JP3900115B2

JP3900115B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP3900115B2
Application number: JP2003161801A
Authority: JP
Inventors: 秀幸新井
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-06-06
Filing date: 2003-06-06
Publication date: 2007-04-04
Anticipated expiration: 2023-06-06
Also published as: JP2004363433A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特にヒューズ素子を有する半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の高密度化、高集積化に伴い、半導体装置の一部の不良回路による歩留まり低下を抑制する１つの手段として、冗長回路技術が提案されている。
【０００３】
冗長回路には、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたヒューズ素子と、ヒューズ素子を覆う保護絶縁膜が形成されており、レーザートリミング工程において、ヒューズ素子上の保護絶縁膜を介して、ヒューズ素子にレーザー照射を行ってヒューズ素子を切断する。これにより、不良回路を冗長回路に置き換えて、不良回路を有する半導体装置の救済が行われる。
【０００４】
このようにヒューズ素子をレーザーで切断する場合、ヒューズ素子を覆う保護絶縁膜の膜厚が厚すぎる場合、レーザー照射時に下地の絶縁膜方向に亀裂が入りやすく、レーザーを照射したヒューズ素子のみならず周辺のヒューズ素子などに損傷が生じるという課題があった。一方、保護絶縁膜の膜厚が薄すぎると、ヒューズ素子と同時に形成された配線が水分によって腐食するという課題があった。
【０００５】
そこで、従来の半導体装置の製造方法では、膜厚の厚い保護絶縁膜を形成した後、ヒューズ素子上の保護絶縁膜の残膜厚が所望の膜厚になるようにエッチングを行ってトリミング窓開口部を形成する方法が用いられていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
以下、従来の半導体装置の製造方法について、図面を用いて説明する。
【０００７】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、従来のヒューズ素子を有する半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【０００８】
まず、図６（ａ）に示す工程で、半導体基板１００上に絶縁膜１０１を形成した後、絶縁膜１０１上に金属膜からなるヒューズ素子１０２ａ及びボンディングパッド１０２ｂを形成する。その後、基板上に、ヒューズ素子１０２ａ及びボンディングパッド１０２ｂを覆う保護絶縁膜１０３を形成した後、ボンディングパッド１０２ｂ上の保護絶縁膜１０３をエッチングして、パッド開口部１０４を形成する。
【０００９】
次に、図６（ｂ）に示す工程で、基板上に、ヒューズ素子１０２ａ形成領域に開口を有するレジスト１０５を形成した後、レジスト１０５をマスクにして保護絶縁膜１０３を所望の厚さ分だけエッチングしてトリミング窓開口部１０７を形成し、ヒューズ素子１０２ａ形成領域にヒューズ部絶縁膜１０３ａを形成する。
【００１０】
次に、図６（ｃ）に示す工程で、レジスト１０５を除去する。その後、レーザートリミング工程では、ヒューズ素子１０２ａ上のヒューズ部絶縁膜１０３ａを介して、ヒューズ素子１０２ａにトリミング窓開口部１０７からレーザー照射を行ってヒューズ素子１０２ａを切断する。このとき、複数のヒューズ素子１０２ａの中から所定のヒューズ素子１０２ａを切断する。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００１−７７２０２号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の半導体装置の製造方法では、ヒューズ素子１０２ａ上に残存するヒューズ部絶縁膜１０３ａの膜厚を精度良く制御することが困難であった。
【００１３】
すなわち、図６（ａ）に示す工程で厚さ１μｍの保護絶縁膜１０３を形成した後、図６（ｂ）に示す工程でヒューズ素子１０２ａ形成領域の保護絶縁膜１０３を８００ｎｍエッチングして、ヒューズ素子１０２ａの上面上に厚さ２００ｎｍのヒューズ部絶縁膜１０３ａを形成する場合、ばらつきを片側１０％（保護絶縁膜１０３のばらつき１００ｎｍ、エッチング量のばらつき８０ｎｍ）と仮定すると、残膜厚のばらつきはそれぞれのばらつきの２乗平均と考えられ、計算すると片側１２８ｎｍとなる。従って、ヒューズ素子１０２ａの上面上のヒューズ部絶縁膜１０３ａの厚さは、２００±１２８ｎｍとなる。例えば、保護絶縁膜１０３としてシリコン窒化膜を用いた場合、レーザーによるヒューズ素子１０２ａのトリミングを安定して行うためには、ヒューズ部絶縁膜１０３ａの膜厚を２５０ｎｍ以内に抑えなければならないが、上記のようにばらつきによって膜厚が２５０ｎｍを越えるため、レーザートリミング工程においてヒューズ素子の切断歩留まりが低くなるという問題があった。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、膜厚の厚い保護絶縁膜を有し、且つ、ヒューズ素子上の一部にばらつきの少ない膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された導電膜からなるヒューズ素子と、前記ヒューズ素子の上面上に形成された保護絶縁膜と、前記ヒューズ素子の側面上に形成されたヒューズ部絶縁膜とを備え、前記ヒューズ部絶縁膜は、前記保護絶縁膜に比べて膜厚が薄いことを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、ヒューズ素子上に形成された保護絶縁膜に比べて、膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜がヒューズ素子の側面上に形成されているため、レーザー照射によってヒューズ素子の切断を安定して行うことができるので、切断不良を排除して半導体装置の歩留まりを改善できる。
【００１７】
上記半導体装置において、前記ヒューズ素子と同じ金属膜からなり、前記絶縁膜上に形成されたボンディングパッドを備え、前記ボンディングパッド上には、パッド開口部が形成されている前記保護絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
上記半導体装置において、前記ヒューズ部絶縁膜と前記保護絶縁膜は、同じ絶縁膜によって一体形成されている。
【００１９】
上記半導体装置において、前記ヒューズ部絶縁膜及び前記保護絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記ヒューズ部絶縁膜及び前記保護絶縁膜上には、同一のパターン幅を有するシリコン酸化膜が形成されている。
【００２０】
上記半導体装置において、前記保護絶縁膜は、前記ヒューズ素子上に同一パターン幅で形成されたおり、前記ヒューズ部絶縁膜は、前記ヒューズ素子及び前記保護絶縁膜上に形成された被覆絶縁膜の一部である。
【００２１】
上記半導体装置において、前記保護絶縁膜は、シリコン酸化膜であり、前記ヒューズ部絶縁膜は、シリコン窒化膜である。
【００２２】
上記半導体装置において、前記ヒューズ部絶縁膜の膜厚は、３０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２３】
本発明の第１の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程（ａ）と、前記絶縁膜上に導電膜からなるヒューズ素子を形成する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）の後に、基板上に前記ヒューズ素子上を覆う保護絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、前記工程（ｃ）の後に、前記保護絶縁膜をエッチングして、前記ヒューズ素子の側面から離間した位置にヒューズ近接開口部を形成する工程（ｄ）とを備え、前記工程（ｄ）では、前記ヒューズ素子の側面上に、前記保護絶縁膜からなるヒューズ部絶縁膜が前記保護絶縁膜の膜厚よりも薄く形成されることを特徴とする。
【００２４】
この第１の半導体装置の製造方法によれば、保護絶縁膜をエッチングして、ヒューズ素子の側面から離間した位置にヒューズ近接開口部を形成することによって、ヒューズ素子の側面上に、保護絶縁膜からなるヒューズ部絶縁膜を薄く形成することができるため、ヒューズ部絶縁膜の膜厚を精度良く制御することができる。したがって、レーザー照射によるヒューズ素子の切断を安定して行うことができ、切断不良を排除して半導体装置の歩留まりを改善できる。さらに、工程数を増やすことなくヒューズ部絶縁膜を形成できるため、製造コストの低減を図ることができる。
【００２５】
上記第１の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）では、前記絶縁膜上に前記ヒューズ素子と同じ導電膜からなるボンディングパッドを形成し、前記工程（ｃ）では、前記ボンディングパッド上に覆う前記保護絶縁膜を形成し、前記工程（ｄ）では、前記ボンディングパッド上の前記保護絶縁膜をエッチングして、パッド開口部を形成する。
【００２６】
上記第１の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）では、前記ヒューズ素子の側面から３０ｎｍ〜２００ｎｍ離間した位置に前記ヒューズ近接開口部を形成する。
【００２７】
上記第１の半導体装置の製造方法において、前記保護絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記工程（ｄ）では、シリコン酸化膜をマスクして、前記保護絶縁膜のエッチングを行う。
【００２８】
本発明の第２の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程（ａ）と、前記絶縁膜上に導電膜からなるヒューズ素子用導体領域を形成する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）の後に、基板上に前記ヒューズ素子用導体領域を覆う保護絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、前記保護絶縁膜をエッチングして、前記ヒューズ素子用導体領域上にヒューズ上保護絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、前記ヒューズ上保護絶縁膜をマスクにして、前記ヒューズ素子用導体領域をエッチングしてヒューズ素子を形成する工程（ｅ）と、前記工程（ｅ）の後に、前記ヒューズ素子の側面上を覆う前記保護絶縁膜の膜厚よりも薄いヒューズ部絶縁膜を形成する工程（ｆ）とを備えていることを特徴とする。
【００２９】
この第２の半導体装置の製造方法によれば、ヒューズ上保護絶縁膜をマスクにして、ヒューズ素子用導体領域をエッチングしてヒューズ素子を形成した後に、ヒューズ素子の側面上に膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜を形成するため、
上記第２の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）では、前記絶縁膜上に導電膜からなるボンディングパッドを形成し、前記工程（ｃ）では、前記ボンディングパッド上に前記保護絶縁膜を形成し、前記工程（ｆ）では、基板上の全面に、前記ヒューズ部絶縁膜となる被覆絶縁膜を形成し、前記工程（ｆ）の後に、前記ボンディングパッド上の前記保護絶縁膜及び前記被覆絶縁膜をエッチングして、パッド開口部を形成する。
【００３０】
上記第２の半導体装置の製造方法において、前記保護絶縁膜は、シリコン酸化膜であり、前記ヒューズ部絶縁膜は、シリコン窒化膜である。
【００３１】
上記第２の半導体装置の製造方法において、前記ヒューズ部絶縁膜の膜厚は、３０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３２】
この第２の半導体装置の製造方法によれば、ヒューズ部絶縁膜の膜厚を精度良く制御することができる。したがって、レーザー照射によるヒューズ素子の切断を安定して行うことができ、切断不良を排除して半導体装置の歩留まりを改善できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１〜図５は、この発明の実施の形態による半導体装置、およびその製造方法を示す図である。
【００３４】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【００３５】
この第１の実施形態における半導体装置は、トランジスタなどの半導体素子が形成されている半導体基板１０の上に形成された層間絶縁膜１１と、層間絶縁膜１１上に最上層の金属配線に形成されたヒューズ素子１２ａと、層間絶縁膜１１上に最上層の金属配線で形成されたボンディングパッド１２ｂと、ヒューズ素子１２ａ及びボンディングパッド１２ｂが形成されている層間絶縁膜１１上に形成された厚さ８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる下部保護絶縁膜１３ａと、下部保護絶縁膜１３ａ上に形成された厚さ２００ｎｍのシリコン酸化膜からなる上部保護絶縁膜１４ａと、ヒューズ素子１２ａの側面上に下部保護絶縁膜１３ａとなる下部絶縁膜の一部が残存してなる厚さ３０〜２００ｎｍのヒューズ部絶縁膜１３ｂと、ヒューズ素子１２ａの側面から３０〜２００ｎｍ程度離間した位置に下部保護絶縁膜１３ａとなる下部絶縁膜及び上部保護絶縁膜１４ａとなる上部絶縁膜を開口して形成されたヒューズ近接開口部１５ａと、ボンディングパッド１２ｂ上に下部保護絶縁膜１３ａとなる下部絶縁膜及び上部保護絶縁膜１４ａとなる上部絶縁膜を開口して形成されたパッド開口部１５ｂとを備えている。
【００３６】
本実施形態によれば、ヒューズ素子１２ａの上面上には、厚さ８００ｎｍと膜厚の厚い下部保護絶縁膜１３ａが形成されており、ヒューズ素子１２ａの側面上には、下部保護絶縁膜１３ａとなる下部絶縁膜の一部が残存してなる厚さ３０〜２００ｎｍ程度と膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜１３ｂが形成されている。この膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜１３ｂは、ヒューズ素子１２ａの側面から３０〜２００ｎｍ程度離間した位置にヒューズ近接開口部１５ａを設けることによって形成できるため、ヒューズ部絶縁膜１３ｂの膜厚を正確に制御することが容易になる。
【００３７】
したがって、レーザーによるヒューズ素子の切断を安定して行うことができるため、切断不良を排除して半導体装置の歩留まりを改善することができる。また、ボンディングパッド１２ｂ上にパッド開口部１５ｂを形成する際に、同時にヒューズ近接開口部１５ａを形成することによって、ヒューズ素子１２ａを覆う下部保護絶縁膜１３ａ及びヒューズ部絶縁膜１３ｂを形成することができるため、工程数を増加させることなく容易に形成することが可能となり、製造コストの低減を図ることができる。
【００３８】
以上のように構成された本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２を用いて説明する。図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００３９】
まず、図２（ａ）に示す工程で、トランジスタなどの半導体素子が形成されている半導体基板１０の上に層間絶縁膜１１を形成した後、層間絶縁膜１１上にＡｌ合金からなる金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより金属膜のパターニングを行って、ヒューズ素子１２ａ及びボンディングパッド１２ｂを形成する。その後、ヒューズ素子１２ａ、ボンディングパッド１２ｂ及び層間絶縁膜１１の上に、プラズマＣＶＤ法によって厚さ８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる下部絶縁膜１３を形成する。その後、下部絶縁膜１３上に厚さ２００ｎｍのシリコン酸化膜からなる上部絶縁膜１４を形成する。
【００４０】
次に、図２（ｂ）に示す工程で、上部絶縁膜１４上に、ボンディングパッド１２ｂ上に開口されたパッド用開口部とヒューズ素子１２ａの側面から所定の距離だけ離間した位置に開口されたヒューズ用開口部を有するレジスト１６を形成する。このとき、レジスト１６のヒューズ用開口部は、例えばヒューズ素子１２ａの側面から設計上で２００ｎｍ程度離間した位置に形成する。その後、レジスト１６をマスクにして、上部絶縁膜１４をエッチングして上部保護絶縁膜１４ａを形成する。
【００４１】
次に、図２（ｃ）に示す工程で、レジスト１６を除去した後、上部保護絶縁膜１４ａをマスクにして、下部絶縁膜１３をエッチングしてヒューズ近接開口部１５ａとパッド開口部１５ｂを形成する。これにより、ヒューズ素子１２ａの上面上には、下部絶縁膜１３からなる下部保護絶縁膜１３ａが形成され、ヒューズ素子１２ａの側面上には、下部絶縁膜１３の一部が残存してなるヒューズ部絶縁膜１３ｂが形成される。
【００４２】
この第１の実施形態におけるヒューズ素子１２ａの側面上に形成されるヒューズ部絶縁膜１３ｂの膜厚のばらつきは、例えば次のように計算される。
【００４３】
レジスト１６のヒューズ用開口部がヒューズ素子１２ａの側面から設計上で２００ｎｍ離間している場合、ヒューズ素子１２ａ及びボンディングパッド１２ｂを含む最上層配線とレジスト１６とのアライメント精度を１７０ｎｍとすると、ヒューズ部絶縁膜１３ｂの膜厚は３０ｎｍ〜３７０ｎｍの範囲内になる。ここで、ヒューズ近接開口部１５ａをヒューズ素子１２ａの両側に設けている場合、ヒューズ素子１２ａの両側に残存するヒューズ部絶縁膜１３ｂのうち、膜厚の薄い方のヒューズ部絶縁膜１３ｂの膜厚は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内になる。従って、本実施形態によれば、レーザートリミングによって切断するヒューズ素子の切断箇所上に形成されているヒューズ部絶縁膜の膜厚ばらつきは、従来技術におけるヒューズ部絶縁膜のばらつきの７割以下に抑えることができる。
【００４４】
上記実施形態では、ヒューズ近接開口部とボンディングパッド開口部を同時に形成しているが、別々のエッチング工程で形成するようにしてもよい。また、本実施形態では、上部絶縁膜からなる上部保護絶縁膜をマスクにして、下部絶縁膜のエッチングを行なってヒューズ近接開口部およびボンディングパッド開口部を形成しているが、上部絶縁膜を形成せずに直接レジストマスクを用いて形成してもよい。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００４６】
この第２の実施形態における半導体装置は、トランジスタなどの半導体素子が形成されている半導体基板１０の上に形成された層間絶縁膜１１と、層間絶縁膜１１上に最上層の金属配線に形成されたヒューズ素子１２ａと、層間絶縁膜１１上に最上層の金属配線で形成されたボンディングパッド１２ｂと、ヒューズ素子１２ａ及びボンディングパッド１２ｂが形成されている層間絶縁膜１１上に形成された厚さ９００ｎｍのシリコン窒化膜からなる保護絶縁膜２０と、保護絶縁膜２０上に形成された厚さ５０ｎｍのシリコン酸化膜からなる被覆絶縁膜２１と、ボンディングパッド１２ｂ上に保護絶縁膜２０及び被覆絶縁膜２１を開口して形成されたパッド開口部２２とを備えている。そして、ヒューズ素子１２ａの上面上には、ヒューズ素子１２ａのパターン幅と同一パターン幅を有する保護絶縁膜２０からなるヒューズ上保護絶縁膜２０ａが形成されており、ヒューズ素子１２ａの側面上には、被覆絶縁膜２１からなるヒューズ部絶縁膜２１ａが直接形成されている。
【００４７】
本実施形態によれば、ヒューズ素子１２ａはヒューズ上保護絶縁膜２０ａとヒューズ部絶縁膜２１ａで覆われており、ヒューズ素子１２ａの上面上に形成されているヒューズ上保護絶縁膜２０ａの厚さが９００ｎｍであるのに対してヒューズ素子１２ａの側面上に形成されているヒューズ部絶縁膜２１ａの厚さは５０ｎｍ程度と薄くなっている。このように、ヒューズ素子１２ａの側面上に適切な膜厚を有する被覆絶縁膜２１からなるヒューズ部絶縁膜２１ａを形成することにより、ヒューズ部絶縁膜２１ａの膜厚を薄く、且つ、膜厚を正確に制御することが容易になる。したがって、レーザーによるヒューズ素子の切断を安定して行うことができるため、切断不良を排除して半導体装置の歩留まりを改善することができる。
【００４８】
以上のように構成された本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４を用いて説明する。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００４９】
まず、図４（ａ）に示す工程で、トランジスタなどの半導体素子が形成されている半導体基板１０の上に層間絶縁膜１１を形成した後、層間絶縁膜１１上にＡｌ合金からなる金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより金属膜のパターニングを行ない、ヒューズ素子用金属領域１２Ａ及びボンディングパッド１２ｂを形成する。その後、ヒューズ素子用金属領域１２Ａ、ボンディングパッド１２ｂ及び層間絶縁膜１１の上に、プラズマＣＶＤ法によって厚さ９００ｎｍのシリコン窒化膜からなる保護絶縁膜２０を形成する。その後、保護絶縁膜２０上に、ヒューズ素子形成領域１８にヒューズ素子形成パターン１７ａを有するレジスト１７を形成する。図５は、図４（ａ）に示す工程におけるヒューズ素子用金属領域１２Ａとレジスト１７とを示す平面図である。図において、点線より外側にはレジスト１７が形成されている。レジスト１７は、ヒューズ素子形成領域１８以外の領域を覆っており、且つ、ヒューズ素子用金属領域１２Ａ上にはレジスト１７からなるヒューズ素子形成パターン１７ａが形成されており、それ以外は開口１９されている。
【００５０】
次に、図４（ｂ）に示す工程で、レジスト１７をマスクして保護絶縁膜２０をエッチングして、ヒューズ素子用金属領域１２Ａ上にヒューズ上保護絶縁膜２０ａを形成する。その後、レジスト１７を除去する。
【００５１】
次に、図４（ｃ）に示す工程で、ヒューズ上保護絶縁膜２０ａを含む保護絶縁膜２０をマスクにしてヒューズ素子用金属領域１２Ａのエッチングを行ない、ヒューズ素子１２ａを形成する。
【００５２】
次に、図４（ｄ）に示す工程で、基板上の全面に、厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜からなる被覆絶縁膜２１を形成する。その後、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによって、ボンディングパッド１２ｂ上の保護絶縁膜２０及び被覆絶縁膜２１をエッチングしてパッド開口部２２を形成する。これにより、ヒューズ素子１２ａの側面上には、膜厚の薄い被覆絶縁膜２１からなるヒューズ部絶縁膜２１ａが形成された構成となる。
【００５３】
この第２の実施形態において、ヒューズ素子１２ａの側面上に形成される被覆絶縁膜２１からなるヒューズ部絶縁膜２１ａの膜厚のばらつきは、被覆絶縁膜２１の成膜ばらつきと等しくなる。従って、成膜時の膜厚ばらつきを堆積膜厚の１０％と仮定すると、ヒューズ素子１２ａの側面上における被覆絶縁膜２１からなるヒューズ部絶縁膜２１ａの膜厚ばらつきは５ｎｍであり、従来技術における膜厚ばらつき（１２８ｎｍ）に対して約４％と大幅に膜厚ばらつきを低減することができる。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、膜厚の厚い保護絶縁膜を有し、且つ、ヒューズ素子上の一部にばらつきの少ない膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜を精度よく制御することができるため、製造コストの増大を抑えながらレーザー照射によるヒューズ切断に起因する不良を解消することができる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程のうち、図４（ａ）における平面図
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体装置の製造工程を示す断面図
【符号の説明】
１０半導体基板
１１層間絶縁膜
１２Ａヒューズ素子用金属領域
１２ａヒューズ素子
１２ｂボンディングパッド
１３下部絶縁膜
１３ａ下部保護絶縁膜
１３ｂヒューズ部絶縁膜
１４上部絶縁膜
１４ａ上部保護絶縁膜
１５ａヒューズ近接開口部
１５ｂパッド開口部
１６レジスト
１７レジスト
１７ａヒューズ素子形成パターン
１８ヒューズ素子形成領域
１９開口
２０保護絶縁膜
２０ａヒューズ上保護絶縁膜
２１被覆絶縁膜
２１ａヒューズ部絶縁膜
２２パッド開口部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor device having a fuse element and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
Along with the higher density and higher integration of semiconductor devices, redundant circuit technology has been proposed as one means for suppressing a decrease in yield due to some defective circuits of the semiconductor device.
[0003]
In the redundant circuit, an insulating film formed on the semiconductor substrate, a fuse element formed on the insulating film, and a protective insulating film covering the fuse element are formed. In the laser trimming process, protection on the fuse element is formed. Through the insulating film, the fuse element is irradiated with laser to cut the fuse element. Thereby, the defective circuit is replaced with the redundant circuit, and the semiconductor device having the defective circuit is relieved.
[0004]
When the fuse element is cut with a laser in this way, if the protective insulating film covering the fuse element is too thick, cracking tends to occur in the direction of the underlying insulating film during laser irradiation, and not only the fuse element irradiated with the laser. There has been a problem that peripheral fuse elements and the like are damaged. On the other hand, if the protective insulating film is too thin, there is a problem that the wiring formed simultaneously with the fuse element is corroded by moisture.
[0005]
Therefore, in a conventional method of manufacturing a semiconductor device, after forming a thick protective insulating film, etching is performed so that the remaining film thickness of the protective insulating film on the fuse element becomes a desired film thickness, thereby opening the trimming window. A method of forming a portion has been used (see, for example, Patent Document 1).
[0006]
Hereinafter, a conventional method for manufacturing a semiconductor device will be described with reference to the drawings.
[0007]
6A to 6C are cross-sectional views showing a manufacturing process of a semiconductor device having a conventional fuse element.
[0008]
First, in the step shown in FIG. 6A, an insulating film 101 is formed on the semiconductor substrate 100, and then a fuse element 102 a and a bonding pad 102 b made of a metal film are formed on the insulating film 101. Thereafter, a protective insulating film 103 covering the fuse element 102a and the bonding pad 102b is formed on the substrate, and then the protective insulating film 103 on the bonding pad 102b is etched to form a pad opening 104.
[0009]
Next, in the step shown in FIG. 6B, after forming a resist 105 having an opening in the formation region of the fuse element 102a on the substrate, the protective insulating film 103 is formed by a desired thickness by using the resist 105 as a mask. Etching is performed to form a trimming window opening 107, and a fuse insulating film 103a is formed in the fuse element 102a formation region.
[0010]
Next, in the step shown in FIG. 6C, the resist 105 is removed. Thereafter, in the laser trimming step, the fuse element 102a is cut by irradiating the fuse element 102a with laser from the trimming window opening 107 through the fuse part insulating film 103a on the fuse element 102a. At this time, a predetermined fuse element 102a is cut from the plurality of fuse elements 102a.
[0011]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-77202
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method for manufacturing a semiconductor device as described above, it is difficult to accurately control the film thickness of the fuse portion insulating film 103a remaining on the fuse element 102a.
[0013]
That is, after forming the protective insulating film 103 having a thickness of 1 μm in the step shown in FIG. 6A, the protective insulating film 103 in the region where the fuse element 102a is formed is etched by 800 nm in the step shown in FIG. In the case where the fuse portion insulating film 103a having a thickness of 200 nm is formed on the upper surface of the element 102a, assuming that the variation is 10% on one side (the variation of the protective insulating film 103 is 100 nm and the variation in etching amount is 80 nm), the variation in the remaining film thickness is It is considered as the mean square of each variation, and is calculated to be 128 nm on one side. Therefore, the thickness of the fuse insulating film 103a on the upper surface of the fuse element 102a is 200 ± 128 nm. For example, when a silicon nitride film is used as the protective insulating film 103, the thickness of the fuse insulating film 103a must be suppressed to 250 nm or less in order to stably perform trimming of the fuse element 102a by laser. As described above, since the film thickness exceeds 250 nm due to the variation, there is a problem that the cutting yield of the fuse element is lowered in the laser trimming process.
[0014]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device having a thick protective insulating film and a thin fuse portion insulating film with a small variation in a part of the fuse element and a manufacturing method thereof. That is.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The semiconductor device of the present invention includes an insulating film formed on a semiconductor substrate, a fuse element made of a conductive film formed on the insulating film, a protective insulating film formed on an upper surface of the fuse element, And a fuse part insulating film formed on a side surface of the fuse element, wherein the fuse part insulating film is thinner than the protective insulating film.
[0016]
According to this configuration, since the fuse insulating film having a thin film thickness is formed on the side surface of the fuse element as compared with the protective insulating film formed on the fuse element, the cutting of the fuse element is stabilized by laser irradiation. Therefore, it is possible to eliminate cutting defects and improve the yield of the semiconductor device.
[0017]
The semiconductor device includes a bonding pad made of the same metal film as the fuse element and formed on the insulating film, and the protective insulating film in which a pad opening is formed is formed on the bonding pad. It is characterized by.
[0018]
In the semiconductor device, the fuse insulating film and the protective insulating film are integrally formed of the same insulating film.
[0019]
In the semiconductor device, the fuse part insulating film and the protective insulating film are silicon nitride films, and a silicon oxide film having the same pattern width is formed on the fuse part insulating film and the protective insulating film. Yes.
[0020]
In the semiconductor device, the protective insulating film is formed on the fuse element with the same pattern width, and the fuse portion insulating film is one of a covering insulating film formed on the fuse element and the protective insulating film. Part.
[0021]
In the semiconductor device, the protective insulating film is a silicon oxide film, and the fuse part insulating film is a silicon nitride film.
[0022]
In the semiconductor device, the fuse part insulating film has a thickness of 30 nm to 200 nm.
[0023]
The first method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a step (a) of forming an insulating film on a semiconductor substrate, a step (b) of forming a fuse element made of a conductive film on the insulating film, and the step After (b), a step (c) of forming a protective insulating film covering the fuse element on the substrate, and after the step (c), the protective insulating film is etched to form a side surface of the fuse element. Forming a fuse proximity opening at a spaced position, and in the step (d), a fuse part insulating film made of the protective insulating film is formed on the side surface of the fuse element. It is characterized by being formed thinner than the film thickness.
[0024]
According to the first method of manufacturing a semiconductor device, the protective insulating film is etched on the side surface of the fuse element by etching the protective insulating film to form a fuse proximity opening at a position spaced from the side surface of the fuse element. Therefore, the thickness of the fuse part insulating film can be controlled with high accuracy. Therefore, the fuse element can be stably cut by laser irradiation, and the yield of the semiconductor device can be improved by eliminating the cutting failure. Furthermore, since the fuse part insulating film can be formed without increasing the number of steps, the manufacturing cost can be reduced.
[0025]
In the first method of manufacturing a semiconductor device, in the step (b), a bonding pad made of the same conductive film as the fuse element is formed on the insulating film, and in the step (c), the bonding pad is formed on the bonding pad. The covering protective insulating film is formed, and in the step (d), the protective insulating film on the bonding pad is etched to form a pad opening.
[0026]
In the first method for manufacturing a semiconductor device, in the step (d), the fuse proximity opening is formed at a position spaced 30 nm to 200 nm from the side surface of the fuse element.
[0027]
In the first method of manufacturing a semiconductor device, the protective insulating film is a silicon nitride film, and in the step (d), the protective insulating film is etched using the silicon oxide film as a mask.
[0028]
The second method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a step (a) of forming an insulating film on a semiconductor substrate, and a step (b) of forming a conductor region for a fuse element made of a conductive film on the insulating film. After the step (b), a step (c) of forming a protective insulating film covering the fuse element conductor region on the substrate, and etching the protective insulating film to form a fuse on the fuse element conductor region A step (d) of forming an upper protective insulating film, a step (e) of forming the fuse element by etching the conductor region for the fuse element, using the upper protective insulating film as a mask, and the step (e) And (f) forming a fuse part insulating film thinner than the film thickness of the protective insulating film covering the side surface of the fuse element.
[0029]
According to this second method of manufacturing a semiconductor device, a fuse element is formed by etching the fuse element conductor region using the protective insulating film on the fuse as a mask, and then a thin fuse is formed on the side surface of the fuse element. In order to form a partial insulation film,
In the second method of manufacturing a semiconductor device, in the step (b), a bonding pad made of a conductive film is formed on the insulating film, and in the step (c), the protective insulating film is formed on the bonding pad. In the step (f), a covering insulating film to be the fuse portion insulating film is formed on the entire surface of the substrate. After the step (f), the protective insulating film and the covering on the bonding pad are formed. The insulating film is etched to form a pad opening.
[0030]
In the second method of manufacturing a semiconductor device, the protective insulating film is a silicon oxide film, and the fuse part insulating film is a silicon nitride film.
[0031]
In the second method of manufacturing a semiconductor device, the fuse part insulating film has a thickness of 30 nm to 200 nm.
[0032]
According to the second method for manufacturing a semiconductor device, the film thickness of the fuse insulating film can be accurately controlled. Therefore, the fuse element can be stably cut by laser irradiation, and the yield of the semiconductor device can be improved by eliminating the cutting failure.
[0033]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 5 are views showing a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention.
[0034]
(First embodiment)
FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
[0035]
The semiconductor device according to the first embodiment is formed with an interlayer insulating film 11 formed on a semiconductor substrate 10 on which a semiconductor element such as a transistor is formed, and an uppermost metal wiring on the interlayer insulating film 11. The fuse element 12a, the bonding pad 12b formed of the uppermost metal wiring on the interlayer insulating film 11, and the thickness 800 nm formed on the interlayer insulating film 11 on which the fuse element 12a and the bonding pad 12b are formed. A lower protective insulating film 13a made of a silicon nitride film, an upper protective insulating film 14a made of a 200 nm thick silicon oxide film formed on the lower protective insulating film 13a, and a lower protective insulating film on the side surface of the fuse element 12a. A fuse portion insulating film 13b having a thickness of 30 to 200 nm in which a part of the lower insulating film to become 13a remains, and a fuse element A fuse proximity opening 15a formed by opening a lower insulating film serving as a lower protective insulating film 13a and an upper insulating film serving as an upper protective insulating film 14a at a position spaced apart from the side surface of 2a by about 30 to 200 nm; and a bonding pad 12b A pad opening 15b formed by opening a lower insulating film to be the lower protective insulating film 13a and an upper insulating film to be the upper protective insulating film 14a is provided thereon.
[0036]
According to the present embodiment, a thick lower protective insulating film 13a having a thickness of 800 nm is formed on the upper surface of the fuse element 12a, and the lower protective insulating film 13a and the lower protective insulating film 13a are formed on the side surface of the fuse element 12a. A thin fuse portion insulating film 13b having a thickness of about 30 to 200 nm and a part of the lower insulating film remaining is formed. The thin fuse part insulating film 13b can be formed by providing the fuse proximity opening 15a at a position separated from the side surface of the fuse element 12a by about 30 to 200 nm. It becomes easy to control.
[0037]
Therefore, the fuse element can be stably cut by the laser, so that the defective cutting can be eliminated and the yield of the semiconductor device can be improved. Further, when the pad opening 15b is formed on the bonding pad 12b, the lower protective insulating film 13a and the fuse insulating film 13b covering the fuse element 12a can be formed by simultaneously forming the fuse proximity opening 15a. Therefore, it can be easily formed without increasing the number of steps, and the manufacturing cost can be reduced.
[0038]
A method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to FIG. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating the manufacturing steps of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
[0039]
First, in the step shown in FIG. 2A, an interlayer insulating film 11 is formed on a semiconductor substrate 10 on which a semiconductor element such as a transistor is formed, and then a metal film made of an Al alloy is formed on the interlayer insulating film 11. The metal film is deposited and patterned by photolithography and dry etching to form the fuse element 12a and the bonding pad 12b. Thereafter, a lower insulating film 13 made of a silicon nitride film having a thickness of 800 nm is formed on the fuse element 12a, the bonding pad 12b, and the interlayer insulating film 11 by plasma CVD. Thereafter, an upper insulating film 14 made of a silicon oxide film having a thickness of 200 nm is formed on the lower insulating film 13.
[0040]
Next, in the step shown in FIG. 2 (b), an opening was formed on the upper insulating film 14 at a position separated from the side surface of the fuse element 12a by a predetermined distance from the pad opening formed on the bonding pad 12b. A resist 16 having a fuse opening is formed. At this time, the opening for fuse of the resist 16 is formed, for example, at a position spaced by about 200 nm in design from the side surface of the fuse element 12a. Thereafter, using the resist 16 as a mask, the upper insulating film 14 is etched to form an upper protective insulating film 14a.
[0041]
Next, in the step shown in FIG. 2C, after removing the resist 16, the lower insulating film 13 is etched using the upper protective insulating film 14a as a mask to form the fuse proximity opening 15a and the pad opening 15b. To do. As a result, a lower protective insulating film 13a made of the lower insulating film 13 is formed on the upper surface of the fuse element 12a, and a part of the lower insulating film 13 remains on the side surface of the fuse element 12a. An insulating film 13b is formed.
[0042]
The variation in the film thickness of the fuse insulating film 13b formed on the side surface of the fuse element 12a in the first embodiment is calculated as follows, for example.
[0043]
When the fuse opening of the resist 16 is 200 nm away from the side surface of the fuse element 12a in design, the fuse portion is assumed to have an alignment accuracy between the uppermost wiring including the fuse element 12a and the bonding pad 12b and the resist 16 of 170 nm. The film thickness of the insulating film 13b is in the range of 30 nm to 370 nm. Here, when the fuse proximity opening 15a is provided on both sides of the fuse element 12a, the film thickness of the thinner fuse part insulating film 13b among the fuse part insulating films 13b remaining on both sides of the fuse element 12a. Is in the range of 30 nm to 200 nm. Therefore, according to the present embodiment, the film thickness variation of the fuse part insulating film formed on the cut portion of the fuse element cut by laser trimming is suppressed to 70% or less of the fluctuation of the fuse part insulating film in the prior art. be able to.
[0044]
In the above embodiment, the fuse proximity opening and the bonding pad opening are formed simultaneously, but they may be formed in separate etching processes. In this embodiment, the lower insulating film is etched by using the upper protective insulating film made of the upper insulating film as a mask to form the fuse proximity opening and the bonding pad opening, but the upper insulating film is formed. Instead, it may be formed directly using a resist mask.
[0045]
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
[0046]
The semiconductor device according to the second embodiment is formed with an interlayer insulating film 11 formed on a semiconductor substrate 10 on which a semiconductor element such as a transistor is formed, and an uppermost metal wiring on the interlayer insulating film 11. The fuse element 12a, the bonding pad 12b formed of the uppermost metal wiring on the interlayer insulating film 11, and the thickness 900 nm formed on the interlayer insulating film 11 on which the fuse element 12a and the bonding pad 12b are formed. A protective insulating film 20 made of a silicon nitride film, a covering insulating film 21 made of a 50 nm thick silicon oxide film formed on the protective insulating film 20, and a protective insulating film 20 and a covering insulating film 21 on the bonding pad 12b. And a pad opening 22 formed by opening. On the upper surface of the fuse element 12a, an on-fuse protective insulating film 20a made of the protective insulating film 20 having the same pattern width as that of the fuse element 12a is formed. On the side surface of the fuse element 12a, A fuse part insulating film 21 a made of the covering insulating film 21 is directly formed.
[0047]
According to the present embodiment, the fuse element 12a is covered with the fuse protective insulating film 20a and the fuse part insulating film 21a, and the thickness of the fuse protective insulating film 20a formed on the upper surface of the fuse element 12a is the same. Whereas it is 900 nm, the thickness of the fuse portion insulating film 21a formed on the side surface of the fuse element 12a is as thin as about 50 nm. In this way, by forming the fuse part insulating film 21a made of the covering insulating film 21 having an appropriate film thickness on the side surface of the fuse element 12a, the fuse part insulating film 21a can be made thin and the film thickness can be reduced. It becomes easy to control accurately. Therefore, the fuse element can be stably cut by the laser, so that the defective cutting can be eliminated and the yield of the semiconductor device can be improved.
[0048]
A method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 4A to FIG. 4D are cross-sectional views showing manufacturing steps of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
[0049]
First, in the step shown in FIG. 4A, an interlayer insulating film 11 is formed on a semiconductor substrate 10 on which a semiconductor element such as a transistor is formed, and then a metal film made of an Al alloy is formed on the interlayer insulating film 11. Then, the metal film is patterned by photolithography and dry etching to form the fuse element metal region 12A and the bonding pad 12b. Thereafter, a protective insulating film 20 made of a silicon nitride film having a thickness of 900 nm is formed on the fuse element metal region 12A, the bonding pad 12b, and the interlayer insulating film 11 by plasma CVD. Thereafter, a resist 17 having a fuse element formation pattern 17 a in the fuse element formation region 18 is formed on the protective insulating film 20. FIG. 5 is a plan view showing the fuse element metal region 12A and the resist 17 in the step shown in FIG. In the figure, a resist 17 is formed outside the dotted line. The resist 17 covers a region other than the fuse element formation region 18, and a fuse element formation pattern 17a made of the resist 17 is formed on the fuse element metal region 12A. Yes.
[0050]
Next, in the step shown in FIG. 4B, the protective insulating film 20 is etched using the resist 17 as a mask to form the on-fuse protective insulating film 20a on the fuse element metal region 12A. Thereafter, the resist 17 is removed.
[0051]
Next, in the step shown in FIG. 4C, the fuse element metal region 12A is etched using the protective insulating film 20 including the on-fuse protective insulating film 20a as a mask to form the fuse element 12a.
[0052]
Next, in the step shown in FIG. 4D, a covering insulating film 21 made of a silicon nitride film having a thickness of 50 nm is formed on the entire surface of the substrate. Thereafter, the protective insulating film 20 and the covering insulating film 21 on the bonding pad 12b are etched by photolithography and dry etching to form a pad opening 22. As a result, the fuse part insulating film 21a made of the thin covering insulating film 21 is formed on the side surface of the fuse element 12a.
[0053]
In the second embodiment, the film thickness variation of the fuse insulating film 21a made of the coating insulating film 21 formed on the side surface of the fuse element 12a is equal to the film forming variation of the coating insulating film 21. Accordingly, assuming that the film thickness variation at the time of film formation is 10% of the deposited film thickness, the film thickness variation of the fuse insulating film 21a made of the coating insulating film 21 on the side surface of the fuse element 12a is 5 nm. The film thickness variation can be significantly reduced to about 4% with respect to the film thickness variation (128 nm).
[0054]
【The invention's effect】
According to the present invention, a thin fuse portion insulating film having a thick protective insulating film and having a small variation in a portion on the fuse element can be accurately controlled. It is possible to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same that can eliminate defects caused by cutting a fuse by laser irradiation while suppressing an increase.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A to 1C are cross-sectional views showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. FIGS. 2A to 2C are views showing a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. FIGS. 4A to 4D are views of a semiconductor according to the second embodiment of the present invention. Sectional drawing which shows the manufacturing process of an apparatus [FIG. 5] The top view in FIG. 4 (a) among the manufacturing processes of the semiconductor device based on the 2nd Embodiment of this invention. [FIG. 6] (a)-(c). Sectional view showing the manufacturing process of a conventional semiconductor device
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor substrate 11 Interlayer insulating film 12A Fuse element metal region 12a Fuse element 12b Bonding pad 13 Lower insulating film 13a Lower protective insulating film 13b Fuse insulating film 14 Upper insulating film 14a Upper protective insulating film 15a Fuse proximity opening 15b Pad opening Part 16 resist 17 resist 17a fuse element formation pattern 18 fuse element formation region 19 opening 20 protective insulating film 20a protective insulating film 21 on fuse covering insulating film 21a fuse insulating film 22 pad opening

Claims

An insulating film formed on the semiconductor substrate;
A fuse element made of a conductive film formed on the insulating film;
A protective insulating film formed on the upper surface of the fuse element;
A fuse part insulating film formed on a side surface of the fuse element,
The fuse part insulating film and the protective insulating film are integrally formed of the same silicon nitride film,
A silicon oxide film having the same pattern width is formed on the fuse part insulating film and the protective insulating film,
The fuse device insulating film has a smaller film thickness than the protective insulating film.

An insulating film formed on the semiconductor substrate;
A fuse element made of a conductive film formed on the insulating film;
A protective insulating film formed on the upper surface of the fuse element;
A fuse part insulating film formed on a side surface of the fuse element,
The protective insulating film is a silicon oxide film,
The fuse part insulating film is a silicon nitride film,
The fuse device insulating film has a smaller film thickness than the protective insulating film.

Forming an insulating film on the semiconductor substrate (a);
A step (b) of forming a fuse element made of a conductive film on the insulating film and a step (c) of forming a protective insulating film covering the fuse element on the substrate after the step (b);
After the step (c), the protective insulating film is etched to form a fuse proximity opening at a position spaced from the side surface of the fuse element (d),
The protective insulating film is a silicon nitride film,
In the step (d), the protective insulating film is etched using the silicon oxide film as a mask, and the fuse insulating film made of the protective insulating film is formed on the side surface of the fuse element. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the semiconductor device is formed thinner.

Forming an insulating film on the semiconductor substrate (a);
Forming a conductive region for a fuse element made of a conductive film on the insulating film (b);
After the step (b), a step (c) of forming a protective insulating film covering the fuse element conductor region on the substrate;
Etching the protective insulating film to form a protective insulating film on the fuse on the fuse element conductor region (d);
Using the protective insulating film on the fuse as a mask and etching the fuse element conductive region to form a fuse element; and
After the step (e), a step (f) of forming a fuse part insulating film thinner than the thickness of the protective insulating film covering the side surface of the fuse element;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:

In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 4 ,
In the step (b), a bonding pad made of a conductive film is formed on the insulating film,
In the step (c), the protective insulating film is formed on the bonding pad,
In the step (f), a coating insulating film to be the fuse part insulating film is formed on the entire surface of the substrate,
After the step (f), the protective insulating film and the covering insulating film on the bonding pad are etched to form a pad opening.

In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 4 or 5 ,
The protective insulating film is a silicon oxide film,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the fuse part insulating film is a silicon nitride film.

In the manufacturing method of the semiconductor device according to any one of claims 4 to 6 ,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the fuse part insulating film has a thickness of 30 nm to 200 nm.