JP3872466B2 - 半導体装置およびその製造方法ならびにディスプレイ装置 - Google Patents

Description

本発明は、金属薄膜の配線層が形成されたフレキシブルなテープ基材に半導体素子を組み込んだ構造を有する半導体装置に関するものであり、特に折り曲げ性を向上した半導体装置およびその製造方法に関する。

液晶ディスプレイに代表される薄型の表示デバイスには、表示信号を入力するための駆動用半導体装置が使用される。この半導体装置に対しては薄型、多出力といった要求が強く、これに対応したテープキャリアパッケージ（以下ＴＣＰ）が従来から知られている。その中でも、図１１および図１２に示すように、デバイスホールや折り曲げスリットが無く、半導体素子５の金属電極８上に形成した金属突起６と接続されるインナーリード４ａがフィルム基材２に密着しているものが、チップ・オン・フィルム（以下ＣＯＦという）構造のＴＣＰである（例えば特許文献１参照）。

ＣＯＦはデバイスホールが無く、インナーリード４ａがフィルム基材２に密着している為に、曲がりを生じやすいフライングリードが存在せず、導体リード４を薄膜化することが出来る。これにより従来のデバイスホールがあるＴＣＰと比較すると導体リード４のエッチング性が向上し、より微細な導体パターン４を形成することができる。また、フィルム基材２の厚みを薄くすることによりスリット（貫通孔）を形成しなくても容易に折り曲げることができる。

以下に、図１１〜図１３を参照して、従来の一般的なＣＯＦ構造の半導体装置の一例を説明する。図１１は、ＣＯＦ構造の半導体装置の平面図である。図１２は図１１のF-F’断面の断面図である。図１３は図１２のG部拡大図である。

フィルムキャリア１は、絶縁性かつ可撓性を有するポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２と、銅などの金属箔で形成された導体リード４とで構成されている。導体リード４における、半導体素子５の金属電極８と接続する部分の先端からソルダーレジスト３の周縁に至るまでのソルダーレジスト３に覆われていない領域を、インナーリード４ａと呼ぶ。インナーリード４ａより外方へフィルム基材２上に延長された導体リード４のうち、外部回路と接続される領域をアウターリード４ｂと呼ぶ。導体リード４には通常メッキが施されている。半導体素子５の金属電極８上には、インナーリード４ａと接続するための金属突起６が形成されている。金属突起６の高さはさまざまであり、金属突起６が無い構成もある。インナーリード４ａ周辺の領域は、半導体素子５の表面保護や半導体装置自身の強度確保のために封止樹脂７で覆われている。図１３に示すように、封止樹脂７は表面張力により、半導体素子５の側面とこれと垂直に位置するフィルムキャリア１との間で、樹脂フィレット７ａを形成する。

上記構成の半導体装置が実装された液晶ディスプレイを例として、ＣＯＦタイプの駆動半導体装置の従来の実装状態を説明する。図１４は、従来の一般的な液晶ディスプレイに、駆動用半導体装置と電源・信号供給用のＰＣＢ基板１４を実装した状態の断面図である。液晶パネルは、ガラス基板１１と表示ガラス９が貼り合わされ、ガラス基板１１の裏面にバックライト１０が配置された構造である。ガラス基板１１には、表示ガラス９から突出して半導体装置の実装領域が設けられている。実装領域には透明電極１２が形成されている。また、ガラス基板１１の裏面には、バックライト１０に隣接して電源・信号供給用のＰＣＢ基板１４が配置される。ＣＯＦタイプの半導体装置の出力アウターリード４ｂ―ｂは、ガラス基板１１の端部に形成した透明電極１２上に、異方性導電フィルム１３を介して接続されている。一方、入力アウターリード４ｂ−ａは、フィルム基材２を折り曲げて、ガラス基板１１の端部を巻いて液晶ディスプレイの裏面に折返すことにより、ＰＣＢ基板１４の電極１５に異方性導電フィルム１３を介して接続されている。このように、半導体装置はフィルムキャリア１から構成されることによるフレキシブル性を生かして、折り曲げた状態で機器に実装される。

次に図１５を参照して、フィルムキャリア１のインナーリード４ａと半導体素子５の金属電極８上に形成した金属突起６を、共晶などの金属間接合により接合する方法を用いる、一般的なＣＯＦの組立工程について説明する。

図１５（ａ）に示すように、フィルムキャリア１のインナーリード４ａは、半導体素子５の金属突起６の位置に合わせて、フィルム基材２上に形成されている。インナーリード４ａの表面には、スズや金などによってメッキが施されている。フィルム基材２は、厚みが３８μｍや２５μｍなどで、従来の一般的なＴＣＰの厚みである７５μｍよりかなり薄い。半導体素子５の金属突起６は、半導体素子５の外周に沿う形や、半導体素子５の表面全体に配置されたりしている。金属突起６は、従来のＴＣＰに使われるものと同等の１０μｍ〜３０μｍ程度の高さを持っている。

図１５（ｂ）に示すように、半導体素子５上の金属突起６とフィルムキャリア１のインナーリード４ａを、所定の状態に位置合わせして熱圧着方式により接合する。熱圧着方式とは、インナーリード４ａに施されたメッキ材と金属突起６の材料を、共晶融合あるいは固相拡散させるために必要な温度（３００℃〜５００℃程度）と荷重を加えながら、インナーリード４ａと金属突起６を接合する方式である。フィルム基材２側からボンディングツール１６で押さえ、半導体素子５側をチップステージ１７で支える。

熱圧着の後、図１５（ｃ）に示すように、フィルムキャリア１と半導体素子５の隙間に、樹脂供給ノズル１８を使用して封止樹脂７を注入する。それにより、インナーリード４ａと金属突起６の接合部分と半導体素子５の回路が存在する表面部分を保護し、半導体装置全体の機械強度を確保する。このとき樹脂供給ノズル１８で半導体素子５の外周に軌跡を描きながら封止樹脂７を吐出することで、全体に適当な量の封止樹脂７を供給することができる。液状の封止樹脂７は、半導体素子５の回路形成面を主面としたときの側面と、フィルムキャリア１の半導体素子５を実装する面に、半導体素子５の側面とフィルムキャリア１の表面の各々に対する表面張力で樹脂フィレット７−ａ（図１３参照）を形成する。封止後に捺印、検査を行ないＣＯＦ製品が完成する。

インナーリード４ａと金属突起６を接合する工程をＩＬＢ（インナーリードボンド）工程、インナーリード４ａ及び半導体素子５の表面を封止樹脂７によって封止する工程を封止工程という。
特開２００１−２０３３０２号公報

図１４に示したように、ＣＯＦ構造の半導体装置を実装する際に、その出力側のアウターリード４ｂ−ｂをガラス基板１１の表面に接続し、フィルムキャリア１（図１２参照）を折り曲げてディスプレイの端面を巻いて裏面へ引き回して、入力アウターリード４ｂ−ａをＰＣＢ基板１４に接続する構造のディスプレイ装置においては、折り曲げて使用するフィルムキャリア１の長さが大きく、フィルムコストが増大する問題がある。

したがって、できる限りガラス基板１１の側面に近接して折り曲げて、フィルムキャリア１を効率的に使用する。このときフィルムキャリア１は、ガラス基板１１の端部で強く折り曲げられる。折り曲げ部に封止樹脂７の周縁が近接している場合には、封止樹脂７の端縁部において、封止樹脂７の有無に起因する弾性率の差により、折り曲げの曲率の急激な変化点が形成される。ガラス基板１１の透明電極１２から半導体素子５の配置される部分にかけては、９０度以上に折り曲げられる例もある。曲率の急激な変化は、導体リード４に対してダメージを与えて、最終的には断線の発生につながる危険性がある。

本発明の半導体装置は、導体リードが形成されたフレキシブルなテープ基材上に半導体素子が実装され、前記テープ基材と前記半導体素子の隙間に封止樹脂が充填されて、前記半導体素子の回路形成面である主面に対する側面と前記テープ基材の前記半導体素子実装面に、前記封止樹脂により樹脂フィレットが形成された構成を有する。上記課題を解決するために、前記テープ基材上にソルダーレジストが形成され、前記樹脂フィレットの前記ソルダーレジスト上に形成された部分は、前記半導体素子から遠ざかる方向に向かって厚みが連続的に減少しない樹脂薄膜領域を有することを特徴とする。

上記構成によれば、樹脂薄膜領域が設けられたことにより、厚み方向の曲げに対して柔軟性を確保することができる。それにより半導体装置を折り曲げて実装する場合に封止樹脂の外形端部で発生する、折り曲げの曲率の急激な変化を抑制でき、配線の断線などの不具合が発生することを防止できる。

本発明の半導体装置において、前記樹脂薄膜領域が、前記半導体素子の４辺の外周の一部にのみ形成されている構成とすることができる。

また、ディスプレイ装置に折り曲げ実装された状態において、前記テープ基材が折り曲げられて曲率を形成する領域をすべて覆うように前記樹脂薄膜領域が形成された構成であることが好ましい。
また、本発明の他の構成の半導体装置は、導体リードが形成されたフレキシブルなテープ基材上に半導体素子が実装され、前記テープ基材と前記半導体素子の隙間に封止樹脂が充填されて、前記半導体素子の回路形成面である主面に対する側面と前記テープ基材の前記半導体素子実装面に、前記封止樹脂により樹脂フィレットが形成された構成を有し、前記テープ基材上にソルダーレジストが形成され、前記樹脂フィレットの先端から前記ソルダーレジスト上に延在する前記封止樹脂とは異なる樹脂により形成された、前記半導体素子から遠ざかる方向に向かって厚みが連続的に減少しない樹脂薄膜領域を有することを特徴とする。

本発明の半導体装置の製造方法は、上記構成の半導体装置を製造するために、前記テープ基材上に前記導体リードを形成した後、ソルダーレジストを形成し、前記ソルダーレジスト上に、前記半導体素子から遠ざかる方向に向かって厚みが連続的に減少しない樹脂薄膜領域を形成し、その後、前記テープ基材上に前記半導体素子を実装し、前記樹脂薄膜領域の端部との重なりを持つように前記封止樹脂の充填を行うことを特徴とする。

上記いずれかの構成の半導体装置を備え、前記半導体装置は、前記テープ基材と、前記テープ基材表面に形成された前記樹脂薄膜領域の樹脂層が、共に湾曲した状態で実装されたディスプレイ装置を構成することができる。

以下に、本発明の実施の形態における半導体装置およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１におけるＣＯＦ構造の半導体装置の平面図である。図２は図１のA-A’断面の断面図である。図３は図２のB部拡大である。

フィルムキャリア１は、絶縁性かつ可撓性を有するポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２と、フィルム基材２上に銅などの金属箔で形成された導体リード４とから構成されている。フィルムキャリア１の上面は、一部領域を残してソルダーレジスト３に覆われている。中央部のソルダーレジスト３に覆われていない領域に半導体素子５が搭載され、半導体素子５の金属電極８は導体リード４と接続されている。導体リード４は、ソルダーレジスト３に覆われていない領域として、半導体素子５の金属電極８と接続された部分の先端からソルダーレジスト３の内縁にいたるまでのインナーリード４ａと、インナーリード４ａより外方へ延長された導体リード４のうち、ソルダーレジスト３の外縁から露出して外部回路と接続されるアウターリード４ｂを有する。

導体リード４には通常メッキが施されている。半導体素子５の金属電極８上には、金属電極８とインナーリード４ａとを接続するために必要な金属突起６が形成されている。金属突起６の高さはさまざまであり、金属突起６が無い場合もある。インナーリード４ａ周辺の領域は、半導体素子５の表面保護や半導体装置自身の強度確保のために封止樹脂７で覆われている。図３に示すように、封止樹脂７は表面張力により、半導体素子５の側面と、これと垂直に位置するフィルムキャリア１との間に、樹脂フィレット７ａを形成する。

樹脂フィレット７ａは、その端部において、封止樹脂７の厚みが一定の樹脂薄膜領域７ｂを形成している。すなわち、樹脂薄膜領域７ｂにおいては、その樹脂厚みが連続的に減少することなく、ある程度以下の実質的に一定の厚みを有する。樹脂薄膜領域７ｂは、断面構造としては主にソルダーレジスト３の形成領域上にほぼ一定の薄膜樹脂厚み１９を保持して形成される。平面構成としては図１に示すように、半導体素子５の４辺の外周に沿って形成される。

この樹脂薄膜領域７ｂは、樹脂硬化の後もその薄さ故に弾性を持ち、厚み方向の曲げに対して柔軟性がある。従って、半導体装置を折り曲げて実装する場合に、封止樹脂７の外形端部で、封止樹脂７の有無に起因する折り曲げの曲率の急激な変化点の発生を抑制できる。つまり樹脂薄膜領域７ｂが柔軟に曲がるために、フィルムキャリア１が封止樹脂７の外形端部で局所的に鋭利に折れ曲がることが無い。従って、配線の断線などの不具合が発生することを防止できる。

樹脂薄膜領域７ｂにおける樹脂厚みは、１μｍから１０μｍの範囲とすれば、実用上十分な効果を得ることができる。

図４は、一般的な液晶ディスプレイに、本実施の形態の半導体装置、および電源・信号供給用のＰＣＢ基板１４を実装した状態の断面図である。液晶パネルは、ガラス基板１１と表示ガラス９が貼り合わされた構造であり、ガラス基板１１の裏面にバックライト１０が配置されている。ガラス基板１１には、表示ガラス９から突出した半導体装置の実装領域があり、透明電極１２が形成されている。また、ガラス基板１１の裏面には、バックライト１０に隣接して電源・信号供給用のＰＣＢ基板１４が配置される。

ＣＯＦタイプの半導体装置の出力アウターリード４ｂ―ｂは、ガラス基板１１の端部に形成された透明電極１２上に、異方性導電フィルム１３を介して接続されている。一方、入力アウターリード４ｂ−ａは、フィルム基材２を折り曲げて、ガラス基板１１の端部を巻いて液晶ディスプレイの裏面に折返すことにより、ＰＣＢ基板１４の電極１５に異方性導電フィルム１３を介して接続されている。このように、半導体装置はフィルムキャリア１から構成されることによるフレキシブル性を生かして、折り曲げた状態で機器に実装される。

本実施の形態の半導体装置においては、ガラス基板１１の表面の透明電極１２から半導体素子５の配置される部分にかけてのフィルムキャリア１の折り曲げ部において、封止樹脂７の樹脂薄膜領域７ｂが、フィルムキャリア１の折り曲げ曲率に沿った形で折れ曲がる構造となっている。したがって、折り曲げの曲率が急激に変化することが抑制され、全体としてゆるやかな曲げ形状となる。

また、ガラス基板１１の背面に位置するＰＣＢ基板１４から半導体素子５の配置される部分にかけての折り曲げ部においても、封止樹脂７の樹脂薄膜領域７ｂがフィルムキャリア１の折り曲げ曲率に沿った形で折れ曲がる構造となっていてもよい。また、フィルムキャリア１の折り曲げの曲率の大小によらず、また図４に記載した断面以外の折り曲げに対しても、樹脂薄膜領域７ｂが形成され、樹脂薄膜領域７ｂがフィルムキャリア１の曲率に沿って折れ曲がるようにしても良い。

（実施の形態２）
実施の形態２における半導体装置について、図５、図６を参照して説明する。基本的な半導体装置の構成は実施の形態１と同様であり、平面形状が少し相違する。図５のC-C'線、図６のD-D'線に沿った断面は、一部を除き図２と同様であるので、断面形状については、図２、図３を参照して説明する。また、同一の要素については同一の参照符号を付して、説明を簡略化する。

図５の構成における樹脂フィレット７ａの平面形状では、樹脂薄膜領域７ｂが、半導体素子５の４辺外周全域には形成されていない。図５の構成では、半導体素子５の平面形状における４つのコーナー部だけに、樹脂薄膜領域７ｂが形成されている。この半導体装置を、実施の形態１と同様に折り曲げて液晶ディスプレイに実装すると、実施の形態１と同様に、樹脂薄膜領域７ｂがフィルムキャリア１の曲率に沿って折れ曲がる。したがって、この半導体装置を液晶ディスプレイに折り曲げて実装すると、図４と同様に、曲率の急激な変化点の発生が抑制される。

また、図６、図７に示すように、半導体素子５の一方の側の辺のみに沿って、樹脂薄膜領域７ｂを形成してもよい。すなわち、この半導体装置を液晶ディスプレイ折り曲げて実装したときのフィルムキャリア１の折り曲げ曲率がより小さく、折り曲げ度が高い側にのみ樹脂薄膜領域７ｂを形成する。それにより、主要な領域において、曲率の急激な変化を抑制する機能が発揮されるので、実用的には十分な効果が得られる。

（実施の形態３）
実施の形態３における半導体装置について、図８を参照して説明する。図８は、図４におけるE部拡大図である。本実施の形態は、樹脂薄膜領域７ｂを形成すべき範囲について規定するものである。

フィルムキャリア１が折り曲げられ、これに沿って樹脂薄膜領域７ｂも折り曲げられることにより曲率の急激な変化が抑制されるが、薄膜領域７ｂと封止樹脂７が付設されていない領域の境界においては、封止樹脂７の折り曲げに対して反発しようとする曲げ弾性力によって、フィルムキャリア１の折り曲げ曲率に急激な変化点が出来てしまう場合がある。

これに対して、フィルムキャリア１が折り曲げられて曲率を形成する領域をすべて覆うように樹脂薄膜領域７ｂを形成することで、折り曲げ曲率の急激な変化点の発生を回避することができる。例えば、図８に示すような折り曲げ状態の場合、この構成において必要な樹脂薄膜領域７ｂの幅Ｗμｍと、フィルムキャリア１の折り曲げ状態の折り曲げ曲率Ｒμｍと、フィルムキャリア１の折り曲げ角度α°の間には、次の関係が成り立つ。

Ｗμｍ ≧ （α°／３６０°）×(２×Ｒμｍ)π π：円周率
この式にしたがって樹脂薄膜領域７ｂを設ければ、フィルムキャリア１と樹脂薄膜領域７ｂからなる積層構造において、フィルムキャリア１の折り曲げ部にストレスが集中するような、急激な曲率の変化点の発生は回避される。

（実施の形態４）
実施の形態４における半導体装置について、図９を参照して説明する。図９は図２のB部に相当する部分の拡大図である。基本的な半導体装置の構成は実施の形態１と同様である。

本実施の形態においては、封止樹脂７により樹脂フィレット７ａが形成される前に、上述の各実施の形態における樹脂薄膜領域７ｂが形成される領域のソルダーレジスト３上に、先形成樹脂薄膜領域２０が形成される。先形成樹脂薄膜領域２０は、樹脂フィレット７ａとは別に形成することで、それぞれ別の物性をもった樹脂を使用することができる。したがって、樹脂薄膜領域専用の樹脂物性選択や、専用の液状樹脂塗布条件の設定など、プロセス自由度を向上し、樹脂薄膜領域を安定して正確に形成することが可能である。

（実施の形態５）
実施の形態５における半導体装置について、図１０を参照して説明する。図１０は、図９の半導体装置に使用されるフィルムキャリア１の一例を示す断面図である。

本実施の形態では、実施の形態４における先形成樹脂薄膜領域２０を、半導体装置の組立ステップの中ではなく、フィルムキャリア１の製造工程において形成する。図１０に示すフィルムキャリア１は、フィルム基材２の表面に導体リード４を形成し、ソルダーレジスト３により必要部分について表面保護をした後に、半導体素子の外周に対応する所望の領域に、樹脂あるいはテープ等により、先形成樹脂薄膜領域２０を形成したものである。

これにより、半導体装置の封止工程において、樹脂薄膜領域７ｂを封止樹脂７によって形成する必要が無くなり、封止工程で樹脂薄膜領域７ｂを形成する場合と比較して、封止工程が簡略化される。また、樹脂材料についても、薄膜形成性の要素を抑制できるため、材料選択の自由度を向上させることができる。また、先形成樹脂薄膜領域２０の材料や構成は、半導体装置として完成した状態において、フィルムキャリア１の曲げ弾性力と封止樹脂７の曲げ弾性力の間に位置する曲げ弾性力を持ち、フィルムキャリア１を折り曲げた場合に連続的に折れ曲がり、曲率に急激な変化点が発生しないように考慮する。

本発明の半導体装置は、折り曲げて実装する場合に封止樹脂の外形端部で発生する、折り曲げの曲率の急激な変化を抑制し、配線の断線などの発生を防止することが可能であり、液晶ディスプレイに代表される表示デバイスに用いられる半導体装置として好適である。

実施の形態１における半導体装置を示す平面図 図１のA-A'線に沿った断面図 図２のB部の拡大断面図 実施の形態１における半導体装置が実装された液晶ディスプレイを示す断面図 実施の形態２における半導体装置を示す平面図 実施の形態２における半導体装置の他の例を示す平面図 図６の半導体装置が実装された液晶ディスプレイを示す断面図 実施の形態３における半導体装置の、図４のE部に対応する部分の拡大断面図 実施の形態４における半導体装置の図２のB部に対応する部分の拡大断面図 実施の形態５における半導体装置に使用するフィルムキャリアを示す断面図 従来例のＣＯＦ構造の半導体装置を示す平面図 図１１のF-F'線に沿った断面図 図１２のG部の拡大断面図 図１１の半導体装置が実装された液晶ディスプレイを示す断面図 従来例のＣＯＦ構造の半導体装置の製造方法を示す断面図

符号の説明

１ フィルムキャリア
２ フィルム基材
３ ソルダーレジスト
４ 導体リード
４ａ インナーリード
４ｂ アウターリード
４ｂ−ａ 入力アウターリード
４ｂ−ｂ 出力アウターリード
５ 半導体装置
６ 金属突起
７ 封止樹脂
７ａ 樹脂フィレット
７ｂ 樹脂薄膜領域
８ 金属電極
９ 表示ガラス
１０ バックライト
１１ ガラス基板
１２ 透明電極
１３ 異方性導電フィルム
１４ ＰＣＢ基板
１５ 電極
１６ ボンディングツール
１７ チップステージ
１８ 樹脂供給ノズル
１９ 薄膜樹脂厚
２０ 先形成樹脂薄膜領域
Ｗ 薄膜樹脂幅
Ｒ 樹脂薄膜領域の折り曲げ曲率
α フィルム折り曲げ角度

Claims (6)

1. 導体リードが形成されたフレキシブルなテープ基材上に半導体素子が実装され、前記テープ基材と前記半導体素子の隙間に封止樹脂が充填されて、前記半導体素子の回路形成面である主面に対する側面と前記テープ基材の前記半導体素子実装面に、前記封止樹脂により樹脂フィレットが形成された構成を有する半導体装置において、
   前記テープ基材上にソルダーレジストが形成され、前記樹脂フィレットの前記ソルダーレジスト上に形成された部分は、前記半導体素子から遠ざかる方向に向かって厚みが連続的に減少しない樹脂薄膜領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 前記樹脂薄膜領域が、前記半導体素子の４辺の外周の一部にのみ形成されている請求項１に記載の半導体装置。
3. ディスプレイ装置に折り曲げ実装された状態において、前記テープ基材が折り曲げられて曲率を形成する領域をすべて覆うように前記樹脂薄膜領域が形成された請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 導体リードが形成されたフレキシブルなテープ基材上に半導体素子が実装され、前記テープ基材と前記半導体素子の隙間に封止樹脂が充填されて、前記半導体素子の回路形成面である主面に対する側面と前記テープ基材の前記半導体素子実装面に、前記封止樹脂により樹脂フィレットが形成された構成を有する半導体装置において、
   前記テープ基材上にソルダーレジストが形成され、前記樹脂フィレットの先端から前記ソルダーレジスト上に延在する前記封止樹脂とは異なる樹脂により形成された、前記半導体素子から遠ざかる方向に向かって厚みが連続的に減少しない樹脂薄膜領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 導体リードが形成されたフレキシブルなテープ基材上に半導体素子を実装した後、前記テープ基材と前記半導体素子の隙間に封止樹脂を充填して、前記半導体素子の回路形成面である主面に対する側面と前記テープ基材の前記半導体素子実装面に、前記封止樹脂により樹脂フィレットを形成する半導体装置の製造方法において、
   前記テープ基材上に前記導体リードを形成した後、ソルダーレジストを形成し、前記ソルダーレジスト上に、前記半導体素子から遠ざかる方向に向かって厚みが連続的に減少しない樹脂薄膜領域を形成し、
   その後、前記テープ基材上に前記半導体素子を実装し、前記樹脂薄膜領域の端部との重なりを持つように前記封止樹脂の充填を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置を備え、前記半導体装置は、前記テープ基材と、前記テープ基材表面に形成された前記樹脂薄膜領域の樹脂層が、共に湾曲した状態で実装されたディスプレイ装置。

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