JP3823419B2 - 芳香族ポリカルボジイミド及びそのフィルム - Google Patents
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Description
【発明の背景】
本発明は新規な芳香族ポリカルボジイミドに関する。本発明の芳香族ポリカルボジイミドは高耐熱性など種々の優れた特性を有するフィルムや接着剤、成形物を提供する。
【0002】
芳香族ポリカルボジイミドには、従来ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)やトリレンジイソシアネート(TDI)などをモノマーとし、これを重合したものが知られている。このようなポリカルボジイミドは、その優れた耐熱性により耐炎化フィルムや耐熱性接着剤として使用されている。
【0003】
【発明の目的及び概要】
これらポリカルボジイミドフィルムは、400℃以上の高温にさらしても揮発性ガスや分解モノマーを生成しないという点では耐熱性を有するが、耐湿性が低かったり、200℃以上で熱処理すると自己保持性がなく、脆くなり実用に耐えない。また、有機溶媒に対する溶解性が乏しく加工性も低い。
【0004】
本発明者らは、このような従来のポリカルボジイミドの欠点を解消すべく種々の芳香族ポリマーについて検討を重ねた結果、本発明の新規ポリマーを創製するに至った。即ち、本発明は下記一般式(I)で表される構成単位を有する芳香族ポリカルボジイミドに提供するものである。
【0005】
【化2】
(式中、X 1 〜X 4 は各々別個に水素又は炭素数1〜3のアルキル基、nは2〜200の整数を表す。)
【0006】
このポリマーは新規な高分子化合物であり、優れた溶解性と共に非常に高い耐熱性を有し、また接着性、低温加工性及び耐湿性にも優れる。なお、米国特許第5,109,097号には下記式(II)で表される芳香族ジイソシアネートが開示されている。しかしながら、ここには当該芳香族ジイソシアネート化合物を重合すること、及びこれからポリカルボジイミドが得られることについては全く記載がない。
【化3】
【0007】
【発明の詳細な開示】
本発明のポリカルボジイミドは、下式(III)で表される対応するジイソシアネートをモノマーとし、これをリン系触媒の存在下、それ自体は公知の方法で重合することにより得られる。これらのモノマーのうち、入手のしやすさや反応性の点などから、X 1 〜X 4 は水素、メチル基又はエチル基であるのが好ましく、X 1 〜X 4 がすべて水素であるのが特に好ましい。
【0008】
【化4】
(式中、X 1 〜X 4 は各々別個に水素又は炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
【0009】
ジイソシアネートモノマーは単独で用いてもよく、その性質を損なわない範囲で他の有機ジイソシアネート、例えば4,4'-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、2,4-トリレンジイソシアネート、1-メトキシフェニル-2,4-ジイソシアネート、3,3'−ジメトキシ−4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4'-ジフェニルエーテルジイソシアネート、3,3'-ジメチル-4,4'-ジフェニルエーテルジイソシアネート、o-トリレンジイソシアネートなどと共重合してもよい。
【0010】
重合温度は40〜150℃が好ましく、50〜140℃がより好ましい。反応温度が40℃より低いと反応時間が長くなりすぎ実用的でない。また150℃を越える反応温度は溶媒の選択が困難である。
【0011】
ポリカルボジイミド合成におけるイソシアネートモノマー濃度は5〜70重量%(以下、単に%という)、好ましくは10〜60%、最も好ましくは15〜50%である。濃度が5%より低いとカルボジイミド化が進行しない場合がある。また70%を越えると反応の制御が困難になる可能性がある。
【0012】
ポリカルボジイミドの合成時及びポリカルボジイミド溶液において用いられる有機溶媒は、従来公知のものであってよい。具体的にはテトラクロロエチレン、1,2-ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
【0013】
カルボジイミド化に用いる触媒としては、公知のリン系触媒がいずれも好適に用いられ、例えば1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキシド、3−メチル−2−ホスホレン−1−オキシド、1−エチル−2−ホスホレン−1−オキシド、3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキシド、あるいはこれらの3−ホスホレン異性体などのホスホレンオキシドが挙げられる。
【0014】
また重合反応の末期、中期、初期のいずれか、もしくは全般にわたり、モノイソシアネートを加えて末端封鎖処理をしてもよい。このようなモノイソシアネートとしては、フェニルイソシアネート、p−ニトロフェニルイソシアネート、p−またはm−トリルイソシアネート、p−ホルミルフェニルイソシアネートなどを用いることができる。このようにして得られたポリカルボジイミド溶液は、溶液の保存安定性に優れている。
【0015】
また、反応終了後にメタノール、エタノール、ヘキサンなどの貧溶媒に反応液を投入し、ポリカルボジイミドを沈殿として析出させ、未反応のモノマーや触媒を取り除いてもよい。ポリカルボジイミドの溶液を調製するには、沈殿として析出したポリマーを所定の操作により洗浄、乾燥を行い、再度有機溶媒に溶解する。このような操作を行うことにより、ポリカルボジイミドの溶液安定性を向上させることができる。
【0016】
また、ポリマー溶液中に含まれる副生成物を適当な吸着剤などに吸着させ、精製してもよい。吸着剤としては例えばアルミナゲル、シリカゲル、活性炭、ゼオライト、活性酸化マグネシウム、活性ボーキサイト、フラースアース、活性白土、分子ふるいカーボンなどを単独もしくは併用して用いることができる。
【0017】
本発明のポリカルボジイミドの分子量は、数平均分子量にして1,000〜100,000、好ましくは4,000〜20,000である。すなわち、式(I)においてnは2〜200の整数、好ましくは8〜40の整数である。ポリカルボジイミドの分子量がこれより高すぎると、常温での放置においても数分から数時間で容易にゲル化するため、実用上好ましくない。また、分子量が低すぎると、皮膜の信頼性に欠けるので好ましくない。
【0018】
(フィルム及び接着シートの製造)
本発明のポリカルボジイミドフィルム(又はシート)は、ポリカルボジイミドワニスを公知の方法(キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなど)を用いて適当な厚さに製膜することにより得られる。このフィルムは、通常、溶媒の除去に必要な温度で乾燥すればよく、硬化反応をあまり進行させずに乾燥させるよう、塗工温度は例えば20〜350℃、好ましくは50〜250℃、より好ましくは70〜200℃である。乾燥温度が20℃より低いと、フィルム中に溶剤が残存し、フィルムの信頼性が乏しくなり好ましくない。また、乾燥温度が350℃より高いと、フィルムの熱硬化が進みやすい。
【0019】
本発明のポリカルボジイミド樹脂組成物には、その加工性、耐熱性を損なわない範囲で微細な無機充填剤を配合してよい。また表面平滑性を出すための平滑剤、レベリング剤、脱泡剤などの各種添加剤を必要に応じて添加してもよい。
【0020】
本発明のポリマーをフィルム状に成形した成形物は、耐熱性接着シートとして用いることができる。フィルム、又は接着シートに成形することができるシート厚としては、一般には1〜200μmであるが、これに限定されるものではなく目的に応じて適宜選択することができる。またシートの形状や大きさについても、リードフレームや半導体チップなど、被着体に応じて適宜に選択することができる。
【0021】
接着シートを製造する場合、導電性の付与や伝熱性の向上、弾性率の調節、特に高弾性率化などをはかるため、例えばアルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、あるいは合金、アルミナ、シリカ、マグネシア、窒化ケイ素などのセラミック、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末を必要に応じ1種または2種以上配合してもよい。
【0022】
さらに、これらのフィルムを支持体上に形成して接着シートとしてもよい。このような構成の接着シートを製造するには、支持体上にワニスを塗工してもよく、あらかじめフィルムを形成し、これををプレスなどによりラミネートして製造してもよい。
【0023】
ここで用いられる支持体としては、金属箔、絶縁性フィルムなどが挙げられる。金属箔としてはアルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、インジウム、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム等がいずれも用いられてよく、これらを単独で、あるいは合金として用いてもよい。また、絶縁性フィルムとしては、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートなど、耐熱性や耐薬品性を有するフィルムであればいずれも用いられてよい。
【0024】
また金属箔と絶縁性フィルムは、それぞれ単独で用いてもよく、また両者を2層以上積層した、例えば金属箔/絶縁性フィルムなどの二層基材を用いてもよい。このような二層基材としては、例えば銅/ポリイミド二層基材などが挙げられる。
【0025】
本発明のシート状接着剤は、加熱処理により熱硬化して強固な接着力を発現すると共に、低吸湿性の硬化物となる。加熱処理を行うには、例えばヒーター、超音波、紫外線などの適宜な方法が用いられてよい。従って本発明の接着シートは、種々の材料の接着処理に好ましく、特に高信頼性の固着処理が要求され、そのため低吸湿性であることを要する半導体チップやリードフレームなどで代表される電気・電子部品の固着処理に好ましい。本発明の接着シートは低吸湿性であること、可撓性に富み取り扱いやすいこと、半導体素子に対して接着性がよいこと、保存安定性がよいことなどの点で優れている。
【0026】
(用途)
このようにして製造されたポリカルボジイミド樹脂は、種々の物品の耐熱被覆材料などとして用いられる。かかる物品としては、特に限定されるものではなく、例えばガラス、金属、樹脂、セラミック製のシートや板状物、環状物などが挙げられる。具体的な製品としては電力用ケーブルなどの電線、ガラス製ボトル、電子部品などが挙げられる。また、その耐熱性を利用して電子部品用の接着剤として用いることもできる。さらに気体、液体の分離膜として用いることもできる。
【0027】
(モノマー)
本発明ポリカルボジイミドの原料であるイソシアネート化合物、9,9−ビス(4−イソシアネートフェニル)フルオレン(前記式(II))は、その前駆体である9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレンを、それ自体は公知の種々の方法でイソシアネート化することにより製造することができる。
【0028】
かかるジアミン化合物のイソシアネート化法としては、ホスゲン、ジフェニルカーボネート、又はカルボニルジイミダゾールを作用させる方法が挙げられる。また、別法としてジアミン化合物をハロゲン化アルキルホーメートを用いて一旦ウレタンとし、これをクロロシラン、カテコールボラン等の触媒存在下にイソシアネート化してもよい。さらに、他の方法ではジイソシアネートの前駆体として、9,9−ビス(4−カルボキシフェニル)フルオレンなどのカルボン酸を用い、これをクルチウス分解によりイソシアネート化する方法などを用いてもよい。
【0029】
これら製造方法のうち、ジアミン化合物をハロゲン化アルキルホーメートまたはハロゲン化アリールホーメートを用いて一旦ウレタンとし、これに触媒としてクロロシランを用いてイソシアネート化する方法(G.Greber.et.al.,Angew.Chem.Int.Ed.,Vo.l7,No.12,941(1968))や、あるいはカテコールボランを用いてイソシアネート化する方法(V.L.K.Valli.et.al.,J.Org.Chem.,Vol.60,257(1995))が収率及び安全性の点から好ましい。
【0030】
(ウレタン合成)
まず対応するジアミン化合物にメチルクロロホルメート、エチルクロロホルメート、フェニルクロロホルメート、p−ニトロフェニルクロロホルメートなどを作用させてウレタンを合成する。
【0031】
これら反応に用いられる溶媒はジアミンを溶解させるものであればよい。例えばTHF、ジオキサン、ジエチルエーテルなどのエーテル系化合物、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系化合物、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系化合物、酢酸エチルなどのエステル系化合物などが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いてもよく、2種以上混合して用いてもよい。
【0032】
反応温度は−40〜100℃、好ましくは−20〜60℃、最も好ましくは−10〜20℃である。
【0033】
反応により生成する塩化水素をトラップする塩基としては、用いた溶媒に溶解し反応を阻害しないものであればよく、例えばトリエチルアミン、水酸化ナトリウム、ピリジン、ジアザビシクロウンデセン(DBU)などが挙げられる。
【0034】
得られたウレタンを精製するには、再結晶、カラムなど従来公知の方法を用いることができる。また、必要に応じて蒸留を行ってもよい。
【0035】
(a)クロロシランを用いたイソシアネート化
前記ウレタンをクロロシランを用いてイソシアネート化するには、ウレタンのモル量の1.5〜4.6倍、好ましくは1.7〜3.0倍、最も好ましくは1.8〜2.0倍のクロロシランを触媒とし熱分解を行う。
【0036】
用いられる溶媒はウレタンを溶解または懸濁するものであればよく、前記のエーテル系化合物、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素が挙げられる。
【0037】
反応温度は0℃から使用する溶媒の沸点までである。反応の際に生成する塩化水素のトラップにはトリエチルアミンなどの塩基を同様にして用いてよい。塩基の量はウレタンに対し1.5〜4.6倍mol,好ましくは1.7〜3.0倍mmol、より好ましくは1.8〜2.0倍mmolである。
【0038】
(b)ハロゲン化カテコールボランを用いたイソシアネート化
また、ウレタンのイソシアネート化には、前記クロロシランの替わりにハロゲン化カテコールボランを触媒として用いた方法を採用してもよい。ハロゲン化カテコールボランとしては、クロロカテコールボラン、ブロモカテコールボランなどが挙げられる。かかる反応に用いられる溶媒は前記クロロシランを用いたイソシアネート化の場合と同様のものが用いられてよい。反応温度は一般に−50〜80℃、好ましくは20〜70℃、さらに好ましくは20〜60℃である。反応の際に生成する塩化水素をトラップするには、前記と同様にして塩基を用いる。得られたイソシアネートモノマーは、反応後、溶媒を除去し、フラッシュカラムもしくは再結晶または減圧蒸留を行なって精製することができる。
【0039】
なお、前記のジアミンのウレタン化、イソシアネート化及びカルボジイミド化は、それぞれの工程で単離、精製を行い、段階的に進めてもよく、1つの反応器中でこれらの工程を続けて一連の反応として行ってもよい。
【0040】
【実施例】
つぎに本発明を実施例及び比較例によりさらに具体的に説明する。なお、得られたポリカルボジイミドの特性は次のようにして測定した。
【0041】
IR
日本電子製FT/IR−230を用いて測定した。
【0042】
熱硬化温度及びガラス転移点 ( Tg )
DSC−200((株)セイコー電子工業製)を用いて測定し、三量体化の発熱ピークを熱硬化温度とした。
【0043】
熱分解開始温度 ( Td )
TG/DTA300((株)セイコー電子工業製)を用いて測定し、5%重量減少温度をTdとした。
【0044】
数平均分子量
装置としてHLC8120((株)東ソー製))、カラムにGMHHR−H+GMHHR−H+G2000HR((株)東ソー製)を用いて測定した。
【0045】
[実施例1]
(9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレンのポリカルボジイミド化)
300mLの三口フラスコに、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン10.0g(28.7mmol)、ジクロロメタン240mL及びトリエチルアミン5.80g(57.4mmol)を仕込んだ。次いで滴下ロートにフェニルクロロホルメート8.98g(57.4mmol)を入れ、氷浴にて反応容器を0℃に冷却した。フェニルクロロホルメートを数秒間で添加し、室温にもどしながら、一晩撹拌した。
【0046】
これにトリエチルアミン7.53g(74.6mmol)、トリメチルクロロシラン8.09g(74.6mmol)を添加し2時間還流を行った。つぎに、THF100mL、カルボジイミド化触媒(3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキシド)0.441g(2.30mmol)を添加し、ジクロロメタンを留去しながら55℃にて2時間撹拌し、5時間還流を行った。生成した塩を濾過にて除去した。さらに、n−ヘキサン1.75Lを用いて再沈殿を行い、減圧下において30℃で8時間乾燥して白色粉末状のポリカルボジイミド7.00g(19.7mmol、69%)を得た。このポリカルボジイミドの数平均分子量は2,800であった。IRによりカルボジイミド化を確認した(図1参照)。
【0047】
上記白色粉末状はTHF、シクロヘキサノン、クロロホルムなどの有機溶媒に可溶であった。また、この白色粉末状0.6gをシクロヘキサノン1.8gに溶解させたワニスをガラス板上にキャスティングし、200℃にて20分間乾燥してフィルムを得た。また、250℃で20分間、300℃で20分間乾燥を行っても可撓性を有していた。得られたフィルムの熱硬化温度、熱分解開始温度及びガラス転移温度を測定した結果、それぞれ390℃、505℃、185℃であった。
【0048】
[比較例1]
MDI10g(40mmol)をTHF50mL中でカルボジイミド化触媒(1−フェニル−3−メチルホスホレンオキサイド)60mg(0.31mmol)とともに60℃にて2時間反応させた。この反応溶液をガラス板上にキャスティングしてフィルムを作製した。このフィルムの熱硬化温度は350℃であり、250℃にて1時間の熱処理を行うと変色し、可撓性がなくなり自己保存性を失った。
【0049】
[比較例2]
比較例1の反応溶液を再沈殿することにより得られた白色粉末状のポリカルボジイミドは、THF、シクロヘキサノン、トルエン、アセトンなどの有機溶媒に再溶解しなかった。
【0050】
【発明の効果】
本発明のポリカルボジイミドは有機溶媒への溶解性が高く加工性が良好で、かつ優れた耐熱性、耐湿性を示し、電子部品製造時のハンダ付け工程における耐熱性被覆材料など及びガス分離膜として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1にて得られた重合体の赤外線吸収スペクトルである。
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