JP3793209B2 - Processing method of glass substrate of flat display - Google Patents
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Description
本発明は、地球環境を推進するために、ガラスを主要な構成材料とする2枚の基板、即ちフェースプレート(前面ガラス基板)とリアプレート(後面ガラス基板)とが、枠を介して、フリットガラス等により気密接合されている構造を有するフラットパネルディスプレイにおいて、そのフェースプレート、リアプレートを再生する方法に関する。 In the present invention, in order to promote the global environment, two substrates mainly composed of glass, that is, a face plate (front glass substrate) and a rear plate (rear glass substrate) are fritted via a frame. The present invention relates to a method for reproducing a face plate and a rear plate in a flat panel display having a structure hermetically bonded by glass or the like.
従来、廃棄される家電製品のほとんどはシュレッダー処理されて、金属などの有価物の回収後、残りは産業廃棄物として素掘りの穴に埋めるだけの「安定型処分場」に捨てられてきた。 Conventionally, most of household appliances to be discarded have been shredded, and after collection of valuable materials such as metal, the rest has been thrown into a “stable disposal site” where it is simply buried as an industrial waste in a digging hole.
近年、処分場の容量不足の深刻化とともに、有害物質による環境汚染が問題となっている。一例をあげると、テレビのブラウン管には鉛入りガラスが多く使用されているが、環境庁の試算では廃棄されるブラウン管に含まれる鉛は毎年2万トンで、その多くが安定型処分場に埋め立てられている。しかし、安定型処分場には雨水が自然の状態で浸透し、排水施設も無いため、有害物質である鉛が拡散するおそれがあることが認識されるようになってきている。このような状況の中で、従来の処理方法の見直しが迫られている。テレビのブラウン管については、ブラウン管ガラスをカレット(ガラス小片)化して、再びブラウン管に再利用するという実証研究が、財団法人家電製品協会によって行われている。その中で、テレビ本体からブラウン管を取り出してガラスカレットにするというシステムが開発されている(たとえば非特許文献1参照)。 In recent years, environmental pollution caused by hazardous substances has become a problem as the capacity of disposal sites becomes serious. As an example, TV CRTs use a lot of leaded glass, but the Environmental Agency estimates that 20,000 tons of CRT is discarded every year, most of which is landfilled in stable disposal sites. It has been. However, it has been recognized that there is a risk that lead, which is a harmful substance, may diffuse because rainwater permeates in a stable state and there is no drainage facility. Under such circumstances, the review of conventional processing methods is urgently required. As for television CRTs, an empirical study has been conducted by the Japan Electrical Appliances Association that converts CRT glass into a cullet and reuses it again. Among them, a system has been developed in which a cathode ray tube is taken out from a television body and made into a glass cullet (see, for example, Non-Patent Document 1).
例えば、ガラスをカレットとして回収する方法としては、特許文献1などに示されている。また、ブラウン管ガラスをカレット化(ガラス小片)して、再びブラウン管に再利用する例(特許文献2等)が、知られている。また、ブラウン管をフェースプレート部・ファンネル部と材質毎に分離し、カレット化する方法に関しては特許文献3などに示されている。更にブラウン管をフェースプレート部とファンネル部とに分離し、蛍光体及びブラックマスクをフェースプレート部から剥離した後、フェースプレートを再生する方法としては特許文献4に示されている。
For example,
ブラウン管ガラスの再利用のためには、パネルガラスと鉛入りのファンネルガラスに区分けして処理する必要がある。これは、パネルガラスに鉛が所定量以上混入すると、ブラウニング現象が生じるため、鉛の混入したガラスはパネルガラスの原料としては再利用できなくなるためである。そのためにまず、パネル部とファンネル部に分離する工程があるが、これには、位置を規定して切断する方法(特許文献5)や、パネル部とファンネル部を接合するフリットガラスを溶解して分離する方法(特許文献6)が提案されている。 In order to reuse CRT glass, it is necessary to divide it into panel glass and lead funnel glass. This is because when a predetermined amount or more of lead is mixed into the panel glass, a browning phenomenon occurs, and thus the glass mixed with lead cannot be reused as a raw material for the panel glass. For that purpose, there is a process of separating the panel part and the funnel part first. For this, there is a method of defining and cutting the position (Patent Document 5) or frit glass that joins the panel part and the funnel part. A separation method (Patent Document 6) has been proposed.
フリットガラスで融着されたファンネル部とパネル部を分離する技術としては、例えば特許文献7,特許文献8,特許文献9,特許文献10などの公報に開示された熱処理時の熱歪みを利用してファンネル部とパネル部を分離するような技術が知られている。
As a technique for separating the funnel portion and the panel portion fused with frit glass, for example, thermal distortion during heat treatment disclosed in publications such as Patent Document 7, Patent Document 8, Patent Document 9, and
一方、近年、冷陰極素子を応用するための研究が盛んに行われてきている。冷陰極素子としては、表面伝導型放出素子や、電界放出型素子や、金属/絶縁層/金属型放出素子などが知られており、熱陰極素子と比較して低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒーターを必要とせず、熱陰極素子よりも構造が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、基板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱溶融などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒーターの加熱により動作するため応答速度が遅いのとは異なり、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという各利点もある。 On the other hand, in recent years, research for applying cold cathode devices has been actively conducted. As the cold cathode device, a surface conduction type emission device, a field emission type device, a metal / insulating layer / metal type emission device, and the like are known, and electron emission can be obtained at a lower temperature than a hot cathode device. Therefore, a heater for heating is not required, the structure is simpler than that of a hot cathode element, and a fine element can be produced. Further, even if a large number of elements are arranged on the substrate at a high density, problems such as thermal melting of the substrate hardly occur. In addition, the hot cathode element operates by heating of the heater, so that the response speed is slow. In the case of the cold cathode element, there is an advantage that the response speed is fast.
冷陰極素子のなかでも特に表面伝導型放出素子は、構造が単純で製造も容易であることから、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点がある。そこで、たとえば本出願人による特許文献11において開示されるように、多数の素子を配列して駆動するための方法が研究されている。 Among the cold cathode devices, particularly the surface conduction electron-emitting device has an advantage that a large number of devices can be formed over a large area because of its simple structure and easy manufacture. Thus, for example, as disclosed in Patent Document 11 by the present applicant, a method for arranging and driving a large number of elements has been studied.
また、表面伝導型放出素子の応用については、たとえば、画像表示装置、画像記録装置などの画像形成装置や、荷電ビーム源等が研究されている。 As for the application of the surface conduction electron-emitting device, for example, image forming apparatuses such as an image display apparatus and an image recording apparatus, and a charged beam source have been studied.
特に、画像表示装置への応用としては、たとえば特許文献12、特許文献13、あるいは特許文献14において開示されているように、表面伝導型放出素子と電子ビームの照射により発光する蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置が研究されている。表面伝導型放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れた特性が期待されている。たとえば、近年普及してきた液晶表示装置と比較しても、自発光型であるためバックライトを必要としない点や、視野角が広い点が優れていると言える。
In particular, as an application to an image display device, for example, as disclosed in Patent Document 12,
また、電界放出型素子を多数個ならべて駆動する方法は、たとえば特許文献15に開示されている。また、FE型を画像表示装置に応用した例として、たとえば、R.Meyerらにより報告されたフラットディスプレイが知られている(非特許文献2)。
Further, for example,
また、金属/絶縁層/金属型放出素子を多数個並べて画像表示装置に応用した例は、たとえば特許文献16に開示されている。 An example in which a large number of metal / insulating layers / metal emitting elements are arranged and applied to an image display device is disclosed in, for example, Patent Document 16.
上記のような電子放出素子を用いた画像形成装置のうちで、奥行きの薄いフラットディスプレイは省スペースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置に置き換わるものとして注目されている。また、上記画像形成装置中の気密容器の内部は、10のマイナス6乗Torr程度の真空に保持されており、画像表示装置の表示面積が大きくなるにしたがい、気密容器内部と外部の気圧差によるリアプレートおよびフェースプレートの変形あるいは破壊を防止する手段が必要となる。リアプレートおよびフェースプレートを厚くすることによる方法は、画像表示装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見たときに画像のゆがみや視差を生ずる。これに対し、比較的薄いガラス板からなり、表面に帯電防止のための導電膜を形成したスペーサが設けられる場合が一般的である。以上説明した電界放射型電子源ディスプレイ(FED)、MIM型ディスプレイに加えて、蛍光表示ディスプレイ(VFD)、プラズマディスプレイ(PDP)、表面伝導型電子源ディスプレイ(SED)などを含む、フラットディスプレイは省スペースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置に置き換わるものとして注目されており、多くの研究開発が行われてきた。 Among the image forming apparatuses using the electron-emitting devices as described above, a flat display with a small depth is attracting attention as a replacement for a CRT type display device because it is space-saving and lightweight. Further, the inside of the airtight container in the image forming apparatus is maintained at a vacuum of about 10 to the sixth power of Torr, and as the display area of the image display apparatus becomes larger, the airtight container has a pressure difference between the inside and the outside. A means for preventing deformation or destruction of the rear plate and the face plate is required. The method of increasing the thickness of the rear plate and the face plate not only increases the weight of the image display device, but also causes image distortion and parallax when viewed from an oblique direction. On the other hand, a spacer made of a relatively thin glass plate and having a conductive film for preventing charging on the surface is generally provided. In addition to the field emission electron source display (FED) and MIM type display described above, flat displays including a fluorescent display (VFD), a plasma display (PDP), a surface conduction electron source display (SED), etc. Due to its space and light weight, it has been attracting attention as a replacement for CRT type display devices, and much research and development has been conducted.
例えば、本出願人は冷陰極型の電子放出素子の一種である表面伝導型電子放出素子を基体上に多数配置した電子源と、これを用いた画像表示装置に関していくつかの提案を行っている。 For example, the present applicant has made several proposals regarding an electron source in which a large number of surface conduction electron-emitting devices, which are a kind of cold-cathode electron-emitting devices, are arranged on a substrate, and an image display apparatus using the electron source. .
この表面伝導型電子放出素子の構成やこれを用いた画像表示装置の構成などに関しては、例えば特許文献17に詳しく述べられているので、簡単に説明する。 The configuration of the surface conduction electron-emitting device and the configuration of an image display device using the surface-conduction electron-emitting device are described in detail in, for example, Patent Document 17, and will be briefly described.
図8(a)(b)に表面伝導型電子放出素子の構成の一例を示す。411は基体、412,413は一対の素子電極、414は導電性膜で、その一部に電子放出部415を有し、電子放出素子416を構成する。
FIGS. 8A and 8B show an example of the configuration of the surface conduction electron-emitting device.
電子放出部415を形成する方法としては、上記一対の素子電極412,413の間に電圧を印加して、上記導電性膜の一部を変形、変質ないし破壊して高抵抗することにより行う方法があり、これを「通電フォーミング処理」と称する。この方法により電子放出特性の良い電子放出部を形成するためには、上記導電性膜は導電性微粒子により構成されたものであることが好ましい。その材質としては、例えばPdO微粒子が挙げられる。通電フォーミング処理において印加される電圧は、パルス電圧が好ましく、図9(a)に示すような波高値が一定のパルスを印加する方法、あるいは図9(b)に示すような、波高値が漸増するパルスを印加する方法のいずれも適用できる。
As a method of forming the
導電性微粒子膜を形成するには、ガスデポジション法により直接、導電性微粒子を堆積させることも可能であるが、導電性膜の構成元素を含む化合物(例えば有機金属化合物)の溶液を塗布し、これを熱処理などによって所望の導電性膜とする方法が、真空装置を必要とせず、製造コストが安く、大型の電子源を形成するのに適用しやすい、等の理由から望ましい方法である。また、上記有機金属化合物の溶液を塗布する方法としてはインクジェット装置を用いて必要な部分のみに塗布する方法が、導電性膜のパターニングのための余分な工程を必要としないため、一層望ましいものである。 In order to form the conductive fine particle film, it is possible to deposit the conductive fine particles directly by the gas deposition method, but a solution of a compound (for example, an organometallic compound) containing the constituent elements of the conductive film is applied. A method of forming a desired conductive film by heat treatment or the like is a preferable method because it does not require a vacuum apparatus, is inexpensive to manufacture, and is easily applied to form a large electron source. In addition, as a method of applying the organometallic compound solution, a method of applying only to a necessary portion using an ink jet apparatus is more desirable because it does not require an extra step for patterning the conductive film. is there.
電子放出部を形成した後、有機物質を含む適当な雰囲気中で、素子電極間にパルス電圧を印加することにより(これを「活性化処理」と呼ぶ)、電子放出部とその近傍に炭素を主成分とする堆積膜が形成され、素子に流れる電流が増大し、電子放出特性も向上する。 After forming the electron emission part, by applying a pulse voltage between the device electrodes in an appropriate atmosphere containing an organic substance (referred to as “activation treatment”), carbon is formed in and near the electron emission part. A deposited film having a main component is formed, the current flowing through the element is increased, and the electron emission characteristics are also improved.
次いで、好ましくは「安定化処理」と呼ばれる工程を行う。これは、真空容器や電子放出素子を加熱しながら排気を続けることにより、有機物質などを十分に除去し、電子放出素子の特性を安定化させる処理である。 Next, a step called “stabilization treatment” is preferably performed. This is a process of stabilizing the characteristics of the electron-emitting device by sufficiently removing organic substances by continuing to exhaust while heating the vacuum vessel and the electron-emitting device.
このような、表面伝導型電子放出素子を用いた電子源の導電性膜を、インクジェット装置を用いて形成する方法に関しては、特許文献18などに開示されている。 A method of forming such a conductive film of an electron source using a surface conduction electron-emitting device using an ink jet apparatus is disclosed in Patent Document 18 and the like.
インクジェット装置について簡単に説明する。インクジェット装置の、インクを吐出する方式には大きく分けて2つの種類がある。第1の方法は、ノズルに配設されたピエゾ素子の収縮圧力により液体の液滴を吐出する方法で、ピエゾジェット方式と呼ぶ。この方式は、導電体薄膜材料をインク溜に貯め、電気信号入力端子に所定の電圧を印加することにより、上記円筒形ピエゾが収縮し、液体を液滴として吐出させるものである。 The ink jet apparatus will be briefly described. There are roughly two types of ink ejection methods for inkjet devices. The first method is a method of ejecting liquid droplets by the contraction pressure of a piezo element disposed in a nozzle, and is called a piezo jet method. In this system, a conductive thin film material is stored in an ink reservoir, and a predetermined voltage is applied to an electric signal input terminal, whereby the cylindrical piezo contracts and discharges liquid as droplets.
第2の方法は発熱抵抗体により液体を加熱発泡させ、これにより液滴を吐出する方法で、バブルジェット(キヤノン株式会社の登録商標)方式と呼ぶ。バブルジェット方式によるインクジェット装置は、発熱抵抗体が発熱して、液体が発泡し、これによりノズルから液滴が吐出される。 The second method is a method in which a liquid is heated and foamed by a heating resistor, and droplets are ejected thereby, which is called a bubble jet (registered trademark of Canon Inc.) method. In the ink jet apparatus using the bubble jet method, the heating resistor generates heat, the liquid is foamed, and droplets are discharged from the nozzle.
上述のようなインクジェット装置を用い、所定の位置にのみ有機金属化合物の溶液を液滴として付与し乾燥させた後、加熱処理により該有機金属化合物を熱分解することにより、金属あるいは金属酸化物などの微粒子からなる導電性膜が形成される。図1に画像表示装置の構成の一例を示す。図1において、1はリアプレート、2は基板2aの内面に蛍光膜2bとメタルバック2c等が形成されたフェースプレート、3は支持枠であり、リアプレート1、支持枠3およびフェースプレート2をフリットガラスで封着・密封して画像表示装置15を構成する。
Using the ink jet apparatus as described above, a solution of an organometallic compound is applied as a droplet only at a predetermined position and dried, and then the organometallic compound is thermally decomposed by a heat treatment, so that a metal or a metal oxide, etc. A conductive film made of the fine particles is formed. FIG. 1 shows an example of the configuration of the image display apparatus. In FIG. 1, 1 is a rear plate, 2 is a face plate in which a
以上に記したような構成のフラットパネルディスプレイは、今後、その大型化と生産量の飛躍的増大が予想されている。また、これらのフラットパネルディスプレイについては封着に用いるフリットガラスに鉛が含まれており、また、画像形成部材をなす蛍光体2b、及びスペーサ4等は高コスト部材になっていることから、ブラウン管ガラスの場合と同様に、「無害化」,「減容化」,「再資源化」の面から回収システムの確立が重大な課題となっている。
基板ガラスを再利用するに際して、リアプレート1およびフェースプレート2を他の部材と分離する。そして基板上に形成された配線や素子等を除去してガラス単体の状態に戻した上で、そのまま基板として再使用し、あるいは一度カレット化した後新たに基板用のガラスあるいは他製品の原料として再利用することが可能である。
When the substrate glass is reused, the
ところが上記のようにガラス基板上には配線や電子放出素子、フリットガラス等の材料が構成されている上に、前述のように青板ガラスを基板として使用する場合には、あらかじめ表面に薄膜を形成している場合もある。このような材料の中にはガラス基板との密着性が極めて高いものや、あるいは一部の元素においては徐々にガラス基板中に拡散することが起こり得るため、基板ガラスとの完全な分離が困難なことがある。 However, as described above, materials such as wiring, electron-emitting devices, and frit glass are formed on the glass substrate, and when blue plate glass is used as the substrate as described above, a thin film is formed on the surface in advance. Sometimes it is. Some of these materials have extremely high adhesion to the glass substrate, or some elements may gradually diffuse into the glass substrate, making it difficult to completely separate from the substrate glass. There is something wrong.
また、使用済みのガラスを一度カレット化した後に再利用する場合、カレット化したガラス中にガラス構成元素以外の元素が混入してしまうと、ガラスの物性および色に影響を及ぼす。したがって不純物元素の混入したガラスは再利用できないことがある。またそのまま基板として再使用する場合でも、可能な限り初期のガラス基板に近い状態に戻すことが望まれる。 Further, when the used glass is culleted once and then reused, if elements other than the glass constituent elements are mixed in the culleted glass, the physical properties and color of the glass are affected. Therefore, glass mixed with impurity elements may not be reused. Even when the substrate is reused as it is, it is desired to restore the state as close to the initial glass substrate as possible.
本発明はかかる実情に鑑み、基板ガラスの有効かつ効率的な再利用を実現するフラットディスプレイのガラス基板の処理方法を提供することを目的とする。 In view of such circumstances, an object of the present invention is to provide a method of processing a glass substrate of a flat display that realizes effective and efficient reuse of substrate glass.
本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法は、互いに気密接合された、リアプレートとフェースプレートとを含むフラットディスプレイのガラス基板の処理方法であって、リアプレートとフェースプレートとを分離した後、リアプレートを構成するガラス基板またはフェースプレートを構成するガラス基板の表面に1次X線を照射し、発生した蛍光X線を検出することによりガラス基板の表面に存在する元素を検出する検出工程と、検出工程の検出結果に応じて、ガラス基板の表面から当該ガラス基板を構成する元素以外の元素を、ガラス基板を研磨することにより除去する除去工程とを有することを特徴とする。 The flat display glass substrate processing method of the present invention is a flat display glass substrate processing method including a rear plate and a face plate, which are hermetically bonded to each other, and after separating the rear plate and the face plate, A detection step of detecting elements existing on the surface of the glass substrate by irradiating the surface of the glass substrate constituting the rear plate or the glass substrate constituting the face plate with primary X-rays and detecting the generated fluorescent X-rays; And a removal step of removing elements other than the elements constituting the glass substrate from the surface of the glass substrate by polishing the glass substrate in accordance with the detection result of the detection step.
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法において、ガラス基板の表面に存在する元素を検出する検出工程において、ガラス基板の大きさに応じて、ガラス基板と蛍光X線を検出する検出器の相対位置を変化させることを特徴とする。 Moreover, in the processing method of the glass substrate of the flat display of this invention, in the detection process which detects the element which exists on the surface of a glass substrate, the detector which detects a glass substrate and a fluorescent X ray according to the magnitude | size of a glass substrate. The relative position of is changed.
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法において、蛍光X線を検出する検出器が、蛍光X線を検出し得る領域よりも広い領域に1次X線を照射することを特徴とする。 Moreover, in the processing method of the glass substrate of the flat display of this invention, the detector which detects a fluorescent X-ray irradiates a primary X-ray to the area | region wider than the area | region which can detect a fluorescent X-ray. .
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法において、ガラス基板に1次X線を入射する際の入射角が、1次X線の臨界角以下の角度であることを特徴とする。 Moreover, in the processing method of the glass substrate of the flat display of this invention, the incident angle at the time of making a primary X-ray inject into a glass substrate is an angle below the critical angle of a primary X-ray.
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法において、ガラス基板の表面に対する検出工程および除去工程が、繰り返し行われることを特徴とする。 Moreover, in the processing method of the glass substrate of the flat display of this invention, the detection process and removal process with respect to the surface of a glass substrate are repeatedly performed.
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法は、リアプレート上には、複数の電子放出素子が配置され、フェースプレート上には画像表示部が配置されており、リアプレートとフェースプレートとが、対向配置するように支持枠を介して接合されていることを特徴とする。 Further, in the processing method of the glass substrate of the flat display of the present invention, a plurality of electron-emitting devices are disposed on the rear plate, and an image display unit is disposed on the face plate. Are joined via a support frame so as to face each other.
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法において、リアプレートにおいて、ガラス基板上にAgを主成分とする配線が形成されていることを特徴とする。 Moreover, in the processing method of the glass substrate of the flat display of this invention, the wiring which has Ag as a main component is formed on the glass substrate in the rear plate.
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法において、リアプレートを構成するガラス基板の表面に、ガラス基板を構成する元素以外の元素を含む薄膜が形成されていることを特徴とする。 Moreover, in the processing method of the glass substrate of the flat display of this invention, the thin film containing elements other than the element which comprises a glass substrate is formed in the surface of the glass substrate which comprises a rear plate, It is characterized by the above-mentioned.
また、本発明のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法において、リアプレート、フェースプレートおよび支持枠を接合するためのフリットガラスを溶解することにより、これらの部材を分離するようにしたことを特徴とする。 Further, in the method for processing a glass substrate of the flat display of the present invention, these members are separated by melting frit glass for joining the rear plate, the face plate and the support frame. .
本発明によれば、特に使用済み基板ガラスを処理工程において簡易的な方法でガラス基板表面の残留物を検出し、ガラス構成元素以外の元素を全て除去することができる。これによりガラスを無駄なく再利用することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to detect residues on the surface of a glass substrate by a simple method, particularly in the process of treating used substrate glass, and to remove all elements other than glass constituent elements. This makes it possible to reuse the glass without waste.
本発明によれば、簡易的な方法で基板表面の残留物や基板内部に拡散した元素を検出するとともに、これらガラス構成元素以外の元素を全て除去することができることから、ガラスを無駄に廃棄することなく、効率よく再利用することが可能となる。 According to the present invention, residues on the substrate surface and elements diffused inside the substrate can be detected by a simple method, and all the elements other than these glass constituent elements can be removed, so that the glass is wasted. And can be reused efficiently.
次に、本発明の最良の形態について図面を参照して説明する。ここでは、図1に示した構造のフラットパネルディスプレイを解体処理する場合の例とする。 Next, the best mode of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, it is assumed that the flat panel display having the structure shown in FIG. 1 is disassembled.
図2は、この実施形態における解体処理方法の工程を示す流れ図である。まず筐体から取り出されたフラットパネルディスプレイ(S60)から配線、端子などを除去した後(S61)、内部の真空解除を行い、ついで排気管を取り外す(S62)。つぎにフェースプレート(S64)、リアプレート(S70)および枠部等(S63)の各構成部材に分離する。これら各部を溶着しているフリットガラスとしては、酸化鉛を主材料とする低融点ガラスが一般に用いられている。分離の方法としては、加熱によるフリットガラスの融解や適当な溶媒によるフリットガラスの溶解等の方法を用いることができる。 FIG. 2 is a flowchart showing the steps of the dismantling method in this embodiment. First, after removing wires, terminals and the like from the flat panel display (S60) taken out from the housing (S61), the internal vacuum is released, and then the exhaust pipe is removed (S62). Next, it is separated into constituent members such as a face plate (S64), a rear plate (S70), and a frame portion (S63). As the frit glass in which these parts are welded, a low melting glass mainly composed of lead oxide is generally used. As the separation method, a method such as melting of the frit glass by heating or melting of the frit glass by an appropriate solvent can be used.
分離後のフェースプレート(S64)は蛍光体、黒色体およびメタルバックを適当な方法で除去した後(S65)、残留フリットガラスの除去とガラス表面の洗浄のため、硝酸等の溶剤および水で洗浄する(S66)。一方、分離後のリアプレート(S70)についても、適当な溶剤および水洗浄工程を行うことで(S71,S72)、基板上に形成された構成材料の一部あるいは全てを除去することができる。 The separated face plate (S64) is removed with phosphors, black bodies and metal backs by an appropriate method (S65), and then washed with a solvent such as nitric acid and water to remove residual frit glass and clean the glass surface. (S66). On the other hand, a part or all of the constituent material formed on the substrate can be removed by performing an appropriate solvent and water washing process on the rear plate (S70) after separation (S71, S72).
つぎに、上記のような除去工程を経た後のガラス基板表面に存在する元素の検出を行う。 Next, the elements present on the surface of the glass substrate after the removal process as described above are detected.
図3はガラス表面に存在する元素を検出するための本発明に係る蛍光X線分析装置を示す模式図である。図3において、301はガラス基板302の支持台、302は試料であるガラス基板、303はX線光源、304はモノクロメータ、305は1次X線、306は蛍光X線、307は半導体検出器、308は冷却装置、309はプリアンプ、310はアンプ、311はマルチチャンネルアナライザ、312はコンピュータである。
FIG. 3 is a schematic view showing an X-ray fluorescence analyzer according to the present invention for detecting elements present on the glass surface. In FIG. 3, 301 is a support for a
元素の検出は、以下の手順で行われる。まず、X線光源303から放出される一次X線305をモノクロメータ304で単色化した後、支持台301上のガラス基板302の表面に角度θで入射させる。X線の光源としては、ガラス基板302上に存在する元素を励起し得るエネルギを有するものである。たとえば、W−Lα線、Au−Lα線、Mo−Kα線等が用いられる。一次X線305が照射されたガラス基板302の表面からは蛍光X線が発生し、これをガラス基板302の上方に設置された半導体検出器307で検出する。検出素子としてはSi(Li)半導体検出器が用いられる。半導体検出器307からの検出信号はプリアンプ309、アンプ310およびマルチチャンネルアナライザ311を経た後コンピュータ312によって処理され、ガラス基板302の表面元素の種類や濃度に応じた信号強度が得られる。なお、半導体検出器307およびプリアンプ309は、液体窒素によって冷却されている。
The element is detected by the following procedure. First, the
なお、ここで一次X線305の入射角θをX線が全反射を起こす角度、すなわち全反射臨界角以下の低角度にすると、そのX線は試料表面から数nm程度しか侵入せず、かつ蛍光X線が効率良く発生する。このため試料表面数nm以下の領域で、検出下限109 atoms/cm2程度の極めて敏感な元素分析を行うことができる。全反射臨界角は、θc≒1.64×105 ×ρ1/2 ×λ(ρ:基板の密度(g/cm3 )、λ:X線の波長(cm))で求めることができる。
Here, when the incident angle θ of the
ところで本実施形態におけるガラス基板302は、大きいもので一辺が数10cmの大きさを有している。本発明は、このような広い面積の元素分析を効率良く、また低コストで行うことを意図するものである。上記の方法で感度よく測定するには、一般にはできる限り検出器を試料表面に接近させることが好ましい。この場合、分析領域はほぼ検出器の口径に依存しており、通常約10mmφ程度である。しかしこのように試料と検出器を接近させた状態での測定は、広い面積を測定する場合には、試料を走査して多数点のデータをとり、あるいは検出器を多数配置することが必要となる。したがって、そのままでは多くの時間および設備コストを要することになる。
By the way, the
そこで本発明においては、感度を犠牲にすることなく、効率よく元素分析を行うために、基板の大きさに応じて試料表面と検出器の相対位置を変化させる方法を用いる。つぎに、本発明における相対位置を変化させる方法について、図4を用いて説明する。 Therefore, in the present invention, a method of changing the relative position of the sample surface and the detector according to the size of the substrate is used in order to efficiently perform elemental analysis without sacrificing sensitivity. Next, a method for changing the relative position in the present invention will be described with reference to FIG.
図4において、301はガラス基板302の支持台、302は試料であるガラス基板、307は半導体検出器、314は半導体素子、315はX線透過窓、316はコリメータを示す。半導体検出器307の構成は図に示したようになっており、半導体素子314は、点線で示した領域、すなわちX線透過窓315の大きさや半導体素子314との相対位置等から決まる角度φと、半導体素子314自体の大きさlに依存した広がりを有する領域のX線を受光することができる。
In FIG. 4,
図4(a)のように半導体検出器7を試料表面に近づけた場合、分析領域はほぼX線透過窓315の口径と同等である。これに対し、半導体検出器307の位置を試料表面から遠ざけて図4(b)の状態にすると、単位面積から検出できるX線強度は減少するが、検出し得る領域は増加する。したがって一辺の長さLのガラス基板302からの蛍光X線を検出する場合、2d・tanφ>Lとなるようにガラス基板302と半導体検出器307の距離dを設定し、かつガラス基板302全面に一次X線を照射しながら測定することにより、結果として感度を犠牲にすることなくガラス基板302全体からのX線を取り込むことができる。
When the semiconductor detector 7 is brought close to the sample surface as shown in FIG. 4A, the analysis region is substantially the same as the diameter of the
X線を所望の領域に照射するためには、図5に示したように照射すべき領域Wおよび1次X線の入射角θからa>W・sinθに基づき、1次X線のビーム径aを決定すればよい。なお、ガラス基板302が極めて大きく、それに応じた距離d確保することが装着の構成上難しい場合は、ガラス基板302を複数の領域に分割して測定を繰り返すことで行うことができる。
In order to irradiate a desired region with X-rays, the beam diameter of the primary X-ray is based on a> W · sin θ from the region W to be irradiated and the incident angle θ of the primary X-ray as shown in FIG. What is necessary is just to determine a. If the
半導体検出器307のX線透過窓315の形状については、ガラス基板302の形状に近い矩形であることが好ましい。たとえば図6に、形状が円の場合(図6(a))とガラス基板302と相似形である場合(図6(b))の蛍光X線の検出領域の違いを示した。図6において、302はガラス基板(上部から見た図)であり、点線もしくはドット表示部分はX線の検出領域である。X線透過窓315が円形の場合、ガラス基板302との形状が一致しないことから、検出効率としては必ずしも高いとは言えない。これに対して、図6(b)の場合には効率よくX線を検出することができる。ガラス基板302のアスペクト比は必ずしも一定ではないが、その種類と使用量から適当な透過窓の形状を選択することで、より効率よい検出工程が可能となる。このような方法でガラス基板302の表面から発生した蛍光X線を検出することにより、基板表面の残留元素や基板内部へ拡散している元素の有無、および基板表面に形成された薄膜の有無等を知ることができる。
The
以上の工程でガラス構成元素以外の元素が検出された場合には、続いてこれを除去する工程を行う。この場合の除去方法としては、いろいろな方法を用いることができるが、特にガラス基板302の表面研磨が好適である。
If an element other than the glass constituent element is detected in the above steps, a step of removing it is subsequently performed. As a removing method in this case, various methods can be used, and surface polishing of the
図7は、本発明における研磨装置の一例を示す模式図である。図7において、327はガラス基板328の支持台、328はガラス基板、329は研磨具、330は回転支持棒、331は支持アーム、332はモータ、333は支柱、334は研磨面である。研磨されるガラス基板328は研磨面を上向きにして支持台327上に設置され、研磨面には研磨具329が押しつけられる。モータ332の作動により回転支持棒330および研磨具329が回転するとともに、研磨面334には酸化セリウム等の研磨剤を含むスラリーが供給され、ガラス表面334の研磨が行われる。
FIG. 7 is a schematic view showing an example of a polishing apparatus according to the present invention. In FIG. 7, 327 is a support base for the
研磨後のガラス基板328は洗浄した後再び、上述した元素分析を行う。こうして最終的にガラス基板328のガラス構成元素以外の元素が検出されなくなるまでガラス表面334の元素検出と研磨を繰り返す。以上の工程を終了したガラス基板328はそのまま、またはカレット化され、再融解工程を経てフラットディスプレイ用基板あるいは他製品の原料として再利用することが可能である。
The
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。なお、以下の実施例においては、図1に示した構造のマトリックス駆動方式の表面伝導型電子源ディスプレイを解体処理した例とする。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In the following embodiments, the matrix drive type surface conduction electron source display having the structure shown in FIG. 1 is disassembled.
実施例1においては、フェースプレート2、リアプレート基板として80mm×800mm×2.8mmの石英ガラスが用いられる。またリアプレートは基板上にPdを主成分とする冷陰極素子11、Agを主成分とする配線12、Ptからなる電極等が形成されており、フェースプレート2は基板上に蛍光体2b、黒色体、メタルバック2c等が形成されている。かかる構成のディスプレイについての解体処理方法を、図3、図4、図7および図1を用いて述べる。
In Example 1, quartz glass of 80 mm × 800 mm × 2.8 mm is used as the
〔1〕筐体部を分解し、リアプレート1、フェースプレート2、枠3がフリットガラスにより溶着された部分を取り出した。
[1] The housing part was disassembled, and the part where the
〔2〕リアプレート1、フェースプレート2および枠3部を0.2規定の硝酸溶液中に浸漬して溶着部を徐々に溶解し、各部を分離した。
[2] The
〔3〕リアプレート1およびフェースプレート2上に形成されている構成物の物理的な掻き落とし作業を行なった後、再び0.2規定硝酸溶液中に浸漬し、超音波振動を加えた。その後リアプレート1およびフェースプレート2を純水で洗浄し、基板上に残ったフリットガラスその他の溶解物を除去した。
[3] After the physical scraping work of the components formed on the
〔4〕つぎに図3に示すような蛍光X線分析装置で基板表面に存在する元素の検出を行った。X線の光源としてAu−Lα線(λ=0.12764nm)を用い、X線の基板への入射角θは全反射角臨界角以上とした。またガラス基板全面にX線が照射されるように、図5に示したビーム幅0.15mm以上で、奥行き80mm以上のX線を照射した。またX線透過窓の形状は正方形であり、図4に示したガラス基板と検出器の距離dを40mmに設定した。 [4] Next, the elements present on the substrate surface were detected with a fluorescent X-ray analyzer as shown in FIG. An Au-Lα ray (λ = 0.12764 nm) was used as the X-ray light source, and the incident angle θ of the X-ray on the substrate was not less than the total reflection angle critical angle. Further, X-rays having a beam width of 0.15 mm or more and a depth of 80 mm or more shown in FIG. 5 were irradiated so that the entire surface of the glass substrate was irradiated with X-rays. The shape of the X-ray transmission window was a square, and the distance d between the glass substrate and the detector shown in FIG. 4 was set to 40 mm.
このようにしてガラス基板全面から発生する蛍光X線を200秒間取り込み元素を測定したところ、リアプレート基板からは基板元素であるSiの他、PtおよびAgが検出された。またフェースプレート基板からはSi以外の元素は検出されなかった。 Thus, when fluorescent X-rays generated from the entire surface of the glass substrate were captured for 200 seconds and the elements were measured, Pt and Ag were detected from the rear plate substrate in addition to Si as a substrate element. No elements other than Si were detected from the faceplate substrate.
〔5〕つぎにPtおよびAgが検出されたリアプレート基板の表面を、図7に示した研磨装置で研磨した。基板の研磨面に研磨具325を押しつけ、研磨具を回転させるとともに平均粒径10ミクロンの酸化セリウムスラリーをかけながら基板全体を5分間研磨した。 [5] Next, the surface of the rear plate substrate on which Pt and Ag were detected was polished by the polishing apparatus shown in FIG. The polishing tool 325 was pressed against the polishing surface of the substrate, the polishing tool was rotated, and the entire substrate was polished for 5 minutes while applying a cerium oxide slurry having an average particle size of 10 microns.
〔6〕研磨後のリアプレート基板を純水で洗浄した後再び、上述した元素分析を行った。その結果、PtおよびAgは検出限界以下となり、基板上の残留物が全て除去できたことを確認した。 [6] After the polished rear plate substrate was washed with pure water, the elemental analysis described above was performed again. As a result, Pt and Ag were below the detection limit, and it was confirmed that all the residues on the substrate could be removed.
〔7〕以上の工程を終了したリアプレート基板は、研磨工程を要しなかったフェースプレート基板とともにカレット化せずにそのまま基板として再利用することができた。 [7] The rear plate substrate that has completed the above steps could be reused as a substrate without being culleted together with the face plate substrate that did not require a polishing step.
この実施例2においては、フェースプレート基板として80mm×800mm×2.8mmの青板ガラス、リアプレート基板として同じ大きさの青板ガラスにSiO2薄膜が100nm積層されたものが用いられる。またリアプレートは基板上にPdを主成分とする冷陰極素子11、Agを主成分とする配線12、13、Ptからなる電極等が形成されており、フェースプレートは基板上に蛍光体、黒色体およびメタルバック等が形成されている。このようなディスプレイについて、以下に解体処理方法を述べる。 In Example 2, a blue plate glass of 80 mm × 800 mm × 2.8 mm is used as the face plate substrate, and a blue plate glass of the same size is laminated as the rear plate substrate with a 100 nm SiO 2 thin film. The rear plate has a cold cathode element 11 mainly composed of Pd on the substrate, wirings 12 and 13 mainly composed of Ag, electrodes made of Pt, and the like, and the face plate has phosphor and black on the substrate. A body and a metal back are formed. The dismantling method for such a display will be described below.
まず実施例1における〔1〕〜〔3〕の工程と同じ方法で、リアプレート、フェースプレート、枠部を分離した後、基板上に形成されていた素子の構成材料の一部を除去した。 First, the rear plate, the face plate, and the frame portion were separated by the same method as the steps [1] to [3] in Example 1, and then a part of the constituent material of the element formed on the substrate was removed.
〔4〕つぎに基板表面に存在する元素の検出を行った。本実施例においては、X線の光源としてAu−Lα線(λ=0.12764nm)を用い、X線の基板への入射角θは全反射角臨界角以下の0.1°とした。またガラス基板全面にX線が照射されるように、図5に示したビーム幅0.15mm以上で、奥行き80mm以上のX線を照射した。X線透過窓の形状は正方形であり、図4に示したガラス基板と検出器の距離dを40mmに設定した。 [4] Next, the elements present on the substrate surface were detected. In this embodiment, Au-Lα rays (λ = 0.12764 nm) were used as the X-ray light source, and the incident angle θ of the X-rays on the substrate was set to 0.1 ° which is equal to or less than the total reflection angle critical angle. Further, X-rays having a beam width of 0.15 mm or more and a depth of 80 mm or more shown in FIG. 5 were irradiated so that the entire surface of the glass substrate was irradiated with X-rays. The shape of the X-ray transmission window was a square, and the distance d between the glass substrate and the detector shown in FIG. 4 was set to 40 mm.
このようにしてガラス基板全面から発生する蛍光X線を200秒間取り込み、元素分析を行ったところ、リアプレート基板から基板構成元素の他、Pt、AgおよびPbが検出された。またフェースプレート基板からも基板構成元素の他にPbが検出された。 Thus, fluorescent X-rays generated from the entire surface of the glass substrate were captured for 200 seconds and subjected to elemental analysis. As a result, Pt, Ag and Pb were detected in addition to the substrate constituent elements from the rear plate substrate. In addition to the elements constituting the substrate, Pb was also detected from the faceplate substrate.
〔5〕つぎにリアプレートおよびフェースプレート基板の表面を図7に示した研磨装置で研磨した。基板の研磨面に研磨具329を押しつけ、研磨具を回転させるとともに平均粒径10ミクロンの酸化セリウムスラリーをかけながら基板全体を5分間研磨した。
[5] Next, the surfaces of the rear plate and the face plate substrate were polished by the polishing apparatus shown in FIG. The
〔6〕研磨後のリアプレート基板を純水で洗浄した後再び、上述した元素分析を行った。その結果、PtおよびPbは検出限界以下となったが、Agは強度が減少したものの依然検出された。一方フェースプレート基板からは基板構成元素以外の元素は検出されなかった。 [6] After the polished rear plate substrate was washed with pure water, the elemental analysis described above was performed again. As a result, Pt and Pb were below the detection limit, but Ag was still detected although the intensity decreased. On the other hand, no elements other than the constituent elements of the substrate were detected from the faceplate substrate.
〔7〕再びリアプレート基板の表面を図7に示した研磨装置で研磨した。〔5〕の工程と同様の方法で基板全体を15分間研磨した。 [7] The surface of the rear plate substrate was again polished by the polishing apparatus shown in FIG. The entire substrate was polished for 15 minutes by the same method as in the step [5].
〔8〕研磨後のリアプレート基板を純水で洗浄した後再び、上述した元素分析を行った。その結果、基板構成元素以外の元素は検出されず、基板上の残留物および基板内に拡散元素が全て除去できたことを確認した。 [8] After the polished rear plate substrate was washed with pure water, the elemental analysis described above was performed again. As a result, no elements other than the constituent elements of the substrate were detected, and it was confirmed that all the residues on the substrate and the diffusing elements could be removed in the substrate.
〔9〕以上の工程を終えたリアプレート基板及びフェースプレート基板はカレット化し、溶融工程を経た後、フラットディスプレイ用基板として再利用した。 [9] The rear plate and the face plate substrate after the above steps were culleted and reused as a flat display substrate after a melting step.
実施例3においては、フェースプレート、リアプレート基板として300mm×250mm×2.8mmの石英ガラスが用いられる。この点以外は実施例1と同様の構成のフラットディスプレイについて解体処理方法を述べる。 In Example 3, quartz glass of 300 mm × 250 mm × 2.8 mm is used as the face plate and rear plate substrate. Except for this point, a disassembly processing method will be described for a flat display having the same configuration as in the first embodiment.
まず実施例1における〔1〕〜〔3〕の工程と同じ方法で、リアプレート、フェースプレート、枠部を分離した後、硝酸溶液中で基板上に形成されていた素子の構成材料の一部を除去した。 First, after separating the rear plate, the face plate, and the frame by the same method as in the steps [1] to [3] in Example 1, a part of the constituent material of the element formed on the substrate in the nitric acid solution Was removed.
〔4〕つぎに図3に示すような全反射蛍光X線分析装置で基板表面に存在する元素の検出を行った。本実施例において、X線の光源としてAu−Lα線(λ=0.12764nm)を用い、X線の基板への入射角θを0.1°とした。またガラス基板全面にX線が照射されるように、図5に示したビーム幅0.6mm以上、奥行き300mm以上のX線を照射した。またX線透過窓の形状は正方形とし、図4に示したガラス基板と検出器の距離dを150mmに設定した。 [4] Next, an element present on the substrate surface was detected with a total reflection X-ray fluorescence spectrometer as shown in FIG. In this example, Au-Lα ray (λ = 0.12764 nm) was used as the X-ray light source, and the incident angle θ of the X-ray on the substrate was set to 0.1 °. Further, X-rays having a beam width of 0.6 mm or more and a depth of 300 mm or more shown in FIG. 5 were irradiated so that the entire surface of the glass substrate was irradiated with X-rays. The shape of the X-ray transmission window was a square, and the distance d between the glass substrate and the detector shown in FIG. 4 was set to 150 mm.
このようにしてガラス基板表面から発生する蛍光X線を200秒間取り込み、元素分析を行った結果、リアプレート基板からは基板元素であるSiの他、PtおよびAgが検出された。またフェースプレート基板からはSi以外の元素は検出されなかった。 As a result of capturing the fluorescent X-rays generated from the surface of the glass substrate in this manner for 200 seconds and performing elemental analysis, Pt and Ag were detected from the rear plate substrate in addition to Si as a substrate element. No elements other than Si were detected from the faceplate substrate.
続いて実施例1における〔5〕〜〔7〕の工程と同じ方法で、ガラス表面の研磨を行い、基板上の残留物を全て除去した。以上の工程を終了したリアプレート基板は、研磨工程を要しなかったフェースプレート基板とともにカレット化せずにそのまま基板として再利用することができた。 Subsequently, the glass surface was polished by the same method as the steps [5] to [7] in Example 1 to remove all residues on the substrate. The rear plate substrate that has undergone the above steps could be reused as a substrate without being culleted together with the face plate substrate that did not require a polishing step.
この実施例4においては、リアプレート基板として300mm×250mm×2.8mmの青板ガラスに、PをドープしたSiO2薄膜が1μm積層されたものが用いられる。この点以外は実施例1の場合と同様の構成のフラットディスプレイについて、解体処理方法を述べる。 In Example 4, a rear plate substrate in which 300 μm × 250 mm × 2.8 mm blue plate glass is laminated with 1 μm of P 2 doped SiO 2 thin film is used. Except for this point, a disassembly processing method will be described for a flat display having the same configuration as that of the first embodiment.
まず実施例1の〔1〕〜〔3〕の工程と同じ方法で、リアプレート、フェースプレートおよび枠部を分離した後、硝酸溶液中で基板上に形成されていた素子の構成材料の一部を除去した。 First, after separating the rear plate, the face plate, and the frame by the same method as in the steps [1] to [3] of Example 1, a part of the constituent material of the element formed on the substrate in the nitric acid solution Was removed.
〔4〕つぎに図3に示すような全反射蛍光X線分析装置で基板表面に存在する元素の検出を行った。本実施例4においては、X線の光源としてMo−Kα線(λ=0.07107nm)を用い、X線の基板への入射角θを0.1°とした。またガラス基板全面にX線が照射されるように、図5に示したビーム幅0.6mm以上、奥行き300mm以上のX線を照射した。またX線透過窓の形状は正方形であり、図4に示したガラス基板と検出器の距離dを150mmに設定した。 [4] Next, an element present on the substrate surface was detected with a total reflection X-ray fluorescence spectrometer as shown in FIG. In Example 4, Mo-Kα rays (λ = 0.07107 nm) were used as the X-ray light source, and the incident angle θ of the X-rays on the substrate was set to 0.1 °. Further, X-rays having a beam width of 0.6 mm or more and a depth of 300 mm or more shown in FIG. 5 were irradiated so that the entire surface of the glass substrate was irradiated with X-rays. The shape of the X-ray transmission window was a square, and the distance d between the glass substrate and the detector shown in FIG. 4 was set to 150 mm.
このようにしてガラス基板表面から発生する蛍光X線を200秒間取り込み、元素分析を行ったところ、リアプレート基板からはSi、P、Pt、AgおよびPbが検出された。またフェースプレート基板からは基板構成元素の他にPbが検出された。 Thus, when fluorescent X-rays generated from the surface of the glass substrate were captured for 200 seconds and elemental analysis was performed, Si, P, Pt, Ag and Pb were detected from the rear plate substrate. In addition to the substrate constituent elements, Pb was detected from the faceplate substrate.
〔5〕つぎにリアプレートおよびフェースプレート基板の表面を図7に示した研磨装置で研磨した。基板の研磨面に研磨具329を押しつけ、研磨具を回転させるとともに平均粒径10ミクロンの酸化セリウムスラリーをかけながら基板全体を5分間研磨した。
[5] Next, the surfaces of the rear plate and the face plate substrate were polished by the polishing apparatus shown in FIG. The
〔6〕研磨後のリアプレート基板を純水で洗浄した後再び、上述した元素分析を行った。その結果、Pt、AgおよびPbは検出限界以下となり、SiおよびPのみが検出された。一方フェースプレート基板からは基板構成元素以外の元素は検出されなかった。 [6] After the polished rear plate substrate was washed with pure water, the elemental analysis described above was performed again. As a result, Pt, Ag and Pb were below the detection limit, and only Si and P were detected. On the other hand, no elements other than the constituent elements of the substrate were detected from the faceplate substrate.
〔7〕再びリアプレート基板の表面を図7に示した研磨装置で研磨した。〔5〕と同様の方法で基板全体を10分間研磨した。 [7] The surface of the rear plate substrate was again polished by the polishing apparatus shown in FIG. The entire substrate was polished for 10 minutes by the same method as [5].
〔8〕研磨後のリアプレート基板を純水で洗浄した後再び、上述した元素分析を行った。その結果、Pは検出限界以下となる一方、ガラス構成元素のK、Ca等が検出された。これにより、PをドープしたSiO2層が除去されたこと、および基板上の残留物を全て除去したことを確認した。 [8] After the polished rear plate substrate was washed with pure water, the elemental analysis described above was performed again. As a result, while P was below the detection limit, glass constituent elements such as K and Ca were detected. As a result, it was confirmed that the SiO 2 layer doped with P was removed and that all the residues on the substrate were removed.
〔9〕以上の工程を終了したリアプレート基板およびフェースプレート基板はカレット化し、溶融工程を経た後、フラットディスプレイ用基板として再利用することができた。 [9] The rear plate substrate and face plate substrate after the above steps were culleted, and after a melting step, could be reused as a flat display substrate.
ここで、本発明方法によって処理したガラス基板上に、表面伝導型電子放出素子を多数形成してなる電子源基板を構成し、これを用いて画像形成装置を製造する例を説明する。 Here, an example will be described in which an electron source substrate is formed by forming a large number of surface conduction electron-emitting devices on a glass substrate treated by the method of the present invention, and an image forming apparatus is manufactured using the electron source substrate.
まず、再生後のガラス基板上に、真空成膜技術およびフォトリソグラフィ技術を用いてPt電極をマトリクス状に形成する。ここでは素子電極の間隔は、20μm、各素子電極の幅は500μm、厚さは100nm、そして素子の配列ピッチは1mmとした。続いて、印刷法によりAgからなる配線をマトリクス状に形成する。 First, Pt electrodes are formed in a matrix shape on a glass substrate after regeneration using a vacuum film formation technique and a photolithography technique. Here, the interval between the element electrodes is 20 μm, the width of each element electrode is 500 μm, the thickness is 100 nm, and the arrangement pitch of the elements is 1 mm. Subsequently, wiring made of Ag is formed in a matrix by a printing method.
つぎに素子電極の間に酢酸パラジウムモノエタノールアミン水溶液をスピンナによって回転塗布し、270℃で10分間の加熱焼成処理を行う。酸化パラジウム(PdO)微粒子からなる薄膜が得られた。その後フォトリソグラフィ法とドライエッチング法により幅300μmの導電性薄膜が得られた。 Next, a palladium acetate monoethanolamine aqueous solution is spin-coated with a spinner between the device electrodes, and a heating and baking process is performed at 270 ° C. for 10 minutes. A thin film composed of palladium oxide (PdO) fine particles was obtained. Thereafter, a conductive thin film having a width of 300 μm was obtained by photolithography and dry etching.
つぎに真空中で素子電極間に電圧を印加してフォーミング処理を行い、導電性薄膜に亀裂形状の電子放出部を形成する。 Next, a forming process is performed by applying a voltage between the device electrodes in a vacuum to form a crack-shaped electron emission portion in the conductive thin film.
つぎに通電フォーミングが終了した素子に活性化処理を施す。本実施形態では真空中にエチレンガスを導入し、素子電極間に波高値20Vのパルス電圧を30分間繰り返し印加する。この活性化工程により電子放出部に近傍に炭素を主とする化合物が約10nm堆積した。 Next, an activation process is performed on the element for which energization forming has been completed. In this embodiment, ethylene gas is introduced into the vacuum, and a pulse voltage having a peak value of 20 V is repeatedly applied between the device electrodes for 30 minutes. By this activation process, a compound mainly composed of carbon was deposited in the vicinity of the electron emission portion by about 10 nm.
このように表面伝導型電子放出素子が多数形成された電子源基板をリアプレートとし、フェースプレートおよび支持枠とで外囲器を形成した。この外囲器の内部を真空排気し、封止を行って表示パネルさらにはテレビジョン表示を行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製した。この画像形成装置において、非発光部(画素欠陥)のない極めて良好な画像が形成される。 The electron source substrate on which a large number of surface conduction electron-emitting devices are formed in this way was used as a rear plate, and an envelope was formed by the face plate and the support frame. The inside of the envelope was evacuated and sealed to produce an image forming apparatus having a display panel and a drive circuit for performing television display. In this image forming apparatus, a very good image without a non-light emitting portion (pixel defect) is formed.
1 リアプレート
2 フェースプレート
2a ガラス基板(フェースプレート基板)
2b 蛍光面
2c メタルバック
3 枠
4 スペーサ
11 表面伝導型電子源
12 X方向素子配線(上配線)
13 Y方向素子配線(下配線)
15 画像表示装置
301 ガラス基板の支持台
302 ガラス基板
303 X線光源
304 モノクロメータ
305 1次X線
306 蛍光X線
307 半導体検出器
308 冷却装置
309 プリアンプ
310 アンプ
311 マルチチャンネルアナライザ
312 コンピュータ
313 1次X線の入射角
314 半導体素子
315 X線透過窓
316 コリメータ
327 ガラス基板の支持台
328 ガラス基板
329 研磨具
330 回転支持棒
331 支持アーム
332 モータ
333 支柱
334 研磨面
1
2b Fluorescent screen 2c Metal back 3 Frame 4 Spacer 11 Surface conduction electron source 12 X-direction element wiring (upper wiring)
13 Y-direction element wiring (bottom wiring)
15
Claims (9)
前記リアプレートと前記フェースプレートとを分離した後、前記リアプレートを構成するガラス基板または前記フェースプレートを構成するガラス基板の表面に1次X線を照射し、発生した蛍光X線を検出することにより前記ガラス基板の表面に存在する元素を検出する検出工程と、
前記検出工程の検出結果に応じて、前記ガラス基板の表面から当該ガラス基板を構成する元素以外の元素を、前記ガラス基板を研磨することにより除去する除去工程とを有することを特徴とするフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。 A method of processing a glass substrate of a flat display including a rear plate and a face plate, hermetically bonded to each other ,
After separating the rear plate and the face plate, the surface of the glass substrate constituting the rear plate or the glass substrate constituting the face plate is irradiated with primary X-rays, and the generated fluorescent X-rays are detected. a detection step of detecting an element present on the surface of the glass substrate by,
Depending on the detection result of the detecting step, a flat display, wherein said element from the surface other than the elements constituting the glass substrate of the glass substrate, having a removal step of removing by polishing the glass substrate Glass substrate processing method.
前記ガラス基板の大きさに応じて、前記ガラス基板と前記蛍光X線を検出する検出器の相対位置を変化させることを特徴とする請求項1に記載のフラットディスプレイのガラス基板の処理方法。 In the detection step of detecting an element present on the surface of the glass substrate,
The glass substrate according to the size, processing method for a glass substrate of a flat display according to claim 1, characterized in that to change the relative position of the detector for detecting the fluorescent X-ray and the glass substrate.
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