JP3926064B2

JP3926064B2 - プリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP3926064B2
Application number: JP18706499A
Authority: JP
Inventors: 知久本村; 謙二後藤; 義孝福岡
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1999-06-30
Filing date: 1999-06-30
Publication date: 2007-06-06
Anticipated expiration: 2019-06-30
Also published as: JP2001015921A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプリント配線基板に係り、更に詳細にはいわゆる多層板を構成するプリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より多層板を形成する方法のひとつとして、プリプレグ、即ちエポキシ樹脂などのシート状熱硬化性樹脂からなる未硬化の絶縁性基板に、金属粉などの導電性材料を樹脂中に分散させたものを略円錐型に成形した導体バンプを配設した導体層を押圧して前記プリプレグに前記導体バンプを貫通させ、これにより絶縁性基板の厚さ方向での電気的導通を形成する方法がある。
【０００３】
図８は導体バンプを貫通させて絶縁性基板の電気的導通を形成する方法（以下、この方法を単に「貫通法」という。）を模式的に示した図である。
【０００４】
図８に示したように、この貫通法では、第１の導体層１０１上に複数個の略円錐型の導体バンプ１０２，１０２，…を形成し、この導体バンプ１０２，１０２，…の上側に絶縁性基板のプリプレグ１０３を配置する（図８（ａ））。
【０００５】
しかる後に前記第１の導体層１０１とプリプレグ１０３とを押圧し、前記導体バンプ１０２，１０２…をしてプリプレグ１０３を貫通せしめる。この状態で加熱等によりプリプレグ１０３を硬化させる。
【０００６】
次いで、プリプレグ１０３の図中上面上に第２の導体層１０４を形成し、「コア材」と呼ばれる、絶縁性基板の両面に導体層が形成されたプリント配線基板の基本的な要素が形成される。なお、多層板を形成するにはこのようなコア材どうしを別のプリプレグを介して積層して多層化する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、多層板上に各種半導体素子を実装する際、例えばワイヤーボンディングする際には基板を１５０〜１８０℃付近まで加熱するため、このような高温に耐えうる材料として一般にビスマレイドトリアジンレジン（以下、「ビスマレイドトリアジンレジン」を単に「マレイドレジン」ということがある。）のようなガラス転移温度の高い材料が用いられる。
【０００８】
しかし、マレイドレジンのようなガラス転移温度の高い材料は配線基板の汎用材料として広く用いられているガラス繊維強化エポキシ樹脂などに比較して配線パターンを形成する銅箔と基板の絶縁材料との密着強度であるピール強度が０．８Ｎ／ｍｍ程度と低く、大きな衝撃を受けると部品や配線パターンと導体バンプとの接触部分が剥離して断線してしまうという問題がある。
【０００９】
このような衝撃に耐えられる多層板として、マレイドレジンのようなガラス転移温度の高い材料で形成された基板と、ガラス繊維強化型エポキシ樹脂で形成された基板とを積層した複合型の多層板が提案されている。この多層板では高ガラス転移温度型の基板と、高ピール強度型の基板とを積層したものにスルホールを穿孔し、このスルホールの内壁面に鍍金を施して多層板の厚さ方向での電気的導通を図っている。
【００１０】
しかし、このような種類の異なる複数の基板を積層したものにスルホールを穿孔するべくドリル加工する場合、基板毎に最適な加工条件が異なるため、種類の異なる基板と基板との境目をドリルが通過するときにバリや亀裂が生じやすく、このバリや亀裂が生じた多層板にスルホール鍍金して実装するとこのバリや亀裂に沿って短絡するマイグレーションが発生するという問題がある。
【００１１】
本発明はこれらの問題を解決するためになされたものである。即ち、本発明は衝撃による断線やマイグレーションを生じることの無いプリント配線基板およびそのようなプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
また、本発明は反りや捩れのないプリント配線基板およびそのようなプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のプリント配線基板は、１７０℃以上のガラス転移温度を有する絶縁性材料からなる内側層と、前記内側層の第１の面上に形成された第１の内側配線パターン層と、前記内側層の第２の面上に形成された第２の内側配線パターン層と、前記内側層を貫通して前記第１の内側配線パターン層と前記第２の内側配線パターン層とを電気的に接続する内側導体バンプと、前記内側層よりパターン層とのピール強度の高い絶縁性材料からなり、前記第１の内側配線パターン層を介して前記内側層に積層された第１の外側層と、前記第１の外側層を介して前記第１の内側配線パターン層と対向配置された第１の外側配線パターン層と、前記第１の外側層を貫通して前記第１の内側配線パターン層と前記第１の外側配線パターン層とを電気的に接続する第１の外側導体バンプと、前記内側層よりパターン層とのピール強度の高い絶縁性材料からなり、前記第２の内側配線パターン層を介して前記内側層に積層された第２の外側層と、前記第２の外側層を介して前記第２の内側配線パターン層と対向配置された第２の外側配線パターン層と、前記第２の外側層を貫通して前記第２の内側配線パターン層と前記第２の外側配線パターン層とを電気的に接続する第２の外側導体バンプと、を具備する。
【００１４】
更に、本発明は、１７０℃以上のガラス転移温度を有する絶縁性材料からなる第１の内側層と、前記第１の内側層の第１の面上に形成された第１の内側配線パターン層と、前記第１の内側層の第２の面上に形成された第２の内側配線パターン層と、前記第１の内側層を貫通して前記第１の内側配線パターン層と前記第２の内側配線パターン層とを電気的に接続する第１の内側導体バンプと、１７０℃以上のガラス転移温度を有する絶縁性材料からなり、前記第１の内側配線パターン層を介して前記第１の内側層に積層された第２の内側層と、前記第２の内側層を介して前記第１の内側配線パターン層と対向配置された第１の中間配線パターン層と、前記第２の内側層を貫通して前記第１の内側配線パターン層と前記第１の中間配線パターン層とを電気的に接続する第２の内側導体バンプと、１７０℃以上のガラス転移温度を有する絶縁性材料からなり、前記第２の内側配線パターン層を介して前記第１の内側層に積層された第３の内側層と、前記第３の内側層を介して前記第２の内側配線パターン層と対向配置された第２の中間配線パターン層と、前記第３の内側層を貫通して前記第２の内側配線パターン層と前記第２の中間配線パターン層とを電気的に接続する第３の内側導体バンプと、前記内側層よりパターン層とのピール強度の高い絶縁性材料からなり、前記第１の中間配線パターン層を介して前記第２の内側層に積層された第１の外側層と、前記第１の外側層を介して前記第１の中間配線パターン層と対向配置された第１の外側配線パターン層と、前記第１の外側層を貫通して前記第１の中間配線パターン層と前記第１の外側配線パターン層とを電気的に接続する第１の外側導体バンプと、前記内側層よりパターン層とのピール強度の高い絶縁性材料からなり、前記第２の中間配線パターン層を介して前記第２の内側層に積層された第２の外側層と、前記第２の外側層を介して前記第２の中間配線パターン層と対向配置された第２の外側配線パターン層と、前記第２の外側層を貫通して前記第２の中間配線パターン層と前記第２の外側配線パターン層とを電気的に接続する第２の外側導体バンプと、を具備する。
【００１５】
また、本発明のプリント配線基板の製造方法は、第１の導体層上に複数個の略円錐型の第１の導体バンプを形成する工程と、前記第１の導体バンプ上に１７０℃以上のガラス転移温度を有する材料からなる未硬化の第１の絶縁性基板を配設する工程と、前記第１の導体板と前記第１の絶縁性基板とを押圧して前記第１の絶縁性基板に前記第１の導体バンプを貫通させる工程と、前記第１の導体バンプが貫通した前記第１の絶縁性基板の面上に第２の導体層を形成する工程と、前記未硬化の第１の絶縁性基板を硬化させる工程と、前記第１の導体層をパターン形成する工程と、前記第２の導体層をパターン形成する工程と、第３の導体層上に複数個の略円錐型の第２の導体バンプを形成する工程と、第４の導体層上に複数個の略円錐型の第３の導体バンプを形成する工程と、前記第１の絶縁層よりパターン層とのピール強度の高い材料からなる未硬化の第２の絶縁性基板を介して前記第１の絶縁性基板と前記第２の導体バンプとを対向配置すると同時に、前記第１の絶縁層よりパターン層とのピール強度の高い材料からなる未硬化の第３の絶縁性基板を介して前記第１の絶縁性基板と前記第３の導体バンプとを対向配置する工程と、前記第３の導体層と前記第４の導体層とを押圧して前記第２の絶縁性基板に前記第２の導体バンプを貫通させると同時に前記第３の絶縁性基板に前記第３の導体バンプを貫通させ、それにより、前記第１の導体層と前記第３の導体層との間、及び、前記第２の導体層と前記第４の導体層との間をそれぞれ電気的に接続する工程と、前記第２の絶縁性基板及び前記第３の絶縁性基板を硬化する工程と、前記第３の導体層をパターン形成する工程と、
前記第４の導体層をパターン形成する工程と、を具備する。
【００１６】
上記発明において、前記内側層を構成する基板、或いは、前記第１の絶縁性基板としては、例えばビスマレイドトリアジンレジンからなる基板が挙げられる。また、前記外側層を構成する基板、或いは、前記第２及び第３の絶縁性基板は、前記パターン層との間で１．２Ｎ／ｍｍ以上のピール強度を有する材料で形成された基板が好ましい。
【００１７】
更に、前記外側層を構成する基板、或いは、前記第２及び第３の絶縁性基板の例としては、エポキシ樹脂基板が挙げられる。
【００１８】
本発明のプリント配線基板では、多層板の外層にピール強度の高い基板を配設しているので配線パターンとの間で十分な接着強度が得られ、高い耐衝撃性が得られる。その一方で、内層にガラス転移温度の高い基板を配設しているので、高温の実装工程に耐えられる。更に反りや捩れの発生も防止される。
【００１９】
更に、本発明ではいわゆる貫通型構造を採用しており、多層板にドリルによる穴あけなど、バリや亀裂の生じるような機械的な加工は不要であるため、バリや亀裂が原因で生じるマイグレーションの発生が未然に防止される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。図１〜図３は本実施形態に係るプリント配線基板の製造手順を模式的に描いた垂直断面図であり、図４は同手順を図示したフローチャートである。
【００２１】
まず図１に示すようにしてコア材、即ち絶縁性基板の両面に導体層を設けたものを作成する。図１（ａ）に示すように第１の導体層としての薄板状の導体、例えば銅箔のような薄板状の導体板１を用意し（ＳＴＥＰ１）、この導体板１上に所定の回路パターンに沿って複数個の略円錐型の導体バンプ（第１の導体バンプ）２，２，…を印刷技術などを用いて形成する（図１（ｂ）／ＳＴＥＰ２）。しかる後に前記導体バンプ２，２，…の上に第１の絶縁性基板としての未硬化の絶縁性基板（プリプレグ）３を配置する（図１（ｃ）／ＳＴＥＰ３）。ここで用いる絶縁性基板３はガラス転移温度が１７０℃以上の材料、例えばマレイドレジン（ビスマレイドトリアジンレジン）などが挙げられる。
【００２２】
ここで、ガラス転移温度が１７０℃以上の材料を採用した理由は、一般にガラス転移温度と熱膨張係数との間には、ガラス転移温度が大きい材料ほど熱膨張率が小さい、という関係があり、ガラス転移温度の高い材料ほど耐熱性に優れているためである。
【００２３】
また、ガラス転移温度の値を１７０℃以上としたのは、ガラス転移温度が１７０℃未満であると、その材料の熱膨張係数はある限界を超えて大きくなり、導体バンプと絶縁性基板との間にミスマッチが起き、ハンダ耐熱性試験（２８８℃で１０秒放置）で、バンプにクラックが生じ、電気的接続が破壊される、という弊害を生じるからである。
【００２４】
次いでこれら導体板１と絶縁性基板３とを押圧してこの絶縁性基板３に前記導体バンプ２，２，…を貫通させる（図１（ｄ）／ＳＴＥＰ４）。
【００２５】
更に絶縁性基板３の前記導体バンプ２，２，…の先端が貫通した面、即ち図中３ａ面上に第２の導体層としての金属層、例えば銅箔層４を鍍金技術やプレス加工などを用いて形成する（図１（ｅ）／ＳＴＥＰ５）。しかる後に加熱などにより絶縁性基板３を硬化することによりコア材５が完成する（ＳＴＥＰ６）。
【００２６】
次いで、このコア材５の第１の面（図中上面）、第２の面（図中下面）にそれぞれ配線パターンを形成する（ＳＴＥＰ７）。
【００２７】
なお、図面中では導体バンプの底面の幅と、この導体バンプ底面と接触する配線パターンの幅とが同じ寸法で描かれているが、実際には導体バンプ底面とその下の配線パターンとが電気的に接触していればよく、必ずしも両者の寸法が一致している必要はない。
【００２８】
一方、図２に示したように、別途用意した導体板６上に上述したと同様の方法により略円錐型の導体バンプ７, ７, …を形成する（ＳＴＥＰ８）。全く同様にして、更に別に用意した導体板９上に略円錐型の導体バンプ１０，１０，…を形成する（ＳＴＥＰ９）。
【００２９】
次に、先に配線パターンを形成したコア材５の第１の面の図中上側に未硬化の絶縁性基板（プリプレグ）８を配設し、更にその上に先ほど形成した導体バンプ７，７，…がコア材５と対向するように導体板６を配置する（ＳＴＥＰ１０）。全く同様にしてコア材５の第２の面の図中下側に未硬化の絶縁性基板１１を配設し、更にその上に先ほど形成した導体バンプ１０，１０，…がコア材５と対向するように導体板９を配置する（ＳＴＥＰ１１／図２（ａ））。なお、ここで用いる絶縁性基板８，１１は上記絶縁性基板３と同じ材料からなるものである。
【００３０】
この状態で導体板６及び９を押圧する（ＳＴＥＰ１２／図２（ｂ））。この押圧により導体バンプ７，７，…が絶縁性基板８を貫通し、反対側のコア材５の第１の面上に形成された配線パターン５１に到達する。それにより絶縁性基板８の厚さ方向で導体板６と配線パターン５１との間の電気的な導通が形成される。
【００３１】
下側の面でも全く同様にして、上記押圧により導体バンプ１０，１０，…が絶縁性基板１１を貫通し、反対側のコア材５の第２の面上に形成された配線パターン５２に到達する。それにより絶縁性基板８の厚さ方向で導体板６と配線パターン５１との間の電気的な導通が形成される。
【００３２】
次にこの積層体を加熱するなどして絶縁性基板８及び１１を硬化させる（ＳＴＥＰ１３）。しかる後にこの積層体の第１の面（図中上面）に配設された導体板６をエッチングなどによりパターン形成を行い、第１の配線パターン６１を形成する。同様にしてこの積層体の第２の面（図中下面）に配設された導体板９をエッチングなどによりパターン形成を行い、第２の配線パターン９１を形成する（ＳＴＥＰ１４／図２（ｃ））。このようにして内層、即ち、多層板の内側に配設される積層体が得られる。なお、この内層全体の厚さは０．４ｍｍ以上であることが求められる。ここで内層全体の厚さを０．４ｍｍ以上としたのは、内層全体の厚さが０．４ｍｍ未満であると、さらに外側に導体バンプを突き当てて基板の多層化を行うときに前記外側に突き当てる導体バンプが積層プレス時にバンプの高さの１／３以下の寸法に圧縮されず、バンプ接続の信頼性が得られない、問
いう弊害を生じるからである。
【００３３】
次に、別に導体板１２を用意して、この上に略円錐型の導体バンプ１３，１３，…を複数個形成する。同様に導体板１５の上に略円錐型の導体バンプ１６，１６，…を複数個形成する（ＳＴＥＰ１５）。
【００３４】
次に、先に形成した積層体の第１の面（図中上面）上の第１のパターン６１の上に高ピール強度型の未硬化の絶縁性基板（プリプレグ）１４を配設し、更にその上に前記導体バンプ１３，１３，…が前記第１のパターン６１と対向するように導体板１３を配設する（ＳＴＥＰ１６）。また、積層体の第２の面（図中下面）側についても同様に、第２のパターン９１の上に高ピール強度型の未硬化の絶縁性基板（プリプレグ）１７を配設し、更にその下に前記導体バンプ１６，１６，…が前記第２のパターン９１と対向するように導体板１５を配設する（ＳＴＥＰ１７／図３（ａ））。
【００３５】
ここでいわゆる外層に用いる高ピール強度型絶縁性基板１４，１７としては配線パターンとのピール強度が１．２Ｎ／ｍｍ以上のものが好ましく、例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂基板プリプレグなどが挙げられる。
【００３６】
この外層に用いる絶縁性基板の配線パターンに対するピール強度を１．２Ｎ／ｍｍ以上に限定したのは、配線パターンに対するピール強度が１．２Ｎ／ｍｍを下回ると、出来あがった本配線基板に電子部品を実装後、落下試験を行うと、前記部品が剥離してしまうからである。これは絶縁層と配線パターンとの密着強度が小さいことにより起きる。
【００３７】
この状態で導体板１２及び１５を押圧する（ＳＴＥＰ１８／図３（ｂ））。この押圧により、導体バンプ１３，１３，…は高ピール強度型絶縁性基板１４を貫通し第１の配線パターン６１の上面に突き当たり、導体層１２と第１の配線パターン６１との間に電気的な導通が形成される。同様に、導体バンプ１６，１６，…は高ピール強度型絶縁性基板１７を貫通し第１の配線パターン９１の上面に突き当たり、導体層１６と第１の配線パターン９１との間に電気的な導通が形成される。
【００３８】
こうして得られた積層体に加熱を施すなどして高ピール強度型絶縁性基板１４，１７を硬化させる（ＳＴＥＰ１９）。
【００３９】
次いで、エッチングなどにより導体板１２及び導体板１５にパターン形成し、配線パターン１２１，１５１を形成する（ＳＴＥＰ２０／図３（ｃ））ことにより多層板５０が完成する（ＳＴＥＰ２１）。
【００４０】
このようにして、第１の内側層としての絶縁性基板３、第１の内側配線パターン層としての配線パターン５１、第２の内側配線パターン層としての配線パターン５２、第１の内側導体バンプとしての導体バンプ２、第２の内側層としての絶縁性基板８、第１の中間配線パターン層としての配線パターン６１、第２の内側導体バンプとしての導体バンプ７、第３の内側層としての絶縁性基板１１、第２の中間配線パターン層としての配線パターン９１、第３の内側導体バンプとしての導体バンプ１０、第１の外側層としての絶縁性基板１４、第１の外側配線パターン層としての配線パターン１２１、第１の外側導体バンプとしての導体バンプ１３、第２の外側層としての絶縁性基板１７、第２の外側配線パターン層としての配線パターン１５１、及び、第２の外側導体バンプとしての導体バンプ１６、を具備する多層板型のプリント配線基板が形成される。
【００４１】
以上説明したとおり、本発明のプリント配線基板では、多層構造の中心にガラス転移温度の高い絶縁性基板を配設し、このガラス転移温度の高い絶縁性基板の外側に配線パターンに対するピール強度の高い絶縁性基板を配設した複合構造となっているので、衝撃などを受けても配線パターンと基板とが剥離することがない。そのため、配線パターン上に実装した半導体素子が脱落したり、多層板の厚さ方向での断線が生じるというトラブルが未然に防止される。
【００４２】
また、本発明のプリント配線基板では導体バンプをプリプレグの状態の絶縁性基板に押圧して基板の厚さ方向での電気的導通を形成するので、スルホールを機械的に穿孔する必要がない。そのためスルホール穿孔のためのドリル加工時に種類の異なる２枚の基板の接合面で生じるバリや亀裂が惹起するマイグレーションの発生が防止される。
【００４３】
更に、本発明のプリント配線基板では、多層構造の内側にガラス転移温度の高い絶縁性基板を配設した構造となっているので、基板の反りや捩れが防止され、それにより配線パターンの剥離や半導体素子の脱落、多層板の厚さ方向での断線が防止される。また、ガラス転移温度の高い絶縁性基板の優れた耐熱性により、半導体素子を実装する際に晒される高温にも十分耐えることができる。
【００４４】
（実施例）
以下に本発明の実施例について説明する。図５は、銀ペーストバンプ２８で層間を接続する方法で作成した４層基板２７を示した垂直断面図である。この４層基板２７の絶縁材料にはＢＴ（ビスマレイドトリアジン）レジン（三菱ガス化学製、型番：ＧＨＰＬ８３０、Ｔｇ＝１９０℃）を使用した。
【００４５】
図６は６層基板の外層の製造手順を模式的に示した垂直断面図である。まず、厚さ１８μｍの銅箔３１に銀ペーストを用いて直径２００μｍ、高さ１６０μｍの円錐形の導体バンプ３０を形成する。次に、４層基板２７の絶縁材料２９とは異なる絶縁材料３２（利昌工業製、型番：ＥＳ３３０５Ｈ，Ｔｇ＝１５０℃）を図６（ｂ）のように配置して加熱、加圧してバンプ３０を絶縁材料３２の厚さ方向に貫通させた（図６（ｃ））。
【００４６】
次に、得られた外層３３を内層基板２７に図７のようにセットして積層プレスを行うと、図８のように全層が導体バンプで接続された構造の６層基板３４が得られる。６層基板３４の内層基板の厚さｈが０．４ｍｍ以上のとき、温度サイクル試験（−６５℃〜＋１２５℃、５００サイクル）、及び、ホットオイル試験（２０℃〜２６０℃、４０サイクル）で抵抗変化が１０％以内という良好な接続信頼性が得られた。また、基板外層の銅箔３１のピール強度は１．４〜１．７Ｎ／ｍｍであった。内層２７のうち、真中の絶縁層の厚さｄ１は０．２８ｍｍであり、その両側の絶縁層の厚さｄ２，ｄ３は共に０．０６ｍｍであった。また、外層を構成する絶縁層の厚さｄ４，ｄ５は共に０．０６ｍｍであった。
【００４７】
なお、本発明の範囲は上記実施形態や実施例の範囲に限定されない。例えば、上記実施形態や実施例では内層２７をガラス転移温度の高い３層の絶縁性基板の積層体から構成し、その両側にピール強度の高い外層を積層して、合計５枚の絶縁性基板を積層した構造の多層板について説明したが、内層２７が１枚の絶縁性基板のみからなる構造とし、その両側にピール強度の高い外層を配設した合計３枚の絶縁性基板を積層した多層板としても良い。なお、その場合には内層１枚の厚さが０．４ｍｍ以上であることが求められる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、多層板の外層にピール強度の高い基板を配設しているので配線パターンとの間で十分な接着強度が得られ、高い耐衝撃性が得られる。その一方で、内層にガラス転移温度の高い基板を配設しているので、高温の実装工程に耐えられる。更に反りや捩れの発生も防止される。
【００４９】
更に、本発明ではいわゆる貫通型構造を採用しており、多層板にドリルによる穴あけなど、バリや亀裂の生じるような機械的な加工は不要であるため、バリや亀裂が原因で生じるマイグレーションの発生が未然に防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプリント配線基板の製造手順を模式的に描いた垂直断面図である。
【図２】本発明に係るプリント配線基板の製造手順を模式的に描いた垂直断面図である。
【図３】本発明に係るプリント配線基板の製造手順を模式的に描いた垂直断面図である。
【図４】本発明に係るプリント配線基板の製造手順のフローチャートである。
【図５】本発明に係るプリント配線基板の製造手順を模式的に描いた垂直断面図である。
【図６】本発明に係るプリント配線基板の製造手順を模式的に描いた垂直断面図である。
【図７】本発明に係るプリント配線基板の製造手順を模式的に描いた垂直断面図である。
【図８】従来の多層板の製造手順を図示した垂直断面図である。
【符号の説明】
３…………絶縁性基板（第１の内側層）、
５１………配線パターン（第１の内側配線パターン層）、
５２………配線パターン（第２の内側配線パターン層）、
２…………導体バンプ（第１の内側導体バンプ）、
８…………絶縁性基板（第２の内側層）、
６１………配線パターン（第１の中間配線パターン層）、
７…………導体バンプ（第２の内側導体バンプ）、
１１………絶縁性基板（第３の内側層）、
９１………配線パターン（第２の中間配線パターン）、
１０………導体バンプ（第３の内側導体バンプ）、
１４………絶縁性基板（第１の外側層）、
１２１……配線パターン（第１の外側配線パターン層）、
１３………導体バンプ（第１の外側導体バンプ）、
１７………絶縁性基板（第２の外側層）、
１５１……配線パターン（第２の外側配線パターン）、
１６………導体バンプ（第２の外側導体バンプ）。

Claims

複数層の内側配線パターン層が、それぞれ１７０℃以上のガラス転移温度を有する内側絶縁層を介して前記内側絶縁層が複数層をなすよう積層され、前記各内側配線パターン層が前記内側絶縁層を貫通する内側導体バンプにより電気的に接続させてなる全体の厚さが０．４ mm 以上の内層と、
前記内層の外側に積層された配線パターン層とのピール強度が前記内側絶縁層のそれより高い外側絶縁層と、この外側絶縁層上に形成された外側配線パターン層と、前記外側絶縁層を貫通して前記外側配線パターン層と前記内層の内側配線パターン層とを電気的に接続する外側導体バンプとを有する外層と、
を具備することを特徴とするプリント配線基板。
請求項１記載のプリント配線基板であって、前記内側絶縁層が、ビスマレイドトリアジンレジンからなることを特徴とするプリント配線基板。
請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載のプリント配線基板であって、前記外側絶縁層が、前記パターン層との間で１．２Ｎ／ｍｍ以上のピール強度を有する材料からなることを特徴とするプリント配線基板。
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプリント配線基板であって、前記外側絶縁層が、エポキシ樹脂層からなることを特徴とするプリント配線基板。
複数層の内側配線パターン層が、それぞれ１７０℃以上のガラス転移温度を有する内側絶縁層を介して前記内側絶縁層が複数層をなすよう積層され、前記各内側配線パターン層が前記内側絶縁層を貫通する内側導体バンプにより電気的に接続させてなる全体の厚さが０．４ mm 以上の内層基板を形成する工程と、
外側導体板上に複数個の略円錐型の導体バンプを形成する工程と、
前記外側導体板上の導体バンプの先端側に、前記内層基板の絶縁層よりも配線パターンとのピール強度の高い材料からなる未硬化の絶縁性基板、前記内層基板を順に配設し、これらを押圧して前記外側導体板と前記内層基板の配線パターンとを前記バンプで電気的に接続する工程と、
前記ピール強度の高い材料からなる未硬化の絶縁性基板を硬化させる工程と、
前記外側導体板をパターン形成して外層とする工程と、
を具備することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。