JP3879243B2

JP3879243B2 - Electronic device including writable nonvolatile memory device and initial processing method of the memory device

Info

Publication number: JP3879243B2
Application number: JP09234398A
Authority: JP
Inventors: 淳史畑村; 篤磯崎
Original assignee: Brother Industries Ltd
Current assignee: Brother Industries Ltd
Priority date: 1997-03-21
Filing date: 1998-03-21
Publication date: 2007-02-07
Anticipated expiration: 2018-03-21
Also published as: JPH10326228A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器及びそのメモリ装置の初期処理方法に係り、特にＲＯＭに記憶された動作設定値を記憶した書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器と、電源投入時に行う書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、プリンタやファクシミリ装置等の電子機器には、書込み可能な不揮発性のメモリが組み込まれているものがある。例えば、書込み可能な不揮発性のメモリであるＥＥＰＲＯＭを用いて、そのＥＥＰＲＯＭに動作設定値を記憶しているものでは、工場出荷時にＲＯＭに記憶されている初期値がこのＥＥＰＲＯＭにも記憶されている。
【０００３】
そして、上記電子機器のＲＯＭが、工場からの出荷後に制御プログラムのバグの修正や仕様変更等により内容が変更されたＲＯＭと交換される場合には、サービスセンターや顧客の事務所等において、サービスマンにより、ＲＯＭの交換が行われている。この場合には、交換された新しいＲＯＭの初期値は変更されているので、その初期値をＥＥＰＲＯＭに書込む処理をサービスマンが行う必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このＥＥＰＲＯＭの書き換え処理については、サービスマンが手動操作で行なっていた。このときに、単にサービスマンのミスによって、初期値の書き換え処理が行われないと、上記電子機器の正しい動作が保証されないという不都合が生じていた。
【０００５】
また、ＲＯＭの内容が設計上の都合やバグの修正のために変更されていた場合に、サービスマンに連絡がなされていないときには、サービスマンは、故障等の修理交換のため新たにはめ込んだＲＯＭが以前のＲＯＭと同じ内容だと思っている場合がある。従って、ＲＯＭに記憶されている初期値をＥＥＰＲＯＭに記憶させる初期値の書き換え処理が行われないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、ＲＯＭを交換した場合にも、書込み可能な不揮発性のメモリ装置に対する書き換え作業をサービスマンにより行なう必要がない書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器及びそのメモリ装置の初期処理方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明の電子機器は、２バイト分のチェックサム記憶領域を有したＲＯＭと、２バイト分のチェック用記憶領域を有した書き込み可能な不揮発性のメモリ装置とを備えた電子機器において、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較する第１の判断手段と、当該第１の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第１の上下判断手段と、当該第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、前記第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の判断手段と、当該第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない第１の書込手段と、前記第１の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の上下判断手段と、当該第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む第２の書込手段とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
この構成により、請求項１に係る発明の電子機器では、電源投入時に第１の判断手段が前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断手段がチェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の判断手段がチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の判断手段により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込手段は、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
【０００９】
第２の上下判断手段は、第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。
【００１０】
第２の書込手段は、当該第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
この構成により、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合にも、ＲＯＭの交換を正しく判断することができる。
【００１９】
【００２０】
この構成により、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合にも、ＲＯＭの交換を正しく判断することができるチェックサムの値を前記メモリ装置に書き込むことができる。
【００２１】
請求項２に係る発明の電子機器の電源投入時に行う書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法は、ＲＯＭに２バイト分のチェックサム記憶領域を確保し、前記メモリ装置の所定領域に２バイト分のチェック用記憶領域を確保し、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較する第１の比較処理工程と、当該第１の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第１の上下判断処理工程と、当該第１の上下判断処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、前記第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の比較処理工程と、当該第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない第１の書込処理工程と、前記第１の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の上下判断処理工程と、当該第２の上下判断処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む第２の書込処理工程とを備えている。
【００２２】
この構成により、請求項２に係る発明の電子機器の電源投入時に行う書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法は、第１の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込処理工程では、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
【００２３】
第２の上下判断処理工程では、第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。第２の書込処理工程では、当該第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む。
【００２４】
以上説明したように、本発明では、ＲＯＭのチェックサムの最初のデータと、書込み可能な不揮発性のメモリ装置の最初のチェック用データが異なれば、直ちに書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期化を行い、書込み可能な不揮発性のメモリ装置のチェック用の所定領域の２バイトのデータを書き込む。これにより常に新しいチェックデータが保持される。
【００２５】
また、チェックサムの記憶値が偶然にも同じ値である場合や、初期基板（装置に組み込んだ直後の基板）の書込み可能な不揮発性のメモリ装置が、所定値に全領域初期化されている場合であっても、ＲＯＭのチェックサムと前記メモリ装置のチャックサムの照合が可能になる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置Ｓのブロック図であり、図２は多機能ファクシミリ装置Ｓの電源投入時の動作を示すフローチャートであり、図３は、多機能ファクシミリ装置ＳのＲＯＭ１１に記憶された初期値の例を示す図である。
【００２７】
本実施の形態では、図１で示すように、動作設定値を記憶した書込み可能な不揮発性のメモリ装置としてのＥＥＰＲＯＭ１０を備えた装置、つまりデータ処理装置として、多機能ファクシミリ装置Ｓを例にして説明する。
【００２８】
本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓは、パネル２を介して入力される操作者からの各種司令に応じて、動作モードの設定、スキャナ４による原稿画像の読み取り、送信データの符号化、ファクシミリデータの送受信、受信データの復号化、復号化したファクシミリデータのプリンタ３での記録用紙への記録を行うものである。そして、ＣＰＵ１，交換可能なＲＯＭ１１、動作設定値を記憶したＥＥＰＲＯＭ１０、一部が受信バッファメモリとして用いられているＲＡＭ１２、他の電話装置やファクシミリ装置との間での会話やファクシミリデータの送受信を可能にするネットワークコントロールユニット（ＮＣＵ）１３、モデム（図示せず）、およびこれらを接続するバスラインを備えている。尚、ＲＡＭ１２は、一般的なＤＲＡＭから構成され、ＲＯＭ１１は、図示外のソケットに載置され、着脱可能である。
【００２９】
そして、修理や部品交換によりＲＯＭ１１が変更された場合に、装置の電源を投入したときに、上記ＥＥＰＲＯＭ１０にＲＯＭ１１の初期値を書込むように構成している。この書込み動作は、図示外の制御フローチャートに従ってＣＰＵ１が行う。
【００３０】
つまり、本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓは、装置内に配設されたＲＯＭ１１と、このＲＯＭ１１に対応した動作設定値を記憶したＥＥＰＲＯＭ１０とを備えており、電源投入時に、ＲＯＭ１１に記憶されたＲＯＭ１１の全領域の記憶値の合計であるチェックサムの値とＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域に記憶されている値とを比較し、チェックサムの値と前記ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域に記憶されている値とが異なっているときには、前記ＲＯＭ１１に記憶されている初期値をＥＥＰＲＯＭ１０の所定の領域に書き込むものである。
【００３１】
その初期値の一例について図３を参照して説明する。初期値としては、例えば多機能ファクシミリ装置Ｓの場合には、図３で示すように、スキャナ部での読み取りのコントラスト係数（パラメータ）等各種のものがある。
【００３２】
本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓでは、まず、ＲＯＭ１１にチェックサムの記憶領域として２バイト分の記憶領域が確保されている。また、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域にも２バイト分の記憶領域が確保されている。そして、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域の２バイト分の記憶領域の上位１バイトの記憶領域のアドレスを「ＡＮＧＯＨ」とし、下位１バイトの記憶領域のアドレスを「ＡＮＧＯＨ＋１」とする。
【００３３】
次に、図２に示すフローチャートに従って、本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓの動作について説明する。まず、電源を投入すると、第１の比較処理工程であるステップＳ１で、ＲＯＭ１１に記憶されたチェックサムの上位１バイトの値とＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域の１バイトの記憶領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ」）に記憶された値とを比較して、同じかどうか判断する。
【００３４】
このステップＳ１の第１の比較処理工程によって、ＲＯＭ１１に記憶されたチェックサムの上位１バイトの値とＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に記憶された値とが異なる場合には（Ｓ１：ＮＯ）、ＲＯＭ１１が交換されてＲＯＭ１１の記憶内容の変更があったものであるので、後述するＳ４，Ｓ５，Ｓ６と同様のＳ８，Ｓ９，Ｓ１０の処理を経て、交換された新たなＲＯＭ１１に記憶されている初期設定値を書き込む初期化工程（ステップＳ２）で直ちにＥＥＰＲＯＭ１０を初期化する。即ち、ステップＳ２の初期化工程で、ＲＯＭ１１に記憶された初期設定値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込んで更新するのである。そして、ステップＳ２の初期化工程の後に、ステップＳ３の書込処理工程でＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトと下位１バイトの値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込む。
【００３５】
本実施の形態の場合では、ＲＯＭ１１のチェックサム上位１バイトの値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に書込み、次述するＳ４，Ｓ５，Ｓ６と同様のＳ８，Ｓ９，Ｓ１０の処理で決定されるＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」の値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に続くアドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」の記憶領域に書込むのである。
【００３６】
前記ステップＳ１の比較処理工程で、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値がＥＥＰＲＯＭ１０アドレス「ＡＮＧＯＨ」の記憶値と同じ場合には（Ｓ１：ＹＥＳ）、基本的には、ＲＯＭ１１が交換されておらず変更がないものと判断できる。しかし、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値とＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」の記憶値とが偶然に同じ値である場合も考えられる。
【００３７】
例えば、本実施の形態の多機能ファクシミリ装置の製造工程で、ＥＥＰＲＯＭ１０を図示外の基盤に実装した段階では、ＥＥＰＲＯＭ１０の記憶エリアの値は、不定になっている。その一例としては、「００」や「ＦＦ」となっていることが多い。その場合に、ＲＯＭ１１に記憶された２バイト分のチェックサムの値が「００」や「ＦＦ」に偶然になっていた場合には、ＥＥＰＲＯＭ１０は、ＲＯＭ１１に記憶されている正しい初期設定値を記憶しているのではないにも関わらず、ＥＥＰＲＯＭ１０への初期設定値の書き直しがなされないことになってしまう。このようなことを防止するするために、本実施の形態では、図２に示すフローチャートのＳ４以下のステップの処理を行う。
【００３８】
まず、ステップＳ４の上下判断処理工程でＲＯＭ１１に記憶されているチェックサムの上位１バイトと下位１バイトの値が同じかどうかを判断する。例えば、当該チェックサムの値が「００」となっている場合には、上位１バイトの値が「０」で下位１バイトの値も「０」なので、ステップＳ４でＹＥＳと判断される。
【００３９】
ステップＳ４の上下判断処理工程により、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトと下位１バイトの記憶値が同じ場合には（Ｓ４：ＹＥＳ）、ステップＳ５における処理によりＲＯＭ１１のチェックサム下位１バイトの記憶値に１を加えたものをＲＡＭ１２の記憶領域のアドレス「ＡＡＡ」に記憶する。この場合には、アドレス「ＡＡＡ」の記憶値は「０」に「１」が加えられた「１」となる。従って、ＲＡＭ１２の記憶領域のアドレス「ＡＡＡ」には、ＲＯＭ１１のチェックサムの下位１バイトの値である「０」に「＋１」された値である「１」が記憶され、その値とＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」の値（本例では「０」）とが比較され（Ｓ７）、「１」と「０」とで一致しないので（Ｓ７：ＮＯ）、ＥＥＰＲＯＭ１０の初期化が行われる（Ｓ２）。即ち、ＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」と「ＡＮＧＯＨ＋１」との２バイトの記憶領域に記憶された値が、不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合に、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（「００」や「ＦＦ」だった場合）でも、ステップＳ７において「ＮＯ」と判断されて、正しい初期化処理（ステップＳ２の工程）がＥＥＰＲＯＭ１１に対して行われることになる。
【００４０】
また、ステップＳ４の上下判断処理工程によりＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値と下位１バイトとの記憶値とが異なる場合には（Ｓ４：ＮＯ）、ステップＳ６での処理によりＲＯＭ１１のチェックサム下位１バイトの記憶値をそのままＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶する。
【００４１】
次に、ステップＳ７の判断処理工程で、上記各ステップで決定されＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶された値が、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」）に記憶された値と同じかどうかが判される。そして、この判断処理工程で、ＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶された値が、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」）に記憶された値と異なると判断された場合には（Ｓ７：ＮＯ）、ステップＳ２で、ＥＥＰＲＯＭ１０を初期化しＲＯＭ１１に記憶された初期設定値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込んでＥＥＰＲＯＭ１０の記憶値を更新する。
【００４２】
さらに、ステップＳ２での初期化後に、ステップＳ３でＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に記憶し、次にＲＡＭ１２のアドレス「ＡＡＡ」に記憶した値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」に記憶する。
【００４３】
上記ステップＳ７の判断処理工程で、ＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶された値が、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」）に記憶された値と同じであると判断された場合には（Ｓ７：ＹＥＳ）、ＥＥＰＲＯＭ１０には何らの書込みを行わない。これは、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域アドレス「ＡＮＧＯＨ」及び「ＡＮＧＯＨ＋１」（２バイト分）の記憶値とＲＯＭ１１のチェックサムを記憶した２バイト分の記憶エリアの記憶値が等しく、ＲＯＭが交換されていないと判断できるからである。
【００４４】
以上のように、ＲＯＭ１１のチェックサムをＥＥＰＲＯＭ１０に記憶し、電源立ち上げ時に、ＲＯＭ１１に記憶されているチェックサムの値とＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域に記載されている値とを比較することにより、ＲＯＭ１１が変更されたと判断したら、新しいＲＯＭ１１の初期値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込むことにより、正しい動作が保証される。
【００４５】
なお、上記実施の形態では、ＲＯＭ１１のチェックサムを２バイト確保しており、ＲＯＭ１１のチェックサム下位１バイトから決定される値をＲＡＭのアドレス「ＡＡＡ」に記憶して利用している。また、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域の値も２バイト確保している。
【００４６】
図２に示すように、この２バイトのうち上位１バイトをのアドレスを「ＡＮＧＯＨ」とし、下位バイトのアドレスを「ＡＮＧＯＨ＋１」としているが、これらのアドレスは、任意のものをその値とすることができる。
【００４７】
なお、書込み可能な不揮発性のメモリ装置としてＥＥＰＲＯＭを使用したが、フラッシュメモリや電池等でメモリバックアップされたＤＲＡＭや通常のＲＡＭであっても良い。
【００４８】
また、上記の実施の形態では、ステップＳ５でＲＯＭ１１のチェックサムの下位１バイトの記憶値に「１」を加えているが、この値は、「１」以外の他の任意の値でもよい。例えば、「２」「３」「５」等でもよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１に係る発明の書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器では、電源投入時に第１の判断手段がチェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断手段が前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の判断手段がチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の判断手段により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込手段は、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
【００５０】
第２の上下判断手段は、第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。
【００５１】
第２の書込手段は、当該第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込むことができる。
【００５２】
【００５３】
従って、メモリ装置の初期化を行った後に、書込手段がメモリ装置にＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される値の書込み動作を行うので、ＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される新しい値を確実に書き込んでおくことができる。
【００５４】
【００５５】
また、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合にも、ＲＯＭの交換を正しく判断することができるチェックサムの値を前記メモリ装置に書き込むことができる。
【００５６】
さらに、請求項２に係る発明の書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法では、電源投入時に第１の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込処理工程では、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
第２の上下判断処理工程では、第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。第２の書込処理工程では、当該第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む。
従って、ＲＯＭの内容が変更された場合（即ち、ＲＯＭが新たな内容を記憶したＲＯＭに交換された場合）には、自動的に書込み可能な不揮発性のメモリ装置の値をＲＯＭに記憶された初期値に書き換えるので、ＲＯＭの変更により、その都度書込み可能な不揮発性のメモリ装置の内容をＲＯＭに合わせるためのサービスマン等による書換作業が不要となる。また、前記メモリ装置にＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される値の書込み動作を行うので、ＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される新しい値を確実に書き込んでおくことができる。
【００５７】
【００５８】
さらに、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合や、組立直後の初期状態の基板で書込み可能な不揮発性のメモリ装置が所定値に全領域初期化されている場合であっても、ＲＯＭの交換を正しく判断することができ、かつ、当該場合にもＲＯＭの交換を正しく判断することができるチェックサムの値を前記メモリ装置に書き込むことができる。
【００５９】
以上のように、本発明によれば、電源投入時に、必ずＲＯＭに記憶されたチェックサムの値と書込み可能な不揮発性のメモリ装置に記憶されたチェック用の記憶領域の値とを比較し、ＲＯＭの内容が変更された場合には書込み可能な不揮発性のメモリ装置の値をＲＯＭの初期値に書き換えるので、ＲＯＭの変更により、その都度書込み可能な不揮発性のメモリ装置の内容を新たなＲＯＭの記憶内容に合わせるサービスマン等による作業が不要となる。従って、ＲＯＭを交換した場合にも、書込み可能な不揮発性のメモリ装置に対する書き換え作業を行なう必要がない書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置の電源投入時の動作を示すフローチャートである。
【図３】本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置のＲＯＭが記憶している初期値の例を示す図である。
【符号の説明】
１ＣＰＵ
２パネル
３プリンタ
４スキャナ
１０書込み可能な不揮発性のメモリ装置（ＥＥＰＲＯＭ）
１１ＲＯＭ
１２ＲＡＭ
１３ネットワークコントロールユニット（ＮＣＵ）
Ｓ多機能ファクシミリ装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to an electronic device having a writable nonvolatile memory device and an initial processing method of the memory device, and more particularly to a writable nonvolatile memory device storing operation setting values stored in a ROM. The present invention relates to an electronic device and an initial processing method of a writable nonvolatile memory device performed at power-on.
[0002]
[Prior art]
  In general, some electronic devices such as printers and facsimile machines incorporate a writable nonvolatile memory. For example, in the case of using an EEPROM which is a writable nonvolatile memory and storing operation setting values in the EEPROM, the initial values stored in the ROM at the time of factory shipment are also stored in the EEPROM. .
[0003]
  If the ROM of the electronic device is replaced with a ROM whose contents have been changed due to a bug correction or specification change of the control program after shipment from the factory, the service center or customer's office etc. The ROM is replaced by a man. In this case, since the initial value of the replaced new ROM has been changed, it is necessary for the service person to perform a process of writing the initial value to the EEPROM.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
  However, this EEPROM rewriting process is manually performed by a serviceman. At this time, if the initial value rewriting process is not performed simply due to a serviceman's mistake, there is a disadvantage that correct operation of the electronic device cannot be guaranteed.
[0005]
  Also, if the contents of the ROM have been changed due to design reasons or bug corrections and the service person has not been contacted, the service person must newly install the ROM for repair or replacement of a malfunction or the like. May have the same content as the previous ROM. Accordingly, there is a problem that the initial value stored in the ROM is not rewritten to the initial value stored in the EEPROM.
[0006]
  The present invention has been made to solve such a problem. Even when the ROM is replaced, the writable nonvolatile memory device need not be rewritten by a serviceman and can be written. An object is to provide an electronic device including a nonvolatile memory device and an initial processing method of the memory device.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, an electronic device according to a first aspect of the present invention is a ROM having a checksum storage area for 2 bytes and a writable nonvolatile memory having a check storage area for 2 bytes. Electronic device with memory deviceMachineA first determination means for comparing the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area with the storage value of the upper 1 byte of the check storage area, and the checksum by the first determination means. When it is determined that the upper 1 byte storage value of the storage area and the upper 1 byte storage value of the check storage area are the same, the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the checksum storage area Compare the stored value of the lower 1 byte ofFirstUp and down judging means, andFirstWhen the upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the lower 1 byte of the checksum storage area Compare the stored value of with a specified value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaWhen the first upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the checksum Compare the stored value of the lower 1 byte of the storage area with the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaThe second determination means and the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area by the second determination meansOr its stored valueIs determined to be different from the stored value of the lower 1 byte of the check storage area.After writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device,The upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte storage value of the checksum storage areaOr its stored valueWrite a value obtained by adding a predetermined value to the check storage area of the memory device.Thus, the second determination means uses the same value stored in the lower 1 byte of the checksum storage area or a value added to the stored value as the lower 1 byte stored in the check storage area. If it is determined that the first storage is not written to the check storage area of the memory deviceWriting means;The first determination means records the upper 1 byte of the checksum storage area. When it is determined that the stored value is different from the stored value of the upper 1 byte of the check storage area, the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area And the second up / down determination means and the second up / down determination means, the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. If it is determined, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte of the checksum storage area A value obtained by adding a predetermined value to the stored value is written to the check storage area of the memory device, and the second upper / lower determination means stores the upper 1 byte of the checksum storage area. If it is determined that the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area is different from the initial value stored in the ROM, the initial value stored in the ROM is written to the memory device. A second writing means for writing the storage value of the upper 1 byte and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area into the check storage area of the memory device;It is provided with.
[0008]
  With this configuration, in the electronic device according to the first aspect of the present invention, when the power is turned on, the first determination means stores the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the upper 1 byte storage value of the check storage area. And when the first determining means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the upper 1 byte of the check storage area,FirstThe up / down judging means compares the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. ConcernedFirstWhen the upper / lower determination means determines that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second determination means Compare the stored value of the lower 1 byte with the specified value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaWhen the first up / down determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second determination means Compares the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area with the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaTo do. The value stored in the lower 1 byte of the checksum storage area by the second determination meansOr its stored valueIs determined to be different from the storage value of the lower 1 byte of the check storage area.The first writing means writes the initial setting value stored in the ROM into the memory device, and then stores the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte of the checksum storage area. A stored value or a value obtained by adding a predetermined value to the stored value is written into the check storage area of the memory device, and the second 1 judging means stores the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area or the storage thereof. When it is determined that the value obtained by adding a predetermined value to the value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage area are the same, writing is not performed in the check storage area of the memory device.
[0009]
  The second up / down determining means determines that the check sum is determined when the first determining means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the upper 1 byte of the check storage area. The storage value of the upper 1 byte of the storage area is compared with the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area.
[0010]
  When the second writing means determines that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area are the same by the second upper / lower determination means After writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area When writing to the check storage area of the memory device and the second upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area After writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area, You write the check for the storage area of the memory device.
[0011]
[0012]
[0013]
[0014]
[0015]
[0016]
[0017]
[0018]
  With this configuration, when the upper 1 byte and the lower 1 byte of the ROM checksum accidentally have the same value (for example, “00”, “FF”, etc.), the 2 bytes of the memory device Even when the value stored in the storage area accidentally becomes an indefinite value such as “00” or “FF”, the replacement of the ROM can be correctly determined.
[0019]
[0020]
  With this configuration, when the upper 1 byte and the lower 1 byte of the ROM checksum accidentally have the same value (for example, “00”, “FF”, etc.), the 2 bytes of the memory device The value stored in the storage area is also written in the memory device with a checksum value that can correctly determine the replacement of the ROM even when the value is accidentally indefinite, such as “00” or “FF”. Can do.
[0021]
  According to a second aspect of the present invention, there is provided an initial processing method for a writable non-volatile memory device performed when the electronic apparatus is powered on. A first comparison processing step that secures a check storage area for bytes and compares the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area with the storage value of the upper 1 byte of the check storage area; 1, when it is determined that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the storage value of the upper 1 byte of the check storage area, the upper 1 of the checksum storage area Compare the stored value of the byte with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage areaFirstUp / down judgment process step, andFirstWhen the upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the lower 1 of the checksum storage area Compare the stored value of the byte with a predetermined value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaWhen the first upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the checksum Compare the stored value of the lower 1 byte of the storage area with the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaThe second comparison processing step and the second comparison processing step, the lower 1 byte stored value of the checksum storage areaOr its stored valueIs determined to be different from the stored value of the lower 1 byte of the check storage area.After writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device,The upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte storage value of the checksum storage areaOr its stored valueWrite a value obtained by adding a predetermined value to the check storage area of the memory device.In the second comparison processing step, the lower 1 byte storage value of the checksum storage area or a value added to the storage value and the lower 1 byte storage value of the check storage area are If it is determined that they are the same, the first data is not written to the check storage area of the memory device.Writing process,When it is determined by the first comparison processing step that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the storage value of the upper 1 byte of the check storage area, the checksum storage area A second upper / lower determination processing step for comparing the storage value of the upper 1 byte with the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage region, and the upper 1 of the checksum storage region by the second upper / lower determination processing step If it is determined that the stored value of the byte and the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area are the same, the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, A value stored in the upper 1 byte of the checksum storage area and a value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the lower 1 byte in the checksum storage area are written to the check storage area of the memory device; When the upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the initial value stored in the ROM After writing the set value to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area are written to the check storage area of the memory device. A second writing process stepIt has.
[0022]
  With this configuration, the initial processing method for the writable nonvolatile memory device performed when the electronic device according to the second aspect of the present invention is turned on stores the upper 1 byte of the checksum storage area in the first comparison processing step. The value is compared with the stored value of the upper 1 byte of the check storage area, and the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the stored value of the upper 1 byte of the check storage area are compared by the first comparison processing step. Are determined to be the same,FirstIn the up / down determination processing step, the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is compared with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. ConcernedFirstWhen the upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second comparison processing step Compare the stored value of the lower 1 byte of the storage area with the specified value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaWhen the first upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second determination Means compares the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area with the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaTo do. The value stored in the lower 1 byte of the checksum storage area by the second comparison processing stepOr its stored valueIs determined to be different from the storage value of the lower 1 byte of the check storage area.In the first write processing step, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the lower 1 byte of the checksum storage area Or a value obtained by adding a predetermined value to the stored value is written to the check storage area of the memory device, and the second comparison process step stores the lower 1 byte stored value of the checksum storage area or When it is determined that the stored value plus a predetermined value is the same as the stored value of the lower 1 byte of the check storage area, writing is not performed in the check storage area of the memory device.
[0023]
  In the second up / down determination processing step, when it is determined by the first comparison processing step that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the storage value of the upper 1 byte of the check storage area, The stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is compared with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. In the second write processing step, when the second upper / lower determination processing step determines that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area Is a value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area after writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device. Are stored in the check storage area of the memory device, and the second upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. In this case, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte of the checksum storage area A stored value is written to the check storage area of the memory device.
[0024]
  As described above, according to the present invention, when the first data of the ROM checksum is different from the first check data of the writable nonvolatile memory device, the initialization of the writable nonvolatile memory device is immediately performed. To write 2 bytes of data in a predetermined area for checking the writable nonvolatile memory device. As a result, new check data is always held.
[0025]
  In addition, when the stored value of the checksum is accidentally the same value, the writable nonvolatile memory device of the initial substrate (the substrate immediately after being incorporated into the device) is initialized to the predetermined value over the entire area. Even in this case, the checksum of the ROM and the chuck sum of the memory device can be collated.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a multi-function facsimile apparatus S according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a flowchart showing an operation when the multi-function facsimile apparatus S is turned on. FIG. 7 is a diagram illustrating an example of initial values stored in a ROM 11 of the device S. FIG.
[0027]
  In the present embodiment, as shown in FIG. 1, a multifunctional facsimile apparatus S is taken as an example of a device including an EEPROM 10 as a writable nonvolatile memory device storing operation setting values, that is, a data processing device. explain.
[0028]
  The multi-function facsimile apparatus S according to the present embodiment sets an operation mode, reads a document image by the scanner 4, encodes transmission data, a facsimile in accordance with various commands from an operator input via the panel 2. Data transmission / reception, decryption of received data, and recording of decrypted facsimile data on a recording sheet by the printer 3 are performed. CPU 1, exchangeable ROM 11, EEPROM 10 storing operation setting values, RAM 12 partially used as a reception buffer memory, conversation and facsimile data transmission / reception with other telephone devices and facsimile devices are possible. A network control unit (NCU) 13, a modem (not shown), and a bus line for connecting them. The RAM 12 is composed of a general DRAM, and the ROM 11 is placed in a socket (not shown) and is detachable.
[0029]
  When the ROM 11 is changed due to repair or part replacement, the initial value of the ROM 11 is written into the EEPROM 10 when the apparatus is turned on. This writing operation is performed by the CPU 1 according to a control flowchart (not shown).
[0030]
  That is, the multi-function facsimile apparatus S of the present embodiment includes a ROM 11 disposed in the apparatus and an EEPROM 10 that stores operation setting values corresponding to the ROM 11, and is stored in the ROM 11 when the power is turned on. The checksum value, which is the sum of the values stored in the entire area of the ROM 11, is compared with the value stored in the predetermined area of the EEPROM 10, and the checksum value and the value stored in the predetermined area of the EEPROM 10 are found. When they are different, the initial value stored in the ROM 11 is written in a predetermined area of the EEPROM 10.
[0031]
  An example of the initial value will be described with reference to FIG. As the initial value, for example, in the case of the multi-function facsimile apparatus S, there are various types such as a contrast coefficient (parameter) for reading in the scanner unit as shown in FIG.
[0032]
  In the multi-function facsimile apparatus S of the present embodiment, a storage area for 2 bytes is reserved in the ROM 11 as a checksum storage area. A storage area for 2 bytes is also secured in a predetermined area of the EEPROM 10. Then, the address of the upper 1-byte storage area of the 2-byte storage area of the EEPROM 10 is set to “ANGOH”, and the address of the lower 1-byte storage area is set to “ANGOH + 1”.
[0033]
  Next, the operation of the multi-function facsimile apparatus S of this embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, when the power is turned on, the value of the upper 1 byte of the checksum stored in the ROM 11 and the 1 byte storage area (address “ANGOH”) of the EEPROM 10 are stored in step S1 which is the first comparison processing step. Compare with the stored value to determine if they are the same.
[0034]
  If the value of the upper 1 byte of the checksum stored in the ROM 11 is different from the value stored in the address “ANGOH” of the EEPROM 10 (S1: NO), the ROM 11 Has been changed and the contents stored in the ROM 11 have changed.Through the processing of S8, S9, and S10 similar to S4, S5, and S6 described later,The EEPROM 10 is immediately initialized in the initialization process (step S2) in which the initial setting values stored in the new ROM 11 that has been replaced are written. That is, in the initialization process of step S2, the initial setting value stored in the ROM 11 is written in the EEPROM 10 and updated. Then, after the initialization process of step S2, the values of the upper 1 byte and the lower 1 byte of the checksum of the ROM 11 are written into the EEPROM 10 in the writing process of step S3.
[0035]
  In the case of this embodiment, the value of the upper byte of the checksum of the ROM 11 is written to the address “ANGOH” of the EEPROM 10, and S4, S5, S6 described belowS8, S9, S10 processing similar toThe value of the address “AAA” in the storage area of the RAM 12 determined in the above is written in the storage area of the address “ANGOH + 1” following the address “ANGOH” of the EEPROM 10.
[0036]
  If the stored value of the upper 1 byte of the checksum of the ROM 11 is the same as the stored value of the EEPROM 10 address “ANGOH” (S1: YES), basically, the ROM 11 is replaced. It can be judged that there is no change. However, there may be a case where the stored value of the upper 1 byte of the checksum of the ROM 11 and the stored value of the address “ANGOH” of the EEPROM 10 are accidentally the same value.
[0037]
  For example, in the manufacturing process of the multi-function facsimile apparatus according to the present embodiment, the value of the storage area of the EEPROM 10 is indefinite at the stage where the EEPROM 10 is mounted on a base not shown. As an example, it is often “00” or “FF”. In this case, if the checksum value for 2 bytes stored in the ROM 11 is accidentally set to “00” or “FF”, the EEPROM 10 stores the correct initial setting value stored in the ROM 11. Although it is not done, the initial setting value in the EEPROM 10 is not rewritten. In order to prevent such a situation, in the present embodiment, processing in steps after S4 in the flowchart shown in FIG. 2 is performed.
[0038]
  First, it is determined whether the upper 1 byte and the lower 1 byte of the checksum stored in the ROM 11 are the same in the up / down determination processing step of step S4. For example, when the value of the checksum is “00”, the value of the upper 1 byte is “0” and the value of the lower 1 byte is also “0”, so that “YES” is determined in the step S4.
[0039]
  When the upper 1 byte and the lower 1 byte of the checksum of the ROM 11 are the same in the upper / lower determination processing step of step S4 (S4: YES), the stored value of the lower 1 byte of the checksum of the ROM 11 is obtained by the process in step S5. 1 is added to the address “AAA” of the storage area of the RAM 12. In this case, the stored value of the address “AAA” is “1” obtained by adding “1” to “0”. Accordingly, the address “AAA” in the storage area of the RAM 12 stores “1” which is a value obtained by adding “+1” to “0” which is the value of the lower 1 byte of the checksum of the ROM 11. The value of the address “ANGOH + 1” (“0” in this example) is compared (S7). Since “1” and “0” do not match (S7: NO), the EEPROM 10 is initialized (S2). . That is, when the value stored in the 2-byte storage area of the addresses “ANGOH” and “ANGOH + 1” of the EEPROM 10 is an indefinite value “00”, “FF” or the like, the upper rank of the checksum of the ROM 11 Even when 1 byte and the lower 1 byte accidentally have the same value (when it is “00” or “FF”), “NO” is determined in step S7, and correct initialization processing (step S2). Is performed on the EEPROM 11.
[0040]
  If the stored value of the upper 1 byte and the stored value of the lower 1 byte of the checksum of the ROM 11 are different from each other in the up / down determination processing step in step S4 (S4: NO), the ROM 11 is checked by the process in step S6. The stored value of the lower 1 byte of the thumb is stored as it is at the address “AAA” of the storage area of the RAM 12.
[0041]
  Next, in the determination processing step in step S7, the value determined in each of the above steps and stored in the address “AAA” of the storage area of the RAM 12 is the same as the value stored in the predetermined area (address “ANGOH + 1”) of the EEPROM 10. Whether it is judged. When it is determined in this determination processing step that the value stored in the address “AAA” of the storage area of the RAM 12 is different from the value stored in the predetermined area (address “ANGOH + 1”) of the EEPROM 10 (S7). : NO), in step S2, the EEPROM 10 is initialized, the initial setting value stored in the ROM 11 is written in the EEPROM 10, and the stored value in the EEPROM 10 is updated.
[0042]
  Further, after initialization in step S2, the stored value of the upper byte of the checksum of the ROM 11 is stored in the address “ANGOH” of the EEPROM 10 in step S3, and then the value stored in the address “AAA” of the RAM 12 is stored in the EEPROM 10 Store in address “ANGOH + 1”.
[0043]
  When it is determined that the value stored in the address “AAA” of the storage area of the RAM 12 is the same as the value stored in the predetermined area (address “ANGOH + 1”) of the EEPROM 10 in the determination processing step of step S7. (S7: YES), no writing is performed in the EEPROM 10. This is because the storage values of the predetermined area addresses “ANGOH” and “ANGOH + 1” (2 bytes) of the EEPROM 10 are equal to the storage value of the storage area of 2 bytes storing the checksum of the ROM 11, and the ROM is not exchanged. This is because it can be judged.
[0044]
  As described above, the checksum of the ROM 11 is stored in the EEPROM 10, and when the power is turned on, the ROM 11 compares the checksum value stored in the ROM 11 with the value written in a predetermined area of the EEPROM 10. If it is determined that the value has been changed, the initial value of the new ROM 11 is written into the EEPROM 10 to ensure correct operation.
[0045]
  In the above embodiment, 2 bytes of the checksum of the ROM 11 are secured, and a value determined from the lower 1 byte of the checksum of the ROM 11 is stored and used in the RAM address “AAA”. Also, 2 bytes are secured for the value of the predetermined area of the EEPROM 10.
[0046]
  As shown in FIG. 2, the address of the upper 1 byte of these 2 bytes is “ANGOH”, and the address of the lower byte is “ANGOH + 1”, but these addresses have any value as their value. Can do.
[0047]
  Although the EEPROM is used as a writable nonvolatile memory device, it may be a DRAM backed up by a flash memory or a battery or a normal RAM.
[0048]
  In the above embodiment, “1” is added to the stored value of the lower 1 byte of the checksum of the ROM 11 in step S5, but this value may be any other value than “1”. For example, “2”, “3”, “5”, and the like may be used.
[0049]
【The invention's effect】
  As described above, in the electronic apparatus provided with the writable nonvolatile memory device according to the first aspect of the present invention, the first determining means at the time of turning on the power stores the value stored in the upper 1 byte of the checksum storage area and the check value. The storage value of the upper 1 byte of the storage area is compared, and the first determination means determines that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the storage value of the upper 1 byte of the check storage area IfFirstThe up / down determination means compares the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. ConcernedFirstWhen the upper / lower determination means determines that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second determination means Compare the stored value of the lower 1 byte with the specified value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaWhen the first up / down determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second determination means Compares the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area with the stored value of the lower 1 byte of the check storage areaTo do. The value stored in the lower 1 byte of the checksum storage area by the second determination meansOr its stored valueIs determined to be different from the storage value of the lower 1 byte of the check storage area.The first writing means writes the initial setting value stored in the ROM into the memory device, and then stores the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte of the checksum storage area. A stored value or a value obtained by adding a predetermined value to the stored value is written into the check storage area of the memory device, and the second 1 judging means stores the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area or the storage thereof. When it is determined that the value obtained by adding a predetermined value to the value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage area are the same, writing is not performed in the check storage area of the memory device.
[0050]
  The second up / down determining means determines that the check sum is determined when the first determining means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the upper 1 byte of the check storage area. The storage value of the upper 1 byte of the storage area is compared with the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area.
[0051]
  When the second writing means determines that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area are the same by the second upper / lower determination means After writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area When writing to the check storage area of the memory device and the second upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area After writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area, It can be written in the check memory area memory device.
[0052]
[0053]
  Therefore,After the initialization of the memory device, the writing means performs a write operation of a value used to determine the change in the stored content of the ROM in the memory device, so that the change in the stored content of the ROM is determined. You can be sure that the new value used will be written.
[0054]
[0055]
  Further, when the upper 1 byte and the lower 1 byte of the ROM checksum accidentally have the same value (for example, “00”, “FF”, etc.), the 2-byte storage area of the memory device Even if the value stored in the memory is accidentally an undefined value such as “00” or “FF”, a checksum value that can correctly determine the replacement of the ROM can be written to the memory device. .
[0056]
  Furthermore, in the initial processing method of the writable nonvolatile memory device according to the second aspect of the present invention, in the first comparison processing step when the power is turned on, the upper 1 byte storage value and the check storage area of the checksum storage area And the first comparison processing step determines that the upper 1 byte storage value of the checksum storage area is the same as the upper 1 byte storage value of the check storage area. IfFirstIn the up / down determination processing step, the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is compared with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. ConcernedFirstWhen the upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second comparison processing step Compare the stored value of the lower 1 byte of the storage area with a predetermined value and the stored value of the lower 1 byte of the check storage area,When the first upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the second determining means The stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area is compared with the stored value of the lower 1 byte of the check storage area.The value stored in the lower 1 byte of the checksum storage area by the second comparison processing stepOr its stored valueIs determined to be different from the storage value of the lower 1 byte of the check storage area.In the first write processing step, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the lower 1 byte of the checksum storage area Or a value obtained by adding a predetermined value to the stored value is written to the check storage area of the memory device, and the second comparison process step stores the lower 1 byte stored value of the checksum storage area or When it is determined that the stored value plus a predetermined value is the same as the stored value of the lower 1 byte of the check storage area, writing is not performed in the check storage area of the memory device.
  In the second up / down determination processing step, when it is determined by the first comparison processing step that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the storage value of the upper 1 byte of the check storage area, The stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is compared with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. In the second write processing step, when the second upper / lower determination processing step determines that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area Is a value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area after writing the initial setting value stored in the ROM to the memory device. Are stored in the check storage area of the memory device, and the second upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area. In this case, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte of the checksum storage area A stored value is written to the check storage area of the memory device.
  Therefore, when the contents of the ROM are changed (that is, when the ROM is replaced with a ROM storing new contents), the values of the nonvolatile memory device which can be automatically written are stored in the ROM. Since the values are rewritten to the initial values, rewriting work by a service person or the like for matching the contents of the writable non-volatile memory device with the ROM becomes unnecessary by changing the ROM. In addition, since a write operation of a value used for determining a change in the storage content of the ROM is performed in the memory device, a new value used for determining a change in the storage content of the ROM is surely written. be able to.
[0057]
[0058]
  Furthermore, when the upper 1 byte and the lower 1 byte of the ROM checksum accidentally have the same value (for example, “00”, “FF”, etc.), the 2-byte storage area of the memory device If the value stored in the memory is accidentally indefinite, such as “00” or “FF”, or the entire area is initialized to a predetermined value by a non-volatile memory device that can be written on the substrate immediately after assembly. Even in such a case, it is possible to correctly determine whether or not to replace the ROM, and to write a checksum value that can correctly determine whether or not to replace the ROM to the memory device.
[0059]
  As described above, according to the present invention, when the power is turned on, the checksum value always stored in the ROM is compared with the check storage value stored in the writable nonvolatile memory device. When the content of the ROM is changed, the value of the writable non-volatile memory device is rewritten to the initial value of the ROM. Therefore, the content of the writable non-volatile memory device is changed to a new ROM each time the ROM is changed. The work by a service person or the like to match the stored contents becomes unnecessary. Accordingly, it is possible to provide an electronic apparatus including a writable nonvolatile memory device that does not require rewriting work to the writable nonvolatile memory device even when the ROM is replaced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of a multi-function facsimile apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart showing an operation at power-on of the multi-function facsimile apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of initial values stored in a ROM of a multi-function facsimile apparatus according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
  1 CPU
  2 panels
  3 Printer
  4 Scanner
  10 Writable nonvolatile memory device (EEPROM)
  11 ROM
  12 RAM
  13 Network Control Unit (NCU)
    S Multifunctional facsimile machine

Claims

A ROM having a checksum storage area for 2 bytes;
The electronic equipment that includes a writable nonvolatile memory device having a check storage area of 2 bytes,
First determination means for comparing the upper 1 byte storage value of the checksum storage area with the upper 1 byte storage value of the check storage area;
When the first determination means determines that the upper 1 byte storage value of the checksum storage area is the same as the upper 1 byte storage value of the check storage area, the upper rank of the checksum storage area a first vertical determination means for comparing a byte of stored value and the lower byte of the stored value of the checksum storage area,
When the first upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area are the same, the checksum storage area A value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the lower 1 byte and the storage value of the lower 1 byte of the check storage area are compared , and the first upper / lower determination means determines the upper 1 of the checksum storage area. When it is determined that the stored value of the byte and the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area are different, the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area and the lower 1 of the check storage area A second determination means for comparing the stored value of the byte ;
The second determination means determines that the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area or a value added to the stored value is different from the stored value of the lower 1 byte of the check storage area If the initial set value stored in the ROM is written to the memory device, the upper 1 byte storage value of the checksum storage area and the lower 1 byte storage value of the checksum storage area or a value obtained by adding a predetermined value to the stored value, the observed writing in the check storage area of the memory device, by said second determination means, the checksum lower 1 byte of the stored value or its storage in the storage area If it is determined that the value obtained by adding a predetermined value to the value stored in the lower 1 byte of the check storage area is the same, the write is not performed in the check storage area of the memory device. And a writing means,
When the first determination means determines that the upper 1 byte storage value of the checksum storage area is different from the upper 1 byte storage value of the check storage area, the upper rank of the checksum storage area A second up / down judging means for comparing the stored value of 1 byte with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area;
When the second upper / lower determination means determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the stored value is stored in the ROM. After the written initial setting value is written to the memory device, a storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and a value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area, When writing to the check storage area of the memory device and the second upper / lower determination means causes the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area to be different from the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area If it is determined, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the A lower 1 byte of the stored value of the Kkusamu storage area, an electronic device characterized by comprising a <br/> and second writing means for writing the check storage area of the memory device.

An initial processing method of a writable non-volatile memory device performed when powering on an electronic device,
Secure a checksum storage area for 2 bytes in ROM,
2 bytes of check storage area is secured in a predetermined area of the memory device,
A first comparison processing step of comparing the upper 1 byte storage value of the checksum storage area with the upper 1 byte storage value of the check storage area;
When it is determined by the first comparison processing step that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the storage value of the upper 1 byte of the check storage area, the checksum storage area A first up / down determination processing step of comparing the stored value of the upper 1 byte with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area;
When the first upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, the checksum storage A value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the lower 1 byte of the area is compared with the storage value of the lower 1 byte of the check storage area. When it is determined that the stored value of 1 byte and the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area are different, the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area and the lower order of the check storage area A second comparison process for comparing the stored value of 1 byte ;
When the second comparison processing step causes the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area or a value added to the stored value to be different from the stored value of the lower 1 byte of the check storage area If it is determined, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the storage of the lower 1 byte of the checksum storage area the value or values obtained by adding a predetermined value to the stored value, the observed writing in the check storage area of the memory device, by said second comparison step, the lower 1 byte of the stored value of the checksum storage area or When it is determined that the stored value plus a predetermined value is the same as the stored value of the lower 1 byte of the check storage area, writing to the check storage area of the memory device is performed. First write process without the
When it is determined by the first comparison processing step that the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the storage value of the upper 1 byte of the check storage area, the checksum storage area A second up / down determination processing step of comparing the stored value of the upper 1 byte with the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area;
If the second upper / lower determination processing step determines that the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area is the same as the stored value of the lower 1 byte of the checksum storage area, After the stored initial setting value is written to the memory device, the storage value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the value obtained by adding a predetermined value to the storage value of the lower 1 byte of the checksum storage area The memory value of the upper 1 byte of the checksum storage area is different from the memory value of the lower 1 byte of the checksum storage area by writing to the check storage area of the memory device. If it is determined, after the initial setting value stored in the ROM is written to the memory device, the stored value of the upper 1 byte of the checksum storage area and the previous value And a storage value of the lower byte of checksum storage area, writable non-volatile, characterized in that it comprises a <br/> a second writing step for writing the check storage area of the memory device Memory device initial processing method.