JP3893892B2 - Manufacturing method of vibrating piece - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 14
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば水晶等からなる振動片の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
振動片である音叉型水晶振動片10は、例えば図6に示すように構成されている。すなわち、音叉型水晶振動片10は、基部11と、この基部11から突出して形成されている2本の振動腕部12、13を有している。そして、この2本の振動腕部12、13には、図6に示すように、溝12a、13aが表面および裏面に形成されている。このため、図6のA−A’断面図である図7に示すように振動腕部12、13は、その断面形状が略H型に形成されている。
【0003】
このような溝12a,13aを腕部12,13に有する音叉型水晶振動片10に、スパッタリング等によりCr、Auの成膜を行い、フォトリソ技術によりエッチングし、図11に示すように、溝12a,13aの内側に励振電極12c,13c、腕部12,13の外側には励振電極12d,13dを形成している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の振動片の製造においては、前記電極のパターン形成には一般的なスプレー塗布用いてフォトレジストを塗布していた。しかし、溝部及び振動腕部側面にはレジストが入り難く、レジストの塗布ムラが発生してしまうという問題があった。図8はフォトレジストの塗布ムラを模式的に示したものであり、振動腕部の肩の部分及び振動腕部側面部及び溝側面部及び溝底面部に塗布されるレジスト膜14は薄くなっている。このため、このレジスト膜をエッチングマスクとしてエッチングを行うと溝内側の励振電極12c,13cや振動腕部側面の励振電極12d,13dに穴が開くという不良が発生し、ひいては製造歩留りが低下し、生産コストの上昇等を招くという問題もあった。
【0005】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、生産コストを上昇させることなく、レジストの塗布ムラを減少させることで、励振電極の穴開き不良を抑えた高精度な振動片の製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の振動片の製造方法は、基部とこの基部から突出して形成されている振動腕部とを有し、前記基部と前記振動腕部に電極を形成する振動片の製造方法であって、
基板をエッチングし、前記基部及び前記振動腕部の外形と、前記振動腕部に設けられる溝又は貫通溝を形成する工程と、
前記基板表面に電極層を形成する工程と、
微粒子からなるフォトレジストに電圧を印加し、前記基板の表面に前記フォトレジスト粒子を塗布する工程と、
前記フォトレジストをエッチングマスクとしてフォトリソ加工を行うことにより、前記基部と前記振動腕部の側面及び前記溝又は貫通溝の内面に電極を形成する工程とを含んでなることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の携帯を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【0008】
図1は本発明の実施の形態にかかる振動片である音叉型水晶振動片100を示す図である。音叉型水晶振動片100は例えば所謂水晶Z版となるように水晶の単結晶を特定の切出し角度(カットアングル)で切出し形成されている。また、図1に示す音叉型水晶振動片100は例えば32.768kHzの周波数で発振する振動片であるため、極めて小型の振動片となっている。このような音叉型水晶振動片100は、図1に示すように、基部110を有している。そして、この基部110から図において上方向に突出するように振動腕部である音叉腕121,122が2本配置されている。
【0009】
また、この音叉腕121,122の表面と裏面には、溝部123,124が図1に示すように形成されている。この溝部123,124は、図1に示されていない音叉腕121,122の裏面側にも同様に形成され、図2に示すように、F−F’線断面図では、この溝123,124が形成されている音叉腕121,122の断面は、略H型に形成されている。ところで、図1に示す音叉腕121,122に形成されている溝部123,124には、図1に示すように、励振電極123a,124aがそれぞれ形成されている。また、この励振電極123a,124aは、図2に示すように、音叉腕121,122の側面にも配置されている。また、音叉型水晶振動片100の基部110等には、給電等を行う給電電極112も配置されている。
【0010】
このように励振電極123a,124aが溝部123,124に配置され、音叉腕121,122の側面にも励振電極123a,124aが配置されているため、励振電極123a,124aに電圧を印加すると、音叉腕123,124内に効率良く電界が生じ、音叉腕123,124の振動損失が低くCI値(クリスタルインピーダンス又は等価直列抵抗)も低い状態で振動が生じることになる。特に、上述のように図1に示す音叉型水晶振動片100は、周波数が32.768kHzの小型の振動片であるが、このような振動片でも、振動損失が低く、CI値も低い高性能な振動片となっている。
【0011】
ところで、上記音叉型水晶振動片100の基部110は、図1に示すように、その全体が略板状に形成されている。そして、この基部110には、図1に示すように基部110の両側に切込み部125が2箇所設けられている。この切込み部125の位置は、図1に示すように音叉腕121,122の溝123,124の下端部より下方に配置されるので、この切込み部125の存在が、音叉腕部121,122の振動を阻害等することがない。
【0012】
また、音叉型水晶振動片100をパッケージにおいて固定する際に実際に固定される領域が図1の固定領域113である。図1に示すように、切込み部125の下端部は、固定領域113より図1の情報に配置されるので、切込み部125が固定領域113に影響を及ぼすことがなく、音叉型水晶振動片100のパッケージに対する固定状態に悪影響を与えることがない様に構成されている。
【0013】
このような位置に切込み部125が配置されているため、音叉腕121,122の振動により、溝123,124から漏れてきた漏れ振動は、切込み部125により、基部110の固定領域113に伝わり難くなる。このように、漏れ振動が固定領域113に伝わり難くなることで、エネルギー逃げが生じ難くなる。具体的には、従来のCI値の振動片素子間のばらつきは、標準偏差で10kΩ以上発生していたが、切込み部125を設けること本実施の形態の振動片では、標準偏差は1kΩに激減した。
【0014】
ところで、このような音叉型水晶振動片100が安定した周波数で動作するには、図2に示す音叉腕123,124を振動させるための励振電極121a,122aが高精度である必要がある。以下、高精度な電極のパターンの形成方法を音叉型水晶振動片100の製造方法とともに説明する。
【0015】
図3および図4は、本実施の形態における振動片の製造方法を示したフローチャートである。まず、図3において、水晶ウェハは異方性エッチングにより、図1に示すような基部110及び音叉腕121,122及び溝部123,124が形成される(ステップST1)。次に、Cr、Auをスパッタリング等により成膜する(ステップST2)。そして、電極パターン形成のため、フォトリソ工程においてレジスト膜を形成する(ステップST3)。
【0016】
このレジスト膜は図4のフローチャートに示すようにして形成する。つまり、図4に示す超微粒子発生装置130のフォトレジストの微粒子発生器131において、フォトレジスト132を溶媒を含んだサブミクロン(0.1μm〜1.0μm未満)の微粒子132a(以下、レジスト微粒子という)とする(ステップST21)。
【0017】
そして、このレジスト微粒子132aを空気または窒素等の不活性ガスのキャリアガスで塗布チャンバー133のノズル134へ運ぶ(ステップST22)。
【0018】
そして、そのノズル134部に負の高圧(30kV〜100kV)電極135を配置しておくことにより、前記レジスト微粒子132aを負に帯電させる(ステップST23)。
【0019】
一方で、基板1を前記ノズル134に対向するようにして接地電位の正の電極136上に載置して、負に帯電したレジスト微粒子132bを、接地電位の基板1に向かって飛行させて前記基板1の表面に効率よく均等に付着させる(ステップST24)。このようにすることで、前記レジスト微粒子132bを均一な厚さにその基板1の表面に塗布してレジスト膜137を形成することができる。
【0020】
なお、本実施の形態においては超微粒子発生装置130として、ノードソン株式会社のエアロコートシステムを使用した。また、レジスト微粒子132aに印加される高電圧は負の高電圧に限らず、正の高電圧としてもよい。
【0021】
そして、図3のフローチャートに戻って、このレジスト膜137をエッチングマスクとして、フォトリソ技術によるAu、Crのウエットエッチングを行い、電極パターンを形成する(ステップST4)。具体的には、図1の励振電極123a,124aが溝部123,124や音叉腕121,122の側面等に配置され、基部110等には給電電極112が配置される。また、音叉腕121,122の先端部には、図1に示すように周波数調整電極114が配置される。
【0022】
このようにして、各電極が形成された後、その他の所定の工程を経て、音叉腕121,122に形成されている周波数調整電極114にレーザー等を照射することで周波数調整を行う(ステップST5)。
【0023】
以上のようにして、図1に示すような音叉型水晶振動片100が製造されるが、本発明に係る振動片の製造方法によれば、振動腕部に溝または貫通溝を有した振動片に対して、フォトレジスト132を静電塗布方法を用いて塗布することにより、溶媒を含んだレジスト微粒子132aが、ほぼ一様に水晶基板に付着して膜厚ムラの少ないレジスト膜137を形成することができる。特に、フォトレジスト7をサブミクロンの超微粒子としたことで、レジスト膜137の厚さをより均一な厚さとすることができる。
【0024】
このレジスト膜137を露光、現像して形成したエッチングマスクは寸法のばらつきも小さいものとなり、このエッチングマスクを用いてエッチングして形成した電極は仕上がり寸法ばらつきも小さいものとなる。また、レジストの塗布ムラがないため、エッチング後の電極のパターンは穴開き等の不良が著しく減少し、製造歩留まりを高めるとともに、高精度な電極を有する振動片を製造することができる。
【0025】
また、上述の各実施の形態では、32.768kHzの音叉型水晶振動片を例に説明したが、15kHz乃至155kHzの音叉型水晶振動片に適用できることは明らかである。さらに、本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。そして、上記実施の形態の構成は、その一部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせに変更することができる。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電極のパターンを高精度に形成する上で特に重要なレジスト膜の形成方法をサブミクロンの超微粒子としたレジストの静電塗布方法としたことにより、基部及び振動腕部にほぼ一様にレジストを塗布することができるため、フォトリソ精度が高まり高精度に励振電極を形成でき、励振電極の穴開き不良を顕著に低減させて、生産コストを上昇させることなく、高歩留りで製造することができる振動片の製造方法を提供することができる。
【0027】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る振動片の製造方法により製造された音叉型水晶振動片の概略図である。
【図2】図1のF−F’線概略断面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る振動片の製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図4】本発明の実施の形態に係る振動片の製造方法の一工程であるレジスト膜製造工程を示すフローチャートである。
【図5】本発明の実施の形態にかかる振動片の製造方法の一工程であるレジスト膜の製造に供する超微粒子発生装置の簡単な構造を示す説明図である。
【図6】従来の音叉型水晶振動片を示す概略図である。
【図7】図10のA−A’線概略断面図である。
【図8】従来の振動片の製造工程で形成されたレジスト膜の模式図である。
【符号の説明】
100・・・音叉型水晶振動片
110・・・基部
112・・・給電電極
113・・・固定領域
114・・・周波数調整電極
121,122・・・音叉腕
123,124・・・溝部
123a,124a・・・励振電極
125・・・切込み部
131・・・超微粒子発生装置
132・・・フォトレジスト
132a・・・レジスト微粒子
132b・・・負に帯電したレジスト微粒子
133・・・塗布チャンバー
134・・・ノズル
135・・・負の電極
136・・・正の電極
137・・・レジスト膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a resonator element made of, for example, crystal.
[0002]
[Prior art]
The tuning fork type
[0003]
On the tuning-fork type
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the manufacture of such a conventional resonator element, a photoresist is applied by using a general spray coating to form the electrode pattern. However, there is a problem that resist hardly enters the groove and the side surface of the vibrating arm and uneven coating of the resist occurs. FIG. 8 schematically shows the uneven coating of the photoresist, and the
[0005]
Accordingly, in view of the above problems, the present invention provides a highly accurate method for manufacturing a resonator element that suppresses defective hole formation of an excitation electrode by reducing resist coating unevenness without increasing production cost. Objective.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The method for manufacturing a vibrating piece according to the present invention is a method for manufacturing a vibrating piece having a base and a vibrating arm formed so as to protrude from the base, and forming an electrode on the base and the vibrating arm.
Etching the substrate, forming the outer shape of the base and the vibrating arm, and forming a groove or a through groove provided in the vibrating arm;
Forming an electrode layer on the substrate surface;
Applying a voltage to a photoresist composed of fine particles, and applying the photoresist particles to the surface of the substrate;
And performing a photolithographic process using the photoresist as an etching mask to form an electrode on the side surface of the base and the vibrating arm portion and on the inner surface of the groove or the through groove.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiment described below is a preferred specific example of the present invention, and thus various technically preferable limitations are given. However, the scope of the present invention is particularly limited in the following description. Unless otherwise stated, the present invention is not limited to these forms.
[0008]
FIG. 1 is a diagram showing a tuning-fork type
[0009]
Further,
[0010]
Thus, the excitation electrodes 123a and 124a are disposed in the
[0011]
By the way, as shown in FIG. 1, the whole base 110 of the tuning fork type
[0012]
Further, a region that is actually fixed when the tuning fork type
[0013]
Since the
[0014]
By the way, in order for such a tuning fork type
[0015]
3 and 4 are flowcharts illustrating a method for manufacturing the resonator element according to the present embodiment. First, in FIG. 3, the base 110, the
[0016]
This resist film is formed as shown in the flowchart of FIG. That is, in the photoresist fine particle generator 131 of the ultrafine particle generator 130 shown in FIG. 4, the
[0017]
Then, the resist fine particles 132a are conveyed to the
[0018]
Then, a negative high voltage (30 kV to 100 kV) electrode 135 is disposed on the
[0019]
On the other hand, the
[0020]
In this embodiment, an aerocoat system manufactured by Nordson Co., Ltd. was used as the ultrafine particle generator 130. The high voltage applied to the resist fine particles 132a is not limited to a negative high voltage, and may be a positive high voltage.
[0021]
Returning to the flowchart of FIG. 3, using this resist
[0022]
Thus, after each electrode is formed, the frequency adjustment is performed by irradiating the frequency adjustment electrode 114 formed on the
[0023]
As described above, the tuning-fork type
[0024]
An etching mask formed by exposing and developing the resist
[0025]
In each of the above-described embodiments, the tuning fork type crystal vibrating piece of 32.768 kHz has been described as an example. However, it is obvious that the tuning fork type crystal vibrating piece of 15 kHz to 155 kHz can be applied. Furthermore, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the claims. And the structure of the said embodiment can abbreviate | omit a part, or can be changed into the other arbitrary combinations which are not mentioned above.
[0026]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the method of forming a resist film, which is particularly important for forming an electrode pattern with high accuracy, is a resist electrostatic coating method using submicron ultrafine particles. Since the resist can be applied almost uniformly on the base and the vibrating arm, the photolithographic accuracy can be increased and the excitation electrode can be formed with high accuracy, and the hole defect of the excitation electrode can be remarkably reduced to increase the production cost. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing a resonator element that can be manufactured with a high yield.
[0027]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a tuning-fork type crystal vibrating piece manufactured by a method for manufacturing a vibrating piece according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line FF ′ of FIG.
FIG. 3 is a flowchart showing an embodiment of a method for manufacturing a resonator element according to an embodiment of the invention.
FIG. 4 is a flowchart showing a resist film manufacturing process which is one process of the vibrating piece manufacturing method according to the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory view showing a simple structure of an ultrafine particle generator used for producing a resist film, which is one step of a method for producing a resonator element according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view showing a conventional tuning fork type crystal vibrating piece.
7 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 8 is a schematic view of a resist film formed in a conventional vibrating piece manufacturing process.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
基板をエッチングし、前記基部及び前記振動腕部の外形と、前記振動腕部に設けられる溝又は貫通溝を形成する工程と、
前記基板表面に電極層を形成する工程と、
微粒子からなるフォトレジストに電圧を印加し、前記基板の表面に前記フォトレジスト粒子を塗布する工程と、
前記フォトレジストをエッチングマスクとしてフォトリソ加工を行うことにより、前記基部と前記振動腕部の側面及び前記溝又は貫通溝の内面に電極を形成する工程とを含んでなることを特徴とする振動片の製造方法。A method of manufacturing a resonator element having a base and a vibrating arm formed protruding from the base, and forming an electrode on the base and the vibrating arm,
Etching the substrate, forming the outer shape of the base and the vibrating arm, and forming a groove or a through groove provided in the vibrating arm;
Forming an electrode layer on the substrate surface;
Applying a voltage to a photoresist composed of fine particles, and applying the photoresist particles to the surface of the substrate;
A step of forming an electrode on the side surface of the base and the vibrating arm portion and on the inner surface of the groove or through groove by performing photolithography using the photoresist as an etching mask. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093925A JP3893892B2 (en) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | Manufacturing method of vibrating piece |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093925A JP3893892B2 (en) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | Manufacturing method of vibrating piece |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002290181A JP2002290181A (en) | 2002-10-04 |
| JP3893892B2 true JP3893892B2 (en) | 2007-03-14 |
Family
ID=18948202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001093925A Expired - Fee Related JP3893892B2 (en) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | Manufacturing method of vibrating piece |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3893892B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4492044B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | Method for forming resist in photolithography process and method for manufacturing piezoelectric vibrating piece |
| NL2003349A (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-16 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001093925A patent/JP3893892B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002290181A (en) | 2002-10-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060405 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061121 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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