JP3819610B2

JP3819610B2 - Amplifier circuit

Info

Publication number: JP3819610B2
Application number: JP27353398A
Authority: JP
Inventors: 聡寺田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1998-09-28
Filing date: 1998-09-28
Publication date: 2006-09-13
Anticipated expiration: 2018-09-28
Also published as: JP2000101359A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯のＲＦ信号の増幅に好適な増幅回路に関し、特に消費電力の低減を図った増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、携帯電話等において、マイクロ波帯の周波数を有するＲＦ信号によって送受信が行われている。受信時、基地局から送信されてきたＲＦ信号は、携帯電話のアンテナに受信され、ＲＦ信号はＲＦ増幅回路で微小レベルの信号から周波数変換や復調等が行い易いレベルに増幅される。増幅された信号は後段の回路に伝送され、各種処理が行われることにより、相手方の話し声に復調される。また、送信時、自分の話し声が各種処理によって変調信号に変調され、変調信号はＲＦ信号に周波数変換される。送信ＲＦ信号は送信用のＲＦ増幅回路で増幅され、受信時と兼用のアンテナから送信される。図４は、上記のような携帯電話の受信部側において、受信ＲＦ信号を増幅するＲＦ増幅回路を示している。このようなＲＦ増幅回路では、例えばＧＨｚ帯のＲＦ信号でも減衰させることなく良好に増幅することができる周波数特性を有している。
【０００３】
図１において、受信ＲＦ信号となる入力信号ＩＮは、初段増幅器となるトランジスタ１のベースに印加され、増幅信号がトランジスタ１のコレクタに発生する。トランジスタ１のコレクタ及びエミッタには抵抗２及び３が接続されており、抵抗比によって増幅信号のレベルが決定される為、この抵抗比が初段増幅器の利得となる。
【０００４】
前記増幅信号は、ダーリントン接続されたトランジスタ４及び５でさらに増幅される。これらのトランジスタ４及び５は２段目の増幅器を構成する。ダーリントン接続によって、トランジスタ４及び５の総合電流増幅率はトランジスタ４及び５の増幅率の積になるため、非常に大きな増幅率となる。そして、トランジスタ５のコレクタ及びエミッタに抵抗６及び７が接続されており、この抵抗６及び７の抵抗比とにより２段目の増幅器の利得となる。
【０００５】
２つの増幅器で増幅された出力増幅信号は、トランジスタ５のコレクタから出力端子ＯＵＴを介して後段の回路に伝送される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、非通話状態時、携帯電話は間欠受信を行っている。非通話状態では、携帯電話はいつ来るか判らない信号を待ち受けていなければならない。もし携帯電話が常に受信状態にあると、携帯電話のバッテリーは消費され続け、携帯電話の駆動時間が短くなる。そこで、携帯電話を間欠受信させることによって、バッテリーの消費を抑制し、携帯電話の駆動時間をできるだけ長く持続させるようにしていた。
【０００７】
間欠受信時、所定時間毎に携帯電話の受信部に電源電圧が投入される。図４において、電源が投入されると、トランジスタ４及び５はオンしないが、トランジスタ４及び５に微小電流が流れる。トランジスタ４及び５の微小電流によって、コンデンサＣは充電され、抵抗７及びコンデンサ８の接続点の電圧は徐々に高くなっていく。この電圧がトランジスタ１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅよりも高くなると、トランジスタ１がオンする。電源電圧Ｖｃｃも徐々に高くなるので、トランジスタ１のオンに続いてトランジスタ４及び５も順次オンする。
【０００８】
図４の各トランジスタの電源電圧Ｖｃｃに対する立ち上がりの様子を示したのが図５及び６であり、各々のトランジスタが異なるＶｃｃでオンすることが示される。特に、トランジスタ１は、他のトランジスタよりも早く立ち上がることがわかる。
【０００９】
このようにトランジスタが異なるＶｃｃで立ち上がると、携帯電話の受信部が完全動作するまでに無駄な電流が多く消費されることになる。間欠受信では、所定時間毎に図４の増幅回路が何度も立ち上がるので、その都度無駄に電流を消費することになる。従って、図４の増幅回路を用いると、電池駆動となる携帯電話の動作時間を長く継続できないという問題があった。
【００１０】
尚、図３の回路においては、抵抗２、３、６及び７の値を調整すれば、それぞれのトランジスタを同時に立ち上げることは可能である。しかし、これらの抵抗は、利得を設定させる為だけでなく、この増幅回路の前段及び後段の回路とのインピーダンス整合の為、入力及び出力インピーダンスを設定する役割を有する。従って、それぞれのトランジスタの立ち上がりを調整する為に、容易に抵抗の値を設定することはできなかった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、入力信号を増幅する第１トランジスタと、ダーリントン接続されるとともに、前記第１トランジスタの出力信号を増幅する第２及び第３トランジスタと、前記第２トランジスタのエミッタ電流と同一の電流を、前記第３トランジスタに流すように配置された第４トランジスタと、前記第３及び第４トランジスタのそれぞれに流れる電流と同一の電流を、前記第１トランジスタに流すように配置された第５トランジスタとを備え、前記第３トランジスタのコレクタから出力信号を得ることを特徴とする。
【００１２】
特に、前記第１乃至第５トランジスタに流れる電流密度は、概ね同一に設定されることを特徴とする。
【００１３】
また、入力信号を増幅する第１トランジスタと、ダーリントン接続されるとともに、前記第１トランジスタの出力信号を増幅する第２及び第３トランジスタと、前記第２トランジスタのエミッタに接続され、かつ第３トランジスタにミラー接続される第４トランジスタと、前記第１トランジスタにミラー関係で接続されるとともに、前記第２及び第３トランジスタのエミッタ電流の合成電流が流れる第５トランジスタとを備え、前記第３トランジスタのコレクタから出力信号を得ることを特徴とする。
【００１４】
特に、前記第１乃至第５トランジスタにおいて、単位エミッタサイズに対する電流量が略同一になっていることを特徴とする。
【００１５】
本発明に依れば、各トランジスタに同一電流が流れるように構成されているので、電源投入時には一度に各トランジスタに電流が流れ、素早く増幅回路を動作させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態を示す図であり、１０はベースに入力信号が印加され、入力信号を増幅するトランジスタ、１１及び１２はダーリントン接続されるとともに、トランジスタ１０のコレクタに発生する出力信号を増幅するトランジスタ、１３はトランジスタ１２に対してミラー接続されたトランジスタ、１４はダイオード接続されるとともに、トランジスタ１とミラー関係にあるトランジスタである。また、トランジスタ１４のコレクタ電圧は、トランジスタ１０のベースに帰還され、トランジスタ１２のコレクタに接続された出力端子ＯＵＴから出力信号が得られる。
【００１７】
まず、図１において、増幅回路としての通常動作を説明する。入力信号ＩＮは、トランジスタ１のベースに印加され、トランジスタの増幅作用によって増幅される。トランジスタ１０からのコレクタ電流は抵抗１５にも流れるが、抵抗１５に流れる電流の一部は次段のトランジスタ１１のベースに供給される。トランジスタ１１のベース電流はさらに増幅され、トランジスタ１１のエミッタ電流の一部はさらにトランジスタ１２で増幅される。
【００１８】
トランジスタ１１及び１２はダーリントン接続されているので、トランジスタ１１及び１２の合成増幅率は、ｈＦＥ１×ｈＦＥ２となる。但し、増幅率ｈＦＥ１及びｈＦＥ２はトランジスタ１１及び１２の電流増幅率である。従って、トランジスタ１０の出力信号は、トランジスタ１１及び１２の大きな増幅率で増幅されることになる。トランジスタ１２に流れる電流は抵抗１６で電圧変換され、出力信号Ｖｏｕｔとして出力端子ＯＵＴから出力される。
【００１９】
また、トランジスタ１２のエミッタ電流は、トランジスタ１４に流れるとともに、その一部の電流はトランジスタ１０のベースに供給される。これにより、増幅回路の出力信号Ｖｏｕｔが帰還されることになるので、増幅回路の動作を安定化させることができる。
【００２０】
次に、電源電圧が投入されたときの増幅回路の動作を説明する。電源が投入されると、トランジスタ１１及び１２のコレクタに電源電圧Ｖｃｃが印加されると、トランジスタ１１及び１２はオンしないが、微小電流が流れる。トランジスタ１１に微小電流が流れると、トランジスタ１１の微小なエミッタ電流の一部はトランジスタ１２及び１３のベースに供給される。トランジスタ１２及び１３はミラー接続され、トランジスタ１２及び１３のベースに略同一の電流が供給されることにより、トランジスタ１２及び１３には略同一のエミッタ電流が発生する。但し、トランジスタ１２及び１３のエミッタサイズは同一であるとする。
【００２１】
トランジスタ１２及び１３のエミッタ電流の加算電流はトランジスタ１４に流れようとする。トランジスタ１２及び１３の加算電流の一部がトランジスタ１４のベース電流に供給される。トランジスタ１４とトランジスタ１０とはミラー関係に接続されており、トランジスタ１４に流れる電流に比例した電流がトランジスタ１０に流れる。ここで、トランジスタ１０及び１４のエミッタサイズは１：２に設定されているので、トランジスタ１０のエミッタ電流はトランジスタ１４のエミッタ電流の半分になる。
【００２２】
よって、電源電圧Ｖｃｃが投入され、一度トランジスタ１１に微小電流が流れると、各々のトランジスタに概ね同一時刻に電流が流れることになる。そして、トランジスタに流れる単位エミッタサイズ当たりの電流密度は略同一になる。
【００２３】
トランジスタ１０に電流が流れると、トランジスタ１１のベース電流が増え、その結果トランジスタ１１のエミッタ電流は増大する。さらに、トランジスタ１１のエミッタ電流が増大すると、上記のような動作により各々のトランジスタに流れる電流が同一時刻に増大する。すると、トランジスタ１１のコレクタ電流が増え、トランジスタ１１のベース電流がさらに増大する。このようにして、トランジスタ１１に流れる微小電流は増大していく。
【００２４】
また、トランジスタ１２及び１３の加算電流によりコンデンサＣは充電される。コンデンサＣの充電により、トランジスタ１２のエミッタ電圧は徐々に高くなる。前記エミッタ電圧がトランジスタ１０のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅよりも高くなると、トランジスタ１０がオンする。続いて、トランジスタ１１のベース電圧が高くなることにより、トランジスタ１１及び１２に流れる電流が更に増大してトランジスタ１１及び１２も順次オンする。さらに、トランジスタ１３及び１４に流れる電流が増大してトランジスタ１３及び１４もオンする。よって、トランジスタ１０がオンすると、概ね同時刻に各々のトランジスタがオンする。
【００２５】
図１の各トランジスタの電源電圧Ｖｃｃに対する立ち上がりの様子を示したのが図２及び３であり、各々のトランジスタが異なるＶｃｃでオンすることが示される。図２に電源電圧Ｖｃｃに対する各々のトランジスタのコレクタ電流の様子が示されており、図３には電源電圧Ｖｃｃに対する各々のトランジスタのベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅが変化する様子が示される。図２及び３を見ると明らかなように、所定の電源電圧で各々のトランジスタがオンする。従って、電源が投入されると、各々のトランジスタを所定の電源電圧Ｖｃｃで同時に立ち上げることが可能である。
【００２６】
図１の回路において、トランジスタ１０やトランジスタ１２のエミッタ及びコレクタに抵抗が接続されている。これらの抵抗は、利得を設定させる為だけでなく、この増幅回路の前段及び後段の回路とのインピーダンス整合の為入力及び出力インピーダンスを設定するためにある。図１の回路では、これらの抵抗に関係なくそれぞれのトランジスタを立ち上げることができる。その為、これらの抵抗は、利得やインピーダンス整合だけに、調整することができる。
【００２７】
【発明の効果】
本発明に依れば、各々のトランジスタが概ね同時にオンする増幅回路を提供することができるので、電源投入時の消費電流を低減することができる。特に、間欠受信時に何度も増幅回路が立ち上がる携帯電話等では、本発明に係わる増幅回路を適用することによって、携帯電話の電池寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す回路図である。
【図２】図１の電源電圧Ｖｃｃとトランジスタに流れる電流との関係を示す特性図である。
【図３】図１の電源電圧ＶｃｃとトランジスタＶｂｅとの関係を示す特性図である。
【図４】従来例を示す回路図である。
【図５】図４の電源電圧Ｖｃｃとトランジスタに流れる電流との関係を示す特性図である。
【図６】図４の電源電圧ＶｃｃとトランジスタＶｂｅとの関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１０、１１、１２、１３、１４トランジスタ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an amplifier circuit suitable for amplifying a microwave band RF signal, and more particularly to an amplifier circuit that reduces power consumption.
[0002]
[Prior art]
In general, in a mobile phone or the like, transmission and reception are performed by an RF signal having a frequency in the microwave band. At the time of reception, the RF signal transmitted from the base station is received by the antenna of the mobile phone, and the RF signal is amplified by a RF amplification circuit to a level at which frequency conversion, demodulation, etc. can be easily performed. The amplified signal is transmitted to a subsequent circuit and subjected to various processes, thereby being demodulated into the voice of the other party. At the time of transmission, the user's voice is modulated into a modulated signal by various processes, and the modulated signal is frequency-converted into an RF signal. The transmission RF signal is amplified by an RF amplifier circuit for transmission and transmitted from an antenna that is also used for reception. FIG. 4 shows an RF amplifier circuit that amplifies the received RF signal on the receiver side of the mobile phone as described above. Such an RF amplifying circuit has a frequency characteristic that can amplify, for example, an RF signal in the GHz band satisfactorily without being attenuated.
[0003]
In FIG. 1, an input signal IN serving as a reception RF signal is applied to the base of a transistor 1 serving as a first-stage amplifier, and an amplified signal is generated at the collector of the transistor 1. Resistors 2 and 3 are connected to the collector and emitter of the transistor 1, and the level of the amplified signal is determined by the resistance ratio, and this resistance ratio becomes the gain of the first stage amplifier.
[0004]
The amplified signal is further amplified by Darlington-connected transistors 4 and 5. These transistors 4 and 5 constitute a second-stage amplifier. Due to the Darlington connection, the total current amplification factor of the transistors 4 and 5 is a product of the amplification factors of the transistors 4 and 5, so that the amplification factor is very large. Resistors 6 and 7 are connected to the collector and emitter of the transistor 5, and the resistance ratio of the resistors 6 and 7 provides the gain of the second-stage amplifier.
[0005]
The output amplified signal amplified by the two amplifiers is transmitted from the collector of the transistor 5 to the subsequent circuit through the output terminal OUT.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, when not in a call state, the mobile phone performs intermittent reception. In a non-calling state, the mobile phone must wait for a signal that does not know when it will come. If the mobile phone is always receiving, the battery of the mobile phone continues to be consumed, and the driving time of the mobile phone is shortened. Therefore, by intermittently receiving the mobile phone, battery consumption is suppressed and the driving time of the mobile phone is kept as long as possible.
[0007]
At the time of intermittent reception, a power supply voltage is input to the receiving unit of the mobile phone every predetermined time. In FIG. 4, when the power is turned on, the transistors 4 and 5 are not turned on, but a minute current flows through the transistors 4 and 5. The capacitor C is charged by the minute current of the transistors 4 and 5, and the voltage at the connection point of the resistor 7 and the capacitor 8 gradually increases. When this voltage becomes higher than the base-emitter voltage Vbe of the transistor 1, the transistor 1 is turned on. Since the power supply voltage Vcc also gradually increases, the transistors 4 and 5 are sequentially turned on following the turn-on of the transistor 1.
[0008]
FIGS. 5 and 6 show the rise of each transistor in FIG. 4 with respect to the power supply voltage Vcc, which indicates that each transistor is turned on at a different Vcc. In particular, it can be seen that the transistor 1 rises faster than the other transistors.
[0009]
When the transistors start up at different Vcc in this way, a lot of useless current is consumed until the receiver of the mobile phone is fully operated. In intermittent reception, the amplifier circuit of FIG. 4 starts up many times every predetermined time, so that current is consumed wastefully each time. Therefore, when the amplifier circuit of FIG. 4 is used, there is a problem that the operation time of the battery-powered mobile phone cannot be continued for a long time.
[0010]
In the circuit of FIG. 3, if the values of the resistors 2, 3, 6 and 7 are adjusted, the respective transistors can be started up simultaneously. However, these resistors have a role of setting input and output impedances not only for setting the gain but also for impedance matching with the preceding and subsequent circuits of the amplifier circuit. Therefore, the resistance value cannot be easily set in order to adjust the rise of each transistor.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The present invention includes a first transistor that amplifies an input signal, a second and third transistors that are Darlington-connected, amplifies an output signal of the first transistor, and a current that is the same as the emitter current of the second transistor. A fourth transistor arranged to flow through the third transistor; a fifth transistor arranged to flow the same current through each of the third and fourth transistors through the first transistor; And an output signal is obtained from the collector of the third transistor.
[0012]
In particular, the current density flowing through the first to fifth transistors is set to be substantially the same.
[0013]
A first transistor for amplifying the input signal; a second and third transistor for amplifying an output signal of the first transistor; and a third transistor connected to the emitter of the second transistor. A fourth transistor that is mirror-connected to the first transistor, and a fifth transistor that is connected to the first transistor in a mirror relationship and through which a combined current of the emitter currents of the second and third transistors flows. An output signal is obtained from the collector.
[0014]
In particular, the first to fifth transistors have substantially the same amount of current per unit emitter size.
[0015]
According to the present invention, since the same current flows through each transistor, current flows through each transistor at a time when the power is turned on, and the amplifier circuit can be operated quickly.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, in which 10 is an input signal applied to a base and amplifies the input signal, 11 and 12 are Darlington connected, and an output generated at the collector of the transistor 10. A transistor that amplifies the signal, 13 is a transistor that is mirror-connected to the transistor 12, and 14 is a transistor that is diode-connected and has a mirror relationship with the transistor 1. The collector voltage of the transistor 14 is fed back to the base of the transistor 10, and an output signal is obtained from the output terminal OUT connected to the collector of the transistor 12.
[0017]
First, a normal operation as an amplifier circuit will be described with reference to FIG. The input signal IN is applied to the base of the transistor 1 and amplified by the amplification action of the transistor. Although the collector current from the transistor 10 also flows through the resistor 15, a part of the current flowing through the resistor 15 is supplied to the base of the next-stage transistor 11. The base current of the transistor 11 is further amplified, and a part of the emitter current of the transistor 11 is further amplified by the transistor 12.
[0018]
Since the transistors 11 and 12 are Darlington connected, the combined amplification factor of the transistors 11 and 12 is hFE1 × hFE2. However, the amplification factors hFE1 and hFE2 are the current amplification factors of the transistors 11 and 12. Therefore, the output signal of the transistor 10 is amplified with a large amplification factor of the transistors 11 and 12. The current flowing through the transistor 12 is converted into a voltage by the resistor 16 and output from the output terminal OUT as the output signal Vout.
[0019]
Further, the emitter current of the transistor 12 flows to the transistor 14, and a part of the current is supplied to the base of the transistor 10. As a result, the output signal Vout of the amplifier circuit is fed back, so that the operation of the amplifier circuit can be stabilized.
[0020]
Next, the operation of the amplifier circuit when the power supply voltage is turned on will be described. When the power is turned on, when the power supply voltage Vcc is applied to the collectors of the transistors 11 and 12, the transistors 11 and 12 are not turned on, but a minute current flows. When a minute current flows through the transistor 11, a part of the minute emitter current of the transistor 11 is supplied to the bases of the transistors 12 and 13. The transistors 12 and 13 are mirror-connected, and substantially the same current is supplied to the bases of the transistors 12 and 13 so that substantially the same emitter current is generated in the transistors 12 and 13. However, it is assumed that the emitter sizes of the transistors 12 and 13 are the same.
[0021]
The added current of the emitter currents of the transistors 12 and 13 tends to flow to the transistor 14. A part of the addition current of the transistors 12 and 13 is supplied to the base current of the transistor 14. The transistor 14 and the transistor 10 are connected in a mirror relationship, and a current proportional to the current flowing through the transistor 14 flows through the transistor 10. Here, since the emitter sizes of the transistors 10 and 14 are set to 1: 2, the emitter current of the transistor 10 is half of the emitter current of the transistor 14.
[0022]
Therefore, once the power supply voltage Vcc is turned on and a minute current flows through the transistor 11, a current flows through each transistor at approximately the same time. The current density per unit emitter size flowing in the transistor is substantially the same.
[0023]
When a current flows through the transistor 10, the base current of the transistor 11 increases, and as a result, the emitter current of the transistor 11 increases. Further, when the emitter current of the transistor 11 increases, the current flowing through each transistor increases at the same time due to the above operation. Then, the collector current of the transistor 11 increases, and the base current of the transistor 11 further increases. In this way, the minute current flowing through the transistor 11 increases.
[0024]
Further, the capacitor C is charged by the added current of the transistors 12 and 13. As the capacitor C is charged, the emitter voltage of the transistor 12 gradually increases. When the emitter voltage becomes higher than the base-emitter voltage Vbe of the transistor 10, the transistor 10 is turned on. Subsequently, when the base voltage of the transistor 11 is increased, the current flowing through the transistors 11 and 12 is further increased, and the transistors 11 and 12 are sequentially turned on. Further, the current flowing through the transistors 13 and 14 increases and the transistors 13 and 14 are also turned on. Therefore, when the transistor 10 is turned on, each transistor is turned on at approximately the same time.
[0025]
FIGS. 2 and 3 show the rise of each transistor in FIG. 1 with respect to the power supply voltage Vcc, and each transistor is turned on at a different Vcc. FIG. 2 shows the collector current of each transistor with respect to the power supply voltage Vcc, and FIG. 3 shows how the base-emitter voltage Vbe of each transistor changes with respect to the power supply voltage Vcc. As apparent from FIGS. 2 and 3, each transistor is turned on at a predetermined power supply voltage. Therefore, when the power is turned on, the transistors can be simultaneously started up at a predetermined power supply voltage Vcc.
[0026]
In the circuit of FIG. 1, resistors are connected to the emitters and collectors of the transistors 10 and 12. These resistors are not only for setting the gain, but also for setting the input and output impedances for impedance matching with the preceding and succeeding circuits of the amplifier circuit. In the circuit of FIG. 1, each transistor can be started up regardless of these resistors. Therefore, these resistors can be adjusted only for gain and impedance matching.
[0027]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide an amplifier circuit in which each transistor is turned on substantially at the same time, so that current consumption when power is turned on can be reduced. In particular, in a mobile phone or the like in which an amplifier circuit is started up many times during intermittent reception, the battery life of the mobile phone can be extended by applying the amplifier circuit according to the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between a power supply voltage Vcc of FIG. 1 and a current flowing through a transistor.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a power supply voltage Vcc and a transistor Vbe in FIG. 1;
FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example.
5 is a characteristic diagram showing a relationship between a power supply voltage Vcc of FIG. 4 and a current flowing through a transistor.
6 is a characteristic diagram showing a relationship between a power supply voltage Vcc and a transistor Vbe in FIG. 4;
[Explanation of symbols]
10, 11, 12, 13, 14 Transistor

Claims

A first transistor for amplifying an input signal;
Second and third transistors that are Darlington connected and amplify the output signal of the first transistor;
A fourth transistor arranged to cause the same current as the emitter current of the second transistor to flow through the emitter of the third transistor;
Wherein the third and each of the same current and current flowing to the emitter of the fourth transistor, a fifth transistor arranged to flow to the emitter of the first transistor,
An amplifier circuit, wherein an output signal is obtained from a collector of the third transistor.

2. The amplifier circuit according to claim 1, wherein the current densities flowing through the emitters of the first to fifth transistors are set to be substantially the same.