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JP3897016B2 - High output voltage controlled oscillator - Google Patents
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high output voltage controlled oscillator to make production of a cellular phone or the like easy for a set maker. <P>SOLUTION: The high output voltage controlled oscillator is provided with: an input terminal 211 to which a control voltage is inputted; a voltage controlled oscillation part 214 to which the control voltage inputted to the input terminal 211 is supplied; a power amplifying part 217 to which an output of the voltage controlled oscillation part 214 is supplied and which is formed by serially connecting a plurality of amplifier circuits; and an output terminal 218 for power amplifying signals to which an output of the power amplifying part 217 is supplied. The voltage controlled oscillation part 214 and an amplifier circuit 219 on the first stage of the power amplifying part 217 at least are formed from balanced amplifier circuits and within the power amplifying part 217, a balanced/unbalanced transforming circuit is provided. An unbalanced signal is outputted from the power amplifying part 217, and the oscillator is housed within one multi-layer substrate capable of surface mounting. thereby, the objective oscillator is obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

本発明は、携帯電話機等に使用される高出力電圧制御発振器に関するものである。   The present invention relates to a high output voltage controlled oscillator used for a mobile phone or the like.

従来の紙幣識別装置は、以下に示す構成をしていた。以下、従来の電圧制御発振器が使用されている携帯電話機について説明する。従来の電圧制御発振器が使用されている携帯電話機は図24に示すように、アンテナ1と、このアンテナ1に接続されたアンテナスイッチ2と、このアンテナスイッチ2の一方の端子に接続された表面弾性波(以下、SAWという)フィルタ3と、このSAWフィルタ3の出力が接続された低雑音増幅器(以下、LNAという)4を含む復調器及び変調器5と、この復調器及び変調器5に接続された携帯電話機の制御回路6と、復調器及び変調器5の出力に接続された電圧制御発振器7と、この電圧制御発振器7の出力が接続された電力増幅器8と、この電力増幅器8とアンテナスイッチ2の他方の端子との間に接続されたローパスフィルタ9とから構成されていた。   The conventional banknote identification device has the following configuration. A mobile phone using a conventional voltage controlled oscillator will be described below. As shown in FIG. 24, a cellular phone using a conventional voltage-controlled oscillator has an antenna 1, an antenna switch 2 connected to the antenna 1, and a surface elasticity connected to one terminal of the antenna switch 2. A demodulator and modulator 5 including a wave (hereinafter referred to as SAW) filter 3 and a low noise amplifier (hereinafter referred to as LNA) 4 to which an output of the SAW filter 3 is connected, and connected to the demodulator and modulator 5 A control circuit 6 of the mobile phone, a voltage controlled oscillator 7 connected to the output of the demodulator and modulator 5, a power amplifier 8 connected to the output of the voltage controlled oscillator 7, and the power amplifier 8 and antenna The low-pass filter 9 is connected between the other terminal of the switch 2.

以上のように構成された携帯電話機について、以下にその動作を説明する。アンテナ1から入力された信号は、SAWフィルタ3を通って、LNA4で増幅されて、復調器及び変調器5の復調部で復調される。そしてその出力は制御回路6で制御されて表示部に表示するとともに、音声出力として出力されていた。   The operation of the mobile phone configured as described above will be described below. A signal input from the antenna 1 passes through the SAW filter 3, is amplified by the LNA 4, and is demodulated by the demodulator and the demodulator of the modulator 5. The output was controlled by the control circuit 6 and displayed on the display unit, and also output as an audio output.

また、キーボードから入力される信号やマイクロフォンから入力される音声入力は、制御回路6に入力されて制御され、その出力は復調器及び変調器5の変調部で変調される。そしてその出力は電圧制御発振器7で搬送波に変換され、その出力は電力増幅器8で電力増幅されて、ローパスフィルタ9に入力される。このローパスフィルタ9では高調波が除去されて、その出力はアンテナスイッチ2を通ってアンテナ1から放出されていた。   In addition, a signal input from the keyboard and a sound input input from the microphone are input to the control circuit 6 and controlled, and the output is modulated by the demodulator and the modulation unit of the modulator 5. The output is converted into a carrier wave by the voltage controlled oscillator 7, and the output is power amplified by the power amplifier 8 and input to the low pass filter 9. In the low-pass filter 9, harmonics are removed, and the output is emitted from the antenna 1 through the antenna switch 2.

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開平4−234230号公報
As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
JP-A-4-234230

しかしながら近年の携帯電話機の普及に伴い、セットメーカからは造りやすい携帯電話機の部品が求められていた。既に、アンテナスイッチ2と、SAWフィルタ3とローパスフィルタ9とは共に低温焼成基板技術を用いてその製造が可能であることから一枚の基板に集積されて一体化されている。また、復調器及び変調器5もSiGe技術で形成されることから、1チップの集積回路で実現される技術が開発されている。また、制御回路6も1チップのCMOS技術で実現されている。   However, with the recent spread of mobile phones, mobile phone parts that are easy to manufacture have been demanded by set manufacturers. The antenna switch 2, the SAW filter 3, and the low-pass filter 9 are already integrated using a single substrate because they can be manufactured using low-temperature fired substrate technology. Further, since the demodulator and the modulator 5 are also formed by the SiGe technology, a technology realized by a one-chip integrated circuit has been developed. The control circuit 6 is also realized by a one-chip CMOS technology.

そこでセットメーカとしては、これら集積された部品を並べれば容易に携帯電話機が製造されることになるが、ここで、電圧制御発振器7と電力増幅器8の集積化が技術的にも製造法的にも夫々異なる分野であり、その集積化が難しく未だに集積化されていない。   Therefore, as a set maker, a mobile phone can be easily manufactured by arranging these integrated components. Here, the integration of the voltage controlled oscillator 7 and the power amplifier 8 is technically a manufacturing method. Are different fields, and their integration is difficult and has not yet been integrated.

本発明は、このような問題点を解決するもので、セットメーカにとって携帯電話機等の製造が容易となる高出力電圧制御発振器を提供することを目的としたものである。   The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a high output voltage controlled oscillator that makes it easy for a set maker to manufacture a mobile phone or the like.

この目的を達成するために本発明の高出力電圧制御発振器は、制御電圧が入力される入力端子と、この入力端子に入力された制御電圧が供給される電圧制御発振部と、この電圧制御発振部の出力が供給されるとともに複数個の増幅回路が直列に接続されて形成された電力増幅部と、この電力増幅部の出力が供給される電力増幅信号の出力端子とを備え、前記電圧制御発振部には平衡増幅回路を用い、この平衡増幅回路の出力が供給される前記電力増幅部の初段の増幅回路に平衡・不平衡変換回路を用い、前記電力増幅部からは不平衡信号が出力され、前記電圧制御発振部と前記電力増幅部とは面実装の可能な一つの多層基板内に収納されたものである。 In order to achieve this object, a high output voltage controlled oscillator according to the present invention includes an input terminal to which a control voltage is input, a voltage controlled oscillator to which the control voltage input to the input terminal is supplied, and the voltage controlled oscillation. A power amplification unit formed by connecting a plurality of amplifier circuits connected in series and an output terminal of a power amplification signal to which an output of the power amplification unit is supplied, the voltage control A balanced amplifier circuit is used for the oscillation unit , a balanced / unbalanced conversion circuit is used for the first stage amplifier circuit of the power amplifier unit to which the output of the balanced amplifier circuit is supplied, and an unbalanced signal is output from the power amplifier unit. The voltage-controlled oscillation unit and the power amplification unit are housed in a single multilayer substrate that can be surface-mounted.

これにより、携帯電話機等の製造が容易となる高出力電圧制御発振器を提供することができる。   Thereby, it is possible to provide a high output voltage controlled oscillator that facilitates the manufacture of a mobile phone or the like.

請求項1に記載の発明は、制御電圧が入力される入力端子と、この入力端子に入力された制御電圧が供給される電圧制御発振部と、この電圧制御発振部の出力が供給されるとともに複数個の増幅回路が直列に接続されて形成された電力増幅部と、この電力増幅部の出力が供給される電力増幅信号の出力端子とを備え、前記電圧制御発振部には平衡増幅回路を用い、この平衡増幅回路の出力が供給される前記電力増幅部の初段の増幅回路に平衡・不平衡変換回路を用い、前記電力増幅部からは不平衡信号が出力され、前記電圧制御発振部と前記電力増幅部とは面実装の可能な一つの多層基板内に収納された高出力電圧制御発振器であり、面実装が可能な一つの基板内に収納されているので、セットメーカ側ではそのまま携帯電話機等のセットに実装することができ、セットメーカ側での製造が容易となる。 According to the first aspect of the present invention, an input terminal to which a control voltage is input, a voltage control oscillation unit to which a control voltage input to the input terminal is supplied, and an output of the voltage control oscillation unit are supplied. a plurality of amplifier circuit power amplifier that is formed by connecting in series, and an output terminal of the power amplified signal with an output of the power amplifier is supplied, a balanced amplifier circuit to the voltage controlled oscillator A balanced / unbalanced conversion circuit is used for the first stage amplifier circuit of the power amplifier unit to which the output of the balanced amplifier circuit is supplied, and an unbalanced signal is output from the power amplifier unit; The power amplifier is a high output voltage controlled oscillator housed in a single surface mountable multi-layer board. Since it is housed in a single surface mountable board, the set manufacturer can carry it as it is. For sets such as telephones Can do so, it is easy to manufacture in the set manufacturer.

また、最終電力増幅回路の出力は不平衡信号で出力されるので、電力増幅部の出力に平衡・不平衡変換回路を接続する必要はない。従って、この平衡・不平衡変換回路による電力損失は無く、省電力化を図ることができる。   Further, since the output of the final power amplifier circuit is output as an unbalanced signal, there is no need to connect a balanced / unbalanced conversion circuit to the output of the power amplifier. Therefore, there is no power loss due to the balanced / unbalanced conversion circuit, and power saving can be achieved.

更に、電圧制御発振部と、電力増幅部の少なくとも初段の増幅回路は平衡増幅回路で形成されているので、外来信号による妨害を受けることが少ない。   Furthermore, since the voltage controlled oscillation unit and at least the first stage amplifier circuit of the power amplifier unit are formed by balanced amplifier circuits, they are less likely to be disturbed by external signals.

請求項2に記載の発明は、電力増幅部は3段の増幅回路で形成された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器であり、初段の増幅回路に平衡・不平衡変換回路が設けられており、小信号の状態で平衡・不平衡変換をするので、電力損失は少なく、省電力化を図ることができる。 The invention according to claim 2 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 1 , wherein the power amplifying unit is formed by a three-stage amplifier circuit, and a balanced / unbalanced conversion circuit is provided in the first stage amplifier circuit. Since the balance / unbalance conversion is performed in the state of a small signal, power loss is small and power saving can be achieved.

請求項3に記載の発明は、電圧制御発振部と電力増幅部は一つのパッケージ内に集積された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器であり、一つのパッケージ内に集積されているので、取り扱いが容易になるとともに管理も容易になる。また、小型化を図ることもできる。   The invention described in claim 3 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the voltage controlled oscillator and the power amplifying unit are integrated in one package, and are integrated in one package. It becomes easy to handle and manage. Further, the size can be reduced.

請求項4に記載の発明は、2系列の電圧制御発振部と電力増幅部とを有する請求項3に記載の高出力電圧制御発振器であり、多バンドの高出力電圧制御発振器となり、多バンドの携帯電話機等に用いることができる。   The invention described in claim 4 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 3 having two series of voltage controlled oscillators and power amplifiers, and becomes a multi-band high output voltage controlled oscillator, It can be used for a mobile phone or the like.

請求項5に記載の発明は、電力増幅部に熱的に接続された放熱板を有するとともにこの放熱板はパッケージの端子として外部に導出された請求項3に記載の高出力電圧制御発振器であり、この端子を介して外部に大型の放熱板を取り付けることができるので、放熱特性を向上させることができ、結果として省電力化を図ることができる。   The invention according to claim 5 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 3, which has a heat dissipation plate thermally connected to the power amplifying unit, and the heat dissipation plate is led out as a terminal of the package. Since a large heat radiating plate can be attached to the outside via this terminal, the heat radiating characteristics can be improved, and as a result, power saving can be achieved.

請求項6に記載の発明は、放熱板から導出された端子は、パッケージの側面に形成されるとともにその大きさは他の端子よりも大型とした請求項5に記載の高出力電圧制御発振器であり、端子自身にも放熱特性を持たせることができる。また、端子はパッケージの側面に形成されているので、面実装が可能となる。   According to a sixth aspect of the present invention, in the high output voltage controlled oscillator according to the fifth aspect, the terminal led out from the heat sink is formed on the side surface of the package and the size thereof is larger than the other terminals. Yes, the terminal itself can also have heat dissipation characteristics. Further, since the terminals are formed on the side surface of the package, surface mounting is possible.

請求項7に記載の発明は、放熱板から導出された端子には、電力増幅部のグランド信号が接続された請求項6に記載の高出力電圧制御発振器であり、端子数の省略化が可能になるとともにこの端子のために外部からのノイズの影響を受けにくい。   The invention according to claim 7 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 6, wherein the ground signal of the power amplifying unit is connected to the terminal derived from the heat sink, and the number of terminals can be omitted. This terminal is less susceptible to external noise.

請求項8に記載の発明は、電力増幅部に熱的に接続された放熱板を有するとともにこの放熱板はパッケージの底面に外部から半田付け可能に設けられた請求項3に記載の高出力電圧制御発振器であり、大型の放熱板が取り付けられるので、放熱特性が向上する。また、この放熱板は外部から半田付け可能に設けられているので、外部に第2の放熱板を設けることができ、放熱特性が更に向上する。   The invention according to claim 8 has a heat sink thermally connected to the power amplifier, and the heat sink is provided on the bottom surface of the package so as to be solderable from the outside. Since it is a controlled oscillator and a large heat sink is attached, the heat dissipation characteristics are improved. Further, since the heat radiating plate is provided so as to be solderable from the outside, a second heat radiating plate can be provided outside, and the heat radiation characteristics are further improved.

請求項9に記載の発明は、パッケージの底面に設けられた放熱板には、電力増幅部のグランド信号が接続された請求項8に記載の高出力電圧制御発振器であり、端子数の省略化が可能になるとともにこの端子のために外部からのノイズの影響を受けにくい。   The invention according to claim 9 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 8, wherein the ground signal of the power amplifying unit is connected to the heat sink provided on the bottom surface of the package, and the number of terminals is omitted. As a result, this terminal is less susceptible to external noise.

請求項10に記載の発明は、電圧制御発振部のグランドと電力増幅部のグランドとは夫々独立してパッケージ外へ導出された請求項3に記載の高出力電圧制御発振器であり、グランドが分離されているので、お互いの影響を受けにくく十分に夫々の性能を発揮させることができる。   The invention according to claim 10 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 3, wherein the ground of the voltage controlled oscillator and the ground of the power amplifying unit are independently led out of the package, and the ground is separated. Therefore, it is difficult to be affected by each other, and each performance can be sufficiently exhibited.

請求項11に記載の発明は、電力増幅部は外部から増幅度の制御を可能とした請求項1に記載の高出力電圧制御発振器であり、通信距離の違いにより出力電力を制御することができ、例えば近距離通信の場合は電力増幅度を下げて、省電力化を図ることができる。   The invention described in claim 11 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the power amplifying unit can control the amplification degree from the outside, and the output power can be controlled by the difference in communication distance. For example, in the case of short-range communication, the power amplification can be reduced to save power.

請求項12に記載の発明は、電圧制御発振部と電力増幅部はSiGeで形成された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器であり、従来のガリウム・ヒ素で形成するものに比べて略性能が同一であるのにもかかわらず著しく低価格のものが実現できる。   The invention described in claim 12 is the high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the voltage controlled oscillator and the power amplifying unit are formed of SiGe, which is substantially less than that of a conventional gallium arsenide. Despite having the same performance, a significantly lower cost can be realized.

請求項13に記載の発明は、電圧制御発振部と電力増幅部とは夫々別々のパッケージ内に集積されるとともに、前記電圧制御発振部はSiGeで形成され、前記電力増幅部はGaPで形成された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器であり、電圧制御発振部と電力増幅部とは夫々別の技術で生産できるので、歩留まりが良く生産性が向上する。また、歩留まりが良いので低価格化も実現できる。   According to a thirteenth aspect of the present invention, the voltage controlled oscillator and the power amplifier are integrated in separate packages, the voltage controlled oscillator is formed of SiGe, and the power amplifier is formed of GaP. The high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the voltage controlled oscillation unit and the power amplification unit can be produced by different technologies, so that the yield is good and the productivity is improved. Moreover, since the yield is good, the price can be reduced.

請求項14に記載の発明は、2系列の電圧制御発振部と電力増幅部を夫々のパッケージ内に集積し、これらのパッケージが一つのプリント基板上に装着された請求項13に記載の高出力電圧制御発振器であり、多バンドの高出力電圧制御発振器となり、多バンドの携帯電話機等に用いることができる。   According to a fourteenth aspect of the present invention, two series of voltage-controlled oscillation units and power amplification units are integrated in each package, and these packages are mounted on a single printed circuit board. The voltage controlled oscillator is a multi-band high output voltage controlled oscillator and can be used for a multi-band mobile phone or the like.

以上のように本発明によれば、制御電圧が入力される入力端子と、この入力端子に入力された制御電圧が供給される電圧制御発振部と、この電圧制御発振部の出力が供給されるとともに複数個の増幅回路が直列に接続されて形成された電力増幅部と、この電力増幅部の出力が供給される電力増幅信号の出力端子とを備え、前記電圧制御発振部には平衡増幅回路を用い、この平衡増幅回路の出力が供給される前記電力増幅部の初段の増幅回路に平衡・不平衡変換回路を用い、前記電力増幅部からは不平衡信号が出力され、前記電圧制御発振部と前記電力増幅部とは面実装の可能な一つの多層基板内に収納された高出力電圧制御発振器であり、面実装が可能な一つの基板内に収納されているので、セットメーカ側ではそのまま携帯電話機等のセットに実装することができ、セットメーカ側での製造が容易となる。 As described above, according to the present invention, the input terminal to which the control voltage is input, the voltage control oscillation unit to which the control voltage input to the input terminal is supplied, and the output of the voltage control oscillation unit are supplied. And a power amplifier formed by connecting a plurality of amplifier circuits in series, and an output terminal of a power amplification signal to which the output of the power amplifier is supplied, and the voltage controlled oscillator includes a balanced amplifier circuit The output of the balanced amplifier circuit is used, a balanced / unbalanced conversion circuit is used for the first stage amplifier circuit of the power amplifier, and an unbalanced signal is output from the power amplifier, and the voltage controlled oscillator And the power amplifying unit is a high output voltage controlled oscillator housed in one surface-mountable multi-layer board, and is housed in one surface-mountable board. Set a mobile phone Can be implemented, it is easy to manufacture in the set manufacturer.

また、最終電力増幅回路の出力は不平衡信号で出力されるので、電力増幅部の出力に平衡・不平衡変換回路を接続する必要はない。従って、この平衡・不平衡変換回路による電力損失は無く、省電力化を図ることができる。   Further, since the output of the final power amplifier circuit is output as an unbalanced signal, there is no need to connect a balanced / unbalanced conversion circuit to the output of the power amplifier. Therefore, there is no power loss due to the balanced / unbalanced conversion circuit, and power saving can be achieved.

更に、電圧制御発振部と、電力増幅部の少なくとも初段の増幅回路は平衡増幅回路で形成されているので、外来信号による妨害を受けることが少ない。   Furthermore, since the voltage controlled oscillation unit and at least the first stage amplifier circuit of the power amplifier unit are formed by balanced amplifier circuits, they are less likely to be disturbed by external signals.

(実施の形態1)
以下、図面に従って本発明の実施の形態を説明する。図1において、11は制御電圧が入力される入力端子であり、電圧制御発振部12に接続されている。この電圧制御発振部12の出力は、この電圧制御発振部12で発振される発振周波数のモニタ端子13に接続されるとともに検査手段14に接続されている。この検査手段14は、検査端子15からの信号で制御される。また、検査手段14の出力は電力増幅部16に接続され、その出力は整合回路17を介して出力端子18に接続されている。
(Embodiment 1)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes an input terminal to which a control voltage is input, and is connected to the voltage controlled oscillator 12. The output of the voltage controlled oscillator 12 is connected to a monitor terminal 13 for the oscillation frequency oscillated by the voltage controlled oscillator 12 and to the inspection means 14. This inspection means 14 is controlled by a signal from the inspection terminal 15. The output of the inspection means 14 is connected to the power amplifier 16, and the output is connected to the output terminal 18 via the matching circuit 17.

19は電力制御端子であり、この電力制御端子19から電力増幅部16の電力増幅度を制御する。これは、通信距離の違いにより出力電力を制御するもので、例えば近距離通信の場合は電力増幅度を下げて省電力化を図るためのものである。20は、電力制御部16に接続された放熱手段であり、電力増幅部16から出る発熱を放出して高電力化を図るものである。   Reference numeral 19 denotes a power control terminal, which controls the power amplification degree of the power amplifying unit 16 from the power control terminal 19. This is for controlling the output power based on the difference in communication distance. For example, in the case of short-distance communication, the power amplification is reduced to save power. Reference numeral 20 denotes a heat radiating means connected to the power control unit 16, which releases heat generated from the power amplification unit 16 to increase power.

49は、電力増幅部16の信号が電圧制御発振部12に妨害を与えないように設けられた妨害阻止手段である。そしてこれらの各回路は一枚の樹脂製の多層基板21に収納されている。   Reference numeral 49 denotes interference prevention means provided so that the signal of the power amplifying unit 16 does not interfere with the voltage controlled oscillation unit 12. Each of these circuits is housed in a single multilayer board 21 made of resin.

また、検査手段14は、電圧制御発振部12と電力増幅部16とを独立に調整したり検査したりするものである。この検査手段14を有しているので、容易に調整・検査をすることができる。また、一枚の多層基板21上に収納されているので、セットメーカ側では容易に実装することができる。   The inspection unit 14 adjusts or inspects the voltage controlled oscillation unit 12 and the power amplification unit 16 independently. Since this inspection means 14 is provided, adjustment and inspection can be easily performed. Further, since it is housed on one multilayer substrate 21, it can be easily mounted on the set manufacturer side.

整合回路17は、電力増幅部16の出力を損失なくセット側のLPFに接続するためのものである。   The matching circuit 17 is for connecting the output of the power amplifier 16 to the LPF on the set side without loss.

図2から図6は検査手段の種々の対応を示している。図2において、電圧制御発振部12の出力は50オームのストリップ線路24で多層基板21の側面電極22に導出されている。また、23はこの側面電極22に隣接する独立した側面電極であり、50オームのストリップ線路25で電力増幅部16の入力に接続されている。このように電圧制御発振部12の出力と電力増幅部16の入力とは独立して外部へ導出されているので、容易に調整や検査を行うことができる。   2 to 6 show various correspondences of the inspection means. In FIG. 2, the output of the voltage controlled oscillator 12 is led to the side electrode 22 of the multilayer substrate 21 by a 50 ohm strip line 24. Reference numeral 23 denotes an independent side electrode adjacent to the side electrode 22, which is connected to the input of the power amplifier 16 by a 50 ohm strip line 25. As described above, since the output of the voltage controlled oscillator 12 and the input of the power amplifying unit 16 are led out to the outside independently, adjustment and inspection can be easily performed.

すなわち、入力端子11に制御電圧を加えて、側面電極22(モニタ端子13を兼ねている。)で発振周波数を観測しながら電圧制御発振部12内の共振回路を形成するパターンインダクタンスをレーザー光でトリミング調整する。また、側面電極23に信号を加えて出力端子18で出力を観測しながら電力増幅部16や整合回路17のパターンインダクタンスをレーザー光でトリミング調整する。   That is, by applying a control voltage to the input terminal 11 and observing the oscillation frequency with the side electrode 22 (also serving as the monitor terminal 13), the pattern inductance that forms the resonance circuit in the voltage-controlled oscillation unit 12 is formed by laser light. Adjust trimming. In addition, the pattern inductance of the power amplifier 16 and the matching circuit 17 is trimmed and adjusted with laser light while applying a signal to the side electrode 23 and observing the output at the output terminal 18.

なお、調整や検査が完了したら外部(セット側で)側面電極22と23とを50オーム線路で接続する。また、側面電極22と23とを直接接続しても良い。   When adjustment and inspection are completed, the external (on the set side) side electrodes 22 and 23 are connected by a 50 ohm line. Further, the side electrodes 22 and 23 may be directly connected.

図3は、検査手段14の第2の例である。図3においては、電圧制御発振部12の出力と電力増幅部16の入力との間にジャンパー抵抗の接続部26が設けられている。従って、調整・検査が終了した時点で、零オームのジャンパー抵抗を接続部26に装着する。このことにより、セット側では側面電極22と23とを外部で接続する必要がない。   FIG. 3 is a second example of the inspection means 14. In FIG. 3, a jumper resistor connection 26 is provided between the output of the voltage controlled oscillator 12 and the input of the power amplifier 16. Accordingly, when the adjustment / inspection is completed, a zero ohm jumper resistor is attached to the connection portion 26. This eliminates the need to connect the side electrodes 22 and 23 externally on the set side.

27はストリップ線路24に設けられたオープンスタブであり、電圧制御発振部12の出力周波数の第3高調波の4分の1波長に設定し、第3高調波を減衰させている。また、28はストリップ線路25に設けられたオープンスタブであり、電圧制御発振部12の出力周波数の第2高調波の4分の1波長に設定し、第2高調波を減衰させている。   Reference numeral 27 denotes an open stub provided on the strip line 24, which is set to a quarter wavelength of the third harmonic of the output frequency of the voltage controlled oscillator 12, and attenuates the third harmonic. Reference numeral 28 denotes an open stub provided on the strip line 25, which is set to a quarter wavelength of the second harmonic of the output frequency of the voltage controlled oscillator 12, and attenuates the second harmonic.

図4は、検査手段14の第3の例である。図4においては、電圧制御発振部12の出力は結合コンデンサ(略5PFのチップコンデンサ)29を介して50オームのストリップ線路30に接続されている。また、このストリップ線路30からはスイッチダイオード31を介して50オームのストリップ線路32に接続され、このストリップ線路32は電力増幅部16の入力に接続されている。   FIG. 4 is a third example of the inspection means 14. In FIG. 4, the output of the voltage controlled oscillator 12 is connected to a 50 ohm strip line 30 via a coupling capacitor (approximately 5 PF chip capacitor) 29. The strip line 30 is connected to a 50 ohm strip line 32 via a switch diode 31, and the strip line 32 is connected to the input of the power amplifier 16.

また、ストリップ線路30は側面電極22に接続されるとともに、抵抗(略470オームのチップ抵抗)33を介してパターンインダクタンス34の一端に接続されている。このパターンインダクタンス34の他端は電源35に接続されている。なお、このパターンインダクタンス34は電圧制御発振部12の発振周波数の4分の1波長にして、抵抗33側から見てオープンにしている。また、抵抗33の値は、ストリップ線路30の略10倍程度にして、ストリップ線路30の特性インピーダンスに影響を与えないようにしている。   The strip line 30 is connected to the side electrode 22 and is connected to one end of a pattern inductance 34 via a resistor (a chip resistor of about 470 ohms) 33. The other end of the pattern inductance 34 is connected to a power source 35. The pattern inductance 34 is set to a quarter wavelength of the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator 12 and is open as viewed from the resistor 33 side. The value of the resistor 33 is set to about 10 times that of the strip line 30 so that the characteristic impedance of the strip line 30 is not affected.

同様に、ストリップ線路32は側面電極23に接続されるとともに、抵抗(略470オームのチップ抵抗)36を介してパターンインダクタンス37の一端に接続されている。このパターンインダクタンス37の他端はグランドに接続されている。なお、このパターンインダクタンス37は電圧制御発振部12の発振周波数の4分の1波長にして、抵抗36側から見てオープンにしている。また、抵抗36の値は、ストリップ線路32の略10倍程度にして、ストリップ線路32の特性インピーダンスに影響を与えないようにしている。   Similarly, the strip line 32 is connected to the side electrode 23 and is connected to one end of a pattern inductance 37 via a resistor (a chip resistor of about 470 ohms) 36. The other end of the pattern inductance 37 is connected to the ground. The pattern inductance 37 is set to a quarter wavelength of the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator 12 and is open as viewed from the resistor 36 side. The value of the resistor 36 is set to about 10 times that of the strip line 32 so that the characteristic impedance of the strip line 32 is not affected.

38は、電圧制御発振部12の発振周波数を観測するために設けられた検査装置40の当接ピンである。このピン38の信号はコンデンサ39を介して検査装置40へ導かれる。また、当接ピン38は抵抗(略470オーム)41を介してマイナス電源(略−15V)42に接続される。43は、電力増幅部16へ信号を与えるための検査装置45の当接ピンである。このピン43へはコンデンサ44を介して検査装置45から信号が与えられる。   Reference numeral 38 denotes a contact pin of the inspection apparatus 40 provided for observing the oscillation frequency of the voltage controlled oscillation unit 12. The signal on this pin 38 is guided to the inspection device 40 via the capacitor 39. The contact pin 38 is connected to a negative power source (approximately -15V) 42 via a resistor (approximately 470 ohms) 41. Reference numeral 43 denotes a contact pin of the inspection device 45 for giving a signal to the power amplifier 16. A signal is given to the pin 43 from the inspection device 45 via the capacitor 44.

当接ピン38を側面電極22に当接することにより、マイナス電源42がスイッチングダイオード31を逆バイアスにして、このスイッチングダイオード31をオフにする。従って、この状態において電圧制御発振部12と電力増幅部16とは分離され、夫々独立に調整・検査をすることができる。また、当接ピン38を側面電極22から離せば、電源35がスイッチングダイオード31をオンする。従って、電圧制御発振部12と電力増幅部16とは接続されることになる。   By bringing the contact pin 38 into contact with the side electrode 22, the negative power source 42 reversely biases the switching diode 31 and turns off the switching diode 31. Therefore, in this state, the voltage controlled oscillator 12 and the power amplifier 16 are separated and can be adjusted and inspected independently. When the contact pin 38 is separated from the side electrode 22, the power source 35 turns on the switching diode 31. Therefore, the voltage controlled oscillator 12 and the power amplifier 16 are connected.

図5は、ストリップ線路50に設けられたオープンスタブ51,52である。このスタブ51,52をストリップ線路50に供給される周波数の4分の1波長に設定すると、その周波数が除去される。図6にその特性を示す。縦軸53は減衰量であり、横軸54は周波数である。例えば、スタブ51を電圧制御発振部12の発振周波数の2倍の4分の1波長にすれば、電圧制御発振部12の第2高調波が減衰55される。同様に、スタブ52を電圧制御発振部12の発振周波数の3倍の4分の1波長にすれば、電圧制御発振部12の第3高調波が減衰56される。従って、このようなスタブ51,52を電圧制御発振部12の出力に設けることにより、妨害となる高調波を除去することができる。   FIG. 5 shows open stubs 51 and 52 provided on the strip line 50. When the stubs 51 and 52 are set to a quarter wavelength of the frequency supplied to the strip line 50, the frequency is removed. FIG. 6 shows the characteristics. The vertical axis 53 is the attenuation amount, and the horizontal axis 54 is the frequency. For example, if the stub 51 is set to a quarter wavelength that is twice the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator 12, the second harmonic of the voltage controlled oscillator 12 is attenuated 55. Similarly, if the stub 52 is set to a quarter wavelength that is three times the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator 12, the third harmonic of the voltage controlled oscillator 12 is attenuated 56. Therefore, by providing such stubs 51 and 52 at the output of the voltage-controlled oscillation unit 12, it is possible to remove harmonics that cause interference.

図7から図10までは妨害阻止手段の種々の対応を示している。図7は、多層基板21の電圧制御発振部12の実装側60を金属製のシールドケース61で覆ったものである。このことにより、電力増幅部16側からの妨害波が電圧制御発振部12に進入することを防いでいる。   7 to 10 show various correspondences of the interference prevention means. In FIG. 7, the mounting side 60 of the voltage controlled oscillator 12 of the multilayer substrate 21 is covered with a metal shield case 61. This prevents an interference wave from the power amplifier 16 side from entering the voltage controlled oscillator 12.

図8は、さらに、電力増幅部16の実装側62も金属製のシールドケース63で覆って、電力増幅部16から電圧制御発振部12側へ放出される妨害波を防いでいる。   In FIG. 8, the mounting side 62 of the power amplifying unit 16 is also covered with a metal shield case 63 to prevent an interference wave emitted from the power amplifying unit 16 to the voltage controlled oscillation unit 12 side.

図9は、電圧制御発振部12の実装側60と電力増幅部16の実装側62を一体化されたシールドケース64で覆っている。そして、実装側60と実装側62の間はシールドケース64の一部を切り起こして、90度折り曲げることにより仕切り板65を形成し、この仕切り板65で実装側60と実装側62とを高周波的に分離し、電圧制御発振部12側へ妨害を与えることを防いでいる。なお、この切り起こし時に生ずる孔66は電力増幅部16の実装側62に設けることが重要である。すなわち、このことにより、電力増幅部16の放熱が良好になる。仕切り板65の下端は多層基板21に設けられたスルーホール67に半田付けされるとともにグランドに接続されている。   In FIG. 9, the mounting side 60 of the voltage controlled oscillation unit 12 and the mounting side 62 of the power amplification unit 16 are covered with an integrated shield case 64. A part of the shield case 64 is cut and raised between the mounting side 60 and the mounting side 62 and bent by 90 degrees to form a partition plate 65. The partition plate 65 allows the mounting side 60 and the mounting side 62 to be connected to each other at high frequency. Thus preventing interference to the voltage-controlled oscillator 12 side. In addition, it is important to provide the hole 66 generated at the time of cutting and raising on the mounting side 62 of the power amplifying unit 16. That is, the heat dissipation of the power amplifying unit 16 is improved. The lower end of the partition plate 65 is soldered to a through hole 67 provided in the multilayer substrate 21 and connected to the ground.

なお、シールドケース61,63,64は金型で打ち抜かれて、この打ち抜き方向に90度折り曲げられて、その端部は多層基板21の側面電極でグランドに接続されている。このことにより、シールドケース61,63,64のグランドがとれるので、妨害を受けにくいものになる。また、金型で打ち抜いたときに生ずるバリが側面電極に当接するので、前記バリの端部と前記側面電極との間に空隙が生ずる。従って、毛細管現象により、この空隙に半田が全体に充填されるので、大面積で確実な半田付けができる。   The shield cases 61, 63, 64 are punched with a die, bent 90 degrees in this punching direction, and the end portions thereof are connected to the ground with side electrodes of the multilayer substrate 21. As a result, the shield cases 61, 63, and 64 can be grounded, so that they are not easily disturbed. Further, since the burr generated when punching with the mold comes into contact with the side electrode, a gap is formed between the end of the burr and the side electrode. Accordingly, since the entire space is filled with solder by capillary action, reliable soldering can be performed in a large area.

従って、高周波シールド性能が向上する。また、グランドに接続された電力増幅部16の熱は、側面電極を介してこのシールドケース61,63,64から放熱される。   Therefore, the high frequency shielding performance is improved. The heat of the power amplifying unit 16 connected to the ground is radiated from the shield cases 61, 63, 64 via the side electrodes.

図10は、電圧制御発振部12と電力増幅部16とを共にSiGeで形成された平衡回路で形成して、平衡回路で形成された電圧制御発振部70と電力増幅部71としても良い。このことにより、外部からの妨害に対して電気回路的に対策されることになる。電力増幅部71の出力は平衡・不平衡変換器72を介して不平衡信号として出力される。なお、電力増幅部71と先に示した電力増幅部16はともに3個の増幅器73,74,75で形成され、略1300倍の増幅度を得るようにしている。すなわち、3mW程度の入力が4W程度に電力増幅して出力されることになる。このように電力増幅することにより、その出力インピーダンスは数ミリオームとなる。   In FIG. 10, the voltage controlled oscillation unit 12 and the power amplification unit 16 may be both formed of a balanced circuit formed of SiGe, and the voltage controlled oscillation unit 70 and the power amplification unit 71 formed of a balanced circuit may be used. As a result, measures against electric interference from the outside are taken in the electric circuit. The output of the power amplifying unit 71 is output as an unbalanced signal via the balanced / unbalanced converter 72. The power amplifying unit 71 and the power amplifying unit 16 described above are both formed by three amplifiers 73, 74, and 75 so as to obtain an amplification factor of approximately 1300 times. That is, an input of about 3 mW is output after being amplified to about 4 W. By amplifying the power in this way, the output impedance becomes several milliohms.

図11から図15までは放熱手段の種々の対応を示している。図11は、多層基板21上に電力増幅部16が載置され、その底面の発熱部16aからスルーホール80で多層基板21の下面81に導出されている。本実施の形態では、スルーホール80は9本で構成し、その各々の直径は1mmとしている。82は、多層基板21の上面に形成された銅箔であり、83は多層基板21の下面に形成された銅箔であり、グランドに接続されている。   11 to 15 show various correspondences of the heat dissipating means. In FIG. 11, the power amplifying unit 16 is mounted on the multilayer substrate 21, and is led out to the lower surface 81 of the multilayer substrate 21 through the through hole 80 from the heat generating unit 16 a on the bottom surface. In the present embodiment, nine through holes 80 are formed, and each diameter is 1 mm. 82 is a copper foil formed on the upper surface of the multilayer substrate 21, and 83 is a copper foil formed on the lower surface of the multilayer substrate 21, and is connected to the ground.

そして、この銅箔82,83にスルーホール80が接続されて効率良く熱の伝導を行っている。この銅箔83は更に携帯電話機の本体部に接続されて放熱を行う。また、耐熱部品、すなわちチップ部品や本体部を覆うケースに接続しても良い。また、熱導伝材であるとともに電気的な絶縁材を介して、アンテナに接続しても良い。84は、多層基板21の2層目に形成されたグランドプレーンであり、85は、多層基板21の4層目に形成されたグランドプレーンである。そして、このグランドプレーン84,85は共にスルーホール80に接続されて、電力増幅部16の発熱に寄与している。   The through holes 80 are connected to the copper foils 82 and 83 to conduct heat efficiently. This copper foil 83 is further connected to the main body of the mobile phone to dissipate heat. Moreover, you may connect to the case which covers heat-resistant components, ie, a chip component, and a main-body part. Moreover, it may be connected to the antenna through an electrically insulating material as well as a heat conducting material. Reference numeral 84 denotes a ground plane formed in the second layer of the multilayer substrate 21, and reference numeral 85 denotes a ground plane formed in the fourth layer of the multilayer substrate 21. The ground planes 84 and 85 are both connected to the through hole 80 and contribute to the heat generation of the power amplifier 16.

ここで、図11を用いて多層基板21を説明する。この多層基板21はガラスエポキシ樹脂で形成され、5層の構造になっている。2層目と4層目は夫々グランドプレーン84,85とし、その間の3層目にストリップ線路86やインダクタンス87を設けている。このことにより、ストリップ線路86はグランドプレーン84,85に挟まれるのでストリップ線路86のキュウ(Q)が高くなる。   Here, the multilayer substrate 21 will be described with reference to FIG. The multilayer substrate 21 is formed of glass epoxy resin and has a five-layer structure. The second and fourth layers are ground planes 84 and 85, respectively, and a strip line 86 and an inductance 87 are provided in the third layer therebetween. Accordingly, since the strip line 86 is sandwiched between the ground planes 84 and 85, the cues (Q) of the strip line 86 are increased.

また、下面81側は側面電極と放熱用の銅箔83以外は設けないようにしている。この銅箔83の外形寸法は略電力増幅部16の外形寸法と同じにしている。このことにより、本体側でのパターン配線の自由度を向上させている。すなわち、多層基板21は、セット側のプリント基板に載置される訳だが、多層基板21の下面81には配線が無く絶縁の状態である。従って、セット側のプリント基板ではショートの心配をすること無く、自由な引き回しが可能となり、使い易いものとなる。   The lower surface 81 side is not provided except for the side electrodes and the copper foil 83 for heat dissipation. The outer dimensions of the copper foil 83 are substantially the same as the outer dimensions of the power amplifier 16. This improves the degree of freedom of pattern wiring on the main body side. That is, the multilayer substrate 21 is placed on the printed circuit board on the set side, but the lower surface 81 of the multilayer substrate 21 has no wiring and is in an insulated state. Therefore, the printed circuit board on the set side can be freely routed without worrying about a short circuit and is easy to use.

図12は、図11の平面図である。図12に示すように、9個のスルーホール80を電力増幅部16の下面の外形内に等間隔で設けている。   FIG. 12 is a plan view of FIG. As shown in FIG. 12, nine through holes 80 are provided at equal intervals in the outer shape of the lower surface of the power amplifying unit 16.

図13は、大型のスルーホール88を1個設けたものである。そして、このスルーホール88に半田を充填して電力増幅部16の発熱を多層基板21の下面81に放出するものである。この場合、スルーホール88が大型のため、電力増幅部16の交換等が生じた場合に、この大型のスルーホール88を用いて容易に交換ができるという特徴を有する。本実施の形態では、直径を略2.5mmのスルーホール88としている。この大きさは、電力増幅部16底面の8割程度にすると良い。   In FIG. 13, one large through hole 88 is provided. The through hole 88 is filled with solder, and the heat generated by the power amplifier 16 is released to the lower surface 81 of the multilayer substrate 21. In this case, since the through hole 88 is large, when the power amplifying unit 16 is exchanged, the large through hole 88 can be easily exchanged. In the present embodiment, the through hole 88 has a diameter of approximately 2.5 mm. This size is preferably about 80% of the bottom surface of the power amplifier 16.

図14は、多層基板21の上面を金属製のシールドケース90で覆い、その一部を切り起こして当接部91を形成している。そして、この当接部91を多層基板21上に載置された電力増幅部16の天面に当接させて、電力増幅部16からの発熱を放出するものである。92は、シールドケース90と一体に形成された仕切り板であり、電圧制御発振部12と電力増幅部16とを高周波的に分離して、電力増幅部16からの高調波が電圧制御発振部12に妨害を与えないようにしている。   In FIG. 14, the upper surface of the multilayer substrate 21 is covered with a metal shield case 90, and a part thereof is cut and raised to form a contact portion 91. The abutting portion 91 is brought into contact with the top surface of the power amplifying unit 16 placed on the multilayer substrate 21 to release heat generated from the power amplifying unit 16. Reference numeral 92 denotes a partition plate integrally formed with the shield case 90, which separates the voltage control oscillation unit 12 and the power amplification unit 16 in terms of high frequency, and the harmonics from the power amplification unit 16 are generated by the voltage control oscillation unit 12. Is not disturbed.

図15は、その平面図である。略電力増幅部16と同形をした当接部91がシールドケース90から切り起こされて形成されており、その周囲には小径の放熱孔93が複数個(本実施の形態では14個)形成されている。   FIG. 15 is a plan view thereof. A contact portion 91 having the same shape as the substantially power amplification portion 16 is cut and raised from the shield case 90, and a plurality of small-diameter heat radiation holes 93 (14 in the present embodiment) are formed around the contact portion 91. ing.

図16から図19までは整合回路の種々の対応を示している。図16は、整合回路17の基本型である。電力増幅部16の出力インピーダンスは数オームであり、これを50オーム系にして、送信信号の損失を少なくするものである。図16において、電力トランジスタ100のコレクタはコンデンサ101を介して出力102に接続されている。また、この出力102とグランドとの間にインダクタ103が挿入されている。また、電力トランジスタ100のエミッタはグランドに接続されている。   16 to 19 show various correspondences of the matching circuit. FIG. 16 shows a basic type of the matching circuit 17. The output impedance of the power amplifying unit 16 is several ohms, and this is made a 50 ohm system to reduce transmission signal loss. In FIG. 16, the collector of the power transistor 100 is connected to the output 102 via the capacitor 101. An inductor 103 is inserted between the output 102 and the ground. The emitter of the power transistor 100 is connected to the ground.

そして、電力トランジスタ100のコレクタとエミッタとの間の静電容量C0とコンデンサ101の静電容量C1との比で電力トランジスタ100の出力インピーダンスがストリップ線路の特性インピーダンス(50オーム)にアップする。また、静電容量C0とC1の合成静電容量とインダクタ103のインダクタンスで同調回路を形成し、電力トランジスタ100からの出力を能率良く出力102に導いている。   Then, the output impedance of the power transistor 100 is increased to the characteristic impedance (50 ohms) of the strip line by the ratio of the capacitance C0 between the collector and emitter of the power transistor 100 and the capacitance C1 of the capacitor 101. Further, a tuning circuit is formed by the combined capacitance of the capacitances C0 and C1 and the inductance of the inductor 103, and the output from the power transistor 100 is efficiently guided to the output 102.

図17は、インダクタ103をパターンインダクタ104とパターンインダクタ105の直列接続で形成したものである。そして、パターンインダクタ104は多層基板21の3層目に形成し、スルーホールで多層基板21の上面82に導出してパターンインダクタ105を形成している。そして、このパターンインダクタ105をレーザ光でトリミング106して周波数調整をしている。   In FIG. 17, the inductor 103 is formed by connecting a pattern inductor 104 and a pattern inductor 105 in series. The pattern inductor 104 is formed in the third layer of the multilayer substrate 21 and is led out to the upper surface 82 of the multilayer substrate 21 through a through hole to form the pattern inductor 105. The pattern inductor 105 is trimmed 106 with laser light to adjust the frequency.

図18は、コンデンサ101を3個のレーザトリミングコンデンサ107,108,109を並列に接続して形成したものである。そして、これらのレーザトリミングコンデンサ107,108,109を必要に応じてレーザ光でトリミング110して出力インピーダンスの調整をしている。   In FIG. 18, the capacitor 101 is formed by connecting three laser trimming capacitors 107, 108, and 109 in parallel. These laser trimming capacitors 107, 108, 109 are trimmed 110 with laser light as necessary to adjust the output impedance.

また、整合回路17の調整をバリキャップコンデンサを用いて制御電圧で調整することもできる。図19はその一例である。図19において、電力トランジスタ100のコレクタにはコンデンサ112とバリキャップダイオード111の直列接続体がグランドとの間に接続されている。そして、このバリキャップダイオード111の静電容量の調整は、以下のようにして行っている。すなわち、制御端子113からの信号で制御回路114を制御し、メモリ115の内容を予め指定された値に設定する。このメモリ115の値はD/A変換器116でアナログ電圧に変換され、抵抗117を介してバリキャップダイオード111のカソードに印加されバリキャップダイオード111の静電容量を調整している。なお、118はD/A変換器116の出力とグランドとの間に接続された平滑コンデンサである。   The matching circuit 17 can also be adjusted with a control voltage using a varicap capacitor. FIG. 19 shows an example. In FIG. 19, a series connection body of a capacitor 112 and a varicap diode 111 is connected between the collector of the power transistor 100 and the ground. The capacitance of the varicap diode 111 is adjusted as follows. That is, the control circuit 114 is controlled by a signal from the control terminal 113, and the contents of the memory 115 are set to a predetermined value. The value in the memory 115 is converted into an analog voltage by the D / A converter 116 and applied to the cathode of the varicap diode 111 via the resistor 117 to adjust the capacitance of the varicap diode 111. Reference numeral 118 denotes a smoothing capacitor connected between the output of the D / A converter 116 and the ground.

図20は、900MHzの周波数を出力するGSM用の高出力電圧制御発振器と1800MHzの周波数を出力するDCS用の高出力電圧制御発振器とが一つの多層基板120に装着されたものである。従って、この高出力電圧制御発振器を用いれば2バンドの携帯電話機が容易に実現できる。   In FIG. 20, a high output voltage controlled oscillator for GSM that outputs a frequency of 900 MHz and a high output voltage controlled oscillator for DCS that outputs a frequency of 1800 MHz are mounted on one multilayer substrate 120. Therefore, a two-band mobile phone can be easily realized by using this high output voltage controlled oscillator.

以下、その構成を説明する。121はGSMの制御電圧が入力される入力端子であり、この入力端子121は電圧制御発振器122の入力端子に接続される。123は電圧制御発振器122の出力端子である。また、この出力は検査手段124と整合回路125を介して電力増幅器126の入力に接続される。127は電力増幅器126の電力制御端子である。電力増幅器126の出力は整合回路128を介して、GSM出力端子129に接続されている。   The configuration will be described below. Reference numeral 121 denotes an input terminal to which a GSM control voltage is input. This input terminal 121 is connected to an input terminal of the voltage controlled oscillator 122. Reference numeral 123 denotes an output terminal of the voltage controlled oscillator 122. This output is connected to the input of the power amplifier 126 via the inspection means 124 and the matching circuit 125. Reference numeral 127 denotes a power control terminal of the power amplifier 126. The output of the power amplifier 126 is connected to the GSM output terminal 129 via the matching circuit 128.

131はDCSの制御電圧が入力される入力端子であり、この入力端子131は電圧制御発振器132の入力端子に接続される。133は電圧制御発振器132の出力端子である。また、この出力は検査手段134と整合回路135を介して電力増幅器136の入力に接続される。137は電力増幅器136の電力制御端子である。電力増幅器136の出力は整合回路138を介して、DCS出力端子139に接続されている。   Reference numeral 131 denotes an input terminal to which a DCS control voltage is input. This input terminal 131 is connected to an input terminal of the voltage controlled oscillator 132. Reference numeral 133 denotes an output terminal of the voltage controlled oscillator 132. This output is connected to the input of the power amplifier 136 via the inspection means 134 and the matching circuit 135. Reference numeral 137 denotes a power control terminal of the power amplifier 136. The output of the power amplifier 136 is connected to the DCS output terminal 139 via the matching circuit 138.

また、電圧制御発振器122と電圧制御発振器132の出力は論理和回路140を介して、PLL端子141に導かれている。   The outputs of the voltage controlled oscillator 122 and the voltage controlled oscillator 132 are led to the PLL terminal 141 via the OR circuit 140.

図20に示すように、GSM用の高出力電圧制御発振器とDCS用の高出力電圧制御発振器の外部への端子電極は多層基板120の対称の位置に設けられている。このように配置することにより、セット側でのパターンの引き回しが容易になる。   As shown in FIG. 20, terminal electrodes to the outside of the high output voltage controlled oscillator for GSM and the high output voltage controlled oscillator for DCS are provided at symmetrical positions on the multilayer substrate 120. By arranging in this way, the pattern can be easily routed on the set side.

なお、図20には妨害阻止手段49と放熱手段20は記載されていないが他の実施の形態と同様に設けられている。整合回路125,135は、夫々電圧制御発振部122,132と電力増幅手段126,136の間に設けられており、インピーダンスを合わせて損失の少ない電送を行っている。同様に電力増幅手段126,136も夫々図10で説明したように3増幅器で構成されており、夫々の結合路にはインピーダンスを合わせて損失を少なくするため整合回路が設けられている。   In FIG. 20, the interference prevention means 49 and the heat dissipation means 20 are not shown, but are provided as in the other embodiments. The matching circuits 125 and 135 are provided between the voltage controlled oscillators 122 and 132 and the power amplifying means 126 and 136, respectively, and perform transmission with less loss by matching impedance. Similarly, the power amplifying means 126 and 136 are each constituted by three amplifiers as described with reference to FIG. 10, and a matching circuit is provided in each coupling path in order to reduce the loss by matching the impedance.

図21は、多層基板21の下面に貼付けられるシート150の回路図である。すなわち、このシート150内には高出力電圧制御発振器に供給される電源用のバイパスコンデンサ151や制御電圧が生成されるラグ・リードフィルタ149を形成するコンデンサ152,153,154が設けられている。特に大容量を必要とするコンデンサ153にこのフィルタコンデンサを用いることにより、薄型にできるとともに外力による衝撃に対して安定したものとなる。すなわち、衝撃が加わったとしてもノイズが発生しないラグ・リードフィルタ149を得ることができる。その理由は、フィルムコンデンサには圧電効果が無いからである。   FIG. 21 is a circuit diagram of the sheet 150 attached to the lower surface of the multilayer substrate 21. That is, the sheet 150 is provided with capacitors 152, 153, and 154 for forming a bypass capacitor 151 for power supplied to the high output voltage controlled oscillator and a lag / lead filter 149 for generating a control voltage. In particular, by using this filter capacitor for the capacitor 153 that requires a large capacity, the filter can be made thin and stable against an impact caused by an external force. That is, it is possible to obtain the lag / lead filter 149 that does not generate noise even when an impact is applied. The reason is that the film capacitor has no piezoelectric effect.

シート150の入力155はラグ・リードフィルタ149とローパスフィルタ156を介して高出力電圧制御発振器157の入力端子11に接続される。また、高出力電圧制御発振器157の出力端子18はそのまま端子158から出力される。端子159はバイパスコンデンサ151でグランドに接続されるとともに直接高出力電圧制御発振器157の電源端子に接続される。   The input 155 of the sheet 150 is connected to the input terminal 11 of the high output voltage controlled oscillator 157 via the lag / lead filter 149 and the low pass filter 156. The output terminal 18 of the high output voltage controlled oscillator 157 is output from the terminal 158 as it is. The terminal 159 is connected to the ground by a bypass capacitor 151 and directly connected to the power supply terminal of the high output voltage controlled oscillator 157.

(実施の形態2)
図22は実施の形態2における高出力電圧制御発振器のブロック図である。図22において、211は制御電圧が入力される入力端子であり、共振回路212を介して平衡増幅回路213に接続されている。そして、この平衡増幅回路213の出力は電圧制御発振部214の出力として出力端子215に接続されるとともに、整合回路216を介して電力増幅部217に接続されている。そして、この電力増幅部217の出力は出力端子218に接続されている。
(Embodiment 2)
FIG. 22 is a block diagram of a high output voltage controlled oscillator in the second embodiment. In FIG. 22, reference numeral 211 denotes an input terminal to which a control voltage is input, and is connected to the balanced amplifier circuit 213 via the resonance circuit 212. The output of the balanced amplifier circuit 213 is connected to the output terminal 215 as the output of the voltage controlled oscillator 214 and is also connected to the power amplifier 217 via the matching circuit 216. The output of the power amplification unit 217 is connected to the output terminal 218.

電力増幅部217は、増幅回路219,220,221がこの順に直列接続されている。増幅回路219は略+5dBm(略3mW)の信号を略20dBmに増幅する。次の増回路220では、その信号を略30dBmに増幅し、次の増幅回路221で略36dBm(略4mW)に増幅して出力端子218に出力する。従来のものでは、大電力に増幅した最終出力36dBmから、平衡・不平衡変換回路によって略1.0dBmの出力が低下していた。しかし、本発明では初段の増幅回路219に平衡・不平衡変換回路が設けられているので、出力端子218から出力される略36dBmの信号は従来のように平衡・不平衡変換回路で減衰させる必要はない。従って、最終的に携帯電話等のアンテナからはそのままの略36dBmの信号が出力されることになる。   In the power amplifier 217, amplifier circuits 219, 220, and 221 are connected in series in this order. The amplifier circuit 219 amplifies a signal of approximately +5 dBm (approximately 3 mW) to approximately 20 dBm. The next increase circuit 220 amplifies the signal to about 30 dBm, amplifies it to about 36 dBm (about 4 mW) by the next amplification circuit 221, and outputs it to the output terminal 218. In the conventional device, the output of about 1.0 dBm has been reduced by the balanced / unbalanced conversion circuit from the final output of 36 dBm amplified to high power. However, in the present invention, since the first stage amplifier circuit 219 is provided with a balanced / unbalanced conversion circuit, a signal of approximately 36 dBm output from the output terminal 218 needs to be attenuated by the balanced / unbalanced conversion circuit as in the prior art. There is no. Accordingly, a signal of approximately 36 dBm is output as it is from an antenna of a mobile phone or the like.

222は電力制御端子であり、この電力制御端子222から入力される信号で増幅回路219或いは増幅回路220或いは増幅回路221の増幅度を制御する。こうすることによりその結果、電力増幅部217の出力電力を任意に制御する。これは、通信距離の違いにより出力電力を制御するもので、例えば近距離通信の場合は電力出力レベルを下げて増幅回路221の消費電流を下げることにより省電力化を図ることができる。   A power control terminal 222 controls the amplification degree of the amplifier circuit 219, the amplifier circuit 220, or the amplifier circuit 221 with a signal input from the power control terminal 222. As a result, the output power of the power amplifying unit 217 is arbitrarily controlled. This is to control the output power based on the difference in communication distance. For example, in the case of short-distance communication, power consumption can be reduced by lowering the power output level and reducing the current consumption of the amplifier circuit 221.

また、本実施の形態では、増幅回路219に平衡・不平衡変換回路が内蔵されている。従って、増幅回路219以降の増幅回路220と221は不平衡の増幅回路となっている。このように構成することにより、出力端子218からの出力は不平衡信号となるので、このあとに従来のように略1.0dBmの損失をもつ平衡・不平衡変換回路を挿入する必要はない。   In this embodiment, the amplifier circuit 219 includes a balanced / unbalanced conversion circuit. Therefore, the amplifier circuits 220 and 221 after the amplifier circuit 219 are unbalanced amplifier circuits. By configuring in this way, the output from the output terminal 218 becomes an unbalanced signal, so that it is not necessary to insert a balanced / unbalanced conversion circuit having a loss of about 1.0 dBm as in the prior art.

なお、電圧制御発振部214は、平衡型の共振回路212と平衡増幅回路213で形成されている。また、整合回路216と初段の増幅回路219も平衡回路で形成されている。   The voltage controlled oscillator 214 is formed by a balanced resonance circuit 212 and a balanced amplifier circuit 213. In addition, the matching circuit 216 and the first stage amplifier circuit 219 are also formed by balanced circuits.

また、電圧制御発振部214、電力増幅部217をSiGe(シリコン・ゲルマニウム)技術で形成させた場合、従来のガリウム・ヒ素で形成するものに比べて略性能が同一で低価格のものが実現できる。   Further, when the voltage controlled oscillation unit 214 and the power amplification unit 217 are formed by SiGe (silicon germanium) technology, a low-cost one having substantially the same performance as that formed by conventional gallium arsenide can be realized. .

入力端子211、出力端子215,218、電力制御端子222はパッケージ223の側面に導出されており、面実装を可能にしている。   The input terminal 211, the output terminals 215 and 218, and the power control terminal 222 are led out to the side surface of the package 223 to enable surface mounting.

(実施の形態3)
図23は、本発明の実施の形態3における高出力電圧制御発振器のブロック図であり、900MHzの周波数を出力するGSM用の高出力電圧制御発振器と1800MHzの周波数を出力するDCS用の高出力電圧制御発振器とが一つのパッケージ230に実装されたものである。従って、この高出力電圧制御発振器を用いれば2バンドの携帯電話機を容易に実現することができる。
(Embodiment 3)
FIG. 23 is a block diagram of a high output voltage controlled oscillator according to the third embodiment of the present invention, and a high output voltage controlled oscillator for GSM that outputs a frequency of 900 MHz and a high output voltage for DCS that outputs a frequency of 1800 MHz. A controlled oscillator is mounted on one package 230. Accordingly, a two-band mobile phone can be easily realized by using this high output voltage controlled oscillator.

以下、その構成を説明する。231はGSMバンドの位相検波器であり、その出力はローパスフィルタ232を介してパッケージ230に設けられたGSMとDCS共通の制御電圧の入力端子233に入力される。入力端子233に入力された制御電圧は共振回路234を介して平衡増幅回路235に接続されている。そして、この平衡増幅回路235の出力は電圧制御発振部の出力として出力端子236を介して位相検波器231に入力される。また平衡発振器235の出力は整合回路237を介して電力増幅部238に接続されている。そして、この電力増幅部238の出力はGSMの出力端子239に接続されている。なお、電力増幅部238は実施の形態2と同様に3個の増幅回路240,241,242が直列に接続され、増幅回路240では平衡増幅される。またこの平衡増幅回路240には平衡・不平衡変換回路が内蔵されている。   The configuration will be described below. Reference numeral 231 denotes a GSM band phase detector, and its output is input to a control voltage input terminal 233 common to GSM and DCS provided in the package 230 via a low-pass filter 232. The control voltage input to the input terminal 233 is connected to the balanced amplifier circuit 235 via the resonance circuit 234. The output of the balanced amplifier circuit 235 is input to the phase detector 231 via the output terminal 236 as the output of the voltage controlled oscillator. The output of the balanced oscillator 235 is connected to the power amplifier 238 via the matching circuit 237. The output of the power amplifier 238 is connected to an output terminal 239 of GSM. The power amplifying unit 238 has three amplifier circuits 240, 241, and 242 connected in series as in the second embodiment, and the amplifier circuit 240 performs balanced amplification. The balanced amplifier circuit 240 includes a balanced / unbalanced conversion circuit.

243はDCSバンドの位相検波器であり、その出力は合成器232を介してパッケージ230に設けられたGSMとDCS共通の制御電圧の入力端子233に入力される。以下、GSMと同様の構成であるので、添え字aを付して説明を簡略化する。   Reference numeral 243 denotes a DCS band phase detector, and its output is input via a synthesizer 232 to an input terminal 233 of a control voltage common to GSM and DCS provided in the package 230. Hereinafter, since the configuration is the same as that of GSM, the subscript a is added to simplify the description.

244は、電力制御回路であり、この電力制御回路244の出力は、増幅回路240と240a或いは241と241aに、更に242,242aに接続されて増幅度の制御を行っている。この電力増幅部238,238aの増幅度は、実施の形態2と同じように電力制御端子245から制御することができる。また、出力端子239,239aからの導出された出力線路に設けられたカプラ246,246aは出力電力をモニターするものである。   Reference numeral 244 denotes a power control circuit. The output of the power control circuit 244 is connected to the amplifier circuits 240 and 240a or 241 and 241a, and further connected to 242 and 242a to control the amplification degree. The amplification degree of the power amplifying units 238 and 238a can be controlled from the power control terminal 245 as in the second embodiment. Couplers 246 and 246a provided on output lines derived from the output terminals 239 and 239a monitor output power.

247,247aは、電力増幅部238,238aに熱的に接続されるとともに電力増幅部238,238aのグランドに接続された放熱部である。この放熱部247,247aはパッケージ230の側面に導出されている。なお、この放熱部247,247aはパッケージ230の底面に設けて親基板と接続させる構成としても良い。   Reference numerals 247 and 247a denote heat dissipating units that are thermally connected to the power amplifying units 238 and 238a and connected to the ground of the power amplifying units 238 and 238a. The heat radiating portions 247 and 247 a are led out to the side surface of the package 230. The heat radiation portions 247 and 247a may be provided on the bottom surface of the package 230 and connected to the parent substrate.

このGSM用の高出力電圧制御発振器とDCS用の高出力電圧制御発振器の外部への端子は図23に示すようにパッケージ230の対称の位置に設けられている。このように配置することにより、親基板でのパターンの引き回しが容易になる。   Terminals to the outside of the high output voltage controlled oscillator for GSM and the high output voltage controlled oscillator for DCS are provided at symmetrical positions of the package 230 as shown in FIG. By arranging in this way, the pattern can be easily routed on the parent substrate.

(実施の形態4)
また、電圧制御発振部と電力増幅部とは夫々別々のパッケージ内に集積しても良い。この場合、電圧制御発振部SiGe(シリコン・ゲルマニウム)技術で形成し、電力増幅部はGaP(ガリウム・リン)、GaN(ガリウム・チッソ)技術で形成することも可能である。
(Embodiment 4)
Further, the voltage controlled oscillation unit and the power amplification unit may be integrated in separate packages. In this case, the voltage controlled oscillation unit SiGe (silicon germanium) technology may be used, and the power amplification unit may be formed using GaP (gallium phosphorus) or GaN (gallium nitrogen) technology.

このような技術を用いることにより、電圧制御発振部と電力増幅部とは夫々別々の技術で生産できるので、歩留まりが良く生産性が向上する。また、歩留まりが良いので低価格も実現できる。   By using such a technique, the voltage controlled oscillation unit and the power amplifying unit can be produced by separate techniques, so that the yield is good and the productivity is improved. Moreover, since the yield is good, a low price can be realized.

また、2系列の電圧制御発振部と電力増幅部を夫々のパッケージ内に集積し、これらのパッケージが一つのプリント基板上に装着すると多バンドの高出力電圧制御発振器となり、多バンドの携帯電話機等に用いることができる。   In addition, two series of voltage controlled oscillators and power amplifiers are integrated in each package, and when these packages are mounted on a single printed circuit board, a multi-band high output voltage controlled oscillator is obtained. Can be used.

本発明にかかる、高出力電圧制御発振器は、高出力電圧制御発振器の製造が容易となるとともに、そのまま携帯電話機等のセットに実装することができるので、セットメーカ側での製造が容易となる。このように、高出力電圧制御発振器を有する携帯電話機や無線通信機に有用である。   The high output voltage controlled oscillator according to the present invention can be easily manufactured on a set such as a mobile phone as well as easily manufactured on the set maker side. Thus, it is useful for a mobile phone or a wireless communication device having a high output voltage controlled oscillator.

本発明の実施の形態1による高出力電圧制御発振器のブロック図1 is a block diagram of a high output voltage controlled oscillator according to a first embodiment of the present invention. 同、検査手段の第1の例を示す回路図The same, the circuit diagram which shows the 1st example of inspection means 同、検査手段の第2の例を示す回路図A circuit diagram showing a second example of the inspection means 同、検査手段の第3の例を示す回路図The same, the circuit diagram which shows the 3rd example of inspection means 同、高調波除去回路のパターン図Same as above, Harmonic Rejection Circuit Pattern 同、高調波除去回路の特性図Same as above, characteristic diagram of harmonic elimination circuit 同、妨害阻止手段の第1の例を示す断面図Sectional drawing which shows the 1st example of an interference prevention means 同、妨害阻止手段の第2の例を示す断面図Sectional drawing which shows the 2nd example of an interference prevention means 同、妨害阻止手段の第3の例を示す断面図Sectional drawing which shows the 3rd example of an interference prevention means 同、妨害阻止手段の第4の例を示す回路図A circuit diagram showing a fourth example of the interference prevention means 同、放熱手段の第1の例を示す断面図Sectional drawing which shows the 1st example of a thermal radiation means 同、平面図Same as above, top view 同、放熱手段の第2の例を示す平面図The top view which shows the 2nd example of a thermal radiation means same as the above 同、放熱手段の第3の例を示す断面図Sectional drawing which shows the 3rd example of a heat radiating means 同、平面図Same as above, top view 同、整合回路の基本回路図Same basic circuit of matching circuit 同、整合回路の第1の例を示す回路図A circuit diagram showing a first example of the matching circuit 同、整合回路の第2の例を示す回路図A circuit diagram showing a second example of the matching circuit 同、整合回路の第3の例を示す回路図A circuit diagram showing a third example of the matching circuit 同、高電力型電圧制御発振器が2回路設けられたブロック図A block diagram in which two high power voltage controlled oscillators are provided. 同、高電力型電圧制御発振器の下面に貼付けられるシートの回路図Same as above, the circuit diagram of the sheet affixed to the lower surface of the high power voltage controlled oscillator 本発明の実施の形態2による高電力型電圧制御発振器のブロック図Block diagram of a high power voltage controlled oscillator according to a second embodiment of the present invention 同、実施の形態3による高電力型電圧制御発振器のブロック図The block diagram of the high power type voltage controlled oscillator according to the third embodiment 従来の電圧制御発振器を用いた携帯電話機のブロック図Block diagram of a mobile phone using a conventional voltage controlled oscillator

符号の説明Explanation of symbols

211 入力端子
214 電圧制御発振部
217 電力増幅部
218 出力端子
211 Input Terminal 214 Voltage Control Oscillator 217 Power Amplifier 218 Output Terminal

Claims (14)

制御電圧が入力される入力端子と、この入力端子に入力された制御電圧が供給される電圧制御発振部と、この電圧制御発振部の出力が供給されるとともに複数個の増幅回路が直列に接続されて形成された電力増幅部と、この電力増幅部の出力が供給される電力増幅信号の出力端子とを備え、前記電圧制御発振部には平衡増幅回路を用い、この平衡増幅回路の出力が供給される前記電力増幅部の初段の増幅回路に平衡・不平衡変換回路を用い、前記電力増幅部からは不平衡信号が出力され、前記電圧制御発振部と前記電力増幅部とは面実装の可能な一つの多層基板内に収納された高出力電圧制御発振器。 An input terminal to which a control voltage is input, a voltage controlled oscillation unit to which the control voltage input to the input terminal is supplied, an output of the voltage controlled oscillation unit and a plurality of amplifier circuits connected in series And a power amplification signal output terminal to which the output of the power amplification unit is supplied. The voltage controlled oscillation unit uses a balanced amplification circuit, and the output of the balanced amplification circuit is A balanced / unbalanced conversion circuit is used for the first stage amplifier circuit of the supplied power amplification unit, an unbalanced signal is output from the power amplification unit, and the voltage controlled oscillation unit and the power amplification unit are surface-mounted. High output voltage controlled oscillator housed in one possible multilayer board. 電力増幅部は3段の増幅回路で形成された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器。 2. The high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the power amplifying unit is formed of a three-stage amplifier circuit. 電圧制御発振部と電力増幅部は一つのパッケージ内に集積された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器。 The high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the voltage controlled oscillator and the power amplifying unit are integrated in one package. 2系列の電圧制御発振部と電力増幅部とを有する請求項3に記載の高出力電圧制御発振器。 4. The high output voltage controlled oscillator according to claim 3, comprising two series of voltage controlled oscillators and a power amplifier. 電力増幅部に熱的に接続された放熱板を有するとともにこの放熱板はパッケージの端子として外部に導出された請求項3に記載の高出力電圧制御発振器。 4. The high output voltage controlled oscillator according to claim 3, further comprising a heat sink thermally connected to the power amplifying unit, wherein the heat sink is led to the outside as a terminal of the package. 放熱板から導出された端子は、パッケージの側面に形成されるとともにその大きさは他の端子よりも大型とした請求項5に記載の高出力電圧制御発振器。 6. The high output voltage controlled oscillator according to claim 5, wherein the terminal led out from the heat radiating plate is formed on a side surface of the package and has a larger size than other terminals. 放熱板から導出された端子には、電力増幅部のグランド信号が接続された請求項6に記載の高出力電圧制御発振器。 The high output voltage controlled oscillator according to claim 6, wherein a ground signal of the power amplifying unit is connected to a terminal derived from the heat sink. 電力増幅部に熱的に接続された放熱板を有するとともにこの放熱板はパッケージの底面に外部から半田付け可能に設けられた請求項3に記載の高出力電圧制御発振器。 4. The high output voltage controlled oscillator according to claim 3, further comprising a heat sink thermally connected to the power amplifying unit, and the heat sink is provided on the bottom surface of the package so as to be solderable from the outside. パッケージの底面に設けられた放熱板には、電力増幅部のグランド信号が接続された請求項8に記載の高出力電圧制御発振器。 9. The high output voltage controlled oscillator according to claim 8, wherein a ground signal of the power amplifying unit is connected to a heat radiating plate provided on the bottom surface of the package. 電圧制御発振部のグランドと電力増幅部のグランドとは夫々独立してパッケージ外へ導出された請求項3に記載の高出力電圧制御発振器。 4. The high output voltage controlled oscillator according to claim 3, wherein the ground of the voltage controlled oscillator and the ground of the power amplifying unit are led out of the package independently of each other. 電力増幅部は外部から増幅度の制御を可能とした請求項1に記載の高出力電圧制御発振器。 The high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the power amplifying unit can control the amplification degree from the outside. 電圧制御発振部と電力増幅部はSiGeで形成された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器。 The high output voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the voltage controlled oscillator and the power amplifying unit are formed of SiGe. 電圧制御発振部と電力増幅部とは夫々別々のパッケージ内に集積されるとともに、前記電圧制御発振部はSiGeで形成され、前記電力増幅部はGaPで形成された請求項1に記載の高出力電圧制御発振器。 2. The high output according to claim 1, wherein the voltage controlled oscillation unit and the power amplification unit are integrated in separate packages, the voltage controlled oscillation unit is formed of SiGe, and the power amplification unit is formed of GaP. Voltage controlled oscillator. 2系列の電圧制御発振部と電力増幅部を夫々のパッケージ内に集積し、これらのパッケージが一つのプリント基板上に装着された請求項13に記載の高出力電圧制御発振器。 14. The high output voltage controlled oscillator according to claim 13, wherein two series of voltage controlled oscillators and power amplifiers are integrated in each package, and these packages are mounted on one printed circuit board.
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