Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3891682B2 - 弁装置及び開閉弁の洗浄方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3891682B2 - 弁装置及び開閉弁の洗浄方法 - Google Patents

弁装置及び開閉弁の洗浄方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3891682B2
JP3891682B2 JP09085098A JP9085098A JP3891682B2 JP 3891682 B2 JP3891682 B2 JP 3891682B2 JP 09085098 A JP09085098 A JP 09085098A JP 9085098 A JP9085098 A JP 9085098A JP 3891682 B2 JP3891682 B2 JP 3891682B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
valve
cleaning liquid
gas
flow path
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP09085098A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11195649A (ja
Inventor
邦明 堀江
秀直 鈴木
勉 中田
光直 柴崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW087100062A external-priority patent/TW471031B/zh
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of JPH11195649A publication Critical patent/JPH11195649A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3891682B2 publication Critical patent/JP3891682B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、開閉弁の洗浄方法及びその装置に係り、特に、チタン酸バリウム/ストロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜を基板上に気相成長させる薄膜気相成長装置に使用される開閉弁の内部を洗浄するのに使用して最適な開閉弁の洗浄方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体産業における集積回路の集積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダから、将来のギガビットオーダを睨んだDRAMの研究開発が行われている。かかるDRAMの製造のためには、小さな面積で大容量が得られるキャパシタ素子が必要である。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜として、誘電率が10以下であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に替えて、誘電率が20程度である五酸化タンタル(Ta25) 薄膜、あるいは誘電率が300程度であるチタン酸バリウム(BaTiO3) 、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)又はこれらの混合物であるチタン酸バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望視されている。また、さらに誘電率が高いPZT、PLZT、Y1等の強誘電体の薄膜材料も有望視されている。
【0003】
ところで、このような素材の成膜を行う方法として、化学気相成長(CVD)が有望とされており、この場合、最終的に成膜室内で原料ガスを被成膜基板に安定的に供給する必要がある。原料ガスは、常温で固体のBa(DPM)2、Sr(DPM)2 などを液状化し、さらに気化特性を安定化させるために有機溶剤(例えばTHFなど)を混合させたものを気化器で加熱し気化することによって生成される。この種の気化器においては、気化器で液体(液体原料)を気化する際に、金属との化合物や中間生成物等が生成される。
【0004】
このような薄膜気相成長装置においては、気化器で気化させた原料ガスを成膜室に供給する原料ガス供給流路の途中に、トラップ装置を有するバイパス流路を開閉弁によって切り換え可能に設けている。これは、成膜工程が終わった時や、気化器の気化状態が安定するまでの原料ガスをこのバイパス流路に流し、トラップ装置で原料ガスの成分をトラップして回収してから排出するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種の原料ガスは気化させることが一般に困難でありかつ反応性が高いので、気化器の2次側に未気化物や反応生成物が流出してしまうことが多い。従って、図5に示すように、この未気化物や反応生成物が弁シート12や弁体14に付着したり、合わせ面を傷つけ、開閉弁10の機能を劣化させるという問題があった。このことは、図示のベローズタイプのものに限らず、ダイヤフラムタイプ等の他の開閉弁にあっても同様である。
【0006】
なお、開閉弁を保温して付着を防ぐことも考えられるが、加熱が不完全で温度が低下した場合には、開閉弁内で原料ガスの再凝縮が発生し、また、加熱し過ぎると原料ガスが変質して付着してしまうという問題がある。
【0007】
本発明は上記に鑑み、例え未気化物や反応生成物を伴った流体が流れても、開閉弁の内部を容易かつ確実に洗浄して、この機能が劣化してしまうのを防止するようにした弁装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、固形物を析出しやすい原料ガスの流路を開閉するための弁装置において、弁体と弁シートの間の隙間に向けてパージガスを供給するガス吐出ポートと、弁体の近傍より弁装置の上流側の流路に向けて洗浄液を供給する洗浄液ポートが設けられていることを特徴とする弁装置である。
【0009】
これにより、弁シートや弁体に付着した固形物をガスで気化促進させ、あるいは吹き飛ばして、バルブシール面から除去してから弁を閉じるので、固形物を挟み込んだ状態で弁が閉じられることによるシール不良や弁シートの傷の発生が防止される。また、弁体の近傍より洗浄液を流すことで弁体の近傍に堆積した固形物を洗浄して、次に弁装置が開いた時に固形物によるシール不良や弁シートの傷の発生が防止される。
【0010】
請求項2に記載の発明は、固形物を析出しやすい原料ガスの流路を開閉するための開閉弁を操作する際に、前記開閉弁を閉じる直前に弁体と弁シートの間の隙間に向けてパージガスを供給し、前記開閉弁を閉じた後に弁体の近傍より開閉弁の上流側の流路に向けて洗浄液を供給することを特徴とする開閉弁の洗浄方法である。
【0011】
れにより、弁体の近傍に堆積した固形物を洗浄して、次に弁装置が開いた時に固形物によるシール不良や弁シートの傷の発生が防止される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、例えば液状のBa(DPM)2,Sr(DPM)2等を有機溶剤(例えばTHFなど)中に溶解させた液体原料を気化器20で気化させて原料ガスを生成し、このガス原料と酸素含有ガスとを混合させつつ、成膜室(反応室)22内で一定の温度に加熱した基板に噴射して、この基板上に金属酸化物薄膜を気相成長させる成膜システムを示すものである。
【0014】
気化器20には、上流側の液体原料源に繋がる液体原料流路26と、液体原料をその気化温度以上に加熱するヒータ24が設けられている。また、下流側には、気化した原料ガスを排出する原料ガス流路28が設けられ、これは気化器20の下流で開閉弁32a、成膜室22及びトラップ装置36aに繋がる成膜流路29と、開閉弁32b、トラップ装置36bを有するバイパス流路30に分岐し、トラップ装置36aの下流に設けた開閉弁32cの下流で再度合流してポンプ38に繋がっている。これらの原料ガス流路28、成膜流路29及びバイパス流路30の周囲には、これらを流れる原料ガスの温度を一定に保温するヒータ40が配置されている。
【0015】
トラップ装置36a,36bは、この例においては、液体窒素のような液体または冷却された空気等の冷却用熱媒体を流通させることにより、原料ガスの成分をトラップ部に付着させてこれを排ガスから除去する低温トラップであり、各トラップには、図示しない熱媒体供給源に接続された冷却媒体供給流路及び排出流路がそれぞれ備えられている。なお、トラップ装置の構造はこれに限られるものではない。
【0016】
成膜流路29内に設置された開閉弁32a、及びバイパス流路30内に設置された開閉弁32bには、洗浄液タンク44からポンプ58を経由して延びる洗浄液供給流路42が接続されている。この洗浄液供給流路42は、ポンプ58の下流で2つの分岐流路46a,46bに分岐し、この各分岐流路46a,46bはそれぞれ開閉弁32d,32eを介して各開閉弁32a,32bの1次側に設けられた洗浄液ポート49a,49bにそれぞれ接続されている。各開閉弁32a,32bには、各洗浄液ポート49a,49bに近接してガス注入ポート48a,48bが設けられ、これにはAr等のパージガス源に接続されたガス流路50a,50bがそれぞれ接続されている。
【0017】
洗浄液タンク44内には、例えばテトラヒドロフラン(THF)からなる洗浄液52が貯留されているとともに、この洗浄液52を加温するヒータ54と、洗浄液52の液面をHeガス等のガスで加圧する加圧装置56が備えられている。また、洗浄液供給流路42には、洗浄液52を加圧しながら順次送り出すポンプ58が設置されている。
【0018】
加圧装置56は、洗浄液52をその蒸気圧以上に加圧して常に液体状態で開閉弁32a,32bの内部に供給するために設けられ、ポンプ58のみで洗浄液52をこの蒸気圧以上に加圧できるような場合には必ずしも必要ではない。しかしながら、加圧装置56を備えることによって、ポンプ58の吸込み側で低圧となって、洗浄液52がポンプ58の吸込み側で一部で気化してしまうことを防止することができる。もちろん、洗浄領域の出口末端部に蒸気圧以上のクラッキング圧の逆止弁を設け、洗浄領域内に圧力を掛けるようにしてもよい。
【0019】
更に、気化器20のすぐ上流側の液体原料流路26から分岐して洗浄液タンク44に連絡する洗浄液ベント流路60が設けられている。このベント流路60には開閉弁32fが設けられ、また、液体原料流路26の分岐点の上流側には開閉弁32gが設けられている。
【0020】
以下、この実施の形態の洗浄システムの作用を説明する。成膜を行う時には、成膜流路29内の開閉弁32aを開き、バイパス流路30内の開閉弁32bを閉じて原料ガスを成膜室22内に導く。成膜を行っていない時や気化状態が安定するまでの間は、成膜流路29内の開閉弁32aを閉じ、バイパス流路30内の開閉弁32bを開いて原料ガスをバイパス流路30内に導く。成膜室22から排気流路34、トラップ装置36aを経由した処理ガスと、バイパス流路30内をトラップ装置36bを経由して流れた原料ガスは、それぞれ合流して排気ポンプ38から外部に排気される。
【0021】
これらの過程において、開閉弁32a,32bの内部には原料ガスが流れ、この原料ガス中の未気化成分や反応生成物が、弁シート62や弁体64に付着する。従って、以下に説明するように、開閉弁32a,32bに対するこれらの物質の付着防止及び洗浄工程を行なう。
【0022】
先ず、開閉弁32a,32bを閉じる直前に、各分岐流路46a,46b内の開閉弁32d,32eを閉じた状態で、図2に示すように、各ガス注入ポート48a,48bを開いて加熱したArガス等のパージガスを注入し、開閉弁32a,32bの弁シート62と弁体64との間に付着した付着物を除去する。その後に、開閉弁32a,32bを閉じるが、弁シート62と弁体64に付着した付着物が除去されているため、バルブシール面の損傷を防止して、シール性を維持することができる。
【0023】
次に、各ガス注入ポート48a,48bを閉じ、ポンプ58を駆動させ、同時に各分岐流路46a,46b内の開閉弁32d,32eと洗浄液ポート49a,49bを開く。これにより、図3に示すように、ポンプ58と加圧装置56を介して加圧された洗浄液52を開閉弁32a,32bの1次側に流入させる。そして、洗浄液ベント流路60内の開閉弁32fを開いて、洗浄液52を気化器20から洗浄液ベント流路60内に循環させる。この時、洗浄液52は、気化しないように加圧されているので、液体のまま開閉弁32a,32bから気化器20に流れ、これらの内部の付着物を溶解させて効率的に洗浄する。洗浄液タンク44のヒータ54で洗浄液52を加温することにより、付着物の溶解速度及び飽和溶解度を高めて、洗浄効果を高めることができる。
【0024】
そして、ポンプ58を停止させるとともに、分岐流路46a,46bの開閉弁32d,32eを閉じ、しかる後、ガス注入ポート48a,48bを開いてガス流路50a,50bからパージガスを導入し、これによって、開閉弁32a,32bから気化器20内の洗浄液52を全て洗浄液タンク44に回収して、洗浄を完了する。これにより、気化器20、液体原料流路26及びバイパス流路30を含む流路と、開閉弁32a,32bの弁シート62と弁体64が清浄化される。
【0025】
何回かの洗浄を繰り返し、所定の量の原料ガスが溶解すると、洗浄液の堆積も増えて洗浄能力が低下するので、洗浄液を交換する。液換えのタイミングは、洗浄液の容積、質量、比重、光の透過量、誘電率、粘度等の種々のパラメータの変化により検知することができる。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、弁シートや弁体に付着した固形物をガスで吹き飛ばしてバルブシール面から除去してから弁を閉じるので、固形物を挟み込んだ状態で弁が閉じられることによるシール不良や弁シートの傷の発生が防止され、また、弁体の近傍より洗浄液を流すことで弁体の近傍に堆積した固形物を洗浄して、次に弁装置が開いた時に固形物によるシール不良や弁シートの傷の発生が防止される。従って、例え未気化物や反応生成物を伴った流体が流れても、開閉弁の内部を容易かつ確実に洗浄して、この機能が劣化してしまうのを防止するようにした弁装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の概略を示す図である。
【図2】洗浄の一工程を示す要部の拡大断面図である。
【図3】同じく、洗浄の一工程を示す要部の拡大断面図である。
【図4】 従来の開閉弁の断面図である。
【符号の説明】
20 気化器
22 成膜室
28 原料ガス供給流路
30 バイパス流路
32a〜32g 開閉弁
36a,36b トラップ装置
42 洗浄液供給流路
46a,46b 分岐流路
48a,48b ポート
50a,50b ガス注入流路
58 ポンプ
60 洗浄液ベント流路

Claims (2)

  1. 固形物を析出しやすい原料ガスの流路を開閉するための弁装置において、
    弁体と弁シートの間の隙間に向けてパージガスを供給するガス吐出ポートと、弁体の近傍より弁装置の上流側の流路に向けて洗浄液を供給する洗浄液ポートが設けられていることを特徴とする弁装置。
  2. 固形物を析出しやすい原料ガスの流路を開閉するための開閉弁を操作する際に、
    前記開閉弁を閉じる直前に弁体と弁シートの間の隙間に向けてパージガスを供給し、
    前記開閉弁を閉じた後に弁体の近傍より開閉弁の上流側の流路に向けて洗浄液を供給することを特徴とする開閉弁の洗浄方法。
JP09085098A 1998-01-05 1998-03-19 弁装置及び開閉弁の洗浄方法 Expired - Fee Related JP3891682B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW087100062A TW471031B (en) 1997-01-08 1998-01-05 Vapor feed supply system
TW87100062 1998-01-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11195649A JPH11195649A (ja) 1999-07-21
JP3891682B2 true JP3891682B2 (ja) 2007-03-14

Family

ID=21629293

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09084998A Expired - Fee Related JP3654768B2 (ja) 1998-01-05 1998-03-19 トラップシステム
JP09085098A Expired - Fee Related JP3891682B2 (ja) 1998-01-05 1998-03-19 弁装置及び開閉弁の洗浄方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09084998A Expired - Fee Related JP3654768B2 (ja) 1998-01-05 1998-03-19 トラップシステム

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP3654768B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602346B1 (en) 2000-08-22 2003-08-05 Novellus Systems, Inc. Gas-purged vacuum valve
JP4187599B2 (ja) * 2003-07-03 2008-11-26 東京エレクトロン株式会社 減圧処理装置及び減圧処理方法並びに圧力調整バルブ
JP4707406B2 (ja) * 2005-02-15 2011-06-22 株式会社荏原製作所 地下液体貯留設備の安全弁装置析出物堆積防止装置及び方法
WO2009107239A1 (ja) * 2008-02-29 2009-09-03 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体製造装置の配管パージ方法
JP5343807B2 (ja) * 2009-10-09 2013-11-13 新日鐵住金株式会社 高温炉内用ガス仕切弁
US9133960B2 (en) * 2013-01-29 2015-09-15 Mks Instruments, Inc. Fluid control valves
JP6317998B2 (ja) * 2014-05-13 2018-04-25 ヤンマー株式会社 ガス化発電システム
JP6455233B2 (ja) * 2015-03-03 2019-01-23 富士電機株式会社 飲料供給装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11201036A (ja) 1999-07-27
JP3654768B2 (ja) 2005-06-02
JPH11195649A (ja) 1999-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100653828B1 (ko) 트랩장치
JP5200551B2 (ja) 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法
JP3390517B2 (ja) 液体原料用cvd装置
US7354622B2 (en) Method for forming thin film and apparatus for forming thin film
US20090061648A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
WO2011070945A1 (ja) 薄膜製造装置、薄膜の製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR101046800B1 (ko) 기화기 및 반도체 처리 시스템
JP3891682B2 (ja) 弁装置及び開閉弁の洗浄方法
WO2008078950A1 (en) Metal gas supply apparatus and remaining gas removal apparatus used for thin film depositing apparatus and method thereof
KR100520417B1 (ko) 증기원료공급시스템
KR100654400B1 (ko) 용액 기화식 cvd 장치
JP4421119B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004207713A (ja) 処理装置及び処理方法
JP2001064777A (ja) ガス噴射ヘッド
JP2002222805A (ja) 基板処理装置
KR100876474B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
JP2000150497A (ja) 成膜装置
JPH11229149A (ja) 液体原料気化成膜装置と液体原料気化成膜方法
KR101773038B1 (ko) 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법
JP4007732B2 (ja) プロセスガス搬送用配管及び成膜装置
JPH10256242A (ja) 流路の洗浄方法及び気化装置
JP3907955B2 (ja) 半導体の製造方法及び半導体の製造装置
KR20220087235A (ko) 필터 유닛 및 기판 처리 장치
JPH10273780A (ja) Cvd装置
JPH11186245A (ja) 薄膜製造装置及び薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060912

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees