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JP3792082B2 - Signal processing circuit device for magnetic disk drive and magnetic disk drive - Google Patents
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JP3792082B2 - Signal processing circuit device for magnetic disk drive and magnetic disk drive - Google Patents

Signal processing circuit device for magnetic disk drive and magnetic disk drive Download PDF

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JP3792082B2 JP24529399A JP24529399A JP3792082B2 JP 3792082 B2 JP3792082 B2 JP 3792082B2 JP 24529399 A JP24529399 A JP 24529399A JP 24529399 A JP24529399 A JP 24529399A JP 3792082 B2 JP3792082 B2 JP 3792082B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスクに対して信号の記録及び再生を行う磁気ディスク駆動装置、特に、その信号処理回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
磁気ディスク駆動装置の1つであるFDD(フロッピーディスクドライブ)装置のブロック図を図3に示す。同図において、1はインターフェースドライブ回路、2はコントロール回路、3はリードライト回路、4はステッピングモータドライブ回路、5はスピンドルモータドライブ回路、6はリードライトヘッド、7はイレーズヘッド、8はステッピングモータ、9はスピンドルモータ、10はインデックスセンサ、11はトラックセンサ、100は、例えばパーソナルコンピュータなど、外部のホスト装置である。
【0003】
尚、インターフェースドライブ回路1、コントロール回路2、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4はまとまって1つの集積回路装置(以下、「FDD装置用の信号処理回路装置」と言う)60となっている。
【0004】
各部の動作について説明する。インターフェースドライブ回路1はホスト装置100とコントロール回路2との間でやりとりが行われるデータ、並びに、ホスト装置100とリードライト回路3との間でやりとりが行われる、磁気記録媒体である不図示の磁気ディスクに書き込むデータ、及び、磁気ディスクから読み出されたデータの形式や転送の方式の整合をとる。
【0005】
コントロール回路2はインターフェースドライブ回路1を介してホスト装置100から入力したデータに応じて磁気ディスクに対してデータの書き込み及び読み出しを制御し、また、FDD装置の動作状態を示すデータなどをインターフェースドライブ回路1を介してホスト装置100へ出力する。
【0006】
リードライト回路3は、コントロール回路2の制御の下で、データの書き込み時には、ホスト装置100からインターフェースドライブ回路1を介して入力したデータに応じて、磁気ディスクに対してデータの書き込み及び読み出しを行うためのリードライトヘッド6、磁気ディスクに記録されているデータを消去するためのイレーズヘッド7をそれぞれ構成するコイルに電流を流すことによってデータを磁気ディスクに書き込む。一方、データの読み出し時には、磁気ディスクに記録されているデータに応じてリードライトヘッド6を構成するコイルに生じる電圧によって磁気ディスクからデータを読み出し、読み出したデータをインターフェースドライブ回路1を介してホスト装置100に出力する。
【0007】
ステッピングモータドライブ回路4は、コントロール回路2の制御の下で、リードライトヘッド6及びイレーズヘッド7を磁気ディスクの半径方向へ移送するステッピングモータ8を駆動する。スピンドルモータドライブ回路5は、コントロール回路2の制御の下で、磁気ディスクを回転させるスピンドルモータ9を駆動する。
【0008】
インデックスセンサ10は磁気ディスクが正常に回転しているか否かを、また、トラックセンサ11はリードライトヘッド6及びイレーズヘッド7が磁気ディスクの最外周に位置しているか否かを、コントロール回路2が検出するためのものである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
さて、上記従来のFDD装置用の信号処理回路装置では、電源コネクタの誤挿入などにより、最大定格値よりも高い電源電圧が印加されたときに、出力回路等がONしてしまい、過電流(あるいは過電圧)により回路素子が破壊されてしまうことがあった。
【0010】
このため、製造工程にて人為的なミス(電源コネクタの誤挿入など)により不良品となる製品により歩留まりが低下していた。また、不良となった製品を救済するための回路装置の交換作業が多く、生産性も低下していた。
【0011】
そこで、本発明は電源電圧の異常に起因して回路素子が破壊されるという不具合を低減した磁気ディスク駆動装置用の信号処理回路装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では、円盤状の磁気記録媒体である磁気ディスクに対して磁気ヘッドを介して信号の記録及び再生を行うリードライト回路と、前記磁気ディスクの半径方向に前記磁気ヘッドを移送するステッピングモータを駆動するステッピングモータドライブ回路と、前記リードライト回路及び前記ステッピングモータドライブ回路の動作を制御するコントロール回路とを有する磁気ディスク駆動装置用の信号処理回路装置において、印加される電源電圧が所定値よりも高いことを示す過電圧検出信号を出力する過電圧検出回路と、該過電圧検出信号を受けて前記回路のうちの所定の回路を待機状態にする回路とが設けられているとともに、前記過電圧検出回路が温度変化による前記所定値の変動を生じないように正の温度特性を有する部分と負の温度特性を有する部分とを備えていること、及び前記所定値が前記所定の回路の最大定格値よりも高く選ばれている。
【0013】
この構成により、所定値よりも高い電源電圧が印加されている状態では、所定の回路が導通しないので、所定値を適切に設定しておけば、異常に高い電源電圧が印加されている状態で導通して大電流が流れることにより、所定の回路の回路素子が破壊されるという事態を未然に防止することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施形態であるFDD装置のブロック図である。尚、従来技術として示したFDD装置と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。12は過電圧検出回路であり、インターフェースドライブ回路1、コントロール回路2、リードライト回路3、ステッピングモータドライブ回路4、及び、過電圧検出回路12がまとまって1つの集積回路装置(以下、「FDD装置用の信号処理回路装置」と言う)50となっている。
【0015】
過電圧検出回路12は、FDD装置用の信号処理回路装置50に印加される電源電圧が所定値(以下、「過電圧の閾値」と言う)よりも高くなると、過電圧検出信号をコントロール回路2に出力する。コントロール回路2は、過電圧検出回路12から過電圧検出信号が出力されている間は、インターフェースドライブ回路1、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4を待機状態に設定する。
【0016】
尚、本実施形態のFDD装置用の信号処理回路装置50では、インターフェースドライブ回路1、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4が電源電圧の正規の値(推奨値)が約5[V]の仕様であるのに対して、コントロール回路2は電源電圧の正規の値が3[V]の仕様となっており、単一の電源とするために、コントロール回路2には、不図示のレギュレータを介して電源電圧が印加されるようになっている。すなわち、コントロール回路2については、FDD装置用の信号処理回路装置50に正規の値よりも高い電源電圧が印加された状態で動作したとしても、回路素子が破壊されることはないようになっている。
【0017】
また、過電圧検出回路12の電源電圧の最大定格値は、インターフェースドライブ回路1、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4の電源電圧の最大定格値よりも充分に高いものとする。
【0018】
以上の構成により、過電圧の閾値よりも高い電源電圧が印加されている状態では、インターフェースドライブ回路1、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4が導通しないため、過電圧の閾値を適切に設定しておけば、異常に高い電源電圧が印加された状態で導通して大電流が流れることにより、インターフェースドライブ回路1、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4の回路素子が破壊されるという事態を未然に防止することができ、したがって、電源電圧の異常に起因して回路素子が破壊されるという不具合を低減することができる。
【0019】
これに伴って、製造工程では人為的なミス(電源コネクタの誤挿入など)により不良品となる製品が殆どなくなるので、歩留まりが向上するとともに、不良品を救済するための回路装置の交換作業も少なくなって生産性が向上する。
【0020】
また、本実施形態のFDD装置では、印加される電源電圧が過電圧の閾値以下になると、過電圧検出回路12は過電圧検出信号の出力を解除するようになっているので、コントロール回路2の働きにより、インターフェースドライブ回路1、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4が再び動作可能状態となる。したがって、過電圧の閾値より高い電源電圧を印加して待機状態となった後、動作を再開させるためには、正規の値の電源電圧を印加しさえすればよく、復帰処理が簡単である。
【0021】
過電圧検出回路12の一構成例を図2に示す。同図において、R11、R12、R2、R31、R32、R33、R5B、及び、R5Cは抵抗、Q11、Q12、及び、Q2はPNP型のバイポーラトランジスタ、Q31、Q32、Q33、Q41、Q42、Q43、Q44、Q45、及び、Q5はNPN型のバイポーラトランジスタ、C1及びC2はコンデンサ、INVはインバータ回路である。
【0022】
抵抗R2の一端にはFDD装置用の信号処理回路装置50に印加される電源電圧VCCが印加される。抵抗R2の他端は、抵抗R11を介してトランジスタQ1のエミッタ、抵抗R12を介してトランジスタQ12のエミッタ、及び、トランジスタQ2のエミッタに接続されている。トランジスタQ11、Q12、及び、Q2のベースはトランジスタQ2のコレクタに接続されている。トランジスタQ11及びQ12のコレクタはトランジスタQ31のコレクタに接続されている。
【0023】
トランジスタQ31のエミッタは抵抗R31を介して、トランジスタQ32のエミッタは抵抗R32を介して、トランジスタQ33のエミッタは抵抗R33を介して、それぞれ接地される。トランジスタQ31、Q32、及び、Q33のベースはトランジスタQ31のコレクタに接続されている。トランジスタQ32とQ33のコレクタは共通に接続されている。トランジスタQ41、Q42、Q43、Q44、Q45はそれぞれダイオード接続されており、トランジスタQ2のコレクタとトランジスタQ32、Q33のコレクタとの間に直列に順方向に接続されている。
【0024】
トランジスタQ32、Q33のコレクタは、抵抗R5Bを介してトランジスタQ5のベースに接続されており、また、コンデンサC1の一端に接続されている。トランジスタQ5のベースはコンデンサC2の一端に接続されている。コンデンサC1、C2のそれぞれの他端は接地されており、発振的な動作を防止するために用いられる。
【0025】
トランジスタQ5のエミッタは接地される。トランジスタQ5のコレクタには抵抗R5Cを介してFDD装置用の信号処理回路装置50に印加される電源電圧VCCが印加される。インバータINVの入力側はトランジスタQ5のコレクタに接続されている。インバータINVの出力は端子TOUTから出力される。
【0026】
以上の構成により、抵抗R31、R32、及び、R33が等しい抵抗値を示すものとすると、トランジスタQ31のコレクタに流れる電流I1と、トランジスタQ32及びQ33のコレクタに流れる電流の和I2との関係は、
2・I1=I2 …(式1)
となる。
【0027】
次に、トランジスタQ11及びQ12のベース−エミッタ間の電圧VBE1、トランジスタQ2のベース−エミッタ間の電圧VBE2は、
BE1=(kT/q)・ln{I1/(2・IS)}…(式2)
BE2=(kT/q)・ln(I2/IS) …(式3)
となる(但し、ISはトランジスタの飽和電流、qは電子の電荷量、kはボルツマン定数、Tは絶対温度である)。
【0028】
また、抵抗R11及びR12の抵抗値をR1とすると、
1=2・(VBE2−VBE1)/R1
であるので、上記(式2)及び(式3)を用いて、
1=2・(1/R1)・(kT/q)・ln4 …(式4)
となる。
【0029】
したがって、抵抗R2の抵抗値をR2、トランジスタQ2、Q41、Q42、Q43、Q44、Q45、及び、Q5のベース−エミッタ間の順方向電圧をVFとすると、トランジスタQ5がONする条件は、FDD装置用の信号処理回路装置50に印加される電源電圧VCCが、
CC>(I1+I2)・R2+7VF
となり、(式1)及び(式4)より、
CC>6・(R2/R1)・(kT/q)・ln4+7VF …(式5)
となる。
【0030】
以上の構成により、上記過電圧検出回路では、各素子の具体値を、R1=4[kΩ]、R2=68[kΩ]、抵抗R31、R32、及び、R33の抵抗値を1[kΩ]、抵抗R5B及びR5Cの抵抗値を50[kΩ]、コンデンサC1及びC2の容量値を5[pF]とし、kT/q=26[mV]、VF=0.7[V]とすると、約8.6[V]以上の電源電圧が印加されると、トランジスタQ5がONとなり、トランジスタQ5のコレクタの電圧はほぼグランドレベルに低下するので、インバータINVからはハイレベルの電圧が出力される。すなわち、この過電圧検出回路ではハイレベルの電圧が過電圧検出信号となる。
【0031】
尚、ダイオード接続されたトランジスタの数は5個となっているが、この数は、(式5)の右辺に関して、第1項が正の温度特性を、第2項が負の温度特性をそれぞれ有しているので、温度変化に伴う各項の変動が打ち消し合うように決定されたものである。
【0032】
また、本実施形態のFDD装置用の信号処理回路装置50では、インターフェースドライブ回路1、リードライト回路3、及び、ステッピングモータドライブ回路4の電源電圧の最大定格値は約7[V]となっている。これに対して、上記過電圧検出回路による過電圧の閾値は8.6[mV]となっている。過電圧の閾値は最大定格値に設定することが理想的であるが、このように過電圧の閾値を最大定格値よりも高い値に設定しているのは、以下の理由によるものである。
【0033】
それは、過電圧の閾値を電源電圧の最大定格値に設定していると、トランジスタのベース−エミッタ間の順方向電圧のばらつきにより、正規の値の電源電圧が印加されていても、過電圧検出信号が出力されて、待機状態に陥るおそれがあるからである。
【0034】
尚、上記実施形態のFDD装置の信号処理回路装置では、過電圧検出回路から出力される過電圧検出信号に基づいてコントロール回路が各回路を待機状態にするようになっているが、過電圧検出信号自体でコントロール回路も含めた各回路が待機状態となるように構成してもよい。このようにしておけば、上記実施形態のように、コントロール回路にレギュレータを介して電源電圧が印加されない場合にも対応することができる。
【0035】
また、過電圧検出信号でスピンドルモータドライブ回路5をも待機状態にするようにしても良い。スピンドルモータドライブ回路5をFDD装置用の信号処理回路装置50に内蔵した場合も同様にすれば良い。
【0036】
また、上記実施形態のFDD装置の信号処理回路装置では、電源電圧が高くなりすぎた場合に各回路を待機状態にするようになっているが、これに加えて、電源電圧が低くなりすぎた場合にも各回路を待機状態にするようにすれば、不安定な動作にならなくなって更に良い。また、FDD装置を例に挙げて本発明を説明したが、本発明はFDD装置に限定されるものではなく、HDD装置等のその他の磁気ディスク駆動装置であってもよい。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気ディスク駆動装置用の信号処理回路装置によれば、過電圧の閾値よりも高い電源電圧が印加された状態では各回路が導通しないため、過電圧の閾値を適切に設定しておけば、異常に高い電源電圧が印加された状態で導通して各回路に大電流が流れることにより各回路の素子が破壊されるという事態を未然に防止することができ、したがって、電源電圧の異常に起因して回路素子が破壊されるという不具合を低減することができる。
【0038】
これに伴って、製造工程では人為的なミス(電源コネクタの誤挿入など)により不良品となる製品が殆どなくなるので、歩留まりが向上するとともに、不良品を救済するための回路装置の交換作業が少なくなって生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態であるFDD装置のブロック図である。
【図2】 過電圧検出回路の一構成例を示す図である。
【図3】 従来例のFDD装置のブロック図である。
【符号の説明】
1 インターフェースドライブ回路
2 コントロール回路
3 リードライト回路
4 ステッピングモータドライブ回路
5 スピンドルモータドライブ回路
6 リードライトヘッド
7 イレーズヘッド
8 ステッピングモータ
9 スピンドルモータ
10 インデックスセンサ
11 トラックセンサ
12 過電圧検出回路
50 本発明の一実施形態であるFDD装置用の信号処理回路装置
60 従来例のFDD装置用の信号処理回路装置
100 ホスト装置
R11 抵抗
R12 抵抗
R2 抵抗
R31 抵抗
R32 抵抗
R33 抵抗
R5B 抵抗
R5C 抵抗
Q11 PNP型のバイポーラトランジスタ
Q12 PNP型のバイポーラトランジスタ
Q2 PNP型のバイポーラトランジスタ
Q31 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q32 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q33 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q41 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q42 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q43 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q44 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q45 NPN型のバイポーラトランジスタ
Q5 NPN型のバイポーラトランジスタ
C1、C2 コンデンサ
INV インバータ回路
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a magnetic disk drive device for recording and reproducing signals on a magnetic disk, and more particularly to a signal processing circuit device thereof.
[0002]
[Prior art]
FIG. 3 shows a block diagram of an FDD (floppy disk drive) device which is one of magnetic disk drive devices. In the figure, 1 is an interface drive circuit, 2 is a control circuit, 3 is a read / write circuit, 4 is a stepping motor drive circuit, 5 is a spindle motor drive circuit, 6 is a read / write head, 7 is an erase head, and 8 is a stepping motor. , 9 is a spindle motor, 10 is an index sensor, 11 is a track sensor, and 100 is an external host device such as a personal computer.
[0003]
The interface drive circuit 1, the control circuit 2, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4 collectively constitute one integrated circuit device (hereinafter referred to as “signal processing circuit device for FDD device”) 60. ing.
[0004]
The operation of each part will be described. The interface drive circuit 1 is a magnetic recording medium (not shown) that is a magnetic recording medium that exchanges data between the host device 100 and the control circuit 2 and exchanges between the host device 100 and the read / write circuit 3. The format of data written to the disk and the data read from the magnetic disk and the transfer method are matched.
[0005]
The control circuit 2 controls writing and reading of data with respect to the magnetic disk in accordance with data input from the host device 100 via the interface drive circuit 1, and also displays data indicating the operating state of the FDD device, etc. 1 to the host device 100.
[0006]
Under the control of the control circuit 2, the read / write circuit 3 writes and reads data to and from the magnetic disk in accordance with data input from the host device 100 via the interface drive circuit 1 when data is written. The data is written to the magnetic disk by passing a current through the coils constituting the read / write head 6 for erasing and the erase head 7 for erasing the data recorded on the magnetic disk. On the other hand, at the time of data reading, data is read from the magnetic disk by a voltage generated in a coil constituting the read / write head 6 in accordance with the data recorded on the magnetic disk, and the read data is sent to the host device via the interface drive circuit 1. Output to 100.
[0007]
The stepping motor drive circuit 4 drives a stepping motor 8 that moves the read / write head 6 and the erase head 7 in the radial direction of the magnetic disk under the control of the control circuit 2. The spindle motor drive circuit 5 drives a spindle motor 9 that rotates the magnetic disk under the control of the control circuit 2.
[0008]
The index sensor 10 determines whether the magnetic disk is rotating normally, and the track sensor 11 determines whether the read / write head 6 and the erase head 7 are located on the outermost periphery of the magnetic disk. It is for detection.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional signal processing circuit device for the FDD device, when a power supply voltage higher than the maximum rated value is applied due to an erroneous insertion of a power connector, the output circuit or the like is turned on, and an overcurrent ( Otherwise, the circuit element may be destroyed by overvoltage).
[0010]
For this reason, the yield has been reduced by products that are defective due to human error (such as incorrect insertion of a power connector) in the manufacturing process. In addition, there are many replacement operations of circuit devices for relieving defective products, and productivity has also been reduced.
[0011]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a signal processing circuit device for a magnetic disk drive device in which a problem that a circuit element is destroyed due to an abnormality in a power supply voltage is reduced.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the present invention, a read / write circuit for recording and reproducing signals to and from a magnetic disk, which is a disk-shaped magnetic recording medium, via a magnetic head, and a radial direction of the magnetic disk In a signal processing circuit device for a magnetic disk drive device, comprising: a stepping motor drive circuit that drives a stepping motor that transports the magnetic head; and a control circuit that controls operations of the read / write circuit and the stepping motor drive circuit. An overvoltage detection circuit that outputs an overvoltage detection signal indicating that the power supply voltage to be applied is higher than a predetermined value; and a circuit that receives the overvoltage detection signal and places a predetermined circuit among the circuits in a standby state. In addition, the overvoltage detection circuit corrects the predetermined value so as not to change due to a temperature change. It and a portion having a portion with negative temperature characteristic having a temperature characteristic, and the predetermined value is selected higher than the maximum rated value of the predetermined circuit.
[0013]
With this configuration, in a state where a power supply voltage higher than a predetermined value is applied, the predetermined circuit does not conduct, so if the predetermined value is appropriately set, an abnormally high power supply voltage is applied. It is possible to prevent a situation in which a circuit element of a predetermined circuit is destroyed due to conduction and a large current flowing.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of an FDD apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as the FDD apparatus shown as a prior art, and description is abbreviate | omitted. Reference numeral 12 denotes an overvoltage detection circuit. The interface drive circuit 1, the control circuit 2, the read / write circuit 3, the stepping motor drive circuit 4 and the overvoltage detection circuit 12 are combined into one integrated circuit device (hereinafter referred to as "FDD device use"). "Signal processing circuit device").
[0015]
The overvoltage detection circuit 12 outputs an overvoltage detection signal to the control circuit 2 when the power supply voltage applied to the signal processing circuit device 50 for the FDD device becomes higher than a predetermined value (hereinafter referred to as “overvoltage threshold”). . While the overvoltage detection signal is output from the overvoltage detection circuit 12, the control circuit 2 sets the interface drive circuit 1, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4 in a standby state.
[0016]
In the signal processing circuit device 50 for the FDD device of the present embodiment, the interface drive circuit 1, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4 have a normal value (recommended value) of about 5 [V In contrast, the control circuit 2 has a normal power supply voltage specification of 3 [V]. In order to use a single power supply, the control circuit 2 is not shown in the figure. A power supply voltage is applied via a regulator. In other words, even if the control circuit 2 operates in a state where a power supply voltage higher than a normal value is applied to the signal processing circuit device 50 for the FDD device, the circuit elements are not destroyed. Yes.
[0017]
The maximum rated value of the power supply voltage of the overvoltage detection circuit 12 is sufficiently higher than the maximum rated value of the power supply voltage of the interface drive circuit 1, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4.
[0018]
With the above configuration, the interface drive circuit 1, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4 do not conduct in a state where a power supply voltage higher than the overvoltage threshold is applied, so the overvoltage threshold is set appropriately. If this is done, the circuit elements of the interface drive circuit 1, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4 are destroyed by conducting a large current when an abnormally high power supply voltage is applied. Therefore, the problem that the circuit element is destroyed due to the abnormality of the power supply voltage can be reduced.
[0019]
Along with this, there are almost no defective products in the manufacturing process due to human error (such as incorrect insertion of a power connector), so the yield is improved and circuit device replacement work to relieve defective products is also required. Reduces productivity.
[0020]
In the FDD device of the present embodiment, when the applied power supply voltage is equal to or lower than the overvoltage threshold, the overvoltage detection circuit 12 cancels the output of the overvoltage detection signal. The interface drive circuit 1, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4 become operational again. Therefore, in order to resume the operation after applying a power supply voltage higher than the overvoltage threshold value to enter a standby state, it is only necessary to apply a normal power supply voltage, and the recovery process is simple.
[0021]
One configuration example of the overvoltage detection circuit 12 is shown in FIG. In the same figure, R11, R12, R2, R31, R32, R33, R5B, and R5C are resistors, Q11, Q12, and Q2 are PNP type bipolar transistors, Q31, Q32, Q33, Q41, Q42, Q43, Q44, Q45, and Q5 are NPN bipolar transistors, C1 and C2 are capacitors, and INV is an inverter circuit.
[0022]
A power supply voltage V CC applied to the signal processing circuit device 50 for the FDD device is applied to one end of the resistor R2. The other end of the resistor R2 is connected to the emitter of the transistor Q1 through the resistor R11, the emitter of the transistor Q12 through the resistor R12, and the emitter of the transistor Q2. The bases of the transistors Q11, Q12, and Q2 are connected to the collector of the transistor Q2. The collectors of the transistors Q11 and Q12 are connected to the collector of the transistor Q31.
[0023]
The emitter of the transistor Q31 is grounded via the resistor R31, the emitter of the transistor Q32 is grounded via the resistor R32, and the emitter of the transistor Q33 is grounded via the resistor R33. The bases of the transistors Q31, Q32, and Q33 are connected to the collector of the transistor Q31. The collectors of the transistors Q32 and Q33 are connected in common. The transistors Q41, Q42, Q43, Q44, and Q45 are diode-connected, and are connected in series between the collector of the transistor Q2 and the collectors of the transistors Q32 and Q33 in series.
[0024]
The collectors of the transistors Q32 and Q33 are connected to the base of the transistor Q5 via the resistor R5B, and are connected to one end of the capacitor C1. The base of the transistor Q5 is connected to one end of the capacitor C2. The other ends of the capacitors C1 and C2 are grounded, and are used to prevent an oscillating operation.
[0025]
The emitter of transistor Q5 is grounded. The power supply voltage V CC applied to the signal processing circuit device 50 for the FDD device is applied to the collector of the transistor Q5 via the resistor R5C. The input side of the inverter INV is connected to the collector of the transistor Q5. The output of the inverter INV is output from the terminal T OUT .
[0026]
Assuming that the resistors R31, R32, and R33 have the same resistance value with the above configuration, the relationship between the current I 1 that flows through the collector of the transistor Q31 and the sum I 2 of the current that flows through the collectors of the transistors Q32 and Q33 Is
2 · I 1 = I 2 (Formula 1)
It becomes.
[0027]
Next, the base of the transistor Q11 and Q12 - emitter voltage V BE1, the base of the transistor Q2 - voltage V BE2 between emitter
V BE1 = (kT / q) · ln {I 1 / (2 · I S )} (Formula 2)
V BE2 = (kT / q) · ln (I 2 / I S ) (Formula 3)
(Where I S is the saturation current of the transistor, q is the charge amount of electrons, k is the Boltzmann constant, and T is the absolute temperature).
[0028]
Further, the resistance values of the resistors R11 and R12 When R 1,
I 1 = 2 · (V BE2 −V BE1 ) / R 1
Therefore, using the above (Formula 2) and (Formula 3),
I 1 = 2 · (1 / R 1 ) · (kT / q) · ln 4 (Formula 4)
It becomes.
[0029]
Accordingly, the resistance value R 2 of the resistor R2, transistor Q2, Q41, Q42, Q43, Q44, Q45, and the base of Q5 - When a forward voltage between the emitter and V F, condition the transistor Q5 is turned ON, The power supply voltage V CC applied to the signal processing circuit device 50 for the FDD device is:
V CC > (I 1 + I 2 ) · R 2 + 7V F
From (Equation 1) and (Equation 4),
V CC > 6 · (R 2 / R 1 ) · (kT / q) · ln 4 + 7V F (Formula 5)
It becomes.
[0030]
With the above configuration, in the overvoltage detection circuit, the specific values of each element are R 1 = 4 [kΩ], R 2 = 68 [kΩ], and the resistance values of the resistors R31, R32, and R33 are 1 [kΩ]. When the resistance values of the resistors R5B and R5C are 50 [kΩ], the capacitance values of the capacitors C1 and C2 are 5 [pF], kT / q = 26 [mV], and V F = 0.7 [V], When a power supply voltage of 8.6 [V] or higher is applied, the transistor Q5 is turned on, and the voltage at the collector of the transistor Q5 drops to almost the ground level, so that a high level voltage is output from the inverter INV. That is, in this overvoltage detection circuit, a high level voltage becomes an overvoltage detection signal.
[0031]
Note that the number of diode-connected transistors is five. Regarding the right side of (Equation 5), the first term indicates a positive temperature characteristic and the second term indicates a negative temperature characteristic. Therefore, it is determined so that the fluctuation of each term accompanying the temperature change cancels each other.
[0032]
Further, in the signal processing circuit device 50 for the FDD device of the present embodiment, the maximum rated value of the power supply voltage of the interface drive circuit 1, the read / write circuit 3, and the stepping motor drive circuit 4 is about 7 [V]. Yes. On the other hand, the overvoltage threshold by the overvoltage detection circuit is 8.6 [mV]. Ideally, the overvoltage threshold is set to the maximum rated value. The reason why the overvoltage threshold is set to a value higher than the maximum rated value is as follows.
[0033]
If the threshold value of the overvoltage is set to the maximum rated value of the power supply voltage, the overvoltage detection signal is generated even when a normal power supply voltage is applied due to variations in the forward voltage between the base and emitter of the transistor. This is because there is a possibility of being output and falling into a standby state.
[0034]
In the signal processing circuit device of the FDD device of the above embodiment, the control circuit sets each circuit in a standby state based on the overvoltage detection signal output from the overvoltage detection circuit. Each circuit including the control circuit may be in a standby state. By doing so, it is possible to cope with the case where the power supply voltage is not applied to the control circuit via the regulator as in the above embodiment.
[0035]
Further, the spindle motor drive circuit 5 may be put into a standby state by an overvoltage detection signal. The same applies when the spindle motor drive circuit 5 is built in the signal processing circuit device 50 for the FDD device.
[0036]
Further, in the signal processing circuit device of the FDD device of the above embodiment, each circuit is set in a standby state when the power supply voltage becomes too high, but in addition to this, the power supply voltage becomes too low. Even in such a case, if each circuit is set in a standby state, unstable operation may not be obtained. Further, although the present invention has been described by taking the FDD device as an example, the present invention is not limited to the FDD device, and may be another magnetic disk drive device such as an HDD device.
[0037]
【The invention's effect】
As described above, according to the signal processing circuit device for a magnetic disk drive device of the present invention, each circuit does not conduct when a power supply voltage higher than the overvoltage threshold is applied. If it is set, it is possible to prevent a situation in which elements of each circuit are destroyed due to a large current flowing through each circuit when an abnormally high power supply voltage is applied. It is possible to reduce the problem that the circuit element is destroyed due to the abnormality of the power supply voltage.
[0038]
Along with this, since there are almost no defective products in the manufacturing process due to human error (such as incorrect insertion of a power connector), the yield is improved and circuit device replacement work to relieve the defective products is performed. Reduces productivity.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of an FDD apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of an overvoltage detection circuit.
FIG. 3 is a block diagram of a conventional FDD device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Interface drive circuit 2 Control circuit 3 Read / write circuit 4 Stepping motor drive circuit 5 Spindle motor drive circuit 6 Read / write head 7 Erase head 8 Stepping motor 9 Spindle motor 10 Index sensor 11 Track sensor 12 Overvoltage detection circuit 50 One execution of this invention Signal processing circuit device 60 for FDD device which is a form Signal processing circuit device 100 for FDD device of conventional example Host device R11 Resistor R12 Resistor R2 Resistor R31 Resistor R32 Resistor R33 Resistor R5B Resistor R5C Resistor Q11 PNP type bipolar transistor Q12 PNP Type bipolar transistor Q2 PNP type bipolar transistor Q31 NPN type bipolar transistor Q32 NPN type bipolar transistor Q33 NPN type bipolar transistor Q41 NPN type bipolar transistor Q42 NPN type bipolar transistor Q43 NPN type bipolar transistor Q44 NPN type bipolar transistor Q45 NPN type bipolar transistor Q5 NPN type bipolar transistor C1, C2 Capacitor INV Inverter circuit

Claims (3)

円盤状の磁気記録媒体である磁気ディスクに対して磁気ヘッドを介して信号の記録及び再生を行うリードライト回路と、前記磁気ディスクの半径方向に前記磁気ヘッドを移送するステッピングモータを駆動するステッピングモータドライブ回路と、前記リードライト回路及び前記ステッピングモータドライブ回路の動作を制御するコントロール回路とを有する磁気ディスク駆動装置用の信号処理回路装置において、
印加される電源電圧が所定値よりも高いことを示す過電圧検出信号を出力する過電圧検出回路と、該過電圧検出信号を受けて前記回路のうちの所定の回路を待機状態にする回路とが設けられているとともに、前記過電圧検出回路が温度変化による前記所定値の変動を生じないように正の温度特性を有する部分と負の温度特性を有する部分とを備えていること、及び前記所定値が前記所定の回路の最大定格値よりも高く選ばれていることを特徴とする信号処理回路装置。
A read / write circuit that records and reproduces signals to and from a magnetic disk, which is a disk-shaped magnetic recording medium, and a stepping motor that drives a stepping motor that moves the magnetic head in the radial direction of the magnetic disk In a signal processing circuit device for a magnetic disk drive device having a drive circuit and a control circuit for controlling operations of the read / write circuit and the stepping motor drive circuit,
An overvoltage detection circuit that outputs an overvoltage detection signal indicating that the applied power supply voltage is higher than a predetermined value, and a circuit that receives the overvoltage detection signal and places a predetermined circuit among the circuits in a standby state are provided. together and, to have a portion having a portion and a negative temperature characteristic with a positive temperature characteristic such that the overvoltage detection circuit does not produce a variation of the predetermined value due to the temperature change, and the predetermined value is the A signal processing circuit device characterized by being selected to be higher than a maximum rated value of a predetermined circuit .
磁気ヘッドと、円盤状の磁気記録媒体である磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、前記磁気ヘッドを前記磁気ディスクの半径方向に移送するステッピングモータと、前記スピンドルモータを駆動するスピンドルモータドライブ回路と、前記ステッピングモータを駆動するステッピングモータドライブ回路と、前記磁気ディスクに対して前記磁気ヘッドを介して信号の記録及び再生を行うリードライト回路と、前記スピンドルモータドライブ回路、前記ステッピングモータドライブ回路、及び、前記リードライト回路の動作を制御するコントロール回路と、外部装置とのインターフェースであるインターフェースドライブ回路とを備えた磁気ディスク駆動装置における信号処理回路装置において、印加される電源電圧が所定値よりも高いことを示す過電圧検出信号を出力する過電圧検出回路と、該過電圧検出信号を受けて前記回路のうちの所定の回路を待機状態にする回路とが設けられているとともに、前記過電圧検出回路が温度変化による前記所定値の変動を生じないように正の温度特性を有する部分と負の温度特性を有する部分とを備えていること、及び前記所定値が前記所定の回路の最大定格値よりも高く選ばれていることを特徴とする信号処理回路装置。A magnetic head, a spindle motor that rotates a magnetic disk that is a disk-shaped magnetic recording medium, a stepping motor that moves the magnetic head in the radial direction of the magnetic disk, and a spindle motor drive circuit that drives the spindle motor; A stepping motor drive circuit for driving the stepping motor, a read / write circuit for recording and reproducing signals to and from the magnetic disk via the magnetic head, the spindle motor drive circuit, the stepping motor drive circuit, and a control circuit for controlling the operation of the read-write circuit, the signal processing circuit unit in the magnetic disk drive system including an interface drive circuit is an interface with an external device, a power supply voltage applied than a predetermined value An overvoltage detection circuit for outputting an overvoltage detection signal indicating that no, together with a circuit for the standby state a predetermined circuit of said circuit receives the overvoltage detection signal is provided, said overvoltage detection circuit is temperature A portion having a positive temperature characteristic and a portion having a negative temperature characteristic so as not to cause a change in the predetermined value due to a change, and the predetermined value is higher than a maximum rated value of the predetermined circuit. A signal processing circuit device characterized by being selected. 前記過電圧検出回路が、
一端に電源電圧が与えられる第1の抵抗と、
第1の抵抗の他端にエミッタが接続されたPNP型の第1トランジスタと、
第1の抵抗の他端に第2の抵抗を介してエミッタが接続されたPNP型の第2トランジスタと、
第1の抵抗の他端に第3の抵抗を介してエミッタが接続されたPNP型の第3トランジスタと、
第2,第3トランジスタの各コレクタにベースとコレクタが接続されたNPN型の第4トランジスタと、
ベースが第4トランジスタのベースに接続されたNPN型の第5トランジスタと、
ベースが第5トランジスタのベースに接続されたNPN型の第6トランジスタと、
第4、第5、第6トランジスタの各エミッタとグランド間に接続された第3,第4,第5の抵抗と、
第1、第2、第3のトランジスタの各ベースと第1トランジスタのコレクタに一端が接続されるとともに、他端がPNP型の第5,第6トランジスタのコレクタに接続されたトランジスタ列回路であって、且つ直列接続された複数のダイオード接続構成のトランジスタからなるトランジスタ列と、
第6トランジスタのコレクタとグランド間に接続された発振防止用の第1コンデンサと、
第6トランジスタのコレクタに一端が接続され他端がNPN型の第7トランジスタのベースに接続された第6抵抗と、
第7トランジスタのベースとグランド間に接続された発振防止用の第2コンデンサと、
エミッタがグランドに接続された前記第7トランジスタのコレクタと前記電源電圧間に接続された第7抵抗と、
第7トランジスタのコレクタ電圧に基づいて過電圧検出信号を出力するインバータと、
から成っていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の信号処理回路装置
The overvoltage detection circuit is
A first resistor to which a power supply voltage is applied at one end;
A PNP-type first transistor having an emitter connected to the other end of the first resistor;
A PNP type second transistor having an emitter connected to the other end of the first resistor via a second resistor;
A PNP type third transistor having an emitter connected to the other end of the first resistor via a third resistor;
An NPN-type fourth transistor having a base and a collector connected to each collector of the second and third transistors;
An NPN-type fifth transistor whose base is connected to the base of the fourth transistor;
An NPN-type sixth transistor whose base is connected to the base of the fifth transistor;
Third, fourth, and fifth resistors connected between the emitters of the fourth, fifth, and sixth transistors and the ground;
A transistor array circuit having one end connected to each base of the first, second, and third transistors and the collector of the first transistor, and the other end connected to the collectors of the PNP-type fifth and sixth transistors. And a transistor array composed of a plurality of diode-connected transistors connected in series,
A first capacitor for preventing oscillation connected between the collector of the sixth transistor and the ground;
A sixth resistor having one end connected to the collector of the sixth transistor and the other end connected to the base of an NPN-type seventh transistor;
A second capacitor for preventing oscillation connected between the base of the seventh transistor and the ground;
A seventh resistor connected between the collector of the seventh transistor whose emitter is connected to the ground and the power supply voltage;
An inverter that outputs an overvoltage detection signal based on the collector voltage of the seventh transistor;
The signal processing circuit device according to claim 1 or 2, characterized by comprising:
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