JP3927913B2 - 光電気混載装置、及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気回路基板やパッケージ内の電気チップ間などを光接続ポート及び光導波路を介して光学的に接続するための光接続装置を含む光電気混載装置、その駆動方法等に関する。
【0002】
【従来の技術】
高度情報化社会を支えるパーソナルコンピュータ、セルラー電話やPDAに代表されるモバイル機器、デジタルAV(オーディオビジュアル)機器などの高性能化には、多数の高集積化されたLSIチップが用いられており、これらを高密度で高速に動作させる実装技術が求められている。そのためには、従来の電気接続だけを使った実装技術では、伝送遅延やクロストークの問題の解決、電磁放射ノイズ(Electromagnetic Interference: EMI)の低減などにおいて限界に来ており、光接続を併用した方式が検討されてきている。
【0003】
光接続をチップ間に適用する例は幾つか提案されている。例えば、平坦基板上に形成した有機高分子からなるスラブ導波路を伝送媒体に用いる方式は、ライン状の光導波路を作り込む方式に比べて、LSIチップやそれを実装するボードやパッケージとのマッチングが良く作製も容易で、チップ間で自由接続できるなどの利点があると考えられる(例えば、特許文献1参照)。その構成例を図9に示す。高分子封止材209で封止された光導波層を備えた基板201’の絶縁層208には発信素子204、206及び受信素子205が備えられており、LSIボード202を実装することで、LSI間の信号伝送をスラブ光導波路201”を用いて実現している(信号光203)。発信素子204、206及び受信素子205と導波路201”との光結合にはホログラム207を用いており、更に波長制御する素子で素子間の結合状態を制御する様になっている。
【0004】
【特許文献1】
特開平08-293836号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の方法ではLSIチップ間の接続制御を波長制御素子を用いて行うため、発信素子および波長制御素子に高度な安定性が要求され、必ずしも温度環境の良くないLSI近傍で実現することが難しい。本発明の目的は、光導波路の技術を活かしながら、光符号多重(Optical Code Division Multiplexing:OCDM)、暗号化などを利用してその導波路内でチップ間の配線再構成(リコンフィギャラブル配線)などの柔軟な配線構成を確立できる光接続装置を含む光電気混載装置、及びその駆動方法等を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の光電気混載装置は、電気配線で繋がれた複数の電気チップと光導波路とを備えた光電気混載装置であって、該複数の電気チップに電気配線を通して復号化するための電気信号を送る処理回路と、電気チップからの電気信号を符号化(拡散符号による符号化、暗号化など)された光信号として該光導波路に出力する光出力ポートと、該光導波路からの該符号化された光信号を受光して電気チップに信号を送る複数の光入力ポートとを備え、該処理回路からの該電気信号をもとに、該光信号を復号化する電気チップを決定することを特徴とする。この光電気混載装置により、光入力ポート(光受信部)は選択的に必要な信号のみを受信できて、必要に応じてポート間の信号伝送の仕方を変えられる配線再構成、秘話通信の如き配線構成などの柔軟な配線構成を確立できることになる。さらに、光入力ポートが前記光導波路に複数接続されている場合には、光符号分割多重などを用いることで、結果的に光接続ポート間の配線再構成などの柔軟な配線構成を確立できる光電気混載装置の実現が可能となる。この構成は、光導波路を介する光接続の構造は実質的に変えないで、光のリコンフィギャラブル配線などの柔軟な配線構成を光符号分割多重等の利用で確立しているので、電気接続の欠点を抑制しつつ光接続の長所を生かした構成として実現できる。こうした機能、作用は、光電気混載装置、駆動方法、電子機器で有効に生かされる。
【0007】
この光電気混載装置は、前記電気チップ間の光信号の授受の制御を行うための処理回路を備え、電気チップと該処理回路が電気配線により接続されている。
【0008】
また、上記目的を達成する本発明の光電気混載装置の駆動方法は、複数の電気チップ間の光接続のための光信号を、前記符号化をして発信している電気チップとは異なる他の1つまたは複数の電気チップに対して受信可能なように光導波路の特定或いは全体領域に伝播し、受信可能な電気チップのうち復号化するためのキーを処理回路から与えられた電気チップのみが所望の光信号を復号化して信号を受信することを特徴とする。この光電気混載装置の駆動方法において、互いに直交関係を満たす符号化により複数の電気チップから光信号を同一光導波路内で同時に発信し、それぞれ対応する符号化のキーが処理回路から与えられた電気チップにより所望の信号を復号化することにより光符号分割多重伝送を行う様にもできる。また、前記発信用電気チップおよび受信用電気チップ、接続の仕方、符号化方法は、必要に応じて順次切り替えて動作させる様にもできる。また、前記光信号は誤り検知可能な、或いは誤り訂正可能な符号で変調されており、受信用電気チップで誤りを検知した場合には発信用電気チップにエラー検出信号を伝送し、必要に応じて該発信用電気チップから該受信用電気チップに光信号を再送信する様にもできる。さらに、電気チップと電気配線により接続され電気チップ間の光信号の授受の制御を行うための処理回路にエラー検出信号を伝送して、光電気混載装置全体のエラー発生量を制御するように、複数の電気チップ間の光接続の符号分割多重数、信号伝送レート、伝送タイミングなどを決定する制御信号を該処理回路から複数の電気チップに対して送ることで集中管理による最適制御を行う様にもできる。
【0009】
また、上記目的を達成する本発明の電子機器は、上記本発明の駆動方法によって電気チップ間の光接続を柔軟に再構成できる様に構成された前記光電気混載装置を組み込み、1つの機器で複数の組み込みシステム間を高速に切り替えられることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を明らかにすべく図面を用いて具体的な実施例を説明する。
(第1の実施例)
本発明の第1の実施例である光電気混載装置の斜視図を図1に示す。本実施例では、多層電気配線層を構成する基板2および光自由接続を可能にする光導波層1が集積されている。光導波層1はスラブ導波路になっていて、図1の符号6のように全ての方向に光を伝播させることができる。この図の形態では1層の光導波層1が最上面に集積されているが、電気配線層内部に多層の光導波層が集積されている形などでも良い。
【0011】
多層電気配線層を構成する基板2の材料は、プリント基板を構成するようなFR4でもよいし、ポリイミド樹脂、アラミド樹脂のような有機材料、Al2O3やAlNなどの無機セラミック材料、ガラス、或いはこれらを混合したハイブリッド材料でもよい。各電気配線層の電気配線8間がビアホール9で接続されるように電気配線層はビルドアップされ、外部とのインターフェースとしての電極3が備えられ、チップ全体で1つの機能を有するいわゆるシステムインパッケージ(SiP)を構成することができる。すなわち、チップの形状としてはチップサイズパッケージ(CSP)となっており、その大きさは10mm角〜50mm角程度である。この多層電気配線層の内部には、抵抗、コンデンサ、コイルなどの受動チップ、或いは能動チップとしてICを組み込んでもよい。
【0012】
本実施例では、この電気配線層上部には厚さ100μmのスラブ型の樹脂光導波層1が集積されている。厚さについてはこれに限るものではない。ここで導波路材料としてポリカーボネートZを用いたが、ポリイミド、シロキサン、SU-8(商品名)、BCB、ポリシランおよびこれらの主鎖または側鎖に機能基を結合させた有機材料ポリマーまたはオリゴマーなどガラス転移温度が比較的高い光学樹脂材料が好適に用いられる。この導波層1上には、ベアチップのSi-IC1〜5(4a〜4e)が搭載されており、チップの下に集積された光I/O素子(光接続ポートである光入力及び/又は出力ポートを構成する)、具体的には半導体レーザおよびpinホトダイオードによってチップ間の光接続ができるようになっている。このベアチップは、IC作製時に同時に電気接続を行うための電極を作り込んだいわゆるウエハレベルチップサイズパッケージ(WLCSP)が好適に用いられる。チップ間のインタコネクションについては、リコンフィギャラブルな配線部分は光接続で行われるが、電気接続部分は光導波層1に形成したビア配線等を介して基板2の電気配線8で行われたり、光導波層1上に形成した電気配線で行われたりする。このICチップは、大規模な集積回路であるLSIやVLSIなどでも勿論よく、機能としてはCPU、メモリ、DSPなどを持つものが混在している。チップ外部との接続もこの光導波層1からの光空間伝送37で行える。光導波層1のサイズは基板2と同サイズにしているが、この形に限るものではなく、必要な領域にのみ光導波層が備えられている形でも良い。
【0013】
チップ実装の例を図2に示す。これは1つのチップ周辺の断面図を示しており、光導波層1の上には、電極24と25の間でハンダバンプ26を用いてベアチップLSI20が実装されている。その他のバンプ26は、発光素子27駆動用の電極10、受光素子28駆動用の電極11、及び光導波層1表面に形成した電気配線5とベアチップLSI20の電極とを接続している。電極24は、光導波層1を貫通するビア配線23を介して基板2上の電気配線21に接続され、さらに基板2内のビア配線9や内部配線8を用いて電気回路が形成されている。チップ間の電気接続はこの電気配線21や内部配線8などを介して行うことができる。
【0014】
本実施例において、光接続は上記で述べたようにスラブ光導波路1を用いてブロードキャスト的に行う。発光素子27からの光信号は、半球状の反射体12を用いて光導波層1に結合させて発信し、他のチップから光導波層1を介して伝播してきた光信号は、同じく反射体13を用いて受光素子28に結合させて受信する。これら光素子の中心と反射体の頂点の位置が光導波層1垂直方向に沿って一致していれば、光素子はスラブ光導波路1全体に対して光結合でき、対照的に、偏心させれば一定の放射角をもった領域のみと光結合できる。LSIチップの位置や光強度の必要性に応じて最適な伝播形態を選択すればよい。すなわち、基板(光電気混載装置)30の中央部のIC1などは他のICチップへの送信のために360度方位に光出射させるが、図3のように基板30のエッジ部のIC5などの場合は、必要な方向のみ、例えば90度方位に光出射35させればよい。この場合、発光素子の中心と光導波層1内にある光反射体の頂点は離調して伝播方向を制限している。これによって、光の拡散による損失が減少するので、対角にあるICチップまで伝送距離を伸ばすことができる。360度方向に拡散する時の単位面積あたりの光パワーは、導波路1の伝播損失が十分小さい場合、伝播距離Rとして1/(2πR)に比例して減衰することになるが、90度方向に制限すれば2/(πR)に比例することになるからである。
【0015】
本実施例では、光素子はGaAs系で面型の半導体レーザ、pinホトダイオードなどを用い得るが、GaAs基板を除去して光導波層1上に7μm厚の薄膜集積化したもの(機能層転写:Functional Layer Transfer(FLT))を用いているので、通常のはんだバンプ(30μmΦ〜100μmΦ)を用いてLSI実装すれば十分な高さクリアランスが得られる。GaAs基板を除去しない場合には、光素子を保護するためにICチップ20と光導波層1間にスペーサ(不図示)を挿入しても良い。また、この光素子はICチップ上にハイブリッド集積したもの、或いは光導波層1内に埋め込んだものでもよい。光導波層1内に埋め込んだ形の場合には、光素子による凸部は低くできるのでスペーサは不要になる。
【0016】
次に図4を用いて、再構成可能なこの光接続の制御、動作について説明する。図4は図1の光電気混載装置30を上からみた平面図である。各円形の領域(31a〜31e)は各ICの光送信(出力)及び/又は受信(入力)のポイントを示したものである。光電気混載装置30に示した点線の矢印はIC31間の信号の流れを示しているが、光の伝播方向を示したものではない。光送信は上記で説明したようにスラブ導波路内でブロードキャストしており、しかも各IC31チップから同時に送信している。
【0017】
符号分割多重の方法には幾つかあるが、ここでは情報変調をオン・オフ・キーイングで行い、オン信号をそのタイムスロット内で拡散符号を用いて時間軸上に拡散を行うことにより符号多重化を行った。このために、各IC31には符号化のための演算回路(不図示)が集積化され、その演算回路の出力によって光出力ポートの発光素子を変調する。例えば、IC4(31d)において送信信号が1010であり、1の信号部分で符号化を行い、これによって発光素子を変調して光符号とする。従って、電気信号である送信データのクロックレートよりも光符号のレートが速くなるが、これは符号多重数によって逓倍量が決まる。ここでは、信号クロックレートを1.2GHzとし、1つのタイムスロット内で4パルスを出力して符号化、すなわち符号長4の光直交符号としたので、4.8Gbpsで光変調を行った。その他のIC31、例えば、IC1(31a)、IC2(31b)からの送信データにそれぞれ異なる符号化を行うことで、同一スラブ導波路1内で同時に光符号を送信できる。なお、図4では送信データが同期しているように描いているが、非同期でもよく、また信号開始タイミングやクロック周波数が異なっていても良い。
【0018】
受信データは、所望の送信IC31で行われた符号化のキーが与えられた受信ICでのみ復号できる。この与えられたキーに対して、不要な信号は直交関係を満たしてゼロ(すなわち相互相関波形)になる様になっており、所望の信号のみ自己相関波形として出力される。この処理のためには、光入力ポート側の光検出器とアンプの後段に、演算回路として、マッチドフィルタ(整合フィルタ)としきい値回路(シュミットトリガ等)をICに集積させている。図4では、IC4の信号はIC3に、IC1の信号はIC2とIC5に、IC2の信号はIC1に交換できるようになっている。この信号の流れや動作するICの数は一例を示したもので、この例に限定するものではなく、時間的に接続の仕方を変化させることも勿論可能である。
【0019】
符号化の手法はここで用いた方法以外にも、符号化時に2次変調をパルス位置などで行って伝送レートを上げたり、位相シフトキーイングPSKで符号化したりする方法などがある。仕様やコストで、いずれの方法で行うかを決定することになる。さらには、キーを使って暗号化と復号化を行なう技術を用いて、秘話通信の如き配線構成を利用してもよい。この場合、導波路の光が外に漏れても読み取られる恐れが無い。
【0020】
この様に、本実施例では、特別な光学部品を使うこともなく、ICチップに符号演算処理用の演算回路やコントローラなどの電子回路を追加するだけで、スラブ型導波路内のブロードキャスト光伝送を用いて、光符号分割多重などによって複数の信号接続およびその切り替えを高速かつ高効率に行える配線再構成可能なチップ混載型システムLSIを提供できる。
【0021】
(第2の実施例)
本発明による第2の実施例は、送信データを誤り検知符号或いは誤り訂正符号とするものである。例えば、或るICからの信号列が、
a1,a2,a3,a4,a5,a6,・・・・,an
のn個であるとき(aiは0または1)、2を法とする加算を(+)で表して、
a1(+)a2(+)a3(+)a4(+)a5(+)・・・・(+)an=α (1)
で表されるαを符号列の最後に付加して転送する方法がある。そして、受信側では(1)式の演算を行って、αの一致、不一致を確認してエラーがあるかどうかをパリティチェックにより行う。符号エラーの検知をした場合には、送信元のICにその旨を伝える信号を戻す。このエラーを知らせる信号は、電気配線層内の電気配線を用いて転送してもよい。この場合、送信元ICは再送信を行う。
【0022】
また、ハミング符号を用いて送信データを構成した場合には、受信側でエラー訂正が可能である。例えば、情報伝送用のビット数4:a1,a2,a3,a4に対し、検査記号として3ビット:b1,b2,b3を加えて、
b1,b2,a1,b3,a2,a3,a4
なる信号を転送するが、このとき
b3(+)a2(+)a3(+)a4=0
b2(+)a1(+)a3(+)a4=0
b1(+)a1(+)a2(+)a4=0
を満たすようにb1, b2, b3を決める。この例では、1ビットの誤り訂正が可能で、2ビットの誤り検知が可能である。訂正が不可能なほどエラーが発生した場合には、やはり送信元ICに知らせる信号を転送する。
【0023】
このようなエラー訂正の発生確率によって、符号多重数や伝送レートの制御を行っても良い。すなわち、第1の実施例においては、非同期に各ICからの送受信を行えることを説明したが、実際には多重数によってはマッチドフィルタで処理する場合のノイズが増大し、誤り発生確率が増大する場合がありえる。誤り訂正符号等を用いて、これをモニターしていれば、誤り発生を低減するための全体制御を行うことができる。
【0024】
この為に、例えば、図5(a)のように誤り発生量をコントロールする処理回路50を付加する。該処理回路50は図5(b)のように、誤り発生量をカウントするカウンタ52と、誤り発生確率を計算する回路53と、送信データの信号分配量や伝送レートなどのタイミングを制御する回路54で構成される。この処理回路50は、電気回路基板内の電気配線による信号線51で各ICと接続している。場合によっては、一部のIC間の伝送をストップし、バースト的に信号伝送することもあり得る。このような信号伝送制御においては、予めチップ間信号伝送の必要な優先順位を決めてプログラミングしておき、メモリ55を参照しながら動作させてもよい。なお、図5(a)では処理回路50と各チップの接続の仕方を図示しているが、その配線のパターンや光導波層の上面にあるか下面にあるか、或いは電気回路基板の内部配線になるか等は任意である。
【0025】
小さい領域で符号多重伝送を行う場合には、誤り発生確率の制御をこの様な集中管理で行うことで、遅延なく最適制御を行える。もちろん、光通信システムで行っているような、エラー情報を全ICに通達して分散制御で誤り率制御を行ってもよい。こうして、本実施例では、誤り発生量に応じて、各IC間接続の符号多重数、伝送タイミング、伝送レートなどを決定する制御信号を処理回路50から複数の電気チップに対して送ることで集中管理による最適制御を行ない、信号処理エラーの少ない信頼性の高い配線再構成可能なチップ混載型システムLSIを提供できる。
【0026】
本実施例でも、特別な光学部品を使うこともなく、ICチップに符号演算処理用の演算回路やコントローラなどの電子回路を追加するだけで、スラブ型導波路内の光伝送を用いて、光符号分割多重によって複数の信号接続およびその切り替えを高速かつ高効率に行える配線再構成可能なチップ混載型システムLSIを実現できる。
【0027】
(第3の実施例)
本発明による第3の実施例は、ICチップ間の信号転送の組み合わせや符号化のキーを予めプログラミングしておいて中央集中管理でシステムを動かすものである。構成としては、第2の実施例で説明した図5と同様のものになる。すなわち、メモリから読み出したシーケンスに従って、各ICの送信タイミング、受信タイミング、符号化キーが配線51を用いて各チップに転送されて制御される。第2の実施例で説明した誤り率発生確率の制御と同時に行われても良い。
【0028】
フローチャートの例を図6に示す。スタート信号とともに、3つの信号交換フレームがシーケンシャルに実行される。すなわち、各ICチップ間の信号の伝達がフレーム毎に行われ、接続の仕方、符号化などの組み合わせは図6のように自由である。各フレーム内で、最適の伝送、すなわち誤り訂正も含めた信号交換時間を最短にするように処理回路50にてコントロールされる。
【0029】
実際の組み込み機器で動作させる場合には、このような動作間を遷移するようなシーケンスが組まれる。図7はその状態遷移図の例を示したものである。何らかのスイッチSW(外部からのスイッチング操作など)によりプログラミングされた動作間で遷移させながら機器を動作させることになる。場合によっては、或る固有の動作プログラミングを外部よりメモリにダウンロードして、新たな機能を付け加えたり、バージョンアップしたりすることができる。こうして、信号の接続の仕方は、予め符号化キーを与えるシーケンスをプログラミングしておいて実行する方法や、外部からダウンロードして追加、書き換えしたりする方法で遂行できる。
【0030】
この様な動作をさせる機器の一例として、組み込みシステムに上記構成を適用したモバイル端末80を図8に示す。このモバイル端末80には、表示部81、ボタン操作部82、ダイヤル操作部83などのマンマシンインターフェース、及び外部との信号のやりとりを行うためのアンテナ84を含む無線部が備えられる。その内部には、メインボード85及び本発明による光再構成配線を内蔵したチップまたはパッケージ86が備えられ、組み込みシステムを構成している。
【0031】
近年、無線の方式として、WCDMAやCDMA2000x方式の公衆携帯電話網、PHS、無線LAN(IEEE802.11a、bなど)、ワイヤレスIEEE1394、ウルトラワイドバンド(UWB)、Bluetoothなど数多くの方式があり、これらの方式間のスムーズな切り換えや、ワンチップで処理できる無線部などが嘱望されている。本発明による光電気混載チップでは所謂ソフトウエア無線を実現でき、高速で複数の無線方式をダイナミックに切り換えることができる。従って、小型で高速処理が可能なデジタル電子機器を提供できる。
【0032】
本発明による光電気混載チップでは、ソフトウエア無線以外にも、映像や音声を伴うようなマルチメディア処理、例えば圧縮、伸張などにも色々な方式に対して高速に対応できる。また、本発明による光電気混載チップを単体で機能させて小型、高機能な無線タグとして用いたり、多数のチップを用いて更にチップ間を結合することで、ロボットのような大規模な組み込みシステムを構築することもできる。これら以外にも、組み込み処理が必要な電子機器全般に適用して高性能化することが可能となる。例えば、高速マルチメディア処理のできる複写機、プリンタなどのOA機器や撮像装置、高速変換が可能な計測器などを本発明を用いて構築できる。
【0033】
また、上記のICチップ、光接続装置、および電気配線層を一体化した光電気混載装置である高密度実装されて高速にシステムを切り替えられるシステムLSIは、1チップで多機能を発現するSoCとして機能させたり、パッケージ化して電気回路基板に実装するSiPとして機能させられる。もちろん、1つのドータボードとして利用するような光電気混載基板として利用することもできる。このように、本発明による装置は、サイズ、実装方法、適用方法、動作システムなどにより、チップレベルから基板レベルまでを包含したものである。
【0034】
こうして、必要最小限のチップと配線で複数のアーキテクチャを構成し、かつ異なるアーキテクチャの変更を容易に行うことができ、高速なマルチメディア処理等が可能な高密度実装された電子機器等を比較的低コストで提供することができる。また、その場で必要な組み込みシステムを選択して最適な処理を行うことができ、しかもそのシステム間の切り換えを簡単な制御で高速に行うこともできる。
【0035】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、光符号多重、暗号化などを利用して、電子機器等において、伝送信号の切り換えを可能にする配線再構成などの柔軟な配線構成を確立できる光電気混載装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第1の実施例の光電気混載装置の斜視図である。
【図2】本発明による第1の実施例の光電気混載装置のチップ実装を説明する断面図である。
【図3】本発明による第1の実施例の光電気混載装置の光信号転送の仕方を説明する図である。
【図4】本発明による第1の実施例の光電気混載装置の光出射の方位を説明する図である。
【図5】本発明による第2の実施例の光電気混載装置の光信号の制御方法を説明する図である。
【図6】本発明による第3の実施例の光符号多重伝送のフローチャートの例を説明する図である。
【図7】本発明による第3の実施例の状態遷移の例を説明する図である。
【図8】本発明によるモバイル端末を示す図である。
【図9】スラブ光導波路を用いた光接続装置の従来例を示す図である。
【符号の説明】
1…光導波層
2…電気配線層
3、24、25…電極
4a〜4e、31a〜31e…ICチップ
6、35…光伝播
9、23…ビア配線
8、10、11、21、51…電気配線
12、13…光反射体
26…はんだバンプ
27…発光素子
28…受光素子
30…光電気混載装置(基板)
37…光外部入出射
50…コントローラ
52…カウンタ
53、54…演算回路
55…メモリ
80…モバイル機器
81…表示部
82、83…操作部
84…アンテナ
85…メインボード
86…光電気混載チップ
Claims (3)
- 電気配線で繋がれた複数の電気チップと光導波路とを備えた光電気混載装置であって、
該複数の電気チップに電気配線を通して復号化するための電気信号を送る処理回路と、
電気チップからの電気信号を符号化された光信号として該光導波路に出力する光出力ポートと、
該光導波路からの該符号化された光信号を受光して電気チップに信号を送る複数の光入力ポートと、
を備え、
該処理回路からの該電気信号をもとに、該光信号を復号化する電気チップを決定することを特徴とする光電気混載装置。 - 請求項1に記載の光電気混載装置の駆動方法であって、複数の電気チップ間の光接続のための光信号を、前記符号化をして発信している電気チップとは異なる他の1つまたは複数の電気チップに対して受信可能なように光導波路の特定或いは全体領域に伝播し、受信可能な電気チップのうち復号化するためのキーを処理回路から与えられた電気チップのみが所望の光信号を復号化して信号を受信することを特徴とする光電気混載装置の駆動方法。
- 互いに直交関係を満たす符号化により複数の電気チップから光信号を同一光導波路内で同時に発信し、それぞれ対応する復号化のキーが処理回路から与えられた電気チップにより所望の信号を復号化することにより光符号分割多重を行うことを特徴とする請求項2記載の光電気混載装置の駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003058770A JP3927913B2 (ja) | 2003-03-05 | 2003-03-05 | 光電気混載装置、及びその駆動方法 |
| PCT/JP2004/002500 WO2004079420A1 (en) | 2003-03-05 | 2004-03-01 | Optical connection device and optoelectronic hybrid apparatus including the same |
| US10/543,334 US7292744B2 (en) | 2003-03-05 | 2004-03-01 | Optical connection device and optoelectronic hybrid apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003058770A JP3927913B2 (ja) | 2003-03-05 | 2003-03-05 | 光電気混載装置、及びその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004274155A JP2004274155A (ja) | 2004-09-30 |
| JP3927913B2 true JP3927913B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=32958804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003058770A Expired - Fee Related JP3927913B2 (ja) | 2003-03-05 | 2003-03-05 | 光電気混載装置、及びその駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7292744B2 (ja) |
| JP (1) | JP3927913B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004079420A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615787B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP3913253B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2007-05-09 | キヤノン株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JP5196779B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 光伝導素子及びセンサ装置 |
| JP4857027B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-01-18 | キヤノン株式会社 | レーザ素子 |
| US7894699B2 (en) * | 2006-10-16 | 2011-02-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photonic based interconnects for interconnecting multiple integrated circuits |
| US8401390B2 (en) | 2007-03-06 | 2013-03-19 | Nec Corporation | Optical connecting apparatus |
| US7561764B2 (en) * | 2007-03-13 | 2009-07-14 | Enablence Inc. | Integrated reflector for planar lightwave circuits |
| JP4656156B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 光通信装置 |
| US8831437B2 (en) | 2009-09-04 | 2014-09-09 | Luxtera, Inc. | Method and system for a photonic interposer |
| US8877616B2 (en) | 2008-09-08 | 2014-11-04 | Luxtera, Inc. | Method and system for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes |
| JP2010211179A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-24 | Hitachi Ltd | 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法 |
| TWI436114B (zh) | 2010-05-24 | 2014-05-01 | 國立中央大學 | 具有光波導結構之發射端模組和接收端模組 |
| US8684316B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-04-01 | The Boeing Company | Aircraft flap mechanism having compact large fowler motion providing multiple cruise positions |
| TWI616987B (zh) * | 2012-03-16 | 2018-03-01 | 樂仕特拉公司 | 光子材料中介層的方法及系統 |
| US9250406B2 (en) * | 2012-12-20 | 2016-02-02 | Intel Corporation | Electro-optical assembly including a glass bridge |
| EP4102726A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-14 | Technische Universität Berlin | Method and system for identification via channels using optical orthogonal codes |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685432B2 (ja) * | 1985-03-18 | 1994-10-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| DE3835601A1 (de) * | 1988-10-19 | 1990-05-03 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Digitalrechner mit einer multiprozessor-anordnung |
| JPH0642527B2 (ja) * | 1989-10-10 | 1994-06-01 | 日本電気株式会社 | 光導波路を用いた情報処理装置 |
| US5151606A (en) * | 1991-01-23 | 1992-09-29 | Grumman Aerospace Corporation | Lambertian mirror optical |
| US5268973A (en) * | 1992-01-21 | 1993-12-07 | The University Of Texas System | Wafer-scale optical bus |
| JP3194503B2 (ja) * | 1992-06-04 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| CA2132043C (en) * | 1993-09-17 | 1999-03-23 | Toshihiko Ouchi | Method and apparatus for frequency modulating a semiconductor laser, and an optical communication system using the same |
| JP3244976B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2002-01-07 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザの駆動方法及び半導体レーザ装置及び光通信方法及びノード及び光通信システム |
| US6089442A (en) * | 1996-04-10 | 2000-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode connection method |
| JP3854693B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH11168262A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Canon Inc | 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置 |
| JPH11168263A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Canon Inc | 光デバイス装置及びその製造方法 |
| JP3728147B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 光電気混載配線基板 |
| JP3990846B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2007-10-17 | キヤノン株式会社 | 面型光素子、その製造方法、およびこれを用いた装置 |
| DE19948356A1 (de) | 1999-10-07 | 2001-05-17 | Siemens Ag | Leiterplatte und Verfahren zur Kommunikation zwischen elektronischen Bauteilen |
| US6490393B1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-12-03 | Advanced Interfaces, Llc | Integrated optical multiplexer and demultiplexer for wavelength division transmission of information |
| JP2004317717A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Canon Inc | 再構成可能な光電融合回路 |
| US7343059B2 (en) * | 2003-10-11 | 2008-03-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photonic interconnect system |
| US7615787B2 (en) * | 2004-03-26 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP4785392B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-10-05 | キヤノン株式会社 | テラヘルツ電磁波の発生素子の製造方法 |
-
2003
- 2003-03-05 JP JP2003058770A patent/JP3927913B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-01 WO PCT/JP2004/002500 patent/WO2004079420A1/en not_active Ceased
- 2004-03-01 US US10/543,334 patent/US7292744B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004274155A (ja) | 2004-09-30 |
| US20060056757A1 (en) | 2006-03-16 |
| WO2004079420A1 (en) | 2004-09-16 |
| US7292744B2 (en) | 2007-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070221 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070305 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110309 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140309 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |