is after refocusing.
Note 1: Contrast is {(I _max + I _min ) / (I _max −I _min )} × 100 [%, where I _{max is} the maximum value of the scanning waveform (differential waveform) on the sample surface and I _min is the minimum value. ] Is given.
[0007]
As can be understood from FIG. 9, when attention is paid to the lowest contrast, the contrast of about 20% before refocusing is improved to about 40% after refocusing.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a conventional technique, the effect of improving the contrast after refocusing is certainly recognized, but the effect is not perfect, and the dependence of the contrast on the beam current (the characteristic line after refocusing in FIG. 9) is still present. In this respect, there is a problem to be solved.
[0009]
The reason why the dependence remains is due to blurring caused by scattering of individual electrons in the beam (hereinafter referred to as “scattering blur” for convenience). This is because blur due to Coulomb interaction includes blur due to space charge and the above-mentioned scattering blur, and the former can be corrected by refocusing, but the latter scattering blur cannot be corrected only by refocusing. FIG. 10 is a diagram for explaining the influence of scattering blur, and is a characteristic diagram taking several shot sizes as examples. The first shot size is 4.5 μm × 4.5 μm, the second shot size is 3.0 μm × 4.5 μm, and the third shot size is 1.5 μm × 4.5 μm. The line / space for all shot sizes is 0.09 μm / 0.21 μm. Here, the beam current of the first shot size is 0. 9 9 .mu.A, the beam current of the second shot size 0.66Myuei, beam current of the third shot size is 0.33Myuei. According to this characteristic diagram, focusing on the resist sensitivity “20” for convenience, the pattern size of each shot size varies from about 0.10 μm to about 0.13 μm (see black circles). Since this characteristic diagram is after refocusing, the cause of the variation is mainly due to scattering blur.
[0010]
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique for correcting variation in the amount of blur .
[0011]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided measuring means for measuring the amount of blur of an electron beam, and focusing of the electron beam so that the amount of blur of the electron beam is minimized when the shot size of the electron beam is set to a predetermined size. A first control unit for controlling the position; a holding unit for holding a control amount of a focus position corresponding to a minimum blur amount in the first control unit; and a shot size of the electron beam is set to an arbitrary size equal to or smaller than the predetermined size. And a second control means for controlling a focus position of the electron beam so that a blur amount of the electron beam is equal to the minimum blur amount .
[0013]
In the present invention, the amount of blur of the electron beam when the shot size of the electron beam is an arbitrary size equal to or smaller than the predetermined size is the amount of blur of the electron beam when the shot size of the electron beam is set to the predetermined size (or linear interpolation). Since the focus position of the electron beam is controlled to be equal to (value), the amount of blur is constant regardless of the difference in shot size.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 5 are views showing an embodiment of an electron beam exposure apparatus according to the present invention.
First, the configuration will be described. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a lens barrel. Inside the lens barrel 1, for example, 2: electron gun, 3: coil, 4: first shaping aperture, 5: electromagnetic lens, 6: Coil, 7: Slit deflector, 8: Second shaping aperture, 9: Electromagnetic lens, 10: Coil, 11: Blanking gate, 12: Electromagnetic lens, 13: Coil, 14: Limiting aperture, 15: Focus coil, 16 : Refocusing coil, 17: Electromagnetic lens (main deflector), 18 to 21: Major deflector (main deflector), 22: Minor deflector (sub deflector), 23: Secondary electron detector, 24: Table, 25 : XY stage, and 26: sample. Each of these units is controlled by a control unit (not shown). In particular, the focus coil 15 and the refocus coil 16 are controlled so that the magnitude of the excitation current is controlled by the focus control unit 30 shown in FIG. It has become.
[0015]
In FIG. 2, the focus control unit 30 includes a focus output value determination unit 31 that determines an excitation current value (fixed value) of the focus coil 15, and an excitation current value (Iref _max ) of the refocusing coil 16 at the time of maximum shot size exposure. (Detailed configuration will be described later) The first refocus value determination unit 32 and the excitation current values (Iref ₁ , Iref ₂ ,..., Iref _{n of the} refocus coil 16 at the time of exposure with an arbitrary shot size less than the maximum shot size. ) (Detailed configuration will be described later) second refocus

value determining units

33 ₁ , 33 ₂ ,..., 33 _n and the excitation current value (Iref _max ) determined by the first refocus value determining unit 32. and the second refocus value determining unit 33 _1, 33 _2, ........., determined at 33 _n the excitation current value (Iref ₁ , Iref ₂ ,..., Iref _n ) and a table 34 referred to from the exposure sequence during actual exposure.
[0016]
FIG. 3 is a functional conceptual diagram of the first refocus value determination unit 32. The first refocus value determining unit 32 measures the amount of blur of the electron beam for each exciting current while increasing the exciting current (Iref) of the refocusing coil 16 stepwise from zero. In the figure, Iref = 0 and δ = δ ₍₀₎ represent the excitation current and blur amount at the start, and Iref = j and δ = δ _(j) represent the excitation current and blur amount during measurement. j is an arbitrary numerical value of 0 or more. When j reaches the maximum value, the intersection of Iref and δ is plotted on a two-dimensional graph, and if the minimum value is obtained, the refocus output value (minimum blur amount (δ _max ) at the maximum shot size exposure) Iref _max ) is obtained.
[0017]
FIG. 4 is a functional conceptual diagram of the second refocus

value determining units

33 ₁ , 33 ₂ ,..., 33 _n (typically 33 _i ). In the second refocus value determination unit 33 _i , first, an initial value (0) is set to the refocus value Iref _i when exposing a shot size i equal to or smaller than the maximum shot size, and the blur amount δ at that time is measured. To do. Then, if the measured blur amount δ and the blur amount (δ _max ) at the time of the maximum shot size exposure are not equal to each other, and they do not match, the value of Iref _i is changed and the blur amount δ is measured again. repetition, the value of Iref _i when [delta] and [delta] _max are matched is determined as a refocus value to be used during the exposure of the following shot size i the maximum shot size.
[0018]
That is, in the second refocus

value determining units

33 ₁ , 33 ₂ ,..., 33 _n , [the blur amount δ at the time of exposure of an arbitrary shot size equal to or smaller than the maximum shot size] is [the blur amount δ at the time of exposure of the maximum shot size. _max ]], the refocus output values Iref ₁ , Iref ₂ ,..., Iref _n at the exposure of the arbitrary shot size are determined. Therefore, a constant blur amount (δ = Δ _max ), and in addition to the conventional refocusing correction effect (correction of blur due to space charge), variations in the amount of scattered blur can be corrected.
[0019]
Therefore, according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the contrast-beam current characteristic can be made almost flat, and the dependence of the contrast on the beam current can be eliminated. (See FIG. 10) can be suppressed.
In the embodiment, a shot size such as a variable rectangle is taken as an example, but the present invention is not limited to this. For example, it may be a block shot. In this case, the size may be read as the aperture ratio.
[0020]
Further, in the embodiment, so that [the maximum shot size any shot size blur during exposure [delta] below] matches the [maximum shot size blur during exposure [delta] _max], refocus at the time of any shot size exposure The output values Iref ₁ , Iref ₂ ,..., Iref _n are determined. For example, the blur amount δ _max at the maximum shot size exposure and the blur amount δ _min at the minimum shot size exposure are obtained and stored. In addition, the blur amount δ at the time of exposure of an arbitrary shot size that is not more than the maximum shot size and not less than the minimum shot size may be obtained by linear interpolation of δ _max and δ _min .
[0021]
【The invention's effect】
According to the present invention, the amount of blur can be made constant regardless of the difference in shot size, and the exposure accuracy of the ultrafine pattern by the electron beam can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a structural diagram of a lens barrel portion of an embodiment.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a focus control unit according to an embodiment.
FIG. 3 is a functional block diagram of a first refocus value determination unit according to an embodiment.
FIG. 4 is a functional block diagram of a second refocus value determination unit according to an embodiment.
FIG. 5 is a contrast-beam current characteristic diagram of one embodiment.
FIG. 6 is an explanatory diagram of Coulomb interaction.
FIG. 7 is a profile diagram of an electron beam.
FIG. 8 is an explanatory diagram of refocusing.
FIG. 9 is a contrast-beam current characteristic diagram of a conventional example.
FIG. 10 is an inconvenience explanatory diagram of a conventional example.
[Explanation of symbols]
32: First refocus value determination unit (measuring means, first control means)
33 _i : second refocus value determination unit (measuring means, second control means)
34: Table (holding means)

Claims

A measuring means for measuring the amount of blur of the electron beam;
First control means for controlling a focus position of the electron beam so that a blur amount of the electron beam is minimized when the shot size of the electron beam is set to a predetermined size;
Holding means for holding a control amount of a focus position corresponding to a minimum blur amount in the first control means;
Second control means for controlling a focus position of the electron beam so that a blur amount of the electron beam when the shot size of the electron beam is an arbitrary size equal to or smaller than the predetermined size is equal to the minimum blur amount; electron beam exposure apparatus characterized by comprising a.