JP3854213B2

JP3854213B2 - Manufacturing method of electronic component with bump electrode

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Publication number: JP3854213B2
Application number: JP2002275694A
Authority: JP
Inventors: 誠樹作山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2002-09-20
Filing date: 2002-09-20
Publication date: 2006-12-06
Anticipated expiration: 2022-09-20
Also published as: JP2004111840A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ電極付き電子部品の製造方法に関する。より具体的には、バンプ電極を有する半導体チップやプリント基板などの電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プリント配線板やセラミック基板などへの電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が高まっており、半導体チップについては、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装においては、半導体チップと基板配線との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、半導体チップおよび配線基板の電極パッド間にバンプを介在させることによって達成するフェイスダウン実装すなわちフリップチップ接合が採用される傾向にある。フェイスダウン実装において半導体チップおよび配線基板の電極パッド間にバンプを介在させるべく、実装前の半導体チップや配線基板の実装面には、予めバンプ電極が形成される。
【０００３】
従来のバンプ電極付き半導体チップの製造方法としては、たとえば図６に示すような製造方法が開示されている（たとえば、特許文献１参照。）。この方法においては、まず、図６（ａ）に示すように、半導体チップにおける基材１の表面上には、銅ペーストを用い、スクリーン印刷法により配線パターン２が形成される。次に、図６（ｂ）に示すように、基材１上には、第１ソルダレジスト層３がさらに積層形成される。この第１ソルダレジスト層３は、配線パターン２の上方から液状の第１ソルダレジスト形成材料を供給し、成膜することにより形成される。この第１ソルダレジスト層３は、感光性を有している。次に、図６（ｃ）に示すように、フォトエッチングにより、第１ソルダレジスト層３のバンプを形成すべき位置に第１開口部３ａを形成する。
【０００４】
次に、、図６（ｄ）に示すように、図６（ｃ）に示す基材上に第２ソルダレジスト層４を積層形成する。この第２ソルダレジスト層４は、感光性を有し、かつシート状のドライフィルムをラミネータで積層することにより形成される。次に、図６（ｅ)に示すように、フォトエッチングにより、第２ソルダレジスト層４におけるバンプを形成すべき位置、つまり第１開口部３ａ上に第２開口部４ａを形成する。なお、第１開口部３ａおよび第２開口部４ａは連通している。次に、図６（ｆ)に示すように、第１開口部３ａおよび第２開口部４ａに対して、所定のハンダ粉末を含んだハンダペースト５を印刷法により供給する。次に、図６（ｇ)に示すように、ハンダペースト５中のハンダ粉末を一旦溶融させるための加熱処理を行うことによって、ハンダバンプ６を形成する。次に、図６（ｈ)に示すように、基材を所定の溶液に浸漬して第２ソルダレジスト層４のみを除去するエッチング処理を行う。
【０００５】
また、他のバンプ電極付き半導体チップの製造方法としては、半導体基板上に樹脂膜とレジスト膜とを順次積層形成する工程と、このレジスト膜をパターニングし、レジスト膜をマスクとして樹脂膜にバンプ形成用の開口部を形成する工程と、バンプ形成用の金属膜の被覆後、リフトオフ法によりレジスト膜を溶解してレジスト膜上の金属膜を基板上から除去する工程とを含んだ方法が開示されている（たとえば、特許文献２参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平７−２７３４３９号公報（第３−４頁、第１−８図）
【特許文献２】
特開平７−１２２５５９号公報（第２−３頁、第１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１によると、加熱処理を行った後に第２ソルダレジスト層４を除去する除去工程を行うため、加熱処理の段階で第１ソルダレジスト層３と第２ソルダレジスト層４との密着力が高まり、除去工程で第２ソルダレジスト層４を除去する際に、第１ソルダレジスト層３に影響を与えずに除去することが困難となる。具体的には、第２ソルダレジスト層４をウェットエッチングにより除去する際、第１ソルダレジスト層３の一部も溶解除去されてしまう。そのため、最終的に残す第１ソルダレジスト層３の厚さを制御することは難しい。したがって、第１開口部３ａに形成されたハンダバンプ６の第１ソルダレジスト層３の表面３ｂからの突出する量にバラツキが生じるため、実装高さ（たとえば基板と半導体チップとの接続高さ）のバラツキに起因する問題（たとえば接続信頼性の低下など）が生じる場合がある。
【０００８】
また、特許文献２によると、レジスト膜をマスクとして樹脂膜にバンプ形成用の開口部を形成する方法や、レジスト膜を溶解することによりレジスト膜上の金属膜を除去する方法が開示されているが、レジスト膜除去後に残った樹脂膜の膜厚を減ずるための工程が必要であり、加えて、この公報で開示されている膜厚を減ずる方法では、膜厚の厚さを制御することが難しく、上記したものと同様の問題を抱える。
【０００９】
さらに、上述した第２ソルダレジスト層４やレジスト膜をマスクとして利用するもの以外に、メタルマスクを用いた方法が挙げられる。この方法では、メタルマスクを樹脂膜などに載置する際に、メタルマスクの開口部と電極とを位置合わせする必要があり、電極の配設ピッチが小さくなるほど、適切に位置合わせすることが困難となる。特に、電極の配設ピッチが２００μｍ以下である場合には、メタルマスクを載置する際に生ずる位置ずれの程度は相対的に極めて大きくなる。つまり、挟ピッチないし高密度で電極が形成されている場合には、良好な接合信頼性を得るのが困難である。
【００１０】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、バンプの形成位置を適切にするとともに、機能性保護膜として残す膜の膜厚を高精度で制御可能なバンプ電極付き電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明により提供されるバンプ電極付き電子部品の製造方法は、第１樹脂膜、第２樹脂膜、および、これら両樹脂膜の間の水溶性膜よりなる多層膜を前記第１樹脂膜にて基材の電極部形成面に積層した構造を有する多層膜積層基材に対して、前記電極部が露出するように前記多層膜に開口部を形成する工程と、前記開口部に、バンプ部を形成する工程と、前記水溶性膜および前記第２樹脂膜を除去する除去工程と、を含むことを特徴としている。
【００１２】
このような工程を含む製造方法によると、たとえばバンプ部形成時に加熱処理を行うために多層膜に熱がかかる場合であっても、第１樹脂膜と第２樹脂膜との間に水溶性膜を設けたことにより、第１樹脂膜と第２樹脂膜とが直接的に密着することを防ぐことができる。そのため、第１樹脂膜を機能性保護膜として基材上に残す場合において、たとえば水溶性膜に水あるいはアルコールを含む溶液を作用させると、水溶性膜は分解ないし溶解することによって、第１樹脂膜上から消失するので、第２樹脂膜を第１樹脂膜から容易に剥離除去することができる。これにより、第２樹脂膜を除去する際に、第１樹脂膜に与える影響を抑制できるので、第１樹脂膜の膜厚を高精度に制御することが、より容易になる。したがって、機能性保護膜の膜厚を高精度に制御することによりバンプ部が機能性保護膜の表面からの高さにおけるバラツキを抑制できるので、良好な接続信頼性を得ることができる。
【００１３】
また、第２樹脂膜が開口部にバンプを形成するための材料を供給する際にマスクとしての役割を果たすので、たとえばバンプ形成材料を開口部に供給する際にメタルマスクを用いる必要がなくなる。そのため、配線パターンの配設ピッチが小さくなるほど、適切に位置合わせすることが困難となるメタルマスクの開口部と配線パターンとの位置合わせが必要なくなり、メタルマスクの位置ずれに起因するバンプ形成位置への影響は抑制される。したがって、特に電極の配設ピッチが２００μｍ以下のような挟ピッチないし高密度で配線パターンが形成されている場合でも、良好な接合信頼性を得ることが可能となる。
【００１４】
好ましくは、多層膜積層基材は、基材に対して、電極部を覆うように第１樹脂膜を形成する工程と、第１樹脂膜に積層するように水溶性膜を形成する工程と、水溶性膜に積層するように第２樹脂膜を形成する工程と、を経て形成される。
【００１５】
あるいはこれに代えて、多層膜積層基材は、前記多層膜を別途した後、電極部を覆うように第１樹脂膜を介して基材に貼り合わせることにより形成してもよい。
【００１６】
好ましくは、除去工程は、アルカリ系水溶液を用いて水溶性膜を分解ないし溶解することにより、水溶性膜および第２樹脂膜を同時に除去する。これにより、剥離液であるアルカリ系水溶液による第２樹脂膜の剥離除去に加え、アルカリ系水溶液中の水成分が水溶性膜に作用することにより、水溶性膜が分解ないし溶解する。そのため、第２樹脂膜は、第１樹脂膜から、より容易に剥離することができる。したがって、第２樹脂膜を除去する際に、第１樹脂膜に与える影響を抑制できるので、第１樹脂膜の膜厚は、第１樹脂膜形成時の膜厚をほぼ維持することが可能で、かつ第２樹脂膜を除去することで第１樹脂膜の膜厚をさらに減ずる必要もないので、機能性保護膜の膜厚制御が容易になる。したがって、バンプ部が機能性保護膜の表面からの高さにおけるバラツキを抑制できるので、良好な接続信頼性を得ることができる。なお、水溶性膜は、ゼラチン、デンプン、タンパク質、デンプン誘導体、繊維素誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキシド、ポリ酢酸ビニル部分けん化物、ポリ（スチレン−ビニルアルコール）−ｇ−（エチレンオキシド）からなる群より選択される水溶性高分子により構成されていることが好ましい。
【００１７】
好ましい実施形態において、第１樹脂膜および第２樹脂膜は、感光性樹脂膜である。これにより、多層膜に対する開口部の形成をフォトリソグラフィーにて行うことが可能となる。フォトリソグラフィーは、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどに比べ、電極へのダメージが抑制できる。また、フォトリソグラフィーにおいて、現像処理を行う際に使用する現像液として、水やアルコールを含む溶液を使用することで、第１および第２樹脂膜の開口部形成位置にある水溶性膜も第１および第２樹脂膜の除去と合わせて除去することが可能である。
【００１８】
好ましい実施形態では、バンプ部を形成する工程は、開口部にハンダペーストを供給する工程と、加熱処理を経ることによって、ハンダペーストからバンプ部を形成する工程と、を含んでいる。なお、この場合、ハンダペーストの供給は、スキージを用いた印刷法で行い、かつスキージによるスキージングは２回以上行うことが好ましい。また、ハンダペーストは、ハンダ粉末と、エポキシ樹脂を含む樹脂分とを含み、第１樹脂膜は、エポキシ樹脂を含んでいることがより好ましい。
【００１９】
エポキシ樹脂を含むハンダペーストを加熱処理することによりハンダバンプを形成する際、ハンダバンプを形成するために寄り集まる溶融したハンダからエポキシ樹脂がハンダバンプ外へ押し出される。このエポキシ樹脂は開口部における基材の露出部を覆うように、エポキシ樹脂を含む第１樹脂膜と基材上で一体化される。したがって、開口部を形成したことにより第１樹脂膜が除去され基材が露出していた部分にも機能性保護膜に相当する膜が形成されることになり、より接合信頼性が高まる。
【００２０】
バンプ部を形成する工程は、上記のものに代えて、開口部に溶融ハンダを供給する工程と、溶融ハンダを冷却してバンプ部を形成する工程と、を含んでもよい。これに代えて、バンプ部を形成する工程は、開口部にハンダボールを供給する工程と、加熱処理を経ることによって、ハンダボールからバンプ部を形成する工程と、を含んでもよい。これに代えて、バンプ部を形成する工程は、めっき法により、開口部にハンダ材料を堆積させる工程と、加熱処理を経ることによって、ハンダ材料からバンプ部を形成する工程と、を含んでもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１および図２は、本発明の第１の実施形態に係るバンプ電極付き電子部品の製造方法の一連の工程を表す。まず、図１（ａ）に示すように、表面に電極１１ａが設けられた半導体チップ１１を用意する。次に、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１１に対して、電極１１ａを覆うように第１樹脂膜１２を積層形成する。第１樹脂膜１２の形成においては、ラミネータなどを使用して、フィルム状の樹脂組成物を、半導体チップ１１に対して載置した後、５０〜１４０℃で加熱しつつ圧着する。あるいは、液状樹脂組成物を、スピンコートにより半導体チップ１１の表面に塗布し、それを乾燥してもよい。第１樹脂膜１２を形成するための樹脂組成物としては、エポキシ系樹脂などを用いることができる。エポキシ系樹脂としては、エポキシアクリレートなどが挙げられる。第１樹脂膜の膜厚は、半導体チップ１１の電極ピッチ、電極サイズ、および、接合信頼性の観点から推定される接続高さに基づいて決定され、５μｍ〜５０μｍが好ましい。なお、フィルム状の樹脂組成物を用意する場合は、第１樹脂膜の膜厚を予め制御することが容易である。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１樹脂膜１２に対して、水溶性膜１３を積層形成する。水溶性膜１３の形成においては、フィルム状のものを、半導体チップ１１に対して載置し、貼り付ける、あるいは、液状のものを、スピンコートにより半導体チップ１１の表面に塗布してもよい。
【００２３】
水溶性膜１３を形成するための材料は、水溶性高分子を含んで、フィルム状に成形されるか、または液状とされる。水溶性膜１３の厚さは、１μｍ〜５μｍが好ましい。
【００２４】
水溶性高分子としては、ゼラチン、デンプン、タンパク質などの天然高分子、デンプン誘導体や繊維素誘導体などの半合成高分子、ポリビニルアルコールやポリビニルピロリドンなどのビニル系合成高分子、ポリアクリルアミドやポリアクリル酸などのアクリル系合成高分子、ポリエチレンオキシドなどの合成高分子、ポリ酢酸ビニル部分けん化物などのランダム系合成高分子、ポリ（スチレン−エチレンオキシド）などのブロック系合成高分子、ポリ（エチレン−ビニルアルコール）−ｇ−（エチレンオキシド）などのグラフト系合成高分子などを用いることができる。
【００２５】
次に、図１（ｄ）に示すように、水溶性膜１３に対して、第２樹脂膜１４を積層形成する。これにより、第１樹脂膜１２、水溶性膜１３および第２樹脂膜１４からなる多層膜１５が半導体チップ１１の上に形成されることとなる。第２樹脂膜１４の形成においては、フィルム状のものを、水溶性膜１３に対して載置し、貼り付ける、あるいは、液状のものを、スピンコートにより水溶性膜１３の表面に塗布してもよい。第２樹脂膜１４を形成するための樹脂組成物としては、アクリル系樹脂などを用いることができる。アクリル系樹脂としては、ポリメタアクリレート樹脂などが挙げられる。第２樹脂膜１４の厚さは、３０μｍ〜７０μｍが好ましい。
【００２６】
第１および第２樹脂膜１２，１４に感光性を付与する場合には、第１および第２樹脂膜１２，１４を形成するための樹脂組成物に対してアクリルモノマーおよび光重合開始剤を添加する。ただし、アクリルモノマーに代えて又はこれと共にビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物などのオリゴマーを用いることもできる。第１および第２樹脂膜１２，１４を形成するための樹脂組成物において、アクリルモノマーの含有率は、１〜５０ｗｔ％が好ましい。また、光重合開始剤の含有率は、０．１〜４ｗｔ％が好ましい。
【００２７】
第２樹脂膜１４を形成するための樹脂組成物には、更に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を添加してもよい。
【００２８】
第２樹脂膜１４を形成後、図１（ｅ）に示すように、多層膜１５に対して、各電極１１ａに対応する箇所に開口部１５ａを形成する。開口部１５ａの形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどを用いることができる。感光性を有する第１および第２樹脂膜１２，１４を形成した場合には、開口部１５ａの形成にはフォトリソグラフィを採用することができる。電極へのダメージを抑制するという観点からは、フォトリソグラフィを採用するのが好ましい。フォトリソグラフィを採用する場合には、第１および第２樹脂膜１２，１４に対して、所定のフォトマスク（図示せず）を介しての露光処理およびその後の現像処理を施すことにより、各電極１１ａが露出するように開口部１５ａを形成する。現像液としては、水溶性膜１３における開口部１５ａの形成位置に該当する部分を分解あるいは溶解し、除去するために水分を含むものが好ましく、１．０％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液などのアルカリ系水溶液などを用いることができる。
【００２９】
次に、図２（ａ）に示すように、開口部１５ａにハンダペースト１６を充填する。ハンダペースト１６の充填は、スキージ（図示略）を用いた印刷法により行う。スキージは、多層膜１５に損傷を与えることを回避ないし軽減するため、ウレタンゴムスキージを用いる。開口部１５ａに対して所定量のハンダペースト１６を確実に充填するためには、スキージによるスキージングは２回以上行うのが望ましい。なお、ウレタンゴムスキージの硬度は、ＪＩＳＫ６２５３に準じた方法で測定した場合において、５０〜８０度が好ましい。
【００３０】
ハンダペースト１６は、ハンダ粉末と、これをペースト化するためのフラックスと、樹脂分とからなる。ハンダ粉末は、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金を粉末化したものである。ハンダペースト１６におけるハンダ粉末の含有率は、３０〜７０体積％または８０〜９５ｗｔ％とする。３０体積％未満または８０ｗｔ％未満では、電極間を適切に接続することが困難となる傾向にある。７０体積％または９５ｗｔ％より多いと、ハンダペースト１６の粘度が過剰に高くなり、開口部１５ａへの充填が困難となる。樹脂分については、後の加熱処理においてハンダ粉末を溶融させ一体化させるとともに、ハンダ粉末が溶融した後に第１樹脂膜１２と一体化するように組成を制御する。たとえば、第１樹脂膜１２にエポキシ系樹脂を使用した場合は、樹脂分としてエポキシ樹脂が好ましい。フラックスとしては、ロジン、活性剤、チクソ剤、溶剤などを含んだものを用いることができる。
【００３１】
ハンダペースト１６の充填の後、図２（ｂ）に示すように、加熱処理を経てバンプ１７を形成する。具体的には、まず、加熱により開口部１５ａに充填されているハンダペースト１６を溶融させる。これにより、ハンダペースト１６に含まれているフラックスが揮発消失するとともに、ハンダ粉末が溶融して寄り集まる。このハンダ粉末が溶融して寄り集まる際、ハンダペースト１６中の樹脂分は形成されるバンプ１７外に押し出される。この押し出された樹脂分は、開口部１５ａにおける基材の露出部分を覆うように、第１樹脂膜１２と基材上で一体化する。
【００３２】
バンプ１７の形成後、図２（ｃ）に示すように、第２樹脂膜１４および水溶性膜１３を除去する。具体的には、剥離液であるアルカリ系水溶液を作用させることによって、第２樹脂膜１４および水溶性膜１３を除去する。水を含むアルカリ系水溶液を作用させると、水溶性膜１３は分解ないし溶解することによって、第１樹脂膜１２上から消失する。また、第２樹脂膜１４は、水溶性膜１３が消失することによって、第１樹脂膜１２から容易に剥離することとなる。アルカリ系水溶液としては、モノエタノールアミン水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液などの有機アルカリ剥離液や水酸化ナトリウム水溶液などの強アルカリ剥離液などを用いることができる。このとき、第１樹脂膜１２０に対するダメージを適切に回避するためには、ｐＨ１２以下のアルカリ系水溶液を使用するのが望ましい。
【００３３】
以上の一連の工程において、第１樹脂膜１２と第２樹脂膜１４との間に水溶性膜１３を設けたことで、バンプ１７を形成する際の加熱処理により多層膜１５に熱がかかっても、第１樹脂膜１２と第２樹脂膜１４との間に水溶性膜１３を設けたことにより、第１樹脂膜１２と第２樹脂膜１４とが直接的に密着することを防ぐとともに、たとえばアルカリ系水溶液を作用させると、第２樹脂膜１４は、第１樹脂膜１２から容易に剥離することができる。したがって、第２樹脂膜１４を除去する際に、第１樹脂膜１２に与える影響を抑制できるので、第１樹脂膜１２の膜厚を高精度に制御することがより容易になり、バンプ１７が第１樹脂膜１２の表面からの高さにおけるバラツキを抑制できるので、良好な接続信頼性を得ることができる。また、第２樹脂膜１４が開口部１５ａにハンダペースト１６を供給する際にマスクとしての役割を果たす。そのため、ハンダペースト１６を開口部１５ａに供給する際にメタルマスクを用いる必要がなくなり、それにともないメタルマスクの開口部と電極部１１ａとの位置合わせも必要なくなる。したがって、特に電極の配設ピッチが２００μｍ以下のような挟ピッチないし高密度で配線パターンが形成されている場合でも、良好な接合信頼性を得ることが可能となる。さらに、開口部１５ａを形成する際、多層膜１５を構成する第１樹脂膜１２、水溶性膜１３および第２樹脂膜１４に対して、１つの工程で開口部１５ａが形成される。これにより、たとえば各層ごとに開口部を形成する必要がある方法に比べ、工程数を低減することが可能となり、作業効率が改善される。
【００３４】
図３は、バンプ電極付き電子部品の製造における図１に続く別の工程を表す。バンプ１７を形成するためのバンプ形成材料としては、図２（ａ）に示すハンダペースト１６に代えて、図３に示すようにハンダボール２６を使用することもできる。
【００３５】
具体的には、まず、図３（ａ）に示すように、開口部１５ａ内にハンダボール２６を載置する。ハンダボール２６は、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金を球形化したものである。なお、ハンダボール２６を載置する前に、開口部１５ａにて露出する電極部１１ａに対して、フラックスを塗布してもよい。次に、図３（ｂ）に示すように、加熱処理を経てバンプ１７を形成する。具体的には、ハンダボール２６を、加熱により一旦溶融させることによって、電極パッド１１ａに対して機械的かつ電気的に接続させる。次に、図３（ｃ）に示すように、図２（ｃ）を参照して上述したのと同様に、アルカリ系水溶液を作用させることによって、第２樹脂膜１４および水溶性膜１３を除去する。以上の手法によっても、バンプ１７を形成してバンプ電極付き電子部品を製造することができる。
【００３６】
図４は、バンプ電極付き電子部品の製造における図１に続く別の工程を表す。バンプ部１７を形成するためのバンプ形成材料としては、ハンダペースト１６やハンダボール２６に代えて、図４に示すように溶融ハンダ３６を使用することもできる。
【００３７】
具体的には、まず、図４（ａ）に示すように、加熱下において、開口部１５ａ内に溶融ハンダ３６を充填する。溶融ハンダ３６は、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金を加熱溶融したものである。溶融ハンダ３６の供給は、図１（ｅ）の状態の電子部品を溶融ハンダ浴に浸漬するか、あるいは、印刷法により達成することができる。次に、図４（ｂ）に示すように、冷却によって、電極パッド１１ａ上にバンプ部１７を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、図２（ｃ）を参照して上述したのと同様に、アルカリ系水溶液を作用させることによって、第２樹脂膜１４および水溶性膜１３を除去する。以上の手法によっても、バンプ１７を形成してバンプ電極付き電子部品を製造することができる。また、バンプ１７は、以上の手法に代えて、多層膜１５の開口部１５ａを利用した無電解めっき法により形成してもよい。
【００３８】
図５は、本発明の第２の実施形態に係るバンプ電極付き電子部品の製造方法の一連の工程を表す。この図５において、先に説明した第１の実施形態と同一の工程については、同一の符号を付してあり、重複説明は省略するものとする。
【００３９】
図５（ａ）に示したように、半導体チップ１１と、第１樹脂膜４２、第２樹脂膜４４、およびこれらの間に介在する水溶性膜４３よりなる積層構造を備えたフィルム状の多層膜４５とを用意する。この多層膜４５は、たとえばフィルム状の第１樹脂膜４２に対して、フィルム状の水溶性膜４３を介して、フィルム状の第２樹脂膜４５を貼り合わせることによって形成される。次に、図５（ｂ）に示すように、半導体チップ１１に対して、多層膜４５を第１樹脂膜４２側の面で電極１１ａを覆うように貼り付ける。
【００４０】
次に、図５（ｃ）に示すように、多層膜４５に対して、各電極１１ａに対応する箇所に開口部４５ａを形成する。次いで、図５（ｄ）に示すように、開口部４５ａにハンダペースト１６を充填する。ハンダペースト１６の充填の後、図５（ｅ）に示すように、加熱処理を経てバンプ１７を形成する。バンプ１７の形成後、図５（ｆ）に示すように、図２（ｃ）を参照して上述したのと同様に、アルカリ系水溶液を作用させることによって、第２樹脂膜４４および水溶性膜４３を除去する。
【００４１】
以上の一連の工程において、第１樹脂膜４２、第２樹脂膜４４、およびこれらの間に介在する水溶性膜４３よりなる積層構造を備えたフィルム状の多層膜４５を用いて、バンプ電極付き電子部品の製造を行う。これにより、工程数をさらに低減することが可能となる。
【００４２】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００４３】
【実施例１】
エポキシアクリレート樹脂フィルム（膜厚３０μｍ、商品名：ＰＦＲ−８００、太陽インキ製）を配線基板（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ）に対して電極を覆うように、ラミネーター（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて第１樹脂膜を形成した。次いで、アミロースフィルム（膜厚３μｍ）を第１樹脂膜に積層するように３０℃の温度下で貼り付けて水溶性膜を形成した。次いで、アクリレート系フィルム（膜厚５０μｍ、商品名：ＮＩＴ−２５０、ニチゴーモートン製）を水溶性膜に積層するように、ラミネーター（（株）エム・シー・ケー製）を用いて１００℃の加熱下で貼り付けて第２樹脂膜を形成した。次に、第１樹脂膜、水溶性膜および第２樹脂膜からなる多層膜に対し、ガラスマスクを用いての露光処理および現像を施して、電極が露出するように直径１２５μｍの開口部を形成した。現像は、１．０％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて行った。次に、この開口部に対して、スクリーン印刷法により、ハンダペーストを充填した。本実施例のハンダペーストは、エポキシ系樹脂、ロジン、活性剤、溶剤、チクソ剤からなる樹脂分１０重量部と、粒径２５μｍ以下のハンダ粉末（Ｓｎ−３．５％Ａｇハンダ）９０重量部とからなり、ハンダ粉末の体積比率は約５４ｖｏｌ％である。次に、最高温度２４０℃の加熱処理を経ることによって、各開口部においてハンダペーストからバンプ部を形成した。次に、アルカリ系水溶液としての５％のモノエタノールアミン水溶液を用いて、アミロースフィルムを分解あるいは溶解し、アクリレート系フィルムとともに除去した。次に、１７０℃で１時間の熱処理を経ることによって、エポキシアクリレート樹脂フィルムを硬化した。以上の工程を経た結果、第１樹脂膜からの高さが９０μｍであって、高さのバラツキが１．５μｍのバンプ部によるバンプ電極を有する配線基板を得ることができた。ここで、高さのバラツキが１．５μｍとは、平均高さに対して±１．５μｍのバラツキがあることをいう。
【００４４】
【実施例２】
エポキシアクリレート樹脂フィルム（膜厚３０μｍ、商品名：ＰＦＲ−８００、太陽インキ製）を配線基板（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ）に対して電極を覆うように、ラミネーター（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて第１樹脂膜を形成した。次いで、アミロースフィルム（膜厚３μｍ）を第１樹脂膜に積層するように３０℃の温度下で貼り付けて水溶性膜を形成した。次いで、アクリレート系フィルム（膜厚５０μｍ、商品名：ＮＩＴ−２５０、ニチゴーモートン製）を水溶性膜に積層するように、ラミネーター（（株）エム・シー・ケー製）を用いて１００℃の加熱下で貼り付けて第２樹脂膜を形成した。次に、第１樹脂膜、水溶性膜および第２樹脂膜からなる多層膜に対し、ガラスマスクを用いての露光処理および現像を施して、電極が露出するように直径１２５μｍの開口部を形成した。現像は、１．０％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて行った。次に、この開口部に対して、溶融ハンダの充填は、多層膜に開口部を形成した配線基板を２６０℃に加熱した溶融ハンダ浴に浸漬することにより行った。次に、充填された溶融ハンダを３０℃で１分間冷却し、電極上にバンプ部を形成した。次に、アルカリ系水溶液としての５％のモノエタノールアミン水溶液を用いて、アミロースフィルムを分解あるいは溶解し、アクリレート系フィルムとともに除去した。次に、１７０℃で１時間の熱処理を経ることによって、エポキシアクリレート樹脂フィルムを硬化した。以上の工程を経た結果、第１樹脂膜からの高さが９１μｍであって、高さのバラツキが１．５μｍのバンプ部によるバンプ電極を有する配線基板を得ることができた。
【００４５】
【実施例３】
エポキシアクリレート樹脂フィルム（膜厚３０μｍ、商品名：ＰＦＲ−８００、太陽インキ製）を配線基板（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ）に対して電極を覆うように、ラミネーター（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて第１樹脂膜を形成した。次いで、アミロースフィルム（膜厚３μｍ）を第１樹脂膜に積層するように３０℃の温度下で貼り付けて水溶性膜を形成した。次いで、アクリレート系フィルム（膜厚５０μｍ、商品名：ＮＩＴ−２５０、ニチゴーモートン製）を水溶性膜に積層するように、ラミネーター（（株）エム・シー・ケー製）を用いて１００℃の加熱下で貼り付けて第２樹脂膜を形成した。次に、第１樹脂膜、水溶性膜および第２樹脂膜からなる多層膜に対し、ガラスマスクを用いての露光処理および現像を施して、電極が露出するように直径１２５μｍの開口部を形成した。現像は、１．０％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて行った。次に、この開口部にて露出する電極に対して、フラックスを塗布した。次に、フラックスが塗布された各電極上に直径１００μｍのハンダボール（Ｓｎ−３．５％Ａｇハンダ）を載置した。次に、最高温度２４０℃の加熱処理を経ることによって、各開口部においてハンダボールからバンプ部を形成した。次に、アルカリ系水溶液としての５％のモノエタノールアミン水溶液を用いて、アミロースフィルムを分解あるいは溶解し、アクリレート系フィルムとともに除去した。次に、１７０℃で１時間の熱処理を経ることによって、エポキシアクリレート樹脂フィルムを硬化した。以上の工程を経た結果、第１樹脂膜からの高さが９１μｍであって、高さのバラツキが１．５μｍのバンプ部によるバンプ電極を有する配線基板を得ることができた。
【００４６】
【実施例４】
＜多層膜の作製＞
第１樹脂膜であるエポキシアクリレート樹脂フィルム（膜厚３０μｍ、商品名：ＰＦＲ−８００、太陽インキ製）に対して、水溶性膜であるアミロースフィルム（膜厚３μｍ）を介して、第２樹脂膜であるアクリレート系フィルム（膜厚５０μｍ、商品名：ＮＩＴ−２５０、ニチゴーモートン製）を貼り合わせることにより多層膜を作製した。
【００４７】
＜バンプ電極付き配線基板の作製＞
配線基板（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ）に対して、多層膜のエポキシアクリレート樹脂フィルム側の面で電極を覆うように、ラミネーター（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８５℃の加熱下で貼り付けて多層膜を配線基板上に形成した。次に、多層膜に対し、ガラスマスクを用いての露光処理および現像を施して、電極が露出するように直径１２５μｍの開口部を形成した。現像は、１．０％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて行った。次に、この開口部に対して、スクリーン印刷法により、ハンダペーストを充填した。本実施例のハンダペーストは、エポキシ系樹脂、ロジン、活性剤、溶剤、チクソ剤からなる樹脂分１０重量部と、粒径２５μｍ以下のハンダ粉末（Ｓｎ−３．５％Ａｇハンダ）９０重量部とからなり、ハンダ粉末の体積比率は約５４ｖｏｌ％である。次に、最高温度２４０℃の加熱処理を経ることによって、各開口部においてハンダペーストからバンプ部を形成した。次に、アルカリ系水溶液としての５％のモノエタノールアミン水溶液を用いて、アミロースフィルムを分解あるいは溶解し、アクリレート系フィルムとともに除去した。次に、１７０℃で１時間の熱処理を経ることによって、エポキシアクリレート樹脂フィルムを硬化した。以上の工程を経た結果、第１樹脂膜からの高さが９０μｍであって、高さのバラツキが１．５μｍのバンプ部によるバンプ電極を有する配線基板を得ることができた。
【００４８】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００４９】
（付記１）第１樹脂膜、第２樹脂膜、および、これら両樹脂膜の間の水溶性膜よりなる多層膜を前記第１樹脂膜にて基材の電極部形成面に積層した構造を有する多層膜積層基材に対して、前記電極部が露出するように前記多層膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部に、バンプ部を形成する工程と、
前記水溶性膜および前記第２樹脂膜を同時に除去する除去工程と、を含む、バンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記２）前記多層膜積層基材は、前記基材に対して、前記電極部を覆うように前記第１樹脂膜を形成する工程と、
前記第１樹脂膜に積層するように前記水溶性膜を形成する工程と、
前記水溶性膜に積層するように前記第２樹脂膜を形成する工程と、を経て形成される、付記１に記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記３）前記多層膜積層基材は、前記多層膜を別途形成した後、前記電極部を覆うように前記第１樹脂膜を介して前記基材に貼り合わせることにより形成される、付記１に記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記４）前記除去工程は、アルカリ系水溶液を用いて前記水溶性膜を分解ないし溶解することにより、前記水溶性膜および前記第２樹脂膜を同時に除去する、付記１〜３のいずれか１つに記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記５）前記水溶性膜は、ゼラチン、デンプン、タンパク質、デンプン誘導体、繊維素誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキシド、ポリ酢酸ビニル部分けん化物、ポリ（スチレン−ビニルアルコール）−ｇ−（エチレンオキシド）からなる群より選択される水溶性高分子により構成されている、付記１〜４のいずれか１つに記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記６）前記第１樹脂膜および前記第２樹脂膜は、感光性樹脂膜である、付記１〜５のいずれか１つに記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記７）前記バンプ部を形成する工程は、
前記開口部にハンダペーストを供給する工程と、
加熱処理を経ることによって、前記ハンダペーストからバンプ部を形成する工程と、を含む、付記１〜６のいずれか１つに記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記８）前記ハンダペーストの供給は、スキージを用いた印刷法で行い、かつ前記スキージによるスキージングは２回以上行う、付記７に記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記９）前記ハンダペーストは、ハンダ粉末と、エポキシ樹脂を含む樹脂分とを含み、前記第１樹脂膜は、エポキシ樹脂を含んでいる、付記７または８に記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記１０）前記バンプ部を形成する工程は、
前記開口部に前記溶融ハンダを供給する工程と、
前記溶融ハンダを冷却してバンプ部を形成する工程と、を含む、付記１〜６のいずれか１つに記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記１１）前記バンプ部を形成する工程は、
前記開口部に前記ハンダボールを供給する工程と、
加熱処理を経ることによって、前記ハンダボールからバンプ部を形成する工程と、を含む、付記１〜６のいずれか１つに記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
（付記１２）前記バンプ部を形成する工程は、
めっき法により、前記開口部にハンダ材料を堆積させる工程と、
加熱処理を経ることによって、前記ハンダ材料からバンプ部を形成する工程と、を含む、付記１〜６のいずれか１つに記載のバンプ電極付き電子部品の製造方法。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によると、機能性保護膜として残す第１樹脂膜の膜厚を制御することができた。そのため、第１樹脂膜の表面からのバンプの高さのバラツキを抑制することができた。したがって、良好な接続信頼性を得ることができた。また、より少ない工程数でバンプ電極付き電子部品を製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るバンプ電極付き電子部品の製造方法における一部の工程を表す断面図である。
【図２】図１に続く工程を表す断面図である。
【図３】図１に続く別の工程を表す断面図である。
【図４】図１に続く別の工程を表す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るバンプ電極付き電子部品の製造方法における一連の工程を表す断面図である。
【図６】従来のバンプ電極付き電子部品の製造方法における一連の工程を表す断面図である。
【符号の説明】
１基材
２配線パターン
３第１ソルダレジスト層
３ａ第１開口部
３ｂ第１ソルダレジスト層の表面
４第２ソルダレジスト層
５ハンダペースト
１１半導体チップ（基材）
１１ａ電極（電極部）
１２，４２第１樹脂膜
１３，４３水溶性膜
１４，４４第２樹脂膜
１５，４５多層膜
１５ａ，４５ａ開口部
１６ハンダペースト
１７ハンダバンプ（バンプ部）
２６ハンダボール
３６溶融ハンダ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component with bump electrodes. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing an electronic component such as a semiconductor chip having a bump electrode or a printed board.
[0002]
[Prior art]
In recent years, regarding the mounting of electronic components on a printed wiring board, a ceramic substrate, etc., there is an increasing demand for higher density, and for semiconductor chips, a bare chip mounting method is attracting attention as a method that satisfies such requirements. In bare chip mounting, the face achieved by interposing bumps between the electrode pads of the semiconductor chip and the wiring board instead of the conventional face-up mounting in which the electrical connection between the semiconductor chip and the substrate wiring is achieved through wire bonding. Down-mounting or flip chip bonding tends to be employed. In face-down mounting, bump electrodes are previously formed on the mounting surfaces of the semiconductor chip and the wiring board before mounting in order to interpose bumps between the semiconductor chip and the electrode pads of the wiring board.
[0003]
As a conventional method for manufacturing a semiconductor chip with bump electrodes, for example, a manufacturing method as shown in FIG. 6 is disclosed (for example, see Patent Document 1). In this method, first, as shown in FIG. 6A, a wiring pattern 2 is formed on a surface of a base material 1 in a semiconductor chip by using a copper paste by a screen printing method. Next, as shown in FIG. 6B, a first solder resist layer 3 is further laminated on the substrate 1. The first solder resist layer 3 is formed by supplying a liquid first solder resist forming material from above the wiring pattern 2 and forming a film. The first solder resist layer 3 has photosensitivity. Next, as shown in FIG. 6C, a first opening 3a is formed at a position where a bump of the first solder resist layer 3 is to be formed by photoetching.
[0004]
Next, as shown in FIG. 6D, the second solder resist layer 4 is formed on the base material shown in FIG. The second solder resist layer 4 has photosensitivity and is formed by laminating a sheet-like dry film with a laminator. Next, as shown in FIG. 6E, the second opening 4a is formed on the first opening 3a at the position where the bumps in the second solder resist layer 4 are to be formed, that is, by photoetching. The first opening 3a and the second opening 4a communicate with each other. Next, as shown in FIG. 6F, a solder paste 5 containing a predetermined solder powder is supplied to the first opening 3a and the second opening 4a by a printing method. Next, as shown in FIG. 6G, a solder bump 6 is formed by performing a heat treatment for once melting the solder powder in the solder paste 5. Next, as shown in FIG. 6H, an etching process is performed in which the base material is immersed in a predetermined solution to remove only the second solder resist layer 4.
[0005]
As another method for manufacturing a semiconductor chip with bump electrodes, a process of sequentially laminating a resin film and a resist film on a semiconductor substrate, patterning the resist film, and forming a bump on the resin film using the resist film as a mask And a step of removing the metal film on the resist film from the substrate by dissolving the resist film by a lift-off method after coating the bump forming metal film. (For example, refer to Patent Document 2).
[0006]
[Patent Document 1]
JP 7-273439 A (page 3-4, FIG. 1-8)
[Patent Document 2]
JP 7-122559 A (page 2-3, FIG. 1)
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to Patent Document 1, since the removal process of removing the second solder resist layer 4 is performed after the heat treatment, the adhesion between the first solder resist layer 3 and the second solder resist layer 4 is performed in the heat treatment stage. When the second solder resist layer 4 is removed in the removing step, it becomes difficult to remove the first solder resist layer 3 without affecting the first solder resist layer 3. Specifically, when the second solder resist layer 4 is removed by wet etching, a part of the first solder resist layer 3 is also dissolved and removed. Therefore, it is difficult to control the thickness of the first solder resist layer 3 that is finally left. Therefore, the amount of solder bumps 6 formed in the first opening 3a protruding from the surface 3b of the first solder resist layer 3 varies, so that the mounting height (for example, the connection height between the substrate and the semiconductor chip) is increased. There may be a problem caused by the variation (for example, a decrease in connection reliability).
[0008]
Patent Document 2 discloses a method of forming an opening for forming a bump in a resin film using a resist film as a mask, and a method of removing a metal film on the resist film by dissolving the resist film. However, a process for reducing the film thickness of the resin film remaining after removing the resist film is necessary. In addition, in the method for reducing the film thickness disclosed in this publication, the thickness of the film can be controlled. Difficult and has problems similar to those described above.
[0009]
Further, in addition to the method using the second solder resist layer 4 or the resist film as a mask, a method using a metal mask can be given. In this method, when the metal mask is placed on a resin film or the like, it is necessary to align the opening of the metal mask and the electrode, and it is difficult to properly align the electrode as the arrangement pitch of the electrode is reduced. It becomes. In particular, when the arrangement pitch of the electrodes is 200 μm or less, the degree of displacement that occurs when the metal mask is placed is relatively extremely large. That is, when the electrodes are formed with a narrow pitch or high density, it is difficult to obtain good bonding reliability.
[0010]
The present invention has been conceived under such circumstances, and a bump electrode capable of appropriately controlling the formation position of the bump and controlling the film thickness of the film remaining as the functional protective film with high accuracy. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an attached electronic component.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In the method for manufacturing an electronic component with bump electrodes provided by the present invention, a multilayer film composed of a first resin film, a second resin film, and a water-soluble film between the two resin films is formed by the first resin film. A step of forming an opening in the multilayer film so that the electrode part is exposed to a multilayer film laminated base material having a structure laminated on an electrode part forming surface of the base material, and a bump part in the opening part And a removing step of removing the water-soluble film and the second resin film.
[0012]
According to the manufacturing method including such a process, for example, even when heat is applied to the multilayer film in order to perform the heat treatment when forming the bump portion, the water-soluble film is interposed between the first resin film and the second resin film. By providing, it is possible to prevent the first resin film and the second resin film from directly contacting each other. Therefore, when the first resin film is left on the substrate as a functional protective film, for example, when a solution containing water or alcohol is allowed to act on the water-soluble film, the water-soluble film is decomposed or dissolved, whereby the first resin Since it disappears from the film, the second resin film can be easily peeled off from the first resin film. Thereby, when the second resin film is removed, the influence on the first resin film can be suppressed, so that it is easier to control the film thickness of the first resin film with high accuracy. Therefore, by controlling the film thickness of the functional protective film with high accuracy, it is possible to suppress the variation in the height of the bump portion from the surface of the functional protective film, so that good connection reliability can be obtained.
[0013]
Further, since the second resin film serves as a mask when supplying a material for forming a bump in the opening, it is not necessary to use a metal mask when supplying the bump forming material to the opening, for example. For this reason, as the wiring pattern arrangement pitch decreases, it becomes unnecessary to align the opening of the metal mask and the wiring pattern, which are difficult to align properly, and to the bump formation position caused by the displacement of the metal mask. The influence of is suppressed. Therefore, it is possible to obtain good bonding reliability even when the wiring pattern is formed with a sandwiching pitch or a high density such that the electrode arrangement pitch is 200 μm or less.
[0014]
Preferably, the multilayer film laminated substrate has a step of forming a first resin film on the substrate so as to cover the electrode portion, a step of forming a water-soluble film so as to be laminated on the first resin film, Forming a second resin film so as to be laminated on the water-soluble film.
[0015]
Alternatively, the multilayer film laminated substrate may be formed by attaching the multilayer film separately to the substrate via the first resin film so as to cover the electrode portion.
[0016]
Preferably, the removing step simultaneously removes the water-soluble film and the second resin film by decomposing or dissolving the water-soluble film using an alkaline aqueous solution. Thereby, in addition to the peeling removal of the second resin film by the alkaline aqueous solution which is a stripping solution, the water component in the alkaline aqueous solution acts on the water-soluble film, whereby the water-soluble film is decomposed or dissolved. Therefore, the second resin film can be more easily separated from the first resin film. Therefore, since the influence on the first resin film can be suppressed when the second resin film is removed, the film thickness of the first resin film can be substantially maintained at the time of forming the first resin film. In addition, since it is not necessary to further reduce the thickness of the first resin film by removing the second resin film, it is easy to control the thickness of the functional protective film. Therefore, since the bump part can suppress the variation in the height from the surface of the functional protective film, good connection reliability can be obtained. The water-soluble film is gelatin, starch, protein, starch derivative, fiber derivative, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyacrylamide, polyacrylic acid, polyethylene oxide, polyvinyl acetate partial saponified product, poly (styrene-vinyl alcohol). It is preferably composed of a water-soluble polymer selected from the group consisting of -g- (ethylene oxide).
[0017]
In a preferred embodiment, the first resin film and the second resin film are photosensitive resin films. This makes it possible to form the opening in the multilayer film by photolithography. Photolithography can suppress damage to electrodes as compared with a UV-YAG laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser, and the like. In addition, by using a solution containing water or alcohol as a developing solution used in the development processing in photolithography, the water-soluble film at the opening formation position of the first and second resin films is also the first. It can be removed together with the removal of the second resin film.
[0018]
In a preferred embodiment, the step of forming the bump portion includes a step of supplying a solder paste to the opening, and a step of forming the bump portion from the solder paste through a heat treatment. In this case, it is preferable to supply the solder paste by a printing method using a squeegee and to perform squeegeeing by the squeegee twice or more. Moreover, it is more preferable that the solder paste contains solder powder and a resin component containing an epoxy resin, and the first resin film contains an epoxy resin.
[0019]
When forming solder bumps by heat-treating a solder paste containing an epoxy resin, the epoxy resin is pushed out of the solder bumps from the molten solder gathered together to form the solder bumps. This epoxy resin is integrated on the substrate with the first resin film containing the epoxy resin so as to cover the exposed portion of the substrate in the opening. Therefore, a film corresponding to the functional protective film is formed in the portion where the first resin film is removed and the base material is exposed by forming the opening, and the bonding reliability is further improved.
[0020]
The step of forming the bump portion may include a step of supplying molten solder to the opening and a step of cooling the molten solder to form the bump portion instead of the above. Instead of this, the step of forming the bump portion may include a step of supplying a solder ball to the opening and a step of forming the bump portion from the solder ball through heat treatment. Alternatively, the step of forming the bump portion may include a step of depositing a solder material in the opening by a plating method and a step of forming the bump portion from the solder material by performing a heat treatment. .
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1 and 2 show a series of steps of a method for manufacturing an electronic component with bump electrodes according to the first embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1A, a semiconductor chip 11 having an electrode 11a on the surface is prepared. Next, as shown in FIG. 1B, a first resin film 12 is laminated on the semiconductor chip 11 so as to cover the electrode 11a. In forming the first resin film 12, a laminator or the like is used to place a film-like resin composition on the semiconductor chip 11, and then pressure bonded while heating at 50 to 140 ° C. Alternatively, the liquid resin composition may be applied to the surface of the semiconductor chip 11 by spin coating and dried. As the resin composition for forming the first resin film 12, an epoxy resin or the like can be used. Examples of the epoxy resin include epoxy acrylate. The film thickness of the first resin film is determined based on the electrode pitch of the semiconductor chip 11, the electrode size, and the connection height estimated from the viewpoint of bonding reliability, and is preferably 5 μm to 50 μm. In addition, when preparing a film-form resin composition, it is easy to control the film thickness of a 1st resin film previously.
[0022]
Next, as shown in FIG. 1C, a water-soluble film 13 is laminated on the first resin film 12. In the formation of the water-soluble film 13, a film-like material may be placed on and adhered to the semiconductor chip 11, or a liquid material may be applied to the surface of the semiconductor chip 11 by spin coating.
[0023]
The material for forming the water-soluble film 13 includes a water-soluble polymer, and is formed into a film or liquid. The thickness of the water-soluble film 13 is preferably 1 μm to 5 μm.
[0024]
Water-soluble polymers include natural polymers such as gelatin, starch and protein, semi-synthetic polymers such as starch derivatives and cellulose derivatives, vinyl-based synthetic polymers such as polyvinyl alcohol and polyvinylpyrrolidone, polyacrylamide and polyacrylic acid Acrylic synthetic polymers such as polyethylene oxide, synthetic polymers such as polyethylene oxide, random synthetic polymers such as polyvinyl acetate partially saponified products, block synthetic polymers such as poly (styrene-ethylene oxide), poly (ethylene-vinyl alcohol) Graft-based synthetic polymers such as) -g- (ethylene oxide) can be used.
[0025]
Next, as shown in FIG. 1D, the second resin film 14 is laminated on the water-soluble film 13. As a result, a multilayer film 15 composed of the first resin film 12, the water-soluble film 13 and the second resin film 14 is formed on the semiconductor chip 11. In forming the second resin film 14, a film-like material is placed on and attached to the water-soluble film 13, or a liquid material is applied to the surface of the water-soluble film 13 by spin coating. Also good. As the resin composition for forming the second resin film 14, an acrylic resin or the like can be used. Examples of acrylic resins include polymethacrylate resins. The thickness of the second resin film 14 is preferably 30 μm to 70 μm.
[0026]
When imparting photosensitivity to the first and second resin films 12 and 14, an acrylic monomer and a photopolymerization initiator are added to the resin composition for forming the first and second resin films 12 and 14. To do. However, an oligomer such as a bisphenol A-diepoxy-acrylic acid adduct can be used instead of or together with the acrylic monomer. In the resin composition for forming the first and second resin films 12, 14, the acrylic monomer content is preferably 1 to 50 wt%. The content of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 4 wt%.
[0027]
A thermosetting resin such as an epoxy resin may be further added to the resin composition for forming the second resin film 14.
[0028]
After forming the second resin film 14, as shown in FIG. 1E, openings 15 a are formed in the multilayer film 15 at locations corresponding to the respective electrodes 11 a. For the formation of the opening 15a, a UV-YAG laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser, or the like can be used. In the case where the first and second resin films 12 and 14 having photosensitivity are formed, photolithography can be employed to form the opening 15a. From the viewpoint of suppressing damage to the electrodes, it is preferable to employ photolithography. When adopting photolithography, the first and second resin films 12 and 14 are subjected to exposure processing through a predetermined photomask (not shown) and subsequent development processing, whereby each electrode is obtained. Opening 15a is formed so that 11a is exposed. The developer preferably contains water in order to decompose or dissolve and remove the portion corresponding to the position where the opening 15a is formed in the water-soluble film 13, and an alkali such as a 1.0% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. An aqueous system solution or the like can be used.
[0029]
Next, as shown in FIG. 2A, the solder paste 16 is filled in the opening 15a. The solder paste 16 is filled by a printing method using a squeegee (not shown). As the squeegee, a urethane rubber squeegee is used in order to avoid or reduce damage to the multilayer film 15. In order to reliably fill the opening 15a with a predetermined amount of the solder paste 16, it is desirable to perform squeezing with a squeegee twice or more. The hardness of the urethane rubber squeegee is preferably 50 to 80 degrees when measured by a method according to JIS K6253.
[0030]
The solder paste 16 is composed of solder powder, a flux for making the paste, and a resin component. Solder powder is powdered from a single metal selected from Sn, Pb, Ag, Cu, In, Bi, Zn, Sb, Ni, Al, Au, or an alloy composed of a plurality of single metals selected from these. It is a thing. The content rate of the solder powder in the solder paste 16 is 30 to 70% by volume or 80 to 95% by weight. If it is less than 30% by volume or less than 80% by weight, it tends to be difficult to properly connect the electrodes. When it is more than 70% by volume or 95% by weight, the viscosity of the solder paste 16 becomes excessively high, and it becomes difficult to fill the opening 15a. Regarding the resin component, the solder powder is melted and integrated in the subsequent heat treatment, and the composition is controlled so as to be integrated with the first resin film 12 after the solder powder is melted. For example, when an epoxy resin is used for the first resin film 12, an epoxy resin is preferable as the resin component. As the flux, one containing rosin, activator, thixotropic agent, solvent and the like can be used.
[0031]
After the solder paste 16 is filled, bumps 17 are formed through a heat treatment as shown in FIG. Specifically, first, the solder paste 16 filled in the opening 15a is melted by heating. As a result, the flux contained in the solder paste 16 volatilizes and disappears, and the solder powder melts and gathers. When the solder powder melts and gathers, the resin component in the solder paste 16 is pushed out of the bumps 17 to be formed. The extruded resin is integrated on the first resin film 12 and the substrate so as to cover the exposed portion of the substrate in the opening 15a.
[0032]
After the formation of the bumps 17, the second resin film 14 and the water-soluble film 13 are removed as shown in FIG. Specifically, the second resin film 14 and the water-soluble film 13 are removed by applying an alkaline aqueous solution that is a stripping solution. When an alkaline aqueous solution containing water is allowed to act, the water-soluble film 13 disappears from the first resin film 12 by being decomposed or dissolved. Further, the second resin film 14 is easily peeled off from the first resin film 12 when the water-soluble film 13 disappears. As the alkaline aqueous solution, an organic alkali stripping solution such as a monoethanolamine aqueous solution or a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, or a strong alkali stripping solution such as a sodium hydroxide aqueous solution can be used. At this time, in order to appropriately avoid damage to the first resin film 120, it is desirable to use an alkaline aqueous solution having a pH of 12 or less.
[0033]
In the series of steps described above, the water-soluble film 13 is provided between the first resin film 12 and the second resin film 14, so that the multilayer film 15 is heated by the heat treatment when the bumps 17 are formed. In addition, by providing the water-soluble film 13 between the first resin film 12 and the second resin film 14, the first resin film 12 and the second resin film 14 are prevented from being in direct contact with each other, For example, when an alkaline aqueous solution is applied, the second resin film 14 can be easily peeled from the first resin film 12. Therefore, since the influence on the first resin film 12 can be suppressed when the second resin film 14 is removed, it becomes easier to control the film thickness of the first resin film 12 with high accuracy, and the bumps 17 are formed. Since variation in the height from the surface of the first resin film 12 can be suppressed, good connection reliability can be obtained. Further, the second resin film 14 serves as a mask when supplying the solder paste 16 to the opening 15a. Therefore, it is not necessary to use a metal mask when supplying the solder paste 16 to the opening 15a, and accordingly, it is not necessary to align the opening of the metal mask and the electrode portion 11a. Therefore, it is possible to obtain good bonding reliability even when the wiring pattern is formed with a sandwiching pitch or a high density such that the electrode arrangement pitch is 200 μm or less. Furthermore, when forming the opening 15a, the opening 15a is formed in one step for the first resin film 12, the water-soluble film 13 and the second resin film 14 constituting the multilayer film 15. Thereby, for example, the number of steps can be reduced and the working efficiency can be improved as compared with a method in which an opening must be formed for each layer.
[0034]
FIG. 3 shows another process subsequent to FIG. 1 in the manufacture of the electronic component with bump electrodes. As a bump forming material for forming the bump 17, a solder ball 26 can be used as shown in FIG. 3 instead of the solder paste 16 shown in FIG.
[0035]
Specifically, first, as shown in FIG. 3A, the solder ball 26 is placed in the opening 15a. The solder ball 26 is formed of a single metal selected from Sn, Pb, Ag, Cu, In, Bi, Zn, Sb, Ni, Al, Au, or an alloy made of a plurality of single metals selected from these. It has become. In addition, before mounting the solder ball 26, a flux may be applied to the electrode portion 11a exposed at the opening 15a. Next, as shown in FIG. 3B, bumps 17 are formed through heat treatment. Specifically, the solder ball 26 is once melted by heating to be mechanically and electrically connected to the electrode pad 11a. Next, as shown in FIG. 3 (c), the second resin film 14 and the water-soluble film 13 are removed by applying an alkaline aqueous solution in the same manner as described above with reference to FIG. 2 (c). To do. Also by the above method, the bump 17 can be formed and an electronic component with a bump electrode can be manufactured.
[0036]
FIG. 4 shows another process subsequent to FIG. 1 in the manufacture of the electronic component with bump electrodes. As a bump forming material for forming the bump portion 17, instead of the solder paste 16 and the solder ball 26, a molten solder 36 can be used as shown in FIG.
[0037]
Specifically, first, as shown in FIG. 4A, molten solder 36 is filled into the opening 15a under heating. The molten solder 36 heats a single metal selected from Sn, Pb, Ag, Cu, In, Bi, Zn, Sb, Ni, Al, Au, or an alloy made of a plurality of single metals selected from these. It is melted. The supply of the molten solder 36 can be achieved by immersing the electronic component in the state shown in FIG. 1E in a molten solder bath or by a printing method. Next, as shown in FIG. 4B, a bump portion 17 is formed on the electrode pad 11a by cooling. Next, as shown in FIG. 4 (c), the second resin film 14 and the water-soluble film 13 are removed by applying an alkaline aqueous solution in the same manner as described above with reference to FIG. 2 (c). To do. Also by the above method, the bump 17 can be formed and an electronic component with a bump electrode can be manufactured. Further, the bump 17 may be formed by an electroless plating method using the opening 15a of the multilayer film 15 instead of the above method.
[0038]
FIG. 5 shows a series of steps of the method for manufacturing the electronic component with bump electrodes according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same steps as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
[0039]
As shown in FIG. 5A, a film-like multilayer having a laminated structure comprising the semiconductor chip 11, the first resin film 42, the second resin film 44, and the water-soluble film 43 interposed therebetween. A film 45 is prepared. The multilayer film 45 is formed, for example, by attaching a film-like second resin film 45 to a film-like first resin film 42 via a film-like water-soluble film 43. Next, as illustrated in FIG. 5B, the multilayer film 45 is attached to the semiconductor chip 11 so as to cover the electrode 11 a with the surface on the first resin film 42 side.
[0040]
Next, as shown in FIG. 5C, openings 45a are formed in the multilayer film 45 at locations corresponding to the respective electrodes 11a. Next, as shown in FIG. 5D, the solder paste 16 is filled in the opening 45a. After the solder paste 16 is filled, bumps 17 are formed through a heat treatment as shown in FIG. After the formation of the bumps 17, as shown in FIG. 5 (f), the second resin film 44 and the water-soluble film can be obtained by applying an alkaline aqueous solution as described above with reference to FIG. 2 (c). 43 is removed.
[0041]
In the series of steps described above, a bump electrode is provided using a film-like multilayer film 45 having a laminated structure including a first resin film 42, a second resin film 44, and a water-soluble film 43 interposed therebetween. Manufacture electronic components. As a result, the number of steps can be further reduced.
[0042]
【Example】
Next, examples of the present invention will be described.
[0043]
[Example 1]
A laminator (MC Co., Ltd.) was used to cover an electrode with an epoxy acrylate resin film (film thickness: 30 μm, trade name: PFR-800, manufactured by Taiyo Ink) on a wiring board (electrode diameter: 70 μm, electrode pitch: 150 μm). The first resin film was formed by being attached under heating at 80 ° C. Next, an amylose film (film thickness: 3 μm) was attached at a temperature of 30 ° C. so as to be laminated on the first resin film to form a water-soluble film. Next, heating at 100 ° C. using a laminator (manufactured by MC Corporation) so that an acrylate film (film thickness: 50 μm, trade name: NIT-250, manufactured by Nichigo Morton) is laminated on the water-soluble film The second resin film was formed by pasting below. Next, the multilayer film composed of the first resin film, the water-soluble film and the second resin film is subjected to exposure processing and development using a glass mask to form an opening having a diameter of 125 μm so that the electrode is exposed. did. Development was performed using a 1.0% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, this opening was filled with a solder paste by a screen printing method. The solder paste of this example is composed of 10 parts by weight of resin composed of epoxy resin, rosin, activator, solvent and thixotropic agent, and 90 parts by weight of solder powder (Sn-3.5% Ag solder) having a particle size of 25 μm or less. The volume ratio of the solder powder is about 54 vol%. Next, the bump part was formed from the solder paste in each opening part through the heat processing of the maximum temperature of 240 degreeC. Next, the amylose film was decomposed or dissolved using a 5% monoethanolamine aqueous solution as an alkaline aqueous solution and removed together with the acrylate film. Next, the epoxy acrylate resin film was cured by heat treatment at 170 ° C. for 1 hour. As a result of the above steps, it was possible to obtain a wiring board having bump electrodes with bump portions having a height of 90 μm from the first resin film and a height variation of 1.5 μm. Here, the height variation of 1.5 μm means that there is a variation of ± 1.5 μm with respect to the average height.
[0044]
[Example 2]
A laminator (MC Co., Ltd.) was used to cover an electrode with an epoxy acrylate resin film (film thickness: 30 μm, trade name: PFR-800, manufactured by Taiyo Ink) on a wiring board (electrode diameter: 70 μm, electrode pitch: 150 μm). The first resin film was formed by being attached under heating at 80 ° C. Next, an amylose film (film thickness: 3 μm) was attached at a temperature of 30 ° C. so as to be laminated on the first resin film to form a water-soluble film. Next, heating at 100 ° C. using a laminator (manufactured by MC Corporation) so that an acrylate film (film thickness: 50 μm, trade name: NIT-250, manufactured by Nichigo Morton) is laminated on the water-soluble film The second resin film was formed by pasting below. Next, the multilayer film composed of the first resin film, the water-soluble film and the second resin film is subjected to exposure processing and development using a glass mask to form an opening having a diameter of 125 μm so that the electrode is exposed. did. Development was performed using a 1.0% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, the opening was filled with molten solder by immersing a wiring board in which the opening was formed in the multilayer film in a molten solder bath heated to 260 ° C. Next, the filled molten solder was cooled at 30 ° C. for 1 minute to form bumps on the electrodes. Next, the amylose film was decomposed or dissolved using a 5% monoethanolamine aqueous solution as an alkaline aqueous solution and removed together with the acrylate film. Next, the epoxy acrylate resin film was cured by heat treatment at 170 ° C. for 1 hour. As a result of the above steps, it was possible to obtain a wiring board having bump electrodes with bump portions having a height of 91 μm from the first resin film and a height variation of 1.5 μm.
[0045]
[Example 3]
A laminator (MC Co., Ltd.) was used to cover an electrode with an epoxy acrylate resin film (film thickness: 30 μm, trade name: PFR-800, manufactured by Taiyo Ink) on a wiring board (electrode diameter: 70 μm, electrode pitch: 150 μm). The first resin film was formed by being attached under heating at 80 ° C. Next, an amylose film (film thickness: 3 μm) was attached at a temperature of 30 ° C. so as to be laminated on the first resin film to form a water-soluble film. Next, heating at 100 ° C. using a laminator (manufactured by MC Corporation) so that an acrylate film (film thickness: 50 μm, trade name: NIT-250, manufactured by Nichigo Morton) is laminated on the water-soluble film The second resin film was formed by pasting below. Next, the multilayer film composed of the first resin film, the water-soluble film and the second resin film is subjected to exposure processing and development using a glass mask to form an opening having a diameter of 125 μm so that the electrode is exposed. did. Development was performed using a 1.0% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, a flux was applied to the electrode exposed at the opening. Next, a solder ball (Sn-3.5% Ag solder) having a diameter of 100 μm was placed on each electrode to which the flux was applied. Next, a bump portion was formed from the solder ball in each opening by performing a heat treatment at a maximum temperature of 240 ° C. Next, the amylose film was decomposed or dissolved using a 5% monoethanolamine aqueous solution as an alkaline aqueous solution and removed together with the acrylate film. Next, the epoxy acrylate resin film was cured by heat treatment at 170 ° C. for 1 hour. As a result of the above steps, it was possible to obtain a wiring board having bump electrodes with bump portions having a height of 91 μm from the first resin film and a height variation of 1.5 μm.
[0046]
[Example 4]
<Production of multilayer film>
An epoxy acrylate resin film (film thickness: 30 μm, product name: PFR-800, manufactured by Taiyo Ink), which is the first resin film, is passed through an amylose film (film thickness: 3 μm), which is a water-soluble film. A multilayer film was prepared by laminating an acrylate film (film thickness: 50 μm, trade name: NIT-250, manufactured by Nichigo Morton).
[0047]
<Production of wiring board with bump electrodes>
Using a laminator (manufactured by MC Co., Ltd.) so that the electrode is covered with the surface of the multilayered film on the epoxy acrylate resin film side with respect to the wiring board (electrode diameter 70 μm, electrode pitch 150 μm) A multilayer film was formed on the wiring board by pasting under heating. Next, the multilayer film was subjected to exposure treatment and development using a glass mask to form an opening having a diameter of 125 μm so that the electrode was exposed. Development was performed using a 1.0% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, this opening was filled with a solder paste by a screen printing method. The solder paste of this example is composed of 10 parts by weight of resin composed of epoxy resin, rosin, activator, solvent and thixotropic agent, and 90 parts by weight of solder powder (Sn-3.5% Ag solder) having a particle size of 25 μm or less. The volume ratio of the solder powder is about 54 vol%. Next, the bump part was formed from the solder paste in each opening part through the heat processing of the maximum temperature of 240 degreeC. Next, the amylose film was decomposed or dissolved using a 5% monoethanolamine aqueous solution as an alkaline aqueous solution and removed together with the acrylate film. Next, the epoxy acrylate resin film was cured by heat treatment at 170 ° C. for 1 hour. As a result of the above steps, it was possible to obtain a wiring board having bump electrodes with bump portions having a height of 90 μm from the first resin film and a height variation of 1.5 μm.
[0048]
As a summary of the above, the configurations of the present invention and variations thereof are listed below as supplementary notes.
[0049]
(Additional remark 1) The structure which laminated | stacked the 1st resin film, the 2nd resin film, and the multilayer film which consists of a water-soluble film | membrane between these both resin films on the electrode part formation surface of the base material with the said 1st resin film A step of forming an opening in the multilayer film so that the electrode part is exposed to the multilayer film laminated substrate having,
Forming a bump in the opening;
And a removing step of simultaneously removing the water-soluble film and the second resin film.
(Supplementary Note 2) The multilayer film laminated base material includes a step of forming the first resin film so as to cover the electrode portion with respect to the base material,
Forming the water-soluble film so as to be laminated on the first resin film;
The method for producing an electronic component with bump electrodes according to appendix 1, wherein the second resin film is formed so as to be laminated on the water-soluble film.
(Additional remark 3) The said multilayer film laminated base material is formed by bonding to the said base material through the said 1st resin film so that the said electrode part may be covered after forming the said multilayer film separately, Additional remark 1 The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode of description.
(Additional remark 4) The said removal process removes the said water-soluble film | membrane and the said 2nd resin film simultaneously by decomposing | dissolving or melt | dissolving the said water-soluble film | membrane using alkaline aqueous solution, Any one of Additional remark 1-3 The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode as described in one.
(Additional remark 5) The said water-soluble film | membrane is gelatin, starch, protein, a starch derivative, a fiber derivative, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, polyacrylamide, polyacrylic acid, polyethylene oxide, a polyvinyl acetate partial saponification material, poly (styrene- The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode as described in any one of Supplementary notes 1-4 comprised with the water-soluble polymer selected from the group which consists of vinyl alcohol) -g- (ethylene oxide).
(Additional remark 6) The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode as described in any one of Additional remarks 1-5 whose said 1st resin film and said 2nd resin film are photosensitive resin films.
(Supplementary Note 7) The step of forming the bump portion includes:
Supplying a solder paste to the opening;
The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode as described in any one of appendix 1-6 including the process of forming a bump part from the said solder paste by passing through heat processing.
(Supplementary note 8) The method for manufacturing an electronic component with bump electrodes according to supplementary note 7, wherein the solder paste is supplied by a printing method using a squeegee, and the squeegee is squeezed twice or more.
(Additional remark 9) The said solder paste contains solder powder and the resin part containing an epoxy resin, The said 1st resin film contains the epoxy resin of the electronic component with a bump electrode of Additional remark 7 or 8 Production method.
(Additional remark 10) The process of forming the said bump part,
Supplying the molten solder to the opening;
The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode as described in any one of appendix 1-6 including the process of cooling the said fusion | melting solder and forming a bump part.
(Additional remark 11) The process of forming the said bump part,
Supplying the solder balls to the openings;
The method of manufacturing an electronic component with bump electrodes according to any one of appendices 1 to 6, including a step of forming a bump portion from the solder ball by performing a heat treatment.
(Additional remark 12) The process of forming the said bump part,
A step of depositing a solder material in the opening by a plating method;
The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode as described in any one of appendices 1-6 including the process of forming a bump part from the said solder material by passing through heat processing.
[0050]
【The invention's effect】
According to the present invention, the film thickness of the first resin film that remains as the functional protective film can be controlled. Therefore, variation in bump height from the surface of the first resin film could be suppressed. Therefore, good connection reliability could be obtained. Moreover, the electronic component with a bump electrode could be manufactured with fewer steps.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating some steps in a method of manufacturing an electronic component with bump electrodes according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating another process subsequent to FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating another process following FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a series of steps in a method for manufacturing an electronic component with bump electrodes according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a series of steps in a conventional method for manufacturing an electronic component with bump electrodes.
[Explanation of symbols]
1 Base material
2 Wiring pattern
3 First solder resist layer
3a First opening
3b Surface of first solder resist layer
4 Second solder resist layer
5 Solder paste
11 Semiconductor chip (base material)
11a Electrode (electrode part)
12, 42 First resin film
13,43 Water-soluble membrane
14, 44 Second resin film
15,45 multilayer film
15a, 45a opening
16 Solder paste
17 Solder bump (Bump part)
26 Solder balls
36 Molten solder

Claims

Multilayer film lamination having a structure in which a multilayer film composed of a first resin film, a second resin film, and a water-soluble film between the two resin films is laminated on the electrode portion forming surface of the substrate with the first resin film Forming an opening in the multilayer film such that the electrode portion is exposed to the substrate;
Forming a bump portion in the opening while preventing the first resin film and the second resin film from being in direct contact with each other by the water-soluble film ;
A removing step of simultaneously removing the water-soluble film and the second resin film while leaving the first resin film on the base material .

The multilayer film laminated base material is a process of forming the first resin film so as to cover the electrode portion with respect to the base material;
Forming the water-soluble film so as to be laminated on the first resin film;
The method for producing an electronic component with bump electrodes according to claim 1, wherein the second resin film is formed so as to be laminated on the water-soluble film.

The said multilayer film laminated base material is formed by bonding together the said base material through the said 1st resin film so that the said electrode part may be covered after forming the said multilayer film separately. Manufacturing method of electronic component with bump electrode.

The said removal process removes the said water-soluble film | membrane using an alkaline aqueous solution, or melt | dissolves the said water-soluble film | membrane and the said 2nd resin film | membrane simultaneously as described in any one of Claims 1-3. Of manufacturing electronic parts with bump electrodes.

The water-soluble film is gelatin, starch, protein, starch derivative, fibrin derivative, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyacrylamide, polyacrylic acid, polyethylene oxide, polyvinyl acetate partially saponified product, poly (styrene-vinyl alcohol)- The manufacturing method of the electronic component with a bump electrode as described in any one of Claims 1-4 comprised by the water-soluble polymer selected from the group which consists of g- (ethylene oxide).